TWI608634B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI608634B
TWI608634B TW100100468A TW100100468A TWI608634B TW I608634 B TWI608634 B TW I608634B TW 100100468 A TW100100468 A TW 100100468A TW 100100468 A TW100100468 A TW 100100468A TW I608634 B TWI608634 B TW I608634B
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丁煥熙
李尚烈
文智炯
宋俊午
崔光基
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Ｌｇ伊諾特股份有限公司
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Description

發光裝置
本發明係主張關於2010年03月15日申請之韓國專利案號10-2010-0022754之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種發光裝置以及一種發光裝置封裝件。
發光二極體(LED)係為一種半導體裝置，可將電能轉變成光。相較於傳統光源裝置如日光燈或輝光燈，發光二極體在下述層面具有優勢：電力消耗、使用壽命、反應速度、安全性、環保等。因此，以發光二極體(LED)來取代傳統的光源裝置，已展開與進行許多研究。發光二極體(LED)漸漸地被使用於光源裝置之上，如不同的燈具、液晶螢幕(LCD)、電子標誌招牌、街燈等。
本發明之實施例提供一種發光裝置，其係具有一新型結構及一發光裝置封裝件。
本發明之實施例提供一種發光裝置及一發光裝置封裝件，其中該發光裝置係被提昇可靠度。
依據本發明之實施例，一發光裝置係包括有一發光結構、一黏著層、一第一電極、以及一第二電極。發光結構包括一第一導電型半導體層、一位於該第一導電型半導體層上之主動層、以及一位於該主動層上之一第二導電型半導體層。黏著層係與第一導電型半導體層之一頂面相接觸。第一電極與第一導電型半導體層之一頂面以及黏著層之一頂面相接觸。第二電極係與第二導電型半導體層相接觸，其中與第一電極相接觸的黏著層係與第二電極相隔而設。
依據本發明之實施例，一發光裝置係包括有一導電型支撐部件、一發光結構、一黏著層、以及一電極。其中該發光結構係包括有一第一導電型半導體層、一主動層、以及一位於該導電型支撐部件上之一第二導電型半導體層。該黏著層係與該發光結構之一頂面相接觸。該電極與該黏著層之一頂面以及該發光結構之一頂面相接觸。
依據本發明之實施例，該發光裝置封裝件係包括有一主體、一位於該主體上之發光裝置、以及環繞該發光裝置之一模製件。其中該發光裝置包括一發光結構、一黏著層、一第一電極、以及一第二電極。該發光結構包括一第一導電型半導體層、一主動層、以及一第二導電型半導體層。該黏著層係與該第一導電型半導體層之一頂面相接觸。該第一電極與該第一導電型半導體層之一頂面以及該黏著層之一頂面相接觸。該第二電極係與該第二導電型半導體層相接觸，其中與該第一電極相接觸的該黏著層係與該第二電極相隔而設。
在實施例的描述中，應予理解，當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一基板、一層(或膜)、一區域、一電極墊、或一圖案「之上/下」或「之上方/下方」，則其可以是直接在另一該基板、該層(或膜)、該區域、或該圖案「之上/下」或「之上方/下方」，或者存在一或多個介入層。參照附圖說明每一層「之上/下」或「之上方/下方」的位置。
在圖示中，為清楚與方便說明，各層厚度及尺寸可能被加以誇大。另，組成元件的尺寸亦不完全反映實際元件之大小。
圖1為根據第一實施例之一發光裝置100的剖面圖。圖2為圖1中發光裝置的平面圖。圖3為圖1中發光裝置之區域A之放大圖。
參閱圖1至3所示，第一實施例之發光裝置100包括有一成長基板105、一發光結構110、一主動層114、以及一第二導電型半導體層116。其中發光結構110係由依次堆疊一第一導電型半導體層112、一主動層114、以及一在成長基板105上之第二導電型半導體層116而形成。發光裝置100並包括有一區域S，其中第一導電型半導體層112之頂面於區域S中裸露出、一黏著層130使第一導電型半導體層112之頂面之至少一部位於區域S中裸露出、一第一電極150，其係形成於區域S的第一導電型半導體層112以及黏著層130兩者上、一透射電極層120，其係形成於第二導電型半導體層116上、以及一第二電極140，其係形成於第二導電型半導體層116以及透射電極層120兩者上。
成長基板105可包括選自由藍寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、SiGe所組成之群組中的至少一者；但不限制於此。
一預設圖案可以被提供於成長基板105之一頂面上，或成長基板105可能傾斜以加速發光結構110之生長及改良發光裝置之發光效率，但不限制於此。
發光結構110可生長於成長基板105。
發光結構110可包括有第一導電型半導體層112、主動層114、以及第二導電型半導體層116。一緩衝層或一未摻雜半導體層可被設置於成長基板105以及發光結構110之間，以降低成長基板105以及發光結構110之晶格常數不匹配，或以改良發光結構110之結晶。
舉例而言，第一導電型半導體層112可包括一N型半導體層，其摻雜有N型摻雜物。該N型半導體層可包括一半導體材料，其組成式為：InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)。舉例而言，該N型半導體層可包括選自由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、和InN所組成之群組，且可摻雜有N型摻雜物如Si、Ge、或Sn。
若主動層114具有一量子井結構，其可能為一單量子井結構，且該單量子井結構具有一井層及一障蔽層，該井層之組成式為InxAlyGa1-yN(0x1,0y1,0x+y1)，而該障蔽層之組成式為InaAlbGa1-a-bN(0a1,0b1,0a+b1)。該井層之材料的能隙(energy bandgap)可較該障蔽層之材料的能隙為低。
主動層114可藉由第一及第二導電型半導體層112、116所提供的電子和電洞之再組合所產生的能量來產生光。
舉例而言，第二導電型半導體層116可包括有一P型半導體層，其包括有P型摻雜物。該P型半導體層可包括一半導體材料，其組成式為InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)。舉例而言，該P型半導體層可包括選自由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、和InN所組成之群組。該P型半導體層可摻雜有P型摻雜物如Mg、Zn、Ca、Sr、和Ba。
該緩衝層(未圖示)以及該未摻雜半導體層(未圖示)可包括一半導體材料，其組成式為：InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)。舉例而言，該緩衝層(未圖示)以及該未摻雜半導體層(未圖示)可包括選自由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、和InN所組成之群組。該緩衝層以及該未摻雜半導體層均未摻雜導電摻雜物。因此，該緩衝層以及該未摻雜半導體層之導電性可能大大地較該第一及第二導電型半導體層112、116之導電性為低。
透射電極層120可形成於發光結構的第二導電型半導體層116上。透射電極層120係散佈電流，可防止電流集中於第二電極140之周圍。
透射電極層120可為一單層結構或多層結構，其並可包括選自由ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide),ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、Ni、Ag、和Au所組成之群組。
如圖1所示，透射電極層120係暴露有第二導電型半導體層116之至少一部分。透射電極層120實質上可形成於第二導電型半導體層116的整個頂面，但不限制於此。
第二電極140可形成於透射電極層120和第二導電型半導體層116中的其中一者，或可形成於透射電極層120以及第二導電型半導體層116兩者上。
第二電極140可與第一電極150一起提供電力給發光結構110。
舉例而言。第二電極140可為一單層結構或多層結構，其並可包括選自由Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni、和Cr所組成之群組中的至少一者；但不限制於此。
在發光結構110之區域S中，第一導電型半導體層112之該頂面之一部分係由台面蝕刻製程而暴露。區域S可形成於發光結構110之側面之一部分。
黏著層130可形成於區域S中第一導電型半導體層112之該頂面上，其中第一導電型半導體層112之該頂面的至少一部份係被暴露。
亦即，黏著層130的至少一部份可能會在垂直方向與第一電極150交疊。黏著層130改善了第一導電型半導體層112與第一電極150之間的黏著力；藉此，發光結構110之可靠度亦被改善。
第一電極150與黏著層130之間的黏著力以及黏著層130與第一導電型半導體層112之間的黏著力較第一導電型半導體層112與第一電極150之間的黏著力為大；因此，可以取得該可靠度以最大化。為求將上述之效果，較佳地，黏著層130以及至少部分的第一電極150係為垂直地彼此交疊。
參閱圖3，其中第一電極150之一底面與黏著層130垂直交疊之寬(2×b)可對應於第一電極150之一頂面的整體寬度(a)之5%至90%。第一電極150與第一導電型半導體層112之間的該交疊區域可對應於第一電極150之該頂面的整體區域(a)之10%至95%。黏著層130係被嵌入於第一電極150與第一導電型半導體層112之間；此結構可改良向第一電極150移動之光線的光汲取效率。
為更穩固地連結黏著層130於第一電極150與第一導電型半導體層112之間，一凹凸圖案形成於黏著層130之頂面及底面，以使黏著層130之表面積最大化。
黏著層130係較佳地包括有折射率較發光結構110為低之一材料以改良光汲取效率。
黏著層130之透射絕緣材料可包括選自由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、和Al2O3所組成之群組中的至少一者。黏著層130可為一具有不同材質之多層結構。若黏著層130係一多層結構，其可具有一第一層及一第二層之一重複堆疊結構，其中該第一層係包括有一高折射率材料(Al2O3)，其折射率為1.7至1.8，該第二層包括有一低折射率材料(SiO2)，其折射率為1.5至1.6。
黏著層130可包括有透射導電材料。黏著層130可具有一由堆疊一包括透射導電材料之第二層於一包括透射絕緣材料之第一層上而形成的多層結構。黏著層130可具有一厚度，其限制在不會影響到該發光結構之電性作業的範圍。該透射導電材料可為一單層結構或一多層結構，並可包括選自由ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、和RuOx所組成之群組中的至少一者。在此處，ITO之折射率約為2.5。
另外，黏著層130係藉由以透射導電材料及透射絕緣材料堆疊一具有高折射率之第一層及一具有低折射率之第二層而形成。若兩折射率間之差係小於發光結構之折射率，則形成一反向堆疊結構(inverse stack structure)。亦即，具有一低折射率之該第二層以及具有一高折射率之第一層係依序被堆疊。
同時，黏著層130可具有多種不同形狀。圖4至6係為根據第二、三、四實施例之一發光裝置的剖面圖。
參閱圖1至3，在根據第一實施例之發光裝置100中，黏著層130可與發光結構110之側面交疊；舉例而言，如主動層114之側面、第二導電型半導體層116之側面、透射電極層120之頂面的一部份、以及區域S中第一導電型半導體層112之頂面。
參閱圖4，在根據第二實施例之一發光裝置100A中，黏著層130可與發光結構110之側面交疊；舉例而言，如主動層114之側面、第二導電型半導體層116之側面、第二導電型半導體層116之頂面的一部份、以及區域S中第一導電型半導體層112之頂面。在此情形下，透射電極層120可以與形成於第二導電型半導體層116之上的黏著層130之一端相隔而設的形式形成於第二導電型半導體層116上。
參閱圖5，在根據第三實施例之一發光裝置100B中，黏著層130可僅形成於區域S中第一導電型半導體層112之頂面。
參閱圖6，在根據第四實施例之一發光裝置100C中，黏著層130可與發光結構110之側面交疊；舉例而言，如主動層114之側面、第二導電型半導體層116之側面、第二導電型半導體層116之頂面的一部份、以及區域S中第一導電型半導體層112之頂面。在此情形下，透射電極層120可以不僅為形成於第二導電型半導體層116之上；其亦可形成於第二導電型半導體層116上的黏著層130之一端上。也就是說，透射電極層120之一端可與黏著層130之一端交疊。
根據第一、二、四實施例之發光裝置100、100A、100C中，黏著層130同時與第一導電型半導體層112、主動層114、以及第二導電型半導體層116相接觸；故，黏著層130包括有透射絕緣材料以防止第一導電型半導體層112、主動層114、以及第二導電型半導體層116之間的短路。
根據第三實施例之發光裝置100B中，黏著層130係形成於第一導電型半導體層112之一上部分；因此不會發生電路短路。相應地，黏著層130可包括有透射導電材料或透射絕緣材料。黏著層130可為一單層結構或一多層結構，並可包括有：SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、和RuOx。
第一電極150可形成於黏著層130及第一導電型半導體層112上。第一電極150之一底面之一部分係與第一導電型半導體層112之頂面接觸，且第一電極150之該底面之剩餘部分可與黏著層130之頂面及側面相接觸。第一電極150可為一單層結構或一多層結構，並可包括選自由Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni、和Cr所組成之群組中的至少一者；但不限制於此。
若第一電極150為一多層結構，其中第一電極150的最下層較佳地包括第一電極150有高黏著力者如Ti、Ni、或Cr；其中，該最下層係鄰近於第一電極150與第一導電型半導體層112之交界，或第一電極150與黏著層130之交界。另外，第一電極150之最上層較佳地包括有高黏著力者如Au或Ti，以使引線接合(wire bonding)能順利進行。
在下文中，將詳細說明根據第一實施例之發光裝置100的製程。
圖7至11係繪示有根據第一實施例之一發光裝置的製程視圖。
參閱圖7，發光結構110之形成係可藉由於成長基板105上依序形成第一導電型半導體層112、主動層114、及第二導電型半導體層116而獲得。
發光結構110係可藉由有機金屬化學氣相沉積法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVID)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy,MBE)、或氫化物氣相磊晶技術(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)；但不限制於此。
參閱圖8，一台面蝕刻係進行於發光結構110之一隅角(corner)之一部分，亦即區域S；第一導電型半導體層112之頂面之至少一部分可由此而暴露。
在以微影製程形成一圖案於發光結構110之上以提供蝕刻後，再行用該圖案作為光罩(mask)以執行該台面蝕刻。該台面蝕刻製程可包括有一乾蝕刻製程或一溼蝕刻製程。
參閱圖9，透射電極層120可形成於第二導電型半導體層116之上。
透射電極層120可形成於第二導電型半導體層116頂面的整體或部分上。
透射電極層120可由下述其中一者形成：電子束沉積法(E-beam deposition)、濺鍍(sputtering)、電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)；但不限制於此。
參閱圖10，黏著層130可至少形成於區域S中第一導電型半導體層112之頂面上。黏著層130可形成於第一導電型半導體層112之頂面及側面、主動層114之側面、以及第二導電型半導體層116之頂面及側面上。在此情形下，黏著層130之一端可形成於第二導電型半導體層116之頂面的一部份。
黏著層130可暴露於至少第一導電型半導體層112之頂面的一部份。
在光罩形成後，黏著層130可由電子束沉積法(E-beam deposition)、濺鍍(sputtering)、電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)而形成；但不限制於此。
黏著層130可由一蝕刻製程而形成圖案，以使第二電極140與第一導電型半導體層112相接觸。
參閱圖11，第一電極150係形成於黏著層130及第一導電型半導體層112上，而第二電極140係形成於第二導電型半導體層116及透射電極層120上；依此提供第一實施例之發光裝置100。第一電極150之底面的一部份可形成於第一導電型半導體層112上，而第一電極150之底面的剩餘部分可形成於黏著層130上。第二電極140之一部分可形成於第二導電型半導體層116上，而第二電極140之剩餘部分可形成於透射電極層120上。
第一及第二電極140、150可由一沉積方法或一電鍍方法形成；但不限制於此。
在下文中，將詳細說明根據第五實施例之發光裝置；其中，與第一實施例相同之結構及元件將不再贅述。
圖12係為根據第五實施例之發光裝置之剖面圖。
參閱圖12，根據第五實施例，一發光裝置200係包括有一導電性支撐構件240、一位於導電性支撐構件240上之黏著金屬層245、一位於黏著金屬層245上之反射層246、一位於反射層246上之歐姆層248、一位於反射層246之一頂面之外緣部分的保護層247、一位於歐姆層248以及保護層247上之發光結構210、一位於發光結構210之一側面的鈍化層235、一位於發光結構210之一頂面的黏著層230、以及一位於發光結構210及黏著層230上之電極250。
導電性支撐構件240係支撐發光結構210者。導電性支撐構件240作為一電極，可與電極250一起提供電能給發光裝置200。舉例而言，導電性支撐構件240可包括選自由銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、鎢化銅(Cu-W)、和一承載晶圓(包括Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、或SiSe)所組成之群組中的至少一者。
黏著金屬層245可形成於導電性支撐構件240上。黏著金屬層245可包括有具極佳黏著力之金屬材料，以改良導電性支撐構件240及反射層246之間的界面黏著力。舉例而言，黏著金屬層245可為一單層結構或一多層結構，並包括有至少下述一者：Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、和Ta。然而，若導電性支撐構件240係以一沉積方法或一電鍍方法來形成，而非使用黏合方法，黏著金屬層245可能不會形成。
反射層246可形成於黏著金屬層245上。反射層246係反射發光結構210所射出向上之光，以改良發光裝置200之發光效率。舉例而言，反射層246可包括有至少下述一者：銀(Ag)、鋁(Al)、鈀(Pd)、銅(Cu)、及鉑(Pt)或其合金。
歐姆層248可形成於反射層246上。歐姆層248之形成，可係為了在反射層246及發光結構210之間形成一歐姆接觸。
歐姆層248可選擇性地具有一透射導電層或金屬。歐姆層248可為一單層結構或一多層結構，並包括有至少下述一者：ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、Ni、Ag、和Au。
保護層247可形成於反射層246之頂面之一外緣部分。也就是說，保護層247可形成於發光結構210與導電性支撐構件240之間的一外緣部分。
保護層247可防止導電性支撐構件240與發光結構210間的短路，故可改良製程之可靠度。
舉例而言，保護層247可包括有絕緣材料或導電性較發光結構210為低之材料。舉例而言，保護層247可包括選自由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、和ZnO所組成之群組中的至少一者。
一電流阻隔層249可被設置於歐姆層248及發光結構210之間，以使電流阻隔層249之至少一部份與電極250垂直交疊。電流阻隔層249可防止電流被集中在電極250與導電性支撐構件240之間的最短距離上。
電流阻隔層249可包括電性絕緣材料，或與一第二導電型半導體層216形成蕭特基接觸(schottky contact)的材料。舉例而言，電流阻隔層249可包括選自由ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、和Cr所組成之群組中的至少一者。
發光結構210可形成於歐姆層248及保護層247上。發光結構210係包括有一第一導電型半導體層216、一位於第一導電型半導體層216上之主動層214、以及一位於主動層214上之第二導電型半導體層212；但不限制於此。
發光結構210可包括III-V族化合物半導體，且可由電子及電洞之再結合來產生光。由電子及電洞之再結合來產生光在上文中已有詳細說明，故不在此贅述。
一粗糙結構或一凹凸結構可形成於發光結構210之一頂面上，也就是第二導電型半導體層212之一頂面上。該粗糙結構或凹凸結構之粗糙度係可包括有由一濕蝕刻製程形成之一隨機形狀或由一圖案製程所形成之一週期性圖案如光子晶體結構。
該粗糙結構或凹凸結構可改良發光結構210之光汲取效率。另外，該粗糙結構或凹凸結構使發光結構210及黏著層230之間交界的表面積增大，發光結構210及黏著層230之間的黏著力也因而改善。
鈍化層235可形成於發光結構210之一側面上。鈍化層235可防止發光結構210與一外部電極發生短路。舉例而言，鈍化層235可包括選自由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、和Al2O3所組成之群組；但不限制於此。
黏著層230可形成於發光結構210頂面之至少一部份。如圖12所示，黏著層230可暴露第二導電型半導體層212頂面之部分。黏著層230可包括與鈍化層235相同之材料。當黏著層230及鈍化層235同時以相同製程所形成時，黏著層230及鈍化層235可彼此整合。黏著層230可自鈍化層235延伸。黏著層230及鈍化層235可包括有不同材料，並以不同製程形成；在這種方式下，黏著層230係與鈍化層235相隔而設。
電極250可形成於黏著層230之頂面之一部份及第二導電型半導體層212頂面之一部分上。也就是說，電極250之一底面之一部分係與第二導電型半導體層212頂面交疊，而電極250之底面之剩餘部分係與黏著層230交疊。
黏著層230改良了第二導電型半導體層212與電極250之間的黏著力，故發光裝置200之可靠度可被改善。
電極250與黏著層230之間的黏著力以及黏著層230與第二導電型半導體層212之間的黏著力，較第二導電型半導體層212與電極250之間的黏著力為大；因此，可以取得該可靠度。
為求將上述之效果最大化，至少部分的黏著層230以及至少部分的電極250係為垂直地彼此交疊。電極250之底面與黏著層230垂直交疊之寬度可對應於電極250之頂面的整體寬度之5%至90%。電極250與第二導電型半導體層212之間的交疊區域可對應於電極250之頂面的整體區域之10%至95%。一凹凸結構或該粗糙結構形成於黏著層230之頂面及底面上以增加黏著層230之表面積，因此黏著層230能更穩固地連結電極250至第二導電型半導體層212。
黏著層230可為一單層結構或一多層結構，並可包括選自由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、和RuOx所組成之群組中的至少一者；但不限制於此。
黏著層230係較佳地包括有折射率較發光結構210為低之一材料以改良光汲取效率。
電極250可形成於第二導電型半導體層212及黏著層230上。電極250之底面係圍繞黏著層230之頂面及側面並與其相接觸。依此，電極250可與發光結構210之頂面穩固接觸。
在下文中，將詳細說明根據第五實施例之發光裝置的製造方法；其中，與前述實施例相同之結構及元件將不再贅述。
圖13至20係繪示有根據第五實施例之發光裝置之製程視圖。
參閱圖13，發光結構210可形成於一成長基板205上。發光結構210至少可包括有第二導電型半導體層212、主動層214、及第一導電型半導體層216。
參閱圖14，保護層247及電流阻隔層249可形成於發光結構210之第一導電型半導體層216上。
保護層247可由一光罩圖案形成於一個別晶片(1晶片)之邊界區域，且可具有一環圈形狀、一迴路形狀、或一框架形狀。舉例而言，保護層247可由下述其中一者形成：電子束沉積法(E-beam deposition)、濺鍍(sputtering)、電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)。
至少一部份的電流阻隔層249可與即將形成之電極250垂直地交疊。電流阻隔層249可由一沉積方法或一電鍍方法形成。
參閱圖15，歐姆層248可形成於第一導電型半導體層216及電流阻隔層249上，且反射層246可形成於歐姆層248及保護層247上。黏著金屬層245可形成於反射層246上，且導電性支撐構件240可形成於黏著金屬層245上。
歐姆層248及反射層246可由一沉積方法或一電鍍方法而形成。
導電性支撐構件240可由一沉積方法或一電鍍方法形成，或可為額外準備之一薄片形式連結而成。若導電性支撐構件240係以沉積方法或電鍍方法形成，則黏著金屬層245可能不會形成。
參閱圖16，成長基板205可被移除。成長基板205可以用下述至少一者來移除之：雷射剝離技術(Laser Lift Off,LLO)及化學剝離技術(Chemical Lift Off,CLO)。
該雷射剝離技術係照射一雷射光束至成長基板205之一後表面，以使成長基板205及第二導電型半導體層212之間的交界脫層(delaminated)。
當成長基板205被移除，第二導電型半導體層212之底面可被暴露。一濕蝕刻製程可執行於第二導電型半導體層212，以去除第二導電型半導體層212表面上之殘餘雜質。
參閱圖17，一隔離蝕刻製程係執行於發光結構210之晶片區域，以形成複數個發光裝置。
舉例而言，該隔離蝕刻製程可由使用乾蝕刻設備如感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma,ICP)設備來執行。
參閱圖18，鈍化層235至少可形成於發光結構210之一側面。
詳細而言，鈍化層235之一端可被提供於發光結構210之頂面上；也就是第二導電型半導體層212之頂面上。且鈍化層235之另一端可穿過發光結構210之側面以形成於保護層247之上，但不限制於此。
鈍化層235可由至少下述一者形成：電子束沉積法(E-beam deposition)、濺鍍(sputtering)、電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)。
參閱圖19，黏著層230可形成於發光結構210之頂面上。
黏著層230可由至少下述一者形成：電子束沉積法(E-beam deposition)、濺鍍(sputtering)、電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)。黏著層230可包括有與鈍化層235相同之材料，或可包括有與鈍化層235不同之材料。
一粗糙結構或凹凸結構可在黏著層230形成之前，形成於發光結構210之頂面上；也就是第二導電型半導體層212之頂面上。
黏著層230之一部分被去除以使電極250可與第二導電型半導體層212相接觸。依此，第二導電型半導體層212之一部分可被暴露。
參閱圖20，電極250可形成於發光結構210之第二導電型半導體層212之暴露區域和黏著層230上，以提供第五實施例之發光裝置200。電極250之底面之一部分係與第二導電型半導體層212之頂面接觸，且電極250之底面之另一部分係與黏著層230之頂面及側面接觸。
因電極250之底面與黏著層230之頂面及側面接觸，電極250之底面可更穩固地與發光結構210之頂面接觸。
圖21係為具有發光裝置100之一發光裝置封裝件10之剖面圖。
參閱圖21，發光裝置封裝件10係包括有一主體20；形成於主體20上的第一及第二引線電極31、32；安裝於主體20上且與第一及第二引線電極31、32電性連接的發光裝置100；以及環繞發光裝置100之一模製件40。
主體20可為矽、合成樹脂或金屬材料。主體20可由環繞發光裝置100之一傾斜內壁所形成。
第一及第二引線電極31、32係彼此電性隔離以提供電力給發光裝置100。另外，第一及第二引線電極31、32係反射發光裝置100所發出之光以提升光效率，並將發光裝置100所生成的熱能向外散發。
發光裝置100可安裝於主體20上或第一及第二引線電極31、32上。
發光裝置100可以一導線、一覆晶方法、或一晶片黏合方法與與第一及第二引線電極31、32相連接。
模製件40係環繞發光裝置100以保護發光裝置100。另外，模製件40可包括有一磷光體以改變自發光裝置100發出之光的波長。
該發光裝置封裝件可包括有至少一實施例所揭露之發光裝置或複數個實施例所揭露之發光裝置，但不限制於此。
該發光裝置或發光裝置封裝件係可被應用於一發光單元。該發光單元係具有一陣列結構，其包括有複數個發光裝置或發光裝置封裝件。該發光單元可包括有如圖22、23所示之顯示裝置及如圖24所示之照明裝置。另外，該發光單元可包括一照明燈、一指示燈、一交通工具的頭燈、以及一電子招牌。
圖22係為實施例所揭露之顯示裝置之立體分解圖。
參閱圖22，顯示裝置1000係包括有一導光板1041；一發光模組1031，其係提供光給導光板1041；一反射部件1022，其係位於導光板1041之下；一光學片1051，其係位於導光板1041之上；一顯示面板1061，其係位於光學片1051之上；以及一底蓋1011，其係容納有導光板1041、發光模組1031、以及反射部件1022；但不限制於此。
一發光單元1050係可為以下之組合：底蓋1011、反射部件1022、導光板1041、及光學片1051。
導光板1041擴散(diffuse)來自發光模組1031之光以提供給面光源。導光板1041可由透光材料所形成；舉例而言，導光板1041可包括有其中一種的壓克力樹脂如：熱塑性樹脂(PMMA)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴共聚物(C0C)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂。
發光模組1031係設置於導光板1041之一側以提供光給導光板1041之至少一側。發光模組1031係作為顯示裝置之一光源。
至少提供一發光模組1031，且其可直接或間接地從導光板1041之一側提供光。如上述之實施例，發光模組1031可包括有一基板1033及發光裝置封裝件30。發光裝置封裝件30可以一預設間隔彼此相隔而設之方法而被設置於基板1033上。基板1033可包括有一印刷電路板(PCB)，但不限制於此。另外，基板1033亦可包括有金屬核心電路板(MCPCB)及軟性電路板(FPCB)，且不限制於此。若發光裝置封裝件30係安裝於底蓋1011之側面或一散熱板上，則此情形下基板1033可被剔除，且該散熱板之一部分可與底蓋1011之一上表面相接觸。而依此，發光裝置封裝件30所產生的熱能可經由該散熱板散發至底蓋1011。
另外，發光裝置封裝件30之配置係使發光裝置封裝件30之出光面與導光板1041以一預設距離相隔而設，但不限制於此。發光裝置封裝件30可直接地或間接地提供光給一光入射面，其中該光入射面係為導光板1041之一側：但不限制於此。
反射部件1022係被設置於導光板1041之下方。反射部件1022係將通過導光板1041之底面的光向顯示面板1061反射，以使顯示面板1061之亮度獲得改善。舉例而言，反射部件1022可由如下述之材料形成：聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)樹脂，但不限制於此。反射部件1022係可為底蓋1011之頂面，但不限制於此。
底蓋1011可容納導光板1041、發光模組1031、以及反射部件1022。為此，底蓋1011具有一容納單元1012，其係為一頂面開放之盒狀；但不限制於此。底蓋1011可與一頂蓋(未圖示)結合，但不限制於此。
底蓋1011可由金屬材料或樹脂材料所形成。並且，可利用一沖壓製程(press process)或一擠壓製程(extrusion process)來製造。另外，底蓋1011可包括具良好熱傳導性之金屬或非金屬材料，但不限制於此。
舉例而言，顯示面板1061可為一LCD面板，其係包括有彼此相對的第一及第二透明基板，以及一設置在該第一及第二透明基板之間之液晶層。一偏光板可一貼附於該顯示面板1061之至少一面；但不限制於此。該顯示面板1061係以阻擋該發光模組1031所產生之光或使該光可穿透其中來顯示資訊。該顯示裝置1000可被應用於不同的可攜式終端、筆記型電腦螢幕、電腦螢幕及電視螢幕等。
該光學片1051係設置於該顯示面板1061及該導光板1041之間，且係包括有至少一透光片。舉例而言，該光學片1051係包括下述至少一者：擴散片、水平及垂直稜鏡片、及增光片。該擴散片係可漫射入射光。該水平及垂直稜鏡片係可集中該入射光至該顯示面板1061上。該增光片係可重新使用逸失的光以增強亮度。另外，一保護片可被設置於該顯示面板1061上，但不限制於此。
在該發光模組1031之光路徑上，該導光板1041及該光學片1051可被提供以作為其中之光學部件；但不限制於此。
圖23係為依據本實施例之一顯示裝置之剖面圖。
參閱圖23，顯示裝置1100係包括有一底蓋1152、一基板1120、一光學部件1154、及一顯示面板1155。此處，發光裝置封裝件30係陣列配置於基板1120之上。
基板1120及發光裝置封裝件30可組成發光模組1060。另外，底蓋1152、至少一發光模組1060、以及光學部件1154可構成發光單元(未圖示)。
底蓋1152可具有一容納單元1153，但不限制於此。光學部件1154可具有至少以下一者：一鏡片、一導光板、一擴散片、一水平及垂直稜鏡片、及一增光片。導光板可以PC材料或PMMA(Poly methyl methacrylate)材料形成，且該導光板可被剔除。擴散片係可漫射入射光。水平及/或垂直稜鏡片係可集中該入射光至顯示面板1155。增光片係可重新使用逸失的光以增強亮度。
光學部件1154係設置於發光模組1060上，以將發光模組1060所發出之光轉換為表面光源。另外，光學部件1154可漫射或匯集光。
圖24係為本實施例之一照明裝置之立體圖。
參閱圖24，照明裝置1500可包括有一外殼1510、一發光模組1530，其係安裝於外殼1510、以及一連接端子1520，其係安裝於外殼1510以接收一外部電源向其供給電力。
較佳地，外殼1510係以具有良好散熱性之材料製成。舉例而言，外殼1510可以一金屬材料或一樹脂材料製成。
發光模組1530可包括有一基板1532及安裝於基板1532上之發光裝置封裝件30。複數個發光裝置封裝件30可以一矩陣形式配置或以一預設間隔彼此相隔而設。
基板1532可為一絕緣體，其中印刷有一電路圖案。舉例而言，該基板1532係包括有一印刷電路板(PCB)、一金屬核心電路板(MCPCB)、一軟性電路板(FPCB)、一陶瓷電路板、及一FR-4基板。
另外，該基板1532可具有可有效地反射光線之材料。一塗覆層(coating layer)可形成於基板1532表面上。在此情形下，該塗覆層係為一白色或銀色以有效反射光線。
至少一發光裝置封裝件30可被安裝於該基板1532上。各個發光裝置封裝件30可包括有至少一發光二極體(LED)晶片。該發光二極體(LED)晶片係可包括有一可見光發光二極體，如紅色、綠色、藍色、或白色；以及一紫外光(ultraviolet,UV)發光二極體，其係可發出紫外光。
發光模組1530之發光裝置封裝件30可為多種不同的設置，以提供不同顏色及亮度。舉例而言，一白光發光二極體、一紅光發光二極體、以及一綠光發光二極體可被設置其中以得到高顯色性指數(color rendering index,CRI)。
連接端子1520可與發光模組1530電性連接，以提供電力給發光模組1530。連接端子1520具有一插座(socket)形狀並螺接至一外部電源之方式連接該外接電源，但不限制於此。舉例而言，連接端子1520可為一針狀(pin shape)，以將連接端1120插入該外部電源內或利用一導線連接至該外接電源。
依據本發明之實施例，在該發光裝置中，該黏著層係被提供於該半導體層上，且該電極係被提供於該半導體層之頂面及該黏著層之側面及頂面上。該黏著層具有一高黏著力，且被設置於該半導體層及該電極之間，以防止該電極脫離該發光結構。由此，可改良本發明之裝置的可靠度。
依據本發明之實施例，一凹凸結構可形成於該黏著層之底面及頂面上，以使黏著力可被穩固提升。由此，可將本發明之裝置的可靠度最大化。
依據本發明之實施例，該電極與該黏著層係為垂直交疊，故該電極之接觸區域可被擴大。由此，可改良其黏著力。
依據本發明之實施例，當該黏著層包括有導電性材料時，該黏著層可以只被提供於該半導體層上，以防止該發光結構的各層彼此間產生短路。
依據本發明之實施例，該黏著層係被提供於該第一導電型半導體層之側面及頂面、該主動層之側面、以及該第二導電型半導體層之側面及頂面上；由此，可保護該發光結構之側面。
依據本發明之實施例，在垂直型發光裝置中，該鈍化層係形成於該發光結構之側面上，且該黏著層係延伸自該鈍化層，以簡化製程。
依據本發明之實施例中發光裝置之製造方法，一發光結構係形成於該基板上，且包括有該第一導電型半導體層、該主動層、及該第二導電型半導體層；一蝕刻製程暴露該第一導電型半導體層之一部分；一黏著層形成於至少該第一導電型半導體層之頂面；該黏著層之一部分係被去除以暴露該第一導電型半導體層；且該電極係形成於該第一導電型半導體層之頂面及該黏著層之頂面及側面上。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之智識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
10．．．發光裝置封裝件
20．．．主體
31．．．第一引線電極
32．．．第二引線電極
40．．．模製件
101．．．發光裝置
100A．．．發光裝置
100B．．．發光裝置
100C．．．發光裝置
105．．．成長基板
110．．．發光結構
112．．．第一導電型半導體層
114．．．主動層
116．．．第二導電型半導體層
120．．．透射電極層
130．．．黏著層
140．．．第二電極
150．．．第一電極
200．．．發光裝置
205．．．成長基板
210．．．發光結構
212．．．第二導電型半導體層
214．．．主動層
216．．．第一導電型半導體層
230．．．黏著層
235．．．鈍化層
240．．．導電性支撐構件
245．．．黏著金屬層
246．．．反射層
247．．．保護層
248．．．歐姆層
249．．．電流阻隔層
250．．．電極
1000．．．顯示裝置
1031．．．發光模組
1011．．．底蓋
1012．．．容納單元
1022．．．反射部件
1041．．．導光板
1050．．．發光單元
1051．．．光學片
1061．．．顯示面板
1100．．．顯示裝置
1120．．．基板
1152．．．底蓋
1153．．．容納單元
1154．．．光學部件
1155．．．顯示面板
1500．．．照明裝置
1520．．．連接端子
1510．．．外殼
1530．．．發光模組
1532．．．基板
A．．．區域
S．．．區域
圖1為根據第一實施例之一發光裝置的剖面圖；
圖2為圖1中該發光裝置的平面圖；
圖3為圖1中該發光裝置之區域A之放大圖；
圖4係為根據第二實施例之一發光裝置的剖面圖；
圖5係為根據第三實施例之一發光裝置的剖面圖；
圖6係為根據第四實施例之一發光裝置的剖面圖；
圖7至11係繪示有根據第一實施例之該發光裝置的製程視圖；
圖12係為根據第五實施例之一發光裝置之剖面圖；
圖13至20係繪示有根據第五實施例之該發光裝置之製程視圖；
圖21係為依據本發明之實施例具有一發光裝置之一發光裝置封裝件之剖面圖；
圖22係為根據本發明之實施例一顯示裝置之立體分解圖；
圖23係為依據本發明之實施例一顯示裝置之剖面圖；以及
圖24係為依據本發明之實施例一照明裝置之立體圖。
100．．．發光裝置
105．．．成長基板
110．．．發光結構
112．．．第一導電型半導體層
114．．．主動層
116．．．第二導電型半導體層
120．．．透射電極層
130．．．黏著層
140．．．第二電極
A．．．區域
S．．．區域

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，包括：一發光結構，包括有一第一導電型半導體層、一主動層位於該第一導電型半導體層上、以及一第二導電型半導體層位於該主動層上；一透射電極層，位於該第二導電型半導體層之上表面上；一黏著層，位於該第一導電型半導體層上；一第一電極，位於該第一導電型半導體層以及該黏著層上；以及一第二電極，位於該第二導電型半導體層上，其中該第二電極之第一部分與該第二導電型半導體層之至少一部分接觸，且該第二電極之第二部分與該透射電極層之至少一部分接觸，其中該透射電極層之一端與該黏著層之一端交疊，其中該第一電極之一底面與該第一導電型半導體層之一頂面相接觸，且該第一電極之該底面之面積係為該第一電極之一頂面面積的10%至95%的範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一電極及該黏著層之間的一垂直交疊區域之寬度為該第一電極之頂面的5%至90%的範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層包括有一透射導電材料及一透射絕緣材料的至少一者，其中該透射電極層與形成於該第二導電型半導體層之上的該黏著層之一端相隔而設。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層可包括選自由SiOx、SiOxNy、TiO2、Al2O3、indium tin oxide、indium zinc oxide、indium zinc tin oxide、indium aluminum zinc oxide、indium gallium zinc oxide、indium gallium tin oxide、aluminum zinc oxide、antimony tin oxide、gallium zinc oxide、IrOx、和RuOx所組成之群組中的至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層係沿著該發光結構之一側面，從該第一導電型半導體層之一頂面延伸至該第二導電型半導體層之一頂面的一部份。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層包括：一第一層位於該第一導電型半導體層之一頂面上，且包括一透射絕緣材料；以及一第二層位於該第一層之上，且包括一透射導電材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層包括：一第一層位於該第一導電型半導體層之一頂面上，且具有高折射率；以及 一第二層位於該第一層之上，且具有低折射率。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其更包括一凹凸結構，該凹凸結構位於該黏著層之一頂面上和該黏著層之一底面上中的至少一者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第二電極之該第一部分被該透射電極層所圍繞，其中該透射電極層具有一孔洞，該第二電極透過該透射電極層的該孔洞接觸該第二導電型半導體層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層被設置於該第一導電型半導體層之一頂面及一側面、該主動層之一側面、以及該第二導電型半導體層之一側面及一頂面上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該第二電極之該第一部分未暴露於外部，其中該第二導電型半導體層的至少一部分暴露於該透射電極層及位於該第二導電型半導體層上該黏著層一端之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層延伸至該第二導電型半導體層之一頂面，並被提供於該透射電極層和該第二導電型半導體層之間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏著層延伸至該透射電極層之一頂面， 其中該第二電極包含一上部分及一下部分位於上部分之下，其中該下部分由該透射電極層環繞。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一電極與該黏著層垂直交疊並通過該黏著層。
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