JP2004080050A - フリップチップ型光半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子である。特に、保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、第1層上の金属層と、金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造からなる。
【選択図】 図1
Description
本発明の保護膜は、少なくとも絶縁性被膜からなる第1層101、金属層102、絶縁性被膜103からなる第2層で構成されている。特に、保護膜は少なくとも光半導体素子の半導体接合部をフリップチップ型光半導体素子の導通時に利用される導電性ペーストや半田などの接触から防止するものである。したがって、各層は以下の如き特性を持っていることが好ましい。
第1層としては窒化物半導体と接して形成することができるため、窒化物半導体との密着性が良いものが好ましい。また、第1層101上に金属層102を形成するために絶縁性の高い絶縁膜が好ましい。第1層101は発光素子が発光する波長を効率よく反射する或いは、受光素子が受光する波長に対して効率よく反射することで光利用効率を高めることができる。具体的には、第1層101の膜厚を発光素子の発光波長や受光素子の受光波長に対し1/4倍の厚さとすることで反射率を向上させることができる。また、発光素子から放出された発光波長を金属層102で反射させる場合は、第1層101が少なくとも発光素子から放出される発光波長や受光素子で受光される受光波長に対して透光性の高い層とすることが好ましい。
金属層102は導電時に保護膜を構成する第2層103を介して進入する外部などからの金属イオンなどを実質的に防止する働きをするものである。金属層102は、スパッタリング法や真空蒸着法などにより薄膜、かつ制御性良く形成することができる他、欠陥の少ない膜として形成しやすい。また、第1層101を透過した波長を効率よく反射する金属(合金や積層物を含む)を選択することにより、集光性等を高め光取りだし効率を高めることができる。
第2層103は金属層102を被覆する絶縁被膜であり外部と窒化物半導体とを電気的に絶縁するために設けられるものである。したがって、金属層102上に直接形成される場合は金属層102と密着性がよく絶縁性が高いことが求められる。第2層103に用いられる材料としては、第1層101と同様、種々の金属酸化物、金属窒化物などの無機物質の他、有機樹脂を種々選択することができる。より具体的には、酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素及びポリイミド樹脂などを好適に挙げることができる。第2層103が無機絶縁膜の場合は緻密に形成させるほど短絡の傾向が減少するが、緻密に形成させるためには成膜時間がかかる傾向にある。
本発明の光半導体素子は、窒化物半導体からなる受光素子や発光素子である。透光性絶縁基板上に形成され少なくとも半導体接合を有する窒化物半導体により構成することができる。具体的には、透光性絶縁基板上にMOCVD法やHVPE法を用いて窒化物半導体を形成させることができる。このような透光性絶縁基板としては、窒化ガリウム、サファイア(Al2O3)やスピネル(MgAl2O4)などが挙げられる。半導体接合としては、MIS接合、PIN接合の他、pn接合が挙げられる。また、光半導体素子の特性により、ホモやダブルへテロ構造とすることができる。さらに、単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
洗浄されたサファイアのC面を成膜表面としてMOCVD法を用いて窒化物半導体を成膜した。成膜装置内にサファイア基板104を配置し650℃に加熱すると共に、TMG(トリメチルガリウム)ガス、窒素ガスを原料ガス、水素ガスをキャリアガスとして流しバッファ層105を形成させた。一旦、原料ガスの導入を止めた後、成膜温度を1150℃に上げTMGガス、窒素ガス、水素ガスにn型ドーパントガスとしてシランを加えて厚さ5μmのn型窒化ガリウム層106を成膜した。次に、TMGガスの供給を停止し、成膜温度を800℃に低下させた後、TMGガス、TMA(トリメチルアルミニウム)ガス、窒素ガス及び水素ガスを供給させて厚さ3nmの窒化インジウムガリウムを発光層107として成膜させた。
金属層、第2層を設けるかわりに第1層の厚みを実施例1の保護膜の厚みと同じ膜厚とした以外は同様にして図4の如き、フリップチップ型LEDを形成させた。実施例1と同様に駆動回路上にAgペーストを用いて1400個のLEDをダイボンディングさせた。各LEDに電流を流したところ不灯となったものが5個あった。また、発光輝度が極端に暗くなったものが8個あった。不灯となったものを集束イオンビーム加工装置を用いて調べたところ、保護膜を介してAgが貫通しているためにリークしていた。また、発光輝度が極端に暗くなったものを除いた平均輝度を100とした場合、実施例1の平均輝度は121であった。
実施例2は図2に示したLEDの如く、第2層203を酸化珪素で形成させるかわりにポリイミド被膜とした。ポリイミド被膜を塗布硬化して第2層203を形成させた以外は、実施例1と同様にしてフリップチップ型LEDを構成させた。得られたLEDを実施例1、比較例1と同様にして測定したところ実施例1とほぼ同様の結果が得られた。なお、実施例2は実施例1に対して経時劣化が少なくなる傾向にある。
金属層302の厚みを0.7μmとして図3の如く、p型電極として一体的に形成させた以外は、実施例1と同様にしてフリップチップ型LEDを形成させた。得られたLEDは工程を簡略化したにもかかわらず、実施例1とほぼ同様の信頼性を得ることができた。
101、201、301・・・無機絶縁膜からなる第1層
102、202・・・金属層
103、303・・・無機絶縁膜からなる第2層
104、204、304・・・透光性絶縁基板
105、205、305・・・バッファ層
106、206、306・・・n型コンタクト層
107、207、307・・・活性層
108、208、308・・・p型クラッド層
109、209、309・・・p型コンタクト層
110、210、310・・・p型半導体上に形成された電極
111、211・・・p型電極
112、212、312・・・n型電極
203・・・有機絶縁膜からなる第2層
214・・・駆動基板上に形成された電極パターン
215・・・駆動基板
302・・・p型電極を構成する金属層
400・・・光半導体素子
401・・・無機絶縁膜からなる第1層
404・・・透光性絶縁基板
405・・・バッファ層
406・・・n型コンタクト層
407・・・活性層
408・・・p型クラッド層
409・・・p型コンタクト層
410・・・p型半導体上に形成された電極
411・・・p型電極
412・・・n型電極
Claims (3)
- 透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子であって、
前記保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、該第1層上の金属層と、該金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造を有することを特徴とするフリップチップ型光半導体素子。 - 前記第1層及び/又は第2層が酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素及びポリイミドから選択される少なくとも一種である請求項1に記載のフリップチップ型光半導体素子。
- 前記金属層が前記電極の一部を構成している請求項1に記載のフリップチップ型光半導体素子。
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