JP2007096116A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007096116A JP2007096116A JP2005285429A JP2005285429A JP2007096116A JP 2007096116 A JP2007096116 A JP 2007096116A JP 2005285429 A JP2005285429 A JP 2005285429A JP 2005285429 A JP2005285429 A JP 2005285429A JP 2007096116 A JP2007096116 A JP 2007096116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- light
- refractive index
- layer
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】 保護膜と透明電極層との屈折率差による光取出し性の低下を改善し、高輝度化を図ることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】 透明電極15の表面に屈折率の大なる保護膜17(n=1.65)を有し、その表面に保護膜17より屈折率の小なる保護膜18(n=1.47)を設けることで、層間の屈折率差および保護膜18と素子外との屈折率差を小にでき、p−GaN層14から透明電極15を介して保護膜17に入射する光の界面反射を抑え、さらに保護膜17から保護膜18を介して外部放射される光の外部との界面における反射を低減することができる。そのため、MQW13での発光に基づく光を外部に効率良く放射できるようになり、高輝度化を実現できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 透明電極15の表面に屈折率の大なる保護膜17(n=1.65)を有し、その表面に保護膜17より屈折率の小なる保護膜18(n=1.47)を設けることで、層間の屈折率差および保護膜18と素子外との屈折率差を小にでき、p−GaN層14から透明電極15を介して保護膜17に入射する光の界面反射を抑え、さらに保護膜17から保護膜18を介して外部放射される光の外部との界面における反射を低減することができる。そのため、MQW13での発光に基づく光を外部に効率良く放射できるようになり、高輝度化を実現できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体層を積層して形成された発光素子、より詳しくはGaN、InGaN等の窒化物半導体層が積層された発光素子に関し、特に、保護膜と透明電極層との屈折率差による光取出し性の低下を改善し、高輝度化を図ることのできる発光素子に関する。
従来、GaN、InGaN等の窒化物系半導体材料を下地基板であるサファイア基板上に結晶成長させて半導体層を形成することにより、紫外から可視領域で発光する半導体発光素子(以下、「発光素子」という。)が知られている。
このような発光素子において、半導体層に電圧を印加するためのn側およびp側の電極を半導体層側に形成し、電極形成部以外の部分をSiO2等の保護膜で覆う構成が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に記載される発光素子は、p型半導体層上にITO(Indium Tin Oxide)等からなる透明電極層を形成した後、フォトレジストを設けてエッチングを行うことによりn型半導体層を露出させ、このn型半導体層の露出部を含む発光素子表面にSiO2等の保護膜を設けたものである。
特許文献1に記載される発光素子によると、保護膜を設けることによる発光素子の保護と、マイグレーション現象による絶縁性の低下を抑制することができる。
特開2005−19945号公報([0030]〜[0035]、図1)
しかし、特許文献1の発光装置によると、一般に透明電極層と保護膜との屈折率差が大であるため、発光素子の半導体層側から光を取出すにあたって、透明電極層と保護膜との界面における全反射によって保護膜側に取り出せる光が制限されてしまうという問題がある。例えば、透明電極層がITO(n≒2.0)で形成され、保護膜がSiO2(n≒1.5)である場合、保護膜側に取り出せる光は25%程度に制限されてしまう。
従って、本発明の目的は、保護膜と透明電極層との屈折率差による光取出し性の低下を改善し、高輝度化を図ることのできる発光素子を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、前記透明電極上に設けられて第1の屈折率を有する光透過性の第1の保護膜と、前記第1の屈折率より小なる第2の屈折率を有して前記第1の保護膜上に設けられる第2の保護膜とを有する発光素子を提供する。
このような構成によれば、透明電極と第2の保護膜との間に第1の保護膜を設けることで、隣接する部材との屈折率差を小にでき、屈折率差に起因して部材界面で生じる界面反射を抑制することができる。
また、本発明は、上記目的を達成するため、第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、前記透明電極上に設けられて第1の屈折率を有するとともに表面が粗面化された粗面部を有する光透過性の第1の保護膜と、前記第1の屈折率より小なる第2の屈折率を有して前記第1の保護膜上に設けられる第2の保護膜とを有する発光素子を提供する。
このような構成によれば、透明電極と第2の保護膜との間に第1の保護膜を設けることで、隣接する部材との屈折率差を小にするとともに、第1の保護膜に設けた粗面部の光拡散性に基づいて光入射角の制約を構造的に低減できるので、第2の保護膜への光入射性が高められる。
本発明の発光素子によれば、保護膜と透明電極層との屈折率差による光取出し性の低下を改善し、高輝度化を図ることができる。
[第1の実施の形態]
(発光素子1の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
(発光素子1の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
この発光素子1は、フェイスアップ型の発光素子として窒化物半導体材料をMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法に基づいてサファイア基板10上に結晶成長させることにより形成されており、サファイア基板10上には低温成長のAlNバッファ層11と、シリコン(Si)ドープのn−GaN層12と、発光する層としてInGaN層130とGaN障壁層131とが交互に積層されて形成されたMQW(Multiple-Quantum Well)13と、マグネシウム(Mg)ドープのp−GaN層14と、ITOからなる透明電極15と、SOG(Spin On Glass)からなる保護膜17と、SiO2からなる保護膜18とを有し、さらにp−GaN層14の表面にはp側電極としてのパッド電極16と、p−GaN層14からn−GaN層にかけての半導体層をエッチングにより除去することで露出させたn−GaN層14に設けられるn側電極19とを有し、n−GaN層12からp−GaN層14にかけて屈折率2.4の半導体積層構造部を構成している。
MQW13は、3層のIn0.25Ga0.85N井戸層130と、2層のGaN障壁層131とを交互に積層した6層構造を有する。
保護膜17は、透明電極15の屈折率より小なる屈折率を有するとともに、光取出し側に形成される保護膜18の屈折率よる大なる屈折率を有するように形成されている。
以下に、第1の実施の形態に係る発光素子の製造方法を説明する。
まず、ウエハー状のサファイア基板10を有機洗浄の後、サファイア基板10をMOCVD装置内の成長炉のサセプタ上に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給して1200℃程度まで昇温する。これによりサファイア基板10上の表面に付着していた炭化水素ガスがある程度取り除かれる。
次に、サファイア基板10の温度を400℃程度まで降温し、TMA(トリメチルアルミニウム)及びNH3(アンモニア)を供給してサファイア基板10上に50nm程度の膜厚のAlNバッファ層11を形成する。
次に、TMAの供給を止め、基板温度を1000℃まで上げ、NH3、TMG(トリメチルガリウム)、SiH4(シラン)を供給してキャリア濃度5×1018/cm3のn−GaN層12を形成する。
次に、サファイア基板10にNH3、TMG、及びTMI(トリメチルインジウム)を供給して膜厚30ÅのIn0.25Ga0.85N井戸層130を形成する。
次に、サファイア基板10にNH3及びTMGを供給して170Åの膜厚のGaN障壁層131を形成する。
次に、上記したIn0.25Ga0.85N井戸層130及びGaN障壁層131の成長条件に基づいて合計3層のIn0.25Ga0.85N井戸層130と合計2層のGaN障壁層131より成るMQW13を形成する。
次に、サファイア基板10にTMA,TMG、NH3、及びCp2Mg(ビスシクロペンタディエニルマグネシウム)を供給して膜厚200Åのマグネシウムドープのp−GaN層14を形成する。
次に、所定のエッチャントを使用して、p−GaN層14、MQW13、及びn−GaN層12の一部を除去してn−GaN層12を露出させる。
次に、p−GaN層14の表面にスパッタリングによって屈折率2.0のITOを付着させることにより透明電極15を形成する。
次に、透明電極15の表面にAuからなるパッド電極16をパターン形成する。
次に、エッチャントで露出させたn−GaN層12の表面にスパッタリングによってバナジウムおよびアルミニウム合金からなるn側電極19を形成する。
次に、屈折率1.65のラダー型ポリシルセスキオキサンを用いて、SOGにより3000Åの光透過性膜を形成し、さらに80℃、150℃、200℃で段階的に各3分のベークを行った後、窒素雰囲気中で450℃で30分のアニールを行うことにより保護膜17を形成する。
次に、屈折率1.47のSiO2を用いて、CVD法によりSiO2膜を設け、フォトリソグラフィーによるマスクパターニング、およびエッチングを行って電極形成領域以外の部分に保護膜18を形成する。なお、このエッチングに基づいて電極形成領域に設けられている保護膜17を除去する。
次に、保護膜18の形成されたウエハーに対してダイシング、スクライブ、およびブレーキングを施すことにより、規定サイズの素子単位に分割する。
このようにして形成された発光素子1に対して、パッド電極16およびn側電極19にボンディングされた図示しないAuワイヤを介して順方向の電圧を印加すると、MQW13のIn0.25Ga0.85N井戸層130においてホール及びエレクトロンのキャリア再結合に基づく発光が生じる。発光に基づく光は発光波長460〜470nmの青色光であり、透明電極15、保護膜17および18を介して素子外部へ放射される。
(第1の実施の形態の効果)
本発明の第1の実施の形態によると、透明電極15の表面に保護膜17(n=1.65)を有し、その表面に保護膜17より屈折率の小なる保護膜18(n=1.47)を設けることで、層間の屈折率差および保護膜18と素子外との屈折率差が小になり、そのことによりp−GaN層14から透明電極15を介して保護膜17に入射する光の界面反射を抑え、さらに保護膜17から保護膜18を介して外部放射される光の外部との界面における反射を低減することができる。そのため、MQW13での発光に基づく光を外部に効率良く放射できるようになり、高輝度化を実現できる。
本発明の第1の実施の形態によると、透明電極15の表面に保護膜17(n=1.65)を有し、その表面に保護膜17より屈折率の小なる保護膜18(n=1.47)を設けることで、層間の屈折率差および保護膜18と素子外との屈折率差が小になり、そのことによりp−GaN層14から透明電極15を介して保護膜17に入射する光の界面反射を抑え、さらに保護膜17から保護膜18を介して外部放射される光の外部との界面における反射を低減することができる。そのため、MQW13での発光に基づく光を外部に効率良く放射できるようになり、高輝度化を実現できる。
なお、第1の実施の形態では、保護膜17を形成する材料としてラダー型ポリシルセスキオキサンを用いたが、同等の屈折率を有しSOG膜を形成しうるものであれば他の材料を用いても良い。他の材料として、例えば、シリコン系のシロキサン樹脂を用いることができる。
[第2の実施の形態]
(発光素子1の構成)
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同様の構成および機能を有する部分については共通する符号を付している。
(発光素子1の構成)
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同様の構成および機能を有する部分については共通する符号を付している。
この発光素子1は、第1の実施の形態で説明したものと同様のフェイスアップ型の発光素子であり、保護膜17の表面に凹凸を形成した粗面部171を有する点で第1の実施の形態と相違している。
保護膜17を形成するには、まず、第1の実施の形態で説明したように屈折率1.65のラダー型ポリシルセスキオキサンを用いて、透明電極15上にSOGにより8000Åの光透過性膜を形成し、さらに80℃、150℃、200℃で段階的に各3分のベークを行った後、窒素雰囲気中で450℃で30分のアニールを行うことにより保護膜17を形成する。
次に、フォトリソグラフィーによるマスクパターニングを行って保護膜17の表面に0.8μm角のパターンを0.6μm間隔で形成する。
次に、このマスクパターンを有した保護膜17に対してCF4/N2ガスを用いてエッチングを行い、保護膜17を深さ5000Åほど除去することによって粗面部171を形成する。以降の製造工程は第1の実施の形態と同様である。
このようにして形成された発光素子1の発光に基づく光は、p−GaN層14から透明電極15を介して保護膜17に入射し、保護膜17の粗面部171で粗面形状に応じて散乱または透過することによって保護膜18に入射する。
(第2の実施の形態の効果)
本発明の第2の実施の形態によると、保護膜17の表面に微細な凹凸からなる粗面部171を設けることで、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて保護膜18への光の入射を凹凸形状に基づいて促すとともに、界面での光散乱性を高めて保護膜18から外部放射される光を増大させることができる。
本発明の第2の実施の形態によると、保護膜17の表面に微細な凹凸からなる粗面部171を設けることで、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて保護膜18への光の入射を凹凸形状に基づいて促すとともに、界面での光散乱性を高めて保護膜18から外部放射される光を増大させることができる。
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。
1…発光素子、10…サファイア基板、11…AlNバッファ層、12…n−GaN層、13…MQW、14…p−GaN層、15…透明電極、16…パッド電極、17…保護膜(SOG)、18…保護膜(SiO2)、19…n側電極、130…In0.25Ga0.85N井戸層、131…GaN障壁層、171…粗面部
Claims (5)
- 第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、
前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、
前記透明電極上に設けられて第1の屈折率を有する光透過性の第1の保護膜と、
前記第1の屈折率より小なる第2の屈折率を有して前記第1の保護膜上に設けられる第2の保護膜とを有することを特徴とする発光素子。 - 第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、
前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、
前記透明電極上に設けられて第1の屈折率を有するとともに表面が粗面化された粗面部を有する光透過性の第1の保護膜と、
前記第1の屈折率より小なる第2の屈折率を有して前記第1の保護膜上に設けられる第2の保護膜とを有することを特徴とする発光素子。 - 前記第1の保護膜は、SOG(Spin On Glass)により設けられる請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記第1の保護膜は、SOG(Spin On Glass)により設けた薄膜に凹凸形状に応じたパターニングを施してエッチングすることにより形成した前記粗面部を有する請求項2に記載の発光素子。
- 前記第1の保護膜は、ラダー型ポリシルセスキオキサンからなる請求項1または2に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005285429A JP2007096116A (ja) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005285429A JP2007096116A (ja) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007096116A true JP2007096116A (ja) | 2007-04-12 |
Family
ID=37981433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005285429A Pending JP2007096116A (ja) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007096116A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1914812A2 (en) * | 2006-10-18 | 2008-04-23 | Sony Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
WO2009136770A3 (ko) * | 2008-05-08 | 2010-03-11 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2010528469A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
CN102067337A (zh) * | 2008-08-19 | 2011-05-18 | 晶能光电(江西)有限公司 | 具有硅胶保护层的半导体发光器件 |
JP2011192999A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2013140983A (ja) * | 2012-01-03 | 2013-07-18 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
KR101382731B1 (ko) | 2010-02-08 | 2014-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR20160116470A (ko) * | 2015-03-30 | 2016-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP2017045815A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
KR20170035025A (ko) * | 2015-09-22 | 2017-03-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
-
2005
- 2005-09-29 JP JP2005285429A patent/JP2007096116A/ja active Pending
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1914812A3 (en) * | 2006-10-18 | 2009-10-14 | Sony Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7858418B2 (en) | 2006-10-18 | 2010-12-28 | Sony Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP1914812A2 (en) * | 2006-10-18 | 2008-04-23 | Sony Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2010528469A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
WO2009136770A3 (ko) * | 2008-05-08 | 2010-03-11 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100969128B1 (ko) | 2008-05-08 | 2010-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
US9368684B2 (en) | 2008-05-08 | 2016-06-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
CN102067337A (zh) * | 2008-08-19 | 2011-05-18 | 晶能光电(江西)有限公司 | 具有硅胶保护层的半导体发光器件 |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
CN101989641A (zh) * | 2009-07-30 | 2011-03-23 | 日立电线株式会社 | 发光元件 |
KR101382731B1 (ko) | 2010-02-08 | 2014-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
US9076930B2 (en) | 2010-03-15 | 2015-07-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
US10084116B2 (en) | 2010-03-15 | 2018-09-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
JP2016026390A (ja) * | 2010-03-15 | 2016-02-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
US9287457B2 (en) | 2010-03-15 | 2016-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
JP2011192999A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
US10833226B2 (en) | 2010-03-15 | 2020-11-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
US9577150B2 (en) | 2010-03-15 | 2017-02-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
US10510929B2 (en) | 2010-03-15 | 2019-12-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
US9837581B2 (en) | 2010-03-15 | 2017-12-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
JP2013140983A (ja) * | 2012-01-03 | 2013-07-18 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
KR20160116470A (ko) * | 2015-03-30 | 2016-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102346719B1 (ko) * | 2015-03-30 | 2022-01-03 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
JP2017045815A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
KR20170035025A (ko) * | 2015-09-22 | 2017-03-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102432588B1 (ko) | 2015-09-22 | 2022-08-17 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007096116A (ja) | 発光素子 | |
US8124985B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP5115425B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
US20070246700A1 (en) | Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same | |
US20050056850A1 (en) | GaN based semiconductor light emitting device and method of making the same | |
JP2009076896A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5301418B2 (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
KR101969171B1 (ko) | 반도체 발광 장치 및 반도체 발광 장치의 제조 방법 | |
WO2011016201A1 (ja) | 発光素子および発光装置 | |
US9070836B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2011176093A (ja) | 発光素子用基板および発光素子 | |
JP2012028773A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR101274651B1 (ko) | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
KR101123010B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
US7572653B2 (en) | Method of fabricating light emitting diode | |
TWI593137B (zh) | 具有異質材料結構之發光元件及其製造方法 | |
JP2005045054A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP6627728B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US8633469B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device | |
JP2005197573A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP4751093B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US9035332B2 (en) | Semiconductor light emitting element array | |
JP5668647B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP6627727B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP2005142532A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 |