CN102194929B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光器件和发光器件封装。该发光器件包括：第一电极；发光结构，该发光结构包括位于所述第一电极上的第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；第二电极，该第二电极位于所述发光结构上；以及反射构件，该反射构件至少位于所述第二电极的侧向表面上。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年3月10日提交的韩国专利申请No.10-2010-0021289的优先权，该韩国专利申请的全部内容在此通过引用的方式并入。
技术领域
实施例涉及一种发光器件和发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与现有技术的诸如荧光灯和白炽灯泡等的光源相比，LED具有如下优点：例如，低功耗，半永久性寿命，响应时间快，安全且环保。为了将现有技术的光源替换为LED，已经进行许多研究。而且，按照这种趋势，LED正日益用作如下装置的光源：诸如各种灯管和街灯等的照明装置、液晶显示装置的照明单元、以及室内和室外记分牌。
发明内容
实施例提供了一种具有新颍结构的发光器件和发光器件封装。
实施例还提供了一种具有提高的发光效率的发光器件。
实施例还提供了一种具有提高的光提取效率的发光器件。
实施例还提供了一种发出均匀光的发光器件。
在一个实施例中，发光器件包括：第一电极；发光结构，该发光结构包括位于所述第一电极上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第二电极，该第二电极位于所述发光结构上；以及反射构件，该反射构件至少位于所述第二电极的侧向表面上。
在另一实施例中，发光器件包括：第一电极；位于该第一电极上的粘附层；位于该粘附层上的反射层；位于该反射层上的欧姆接触层；位于粘附层上并布置在欧姆接触层的侧向表面上的沟道层；发光结构，该发光结构包括位于该沟道层和欧姆接触层上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的有源层、以及位于该有源层上的第二半导体层；位于该发光结构上的第二电极，该第二电极至少在其侧向表面处具有倾斜的非平坦表面；至少位于第二电极的侧向表面上的反射构件，该反射构件的形状与第二电极的侧向表面的形状相对应；以及钝化层，该钝化层从所述沟道层的顶表面向所述发光结构的侧向表面延伸。
在又一实施例中，发光器件封装包括：主体；位于该主体上的至少一个引线电极；以及发光器件，该发光器件电连接到所述引线电极，其中，该发光器件包括：第一电极；发光结构，该发光结构包括位于该第一电极上的第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；位于该发光结构上的第二电极；以及至少位于第二电极的侧向表面上的反射构件。
在附图和下面的描述中阐述了一个或多个实施例的细节。从该描述和附图以及权利要求中，其它特征将变得显而易见。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的侧视截面图。
图2是示出图1的发光器件的平面图。
图3是示出根据第一实施例的发光器件中的反射构件和第二电极的不同形成结构的放大图。
图4至图14是示出根据第一实施例的制造该发光器件的工艺的视图。
图15是根据第二实施例的发光器件的侧视截面图。
图16是示出图15的发光器件的平面图。
图17是根据第三实施例的发光器件的侧视截面图。
图18是根据第四实施例的发光器件的侧视截面图。
图19是根据一实施例的包括发光器件的、发光器件封装的截面图。
图20是根据一实施例的显示装置的分解透视图。
图21是根据一实施例的显示装置的视图。
图22是根据一实施例的照明装置的透视图。
具体实施方式
在各实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在基板、层(或膜)、区域、垫、或图案“上”时，它可以直接位于另一层或基板上，或者也可以存在有中间层。此外，将会理解的是，当一个层被称为在另一层“下”时，它可以直接位于另一层下方，并且也可以存在有一个或多个中间层。此外，将基于附图关于每一层“上”和“下”进行参照。
在下文中，将参考附图来描述实施例。在附图中，为了便于描述和清楚起见，每层的厚度或尺寸可被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
图1是根据第一实施例的发光器件的侧视截面图，而图2是示出图1的发光器件的平面图。
参考图1和图2，根据第一实施例的发光器件100可以包括：第一电极175、位于第一电极175上的粘附层170、位于粘附层170上的反射层160、位于反射层160上的欧姆接触层150、在粘附层170的顶表面周围的沟道层140、布置在欧姆接触层150和沟道层140上以产生光的发光结构135、位于发光结构135上的第二电极115、以及布置在第二电极115的至少一侧的反射构件190。发光结构135可以包括第一导电型半导体层130、有源层120、以及第二导电型半导体层110。
第一电极175可以在其上支撑多个层并且用作电极。第一电极175以及第二电极115可以将电力供应给发光结构135。
例如，第一电极175可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ti、Ni、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-M、以及载体晶圆(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC以及SiGe)。
第一电极175可以具有根据发光器件100的设计而变化的厚度。例如，第一电极175可以具有大约30μm至大约500μm的厚度。
第一电极175可以镀在和/或沉积在发光结构135下方，或者能够以片的形式粘附到发光结构135，但其不限于此。
粘附层170可以设置在第一电极175上。粘附层170可以是结合层，且可以布置在沟道层140下方。粘附层170具有暴露的侧向表面。粘附层170可以与欧姆接触层150的末端、反射层160及沟道层140接触，从而用作增强多个层之间的粘附力的介质，例如，沟道层140、欧姆接触层150及反射层160与第一电极175之间的粘附力。
粘附层170可以由阻挡金属或结合金属形成。例如，粘附层170可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta。
反射层160可以设置在粘附层170上。反射层160可以反射从发光结构135入射的光，以提高光提取效率。
例如，反射层160可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf或其合金，但其不限于此。而且，反射层160可以具有如下多层结构：它通过使用前述金属以及诸如In-ZnO(IZO)、Ga-ZnO(GZO)、Al-ZnO(AZO)、Al-Ga-ZnO(AGZO)、In-Ga-ZnO(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、锑锡氧化物(ATO)等的透明导电材料而形成。即，例如，反射层160可以具有诸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni等的多层结构。
欧姆接触层150可以设置在反射层160上。欧姆接触层150可以接触第一导电型半导体层130，以将电力平稳地供应到发光结构135。
特别地，欧姆接触层150可以由从透明导电材料和前述金属中选择的一个而形成。例如，该欧姆接触层可以具有单层或多层结构，其通过使用从由以下项组成的组中选择的至少一个而形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO。
欧姆接触层150的末端可以与粘附层170接触。除了第一导电型半导体层130的与沟道层140重叠的区域之外，欧姆接触层150可以接触第一导电型半导体层130的整个区域。如上所述，由于欧姆接触层150在尽可能大的面积上接触第一导电型半导体层130，所以电流可以通过第一导电型半导体层130的与欧姆接触层150接触的整个区域均匀地供应到有源层120。因此，可以显著提高发光效率。
电流阻挡层(CBL)145可以在欧姆接触层150上设置成接触第一导电型半导体层130。该CBL 145的至少一部分可以沿竖直方向与第二电极115重叠。CBL 145可以阻挡通过欧姆接触层150而向第一导电半导体层130供应的电流。因此，在CBL 145处及其周围，可以阻止向第一导电型半导体层130供应的电流供应。即，CBL 145可以最大程度地防止电流沿着第一电极175与第二电极115之间的最短路径而集中地流动。结果，电流流入到欧姆接触层150与第一导电型半导体层130之间的除了CBL 145以外的的区域。因此，由于电流均匀流入到第一导电型半导体层130的整个区域，所以可以显著提高发光效率。
尽管通过CBL 145最大程度地防止了电流沿着第一电极175与第二电极115之间的最短路径流动，但流过该CBL 145周围的电流流入到与CBL 145接触的第一导电型半导体层130中的、在第一电极175与第二电极115之间的最短路径。因此，具有相同或相似分布的电流流入到第一电极175与第二电极115之间的最短路径，并且流入到第一导电型半导体层130的除了该最短路径以外的区域。
CBL 145可以由其导电性或绝缘性比欧姆接触层150的导电性或绝缘性低的材料形成，或者由与第一导电型半导体层130短路接触的材料形成。CBL 145可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、以及Cr。
CBL 145可以设置在欧姆接触层150与第一导电型半导体层130之间，或者设置在反射层160与欧姆接触层150之间，但其不限于此。
而且，CBL 145可以设置在形成于欧姆接触层150中的凹槽内，它可以从欧姆接触层150突出，或者可以设置在穿过欧姆接触层150的顶表面和底表面的孔内，但其不限于此。
沟道层140可以设置在粘附层170的顶表面的周边区域(circumference region)上。即，沟道层140可以布置在发光结构135与粘附层170之间的周边区域上。
沟道层140可以由其导电性比发光结构135的导电性小的材料形成，或者由其绝缘性比发光结构135的绝缘性小的材料形成。例如，沟道层140可以由从以下项组成的组中选择的至少一个而形成：SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2。在这种情况下，可以防止在发光结构135与第一电极175之间发生电气短路。因此，可以提高发光器件100的可靠性。
可替代地，沟道层140可以由具有优异粘附力的金属材料形成，该金属材料例如是从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir、以及W。在这种情况下，沟道层140可以增强发光结构135与粘附层170之间的粘附力，以提高发光器件100的可靠性。而且，由于沟道层140不会破碎，或者在芯片分离工艺中不会产生沟道层140的碎片，所以可以提高发光器件100的可靠性，所述芯片分离工艺例如是将多个芯片划分成单独的芯片单元的激光划片工艺和将基板移除的激光剥离(LLO)工艺。而且，在沟道层140与第一导电型半导体层130欧姆接触的情况下，由于电流可以流过沟道层140，在沿竖直方向与沟道层140重叠的有源层120中可以产生光。因此，可以进一步提高发光器件100的发光效率。例如，当第一导电型半导体层130是p型半导体层时，沟道层140可以由诸如Ti、Ni以及W等的金属形成，它与p型半导体形成欧姆接触，但其不限于此。
发光结构135可以设置在欧姆接触层150和沟道层140上。
发光结构135具有通过隔离蚀刻(isolation etching)工艺竖直或倾斜地形成的侧向表面，在该隔离蚀刻工艺中，多个芯片被划分为单独的芯片单元。而且，沟道层140的顶表面的一部分可以露出。
发光结构135可以由多个III-V族化合物半导体材料形成。
发光结构135可以包括：第一导电型半导体层130、位于该第一导电型半导体层130上的有源层120、以及位于该有源层120上的第二导电型半导体层110。
第一导电型半导体层130可以设置在沟道层140的一部分区域、欧姆接触层150以及CBL 145上。第一导电型半导体层130可以是掺杂有p型掺杂物的p型半导体层。该p型半导体层可以由III-V族化合物半导体材料中的至少一个、例如由从以下项组成的组中选择的至少一个而形成：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP。所述p型掺杂物可以是Mg、Zn、Ga、Sr和Ba之一。第一导电型半导体层130可以具有单层或多层结构，但其不限于此。
第一导电型半导体层130可以向有源层120提供多个载流子。
有源层120可以设置在第一导电型半导体层130上。有源层120可以具有如下结构中的至少一种：单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、以及量子点结构，但其不限于此。
通过使用III-V族化合物半导体材料，能够以阱层和阻挡层交替循环的方式来形成有源层120。可以使用GaN、InGaN以及AlGaN作为形成有源层120的组分半导体材料。因此，能够以InGaN阱层/GaN阻挡层、InGaN阱层/AlGaN阻挡层、或者InGaN阱层/InGaN阻挡层交替循环的方式来形成有源层120，但其不限于此。
有源层120可以将从第一导电型半导体层130提供的多个空穴与从第二导电型半导体层110提供的多个电子进行复合，以产生如下的光，该光的波长与取决于有源层120的半导体材料的带隙相对应。
尽管未示出，在有源层120上方和/或下方可以设置有导电包覆层。该导电包覆层可以由AlGaN基半导体形成。例如，在第一导电型半导体层130与有源层120之间可以设置有掺杂了p型掺杂物的p型包覆层。而且，在有源层120与第二导电型半导体层110之间可以设置有掺杂了n型掺杂物的n型包覆层。
该导电包覆层可以用作停止层(stopper)，通过该停止层，从有源层120供应的多个空穴和电子不被传输到第一导电型半导体层130和第二导电型半导体层110中。因此，通过该导电包覆层，可以使从有源层120供应的空穴和电子彼此进一步复合，从而提高发光器件100的发光效率。
有源层120可以设置在第二导电型半导体层110下方。第二导电型半导体层110可以是掺杂有n型掺杂物的n型半导体层。第二导电型半导体层110可以由III-V族化合物半导体材料中的至少一个、例如由从以下项组成的组中选择的至少一个而形成：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP。所述N型掺杂物可以是Si、Ge、Sn、Se和Te之一。第二导电型半导体层110可以具有单层或多层结构，但其不限于此。
在第二导电型半导体层110上可以设置有粗糙部或不平部112，以提高发光效率。该粗糙部或不平部112可以具有通过湿法蚀刻工艺而形成的随机图案形状，或者具有与通过图案化工艺而形成的光子晶体结构类似的周期图案形状，但其不限于此。
粗糙部或不平部112可以周期性地具有凹陷形状和凸出形状。该凹陷形状和凸出形状中的每一个均可以具有一个圆化表面，或者具有在其顶点处相交的两个倾斜表面。
在第一导电型半导体层130下方可以设置有n型半导体层。由于第一导电型半导体层130是p型半导体层并且第二导电型半导体层110是n型半导体层，所以该发光结构可以具有如下结构中的至少一种：N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构。
第二电极115可以设置在发光结构135的顶表面上。第二电极115可以包括电流扩展图案116b，该电流扩展图案116b通过从电极焊盘(electrode pad)区域116a向至少一侧或更多侧分支来扩展电流，以将电流均匀地供应到发光结构135的整个区域以及与引线结合的电极焊盘区域116a。
电极焊盘区域116a可以具有方形、圆形、椭圆形或多边形形状，但其不限于此。
第二电极115可以具有单层或多层结构，其包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag、以及Pt。而且，第二电极115可以具有大约1μm至大约10μm、尤其是大约2μm至大约5μm的厚度h。
第二电极115的多层结构的示例可以包括：欧姆层，该欧姆层由诸如Cr的金属形成，位于第一层(最低层)中，以与发光结构135发生欧姆接触；反射层，该反射层位于设置在所述第一层上的第二层中，由诸如Al或Ag等的金属形成，并且具有高的反射性能；第一扩散阻挡层，该第一扩散阻挡层位于设置在第二层上的第三层中，由诸如Ni的金属形成，用于防止层间扩散(interlayer diffusion)；导电层；该导电层位于设置在第三层上的第四层中，由诸如Cu的金属形成并且具有高的导电性；第二扩散阻挡层，该第二扩散阻挡层位于设置在第四层上的第五层中，由诸如Ni的金属形成，用于防止层间扩散；以及粘附层，该粘附层由具有高粘合力的诸如Au或Ti等的金属形成，以易于结合引线，但其不限于此。
而且，电极焊盘区域116a和电流扩展图案116b可以具有相同的堆叠结构或者具有彼此不同的堆叠结构。例如，由于电流扩展图案116b不需要用于引线结合的粘附层，所以可以不提供该粘附层。而且，电流扩展图案116b可以由具有透射性和导电性的材料形成，例如，包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、以及ZnO。
当粗糙部或不平部112设置在发光结构135的顶表面上时，由于该粗糙部或不平部112，自然可以在第二电极115的顶表面上设置其形状与粗糙部或不平部112的形状相同或相似的粗糙部或不平部。第二电极115的粗糙部或不平部可允许反射构件190(稍后将描述)牢固地联接到第二电极115。
反射构件190可以设置在第二电极115的至少一个侧向表面上。
由于第二电极115的侧向表面具有竖直表面，所以设置在第二电极115的侧向表面上的反射构件190的侧向表面也可以具有与第二电极115的竖直表面相同或相似的竖直表面。
反射构件190可以使如下现象最少：即，通过发光结构135的顶表面而提取的光被第二电极115的侧向表面吸收。具体地，由于第二电极115具有大约1μm至大约10μm、尤其是大约2μm至大约5μm的较厚厚度，所以从光提取效率方面来看，在通过发光结构135的顶表面而提取的光中，被吸收到第二电极115的侧向表面中的光量决不可忽视。因此，由于设置有至少可以从第二电极115的侧向表面反射整个光的反射构件190，所以可以显著提高发光器件100的光提取效率。
根据其制造工艺，反射构件190可以具有大约1μm至大约10μm的厚度。当反射构件190具有小于大约1μm的厚度时，反射构件190的厚度变得太薄而降低了反射性能。因此，光仍然可以经由反射构件190被吸收到第二电极115中。当反射构件190具有大于大约10μm的厚度时，反射构件190的厚度变得太厚而减少了发光结构135的光提取区域。因此，光提取效率可能下降。例如，反射构件190可以由以下金属中的至少一个或者两种或多种金属的合金而形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf。
图3是示出根据第一实施例的发光器件中的第二电极和反射构件的不同形成结构的放大图。
参考图3(a)，反射构件190可以设置在第二电极115、尤其是电极焊盘区域116a的侧向表面的整个区域上以及顶表面的周边区域上。而且，反射构件190可以延伸到与第二导电型半导体层110的顶表面接触。通过设置在第二电极115的顶表面上的粗糙部或不平部112，可以在反射构件190的顶表面上形成与设置在第二电极115的顶表面上的粗糙部或不平部112相同或相似的粗糙部或不平部112，但其不限于此。
参考图3(b)，反射构件190可以设置在第二电极115、尤其是电极焊盘区域116a的侧向表面的整个区域上以及顶表面的周边区域上。而且，反射构件190可以延伸到与第二导电型半导体层110的顶表面接触。在反射构件190与第二电极115、尤其是与电极焊盘区域116a之间可以设置有粘附层195，以提高它们之间的粘合力。粘附层195可以由诸如Ni、Pt或Ti等的、具有优异粘合力的金属材料形成。
参考图3(c)，反射构件190可以设置在第二电极115、尤其是电极焊盘区域116a的侧向表面的一部分上以及顶表面的周边区域上。而且，反射构件190可以不接触第二导电型半导体层110的顶表面。也就是说，反射构件190可以从电极焊盘区域116a的顶表面的周边区域延伸到第二电极115的侧向表面的一部分。电极焊盘区域116a的侧向表面的该部分可以与第二导电型半导体层110的顶表面间隔开。在形成该反射构件190的工艺中，反射构件190的形成结构可以由设置在第二导电型半导体层110上的掩模产生。
反射构件190可以设置成使得电极焊盘区域116a的顶表面的一部分露出。也就是说，电极焊盘区域116a的顶表面的一部分可以不被反射构件190覆盖。即，在引线被结合到电极焊盘区域116a的区域中，可以不布置该反射构件。
再次参考图1和图2，至少在发光结构135的侧向表面上可以形成有钝化层180。特别地，钝化层180的一端可以形成在第二导电型半导体层110的顶表面的周边区域上，而另一端可以经由或经过发光结构135的侧向表面并形成在沟道层140的顶表面上，但其不限于此。也就是说，钝化层180可以从沟道层140的顶表面、经由第一导电型半导体层130、有源层120及第二导电型半导体层110的侧向表面延伸到第二导电型半导体层110的顶表面的周边区域。
钝化层180可以防止在发光结构135与诸如外部电极的导电构件之间出现电气短路。例如，钝化层180可以由诸如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、或Al2O3等的具有绝缘性的材料形成，但其不限于此。
在下文中，将详细描述根据一实施例的制造发光器件的方法。然而，将省略或简单地描述与前述说明重复的说明。
图4至图14是示出根据第一实施例的制造发光器件的工艺的视图。
参考图4，可以在基板101上形成发光结构135。
例如，基板101可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、以及Ge，但其不限于此。
可以将第二导电型半导体层110、有源层120以及第一导电型半导体层130按顺序生长在基板101上，以形成发光结构135。
例如，可以使用如下工艺中的至少一种来形成发光结构135：金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、以及氢化物气相外延(HVPE)，但其不限于此。
在发光结构135与基板101之间可以形成有缓冲层(未示出)或者未掺杂的半导体层(未示出)，以减少它们之间的晶格常数差异。
该缓冲层可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、或者InN，但其不限于此。
参考图5，可以在发光结构135、尤其是第一导电型半导体层130上在芯片边界区域(即，第一芯片区域T1与第二芯片区域T2之间的边界区域)周围形成沟道层140。稍后，可通过划片工艺来切割第一芯片区域T1和第二芯片区域T2，以制造单位发光器件。因此，每个芯片区域T1和T2均可被限定为用于获得单位发光器件的区域。
可以使用掩模图案来将沟道层140形成在第一芯片区域T1与第二芯片区域T2之间的边界区域周围。由于该图以二维示出，所以图5示出了如下结构：沟道层140形成在任一个芯片区域周围，并且形成在接触该芯片区域的所有芯片区域之间的整个边界区域周围。因此，当从上侧观察时，沟道层140可以具有环形形状、回路形状或框架形状。可以使用各种沉积工艺来形成沟道层140，例如溅射工艺、电子束沉积工艺、以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺。
沟道层140可以由诸如SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3或TiO2等的具有绝缘性的材料形成，或者由诸如Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir或W等的具有优异粘合力的金属材料形成。因此，沟道层140可以防止在发光结构135与第一电极175之间出现电气短路，或者可以增强发光结构135与粘附层170之间的粘合力，从而提高发光器件100的可靠性。
参考图6，在第一导电型半导体层130上可以形成电流阻挡层(CBL)145。可以使用掩模图案来形成该CBL 145。CBL 145可以形成在第一导电型半导体层130上，其中，其至少一部分沿竖直方向与将通过后续工艺形成的第二电极115重叠。
CBL 145可以由其导电性或绝缘性比欧姆接触层150的导电性或绝缘性低的材料形成，或者由与第一导电型半导体层130短路接触的材料形成。CBL 145可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、以及Cr。
参考图7和图8，在沟道层140的顶表面和侧向表面的一部分上以及第一导电型半导体层130和CBL 145的顶表面上，可以形成欧姆接触层150。在欧姆接触层150上可以形成反射层160。
欧姆接触层150可以由从透明导电材料和前述金属中选择的一个而形成。例如，该欧姆接触层可以具有单层或多层结构，其通过使用从由以下项组成的组中选择的至少一个而形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO。
例如，反射层160可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf或其合金，但其不限于此。而且，反射层160可以具有如下多层结构：它通过使用前述金属以及诸如In-ZnO(IZO)、Ga-ZnO(GZO)、Al-ZnO(AZO)、Al-Ga-ZnO(AGZO)、In-Ga-ZnO(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、锑锡氧化物(ATO)等的透明导电材料而形成。即，例如，反射层160可以具有诸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni等的多层结构。
例如，欧姆接触层150和反射层160中的每一个均可以利用如下工艺中的任一个来形成：溅射工艺、电子束沉积工艺、以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺。
参考图9，粘附层170可以形成在反射层160和沟道层140上，并且第一电极175可以形成在该粘附层170上。
粘附层170可以由阻挡金属或结合金属形成。例如，粘附层170可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta。
例如，第一电极175可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Ti、Ni、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-M、以及载体晶圆(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC以及SiGe)。
第一电极175可以使用电镀工艺或沉积工艺而形成，但其不限于此。
可以使用结合工艺来制备被粘附到粘附层170的分离板，从而形成第一电极175。
参考图11，可以向下(180°)翻转该基板101，然后，可以移除基板101。
基板101可通过如下方法中的至少一种来移除：激光剥离(LLO)方法、化学剥离(CLO)方法、以及物理抛光方法。
通过所述LLO方法，激光被集中照射到基板101与第二导电型半导体层110之间的界面，以将基板101与第二导电型半导体层110分离。
根据所述LLO方法，基板101被移除，从而使用湿法蚀刻工艺来使第二导电型半导体层110暴露。
根据所述物理抛光方法，基板101被物理抛光，以从其顶表面按顺序移除基板101，从而使第二导电型半导体层110暴露。
在基板101被移除之后，可进一步执行清洁工艺，以去除基板101的残留在第二导电型半导体层110的顶表面上的残余物。该清洁工艺可以包括灰化工艺(ashing process)，其使用等离子体表面处理或者氧气或氮气。
参考图11，可以沿着第一芯片区域T1和第二芯片区域T2之间的边界区域来执行隔离蚀刻工艺，以划分包括发光结构135的单位芯片区域。通过该隔离蚀刻工艺，可以使第一芯片区域T1和第二芯片区域T2之间的边界区域中的沟道层140暴露。
例如，可以通过诸如电感耦合等离子体(ICP)工艺等的干法蚀刻工艺来执行该隔离蚀刻工艺。
参考图12，可以在第一芯片区域T1与第二芯片区域T2之间的边界区域中、至少在发光结构135的侧向表面上以及沟道层140上形成钝化层180。也就是说，钝化层180可以与第一芯片区域T1和第二芯片区域T2之间的边界区域中的沟道层140的顶表面接触。而且，钝化层180可以经由或经过第一导电型半导体层130、有源层120及第二导电型半导体层110的侧向表面延伸到第二导电型半导体层110的顶表面的周边区域。
钝化层180可以防止在发光结构135与诸如外部电极的导电构件之间出现电气短路。例如，钝化层180可以由诸如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、或Al2O3等的具有绝缘性的材料形成，但其不限于此。
钝化层180可以通过诸如电子束沉积工艺、PECVD工艺、或者溅射工艺等的沉积工艺而形成。
在第二导电型半导体层110的未被钝化层180覆盖的顶表面上可以形成粗糙部或不平部112，以提高光提取效率。
可以使用钝化层180作为掩模来执行干法或湿法蚀刻工艺，以形成该粗糙部或不平部112。由于该钝化层180，在第二导电型半导体层110的位于钝化层180下方的部分上未形成任何粗糙部或不平部。
尽管在图12中、在形成钝化层180之后才进行在第二导电型半导体层110上形成粗糙部或不平部的工艺，但也可以形成钝化层180之前先在第二导电型半导体层110上形成粗糙部或不平部。在这种情况下，该粗糙部或不平部可以形成在第二导电型半导体层110、有源层120和第一导电型半导体层130的整个侧向表面上以及第二导电型半导体层110的顶表面上。
这些实施例不受限于用来形成粗糙部或不平部112(其形成在第二导电型半导体层110上)以及钝化层180的给定顺序。
在包括粗糙部或不平部112的第二导电型半导体层110上可以形成第二电极。
第二电极115可以包括：电极焊盘区域116a，引线被结合到该电极焊盘区域116a；以及电流扩展图案116b，该电流扩展图案116b通过从电极焊盘区域116a向至少一侧或更多侧分支来扩展电流，以将电流均匀地供应到发光结构135的整个区域。
电极焊盘区域116a可以具有方形、圆形、椭圆形或多边形形状，但其不限于此。
第二电极115可以具有单层或多层结构，其包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag、以及Pt。
可以使用电镀工艺或沉积工艺来形成第二电极115。
参考图13，可以至少在第二电极115的侧向表面上形成反射构件190。
反射构件190可以形成在第二电极115、尤其是电极焊盘区域116a的侧向表面的整个区域上以及顶表面的周边区域上。
例如，反射构件190可以由以下金属中的至少一个或者两种或多种金属的合金而形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf。
反射构件190可以通过诸如电子束沉积工艺、PECVD工艺或溅射工艺等的沉积工艺而形成，或者通过电镀工艺而形成。
在发光结构135上形成掩模之后，可以形成该反射构件190。在这种情况下，可以防止由于制造该反射构件190的工艺而损坏发光结构135。
而且，在反射构件190与第二电极115之间形成有粘附层195的情况下(参见图3(b))，可以在形成反射构件190之前在第二电极115的至少一个侧向表面上形成粘附层195。
参考图14，可以执行芯片分离工艺，以切割第一芯片区域Tlyu第二芯片区域T2之间的边界区域。结果，由于多个芯片被划分为单独的芯片单元，所以可以制造出根据实施例的发光器件100。
例如，该芯片分离工艺可以包括：割断工艺，在该工艺中，施加通过使用刀片而产生的物理力来分离芯片；激光划片工艺，在该工艺中，将激光照射到芯片之间的边界来分离芯片；以及包括干法蚀刻或湿法蚀刻工艺在内的蚀刻工艺，但其不限于此。
图15是根据第二实施例的发光器件的侧视截面图，而图16是示出图15的发光器件的平面图。
除了以下区别之外，第二实施例与第一实施例相同或相似：至少在第二电极115的电极焊盘区域116a的侧向表面上以及在电流扩展图案116b的除了第二电极115的电流扩展图案116b的底表面之外的整个表面上布置有反射构件190。
因此，第二实施例的等同部分被赋予与第一实施例中相同的术语或附图标记。
另外，在第二实施例中，将不再详细描述与第一实施例相同的内容。根据第一实施例，可以容易地理解在第二实施例中没有描述的这些内容。
参考图15和图16，在根据第二实施例的发光器件100A中，反射构件190可以至少布置在第二电极115的电极焊盘区域116a的侧向表面上以及电流扩展图案116b的除了第二电极115的电流扩展图案116b的底表面之外的整个表面上。
就是说，反射构件190可以覆盖电流扩展图案116b的顶表面和两个侧向表面。
根据第二实施例，反射构件190可以进一步布置在电流扩展图案116b的、除了该电流扩展图案116b的底表面之外的整个表面上。因此，由于至少布置在电流扩展图案116b的侧向表面处的反射构件190完全反射通过第二导电型半导体层110提取的光，所以与第一实施例相比，可以使光损失最小，并且可以提高光提取效率。
图17是根据第三实施例的发光器件的侧视截面图。
除了以下区别之外，第三实施例与第一实施例相同或相似：第二电极115具有倾斜的侧向表面，而且，布置在第二电极115的侧向表面上的反射构件190也倾斜布置在第二电极115的侧向表面上。
因此，第三实施例的等同部分被赋予与第一实施例中相同的术语或附图标记。
另外，在第三实施例中，将不再详细描述与第一实施例相同的内容。根据第一实施例，可以容易地理解在第三实施例中没有描述的这些内容。
参考图17，在根据第三实施例的发光器件100B中，第二电极115可以具有倾斜的侧向表面。即，第二电极115可以具有如下底表面，该底表面的宽度大于第二电极115的顶表面的宽度。
类似地，由于第二电极115具有倾斜的侧向表面，所以，布置在第二电极115的侧向表面上的反射构件190也可以具有与第二电极115的倾斜表面相同或相似的倾斜表面。
另外，与第一实施例类似，反射构件190可以围绕第二电极115的顶表面的周边区域布置。而且，反射构件190可以接触第二导电型半导体层110或者可以与第二导电型半导体层110分开。
因此，由于反射构件190具有倾斜的侧向表面，所以反射构件190的倾斜表面可以反射通过第二导电型半导体层110提取的光，以提高光提取效率。
图18是根据第四实施例的发光器件的侧视截面图。
除了在第二电极115和反射构件190的每个侧向表面上布置有粗糙部或不平部之外，第四实施例与第三实施例相同或相似。
因此，第四实施例的等同部分被赋予与第三实施例中相同的术语或附图标记。
另外，在第四实施例中，将不再详细描述与第一实施例及第三实施例相同的内容。根据第一和第三实施例，可以容易地理解在第四实施例中没有描述的这些内容。
参考图18，在根据第四实施例的发光器件100C中，第二电极115可以具有倾斜的侧向表面。而且，所述粗糙部或不平部可以布置在第二电极115的顶表面和侧向表面中的每一个上。
第二电极115可以具有如下底表面：该底表面的宽度大于第二电极115的顶表面的宽度。
另外，第二电极115可以具有倾斜的侧向表面，而且，所述粗糙部或不平部也可以布置在第二电极115的倾斜的侧向表面上。
类似地，由于第二电极115具有倾斜的侧向表面，并且所述粗糙部或不平部布置在第二电极115的倾斜的侧向表面上，所以，布置在第二电极115的侧向表面上的反射构件190也可以具有与第二电极115的粗糙部或不平部相同或相似的粗糙部或不平部。
因此，由于反射构件190具有倾斜的侧向表面，所以反射构件190的倾斜表面可以反射通过第二导电型半导体层110提取的光，以提高光提取效率。而且，由于所述粗糙部或不平部可以布置在反射构件190的侧向表面上，所以反射构件190的该粗糙部或不平部可以随机地反射通过第二导电型半导体层110提取的光。结果，光可以在发光结构135的所有方向上均匀地前进，以提高光均匀性。
图19是根据一实施例的包括发光器件的、发光器件封装的截面图。
参考图19，根据该实施例的发光器件封装30包括：主体部20；第一电极层31和第二电极层32，该第一电极层31和第二电极层32布置在主体部20上；发光器件100，该发光器件100布置在主体部20上并且电连接到第一电极层31和第二电极层32；以及成型构件40，该成型构件40包围主体部20上的发光器件100。
主体部20可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。而且，当从顶部观察时，主体部20中具有腔体50，并且该腔体50具有倾斜表面53。
第一电极层31和第二电极层32可以彼此电气隔离，并且从主体部20的内部穿过。即，每个第一电极层31和第二电极层32的一端布置在腔体50内部，而另一端附接到主体部20的外表面并暴露于外部。
第一电极层31和第二电极层32可以将电力提供到发光器件100。而且，第一电极层31和第二电极层32可以反射在发光器件100中产生的光，以提高光效率。另外，第一电极层31和第二电极层32可以将在发光器件100中产生的热量排出到外部。
发光器件100可以布置在主体部20上，或者布置在第一电极层31或第二电极层32上。
发光器件100的第一引线171和第二引线181可以电连接到第一电极层31和第二电极层32中的一个，但其不限于此。
成型构件40可以包围发光器件100以保护发光器件100。而且，在成型构件40中可以包含磷光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。
根据实施例的发光器件或发光器件封装可以应用于灯单元。该灯单元具有如下结构：其中，多个发光器件或者发光器件封装排成阵列。因此，该灯单元可以包括图20和图21所示的显示装置以及图22所示的照明装置。另外，该灯单元可以包括照明灯、交通灯、车辆头灯、以及标识牌。
图20是根据一实施例的显示装置的分解透视图。
参考图20，显示单元1000可以包括：导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031用于将光提供给导光板1041；反射构件1022，该反射构件1022位于导光板1041下方；光学片1051，该光学片1051位于导光板1041上方；显示面板1061，该显示面板1061位于光学片1051上方；以及底盖1011，该底盖1011容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022，但其不限于此。
底盖1011、反射片1022、导光板1041可以定义为灯单元1050。
导光板1041漫射从发光模块1031供应的光，以产生平面光。导光板1041可以由透明材料形成。例如，导光板1041可以由以下材料之一形成：诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯基树脂材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚合物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂。
发光模块1031布置在导光板1041的至少一个侧向表面上，以将光提供给导光板1041的至少一个侧向表面。因此，发光模块1031可以用作显示装置的光源。
至少一个发光模块1031可以布置在导光板1041的一个侧向表面上，以直接或间接提供光。发光模块1031可以包括根据该实施例的发光器件封装30和基板1033。发光器件封装30可以以预定的距离而被排列在基板1033上。基板1033可以是印制电路板(PCB)，但其不限于此。而且，基板1033以包括金属芯PCB或柔性PCB，但其不限于此。当发光器件封装30安装在底盖1011的侧向表面上或吸热板上时，基板1033可以被移除。这里，该吸热板的一部分可以接触底盖1011的顶表面。因此，在发光器件封装30中产生的热量可以经由该吸热板排出到底盖1011中。
可以安装有多个发光器件封装30，以允许光出射表面(光通过该光出射表面被发射到基板1033上)与导光板1041隔开一段预定距离，但其不限于此。发光器件封装30可以将光直接或间接提供给光入射表面(该光入射表面是导光板1041的一个侧面)，但其不限于此。
反射构件1022可以布置在导光板1041下方。由于反射构件1022对入射到导光板1041的底表面上的光进行反射以将光提供给显示面板1061，所以可以提高显示面板1061的亮度。例如，反射构件1022可以由PET、PC以及PVC中的一个而形成，但其不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面，但其不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022。为此，底盖1011可以包括容纳部1012，该容纳部1012具有向上侧开口的盒形形状，但其不限于此。底盖1011能够联接到顶盖(未示出)，但其不限于此。
底盖1011可以由金属材料或树脂材料形成。而且，可以使用模压成型工艺或挤出成型工艺来制造底盖1011。底盖1011可以由具有优异导热性的金属或非金属材料形成，但其不限于此。
例如，显示面板1061可以是液晶显示(LCD)面板，并且包括由透明材料形成的第一基板和第二基板、以及位于该第一基板和第二基板之间的液晶层。显示面板1061的至少一个表面上可以附接有偏振板。本公开不限于偏振板的这种附接结构。显示面板1061传输或阻止由发光模块1031提供的光，以显示信息。显示单元1000可应用于各种便携式终端、笔记本电脑的监视器、膝上型计算机的监视器、电视机等。
光学片1051能够布置在显示面板1061与导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051可以包括如下项中的至少一个：漫射片、水平或竖直棱镜片、以及亮度增强片等。漫射片漫射入射光，而水平和/或竖直棱镜片使入射光集中在显示区域上。另外，亮度增强片重新利用所丢失的光，以提高亮度。而且，保护片可以布置在显示面板1061上，但其不限于此。
诸如导光板1041和光学片1051等的光学构件可以布置在发光模块1031的光路上，但其不限于此。
图21是示出根据一实施例的显示装置的视图。
参考图21，显示单元1100包括：底盖1152、其上排列有上述发光器件封装30的基板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。
基板1120和发光器件封装30可以定义为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以定义为一个发光单元。
底盖1152可以包括容纳部1153，但其不限于此。
光学构件1154可以包括如下项中的至少一个：透镜、导光板、漫射片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片。该导光板可以由PC材料或PMMA材料形成。在这种情况下，该导光板可以被移除。漫射片漫射入射光，水平和竖直棱镜片使入射光集中在显示面板1155上，并且亮度增强片重新利用所丢失的光，以提高亮度。
光学构件1154布置在发光模块1060上方，以使用由发光模块1060发射的光来产生平面光，或者漫射并收集由发光模块1060发射的光。
图22是根据一实施例的照明装置的透视图。
参考图22，照明单元1500包括：外壳1510；位于外壳1510中的发光模块1530；以及连接端子1520，该连接端子1520布置在外壳1510中，以从外部电源接收电力。
优选地，外壳1510可以由具有良好热屏蔽性能的材料形成，例如，金属材料或树脂材料。
发光模块1530可以包括基板1532以及安装在该基板1532上的发光器件封装30。可以设置有多个发光器件封装30，并且所述多个发光器件封装30可以以矩阵的形状排列，或者相互间隔开一段预定距离。
基板1532可以是在其上印制有电路图案的绝缘体基板。例如，该基板可以包括普通的印制电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4等。
而且，基板1532可以由能够有效反射光的材料形成，并且其表面可以形成为能够有效反射光的颜色。例如，该基板可以是具有白色或银色的涂层。
至少一个发光器件封装30可以安装在基板1532上。每个发光器件封装30均可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。该LED芯片可以包括发射红光、绿光、蓝光或白光的彩色LED以及发射紫外(UV)射线的UV LED。
发光模块1530可以具有数个发光器件封装30的组合，以获得所期望的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白光LED、红光LED以及绿光LED的组合，以获得高显色指数(CRI)。
连接端子1520可以电连接到发光模块1530，以供应电力。连接端子1520可以螺纹联接到插座型的外部电源上，但其不限于此。例如，连接端子1520可以制成引脚的形式并插入到外部电源中，或者可以通过电线连接到外部电源。
根据实施例，在制造该发光器件的方法中，制备第一电极，并将包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层的发光结构布置在该第一电极上。而且，将第二电极布置在所述发光结构上，并将反射构件至少布置在第二电极的侧向表面上。
根据实施例，由于反射构件至少布置在第二电极的侧向表面上，所以该反射构件可以反射通过所述发光结构提取的光，以提高该发光器件的光提取效率。
根据实施例，第二电极包括电极焊盘区域和电流扩展图案，所述电流扩展图案从电极焊盘区域向至少一侧或更多侧分支。在此，由于反射构件至少布置在电极焊盘区域的侧向表面上，所以该电极焊盘区域可以反射通过所述发光结构提取的光，以提高该发光器件的光提取效率。
根据实施例，由于粘附层布置在第二电极与反射构件之间，反射构件可通过该粘附层更牢固地粘附到第二电极。
根据实施例，由于反射构件至少布置在每个电流扩展图案的侧向表面上，所以电极焊盘区域以及电流扩展图案可以反射通过所述发光结构提取的光，以显著提高光提取效率。
根据实施例，由于电极的侧向表面具有倾斜表面和不平部，所以通过该不平部，可以随机地反射通过所述发光结构提取的光，以实现更均匀的光。
在本说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的任何引用均意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书中各处出现的这类短语不必都表示同一实施例。此外，当结合任一实施例来描述特定特征、结构或特性时，认为结合这些实施例中的其他实施例来实现这种特征、结构或特性也在本领域技术人员的理解范围内。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域的技术人员可以构思出将落入本公开原理的精神和范围内的许多其它修改和实施例。尤其是，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说，除了所述组成部件和/或布置结构方面的变化和修改之外，替代用途也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
第一电极；
发光结构，所述发光结构包括位于所述第一电极上的第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；
第二电极，所述第二电极位于所述发光结构上；以及
反射构件，所述反射构件至少位于所述第二电极的侧向表面上，
其中，所述第二电极包括：电极焊盘区域，所述电极焊盘区域用于引线结合；以及电流扩展图案，所述电流扩展图案从所述电极焊盘区域向至少一侧或更多侧分支，
其中，所述反射构件至少设置在所述电极焊盘区域的侧向表面上，并且
其中，所述反射构件接触所述第二半导体层，并且经由所述电极焊盘区域的侧向表面延伸到所述电极焊盘区域的顶表面的周边区域。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括粘附层，所述粘附层位于所述第二电极与所述反射构件之间。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有竖直表面，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的竖直表面相对应的竖直表面。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有非平坦图案结构，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的非平坦图案结构相对应的非平坦图案结构。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有倾斜表面，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的倾斜表面相对应的倾斜表面。
6.一种发光器件，包括：
第一电极；
发光结构，所述发光结构包括位于所述第一电极上的第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；
第二电极，所述第二电极位于所述发光结构上；以及
反射构件，所述反射构件至少位于所述第二电极的侧向表面上，
其中，所述第二电极包括：电极焊盘区域，所述电极焊盘区域用于引线结合；以及电流扩展图案，所述电流扩展图案从所述电极焊盘区域向至少一侧或更多侧分支，并且
其中，所述反射构件接触所述第二半导体层，经过每个所述电流扩展图案的侧向表面并且布置到每个所述电流扩展图案的顶表面上。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有竖直表面，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的竖直表面相对应的竖直表面。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有非平坦图案结构，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的非平坦图案结构相对应的非平坦图案结构。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有倾斜表面，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的倾斜表面相对应的倾斜表面。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第二电极的侧向表面具有非平坦图案结构，并且所述反射构件的侧向表面具有与所述第二电极的非平坦图案结构相对应的非平坦图案结构。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极焊盘区域和所述电流扩展图案分别包括多个层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述电极焊盘区域和所述电流扩展图案分别包括彼此不同的层。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射构件具有1μm至10μm的厚度。
14.一种发光器件，包括：
第一电极；
发光结构，所述发光结构包括位于所述第一电极上的第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；
第二电极，所述第二电极位于所述发光结构上；
反射构件，所述反射构件至少位于所述第二电极的侧向表面上；
在所述第一电极与所述发光结构之间的以下层中的至少一个：反射层、欧姆接触层、以及电流阻挡层；
沟道层，所述沟道层位于所述第一电极与所述发光结构之间的周边区域上；以及
钝化层，所述钝化层接触所述沟道层，所述钝化层至少朝着所述发光结构的侧向表面延伸。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第二电极包括：电极焊盘区域；以及电流扩展图案，所述电流扩展图案从所述电极焊盘区域向至少一侧或更多侧分支，
其中，所述反射构件至少设置在所述电极焊盘区域的侧向表面上。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100993094B1 (ko) * 2010-02-01 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
KR101039879B1 (ko) * 2010-04-12 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP5725927B2 (ja) 2010-05-18 2015-05-27 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード及びその製造方法
KR101115537B1 (ko) * 2010-05-18 2012-02-29 서울옵토디바이스주식회사 고효율 반도체 발광소자
JP6077201B2 (ja) * 2011-08-11 2017-02-08 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
US9847372B2 (en) * 2011-12-01 2017-12-19 Micron Technology, Inc. Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods
EP2748865B1 (en) * 2011-12-08 2019-04-10 Lumileds Holding B.V. Semiconductor light emitting device with thick metal layers
US9437783B2 (en) * 2012-05-08 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) contact structures and process for fabricating the same
US9450152B2 (en) * 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
KR101929891B1 (ko) * 2012-06-08 2018-12-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
JP2013258234A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの加工方法
JP6029338B2 (ja) 2012-06-12 2016-11-24 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP2013258231A (ja) 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの加工方法
JP6025410B2 (ja) 2012-06-12 2016-11-16 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
KR101956101B1 (ko) * 2012-09-06 2019-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP6110217B2 (ja) 2013-06-10 2017-04-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子の製造方法
JP6303803B2 (ja) * 2013-07-03 2018-04-04 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR102194805B1 (ko) * 2013-07-22 2020-12-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자
DE102013107967B4 (de) * 2013-07-25 2021-05-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP6215612B2 (ja) * 2013-08-07 2017-10-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器
CN104347731A (zh) * 2013-08-08 2015-02-11 无锡华润华晶微电子有限公司 一种二极管结构
TWI536607B (zh) * 2013-11-11 2016-06-01 隆達電子股份有限公司 一種電極結構
TWI637534B (zh) * 2013-11-29 2018-10-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN103700744A (zh) * 2013-12-23 2014-04-02 安徽三安光电有限公司 发光器件
TWI642204B (zh) * 2014-04-02 2018-11-21 國立交通大學 發光二極體元件
CN104347776B (zh) * 2014-10-31 2017-01-25 厦门市三安光电科技有限公司 一种led结构及其制备方法
JP6971851B2 (ja) * 2015-04-15 2021-11-24 ルミレッズ ホールディング ベーフェー リフレクタ及び頂部コンタクトを有する発光デバイス
TWI692115B (zh) * 2016-06-28 2020-04-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
KR102465406B1 (ko) * 2016-01-07 2022-11-09 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
JP6738169B2 (ja) * 2016-03-11 2020-08-12 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体光デバイスおよびその製造方法
JP2018006535A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
WO2018106030A1 (ko) * 2016-12-06 2018-06-14 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US20190189850A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-20 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102018105653A1 (de) * 2018-03-12 2019-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung einer anordung, anordnung und array
CN109037412B (zh) * 2018-08-16 2023-08-29 南昌大学 一种具有掩膜层的反极性led芯片及其制备方法
CN109768137B (zh) * 2018-12-29 2022-06-14 晶能光电（江西）有限公司 垂直结构led芯片及其制备方法
CN111416023A (zh) * 2019-01-07 2020-07-14 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法
CN109873065B (zh) * 2019-03-19 2020-06-23 泉州三安半导体科技有限公司 一种半导体发光元件
DE102020126442A1 (de) 2020-10-08 2022-04-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung mit einer kontaktschicht und einer darüber angeordneten aufrauschicht sowie herstellungsverfahren
TWI786503B (zh) * 2020-12-29 2022-12-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
CN114361310B (zh) * 2021-12-17 2023-10-13 华灿光电（浙江）有限公司 紫外发光二极管芯片及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1619845A (zh) * 2003-11-18 2005-05-25 Itswell株式会社 半导体发光二极管及其制造方法

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61121373A (ja) 1984-11-17 1986-06-09 Oki Electric Ind Co Ltd 面発光素子及びその製造方法
JPH04132274A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオード
JP2927158B2 (ja) 1993-09-29 1999-07-28 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JP3240097B2 (ja) 1995-02-16 2001-12-17 シャープ株式会社 半導体発光素子
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP3802424B2 (ja) * 2002-01-15 2006-07-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
TW544953B (en) * 2002-06-03 2003-08-01 Opto Tech Corp Light emitting diode capable of increasing the light emitting efficiency
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
US6958494B2 (en) * 2003-08-14 2005-10-25 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting diodes with current spreading layer
KR100530986B1 (ko) 2003-11-18 2005-11-28 주식회사 이츠웰 발광 다이오드와 그 제조 방법 및 사파이어 기판의 식각방법
US7615798B2 (en) * 2004-03-29 2009-11-10 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device having an electrode made of a conductive oxide
JP2005327979A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Toshiba Corp 半導体発光素子および半導体発光装置
US7795623B2 (en) * 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
JP4116985B2 (ja) 2004-07-26 2008-07-09 松下電器産業株式会社 発光装置
JP2006073619A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
WO2006062300A1 (en) 2004-12-08 2006-06-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Silicon-based light emitting diode
WO2006082687A1 (ja) 2005-02-07 2006-08-10 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN系発光ダイオードおよび発光装置
JP2006253298A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2007005591A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2007019263A (ja) 2005-07-07 2007-01-25 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
US8405106B2 (en) * 2006-10-17 2013-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device
TW200717843A (en) * 2005-10-19 2007-05-01 Epistar Corp Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency
TWI288979B (en) * 2006-02-23 2007-10-21 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode bonded with metal diffusion and manufacturing method thereof
KR100736623B1 (ko) * 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
JP2008034822A (ja) 2006-06-28 2008-02-14 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP4282693B2 (ja) * 2006-07-04 2009-06-24 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2008130799A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
KR100809216B1 (ko) 2006-11-22 2008-02-29 삼성전기주식회사 수직구조 반도체 발광소자 제조방법
JP5040355B2 (ja) 2007-02-24 2012-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びこれを備えた発光装置
JP5198793B2 (ja) 2007-05-10 2013-05-15 ソニー株式会社 半導体素子およびその製造方法
US7759670B2 (en) * 2007-06-12 2010-07-20 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
JP2009004625A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
WO2009005477A1 (en) 2007-07-04 2009-01-08 Tinggi Technologies Private Limited Separation of semiconductor devices
WO2009019836A2 (en) * 2007-08-03 2009-02-12 Panasonic Corporation Light-emitting device
JP2009094107A (ja) 2007-10-03 2009-04-30 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極、および、それを用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子
CN101459209B (zh) * 2007-12-14 2012-04-18 台达电子工业股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
JP5040721B2 (ja) 2008-02-22 2012-10-03 住友電気工業株式会社 窒化物半導体装置およびその製造方法
US8299480B2 (en) * 2008-03-10 2012-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same, and epitaxial wafer
JP5057398B2 (ja) * 2008-08-05 2012-10-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR100974776B1 (ko) * 2009-02-10 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP5021693B2 (ja) 2009-04-14 2012-09-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
KR100999701B1 (ko) * 2010-02-03 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
EP2660883B1 (en) * 2009-12-09 2019-03-27 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device manufacturing method, light emitting package, and lighting system
KR100986560B1 (ko) * 2010-02-11 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8084776B2 (en) * 2010-02-25 2011-12-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package, and lighting system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1619845A (zh) * 2003-11-18 2005-05-25 Itswell株式会社 半导体发光二极管及其制造方法

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