CN102222744A - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents

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Abstract

提供一种发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：导电支撑衬底、欧姆接触层、电流阻挡层、发光结构层、电极、以及第一电流导向层。欧姆接触层和电流阻挡层被布置在导电支撑衬底上。发光结构层被布置在欧姆接触层和电流阻挡层上。电极被布置在发光结构层上。电极的至少一部分与电流阻挡层重叠。第一电流导向层被布置在电流阻挡层和导电支撑衬底之间。第一电流导向层的至少一部分与电流阻挡层重叠。

Description

发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年4月15日提交的韩国专利申请No.10-2010-0034858的优先权，其内容通过引用整体合并在此。
技术领域
本公开涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡的现有技术的光源相比，LED在诸如低功率消耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全、以及环保特性的许多方面是更加有利的。已经进行许多研究，以将现有的光源替换为LED，并且LED被日益用作诸如室内和室外灯的照明装置、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯的光源。
发明内容
实施例提供了发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
实施例还提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
在一个实施例中，发光器件包括：导电支撑衬底；导电支撑衬底上的欧姆接触层和电流阻挡层；欧姆接触层和电流阻挡层上的发光结构层；电极，该电极被布置在发光结构层上，该电极的至少一部分与电流阻挡层重叠；以及电流导向层，该电流导向层被布置在电流阻挡层和导电支撑衬底之间，该电流导向层的至少一部分与电流阻挡层重叠。
在另一实施例中，发光器件包括：导电支撑衬底；保护层，该保护层被布置在导电支撑衬底的外围区域上；发光结构层，该发光结构层被布置在导电支撑衬底和保护层的一部分上；以及电流导向层，该电流导向层被布置在导电支撑衬底和保护层之间并且与保护层隔开，该电流导向层的一部分与保护层重叠。
在又一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；封装主体上的第一和第二电极层；以及发光器件，该发光器件被电连接到第一和第二电极层，其中，该发光器件包括：导电支撑衬底；导电支撑衬底上的欧姆接触层和电流阻挡层；欧姆接触层和电流阻挡层上的发光结构层；电极，该电极被布置在发光结构层上，该电极的至少一部分与电流阻挡层重叠；以及电流导向层，该电流导向层被布置在电流阻挡层和导电支撑衬底之间，该电流导向层的至少一部分与电流阻挡层重叠。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图，以及根据权利要求，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的视图。
图2至图11是用于解释制造根据第一实施例的发光器件的方法的视图。
图12至图13是用于解释根据第二实施例的发光器件和制造发光器件的方法的视图。
图14是示出根据第三实施例的发光器件的视图。
图15是示出电流阻挡层和第一电流导向层之间的位置关系的视图。
图16是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图17是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的视图。
图18是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元的透视图。
具体实施方式
现在将会详细地说明本公开的实施例，在附图中示出其示例。
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或者结构被称为是在另一衬底、层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为是在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且还可以存在一个或者多个中间层。另外，将会基于附图来描述术语“上”、或者“下”。
在附图中，为了便于描述和清楚起见，每层的厚度或尺寸可被夸大、省略、或示意性示出。此外，每个元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
在下文中，参考附图，将会描述根据示例性实施例的发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装。
图1是示出根据第一实施例的发光器件100的视图。
参考图1，根据第一实施例，发光器件100包括：导电支撑衬底175；导电支撑衬底175上的粘附层170；粘附层170上的反射层160；反射层160上的欧姆接触层150；沿着粘附层170的顶边缘的保护层140；发光结构层135，该发光结构层135被布置在欧姆接触层150和保护层140上以发射光；以及发光结构层135上的电极115。
另外，发光器件100包括：发光结构层135和欧姆接触层150之间的电流阻挡层(CBL)145；和第一和第二电流导向层146和147，该第一和第二电流导向层146和147以离电流阻挡层145预定的距离被布置在电流阻挡层145下面，以减少电流阻挡层145的边缘处电流的集中。
第一电流导向层146被布置在反射层160和粘附层170之间，并且第二电流导向层147被布置在粘附层170和导电支撑衬底175之间。可以形成第一和第二电流导向层146和147两者，或者可以仅仅形成其中的一个。
在垂直方向中，第一电流导向层146的至少一部分可以与电流阻挡层145重叠，并且在垂直方向中，第二电流导向层147的至少一部分可以与电流阻挡层145和/或第一电流导向层146重叠。
图15是示出电流阻挡层145和第一电流导向层146之间的示例性位置关系的视图。第一电流导向层146可以比电流阻挡层145宽，以有效地防止电流阻挡层145的边缘处电流的集中。例如，第一电流导向层146的边缘和电流阻挡层145的边缘之间的水平距离(B)可以被调整为大于第一电流导向层146和电流阻挡层145之间的距离(A)。图15中所示的电流阻挡层145和第一电流导向层146之间的示例性位置关系可以被应用于第二电流导向层147、第四电流导向层148(稍后描述)、或者第五电流导向层148a(稍后描述)。
第三电流导向层149以离保护层140预定的距离被布置在保护层140下面，以防止保护层140的边缘处电流的集中。在垂直方向中，第三电流阻挡层149的至少一部分可以与保护层140重叠。在实施例中，例如，第三电流导向层149被布置在粘附层170和导电支撑衬底175之间。
导电支撑衬底175可以支撑发光结构层135，并且将电力提供到发光结构层135和电极115。导电支撑衬底175可以包括铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、Cu-W、以及(由诸如Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC、以及Ga2O3的材料形成)载体晶圆中的至少一个。
根据发光器件100的设计可以变化电支撑衬底175的厚度。例如，导电支撑衬底175的厚度可以是处于大约30μm至大约500μm的范围内。
粘附层170可以被布置在导电支撑衬底175上。粘附层170是被布置在反射层160和保护层140下面的结合层。粘附层170被结合到反射层160、欧姆接触层150以及保护层140，使得反射层160、欧姆接触层150、以及保护层140能够被稳固地结合到导电支撑衬底175。
粘附层170可以包括阻挡或者结合金属。例如，粘附层170可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta中的至少一个。
反射层160被布置在粘附层170上。反射层160反射从发光结构层135入射的光，使得能够增强光提取效率。
例如，反射层160可以是由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的至少一个的金属或者合金形成。另外，使用前述金属或者合金和诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、以及ATO的透明导电材料，可以以多层结构来形成反射层160。例如，反射层160可以具有诸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、以及AZO/Ag/Ni的堆叠结构。
在实施例中，反射层160的顶表面接触欧姆接触层150。然而，另外，反射层160可以接触保护层140、电流阻挡层145、或者发光结构层135。即，欧姆接触层150可能没有形成，并且反射层160可以接触第二导电类型半导体层130。在这样的情况下，反射层160可以是由能够与第二导电类型半导体层130进行欧姆接触的材料形成。
欧姆接触层150被形成在反射层160上。欧姆接触层150可以与第二导电类型半导体层130欧姆接触，使得电力能够平滑地提供到发光结构层135。欧姆接触层150可以包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、以及ATO中的至少一个。
欧姆接触层150可以选择性地包括透明导电层和金属。例如，通过使用ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(嫁锌氧化物)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个，可以将欧姆接触层150形成为单层结构或者多层结构。
在实施例中，欧姆接触层150接触电流阻挡层145的底表面和侧表面。然而，可选地，欧姆接触层150可以与电流阻挡层145隔开或者可以仅接触电流阻挡层145的侧表面。
电流阻挡层145可以被布置在欧姆接触层150和第二导电类型半导体层130之间。电流阻挡层145的顶表面可以接触第二导电类型半导体层130，并且电流阻挡层145的底表面和侧表面可以接触欧姆接触层150。
电流阻挡层145的至少一部分可以在垂直方向中与电极115重叠，以减少沿着电极115和导电支撑衬底175之间的最短路径的电流的集中，从而提高发光器件100的发光效率。
电流阻挡层145可以是由比反射层160或者欧姆接触层150更小导电性的材料、能够与第二导电类型半导体层130肖特基接触的材料、或者电气绝缘材料形成。例如，电流阻挡层145可以包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、以及Cr中的至少一个。
沿着粘附层170的顶边缘可以形成保护层140。通过使用诸如ZnO或者SiO2的电绝缘材料，可以将保护层140形成在粘附层170和发光结构层135的顶部边缘部分之间。在垂直方向中，保护层140的一部分与发光结构层135重叠。
由于保护层140，粘附层170和有源层120之间的横向距离能够被增加。因此，在粘附层170和有源层120之间短路的可能性可能会增加。
另外，当执行隔离蚀刻以在芯片分离工艺中，将发光结构层135分离作为单位芯片时，保护层140防止从粘附层170产生的颗粒可能引起短路，并且被附接在第二导电类型半导体层130和有源层120之间，或者有源层120和第一导电类型半导体层110之间。保护层140是由没有破裂或者不产生颗粒的材料，或者尽管它破裂或者产生少量的颗粒但是没有引起短路的电绝缘材料形成。
电流阻挡层145和保护层140被布置在电流路径上，以更改电流路径。因此，电流的流动可以集中在电流阻挡层145和保护层140的边缘处，而减少了发光器件100的性能。因此，当前实施例的发光器件100包括第一电流导向层146、第二电流导向层147以及第三电流导向层149，以减少在电流阻挡层145和保护层140的被布置的方向中流动的电流。因此，在电流阻挡层145和保护层140的边缘处能够减少电流的集中。
第一电流导向层146和第二电流导向层147可以是由具有大约5x10-4Ωm的电阻率材料形成。例如，第一电流导向层146和第二电流导向层147可以是由诸如ZnO或者SiO2的电绝缘材料形成。第三电流导向层149可以是由具有大约5x10-4Ωm的电阻率的材料形成。例如，第三电流导向层149可以是由诸如ZnO或者SiO2的电绝缘材料形成。
第一电流导向层146和第二电流导向层147中的每一个可以具有处于从大约5nm至大约100μm的范围内的厚度，和具有等于或者大于电流阻挡层145的宽度。第三电流导向层149可以具有处于从大约5nm至大约100μm的范围内的厚度和具有等于或者大于保护层140的宽度。
发光结构层135可以被布置在欧姆接触层150和保护层140上。
在用于分离发光结构层135作为单位芯片的隔离蚀刻工艺中，发光结构层135的侧表面可以被倾斜，并且在垂直方向中倾斜表面的一部分与保护层140和第三电流导向层149重叠。
通过隔离蚀刻工艺可以部分地暴露保护层140的顶表面。因此，在垂直方向中，保护层140的一部分与发光结构层135重叠，但是在垂直方向中，保护层140的其他部分没有与发光结构层135重叠。
发光结构层135可以包括多个III-V族化合物半导体层。例如，发光结构层135可以包括第一导电类型半导体层110、第一导电类型半导体层110下面的有源层120、以及有源层120下面的第二导电类型半导体层130。
例如，第一导电类型半导体层110可以包括n型半导体层。n型半导体层可以是由诸如InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN的具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。n型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge、以及Sn的n型掺杂物。第一导电类型半导体层110可以以单层或者多层结构来形成，但是不限于此。
有源层120可以被形成在第一导电类型半导体层110下面，并且具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的至少一个。有源层120可以是由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。如果有源层120具有多个量子阱结构，那么通过堆叠多个阱层和多个势垒层可以形成有源层120。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的周期。
被掺杂有n型或者p型掺杂物的被掺杂的包覆层(未示出)可以被布置在有源层120上/下方。包覆层(未示出)可以包括AlGaN层或者InAlGaN层。
第二导电类型半导体层130可以被形成在有源层120下面，并且可以包括p型半导体层。p型半导体层可以是由诸如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、或者AlInN的具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。而且，p型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的p型掺杂物。
第二导电类型半导体层130可以以单层或者多层结构来形成，但是其不限于此。
不同于上面的描述，在发光结构层135中，第一导电类型半导体层110可以包括p型半导体层，并且第二导电类型半导体层130可以包括n型半导体层。另外，包括n型或者p型半导体层的第三导电类型半导体层(未示出)可以被形成在第二导电类型半导体层130下面，并且发光结构层135可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构、以及pnp结结构中的一个。另外，第一导电类型半导体层110和第二导电类型半导体层130可以被均匀地或者不均匀地掺杂有导电类型掺杂物。即，可以形成各种结构的发光结构层135，但是其不限于此。
电极115被布置在发光结构层135上。电极115可以包括焊盘部分和从焊盘部分延伸的分支部分。分支部分可以以预定的图案形状从焊盘部分分支。分支部分可以具有各种形状。
粗糙图案112可以被形成在用于增加光提取效率的第一导电类型半导体层110的顶表面上。粗糙图案还可以被形成在电极115的顶表面上。然而，本公开的精神和范围不限于此。
钝化层180至少可以被布置在发光结构层135的侧表面上。钝化层180可以被形成在第一导电类型半导体层110和保护层140的顶表面上，但是其不限于此。
钝化层180可以被形成，以电气地保护发光结构层135。例如，钝化层180可以由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、或者Al2O3形成，但是其不限于此。
在下文中，将会详细地描述根据实施例的制造发光器件100的方法。在下面的描述中，将会省略或者简要地给出与上述相同的描述。
图2至图11是用于解释制造根据第一实施例的发光器件的方法的视图。
参考图2，发光结构层135被形成在衬底101上。衬底101可以是由Al2O3(蓝宝石)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、以及Ge中的至少一个形成，但是其不限于此。
通过生长第一导电类型半导体层110、有源层120、以及第二导电类型半导体层130，可以将发光结构层135形成在衬底101上。
通过诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法、化学气相沉积(CVD)方法、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法、分子束外延(MBE)方法、或者氢化物气相外延(HVPE)方法的方法，可以形成发光结构层135。然而，形成发光结构层135的方法不限于此。
缓冲层(未示出)和/或未掺杂的氮化物层(未示出)可以在发光结构层135和衬底101之间，以减少晶格常数差。
参考图3，保护层140被选择性地形成在发光结构层135的单位芯片区域中。
通过使用掩模图案，沿着单位芯片区域的外围区域可以形成保护层140。通过诸如溅射方法的各种沉积方法可以形成保护层140。
参考图4，电流阻挡层145可以被形成在第二导电类型半导体层130上。通过掩模图案可以形成电流阻挡层145。
保护层140和电流阻挡层145可以是相同的材料形成。在这样的情况下，通过相同工艺形成保护层140和电流阻挡层145，从而替代通过分离的工艺形成它们。例如，在SiO2层被形成在第二导电类型半导体层130之后，通过使用掩模图案，可以同时形成保护层140和电流阻挡层145。
参考图5和图6，欧姆接触层150可以被形成在第二导电类型半导体层130和电流阻挡层145上，并且反射层160可以被形成在欧姆接触层150上。
例如，通过电子束沉积方法、溅射方法、以及PECVD方法中的一个可以形成欧姆接触层150和反射层160。
其后，第一电流导向层146被形成在反射层160上。
参考图7和图8，制备导电支撑衬底175，并且第二电流导向层147和第三电流导向层149被形成在导电支撑衬底175上。
接下来，通过使用粘附层170来将图6中所示的结构和导电支撑衬底175结合在一起。
粘附层170可以接触反射层160、欧姆接触层150的末端、以及保护层140以增强结合。另外，粘附层170接触第一电流导向层146、第二电流导向层147、第三电流导向层149，因此能够确保第一电流导向层146和反射层160之间的结合，和确保第二电流导向层147、第三电流导向层149、以及导电支撑衬底175当中的结合。
通过粘附层170结合导电支撑衬底175。在实施例中，使用粘附层170通过结合方法来耦接导电支撑衬底175。然而，通过诸如镀方法和沉积方法的其它方法可以形成导电支撑衬底175。
参考图9，从发光结构层135移除衬底101。图8的结构在图9中被颠倒地示出。
通过激光剥离方法，或者化学剥离方法可以移除衬底101。
参考图10，沿着单位芯片区域的边界来执行隔离蚀刻工艺，以将发光结构层135分离为多个部分。例如，使用电感耦合等离子体(ICP)，通过干法蚀刻方法可以执行隔离蚀刻工艺。
参考图11，钝化层180被形成在保护层140和发光结构层135上，并且钝化层180被选择性地移除，以暴露第一导电类型半导体层110的顶表面。
接下来，粗糙图案112被形成在第一导电类型半导体层110的顶表面上以提高光提取效率，并且电极115被形成在粗糙图案112上。通过湿法蚀刻工艺或者干法蚀刻工艺可以形成粗糙图案112。
然后，通过芯片分离工艺将结构分成单位芯片。这样，能够制造多个发光器件。
芯片分离工艺的示例包括：其中通过使用刀片来分离芯片的切断工艺、其中通过将激光束投射到芯片边界以分离芯片的激光划片工艺、以及诸如湿法或者干法蚀刻工艺的蚀刻工艺。然而，芯片分离工艺不限于此。
图12和图13是用于解释根据第二实施例的发光器件和制造发光器件的方法的视图。
第二实施例的发光器件和发光器件制造方法与第一实施例的发光器件和发光器件制造方法相类似。因此，将不会重复与在第一实施例中给出的相同的描述。
第二实施例的发光器件包括粘附层170中的第四电流导向层148。在垂直方向中，第四电流导向层148的至少一部分与电流阻挡层145重叠。
第四电流导向层148可以是由具有大约5x10-4Ωm的电阻率的材料形成。例如，第四电流导向层148可以是由诸如ZnO或者SiO2的电绝缘材料形成。第四电流阻挡层148可以具有处于从大约5nm至大约100μm的范围内的厚度和具有等于或者大于电流阻挡层145的宽度。
第四电流导向层148可以被形成在粘附层170的两个部分170a和170b中的一个上，并且然后通过如参考图7所描述的结合方法可以结合两个部分170a和170b，使得第四电流导向层148能够被布置在粘附层170中。
在第二实施例的发光器件中，可以以在垂直方向中，第三电流导向层149能够与保护层140重叠的方式来形成第三电流导向层149(未示出)。
图14是示出根据第三实施例的发光器件的视图。
第三实施例的发光器件和发光器件制造方法与第一和第二实施例的发光器件和发光器件封装方法相类似。因此，将不会重复与在第一和第二实施例中给出的相同的描述。
第三实施例的发光器件包括反射层160中的第五电流导向层148a。在垂直方向中，第五电流导向层148a的至少一部分与电流阻挡层145重叠。
第五电流导向层148a可以是由具有大约5x10-4Ωm的电阻率的材料形成。例如，第五电流导向层148a可以是由诸如ZnO或者SiO2的电绝缘材料形成。第五电流导向层148a可以具有处于大约5nm至大约100μm的范围内的厚度和具有等于或者大于电流阻挡层145的宽度。
在第三实施例中，在反射层160被部分形成之后，可以形成第五电流导向层148a，并且然后剩下的反射层160的可以被形成使得第五电流导向层148a能够被布置在反射层160中。
在第三实施例的发光器件中，可以像图1中所示的第一实施例的发光器件100中一样，以在垂直方向中，第三电流导向层149能够与保护层140重叠的方式来形成第三电流导向层149(未示出)。
图16是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图16，根据当前实施例的发光器件封装包括：封装主体30；设置在封装主体30上的第一和第二电极层31和32；设置在封装主体30上并且电连接至第一和第二电极层31和32的发光器件100；以及包围发光器件100的成型构件40。
封装主体30可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料来形成。封装主体30可以包括具有倾斜的侧表面的腔体。
第一和第二电极层31和322被相互电分离，并且向发光器件100提供电力。另外，第一和第二电极层31和32可以反射在发光器件100中发射的光以增加光效率，并且可以将在发光器件100中产生的热散发到外部。
发光器件100可以设置在封装主体30或者第一或者第二电极层31或者32上。
通过引线结合方法、芯片结合方法、以及倒装芯片安装方法中的一个，可以将发光器件100连接到第一和第二电极层31和32。在实施例中，发光器件100通过引线50被电连接到第一电极层31，并且通过直接接触而被连接到第二电极层32。
成型构件40可以包围发光器件100，以保护发光器件100。另外，荧光体可以被包含在成型构件40中，以改变从发光器件100发射的光的波长。
在实施例中，多个发光器件封装可以被排列在基板上，并且诸如导光板、棱镜片、扩散片、以及荧光片的光学构件可以设置在从发光器件封装发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以起背光单元或者照明系统的作用。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示装置、灯、以及路灯等。
图17是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元1100的视图。图17中所示的背光单元1100是照明系统的示例，并且其不限于此。
参考图17，背光单元1100可以包括：底框1140、设置在底框1140中的导光构件1120、以及设置在导光构件1120的至少一个侧表面或者底表面上的发光模块1110。另外，反射片1130可以设置在导光构件1120下面。
底框1140可以具有盒形形状，该盒形形状具有开口的顶侧，以容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。底框1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是其不限于此。
发光模块1110可以包括：基板300和实施例的发光器件封装200。发光器件封装可以被布置在基板上。多个发光器件封装200可以向导光构件1120提供光。
如图17中所示，可以将发光模块1110设置在底框1140的至少一个内表面上。因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个侧表面提供光。
可选地，发光模块1110可以被设置在底框1140的底表面上，以朝着导光构件1120的底表面提供光。其可以根据背光单元的设计不同地变化。即，本公开的精神和范围不限于此。
另外，导光构件1120可以被设置在底框1140内。导光构件1120可以接收来自于发光模块1110的光，并且将光导向显示面板(未示出)作为表面光。
例如，导光构件1120可以是导光板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯基树脂、或者聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)中的一个形成。
光学片1150可以被设置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中至少一个。例如，通过顺序地堆叠扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片可以形成光学片1150。在这样的情况下，光学片1150可以使从发光模块1110发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片将扩散的光聚集到显示面板(未示出)上。在此，通过聚光片输出的光是随机偏振的光。亮度增强片可以增强通过聚光片输出的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。荧光片可以是包括荧光体的透明板或者透明膜。
反射片1130可以被设置在导光构件1120下面。反射片1130将通过导光构件1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。
反射片1130可以由例如PET、PC、或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料形成，但是其不限于此。
图18是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元1200的透视图。图18中所示的照明单元1200是照明系统的示例。然而，本公开的精神和范围不限于此。
参考图18，照明单元1200可以包括：壳体1210、设置在壳体1210上的发光模块1230、以及设置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有良好散热性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板300和安装在基板300上的至少一个发光器件封装200。
基板300可以是其中电路图案被印制在绝缘体上的基板。基板300的示例包括普通的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
另外，基板300可以由能够有效反射光的材料形成。可选地，基板300可以具有诸如白色或者银色的能够有效地反射光的颜色的表面。
至少一个发光器件封装200可以被安装在基板300上。发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括：能够发射诸如红光、绿光、蓝光或者白光的有色LED；和能够发射UV射线的紫外线(UV)LED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合，以提供色感和亮度。例如，发光模块1230可以包括白光LED、红光LED、绿光LED的组合，以确保高显色指数(CRI)。而且，荧光片可以进一步被设置在从发光模块1230发射的光的路径上。所述荧光片改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝光波长带时，荧光片可以包括黄荧光体。在这样的情况下，在经过荧光片之后，从发光模块1230发射的光可以变成白光。
连接端子1220可以被电连接至发光模块1230，以提供电力。参考图18，将连接端子1220螺纹联接到外部电源的插座，但是其不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头的形状。在这样的情况下，连接端子1220可以被插入到外部电源中，或者通过电缆被连接到外部电源。
如上所述，在照明系统中，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的至少一个可以被设置在从发光模块1230发射的光的路径上，以获得所想要的光学效应。
如上所述，实施例的照明系统可以包括实施例的发光器件以提高可靠性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构、或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题的组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
导电支撑衬底；
所述导电支撑衬底上的欧姆接触层和电流阻挡层；
所述欧姆接触层和所述电流阻挡层上的发光结构层；
电极，所述电极被布置在所述发光结构层上，所述电极的至少一部分与所述电流阻挡层重叠；以及
电流导向层，所述电流导向层被布置在所述电流阻挡层和所述导电支撑衬底之间，所述电流导向层的至少一部分与所述电流阻挡层重叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电流导向层具有大约5x10-4Ωm或者更高的电阻率。
3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括反射层，所述反射层在所述电流阻挡层和所述导电支撑衬底之间。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一电流导向层被布置在所述反射层中。
5.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括粘附层，所述粘附层在所述反射层和所述导电支撑衬底之间。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一电流导向层被布置在所述反射层和所述粘附层之间的界面、所述粘附层和所述导电支撑衬底之间的界面、以及所述粘附层的内部中的一个处。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述第一电流导向层的边缘与所述电流阻挡层的边缘之间的水平距离大于所述第一电流导向层和所述电流阻挡层之间的距离。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包括比所述欧姆接触层更小导电性的材料、能够与所述发光结构层肖特基接触的材料、以及电绝缘材料中的一个。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层被布置在所述欧姆接触层上。
10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
保护层，所述保护层被布置在所述导电支撑衬底的外围区域上；和
第二电流导向层，所述第二电流导向层被布置在所述导电支撑衬底和所述保护层之间，并且与所述保护层隔开，所述第二电流导向层的至少一部分与所述保护层重叠。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第二电流导向层具有大约5x10-4Ωm或者更高的电阻率。
12.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括钝化层，所述钝化层在所述发光结构层的至少一个侧表面上，其中，所述保护层与所述发光结构层和所述钝化层进行接触。
13.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括粘附层，所述粘附层在所述发光结构层和所述保护层下面，其中，所述第二电流导向层被布置在所述粘附层和所述导电支撑衬底之间。
14.根据权利要求10所述的发光器件，其中，在垂直方向中，所述第二电流导向层的至少一部分与所述发光结构层的横向侧面的倾斜表面重叠。
15.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
所述封装主体上的第一和第二电极层；以及
权利要求1至14中的任何一项所述的发光器件，所述发光器件被连接到所述第一和第二电极层。
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