CN102194958B - 发光器件和发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了发光器件和发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。

Description

发光器件和发光器件封装
本申请要求于2010年3月15日提交的韩国专利申请No.10-2010-0022754的优先权，其通过引用整体合并在此。
技术领域
本发明涉及发光器件和发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或者辉光灯的传统的光源相比较，LED在功率消耗、寿命、响应速度、安全、以及环保要求方面是有利的。考虑此，已经进行了各种研究以将传统的光源替换为LED。LED日益被用作用于诸如各种灯、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯的照明装置的光源。
发明内容
实施例提供具有新颖的结构的发光器件和发光器件封装。
实施例提供能够提高可靠性的发光器件和发光器件封装。
根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层上的有源层、以及有源层上的第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。
根据实施例，发光器件包括：导电支撑构件；导电支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触发光结构的顶表面；以及电极，该电极接触粘附层的顶表面和发光结构的顶表面。
根据实施例，发光器件封装包括：主体；主体上的发光器件；以及成型构件，该成型构件包围发光器件，其中发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；
图2是示出图1的发光器件的平面图；
图3是图1的发光器件的区域A的放大图；
图4是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；
图5是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；
图6是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；
图7至图11是示出根据第一实施例的发光器件的制造工艺的视图；
图12是示出根据第五实施例的发光器件的截面图；
图13至图20是示出根据第五实施例的发光器件的制造工艺的视图；
图21是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；
图22是示出根据实施例的显示设备的分解透视图；
图23是示出根据实施例的显示设备的视图；以及
图24是示出根据实施例的照明装置的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图，图2是示出图1的发光器件的平面图，并且图3是图1的发光器件的区域A的放大图。
参考图1至图3，根据第一实施例的发光器件100包括：生长衬底105；发光结构110，通过在生长衬底105上顺序地堆叠第一导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116来形成发光结构110，并且发光结构110具有其中暴露第一导电半导体层112的顶表面的区域S；粘附层130，该粘附层130允许暴露区域S中的第一导电半导体层112的顶表面的至少一部分；第一电极150，该第一电极150形成在粘附层130和区域S的第一导电半导体层112上；透射电极层120，该透射电极层120形成在第二导电半导体层116上；以及第二电极140，该第二电极140形成在第二导电半导体层116和透射电极层120上。
生长衬底105可以包括从由单晶蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、SiGe组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。
生长衬底105可以被设置为在其顶表面上具有预定的图案或者可以倾斜以加速发光结构110的生长并且提高发光器件的发光效率，但是实施例不限于此。
可以从生长衬底105生长发光结构110。
发光结构110可以包括：第一导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116。缓冲层或者未掺杂的半导体层可以被布置在生长衬底105和发光结构110之间以减少生长衬底105和发光结构110之间的晶格常数错配或者提高发光结构110的结晶度。
例如，第一导电半导体层112可以包括被掺杂有N型掺杂物的N型半导体层。N型半导体层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，可以从由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN组成的组中选择N型半导体层，并且N型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的N型掺杂物。
如果有源层114具有量子阱结构，那么有源层114可以具有单量子阱结构，该单量子阱结构具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的阱层，和InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的组成式的势垒层。阱层可以包括具有低于势垒层的能带隙的能带隙的材料。
有源层114可以通过在从第一和第二导电半导体层112和116提供的空穴和电子的复合中产生的能量来产生光。
例如，第二导电半导体层116可以包括含有P型掺杂物的P型半导体。P型半导体层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，可以从由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN组成的组中选择P型半导体层。P型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的P型掺杂物。
缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层(未示出)可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，可以从由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN组成的组中选择缓冲层(未示出)和未掺杂的半导体层。缓冲层和未掺杂的半导体层没有被掺杂有导电掺杂物。因此，缓冲层和未掺杂的半导体层可以具有显著地低于第一和第二导电半导体层112和116的导电性。
透射电极层120可以形成在发光结构的第二导电半导体层116上。透射电极层120扩展电流，使得能够防止电流集中在第二电极140周围。
透射电极层120可以具有包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx、Ni、Ag、以及Au组成的组中选择的至少一个的多层结构或者单层结构。
如图1中所示，透射电极层120暴露第二导电半导体层116的至少一部分。透射电极层120可以实际形成在第二导电半导体层116的整个顶表面上，但是实施例不限于此。
第二电极140可以形成在透射电极层120和第二导电半导体层116中的一个上，或者可以形成在透射电极层120和第二导电半导体层116上。
第二电极140可以和第一电极150一起将电力提供到发光结构110。
例如，第二电极140可以具有包括从由Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni、以及Cr组成的组中选择的至少一个的多层结构或者单层结构，但是实施例不限于此。
在发光结构110的区域S中，通过台面蚀刻工艺暴露第一导电半导体层112的顶表面的一部分。区域S可以形成在发光结构110的侧表面的一部分处。
粘附层130可以以能够暴露第一导电半导体层112的顶表面的至少一部分的方式形成在区域S的第一导电半导体层112的顶表面上。
换言之，粘附层130的至少一部分可以在垂直方向上重叠第一电极150。粘附层130提高第一导电半导体层112和第一电极150之间的粘附强度，从而能够提高用于发光器件100的可靠性。
因为第一电极150和粘附层130之间的粘附强度和粘附层130和第一导电半导体层112之间的粘附强度大于第一导电半导体层112和第一电极150之间的粘附强度，因此能够获得可靠性。优选地，为了最大化以上效果，第一电极150和粘附层130之间的至少一部分相互垂直地重叠。
参考图3，垂直地重叠粘附层130的第一电极150的底表面的宽度(2*b)可以对应于第一电极150的顶表面的整个宽度(a)的5％至90％。第一电极150和第一导电半导体层112之间的重叠区域可以对应于第一电极150的顶表面的整个区域(a)的10％至95％。粘附层130可以被嵌入在第一电极150和第一导电半导体层112之间，并且此结构能够提高朝着第一电极150行进的光的提取效率。
为了将粘附层130更加稳固地结合在第一电极150和第一导电半导体层112之间，凹凸图案形成在粘附层130的顶表面和底表面上，从而能够最大化粘附层130的表面面积。
粘附层130优选地包括具有低于发光结构110的折射率的折射率的材料以提高光提取效率。
粘附层130的透射绝缘材料可以包括从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、以及Al2O3组成的组中选择的至少一个。粘附层130可以具有包括不同材料的多层结构。如果粘附层130具有多层结构，那么粘附层130可以具有包括具有1.7至1.8的高折射率的材料(例如，Al2O3)的第一层和包括具有1.5至1.6的低折射率的材料(SiO2)的第二层的重复堆叠结构。
粘附层130可以包括透射导电材料。粘附层130可以具有通过在包括透射绝缘材料的第一层上堆叠包括透射导电材料的第二层形成的多层结构。粘附层130可以具有达到厚度不影响发光结构的电气操作的程度的厚度。透射导电材料可以具有包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx以及RuOx组成的组中选择的至少一个的多层结构或者单层结构。在这样的情况下，ITO的折射率大约是2.5。
另外，通过使用透射绝缘材料和透射导电材料通过堆叠具有高折射率的第一层和具有低折射率的第二层来形成粘附层130。如果两个折射率之间的差小于发光结构的折射率，那么形成翻转堆叠结构。换言之，具有低折射率的第二层和具有高折射率的第一层被顺序地堆叠。
同时，粘附层130可以具有各种形状。图4至图6是示出根据第二实施例至第四实施例的发光器件的截面图。
参考图1至图3，在根据第一实施例的发光器件100中，粘附层130可以重叠发光结构110的侧表面，例如，有源层114的侧表面，第二导电半导体层116的侧表面，和透射电极层120的顶表面的一部分，以及区域S的第一导电半导体层112的顶表面。
参考图4，在根据第二实施例的发光器件100A中，粘附层130可以重叠发光结构110的侧表面，例如，有源层114的侧表面，第二导电半导体层116的侧表面，和第二导电半导体层116的顶表面的一部分，以及区域S的第一导电层112的顶表面。在这样的情况下，透射电极层120可以以透射电极层120与形成在第二导电半导体层116上的粘附层130的一端隔开的方式形成在第二导电半导体层116上。
参考图5，在根据第三实施例的发光器件100B中，粘附层130可以仅形成在区域S的第一导电半导体层112的顶表面上。
参考图6，在根据第四实施例的发光器件100C中，粘附层130可以重叠发光结构110的侧表面，例如，有源层114的侧表面，第二导电半导体层116的侧表面，和第二导电半导体层116的顶表面的一部分，以及第一导电半导体层112的顶表面。在这样的情况下，透射电极层120可以不仅形成在第二导电半导体层116上，而且形成在第二导电半导体层116上的粘附层130的一端上。换言之，透射电极层120的一端可以重叠粘附层130的一端。
在根据第一、第二、以及第四实施例的发光器件100、100A、以及100C中，因为粘附层130同时接触第一导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116，所以粘附层130不得不包括透射绝缘材料以防止层112、114、116之间的电气短路。
在根据第三实施例的发光器件100B中，因为粘附层130形成在第一导电半导体层112的上部分处，因此没有出现电气短路。因此，粘附层130可以包括透射导电材料或者透射绝缘材料。粘附层130可以具有包括SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx以及RuOx的多层结构或者单层结构。
第一电极150可以形成在粘附层130和第一导电半导体层112上。第一电极150的底表面的一部分接触第一导电半导体层112的顶表面，并且第一电极150的底表面的剩余部分能够接触粘附层130的侧面和顶表面。第一电极150可以具有包括从由Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni、以及Cr组成的组中选择的至少一个的多层结构或者单层结构，但是实施例不限于此。
如果第一电极150具有多层结构，那么与第一电极150和第一导电半导体层112或者粘附层130之间的界面相邻的第一电极150的最下层优选地包括表现高粘附强度的Ti、Ni、或者Cr。另外，第一电极150的最上层优选地包括表现高粘附强度的Au或者Ti使得能够容易地执行引线键合。
在下文中，将会详细地描述根据第一实施例的发光器件100的制造工艺。
图7至图11是示出根据第一实施例的发光器件的制造工艺的视图。
参考图7，通过在生长衬底105上顺序地形成第一导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116可以形成发光结构110。
通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子增强化学气相沉积)、MBE(分子束外延)、或者HVPE(氢化物气相外延)可以形成发光结构110，但是实施例不限于此。
参考图8，对发光结构110的角的一部分，即，区域S执行台面蚀刻使得暴露第一导电半导体层112的顶表面的至少一部分。
在通过光刻工艺在发光结构110上形成用于蚀刻的图案之后，通过采用图案作为掩模执行台面蚀刻。台面蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺或者湿法蚀刻工艺。
参考图9，透射电极层120可以形成在第二导电半导体层116上。
透射电极层120可以形成在第二导电半导体层116的顶表面的整个部分或者第二导电半导体层116的一部分上。
通过电子束沉积、溅射、以及PECVD(等离子体增强化学气相沉积)中的一个可以形成透射电极层120，但是实施例不限于此。
参考图10，粘附层130可以至少形成在区域S的第一导电半导体层112的顶表面上。粘附层130可以形成在第一导电半导体层112的侧表面和顶表面、有源层114的侧表面、以及第二导电半导体层116的顶表面和侧表面上。在这样的情况下，粘附层130的一端可以形成在第二导电半导体层116的顶表面的一部分处。
粘附层130可以暴露第一导电半导体层112的顶表面的至少一部分。
在已经形成掩模之后，通过电子束沉积、溅射、以及PECVD(等离子体增强化学气相沉积)来形成粘附层130，但是实施例不限于此。
通过蚀刻工艺可以构图粘附层130使得第二电极140接触第一导电半导体层112。
参考图11，第一电极150形成在第一导电半导体层112和粘附层130上，并且第二电极140形成在第二导电半导体层116和透射电极层120上，从而提供根据第一实施例的发光器件100。第一电极150的底表面的一部分可以形成在第一导电半导体层112上，并且第一电极150的底表面的剩余部分可以形成在粘附层130上。第二电极140的一部分可以形成在第二导电半导体层116上，并且第二电极140的剩余部分可以形成在透射电极层120上。
通过沉积方案或者镀方案可以形成第一和第二电极140和150，但是实施例不限于此。
在下文中，将会详细地描述根据第五实施例的发光器件，并且将不会进一步描述或者将会简要地描述与先前的实施例相同的结构和组件。
图12是示出根据第五实施例的发光器件的截面图。
参考图12，根据第五实施例的发光器件200包括导电支撑构件240、导电支撑构件240上的粘附金属层245、粘附金属层245上的反射层246、反射层246上的欧姆层248、反射层246的顶表面的外围部分上的保护层247、欧姆层248和保护层247上的发光结构210、发光结构210的侧表面上的钝化层235、发光结构210的顶表面上的粘附层230、以及发光结构210和粘附层230上的电极250。
导电支撑构件240支撑发光结构210。导电支撑构件240用作和电极250一起将电力提供到发光器件200的电极。例如，导电支撑构件240可以包括从由铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜钨(Cu-W)、以及载具晶圆(包括Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、或者SiSe)组成的组中选择的至少一个。
粘附金属层245可以形成在导电支撑构件240上。粘附金属层245可以包括表现优异的粘附强度的金属材料以提高导电支撑构件240和反射层246之间的界面粘附强度。例如，粘附金属层245可以具有包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一个的多层结构或者单层结构。然而，如果通过镀或者沉积方案替代贴片方案来形成导电支撑构件240，那么可以不形成粘附金属层245。
反射层246可以形成在粘附金属层245上。反射层246向上反射从发光结构210入射的光从而能够提高发光器件200的发光效率。例如，反射层246可以包含包括银(Ag)、铝(Al)、钯(Pd)、铜(Cu)、以及铂(Pt)或者其合金中的至少一个的金属。
欧姆层248可以形成在反射层246上。欧姆层248可以形成为在反射层246和发光结构210之间形成欧姆接触。
欧姆层248可以选择性地包括透射导电层或者金属。欧姆层248可以具有包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、Ni、Ag以及Au中的至少一个的多层结构或者单层结构。
保护层247可以形成在反射层246的顶表面的外围部分处。换言之，保护层247可以形成在发光结构210和导电支撑构件240之间的外围部分处。
保护层247防止导电支撑构件240与发光结构210电气地短路，从而能够提高制造工艺的可靠性。
例如，保护层247可以包括电气绝缘材料或者具有低于发光结构210的电导率的电导率的材料。例如，保护层247可以包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、以及ZnO组成的组中选择的至少一个。
电流阻挡层249可以被放置在欧姆接触层248和发光结构210之间从而电流阻挡层249的至少一部分垂直重叠电极250。电流阻挡层249能够防止电流集中在电极250和导电支撑构件240之间的最短距离上。
电流阻挡层249可以包括电气绝缘材料或者与第二导电半导体层216形成肖特基接触的材料。例如，电流阻挡层249可以包括从由ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、以及Cr组成的组中选择的至少一个。
发光结构210可以形成在欧姆接触层248和保护层247上。发光结构210包括第一导电半导体层216、第一导电半导体层216上的有源层214、以及有源层214上的第二导电半导体层212，但是实施例不限于此。
发光结构210可以包括III-V族化合物半导体，并且可以通过电子和空穴的复合产生光。因为在上面已经描述通过电子和空穴的复合的光产生，所以将会省略其详情。
粗糙结构或者凹凸结构可以形成在发光结构210的顶表面上，即，第二导电半导体层212的顶表面上。粗糙结构或者凹凸结构可以包括具有通过湿法蚀刻工艺形成的随机形状的粗糙，或者诸如通过构图工艺形成的光子晶体结构的周期图案。
粗糙结构或者凹凸结构能够提高发光结构200的光提取效率。另外，粗糙结构或者凹凸结构扩展发光结构210和粘附层230之间的表面面积，从而能够提高发光结构210和粘附层230之间的粘附强度。
钝化层235可以形成在发光结构210的侧表面上。钝化层235能够防止发光结构210与外部电极电气地短路。例如，可以从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、以及Al2O3组成的组中选择钝化层235，但是实施例不限于此。
粘附层230可以形成在发光结构210的顶表面的至少一部分上。如图12中所示，粘附层230可以暴露第二导电半导体层212的顶表面的一部分。粘附层230可以包括与钝化层235的材料相同的材料。粘附层230和钝化层235可以在同时通过相同工艺形成的同时相互成为一体。粘附层230可以从钝化层235延伸。粘附层230和钝化层235可以包括不同的材料并且以粘附层230与钝化层235隔开的方式通过不同的工艺来形成。
电极250可以形成在粘附层230的顶表面的一部分和第二导电半导体层212的顶表面的一部分上。换言之，电极250的底表面的一部分重叠第二导电半导体层212的顶表面，并且电极250的底表面的剩余部分重叠粘附层230。
粘附层230提高第二导电半导体层212和电极250之间的粘附强度，从而能够提高用于发光器件200的可靠性。
因为电极250和粘附层230之间的粘附强度和粘附层230和第二导电半导体层212之间的粘附强度大于第二导电半导体层212和电极250之间的粘附强度，因此能够获得可靠性。
为了最大化上述效果，电极250和粘附层230的至少一部分相互垂直地重叠。垂直地重叠粘附层230的电极250的底表面的宽度可以对应于电极250的顶表面的整个宽度的5％至90％。电极250和第二导电半导体层212之间的重叠面积可以对应于电极250的顶表面的面积的10％至95％。凹凸结构或者粗糙结构可以形成在粘附层230的顶表面和底表面上以增加粘附层230的表面面积使得粘附层230能够将电极250更加牢固地结合到第二导电半导体层212。
粘附层230可以具有包括从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个的单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
优选地，粘附层230包括具有小于发光结构210的折射率的折射率的材料，从而能够提高光提取效率。
电极250可以形成在第二导电半导体层212和粘附层230上。电极250的底表面接触粘附层230的侧表面和顶表面同时围绕粘附层230的侧表面和顶表面。因此，电极250可以牢固地接触发光结构210的顶表面。
在下文中，将会描述根据第五实施例的发光器件的制造方法，并且将不会进一步描述或者将会简要地描述与先前的实施例相同的结构或者组件。
图13至图20是示出根据第五实施例的发光器件的制造工艺的视图。
参考图13，发光结构210可以形成在生长衬底205上。发光结构210可以至少包括第二导电半导体层212、有源层214、以及第一导电半导体层216。
参考图14，保护层247和电流阻挡层249可以形成在发光结构210的第一导电半导体层216上。
通过使用掩模图案可以在单独芯片(1个芯片)的边界区域处形成保护层247，并且保护层247可以包括环形、回路形状、或者框架形状。例如，通过电子束沉积方案、溅射方案、以及PECVD(等离子体增强化学气相沉积)中的一个可以形成保护层247。
电流阻挡层249的至少一部分可以垂直于之后将会形成的电极250重叠电极250。通过沉积方案或者镀方案可以形成电流阻挡层249。
参考图15，欧姆层248可以形成在第一导电半导体层216和电流阻挡层249上，并且反射层246可以形成在欧姆层248和保护层247上。粘附金属层245可以形成在反射层246上，并且导电支撑构件240可以形成在粘附金属层245上。
通过沉积方案或者镀方案可以形成欧姆层248和反射层246。
通过沉积方案或者镀方案可以形成导电支撑构件240，或者可以以片的形式额外地制备或者结合。如果通过沉积或者镀方案形成导电支撑构件240，那么可以不形成粘附金属层245。
参考图16，生长衬底205可以被移除。通过LLO(激光剥离)工艺和CLO(化学剥离)工艺中的至少一个可以移除生长衬底205。
LLO工艺将激光束照射到生长衬底205的背表面，从而能够分层生长衬底205和第二导电半导体层212之间的界面。
因为生长衬底205被移除，因此可以暴露第二导电半导体层212的底表面。对第二导电半导体层212执行湿法蚀刻工艺，从而移除第二导电半导体层212的表面上残留的杂质。
参考图17，对发光结构210的芯片区域执行隔离蚀刻，从而能够形成多个发光器件。
例如，通过使用诸如ICP(电感耦合等离子体)设备的干法蚀刻设备可以执行隔离蚀刻工艺。
参考图18，钝化层235可以至少形成在发光结构210的侧表面上。
详细地，钝化层235的一端可以被设置在发光结构210的顶表面上，即，第二导电半导体层212的顶表面上，并且钝化层235的相对端可以经过发光结构210的侧表面形成在保护层247上，但是实施例不限于此。
通过电子束沉积、PECVD、以及溅射中的至少一个可以形成钝化层235。
参考图19，粘附层230可以形成在发光结构210的顶表面上。
通过电子束沉积、PECVD、以及溅射中的至少一个可以形成粘附层230。粘附层230可以包括与钝化层235的材料相同的材料或者可以包括不同于钝化层235的材料的材料。
在已经形成粘附层230之前，粗糙结构或者凹凸结构可以形成在发光结构210的顶表面上，即，第二导电半导体层212的顶表面上。
粘附层230的一部分被移除使得电极250可以接触第二导电半导体层212。因此，可以暴露第二导电半导体层212的一部分。
参考图20，电极250形成在粘附层230和发光结构210的第二导电半导体层212的暴露区域上，从而提供根据第五实施例的发光器件200。电极250的底表面的一部分接触第二导电半导体层212的顶表面，并且电极250的底表面的另一部分可以接触粘附层230的侧表面和顶表面。
由于电极250的底表面接触粘附层230的侧表面和顶表面，所以电极250的底表面可以更加牢固地接触发光结构210的顶表面。
图21是示出根据实施例的具有发光器件100的发光器件封装10的截面图。
参考图21，发光器件封装10包括主体20、形成在主体20上的第一和第二引线电极31和32、安装在主体20上并且电气地连接到第一和第二引线电极31和32的发光器件100以及围绕发光器件100的成型构件40。
主体20可以包括硅、合成树脂或者金属材料。主体20可以形成有围绕发光器件100的倾斜内壁。
第一和第二电极层31和32相互电气地隔离，并且将电力提供到发光器件100。第一和第二引线电极31和32能够反射从发光器件100产生的光以增加光效率，并且将从发光器件100发出的热发散到外部。
发光器件100能够被安装在主体20上或者第一和第二引线电极31或32上。
通过引线键合、倒装芯片安装以及贴片方案中的一个可以将发光器件100电气地连接到第一和第二引线电极31和32。
成型构件40围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，成型构件40可以包括荧光(luminescent)材料以改变从发光器件100发射的光的波长。
发光器件封装可以包括至少一个根据实施例的发光器件或者可以包括多个根据实施例的发光器件，但是本公开不限于此。
根据实施例的发光器件或者发光器件封装能够被应用于灯单元。灯单元具有多个发光器件或者多个发光器件封装的阵列结构。灯单元可以包括如图22和图23中所示的显示装置和图24中所示的照明装置。另外，灯单元可以包括照明灯、信号灯、车辆的头灯、以及电子标识牌。
图22是示出根据实施例的显示装置的分解透视图。
参考图22，显示装置1000包括：导光板1041；发光模块1031，该发光模块1031用于将光提供给导光板1041；反射构件1022，该反射构件1022被提供在导光板1041的下方；光学片1051，该光学片1051被提供在导光板1041上方；显示面板1061，该显示面板1061被提供在光学片1051上方；以及底盖1011，该底盖1011用于容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。然而，实施例不限于上述结构。
底盖1011、反射片1022、导光板1041以及光学片1051可以组成灯单元1050。
导光板1041扩散从发光模块1031提供的光以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚合物)以及PEN(聚邻苯二甲酸酯)树脂中的一个。
发光模块1031被布置在导光板1041的一侧处以将光提供给导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示装置的光源。
提供至少一个发光模块1031以直接或间接地从导光板1041的一侧提供光。发光模块1031可以包括根据实施例的发光器件封装30和基板1033。发光器件封装30被布置在基板1033上同时以预定的间隔相互隔开。基板1033可以包括印刷电路板(PCB)，但是实施例不限于此。另外，基板1033还可以包括金属核PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)，但是实施例不限于此。如果发光器件封装30被安装在底盖1011的侧面上或者散热板上，那么可以省略基板1033。散热板部分地接触底盖1011的顶表面。因此，从发光器件封装30产生的热能够通过散热板发射到底盖1011。
另外，发光器件封装30被布置为发光器件封装30的出光表面与导光板1041隔开预定的距离，但是实施例不限于此。发光器件封装30可以将光直接或者间接地提供给是导光板1041的一侧的光入射表面，但是实施例不限于此。
反射构件1022被布置在导光板1041的下方。反射构件1022朝着显示面板1061反射通过导光板1041的底表面向下行进的光，从而提高显示面板1061的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施例不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但是实施例不限于此。
底盖1011可以在其中容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。为此，底盖1011具有容纳部分1012，其具有带有开口的顶表面的盒形状，但是实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖(未示出)耦接，但是实施例不限于此。
能够通过使用金属材料或者树脂材料通过按压工艺或者挤出工艺制造底盖1011。另外，底盖1011可以包括具有优异的导热性的非金属材料或者金属材料，但是实施例不限于此。
例如，显示面板1061是包括彼此相对的第一和第二透明基板和被插入在第一和第二基板之间的液晶层的LCD面板。偏振板能够附着到显示面板1061的至少一个表面，但是实施例不限于此。显示面板1061通过阻挡从发光模块1031产生的光或者允许光从其经过来显示信息。显示装置1000能够被应用于各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上电脑的监视器、以及电视。
光学片1051被布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括扩散片、水平和垂直棱镜片和亮度增强片中的至少一个。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光集中在显示面板1061上，并且亮度增强片通过重新使用丢失的光提高亮度。另外，保护片能够被设置在显示面板1061上，但是实施例不限于此。
导光板1041和光学片1051能够被设置在发光模块1031的光路径中作为光学构件，但是实施例不限于此。
图23是示出根据实施例的显示装置的截面图。
参考图23，显示装置1100包括底盖1152、其上排列发光器件封装30的基板1120、光学构件1154、以及显示面板1155。
基板1120和发光器件封装30可以组成发光模块1060。另外，底盖1152、至少一个模块1060、以及光学构件1154可以组成灯单元(未示出)。
底盖1151可以被设置有容纳部分1153，但是实施例不限于此。
光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。导光板可以包括PC或者PMMA(甲基丙烯酸甲酯)。导光板能够被省略。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光集中在显示面板1155上，并且亮度增强片通过重新使用丢失的光提高亮度。
光学构件1154被布置在发光模块1060的上方以将从发光模块1060发射的光转换为表面光。另外，光学构件1154可以扩散或者收集光。
图24是示出根据实施例的照明装置的透视图。
参考图24，照明装置1500包括外壳1510；发光模块1530，该发光模块1530被安装在外壳1510中；以及连接端子1520，该连接端子1520被安装在外壳1510中以从外部电源接收电力。
优选地，外壳1510包括具有优异的散热性能的材料。例如，外壳1510包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1530可以包括基板1532，和被安装在基板1532上的发光器件封装30。发光器件封装30被相互隔开或者以矩阵的形式布置。
基板1532包括印有电路图案的绝缘构件。例如，基板1532包括PCB、MCPCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4基板。
另外，基板1532可以包括有效地反射光的材料。涂层能够形成在基板1532的表面上。这时，涂层具有有效地反射光的白色或者银色。
至少一个发光器件封装30被安装在基板1532上。每个发光器件封装30可以包括至少一个LED(发光二极管)芯片。LED芯片可以包括发射具有红、绿、蓝或者白色的可见光的LED，和发射UV光的UV(紫外线)LED。
发光模块1530的发光器件封装30能够不同地组合以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白色LED、红色LED以及绿色LED以实现高显色指数(CRI)。
连接端子1520被电气地连接到发光模块1530以将电力提供给发光模块1530。连接端子1520具有与外部电源插座螺旋耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以被插入到外部电源的插脚的形式制备连接端子1520或者通过布线将连接端子1520连接到外部电源。
根据实施例，在发光器件中，粘附层被设置在半导体层上，并且电极被设置在半导体层的顶表面上以及粘附层的侧表面和顶表面上。具有更强的粘附强度的粘附层被设置在半导体层和电极之间，从而能够防止电极从发光结构脱落。因此，能够提高产品可靠性。
根据实施例，凹凸结构形成在粘附层的底表面和顶表面上，从而能够更加牢固地增强粘附强度。因此，能够最大化产品可靠性。
根据实施例，电极垂直于粘附层地重叠粘附层，从而电极的接触面积被扩展。因此，能够更大地提高粘附强度。
根据实施例，当粘附层包括导电材料时，粘附层仅被设置在半导体层上，使得能够防止发光结构的层相互短路。
根据实施例，粘附层被设置在第一导电半导体层的顶表面和侧表面上、有源层的侧表面上、以及第二导电半导体层的侧表面和顶表面上，从而能够保护发光结构的侧表面。
根据实施例，在垂直型发光器件的结构中，钝化层形成在发光结构的侧表面上，并且粘附层从钝化层延伸，从而能够简化制造工艺。
根据实施例的发光器件的制造方法，包括在衬底上形成第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的发光结构，执行蚀刻工艺以暴露第一导电半导体层的一部分，至少在第一导电半导体层的顶表面上形成粘附层，移除粘附层的一部分以暴露第一导电半导体层，并且在第一导电半导体层的顶表面上和粘附层的侧表面和顶表面上形成电极。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (12)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域；
透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上；
粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层；
第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上；以及
第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层，
其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分，并且所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分，
其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上，以及
其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括：
第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料；和
第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括：
第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率；和
第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面，
其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。
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