TWI500189B - 發光裝置及發光裝置封裝件 - Google Patents

發光裝置及發光裝置封裝件 Download PDF

Info

Publication number
TWI500189B
TWI500189B TW100108886A TW100108886A TWI500189B TW I500189 B TWI500189 B TW I500189B TW 100108886 A TW100108886 A TW 100108886A TW 100108886 A TW100108886 A TW 100108886A TW I500189 B TWI500189 B TW I500189B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
conductive
light emitting
semiconductor layer
pad
Prior art date
Application number
TW100108886A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201143173A (en
Inventor
Hwan Hee Jeong
Sang Youl Lee
Ji Hyung Moon
June O Song
Kwang Ki Choi
Original Assignee
Lg Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Innotek Co Ltd filed Critical Lg Innotek Co Ltd
Publication of TW201143173A publication Critical patent/TW201143173A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI500189B publication Critical patent/TWI500189B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

發光裝置及發光裝置封裝件
本發明係主張關於2010年04月12日申請之韓國專利案號10-2010-0033490之優先權，藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種發光裝置、一種發光裝置封裝件及一種照明系統。
III-V族氮化物半導體因其物理、化學性質，被廣泛地當作發光裝置如發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)等之主要材料使用。一般而言，III-V族氮化物半導體包括一具有下述組成式之半導體材料：Inx Aly Ga1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)。
發光二極體(LED)係為半導體裝置，其係被當作一光源使用，或藉著化合物半導體之特性將電轉換為紅外線或光，以傳送或接收訊號。
該些由半導體材料所製成之發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)被普遍用於發光裝置中，並被應用於各種產品如手機之按鍵鍵盤發光部、電子招牌、及照明裝置。
本發明之實施例提供一種具有一新型電極結構之發光裝置。
本發明之實施例提供一種發光裝置，其中一發光結構層係設置於一支撐件之上，且具有不同極性之墊(pads)係被設置於該支撐件之下方。
本發明之實施例提供一種發光裝置封裝件包括一發光裝置及一照明系統。
在本發明一實施例中，一種發光裝置係包含有：一發光結構層，其係包括一第一導電型半導體層、一主動層於該第一導電型半導體層之下方、以及一第二導電型半導體層於該主動層之下方；一導電層於該發光結構層之下方；一接合層於該導電層之下方；一支撐件於該接合層之下方；一第一墊於該支撐件之下方；一第二墊於該支撐件之下方，並距該第一墊有一距離；一第一電極連接於該第一導電型半導體層與該第一墊之間；以及一第二電極連接於該接合層與該第二墊之間。
在本發明另一實施例中，一種發光裝置係包含有：一發光結構層，其係包括一第一導電型半導體層、一主動層於該第一導電型半導體層之下方、以及一第二導電型半導體層於該主動層之下方；一導電層於該發光結構層之下方；一接合層於該導電層之下方；一支撐件於該接合層之下方；一第一墊於該支撐件之下方；一第二墊於該支撐件之下方；一第一電極連接於該第一導電型半導體層與該第一墊之間；以及一第二電極連接於該接合層與該第二墊之間，其中該接合層之一寬度係為至少該發光結構層之寬度的50%。
在本發明又一實施例中，一種發光裝置封裝件係包含有：一本體；第一及第二引線架於該本體之上；一發光裝置設置於該第一及該第二引線架之上，並與該第一及該第二引線架電性連接；以及一模製件於該發光裝置之上。
其中，該發光裝置係包含有：一發光結構層，其係包括一第一導電型半導體層、一主動層於該第一導電型半導體層之下方、以及一第二導電型半導體層於該主動層之下方；一導電層於該發光結構層之下方；一接合層於該導電層之下方；一支撐件於該接合層之下方；一第一墊於該支撐件之下方，並與該第一引線架之頂邊連接；一第二墊於該支撐件之下方，且於該第二引線架之上；一第一電極連接於該第一導電型半導體層與該第一墊之間；以及一第二電極連接於該接合層與該第二墊之間。
一或多個實施例之細節陳述於附圖及下文之描述中，且自該描述與附圖，以及自申請專利範圍可明顯看出其他特徵。
在實施例的描述中，應予理解，當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一基板、一層(或膜)、一區域、一電極墊、或一圖案「之上」或「之上方」，則其可以是直接或間接在另一基板、層(或膜)、區域、或圖案「之上」或「之上方」，或者存在一或多個介入層。另，在實施例的描述中，應予理解，當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一基板、一層(或膜)、一區域、一電極墊、或一圖案「之下」或「之下方」，則其可以是直接或間接在另一基板、層(或膜)、區域、或圖案「之下」或「之下方」，或者存在一或多個介入層。參照附圖說明每一層「之上/下」或「之上方/下方」的位置。
在圖示中，為清楚與方便說明，各層厚度及尺寸可能被加以誇大。另，組成元件的尺寸亦不完全反映實際元件之大小。
在下文中，將根據本發明之實施例配合圖示詳細描述與說明本發明之內容。
圖1係繪示有根據本發明第一實施例中一發光裝置100之剖面圖。
參閱圖1，發光裝置100係包含有一發光結構層135、一導電層140、一接合層145、一支撐件150、一第一絕緣件160、一第二絕緣件165、第一電極171、173、一第二電極183、一第一墊175、以及一第二墊185。
發光裝置100係包含有一發光二極體(light emitting diode，LED)，其係包括複數個化合物半導體層如III-V族化合物半導體層。該發光二極體可發出可見光如藍、綠、或紅光，或紫外光(ultraviolet，UV)。在本實施例之技術範圍內，該發光二極體可使用不同的半導體來發光。
發光裝置100係包含有一結構，其中發光結構層135係設置於支撐件150之上，而不同墊片175及185係設置於支撐件150之下方。
發光結構層135係包含有複數個化合物半導體層，且該些化合物半導體層係包括一第一導電型半導體層110、一主動層120、以及一第二導電型半導體層130。
第一導電型半導體層110可具有一單層或一多層結構，且發光裝置100其中至少一層可包含有一第一導電摻雜物。
第一導電型半導體層110可由III-V族化合物半導體如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、及AlGaInP所形成。第一導電型半導體層110可由組成式為Inx Aly Ga1-x-y N(0xl,0y1,0x+y1)之半導體材料所形成。第一導電型半導體層110可為一N型半導體層。該N型半導體層包含有一N型摻雜物作為一第一導電摻雜物，如Si、Ge、Sn、Se、及Te。
第一導電型半導體層110可具有一超晶格結構(superlattice structure)，且具有不同能帶隙(band gap)之半導體層被堆疊於其中。該超晶格結構係包含有一結構如一GaN/InGaN結構或一GaN/AlGaN結構。該超晶格結構可含有一結構，其中至少兩對不同層被堆疊於其中，該些層係各具有厚度為約數埃(A)(angstroms)或更大。
第一導電型半導體層110之面積(或寬度)可大於主動層120之面積(或寬度)，但不限制於此。
第一導電型半導體層110係包含有一取光結構112(light extraction structure)。取光結構112可形成於第一導電型半導體層110之頂面。取光結構112係包含有一結構如一粗糙結構、一凹凸圖案、或一紋路圖案(texture pattern)於第一導電型半導體層110頂面之至少一區域上。該結構之剖面形狀可包括一角狀或一柱狀。取光結構112可改變入射於第一導電型半導體層110頂面之光的臨界角，以改善取光效率。第一導電型半導體層110頂面之內區域之高度，其可與第一導電型半導體層110頂面之外區域之高度不同。
一電流擴散層(current diffusion layer)可形成於第一導電型半導體層110之頂面上。該電流擴散層可包含有一金屬氧化物或一金屬氮化物。舉例而言，該電流擴散層可由例如ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZON(IZO nitride)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、ITON(ITO nitride)、IZON(IZO nitride)、IrOx、RuOx 、RuOx /ITO、Ni/IrOx /Au、及Ni/IrOx /Au/ITO之材料所形成。然而，該電流擴散層之材料並不限於上列材料。該電流擴散層可由一透明導電材料形成。
該電流擴散層可與第一電極171電性連接。舉例而言，至少一部分的電流擴散層可被設置於第一電極171與第一導電型半導體層110之間。
主動層120係被設置於第一導電型半導體層110之下方。主動層120可具有下述其中一者：一單量子井結構(single quantum well structure)、一多重量子井結構(multi quantum well structure)、一量子線結構(quantum wire structure)、及一量子點結構(quantum dot structure)。主動層120可由III-V族化合物半導體所形成而具有一組(period)的一位能井層(well layer)與一位障層(barrier layer)。該位能井層可為組成式為Inx Aly Ga1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)之一半導體層，而該位障層可為一組成式為Inx Aly Ga1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)之一半導體層。舉例而言，主動層120可包含有一氮化銦鎵井層(InGaN well layer)/一氮化鎵位障層(GaN barrier layer)結構、一氮化銦鎵井層(InGaN well layer)/一氮化鋁鎵位障層(AlGaN barrier layer)、及一氮化銦鎵井層(InGaN well layer)/一氮化銦鎵位障層(InGaN barrier layer)其中至少一者。該位障層可由一能隙大於該井層之材料所形成，但不限制於此。
一第一導電包覆層(conductive clad layer)可被設置於第一導電型半導體層110與主動層120之間。該第一導電包覆層可包含有一N型半導體層。該第一導電包覆層可由一GaN基半導體所形成。該第一導電包覆層係具有一能隙大於主動層120之該位障層之能隙，並係用以限定載子(carrier)者。
一第二導電包覆層可被設置於主動層120與第二導電型半導體層130之間。該第二導電包覆層可由一GaN基半導體形成。該第二導電包覆層係具有一能隙大於主動層120之該位障層之能隙，並係用以限定載子(carrier)者。
第二導電型半導體層130係被設置於主動層120之下方。第二導電型半導體層130可包括摻雜有一第二導電摻雜物之一III-V族化合物半導體。若第二導電型半導體層130係為一P型半導體層，則第二導電型半導體層130可由例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、及AlInN之化合物半導體中之一者所形成。該第二導電摻雜物可包含有一P型摻雜物如Mg、Zn、Ca、Sr、及Ba。
第二導電型半導體層130可由一組成式為Inx Aly Ga1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)之半導體材料所形成。第二導電型半導體層130可具有單層或多層結構。當第二導電型半導體層130係具有一多層結構時，第二導電型半導體層130可具有一超晶格結構如一氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵(GaN)結構或一由具有不同摻雜濃度之多層所組成之堆疊結構。
一第三導電型半導體層可形成於第二導電型半導體層130之下方。舉例而言，該第三導電型半導體層之極性可與第二導電型半導體層130相反。舉例而言，該第三導電型半導體層可由化合物半導體材料如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、及AlInN其中一者形成。舉例而言，第一導電型半導體層110與該第三導電型半導體層可分別作為一N型半導體層來形成。
第一導電型半導體層110之厚度可至少大於主動層120之厚度或該第二導電型半導體層130之厚度。
發光結構層135可包括第一導電型半導體層110、主動層120、以及第二導電型半導體層130。發光結構層135可進一步包括該第三導電型半導體層。又，第一導電型半導體層110可作為一P型半導體層來形成，且第二導電型半導體層130可作為一N型半導體層來形成。
發光結構層135可包含有N-P接面結構、P-N接面結構、N-P-N接面結構、及P-N-P接面結構其中至少一者。在下文中，將以一實例說明一結構；其中，第二導電型半導體層130係位於發光結構層135之最上層。一取光結構如一粗糙結構或一凹凸圖案可形成於第二導電型半導體層130之下表面上。
導電層140係被設置於第二導電型半導體層130之下方，而接合層145係被設置於導電層140之下方。支撐件150係被設置於接合層145之下方。
導電層140可包含有一導電接觸層。舉例而言，導電層140可包含至少一導電層或複數個導電層。
導電層140可包含有一歐姆接觸層(ohmic contact layer)及/或一反射層。該歐姆接觸層可為一層或複數個圖案。為了該歐姆接觸層之歐姆性質，其可包括一金屬、一金屬氧化物、一金屬氮化物其中至少一者。舉例而言，該歐姆接觸層可包含有ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、ITON(ITO nitride)、IZON(IZO nitride)、IrOx 、RuOx 、RuOx /ITO、Ni/IrOx /Au、Ni/IrOx /Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及Pd其中至少一者。該反射層可使用Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及其合金其中至少一者來形成單層結構或多層結構。該反射層可被設置於該歐姆接觸層與接合層145之間，但不限制於此。
另外，可使用一氧化物來形成一導電圖案或一絕緣圖案於導電層140與第二導電型半導體層130之間。在此情況下，一接觸表面與另一區域間的一電阻差(resistance difference)可被降低。
又，位於導電層140與一第一接合層145A間之一介面可包含有一凹凸結構，以改善導電層140與第一接合層145A間之接合力。
接合層145係形成於支撐件150與導電層140之間。接合層145係包含有至少一層。舉例而言，接合層145可包含有複數個導電層。
接合層145可包含有一金屬材料如一位障金屬(barrier metal)或一接合金屬(bonding metal)。舉例而言，接合層145可包含有Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、及Ta其中至少一者。接合層145可包含有不同之導電層。然而，接合層145並不限制於此。接合層145係包括第一接合層145A以及一第二接合層145B。第一接合層145A係被設置於導電層140與第二接合層145B之間，而第二接合層145B係被設置於支撐件150與第一接合層145A之間。第一接合層145A與第二接合層145B係被接合在一起，並與導電層140，例如導電層140的該反射層，電性連接。
第一接合層145A之厚度可與第二接合層145B之厚度為相等或不同者。該些厚度可根據接合性質、熱傳導性質、及導電性質而變動。
第一接合層145A與第二接合層145B其中至少一者可較發光結構層135來的寬。舉例而言，與支撐件150較近的第二接合層145B可至少比發光結構層135更寬。接合層145之寬度可為發光結構層135寬度之50%或更大。
支撐件150可由例如藍寶石(Al2 O3 )或ZnO之絕緣材料所形成。支撐件150可不為一成長基板(growth substrate)。在下文中，將使用一絕緣基板，例如一藍寶石基板，作為支撐件150之實例以說明本實施例。該絕緣基板可包括一透明或不透明材料。支撐件150之厚度可為約10 μm至約500 μm之範圍，但不限制於此。支撐件150之寬度可大至少該於發光結構層135之寬度。
絕緣件160、165，第一電極171、173，以及第二電極183係設置於發光裝置100之側面上。
一階梯結構163係形成於發光結構層135之至少一側面上。階梯結構163可自第二導電型半導體層130之側面之一下部分延伸至第一導電型半導體層110之一下部分。
第一絕緣件160可設在位於發光結構層135之至少一側面上之階梯結構163。第一絕緣件160可延伸至接合層145之一側面。第一絕緣件160之內部分之位置可為較發光結構層135之外側面更向內靠；亦即，第一絕緣件160可被嵌入於或容納於發光結構層135中。此外，第一絕緣件160之一側面可與發光結構層135之外表面位於相同平面上。舉例而言，第一絕緣件160之側面可與發光結構層135之一第一側面位於相同平面上。又，第一絕緣件160之一外側面可自發光結構層135之外表面層降(stpped)。
第一絕緣件160係沿著發光結構層135、導電層140、接合層145、以及第一電極171、173而設置，以防止第一電極171、173與其他層接觸。第一絕緣件160可由例如SiO2 、SiOx 、SiOx Ny 、Si3 N4 、Al2 O3 、及TiO2 之一絕緣材料所形成，但不限制於此。第一絕緣件160係包括一第一絕緣層160A與一第二絕緣層160B。第一絕緣層160A係設於第一接合層145A、導電層140、第二導電型半導體層130、以及主動層120之側。第一絕緣層160A之頂側可高於主動層120之頂側，並可延伸至第一導電型半導體層110之一內部分。
第一絕緣件160之第二絕緣層160B可被設置於第二接合層145B一側之第一絕緣層160A之下方。
第一絕緣件160可進一步包括一第三絕緣層162。第三絕緣層162可被設置於第二導電型半導體層130與接合層145間之一周邊區域。第三絕緣層162可具有一環圈形狀如一圓形或一多角形。第一絕緣件160之第三絕緣層162可與第二絕緣件165之下表面相接觸，但不限制於此。
第二絕緣件165係形成於發光結構層135之一側，以防止發光結構層135發生層間的短路現象。第二絕緣件165可形成於發光結構層135之側面上，除了有第一電極171、173之區域。然而，並不限制於此。
第二絕緣件165之一部分可延伸於第一導電型半導體層110之頂面上，且在此情況下，第二絕緣件165較不易從發光結構層135之側面剝落。
第一電極171、173可包含有一第一連接電極171以及一第二連接電極173。第一連接電極171係連接於第一導電型半導體層110與第二連接電極173之間，而第二連接電極173係連接於第一墊175與第一連接電極171之間。第一連接電極171可被定義為一上部電極，而第二連接電極173可被定義為一下部電極。
第一連接電極171係連接於第一導電型半導體層110之頂面及側面其中至少一者。第一連接電極171延伸至第一絕緣件160之第一絕緣層160A之側面。第一連接電極171可自第一導電型半導體層110之頂面延伸至第一導電型半導體層110之側面。第一導電型半導體層110之頂面可為一氮面(N-face)，且與第一連接電極171之一上部分171A相接觸。
第一連接電極171之上部分171A可具有一枝狀結構(branch structure)，且至少與第一導電型半導體層110之頂面之一邊緣區域相接觸。舉例而言，上部分171A可具有一枝狀結構如一橋樑結構、一臂狀結構、或一指狀結構。第一連接電極171可包含有一歐姆接觸層，以與第一導電型半導體層110相接觸。
第一連接電極171之上部分171A之寬度T1可為等於或小於第一絕緣件160之第一絕緣層160A之寬度。在此情況下，一電流可被擴散於第一絕緣件160之第一絕緣層160A。然而，本發明之範疇並不限制於此。第一連接電極171之上部分171A可延伸至取光結構112之上。然而，本發明之範疇並不限制於此。
第二連接電極173係連接於第一連接電極171之下側。第二連接電極173係自第一絕緣件160之第二絕緣層160B側面延伸至支撐件150之側面與第一墊175之側面。第二連接電極173之下側可延伸至支撐件150之下表面。在此情況下，第二連接電極173可作為第一墊175使用。也就是說，第二連接電極173與第一墊175可由相同金屬層來構成。然而，本發明之範疇並不限制於此。
第一連接電極171之高度可大於發光結構層135之厚度，而第二連接電極173之高度可大於支撐件150之厚度。第一連接電極171可較第二連接電極173來得窄。在此情況下，因第一連接電極171之故，取光效率不會被降低。
至少一部分的第一連接電極171，例如，至少第一連接電極171之上部分171A，可被設置於發光結構層135之一側，相對應於導電層140。
第一連接電極171與第二連接電極173可使用Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及Au其中一者或以上來形成單層或多層結構。第一連接電極171可由根據歐姆接觸、金屬層間接觸、反射性質、導電性質等來選自由上述之材料所形成。
第一墊175與第二墊185可作為引線電極或接合層來使用。
第二電極183係設置於接合層145與支撐件150之側面上，以連接第二墊185及接合層145。第二電極183之下側可延伸至支撐件150之下表面。在此情況下，第二電極183可作為第二墊185來使用。第二墊185可為第二電極183之一部分，或為第二電極183分離出來的一部分。
第二電極183可使用Ti、Al、Al合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Au、及其合金其中至少一者來形成單層或多層結構。然而，本發明之範疇並不限制於此。
第一電極171、173可被設置於與第二電極183相對之側，或第一電極171、173與第二電極183可以彼此相隔而設之方法設置。
第二墊185與第一墊175可被設置於支撐件150之下表面上，且以彼此相隔而設之方法設置。舉例而言，第二墊185與第一墊175可被設置於支撐件150之下表面之相對側(opposite sides)。第二連接電極173可被設置於支撐件150之一第一側面上，而第二電極183可被設置於支撐件150之一第二側面上。第一墊175可被設置於支撐件150之該第一側面之下方，而第二墊185可被設置於支撐件150之該第二側面之下方。支撐件150之該第一及第二側面可為相對或不同之表面。
因為不同的墊175、185係被設置於發光裝置100之支撐件150之下方，故並不需要設置一墊片於發光結構層135之上。因此，當光經由發光結構層135之頂面發出時，其光逸失可以降低。又，因為第一與第二墊175、185係被設置於支撐件150之下方，打線接合(wire bonding)便非必須，故不會發生因打線接合所造成之光逸失。
圖2至圖7係解釋圖1中發光裝置100之製造方法流程圖。
參閱圖2，一基板101可被裝設於成長裝備上，且一層或一圖案可使用II-VI族化合物半導體來形成於基板101之上。
該成長裝備之實例係包括一電子束蒸鍍(E-beam evaporation)設備、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)設備、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)設備、電漿雷射沈積(plasma laser deposition，PLD)、雙型熱蒸發器(dual-type thermal evaporator)設備、濺鍍設備與一有機金屬化學氣相沈積(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)設備。然而，實施例並非用以限定本發明。
基板101可為一導電或一絕緣基板，且其材料係選自由Al2 O3 (藍寶石)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2 O3 、GaAs所組成之群組。基板101可為一成長基板。
具有透鏡形狀(lens shape)或條紋形狀(stripe shape)之一取光結構或一凹凸圖案可形成於基板101之頂面上。另外，一化合物半導體層可形成於基板101上。該化合物半導體層可為由II至VI族化合物半導體所形成之一層或一圖案。舉例而言，一ZnO層、一緩衝層、以及一未摻雜半導體層其中至少一者可形成。該緩衝層或該未摻雜半導體層可由一III-V族化合物半導體所形成。該緩衝層可降低一GaN材料與基板材料之間的晶格差異(lattice mismatch)。該緩衝層可由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、及AlInN其中至少一者所形成。該緩衝層可具有一超晶格結構(super lattice structure)，其中交替堆疊有不同之半導體層。該緩衝層可具有至少兩組，例如，InGaN/GaN。該緩衝層可降低來自基板101之晶格缺陷(lattice defect)。
該未摻雜半導體層被設置於基板101或該緩衝層之上。舉例而言，該未摻雜半導體層可為一未摻雜氮基半導體層，其係刻意不摻雜一導電摻雜物者。該未摻雜半導體層可為一半導體層，其導電性顯著地低於一第一導電型半導體層者。舉例而言，該未摻雜半導體層可為一未摻雜之GaN層，且具有一第一導電型性質。在下文中，將以形成於基板101之上之一第一導電型半導體層110作為一實例加以說明。
一發光結構層135可形成於基板101之上。發光結構層135可由一III-V族化合物半導體所形成，且包含有至少三層。該三層中至少兩層可包含有不同類型之摻雜物。
發光結構層135可包含有一第一導電型半導體層110、一主動層120、以及一第二導電型半導體層130。另一半導體層可被進一步設置於每一該些層之上方或下方。然而，本發明之範疇並不限制於此。
第一導電型半導體層110係被設置於基板101之上，而主動層120係被設置於第一導電型半導體層110之上。第二導電型半導體層130係被設置於主動層120上。
第一導電型半導體層110可由III-V族化合物半導體，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、及AlGaInP所形成。第一導電型半導體層110可由組成式為Inx Aly Ga1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)之半導體材料所形成。第一導電型半導體層110可為一N型半導體層。該N型半導體層可包含有一N型摻雜物作為一第一導電摻雜物，例如Si、Ge、Sn、Se、或Te。
第一導電型半導體層110可具有一超晶格結構，其中堆疊具有不同能隙之半導體層。該超晶格結構係包括一結構例如一GaN/InGaN結構或一GaN/AlGaN結構。該超晶格結構可包括一結構，其中至少兩對不同層被交替堆疊，其各自之厚度為約數埃()或更多。
第一導電型半導體層110可包含有一低導電層與一高導電層，其兩者具有不同之摻雜濃度。舉例而言，相較於該高導電層，該低導電層可被設置於離主動層120較近之位置。在此結構中，施加至該高導電層之一電流可被該低導電層擴散。
主動層120可包含有一單量子井結構、一多重量子井結構、一量子線結構或一量子點結構其中一者。主動層120可包含有一組之位能井層/位障層，且可由III-V族化合物半導體材料所形成。舉例而言，主動層120可具有一InGaN/GaN結構、一InGaN/AlGaN結構、及一InGaN/InGaN結構其中至少一者。該位障層可由一能隙大於該井層之材料所形成，但不限制於此。
一導電包覆層(conductive clad layer)可形成於主動層120上及/或下方。該導電包覆層可由一GaN基半導體或一能隙係較主動層120之能隙為高之材料所形成。
第二導電型半導體層130係形成於主動層120之上。第二導電型半導體層130可包含有一III-V族化合物半導體，其係摻雜有一第二導電摻雜物。若第二導電型半導體層130係一P型半導體層，則第二導電型半導體層130可由化合物半導體例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、及AlInN其中一者所形成。第二導電型半導體層130可包含有一P型摻雜物如Mg、Zn、Ca、Sr、及Ba。
第二導電型半導體層130可為單層或多層結構，但不限制於此。
第二導電型半導體層130可由一組成式為Inx Aly Ga1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)之半導體材料所形成。第二導電型半導體層130可具有單層或多層結構。當第二導電型半導體層130係為一多層結構時，第二導電型半導體層130可具有一超晶格結構如一AlGaN/GaN結構，或一堆疊結構，其中之層具有不同之摻雜濃度者。
第一導電型半導體層110、主動層120、以及第二導電型半導體層130可被定義為發光結構層135。另外，一第三導電型半導體層可形成於第二導電型半導體層130之上；其中，該第三導電型半導體層之極性係與該第二導電型相反。又，第一導電型半導體層110可形成為一P型半導體層，且第二導電型半導體層130可形成為一N型半導體層。發光結構層135可具有N-P接面結構、P-N接面結構、N-P-N接面結構、及一P-N-P接面結構其中至少一者。在下文中，將以一實例說明一具有第二導電型半導體層130於發光結構層135之最上層之結構。
參閱圖3和圖4，一階梯結構163可形成於發光結構層135之至少一側上。階梯結構163係低於第二導電型半導體層130之頂面。階梯結構163之深度可被調整，以使第一導電型半導體層110之一上部分可經由第二導電型半導體層130被暴露。階梯結構163可由一乾蝕刻及/或一濕蝕刻方法來形成，但不限制於此。
一第一絕緣層160A係形成於階梯結構163中，而一第三絕緣層162係形成於第二導電型半導體層130頂面一周邊區域上。第一絕緣層160A與第三絕緣層162可由光阻處理(photoresist process)形成一光罩圖案(mask pattern)，然後操作一濺鍍(sputtering)或一沈積(deposition)設備來形成。然而，第一絕緣層160A與第三絕緣層162之製造方法並不限制於此。第一絕緣層160A與第三絕緣層162可由一選自由SiO2 、SiOx 、SiOx Ny 、Si3 N4 、Al2 O3 、及TiO2 之材料所形成，但不限制於此。
第一絕緣層160A係形成於第一導電型半導體層110之上部分、主動層120之一側面、以及第二導電型半導體層130之一側面上。第一絕緣層160A之頂面可突伸自第二導電型半導體層130之頂面。
第三絕緣層162可沿著第二導電型半導體層130之頂面的周圍形成一圓形或一多角形。第三絕緣層162之形狀可為連續或不連續的環圈形狀。
一導電層140可形成於第二導電型半導體層130之上。導電層140可使用濺鍍及/或電鍍設備來形成，但不限制於此。
導電層140可包含有與第二導電型半導體層130電性連接之一接觸層。導電層140可包含有至少一導電層如一歐姆接觸層及/或一反射層。該歐姆接觸層可為一層或複數個圖案。該歐姆接觸層可包括一金屬、一金屬氧化物、一金屬氮化物其中至少一者。舉例而言，該歐姆接觸層可包含有ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、ITON(ITO nitride)、IZON(IZO nitride)、IrOx 、RuOx 、RuOx /ITO、Ni/IrOx /Au、Ni/IrOx /Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及Pd其中至少一者。該反射層可使用下述其中至少一者：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、及Hf、或包括上述至少兩者之合金，來形成單層結構或多層結構。該反射層可被設置於該歐姆接觸層之上，且其寬度係至少大於該歐姆接觸層之寬度。在此情況下，可以改善反射效率。
一部分的導電層140可延伸至第三絕緣層162之頂面。然而，本發明之範疇並不限制於此。
另外，可使用一氧化物來形成一導電圖案或一絕緣圖案於導電層140與第二導電型半導體層130之間。在此情況下，導電層140之接觸區域與第二導電型半導體層130間的一電阻差可被降低。
第一接合層145A可形成於導電層140之上。第一接合層145A可延伸於第三絕緣層162之頂面上。第一接合層145A可使用一濺鍍設備、一沉積設備、及/或一電鍍設備來形成。第一接合層145A可包括一位障金屬或一接合金屬。舉例而言，第一接合層145A可包含有Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、及Ta其中至少一者，但不限制於此。
第一接合層145A之寬度可至少大於導電層140之寬度，但不限制於此。
參閱圖4和圖5，其中圖4中所示之結構係被翻轉，以將發光結構層135置於支撐件150之上方。
支撐件150可為一絕緣基板例如由藍寶石(Al2 O3 )或ZnO所形成之基板。支撐件150可由一熱膨脹係數(thermal expansion coefficient)相近於一半導體之材料所形成，或支撐件150可由與形成基板101相同的材料形成。
第二接合層145B可形成於支撐件150之上。第二接合層145B可包含有一位障金屬或一接合金屬。舉例而言，第二接合層145B可包含有Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、及Ta其中至少一者，但不限制於此。
一第二絕緣層160B可形成於支撐件150之一上部外側之上。第二絕緣層160B可由光阻處理形成一光罩圖案，然後操作一濺鍍或一沈積設備來形成。第二絕緣層160B可由例如SiO2 、SiOx 、SiOx Ny 、Si3 N4 、Al2 O3 、及TiO2 之材料所形成，但不限制於此。
第二絕緣層160B可被設置於第二連接電極173與第二接合層145B之間，以防止其間有物理接觸。
第二連接電極173與一第一墊175係被設置於支撐件150之一側上，而第二電極183與一第二墊185係被設置於支撐件150之另一側上。第二連接電極173與第二電極183係被設置於支撐件150之不同側上。第二連接電極173與第二電極183之高度可至少大於支撐件150之厚度，且可具有一垂直連接結構(vertical connection structure)。第二連接電極173與第二電極183可使用形成於支撐件150之上的通孔來形成。然而，本發明之範疇並不限制於此。該些通孔可使用一鑽孔機或雷射來形成。
第二連接電極173係自支撐件150之一第一側面延伸至第二絕緣層160B之一側面，而第二電極183係自支撐件150之一第二側面延伸至第二接合層145B之一側面。支撐件150之該第一及第二側面可為相對或不同之表面。
第一墊175與第二墊185可被設置於支撐件150之下表面中不同之區域上。第一墊175與第二墊185係為引線電極或接合層，其係用以接收電力。
第一墊175係與第二連接電極173相連接，而第二墊185係與第二電極183相連接。第二電極183係與第二接合層145B之側面相連接。
該些電極173、183以及該些墊175、185可在支撐件150與基板101接合，或晶片被分離之後，形成於支撐件150之上。然而，本發明之範疇並不限制於此。
如圖6所示，支撐件150與發光結構層135係位於相對之位置，且彼此相互接合。
此時，第二接合層145B係對應於第一接合層145A，而第二絕緣層160B係對應於第一絕緣層160A。
參閱圖5和圖6，其中第一接合層145A與第二接合層145B係彼此相互接合且彼此相互電性連接。另外，第一絕緣層160A與第二絕緣層160B係彼此相互接合，以形成一第一絕緣件160。
然後，基板101可由一物理及/或化學方法來去除。基板101可由一物理方法來去除，例如雷射剝離製程(laser lift off，LLO)，其中具有一預設波長區域之雷射光束係被輻照於基板101。若另一半導體(例如，一緩衝層)形成於基板101與第一導電型半導體層110之間，則可使用一蝕刻劑(etchant)來去除該緩衝層，進而去除基板101。基板101自第一導電型半導體層110上被去除以後，一感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)/反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching，RIE)可被執行於第一導電型半導體層110之一表面上。然而，本發明之範疇並不限制於此。
然後，導電層140係被設置於第二導電型半導體層130之下方，接合層145係被設置於導電層140之下方，而支撐件150係被設置於接合層145之下方。接合層145係連接導電層140和第二電極183。
參閱圖6和圖7，第三絕緣層162係藉由沿著發光結構層135之邊緣區域進行一蝕刻處理來暴露。一第二絕緣件165係形成於發光結構層135之周圍。第二絕緣件165可自第三絕緣層162之頂面，延伸至第一導電型半導體層110之一頂面之一周緣部分。該蝕刻處理可包含有一乾蝕刻及/或一濕蝕刻。用以分離晶片之邊界可經由該蝕刻處理被蝕刻。
一第一連接電極171可形成於發光結構層135之一側上。第一連接電極171可與第二連接電極173之上端相接觸，且可延伸至第一導電型半導體層110之頂面。第一連接電極171可使用Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及Au其中一者或多者來形成單層或多層結構。第一連接電極171可由根據歐姆接觸、金屬層間接觸、反射性質、導電性質等來選自由上述之材料所形成。
第一連接電極171可具有一分歧構造(split structure)如一枝狀結構、一橋樑結構、一輻射結構(radial structure)、一臂狀結構、及一指狀結構。該分歧構造可與至少第一導電型半導體層110之頂面之一邊緣區域相接觸。第一連接電極171之該分歧構造可由不同區域與第一導電型半導體層110之頂面相接觸，以均勻地提供一電流並防止電流匯聚。
第一及第二連接電極171、173係連接第一導電型半導體層110和第一墊175。
第一絕緣層160A係防止第一連接電極171與其他層(120、130、145A)相接觸。
一取光結構112可由一乾蝕刻處理或一濕蝕刻處理而形成於第一導電型半導體層110之頂面上。取光結構112可包括規則或不規則之尺寸大小。取光結構112可包括一圖案如一粗糙圖案、一凹凸圖案、或一紋路圖案。取光結構112可改變入射光的臨界角。
第一墊175係藉由第一及第二連接電極171、173，來與第一導電型半導體層110電性連接。第二墊185係藉由第二電極183、接合層145、及導電層140，來與第二導電型半導體層130電性連接。
第二連接電極173、第一墊175、第二電極183、及第二墊185可事先形成於支撐件150之上，或可與第一連接電極171一起形成。
包括有一透明氧化物或氮化物之一電流擴散層可形成於第一導電型半導體層110之上。舉例而言，該電流擴散層可由例如ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、ITON(ITO nitride)、IZON(IZO nitride)、IrOx、RuOx 、RuOx /ITO、Ni/IrOx /Au、及Ni/IrOx /Au/ITO之一材料所形成。
該電流擴散層可被設置於第一導電型半導體層110與第一連接電極171之一上部分之間，以將一電流擴散至第一導電型半導體層110之整體區域。
圖8係繪示有根據第二實施例中一發光裝置100之側剖面圖。在下文關於圖8之說明中，在第一實施例說明內已被提及者將予以省略。
參閱圖8，發光裝置100進一步包含有一第二絕緣件165於第一連接電極171與一發光結構層135之間。第二絕緣件165係可避免發光結構層135之一側面與第一連接電極171相接觸。
第二絕緣件165可完全地或部分地形成於發光結構層135之側面上。然而，本發明之範疇並不限制於此。
第二絕緣件165可延伸至一第一導電型半導體層110之頂面。第一連接電極171之一上部分171A可進一步自第二絕緣件165之頂面，朝向第一導電型半導體層110之內側延伸，以使上部分171A可與第一導電型半導體層110之頂面相接觸。
圖9係繪示有根據第三實施例中一發光裝置100A之側剖面圖。在下文關於圖9之說明中，在第一實施例說明內已被提及者將予以省略。
參閱圖9，發光裝置100A係包含有一導電支撐件190以及一第三絕緣件151於該導電支撐件190之上。導電支撐件190可為一矽晶圓(silicon wafer)或由例如GaN、Si、及GaAs之材料所形成之一半導體基板。或者，導電支撐件190可為一具有高熱傳導性之金屬基板。然而，導電支撐件190並不限制於此。
第三絕緣件151係形成於導電支撐件190之上。第三絕緣件151由一材料，例如SiO2 、SiOx 、SiOx Ny 、Si3 N4 、Al2 O3 、及TiO2， 所形成，但不限制於此。第三絕緣件151係將導電支撐件190絕緣自一第一電極173、一第一墊175、一第二電極183、以及一第二墊185。
第三絕緣件151係被設置於導電支撐件190與一第二接合層145B之間，作為一絕緣器。
導電支撐件190可連接於第一墊175或第二墊185。舉例而言，導電支撐件190可連接於第二墊185與第二接合層145B之間。詳細來說，藉由去除導電支撐件190與第二接合層145B之間的第三絕緣件151之一區域，導電支撐件190與第二接合層145B可彼此連接。在此情況下，第二電極183可被省略不用，而藉此可提升發光裝置100A之散熱效率。
圖10係繪示有根據第四實施例中一發光裝置100B之側剖面圖。在下文關於圖10之說明中，在第一實施例說明內已被提及者將予以省略。
參閱圖10，發光裝置100B係包含有一導電支撐件190以及複數個摻雜區域153、155於該導電支撐件190之中。舉例而言，導電支撐件190可為一載體晶圓(carrier wafer)，例如一矽晶圓(Si wafer)。藉由擴散一N型摻雜物於導電支撐件190中，或摻雜一N型摻雜物於導電支撐件190中，導電支撐件190可被用作為一N型基板。相對地，藉由擴散一P型摻雜物於導電支撐件190中，或摻雜一P型摻雜物於導電支撐件190中，導電支撐件190可被用作為一P型基板。
至少一摻雜區域可形成於導電支撐件190之中。該摻雜區域可包含有一摻雜物，其極性係與導電支撐件190之極性相反。
導電支撐件190之一第一區域上，並未覆蓋一第三絕緣件151，且係形成為一第一摻雜區域153。第一摻雜區域153係與一第一墊175和導電支撐件190電性連接，以作為一齊納二極體(Zener diode)來作用。第一摻雜區域153係藉由植入或擴散一極性與導電支撐件190之極性相反之摻雜物來形成。舉例而言，若導電支撐件190係具有一N型極性，則第一摻雜區域153可具有一P型極性。在此情況下，可形成一N-P接面之齊納二極體。
導電支撐件190之一第二區域上，並未覆蓋第三絕緣件151，且係形成為一第二摻雜區域155。第二摻雜區域155係連接於一第二墊185與導電支撐件190，以作為一齊納二極體來作用。第二摻雜區域155係藉由植入或擴散一極性與導電支撐件190之極性相反之摻雜物來形成。舉例而言，若導電支撐件190係具有一N型極性，則第一摻雜區域153可具有一P型極性。在此情況下，可形成一N-P接面之齊納二極體。
由導電支撐件190連接之該些摻雜區域153、155可平行連接於發光結構層135，以保護發光結構層135不受異常電流供給之影響。
第一和第二摻雜區域153、155可具有一量子井結構，且可為N型摻雜區域。在另一實例中，P型摻雜區域可進一步被包含於N型摻雜區域中。這樣的雙摻雜區域(double doped region)可構成NPN開關裝置(NPN switching device)如薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)。這樣的開關裝置可保護發光裝置100B，並控制電流性質。
圖11係繪示有根據第五實施例中一發光裝置100C之側剖面圖。在下文關於圖11之說明中，在之前實施例說明內已被提及者將予以省略。
參閱圖11，發光裝置100C係包含有一導電支撐件190以及至少一摻雜區域153。舉例而言，導電支撐件190可為一載體晶圓，例如一矽晶圓。藉由擴散一N型摻雜物於導電支撐件190中，或摻雜一N型摻雜物於導電支撐件190中，導電支撐件190可被用作為一N型基板。相對地，藉由擴散一P型摻雜物於導電支撐件190中，或摻雜一P型摻雜物於導電支撐件190中，導電支撐件190可被用作為一P型基板。至少一摻雜區域153可形成於導電支撐件190之中。摻雜區域153可包含有一摻雜物，其極性係與導電支撐件190之極性相反者。舉例而言，若導電支撐件190係具有一N型極性，則摻雜區域153可具有一P型極性。在此情況下，可形成一N-P接面之齊納二極體。
導電支撐件190之一第一區域上，並未覆蓋一第三絕緣件151，故摻雜區域153可與一第一墊175相連接。摻雜區域153係與第一墊175和導電支撐件190電性連接，以作為一齊納二極體來作用。
導電支撐件190之一第二區域152上，並未覆蓋第三絕緣件151，故導電支撐件190可與第二墊185相連接。發光裝置100C之導電支撐件190可包含有至少一齊納二極體。在另一實例中，導電支撐件190可將第二墊185連接至一第二接合層145B。
一取光結構112A可藉由隨機排列不規則之圖案，來形成於一第一導電型半導體層110之頂面上。取光結構112A可由一濕蝕刻或一乾蝕刻方法來改善其取光效率。
一透明之電流擴散層195可被設置於第一導電型半導體層110之上。電流擴散層195可被設置於第一連接電極171與第一導電型半導體層110之間。肇因於電流擴散層195之故，自第一連接電極171提供之一電流可被擴散通過第一導電型半導體層110。肇因於電流擴散層195之故，第一連接電極171與第一導電型半導體層110可彼此相隔而設，且自第一連接電極171提供之一電流可被擴散通過第一導電型半導體層110。又，經由第一導電型半導體層110頂面所傳導之光可被有效地汲取。
電流擴散層195可覆蓋第一導電型半導體層110之頂面的至少50%。
舉例而言，電流擴散層195可由例如ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、ITON(ITO nitride)、IZON(IZO nitride)、IrOx、RuOx 、RuOx /ITO、Ni/IrOx /Au、及Ni/IrOx /Au/ITO之材料所形成。
圖12係為根據本發明實施例中一發光裝置封裝件30之剖面圖。
參閱圖12，發光裝置封裝件30係包含有一本體31(body)；第一、第二引線架32、33(lead frame)設置於本體31之上；根據上述實施例所構成之一發光裝置100，其係由焊料35被設置於第一、第二引線架32、33之上；以及一封閉發光裝置100之模製件40(molding member)。
本體31可為矽材、合成樹脂或金屬材料所形成。本體31可包含有一腔體22，其頂側開放。腔體22之側壁可為斜角或垂直於腔體22之下表面。舉例而言，腔體22可提供一傾斜表面於發光裝置100周圍。
第一、第二引線架32、33係彼此電性隔離，且係可提供電力給發光裝置100。發光裝置100可以一晶粒接合方法(die bonding method)與第一、第二引線架32、33相連接，而無須使用獨立的打線。
發光裝置100之一第一墊係被接合至第二引線架33，而發光裝置100之一第二墊可被接合至第一引線架32。
第一、第二引線架32、33可形成一框架結構，或該些引線架可由一電鍍方法形成。然而，本發明之範疇並不限制於此。
第一、第二引線架32、33可被暴露至本體31之外，並可沿著本體31之側面及下表面延伸。在另一實例中，第一、第二引線架32、33可使用自腔體22之下表面延伸至本體31之下表面的通孔或貫孔(via-holes or through-holes)來形成。
模製件40可包含有一透明材料如矽或環氧樹脂。模製件40可包覆發光裝置100以保護之。另外，模製件40可包含有一螢光材料(phosphor)以使自發光裝置100發出之光的波長改變。一透鏡(lens)可被設置於模製件40上。該透鏡可與模製件40相接觸或與模製件40以一預設距離相隔而設。然而，本發明之範疇並不限制於此。
上述之實施例中所述之發光裝置可使用一晶粒接合方法，直接接合於一引線架或一板材，而無須額外使用打線，且該發光裝置可使用一模製件來封裝。雖然上述之該發光裝置封裝件係為一頂部發光型，但該發光裝置封裝件亦可為一側面發光型，且其散熱、導電、及反射改善效果均相同。該發光裝置封裝件或該發光裝置可被用作指示裝置、照明裝置、或顯示之光源來使用。上述之實施例並非用以限制本發明；其係可被選擇性地應用於其他實施例中者。
該發光裝置或發光裝置封裝件係可用作一照明單元來使用。照明單元係包含有一結構，其有複數個發光裝置封裝件配置排列於其中。該照明單元之實例包括可包含一照明燈、一交通號誌燈、一交通工具頭燈、以及一電子顯示招牌。
<照明系統>
本發明實施例中之發光裝置和發光裝置封裝件可被應用於一發光單元。照明單元具有複數個發光裝置或複數個發光裝置封裝件組成之一陣列結構(array structure)。照明系統可包含有如圖13和圖14所示之顯示裝置(display apparatus)；如圖15所示之照明單元(lighting unit)；一照明燈(lighting lamp)、一指示燈(signal light)、一交通工具頭燈(vehicle headlight)、以及一電子顯示(electronic display,)等。
圖13係為本發明一實施例中顯示裝置之立體分解圖。
參閱圖13，顯示裝置1000包含一導光板1041(light guide plate)；一發光模組1031，其係提供光給導光板1041；一反射部件1022於導光板1041之下；一光學片1051(optical sheet)於導光板1041之上；一顯示面板1061(display panel)位於光學片1051之上；以及一底蓋1011，其係容納有導光板1041、發光模組1031、以及反射部件1022。然而，本發明之實施例並不限制於上述之結構。
底蓋1011、反射部件1022、導光板1041、及光學片1051可組成一照明單元1050。
導光板1041係可藉由擴散線性光(linear light)，來將其轉換成面光(planar light)。導光板1041可由一透明材料形成，且可包含下述其中一種的丙烯醯系列樹脂(acryl-series resin)：聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthlate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、環烯烴共聚物(cyclic olefin copolymer，COC)、及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)樹脂。
發光模組1031係提供光給導光板1041之至少一側面，且最終係作為一顯示裝置之一光源。
發光模組1031可包含有至少一發光模組，且自導光板1041之一側面直接或間接地提供光。發光模組1031可包括有一基板1033及根據上述實施例之發光裝置封裝件30；發光裝置封裝件30係以一預設間隔彼此相隔而設於基板1033之上。
基板1033可為包含有電路圖案(circuit pattern)(未圖示)之一印刷電路板(PCB)。除了典型的印刷電路板外，基板1033亦可包括有金屬芯印刷電路板(MCPCB)及軟性印刷電路板(FPCB)等等，但不限制於此。若發光裝置封裝件30係安裝於一側面或於一散熱板(heat releasing plate)之上，則此情形下基板1033可被去除。在此處，部分的散熱板可與底蓋1011之一上表面相接觸。
另外，該些發光裝置封裝件30可被裝設於基板1033之上，以使該些發光裝置封裝件30之發光表面(light emitting surface)能與導光板1041以一預設距離相隔而設；但不限制於此。發光裝置封裝件30可直接地或間接地提供光給一入光部(light incident surface)，也就是導光板1041之一側；然而，本發明之實施例並不限制於此。
反射部件1022可被提供於導光板1041之下方。反射部件1022係將入射到導光板1041之一下表面的光向上反射，以使照明單元1050之亮度獲得改善。舉例而言，反射部件1022可由材料如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)樹脂等等來形成，但不限制於此。
底蓋1011可容納導光板1041、發光模組1031、以及反射部件1022等。為達此目的，底蓋1011具有一容納部分1012(receiving part)，其係為一頂面呈開放之盒狀；但不限制於此。底蓋1011可與一頂蓋連接，但不限制於此。
底蓋1011可使用金屬材料或樹脂材料來形成，或可以一壓製成型方法(press molding)或一射出成型方法(injection molding)來製造。另外，底蓋1011可包括具極佳熱傳導性之金屬或非金屬材料，但不限制於此。
顯示面板1061可為例如一LCD面板，且係包括有相向之第一及第二透明基板，以及設置在該第一及該第二透明基板之間之一液晶層(liquid crystal layer)。一偏光板(polarizing plate)可連接於顯示面板1061之至少一表面上，但不限制於此。顯示面板1061藉由通過光學片1051的光來顯示資訊。顯示裝置1000可被應用於各種不同的行動終端、筆記型電腦螢幕、電腦螢幕及電視螢幕等。
光學片1051可被設置於顯示面板1061及導光板1041之間，且係包括有至少一透明片(transparent sheet)。舉例而言，光學片1051可包括一擴散片(diffusion sheet)、水平及/或垂直稜鏡片(horizontal and/or vertical prism sheet)、及一增光片(brightness enhanced sheet)其中至少一者。該擴散片係可擴散(diffuse)入射光。該水平及/或垂直稜鏡片係可集中該入射光至一顯示區域上。該增光片係可重新使用逸失的光以增強亮度。另外，一保護片可被設置於顯示面板1061上，但不限制於此。此處，在發光模組1031之光路徑上，顯示裝置1000可包含有導光板1041及光學片1051作為其中之光學部件；然而，本發明之實施例並不限制於此。
圖14係繪示有依據本發明一實施例中顯示裝置之剖面圖。
參閱圖14，顯示裝置1100係包括有一底蓋1152、排列有上述之發光裝置封裝件30之一基板1120、一光學部件1154、及一顯示面板1155。
基板1120及發光裝置封裝件30可被定義為一發光模組1060。底蓋1152、至少一發光模組1160、及光學部件1154可構成一照明單元。
底蓋1152可提供一容納部分，但不限制於此。
此處，光學部件1154可包含有以下至少一者：一透鏡(lens)、一導光板、一擴散片、一水平及垂直稜鏡片、及一增光片。該導光板可由PC(polycarbonate)材料或PMMA(Poly methyl methacrylate)材料形成，且可被省略。該擴散片係可擴散入射光。該水平及垂直稜鏡片係可集中該入射光至一顯示區域。該增光片係可重新使用逸失的光以增強亮度。
光學部件1154係設置於發光模組1060上。光學部件1154係將發光模組1060所發出之光轉換為面光源，並可擴散或匯集光等等。
圖15係繪示有本發明一實施例中照明單元之立體圖。
參閱圖15，照明單元1500可包括有一外殼1510、一發光模組1530，其係安裝於外殼1510中、以及一連接終端1520，其係安裝於外殼1510中，且提供來自一外部電源的電力。
較佳地，外殼1510係以具有極佳熱屏蔽性質之材料製成，例如一金屬材料或一樹脂材料。
發光模組1530可包括有一基板1532及安裝於基板1532上之至少一個根據上述實施例之發光裝置封裝件30。發光裝置封裝件30可包含有複數個發光裝置封裝件，其係以一矩陣組態(matrix configuration)以一預設距離彼此相隔而設。
基板1532可為一絕緣基板，其上印刷有一電路圖案，並可包括有，例如，一印刷電路板(PCB)、一金屬芯印刷電路板(MCPCB)、一軟性印刷電路板(FPCB)、一陶瓷電路板、及一FR-4基板。
另外，基板1532亦可由能夠有效反射光線之材料所形成，且其中之一表面可為能夠有效反射光線之顏色，例如，一白色或一銀色。
至少一發光裝置封裝件30可被安裝於基板1532之上。各個發光裝置封裝件30可包括有至少一發光二極體(light emitting diode，LED)晶片。該發光二極體晶片係可包括有一可見光發光二極體，如紅、綠、藍、或白光，或者一紫外光(ultraviolet,UV)發光二極體，其係可發出紫外光。
發光模組1530中之發光裝置封裝件可為不同的組合配置，以取得理想之色調及亮度。舉例而言，一白光發光二極體、一紅光發光二極體、以及一綠光發光二極體可被組合配置，以得到高顯色性指數(Color Rendering Index,CRI)。
連接終端1520可與發光模組1530電性連接以提供電力。連接終端1520可以一牙槽(socket)之形狀，螺接(screw-coupled)一外部電源，但不限制於此。舉例而言，連接終端1520可為一插針型(pin type)，以將連接終端1520插入該外部電源內，或利用一電線連接至該外接電源。
根據本發明實施例，包括了發光裝置之發光裝置封裝件係被排列於基板之上，以構成發光模組。另外，如圖1所示之發光裝置係被排列於基板之上，然後被封裝，以構成發光模組。
根據本發明實施例，一種發光裝置製造方法可包括下列步驟：形成複數個化合物半導體層於基板之上，其中該些化合物半導體層係包括一第一導電型半導體層、一主動層以及一第二導電型半導體層；形成一導電層於該些化合物半導體層之上；部分地蝕刻該導電層、該第二導電型半導體層、和該主動層，來形成一第一絕緣層；形成一第一接合層於該導電層之上；將形成於一支撐件上之一第二接合層與於該第一接合層耦接；去除該基板；以及形成一第一連接電極，其係使該第一導電型半導體層可與該第一連接電極電性連接，且該第一連接電極係被設置於該第一絕緣層之一外側。
根據本發明實施例，不需要形成一墊片於一半導體層之上，故半導體層之頂面的取光效率可被提升。根據本發明實施例，相較於具有一側式電極結構(lateral electrode structure)之一發光裝置，本發明之一發光區域被降低的情況較弱。根據本發明實施例，藉由沉積一接合電極(bonding electrode)於一基板之下，可使一發光區域被降低的情況減弱。根據本發明實施例，可改善取光效率。根據本發明實施例，可提供可靠的發光裝置封裝件以及照明系統，其係包括發光裝置。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之智識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
22．．．腔體
30．．．發光裝置封裝件
31．．．本體
32．．．第一引線架
33．．．第二引線架
35．．．焊料
40．．．模製件
100．．．發光裝置
100A．．．發光裝置
100B．．．發光裝置
100C．．．發光裝置
101．．．基板
110．．．第一導電型半導體層
112、112A．．．取光結構
120．．．主動層
130．．．第二導電型半導體層
135．．．發光結構層
140．．．導電層
145．．．接合層
145A．．．第一接合層
145B．．．第二接合層
150．．．支撐件
151．．．第三絕緣件
152．．．第二區域
153、155．．．摻雜區域
160．．．第一絕緣件
160A．．．第一絕緣層
160B．．．第二絕緣層
162．．．第三絕緣層
163．．．階梯結構
165．．．第二絕緣件
171、173．．．第一電極
171A．．．上部分
175．．．第一墊
183．．．第二電極
185．．．第二墊
190．．．導電支撐件
195．．．電流擴散層
1000．．．顯示裝置
1011．．．底蓋
1012．．．容納部分
1022．．．反射部件
1031．．．發光模組
1033．．．基板
1041．．．導光板
1050．．．照明單元
1051．．．光學片
1061．．．顯示面板
1100．．．顯示裝置
1120．．．基板
1060．．．發光模組
1152．．．底蓋
1154．．．光學部件
1155．．．顯示面板
1500．．．照明單元
1510．．．外殼
1520．．．連接終端
1530．．．發光模組
1532．．．基板
T1．．．寬度
圖1係繪示有根據本發明第一實施例中一發光裝置之側剖面圖；
圖2至圖7係解釋圖1中發光裝置之製造方法流程圖；
圖8係繪示有根據第二實施例中一發光裝置之側剖面圖；
圖9係繪示有根據第三實施例中一發光裝置之側剖面圖；
圖10係繪示有根據第四實施例中一發光裝置之側剖面圖；
圖11係繪示有根據第五實施例中一發光裝置之側剖面圖；
圖12係繪示有根據第六實施例中一發光裝置之側剖面圖；
圖13係繪示有一包括發光裝置之顯示裝置之立體分解圖；
圖14係繪示有一包括發光裝置之顯示裝置之另一實例的剖面圖；以及
圖15係繪示有一包括發光裝置之照明單元之立體圖。
100．．．發光裝置
110．．．第一導電型半導體層
112．．．取光結構
120．．．主動層
130．．．第二導電型半導體層
135．．．發光結構層
140．．．導電層
145．．．接合層
145A．．．第一接合層
145B．．．第二接合層
150．．．支撐件
160．．．第一絕緣件
160A．．．第一絕緣層
160B．．．第二絕緣層
162．．．第三絕緣層
163．．．階梯結構
165．．．第二絕緣件
171、173．．．第一電極
171A．．．上部分
175．．．第一墊
183．．．第二電極
185．．．第二墊
T1．．．寬度

Claims (15)

  1. 一種發光裝置包括：一發光結構層，其係包含有一第一導電型半導體層、一主動層於該第一導電型半導體層之下方、以及一第二導電型半導體層於該主動層之下方；一導電層於該發光結構層之下方；一接合層於該導電層之下方；一支撐件於該接合層之下方；一第一墊於該支撐件之下方；一第二墊於該支撐件之下方，並距該第一墊有一距離；一第一電極連接於該第一導電型半導體層與該第一墊之間；以及一第二電極連接於該接合層與該第二墊之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一電極係包括：一第一連接電極於該發光結構層之一第一側面上，且與該第一導電型半導體層相連接；以及一第二連接電極於該支撐件之一第一側面上，以連接該第一連接電極與該第一墊。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該第一連接電極之一部分係自該第一導電型半導體層之一第一側面延伸至該第一導電型半導體層之頂面，以及該第一導電型半導體層之該部分以及該導電層係設置於該發光結構層之相對側上。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其進一步包含有一第一絕緣件於該第一電極與該導電層、該發光結構層、和該接合層其中至少一者之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣件係自該發光結構層和該接合層之外表面被向內設置。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該第二電極係被設置於該支撐件之一第二側面上，而該支撐件之該第一側面及該第二側面係為不同的面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該接合層係包括：一第一接合層於該支撐件之上；以及一第二接合層於該第一接合層與該導電層之間。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該第一絕緣件之一部分係被設置於該發光結構層與該接合層之間的一周邊區域上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該導電層係包括：一歐姆接觸層，其係與該第二導電型半導體層之一下表面相接觸；以及一反射層於該歐姆接觸層之下方。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該支撐件係包含有一絕緣材料。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其包括一第二絕緣件於該支撐件之一表面上，其中該支撐件係包含有一載體晶圓。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其進一步包括一電流擴散層，該電流擴散層係由一透明材料形成於該第一導電型半導體層之上，其中該第一電極係與該電流擴散層相連接。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該接合層之一寬度係為至少該發光結構層之一寬度的50%，更包括有一電流擴散層於該第一導電型半導體層之上，且包含有一透明材料。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該支撐件係包含有一載體晶圓，該載體晶圓係包括至少一摻雜區域，其中該載體晶圓的該摻雜區域係與該第一墊及該第二墊其中至少一者相連接。
  15. 一種發光裝置封裝件包括：一本體；一第一引線架和一第二引線架於該本體中；一發光裝置於該第一引線架和該第二引線架之上，且與該第一引線架和該第二引線架電性連接；以及一模製件於該發光裝置之上，其中該發光裝置係包括：一發光結構層，其係包含有一第一導電型半導體層、一主動層於該第一導電型半導體層之下方、以及一第二導電型半導體層於該主動層之下方；一導電層於該發光結構層之下方；一接合層於該導電層之下方；一支撐件於該接合層之下方；一第一墊於該支撐件之下方，且與該第一引線架之一頂側相連接；一第二墊設置於該支撐件之下方和該第二引線架之上；一第一電極連接於該第一導電型半導體層與該第一墊之間；以及一第二電極連接於該接合層與該第二墊之間。
TW100108886A 2010-04-12 2011-03-16 發光裝置及發光裝置封裝件 TWI500189B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100033490A KR101039879B1 (ko) 2010-04-12 2010-04-12 발광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201143173A TW201143173A (en) 2011-12-01
TWI500189B true TWI500189B (zh) 2015-09-11

Family

ID=44166502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100108886A TWI500189B (zh) 2010-04-12 2011-03-16 發光裝置及發光裝置封裝件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8471241B2 (zh)
EP (1) EP2375460B1 (zh)
JP (1) JP5847421B2 (zh)
KR (1) KR101039879B1 (zh)
CN (1) CN102214764B (zh)
TW (1) TWI500189B (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5528900B2 (ja) 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
EP2562814B1 (en) * 2011-08-22 2020-08-19 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
JP5776535B2 (ja) 2011-12-16 2015-09-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP5729328B2 (ja) * 2012-02-16 2015-06-03 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR101891257B1 (ko) * 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
US9450152B2 (en) 2012-05-29 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods
KR101946914B1 (ko) 2012-06-08 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
EP2674992A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-18 Imec Led and method for making led
JP6275399B2 (ja) * 2012-06-18 2018-02-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
KR101946919B1 (ko) * 2012-08-20 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101956096B1 (ko) * 2012-09-03 2019-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP6239311B2 (ja) * 2012-08-20 2017-11-29 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101956101B1 (ko) * 2012-09-06 2019-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101976459B1 (ko) * 2012-11-02 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
US9196606B2 (en) 2013-01-09 2015-11-24 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Bonding transistor wafer to LED wafer to form active LED modules
CN103066192B (zh) * 2013-01-10 2015-11-18 李刚 半导体发光光源及制造该光源和半导体发光芯片的方法
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
KR102181381B1 (ko) * 2013-08-05 2020-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN103594592B (zh) * 2013-11-08 2016-06-01 溧阳市江大技术转移中心有限公司 具有粗化透明电极的倒装发光二极管
KR102170213B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
KR102164087B1 (ko) * 2014-06-10 2020-10-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR101540762B1 (ko) * 2014-12-04 2015-07-31 루미마이크로 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
WO2017208321A1 (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 サンケン電気株式会社 発光装置
CN108604625A (zh) * 2016-05-31 2018-09-28 三垦电气株式会社 发光装置
CN113299622B (zh) * 2019-06-11 2024-02-27 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管
CN112635630B (zh) * 2020-12-31 2022-05-03 深圳第三代半导体研究院 一种发光二极管及其制造方法
CN112670391A (zh) * 2020-12-31 2021-04-16 深圳第三代半导体研究院 一种发光二极管及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523684A (zh) * 2003-02-19 2004-08-25 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元件
CN101183699A (zh) * 2000-06-30 2008-05-21 株式会社东芝 半导体发光元件
TW200931681A (en) * 2008-01-08 2009-07-16 Epistar Corp Light-emitting device
US20100038668A1 (en) * 2007-02-02 2010-02-18 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3326545B2 (ja) * 1994-09-30 2002-09-24 ローム株式会社 半導体発光素子
US6340824B1 (en) 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11145519A (ja) 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JP2005252222A (ja) * 2004-02-03 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法
US7420218B2 (en) * 2004-03-18 2008-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride based LED with a p-type injection region
KR101193740B1 (ko) * 2004-06-30 2012-10-22 크리 인코포레이티드 발광 소자의 패키징을 위한 칩-규모 방법 및 칩 규모로 패키징된 발광 소자
TWI247441B (en) * 2005-01-21 2006-01-11 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and fabricating method thereof
JP5016808B2 (ja) * 2005-11-08 2012-09-05 ローム株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法
KR100746783B1 (ko) * 2006-02-28 2007-08-06 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN100446288C (zh) 2006-08-01 2008-12-24 金芃 通孔垂直结构的半导体芯片及其制造方法
KR100907223B1 (ko) 2007-07-03 2009-07-10 한국광기술원 수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법
WO2010033792A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Lumenz Llc Textured semiconductor light-emitting devices
KR101014155B1 (ko) * 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101183699A (zh) * 2000-06-30 2008-05-21 株式会社东芝 半导体发光元件
CN1523684A (zh) * 2003-02-19 2004-08-25 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元件
US20100038668A1 (en) * 2007-02-02 2010-02-18 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW200931681A (en) * 2008-01-08 2009-07-16 Epistar Corp Light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102214764B (zh) 2016-03-09
EP2375460B1 (en) 2015-08-12
CN102214764A (zh) 2011-10-12
US8471241B2 (en) 2013-06-25
EP2375460A1 (en) 2011-10-12
JP5847421B2 (ja) 2016-01-20
JP2011223000A (ja) 2011-11-04
US20110248237A1 (en) 2011-10-13
KR101039879B1 (ko) 2011-06-09
TW201143173A (en) 2011-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI500189B (zh) 發光裝置及發光裝置封裝件
TWI420705B (zh) 發光裝置及發光裝置封裝件
US9899567B2 (en) Light emitting device
TWI608634B (zh) 發光裝置
TWI474515B (zh) 發光裝置
KR101028327B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101072193B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법, 및 발광소자 패키지
KR101125335B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
TWI553904B (zh) 發光裝置及發光裝置封裝件
KR20130021300A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
US8426883B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit
KR101865918B1 (ko) 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101836368B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 시스템
KR101880445B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20130088556A (ko) 발광소자 및 발광 소자 패키지
KR101865919B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛, 발광 소자 제조방법
KR101916124B1 (ko) 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101786082B1 (ko) 발광 소자
KR101836373B1 (ko) 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101795026B1 (ko) 발광 소자
KR101926499B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101865934B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130026927A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20130016667A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20120052789A (ko) 발광 소자