TWI692115B - 發光元件 - Google Patents

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TWI692115B
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Abstract

一發光元件包含一半導體疊層具有一第一半導體層，一第二半導體層，以及一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間；一第一焊墊與第一半導體層電連接；一第二焊墊與第二半導體層電連接；以及一金屬層位於半導體疊層上，其中金屬層環繞第二焊墊之複數個側壁，金屬層與第二焊墊相隔一間距。

Description

發光元件
本發明係關於一種發光元件，且特別係關於一種發光元件，其包含一半導體疊層及一焊墊位於半導體疊層上。
發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)為固態半導體發光元件，其優點為功耗低，產生的熱能低，工作壽命長，防震，體積小，反應速度快和具有良好的光電特性，例如穩定的發光波長。因此發光二極體被廣泛應用於家用電器，設備指示燈，及光電產品等。
一發光元件包含一半導體疊層具有一第一半導體層，一第二半導體層，以及一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間；一第一焊墊與第一半導體層電連接；一第二焊墊與第二半導體層電連接；以及一金屬層位於半導體疊層上，其中金屬層環繞第二焊墊之複數個側壁，金屬層與第二焊墊相隔一間距。
一發光元件包含一半導體疊層具有一第一半導體層，一第二半導體層，以及一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間；一第一接觸層位於半導體疊層上；一第一焊墊包含一側邊，位於第一接觸層上；一第二焊墊位於半導體疊層上；以及一絕緣層，絕緣層包含一第一部分為第一焊墊所覆蓋，及一連接部分鄰近第一焊墊之側邊，其中絕緣層包含一開口位於第一部分及連接部分之間以露出第一接觸層，開口係由第一部分之一第一邊及連接部分之一側邊所構成，第一焊墊之側邊與第一部分之第一邊或連接部分之側邊相隔一距離小於100 μm。
為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，請參照下列實施例之描述並配合相關圖示。惟，以下所示之實施例係用於例示本發明之發光元件，並非將本發明限定於以下之實施例。又，本說明書記載於實施例中的構成零件之尺寸、材質、形狀、相對配置等在沒有限定之記載下，本發明之範圍並非限定於此，而僅是單純之說明而已。且各圖示所示構件之大小或位置關係等，會由於為了明確說明有加以誇大之情形。更且，於以下之描述中，為了適切省略詳細說明，對於同一或同性質之構件用同一名稱、符號顯示。
第1~9B圖係本發明一實施例中所揭示之一發光元件1的製造方法及結構。
如第1圖所示，發光元件1的製造方法包含形成一半導體疊層10a之步驟，其包含提供一基板11a；以及形成半導體疊層10a於基板11a上，其中半導體疊層10a包含一第一半導體層101a，一第二半導體層102a，以及一活性層103a位於第一半導體層101a及第二半導體層102a之間。
於本發明之一實施例中，基板11a為一成長基板，包括用以成長磷化鋁鎵銦(AlGaInP)之砷化鎵(GaAs)晶圓，或用以成長氮化銦鎵(InGaN)之藍寶石(Al2 O3 )晶圓、氮化鎵(GaN)晶圓或碳化矽(SiC)晶圓。
於本發明之一實施例中，藉由有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)、氫化物氣相沉積法(HVPE)、物理氣相沉積法(PVD)或離子電鍍方法以於基板11a上形成具有光電特性之半導體疊層10a，例如發光(light-emitting)疊層，其中物理氣象沉積法包含濺鍍 (Sputtering)或蒸鍍(Evoaporation)法。第一半導體層101a和第二半導體層102a，可為包覆層(cladding layer)或限制層(confinement layer)，兩者具有不同的導電型態、電性、極性，或依摻雜的元素以提供電子或電洞，例如第一半導體層101a為n型電性的半導體，第二半導體層102a為p型電性的半導體。活性層103a形成在第一半導體層101a和第二半導體層102a之間，電子與電洞於一電流驅動下在活性層103a複合，將電能轉換成光能，以發出一光線。藉由改變半導體疊層10a中一層或多層的物理及化學組成以調整發光元件1發出光線的波長。半導體疊層10a之材料包含Ⅲ-Ⅴ族半導體材料，例如Alx Iny Ga(1-x-y) N或Alx Iny Ga(1-x-y) P，其中0≦x，y≦1；(x+y)≦1。依據活性層103a之材料，當半導體疊層10a材料為AlInGaP系列材料時，可發出波長介於610 nm及650 nm之間的紅光，波長介於530 nm及570 nm之間的綠光，當半導體疊層10a材料為InGaN系列材料時，可發出波長介於450 nm及490 nm之間的藍光，或是當半導體疊層10a材料為AlGaN系列或AlInGaN系列材料時，可發出波長介於400 nm及250 nm之間的紫外光。活性層103a可為單異質結構(single heterostructure, SH)，雙異質結構(double heterostructure, DH)，雙側雙異質結構(double-side double heterostructure, DDH)，多層量子井結構(multi-quantum well, MQW) 。活性層103a之材料可為中性、p型或n型電性的半導體。
於本發明之一實施例中，PVD氮化鋁(AlN)可做為緩衝層，形成於半導體疊層10a及基板11a之間，用以改善半導體疊層10a的磊晶品質。在一實施例中，用以形成PVD氮化鋁(AlN)的靶材係由氮化鋁所組成。在另一實施例中，係使用由鋁組成的靶材，於氮源的環境下與鋁靶材反應性形成氮化鋁。
如第2A圖之上視圖及第2B圖之沿第2A圖線段A-A’之剖面圖所示，於半導體疊層10a形成在基板11a上之後，發光元件1的製造方法包含一平台形成步驟。藉由微影、蝕刻之方式圖案化半導體疊層10a，移除部分的第二半導體層102a及活性層103a，形成一或多個半導體結構1000a，一環繞部111a於一或多個半導體結構1000a之周圍以露出第一半導體層101a之一第一表面1011a，以及一或多個孔部100a以露出第一半導體層101a之一第二表面1012a。
於本發明之一實施例中，多個半導體結構1000a可彼此分離以露出基板11a之一表面11s或藉由第一半導體層101a彼此相連。一或多個半導體結構1000a各包含一第一外側壁1003a，一第二外側壁1001a，及一或多個內側壁1002a，其中第一外側壁1003a為第一半導體層101a之側壁，第二外側壁1001a為活性層103a及/或第二半導體層102a之側壁，第二外側壁1001a之一端與第二半導體層102a之一表面102s相連，第二外側壁1001a之另一端與第一半導體層101a之第一表面1011a相連；內側壁1002a之一端與第二半導體層102a之表面102s相連，內側壁1002a之另一端與第一半導體層101a之第二表面1012a相連。如第2B圖所示，半導體結構1000a的內側壁1002a與第一半導體層101a的第二表面1012a之間具有一鈍角或一直角，半導體結構1000a的第一外側壁1003a與基板11a的表面11s之間具有一鈍角或一直角，半導體結構1000a的第二外側壁1001a與第一半導體層101a的第一表面1011a之間具有一鈍角或一直角。
於本發明之一實施例中，環繞部111a由第2A圖所示之發光元件1之上視圖觀之為一矩形或多邊形環狀。
於本發明之一實施例中，孔部100a的開口形狀包含圓形、橢圓形、矩形、多邊形、或是任意形狀。多個孔部100a可排列成複數列，任相鄰兩列或每相鄰兩列上的孔部100a可彼此對齊或是錯開。
於本發明之一實施例中，多個孔部100a可排列成一第一列與一第二列，位於同一列上的兩相鄰孔部100a之間包含一第一最短距離，位於第一列上的孔部100a與位於第二列上的孔部100a之間包含一第二最短距離，其中第一最短距離大於或小於第二最短距離。當一外部電流注入發光元件1時，藉由多個孔部100a的分散配置，可使發光元件1的光場分佈均勻化，並可降低發光元件1的正向電壓。
於本發明之一實施例中，多個孔部100a可排列成一第一列，一第二列與一第三列，位於第一列上的孔部100a與位於第二列上的孔部100a之間包含一第一最短距離，位於第二列上的孔部100a與位於第三列上的孔部100a之間包含一第二最短距離，其中第一最短距離小於第二最短距離。當一外部電流注入發光元件1時，藉由多個孔部100a的分散配置，可使發光元件1的光場分佈均勻化，並可降低發光元件1的正向電壓。
於本發明之一實施例中，發光元件1包含一邊長大於30 mil時，發光元件1包含環繞部111a及一或多個孔部100a。兩相鄰孔部100a之間包含一第一最短距離，任一孔部100a與第一半導體層101a之第一外側壁1003a之間包含一第二最短距離，其中第一最短距離小於第二最短距離。當一外部電流注入發光元件1時，藉由環繞部111a及一或多個孔部100a的分散配置，可使發光元件1的光場分佈均勻化，並可降低發光元件1的正向電壓。
於本發明之一實施例中，發光元件1包含一邊長小於30 mil時，發光元件1包含環繞部111a，但不包含孔部100a以增加可發光之活性層面積。當一外部電流注入發光元件1時，藉由環繞部111a環繞半導體結構1000a之周圍，可使發光元件1的光場分佈均勻化，並可降低發光元件1的正向電壓。
接續平台形成步驟，如第3A圖之上視圖及第3B圖之沿著第3A圖線段A-A’之剖面圖所示，發光元件1的製造方法包含一第一絕緣層形成步驟。藉由物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式於半導體結構1000a上形成一第一絕緣層20a，再藉由微影、蝕刻之方式圖案化第一絕緣層20a，形成一第一絕緣層環繞區200a以覆蓋上述環繞部111a之部分第一表面1011a及包覆半導體結構1000a之第二外側壁1001a，形成一群組的第一絕緣層覆蓋區201a以覆蓋多個孔部100a之第二表面1012a及包覆半導體結構1000a之內側壁1002a，以及形成一第一絕緣層開口202a以露出第二半導體層102a之表面102s。群組的第一絕緣層覆蓋區201a係彼此分離且分別對應多個孔部100a。第一絕緣層20a可為單層或疊層結構。當第一絕緣層20a為單層結構時，第一絕緣層20a可保護半導體結構1000a之側壁以避免活性層103a被後續製程所破壞。當第一絕緣層20a為疊層結構時，第一絕緣層20a除了可保護半導體結構1000a外，還可藉由其包含不同折射率的兩種以上之材料交替堆疊以形成一布拉格反射鏡(DBR)結構，選擇性地反射特定波長之光。第一絕緣層20a係為非導電材料所形成，包含有機材料，例如Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)，或是無機材料，例如矽膠(Silicone)、玻璃(Glass)，或是介電材料，例如氧化鋁(Al2 O3 )、氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氧化鈦(TiOx )，或氟化鎂(MgFx )。
於本發明之一實施例中，接續第一絕緣層形成步驟，如第4A圖之上視圖及第4B圖之沿著第4A圖線段A-A’之剖面圖所示，發光元件1的製造方法包含一透明導電層形成步驟。藉由物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式形成一透明導電層30a於第一絕緣層開口202a中，其中透明導電層30a的外緣301a與第一絕緣層20a相隔一距離以露出第二半導體層102a之部分表面102s。由於透明導電層30a形成於第二半導體層102a之大致整個面，並與第二半導體層102a相接觸，因此，電流藉由透明導電層30a以均勻擴散於第二半導體層102a之整體。透明導電層30a之材料包含對於活性層103a所發出的光線為透明的材料，例如氧化銦錫(ITO)、或氧化銦鋅(IZO)。
於本發明之另一實施例中，於平台形成步驟之後，可先進行透明導電層形成步驟，再進行第一絕緣層形成步驟。
於本發明之另一實施例中，於平台形成步驟之後，可省略第一絕緣層之形成步驟，直接進行透明導電層形成步驟。
於本發明之一實施例中，接續透明導電層形成步驟，如第5A圖之上視圖，第5B圖之區域B部分放大圖，第5C圖之區域C部分放大圖，第5D圖之沿著第5A圖線段A-A’之剖面圖，及第5E圖之區域E部分放大圖所示，發光元件1的製造方法包含一反射結構形成步驟。藉由物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式直接形成一反射結構400於透明導電層30a上，其中反射結構400包含一反射層40a及/或一阻障層41a，反射層40a位於透明導電層30a及阻障層41a之間。於本發明之一實施例中，反射層40a的外緣401a可設置於透明導電層30a的外緣301a之內側、外側、或者設置成與透明導電層30a的外緣301a重合對齊，阻障層41a的外緣411a可設置於反射層40a的外緣401a之內側、外側、或者設置成與反射層40a的外緣401a重合對齊。如第5B圖，第5C圖之部分放大圖，及第5E圖之部分放大圖所示，反射層40a的外緣401a不與透明導電層30a的外緣301a重疊，透明導電層30a之外緣301a為反射層40a所包覆，以至於阻障層41a不與透明導電層30a相接。
於本發明之另一實施例中，可省略透明導電層之形成步驟，於平台形成步驟或是第一絕緣層形成步驟之後，直接進行反射結構形成步驟，例如反射層40a及/或阻障層41a直接形成於第二半導體層102a上，反射層40a位於第二半導體層102a及阻障層41a之間。
反射層40a可為單層或疊層結構，疊層結構例如一布拉格反射結構。反射層40a之材料包含反射率較高的金屬材料，例如銀(Ag)、鋁(Al)、或銠(Rh)等金屬或上述材料之合金。在此所述具有較高的反射率係指對於發光元件1發出光線的波長具有80%以上的反射率。於本發明之一實施例中，阻障層41a包覆反射層40a以避免反射層40a表面氧化而使反射層40a之反射率劣化。阻障層41a之材料包含金屬材料，例如鈦(Ti)、鎢(W)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬或上述材料之合金。阻障層41a可為單層或疊層結構，疊層結構例如為鈦(Ti)/鋁(Al)，及/或鈦(Ti)/ 鎢(W)。於本發明之一實施例中，阻障層41a於靠近反射層40a之一側包含鈦(Ti)/鎢(W)之疊層結構，於遠離反射層40a之一側包含鈦(Ti)/鋁(Al)之疊層結構。於本發明之一實施例中，反射層40a及阻障層41a之材料包含金(Au)、或銅(Cu)以外之金屬材料，如此可避免於後續的製造過程中，封裝焊料中的金屬，例如錫(Sn)，擴散進入發光元件1中，與發光元件1內部之金屬材料，例如金(Au)、或銅(Cu)，形成共金，導致發光元件1之結構變形。
於本發明之一實施例中，接續反射結構之形成步驟，如第6A圖之上視圖及第6B圖之沿著第6A圖線段A-A’之剖面圖所示，發光元件1的製造方法包含一第二絕緣層形成步驟。藉由物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式於半導體結構1000a上形成一第二絕緣層50a，再藉由微影、蝕刻之方式圖案化第二絕緣層50a，以形成一或一第一群組的第二絕緣層開口501a以裸露出第一半導體層101a，以及一或一第二群組的第二絕緣層開口502a以裸露出反射層40a或阻障層41a，其中在圖案化第二絕緣層50a的過程中，於前述第一絕緣層形成步驟中覆蓋於環繞部111a的第一絕緣層環繞區200a及孔部100a內的第一群組的第一絕緣層覆蓋區201a被部分蝕刻移除以裸露出第一半導體層101a，並於孔部100a內形成第一群組的第一絕緣層開口203a以裸露出第一半導體層101a。
於本實施例中，如第6A圖之上視圖及第6B圖之剖面圖所示，第一群組的第二絕緣層開口501a包含一形狀或數目以對應於孔部100a之形狀或數目。位於第一半導體層101a上的第二絕緣層開口501a及位於第二半導體層102a上的第二絕緣層開口502a具有不同的形狀、寬度、數目。第二絕緣層開口501a，502a的上視圖開口形狀為一環狀開口。
於本實施例中，如第6A圖所示，位於第一半導體層101a上的第二絕緣層開口501a彼此分離且分別對應多個孔部100a，位於第二半導體層102a上的第二絕緣層開口502a靠近基板11a之一側，例如基板11a中心線C-C’之左側或右側。第二絕緣層50a可為單層或疊層結構。當第二絕緣層50a為單層結構時，第二絕緣層50a可保護半導體結構1000a之側壁以避免活性層103a被後續製程所破壞。當第二絕緣層50a為疊層結構時，第二絕緣層50a可包含不同折射率的兩種以上之材料交替堆疊以形成一布拉格反射鏡(DBR)結構，選擇性地反射特定波長之光。第二絕緣層50a係由非導電材料所構成，包含有機材料，例如Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)，或是無機材料，例如矽膠(Silicone)、玻璃(Glass)，或是介電材料，例如氧化鋁(Al2 O3 )、氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氧化鈦(TiOx )，或氟化鎂(MgFx )。
接續第二絕緣層形成步驟，於本發明之一實施例中，如第7A圖之上視圖及第7B圖之沿著第7A圖線段A-A’之剖面圖所示，發光元件1的製造方法包含一接觸層形成步驟。藉由物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式於半導體疊層10a上形成一接觸層60a，再藉由微影、蝕刻之方式圖案化接觸層60a以形成一第一接觸層601a、一第二接觸層602a及一頂針區600a。第一接觸層601a填入於孔部100a中並覆蓋第二絕緣層開口501a，以與第一半導體層101a相接觸，並延伸覆蓋於第二絕緣層50a及第二半導體層102a之部分表面上，其中第一接觸層601a透過第二絕緣層50a與第二半導體層102a相絕緣。第二接觸層602a形成於第二絕緣層50a的環狀開口502a中以與部分反射層40a及/或阻障層41a相接觸。
於本發明之一實施例中，第一接觸層601a、第二接觸層602a及頂針區600a彼此相隔一距離。第二接觸層602a係部分延伸形成於第二絕緣層50a的環狀開口502a中，第二接觸層602a之側壁6021a與環狀開口502a之側壁5021a相隔一距離，第一接觸層601a之側壁6011a與第二接觸層602a之側壁6021a相隔一距離，使得第一接觸層60 1a不與第二接觸層602a相接，且第一接觸層601a與第二接觸層602a藉由部分第二絕緣層50a做電性隔絕。於發光元件1之上視圖上，第一接觸層601a覆蓋半導體疊層10a之環繞部111a，以至於第一接觸層601a環繞第二接觸層602a之多個側壁。
於本發明之一實施例中，第一接觸層601a藉由環繞部111a及孔部100a以與第一半導體層101a相接觸。當一外部電流注入發光元件1時，部分電流藉由環繞部111a傳導至第一半導體層101a，另一部分電流藉由多個孔部100a傳導至第一半導體層101a。
如第7A圖所示，第二接觸層602a係靠近基板11a之一側，例如基板11a中心線C-C’之左側或右側。頂針區600a位於半導體疊層10a上的幾何中心處。頂針區600a不與第一接觸層601a及第二接觸層602a相接，且與第一接觸層601a及第二接觸層602a電性隔絕，頂針區600a包含與第一接觸層601a及/或第二接觸層602a相同之材料。頂針區600a係作為保護磊晶層之結構以避免磊晶層於後段製程，例如晶粒分離、測試晶粒、封裝，為外力所損害，例如探針、或頂針所損害。頂針區600a之形狀包含矩形、橢圓形或是圓形。
於本發明之一實施例中，頂針區600a位於半導體疊層10a上的幾何中心處。頂針區600a與第一接觸層601a或第二接觸層602a相連接，頂針區600a包含與第一接觸層601a及/或第二接觸層602a相同之材料。
於本發明之一實施例中，接觸層60a可為單層或疊層結構。為了降低與第一半導體層101a相接觸的電阻，接觸層60a之材料包含金屬材料，例如鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、金(Au)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬或上述材料之合金。接觸層60a之材料包含金(Au)、銅(Cu)以外之金屬材料，如此可避免於後續的製造過程中，封裝焊料中的金屬，例如錫(Sn)，擴散進入發光元件1中，與發光元件1內部之金屬材料，例如金(Au)、銅(Cu)，形成共金，導致發光元件1之結構變形。
於本發明之一實施例中，接觸層60a之材料包含具有高反射率之金屬，例如鋁(Al)、或鉑(Pt)。
於本發明之一實施例中，接觸層60a與第一半導體層101b相接觸之一側包含鉻(Cr)或鈦(Ti)，以增加接觸層60a與第一半導體層101a的接合強度。
於本發明之一實施例中，接續如第7A圖及第7B圖之接觸層形成步驟，發光元件1的製造方法包含一第三絕緣層形成步驟，如第8A圖之上視圖及第8B圖之沿著第8A圖線段A-A’之剖面圖所示，藉由物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式形成一第三絕緣層70a於半導體結構1000a上，再藉由微影、蝕刻之方式圖案化第三絕緣層70a，形成一第三絕緣層開口701a，702a以分別露出第一接觸層601a，第二接觸層602a；形成第三絕緣層70a之一第一部份7011a，第一部份7011a為第三絕緣層開口701a所環繞；形成第三絕緣層70a之一第二部份7022a，第二部份7022a為第三絕緣層開口702a所環繞；以及形成第三絕緣層70a之一連接部份7000a於第三絕緣層開口701a及第三絕緣層開口702a之間。如第8A圖所示，第三絕緣層70a之連接部份7000a分別環繞第三絕緣層70a之第一部份7011a及第二部份7022a。如第8B圖所示，第三絕緣層70a之連接部份7000a位於第三絕緣層70a之第一部份7011a之兩側，第三絕緣層70a之連接部份7000a位於第三絕緣層70a之第二部份7022a之兩側。第三絕緣層開口701a係由第三絕緣層70a之第一部分7011a之一第一邊70111及第三絕緣層70a之連接部分7000a之一邊70001所構成，第三絕緣層開口702a係由第三絕緣層70a之第二部分7022a之一第二邊70222a及第三絕緣層70a之連接部分7000a之另一邊70002a所構成。
於本發明之一實施例中，位於第二半導體層102a上的第一接觸層601a夾置於第二絕緣層50a及第三絕緣層70a之間。上述頂針區600a為第三絕緣層70a之連接部分7000a所環繞及包覆。
於本發明之一實施例中，如第8A圖所示，第三絕緣層開口701a，702a與多個孔部100a係錯開，互不重疊。換言之，第三絕緣層開口701a與第二絕緣層開口501a係錯開，互不重疊。第三絕緣層開口702a可為第二絕緣層開口502a所環繞。於第8A圖之上視圖上，第三絕緣層開口701a，702a位於基板11a中心線C-C’之兩側，例如第三絕緣層開口701a位於基板11a中心線C-C’之右側，第三絕緣層開口702a位於基板11a中心線C-C’之左側。
於本發明之一實施例中，第三絕緣層開口701a包含一寬度小於第二絕緣層開口501a的寬度，第三絕緣層開口702a包含一寬度小於第二絕緣層開口502a的寬度。
於本發明之一實施例中，第三絕緣層開口701a包含一寬度大於第二絕緣層開口501a的寬度，第三絕緣層開口702a包含一寬度大於第二絕緣層開口502a的寬度。
第三絕緣層70a可為單層或疊層結構。當第三絕緣層70a為疊層結構時，第三絕緣層70a可包含不同折射率的兩種以上之材料交替堆疊以形成一布拉格反射鏡(DBR)結構，選擇性地反射特定波長之光。第三絕緣層70a係為非導電材料所形成，包含有機材料，例如Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)，或是無機材料，例如矽膠(Silicone)、玻璃(Glass)，或是介電材料，例如氧化鋁(Al2 O3 )、氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氧化鈦(TiOx )，或氟化鎂(MgFx )。
接續第三絕緣層形成步驟，發光元件1的製造方法包含一焊墊形成步驟。如第9A圖之上視圖及第9B圖之沿著第9A圖線段A-A’之剖面圖所示，藉由電鍍、物理氣相沉積法或化學氣相沉積法等方式形成一第一焊墊80a及一第二焊墊90a於一或多個半導體結構1000a上。於第9A圖之上視圖上，第一焊墊80a靠近基板11a之一側，例如基板11a中心線C-C’之右側，第二焊墊90a靠近基板11a之另一側，例如基板11a中心線C-C’之左側。第一焊墊80a覆蓋第三絕緣層開口701a，以與第一接觸層601a相接觸，並透過第一接觸層601a及孔部100a與第一半導體層101a形成電連接。第二焊墊90a覆蓋第三絕緣層開口702a，與第二接觸層602a相接觸，並透過第二接觸層602a、反射層40a或阻障層41a以與第二半導體層102a形成電連接。如第9A圖所示，第一焊墊80a及第二焊墊90a未覆蓋任一孔部100a，孔部100a係形成於第一焊墊80a及第二焊墊90a以外的區域。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80a包含一尺寸與第二焊墊90a之一尺寸相同或不同，此尺寸可為寬度或面積。
於本發明之一實施例中，如第9B圖所示，第一焊墊80a包含一側邊801a，第一焊墊80a之側邊801a與第三絕緣層70a之第一部分7011a之第一邊70111或第三絕緣層70a之連接部分7000a之一邊70001相隔一距離，此距離較佳小於100 μm，更佳小於50 μm，最佳小於20 μm。第二焊墊90a包含一側邊902a，第二焊墊90a之側邊902a與第三絕緣層70a之第二部分7022a之第二邊70222a或第三絕緣層70a之連接部分7000a之另一邊70002a相隔一距離，此距離較佳小於100 μm，更佳小於50 μm，最佳小於20 μm。
於本發明之一實施例中，於發光元件1之上視圖上，第一焊墊80a之側邊801a係沿著第三絕緣層開口701a之側邊70001，70111來配置，第二焊墊90a之側邊902a係沿著第三絕緣層開口702a之側邊70002a，70222a來配置。
第9A圖係為發光元件1之上視圖，第9B圖係為發光元件1之剖面圖。根據本實施例所揭露的發光元件1為一覆晶式發光二極體元件。發光元件1包含基板11a；一或多個半導體結構1000a位於基板11a上；環繞部111a環繞一或多個半導體結構1000a；以及第一焊墊80a及第二焊墊90a位於半導體疊層10a上。一或多個半導體結構1000a各包含半導體疊層10a，半導體疊層10a包含第一半導體層101a，第二半導體層102a，及活性層103a位於第一半導體層101a及第二半導體層102a之間。
如第9A圖及第9B圖所示，一或多個半導體結構1000a之周圍為環繞部111a所環繞。於本發明之一實施例中，多個半導體結構1000a可藉由第一半導體層101a彼此相連，環繞部111a包含第一半導體層101a之第一表面1011a以環繞多個半導體結構1000a之周圍。於本發明之另一實施例中，多個半導體結構1000a可彼此分離，並相隔一距離以露出基板11a之一表面11s。
發光元件1更包含一或多個孔部100a穿過第二半導體層102a及活性層103a以裸露第一半導體層101a之一或多個第二表面1012a。
發光元件1更包含第一接觸層601a形成於第一半導體層101a之第一表面1011a上以環繞半導體結構1000a之周圍並與第一半導體層101a接觸以形成電連接，以及形成於第一半導體層101a之一或多個第二表面1012a上以覆蓋一或多個孔部100a並與第一半導體層101a接觸以形成電連接；以及第二接觸層602a形成於第二半導體層102a之表面102s上。於本發明之一實施例中，於發光元件1之上視圖如第7A圖上，第一接觸層601a環繞第二接觸層602a之多個側壁。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80a及/或第二焊墊90a覆蓋多個半導體結構1000a。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80a及第二焊墊90a之形成位置係繞開孔部100a之形成位置，以至於第一焊墊80a及第二焊墊90a之形成位置不與孔部100a之形成位置重疊。
於本發明之一實施例中，於發光元件1之上視圖上，第一焊墊80a的形狀與第二焊墊90a的形狀相同，例如第一焊墊80a及第二焊墊90a的形狀為矩形，如第9A圖所示。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80a的尺寸與第二焊墊90a的尺寸不同，例如第一焊墊80a的面積大於或小於第二焊墊90a的面積。第一焊墊80a及第二焊墊90a之材料包含金屬材料，例如鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鉑(Pt)等金屬或上述材料之合金。第一焊墊80a及第二焊墊90a可為單層或疊層結構。當第一焊墊80a及第二焊墊90a為疊層結構時，第一焊墊80a包含一第一上層焊墊及一第一下層焊墊，第二焊墊90a包含一第二上層焊墊及一第二下層焊墊。上層焊墊與下層焊墊分別具有不同的功能。
於本發明之一實施例中，上層焊墊的功能主要用於焊接與形成引線。藉由上層焊墊，發光元件1能夠以倒裝晶片形式，使用焊料(solder)或藉由例如AuSn材料共晶接合而安裝於封裝基板上。上層焊墊的金屬材料包含高延展性的材料，例如錫(Sn)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、鎢(W)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)、鋨(Os)等金屬或上述材料之合金。上層焊墊可以為上述材料的單層或疊層結構。於本發明之一實施例中，上層焊墊之材料包含鎳(Ni)及/或金(Au)，且上層焊墊為單層或疊層結構。
於本發明之一實施例中，下層焊墊的功能係與接觸層60a、反射層40a、或阻障層41a形成穩定的介面，例如提高第一下層焊墊與第一接觸層601a的介面接合強度，或是提高第二下層焊墊與反射層40a或阻障層41a的介面接合強度。下層焊墊的另一功能為防止焊料或AuSn共晶中的錫(Sn)擴散進入到反射結構中，破壞反射結構的反射率。因此，下層焊墊包含金(Au)、銅(Cu)以外之金屬材料，例如鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鎢(W)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)、鋨(Os)等金屬或上述材料之合金，下層焊墊可以為上述材料的單層或疊層結構。於本發明之一實施例中，下層焊墊包含鈦(Ti)/鋁(Al)之疊層結構，或是鉻(Cr)/鋁(Al) 之疊層結構。
於本發明之一實施例中，為防止焊料或AuSn共晶中的錫(Sn)擴散進入到反射結構中，破壞反射結構的反射率。因此，第一接觸層601a與第一焊墊80a相接之一側包含一金屬材料係選自鈦(Ti)及鉑(Pt)所構成之一群組。第二接觸層602a與第二焊墊90a相接之一側包含一金屬材料係選自鈦(Ti)及鉑(Pt)所構成之一群組。
第10A圖為於本發明之一實施例之發光元件2之上視圖，第10B圖為發光元件2之剖面圖。發光元件2與上述實施例中的發光元件1相比，發光元件2更包含一金屬層900b環繞於第一焊墊80b及/或第二焊墊90b之複數個側壁，以及一第一電極凸塊810b及一第二電極凸塊910b分別位於第一焊墊80b及第二焊墊90b上方。除此之外，發光元件2與發光元件1具有大致相同之結構，因此對於第10A圖，第10B圖之發光元件2與第9圖之發光元件1具有相同名稱、標號之構造，係表示為相同之結構、具有相同之材料、或具有相同之功能，在此會適當省略說明或是不再贅述。
根據本實施例所揭露的發光元件2為一覆晶式發光二極體元件。發光元件2包含基板11a；一或多個半導體結構1000a位於基板11a上；環繞部111a環繞一或多個半導體結構1000a；第一焊墊80b及第二焊墊90b位於半導體疊層10a上；以及一第一電極凸塊810b及一第二電極凸塊910b分別位於第一焊墊80b及第二焊墊90b上方。一或多個半導體結構1000a各包含半導體疊層10a，半導體疊層10a包含第一半導體層101a，第二半導體層102a，及活性層103a位於第一半導體層101a及第二半導體層102a之間。
如第10A圖及第10B圖所示，一或多個半導體結構1000a之周圍為環繞部111a所環繞。於本發明之一實施例中，多個半導體結構1000a可藉由第一半導體層101a彼此相連，環繞部111a包含第一半導體層101a之第一表面1011a以環繞多個半導體結構1000a之周圍。於本發明之另一實施例中，多個半導體結構1000a可彼此分離，並相隔一距離以露出基板11a之一表面11s。
發光元件2更包含一或多個孔部100a穿過第二半導體層102a及活性層103a以裸露第一半導體層101a之一或多個第二表面1012a。
發光元件2更包含第一接觸層601a形成於第一半導體層101a之第一表面1011a上以環繞半導體結構1000a之周圍並與第一半導體層101a接觸以形成電連接，以及形成於第一半導體層101a之一或多個第二表面1012a上以覆蓋一或多個孔部100a並與第一半導體層101a接觸以形成電連接；以及第二接觸層602a形成於第二半導體層102a之表面102s上，並與第二半導體層102a形成電連接。於本發明之一實施例中，於發光元件2之上視圖上，第一接觸層601a環繞第二接觸層602a之多個側壁，第二接觸層602a包含一尺寸小於第一接觸層601a之一尺寸，例如面積。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80b覆蓋部分或全部的孔部100a及/或第二焊墊90b覆蓋部分或全部的孔部100a。如第10A圖所示，第一焊墊80b覆蓋部分孔部100a，第二焊墊90b未覆蓋任一孔部100a。
由於發光元件以倒裝晶片形式安裝於封裝基板上時，發光元件表面之絕緣層易因遭受外力的碰撞而破損，使得焊料或共晶接合的例如AuSn材料經由絕緣層之裂痕而進入發光元件之內部，使發光元件失效。於本發明之一實施例中，發光元件2包含金屬層900b位於半導體疊層10a上以保護下方之絕緣層，避免絕緣層因遭受外力的碰撞而破損。如第10A圖所示，金屬層900b環繞第二焊墊90b之複數個側壁，金屬層900b與第二焊墊90b相隔一間距。金屬層900b覆蓋部分孔部100a，部分第一接觸層601a位於金屬層900b之下，並藉由第三絕緣層70a與金屬層900b相絕緣。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80b，第二焊墊90b及金屬層900b彼此相隔一距離，互不相連。
於本發明之一實施例中，發光元件2包含第三絕緣層70a，第三絕緣層70a具有一或多個開口701a，702a以分別露出第一接觸層601a及第二接觸層602a，其中一間距位於金屬層900b與第二焊墊90b之間以露出第三絕緣層70a之一部份表面。
於本發明之一實施例中，於發光元件2之上視圖上，第一焊墊80b的形狀與第二焊墊90b的形狀不同，例如第一焊墊80b的形狀為矩形，第二焊墊90b的形狀為梳狀。
於本發明之一實施例中，於發光元件2之上視圖上，第一焊墊80b包含一尺寸與第二焊墊90b之一尺寸不同，例如面積。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80b，第二焊墊90b的尺寸分別與第一電極凸塊810b，第二電極凸塊910b的尺寸不同，例如第一焊墊80b的面積大於第一電極凸塊810b的面積，第二焊墊90b的面積大於第二電極凸塊910b的面積。
於本發明之一實施例中，第一焊墊80b與第二焊墊90b間之一距離小於第一電極凸塊810b與第二電極凸塊910b間之一距離。
於本發明之一實施例中，於發光元件2之上視圖上，第一電極凸塊810b的形狀與第二電極凸塊910b的形狀近似或相同，例如第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b的形狀為梳狀，如第10A圖所示，第一電極凸塊810b具有複數個第一凸部811b及複數個第一凹部812b彼此交替相連。第二電極凸塊910b具有複數個第二凸部911b及複數個第二凹部912b彼此交替相連。第一電極凸塊810b之第一凹部812b之位置及第二電極凸塊910b之第二凹部912b之位置大致對應於孔部100a之位置。換句話說，第一電極凸塊810b之第一凹部812b之寬度或第二電極凸塊910b之第二凹部912b之寬度大於任一孔部100a之直徑，以至於第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b未覆蓋任一孔部100a，第一電極凸塊810b之第一凹部812b及第二電極凸塊910b之第二凹部912b係繞開孔部100a，且形成於孔部100a周圍。於本發明之一實施例中，複數個第一凹部812b於上視圖上大致對齊複數個第二凹部912b。於本發明之另一實施例中，複數個第一凹部812b於上視圖上與複數個第二凹部912b係錯置。
於本發明之一實施例中，發光元件2以倒裝晶片形式安裝於封裝基板上時，由於第一焊墊80b、第二焊墊90b與半導體疊層10a之間包含多層絕緣層，發光元件2之第一焊墊80b、第二焊墊90b因外力，例如與焊料或AuSn共晶接合時所產生的應力，會使第一焊墊80b、第二焊墊90b與絕緣層產生裂痕，因此發光元件2包含第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b分別位於第一焊墊80b及第二焊墊90b上方，經由第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b與外界接合，其中第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b之形成位置係繞開孔部100a之形成位置以減少因外力使得焊墊與絕緣層之間應力的產生。
於本發明之另一實施例中，相較於第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b，第一焊墊80b、第二焊墊90b具有較大的面積以釋放第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b於固晶時的壓力。於發光元件2之剖面圖下，第一焊墊80b包含一寬度為第一電極凸塊810b之一寬度的1.2~2.5倍，較佳為2倍。
於本發明之另一實施例中，相較於第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b，第一焊墊80b、第二焊墊90b具有較大的面積以釋放第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b於固晶時的壓力。於發光元件2之剖面圖下，第一焊墊80b外擴距離為其自身厚度的1倍以上，較佳為自身厚度的2倍以上。
於本發明之另一實施例中，第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b包含一厚度介於1~100μm之間，較佳為1.5~6μm之間，經由第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b以倒裝晶片形式安裝於封裝基板上。第一焊墊80b及第二焊墊90b包含一厚度大於0.2μm，較佳為大於0.5μm，小於1μm，以釋放第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b於固晶時的壓力。
於本發明之另一實施例中，第一焊墊80b，第二焊墊90b及金屬層900b包含相同的金屬材料及/或具有相同的金屬疊層。
第一焊墊80b，第二焊墊90b及金屬層900b可為單層或疊層結構。第一焊墊80b及第二焊墊90b的功能係與第一接觸層601a、反射層40a、或阻障層41a形成穩定的界面，例如第一焊墊80b與第一接觸層601a相接觸，第二焊墊90b與反射層40a或阻障層41a相接觸。第一焊墊80b及第二焊墊90b包含金(Au)、銅(Cu)以外之金屬材料，例鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鎢(W)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)、鋨(Os)等金屬或上述材料之合金，以防止solder焊料或AuSn共晶中的錫(Sn)擴散進入到發光元件2中與第一焊墊80b及第二焊墊90b所包含之金屬，例如金(Au)、銅(Cu)，產生共金。金屬層900b包含金(Au)、銅(Cu)以外之金屬材料，例鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鎢(W)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)、鋨(Os)等金屬或上述材料之合金。金屬層900b與第三絕緣層70a相接之一側包含鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、或鉑(Pt)，以提高金屬層900b與第三絕緣層70a的介面接合強度。
於本發明之另一實施例中，第一焊墊80b及/或第二焊墊90b為疊層結構，其中疊層結構包含一高延展性層和一低延展性層，以防止焊墊80b、90b與焊料或AuSn共晶接合時所產生的應力會使焊墊80b、90b與半導體疊層10a之間的絕緣層產生裂痕。高延展性層和低延展性層包含具有不同楊氏係數(Young's modulus)的金屬。
於本發明之另一實施例中，第一焊墊80b及/或第二焊墊90b之高延展性層包含一厚度大於或等於低延展性層之一厚度。
於本發明之另一實施例中，第一焊墊80b及第二焊墊90b為疊層結構，第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b為疊層結構，第一焊墊80b與第一電極凸塊810b相接之一面包含相同的金屬材料，第二焊墊90b與第二電極凸塊910b相接之一面包含相同的金屬材料，例如鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、或鉑(Pt)，以提高焊墊與緩衝墊的介面接合強度。
於本發明之另一實施例中，接續於焊墊形成步驟之後，發光元件2的製造方法包含一第四絕緣層形成步驟。藉由物理氣相沉積或化學氣相沉積法等方式於第一焊墊80b及第二焊墊90b上形成第四絕緣層(圖未標示)，第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b再分別形成於第一焊墊80b及第二焊墊90b上，其中第四絕緣層環繞第一焊墊80b及第二焊墊90b之側壁。第四絕緣層可為單層或疊層結構。當第四絕緣層為疊層結構時，第四絕緣層可包含不同折射率的兩種以上之材料交替堆疊以形成一布拉格反射鏡(DBR)結構，選擇性地反射特定波長之光。第四絕緣層的材料為非導電材料所形成，包含有機材料，例如Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)，或是無機材料，例如矽膠(Silicone)、玻璃(Glass)，或是介電材料，例如氧化鋁(Al2 O3 )、氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氧化鈦(TiOx )，或氟化鎂(MgFx )。
於本發明之一實施例中，第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b之製造工序可直接接續於第一焊墊80b及第二焊墊90b之製造工序之後。於本發明之另一實施例中，於第一焊墊80b及第二焊墊90b之製造工序之後，先進行第四絕緣層之形成步驟，再接續第一電極凸塊810b及第二電極凸塊910b之製造工序。
第11圖係為依本發明一實施例之發光裝置3之示意圖。將前述實施例中的發光元件1或發光元件2以倒裝晶片之形式安裝於封裝基板51 之第一墊片511、第二墊片512上。第一墊片511、第二墊片512之間藉由一包含絕緣材料之絕緣部53做電性絕緣。倒裝晶片安裝係將與焊墊形成面相對之成長基板側向上設為主要的光取出面。為了增加發光裝置之光取出效率，可於發光元件1或發光元件2之周圍設置一反射結構54。
第12圖係為依本發明一實施例之發光裝置4之示意圖。發光裝置4為一球泡燈包括一燈罩602、一反射鏡604、一發光模組610、一燈座612、一散熱片614、一連接部616以及一電連接元件618。發光模組610包含一承載部606，以及複數個發光單元608位於承載部606上，其中複數個發光單元608可為前述實施例中的發光元件1、發光元件2、或發光裝置3。
本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
1，2‧‧‧發光元件3，4‧‧‧發光裝置11a‧‧‧基板10a‧‧‧半導體疊層101a‧‧‧第一半導體層102a‧‧‧第二半導體層103a‧‧‧活性層100a‧‧‧孔部102s‧‧‧表面1011a‧‧‧第一表面1012a‧‧‧第二表面111a‧‧‧環繞部20a‧‧‧第一絕緣層200a‧‧‧第一絕緣層環繞區201a‧‧‧第一絕緣層覆蓋區202a‧‧‧第一絕緣層開口203a‧‧‧第一絕緣層開口30a‧‧‧透明導電層301a‧‧‧透明導電層外緣40a‧‧‧反射層401a‧‧‧反射層外緣41a‧‧‧阻障層411a‧‧‧阻障層外緣50a‧‧‧第二絕緣層501a，502a‧‧‧第二絕緣層開口60a‧‧‧接觸層600a‧‧‧頂針區601a‧‧‧第一接觸層602a‧‧‧第二接觸層70a‧‧‧第三絕緣層701a，702a‧‧‧第三絕緣層開口80a，80b‧‧‧第一焊墊90a，90b‧‧‧第二焊墊801a，902a‧‧‧側邊811b‧‧‧第一凸部812b‧‧‧第一凹部911b‧‧‧第一凹部7000a‧‧‧連接部份7011a‧‧‧第一部份7022a‧‧‧第二部份70001，70002‧‧‧邊70111‧‧‧第一邊70222‧‧‧第二邊912b‧‧‧第二凹部1000a‧‧‧半導體結構1001a‧‧‧第二外側壁1002a‧‧‧內側壁1003a‧‧‧第一外側壁51‧‧‧封裝基板511‧‧‧第一墊片512‧‧‧第二墊片53‧‧‧絕緣部54‧‧‧反射結構602‧‧‧燈罩604‧‧‧反射鏡606‧‧‧承載部608‧‧‧發光單元610‧‧‧發光模組612‧‧‧燈座614‧‧‧散熱片616‧‧‧連接部618‧‧‧電連接元件
第1~9B圖係本發明一實施例中所揭示之一發光元件1的製造方法及發光元件1的結構。
第10A圖係本發明一實施例中所揭示之一發光元件2的上視圖。
第10B圖係本發明一實施例中所揭示之一發光元件2的剖面圖。
第11圖係為依本發明一實施例之發光裝置3的結構示意圖。
第12圖係為依本發明一實施例之發光裝置4的結構示意圖。
1‧‧‧發光元件
11a‧‧‧基板
11s‧‧‧表面
10a‧‧‧半導體疊層
101a‧‧‧第一半導體層
102a‧‧‧第二半導體層
103a‧‧‧活性層
100a‧‧‧孔部
1011a‧‧‧第一表面
1012a‧‧‧第二表面
111a‧‧‧環繞部
20a‧‧‧第一絕緣層
30a‧‧‧透明導電層
40a‧‧‧反射層
41a‧‧‧阻障層
50a‧‧‧第二絕緣層
600a‧‧‧頂針區
601a‧‧‧第一接觸層
602a‧‧‧第二接觸層
70a‧‧‧第三絕緣層
80a‧‧‧第一焊墊
90a‧‧‧第二焊墊
1000a‧‧‧半導體結構
1003a‧‧‧第一外側壁
1001a‧‧‧第二外側壁
1002a‧‧‧內側壁
701a，702a‧‧‧第三絕緣層開口
801a，902a‧‧‧側邊
7000a‧‧‧連接部份
7011a‧‧‧第一部份
7022a‧‧‧第二部份
70001，70002‧‧‧邊
70111‧‧‧第一邊
70222‧‧‧第二邊

Claims (10)

  1. 一發光元件，包含：一半導體疊層具有一第一半導體層，一第二半導體層，以及一活性層位於該第一半導體層及該第二半導體層之間；一第一接觸層位於該半導體疊層上；一第一焊墊包含一側邊，位於該第一接觸層上；一第二焊墊位於該半導體疊層上；以及一絕緣層，該絕緣層包含一第一部分為該第一焊墊所覆蓋，及一第二部分鄰近該第一焊墊之該側邊，其中該絕緣層包含一開口位於該第一部分及該第二部分之間以露出該第一接觸層，該開口係由該第一部分之一第一邊及該第二部分之一第二邊所構成，該第一焊墊之該側邊與該第一部分之該第一邊或該第二部分之該第二邊相隔一距離小於100μm，其中於該發光元件之一上視圖上，該絕緣層之該開口係沿著該第一焊墊之該側邊來配置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該距離小於50μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該距離小於20μm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，該第一接觸層與該第一半導體層相接觸之一側包含鉻(Cr)或鈦(Ti)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，包含多個孔部穿過該第二半導體層及該活性層以裸露該第一半導體層，其中於該發光元件之一上視圖上，該多個孔部係形成於該第一焊墊及該第二焊墊以外的區域。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，包含一頂針區位於該第一焊墊及該第二焊墊之間，其中該頂針區之形狀包含矩形或圓形。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，包含一頂針區，其中該頂針區為該絕緣層所覆蓋。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，包含一透明導電層位於該第二半導體層上，一反射層位於該透明導電層上，及一阻障層位於該反射層上，其中該阻障層不與該透明導電層相接。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，包含一第一絕緣層包覆該活性層之一側壁，及/或一第二絕緣層包含多個開口以露出該第一半導體層及該第二半導體層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，包含一第二接觸層位於該第二半導體層及該第二焊墊之間，其中該第二接觸層包含一尺寸小於該第一接觸層，該第一接觸層位於該第二接觸層之複數側。
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