CN102412355A - 发光器件 - Google Patents

发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102412355A
CN102412355A CN2011102850416A CN201110285041A CN102412355A CN 102412355 A CN102412355 A CN 102412355A CN 2011102850416 A CN2011102850416 A CN 2011102850416A CN 201110285041 A CN201110285041 A CN 201110285041A CN 102412355 A CN102412355 A CN 102412355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
type semiconductor
conductive
conductive type
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011102850416A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102412355B (zh
Inventor
李尚烈
丁焕熙
文智炯
郑泳奎
崔光基
宋俊午
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102412355A publication Critical patent/CN102412355A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102412355B publication Critical patent/CN102412355B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种发光器件，该发光器件包括发光结构(包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层)、导电层、绝缘层和电流阻挡层。导电层可以具有第一导电部分，所述第一导电部分穿过第二导电类型半导体层和有源层，以接触第一导电类型半导体层。绝缘层可以具有第一绝缘部分，所述第一绝缘部分包围导电层的第一导电部分。电流阻挡层可以基本上包围所述绝缘层的所述第一绝缘部分，所述第一绝缘部分设置在所述电流阻挡层和所述第一导电部分之间。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及发光器件。
背景技术
发光二极管(LED)是用于发光的器件。这种LED可以是利用化合物半导体材料的特性将电信号转换成光的半导体发光器件。
LED可以用于显示装置、用于液晶显示器(LCD)的光源、和照明装置。
发明内容
实施例可以提供具有新型结构的发光器件。
实施例还可以提供发光效率提高的发光器件。实施例还可以提供具有改进的光提取效率的发光器件。
实施例还可以提供用于防止电流集中的发光器件。
在至少一个实施例中，发光器件可以包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；导电层，其穿过第二导电类型半导体层和有源层，以接触第一导电类型半导体层；绝缘层，其位于第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层与导电层之间；电流阻挡层，其位于绝缘层的周边区域中；以及电极，其位于发光结构的一侧，电极与发光结构隔开。
在至少一个实施例中，发光器件可以包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；凹陷，其穿过第二导电类型半导体层和有源层，以暴露第一导电类型半导体层；导电层，其通过凹陷接触第一导电类型半导体层；绝缘层，其位于凹陷的侧表面和导电层之间；电流阻挡层，其接触绝缘层的周边区域；电极，其位于发光结构的一侧，电极与发光结构隔开。
附图说明
可以参照以下的附图详细描述布置和实施例，在附图中，相同的附图标记表示相同的元件，并且其中：
图1是根据第一实施例的发光器件的侧视图；
图2是根据第一实施例的发光器件的平面图；
图3至图11是示出制造根据第一实施例的发光器件的工艺的视图；
图12是根据第二实施例的发光器件的侧视图；
图13是根据第三实施例的发光器件的侧视图；
图14是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；
图15是根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的视图；
图16是根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的照明单元的视图；
具体实施方式
在下面的描述中，应该理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在衬底、层(或膜)、区域、焊盘和/或图案“上”时，它可以直接位于另一个层或衬底上，和/或还可以存在插入层。另外，应该理解，当层被称作在另一个层“下”时，它可以直接位于另一个层下，和/或还可以存在一个或多个插入层。另外，可以基于附图进行关于在各层“上”和“下”的指代。
可以参照附图描述实施例。在附图中，为了便于描述和清晰起见，可以夸大、省略或示意性示出各层的厚度或尺寸。各元件的尺寸可能没有完全反映实际尺寸。
图1和图2是根据第一实施例的发光器件的侧视图和平面图。还可以提供其它实施例和构造。
如图1中所示，发光器件100可以包括导电支撑构件190、位于导电支撑构件190上的发光结构135、与(发光结构135的)第二导电类型半导体层130电连接的电极133、以及位于发光结构135的顶表面和侧表面上的钝化层175。
欧姆接触层150、反射层160、绝缘层170、和导电层180可以设置在导电支撑构件190和发光结构135之间。
电流阻挡层140可以设置在绝缘层170周围。
如图2中所示，电流阻挡层140可以设置在绝缘层170的周边区域中。电流阻挡层140可以直接接触绝缘层170和/或可以与绝缘层170隔开。
电极133可以位于欧姆接触层150上方，以向发光结构135供应电力。
发光结构135可以包括第一导电类型半导体层110、有源层120、和第二导电类型半导体层130。电子和空穴可以从第一导电类型半导体层110和第二导电类型半导体层130供应到有源层120。因此，电子和空穴可以在有源层120中彼此复合，以产生光。
第一导电类型半导体层110可以由III-V族化合物半导体材料形成，所述半导体材料含有第一导电类型的掺杂物，并且第一导电类型半导体层110具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式。例如，化合物半导体材料可以含有由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP组成的组中选择的一种。诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的N型掺杂物可以用作第一导电类型掺杂物。第一导电类型半导体层110可以具有单层结构或多层结构，尽管实施例不限于此。
有源层120可以设置在第一导电类型半导体层110下。有源层120可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、或量子线结构。有源层120可以具有阱层和势垒层的周期，例如，使用III-V族化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层或InGaN阱层/AlGaN势垒层。
导电类型包覆层可以设置在有源层120上方和/或下方。导电类型包覆层可以由基于AlGaN的半导体材料形成。
第二导电类型半导体层130可以设置在有源层120下方。第二导电类型半导体层120可以由含有第二导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体材料形成，并且第二导电类型半导体层120可以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式。例如，化合物半导体材料可以包括从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP组成的组中选择的一种。诸如Mg和Zn的P型掺杂物可用作第二导电类型掺杂物。
发光结构135可以包括在第二导电类型半导体层130下方的另一个半导体层。相反，第一导电类型半导体层110可以是P型半导体层，并且第二导电类型半导体层130可以是N型半导体层。具有与第一导电类型半导体层110的极性不同的极性的第三导电类型半导体层可以设置在第一导电类型半导体层110上。因此，发光结构135可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构或P-N-P结结构中的至少一个。下文中，为了便于描述，可以描述其中发光结构135的最下层是第二导电类型半导体层130的实例，尽管还可以提供其它实施例。
导电支撑构件190可以支撑发光结构135，以与电极133一起向发光结构135供应电力。导电支撑构件190可以电连接到第一导电类型半导体层110，并且电极133可以电连接到第二导电类型半导体层130。
例如，导电支撑构件190可以包含从铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)和铜-钨组成的组中选择的至少一种。导电支撑构件190可以是载体晶片。导电层180可以设置在导电支撑构件190上。导电层180可以将导电支撑构件190电连接到第一导电类型半导体层110。使用导电层180导电支撑构件190和绝缘层170可以彼此附着。导电层180可以防止绝缘层170的材料扩散到导电支撑构件190中，或者导电层180以防止导电支撑构件190的材料扩散到绝缘层170中。
可以进一步提供另一个导电层来增强导电层180和导电支撑构件190之间的附着力。
可以用绝缘层170将导电层180与有源层120、第二导电类型半导体层130、欧姆接触层150、和反射层160物理上分离或者电绝缘。
导电层180可以由具有超导性的金属材料形成，例如，由从Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta组成的组中选择的至少一种来形成。
导电层180可以穿过反射层160、欧姆接触层150、第二导电类型半导体层130和有源层120，以接触第一导电类型半导体层110。
导电层180可以包括第一导电部分181，第一导电部分181穿过第二导电类型半导体层130的开口和有源层120的开口，以接触第一导电类型半导体层110。第一导电部分181可以延伸到第一导电类型半导体层110，以接触第一导电类型半导体层110。导电层180还可以包括第二导电部分182，第二导电部分182设置在导电支撑构件190与欧姆接触层150和反射层160中的至少一个之间。
绝缘层170可以设置在除了导电层180接触第一导电类型半导体层110的接触区域之外的区域中。绝缘层170的一部分可以延伸到第一导电类型半导体层110。因此，绝缘层170的顶表面和侧表面可以接触第一导电类型半导体层110。绝缘层170可以将导电层180与其它层(例如，有源层120、第二导电类型半导体层130、欧姆接触层150和反射层160)电绝缘，以防止导电层180被电短路。绝缘层170可以由绝缘且透光的材料(例如，从SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3组成的组中选择的一种)形成。
绝缘层170可以包括第一绝缘部分171，第一绝缘部分171包围导电层180的第一导电部分181。第一绝缘部分171可以穿过有源层120的开口并且穿过第二导电类型半导体层130的开口。第一绝缘部分171可以延伸到第一导电类型半导体层110，以接触第一导电类型半导体层110。绝缘层170还可以包括第二绝缘部分172，第二绝缘部分172设置在第二导电部分182和欧姆接触层150(和/或反射层160)之间。
欧姆接触层150可以设置在第二导电类型半导体层130下方。欧姆接触层150可以与第二导电类型半导体层130形成欧姆接触，以将电力平稳地供应到发光结构135。可以选择性地将透光导电层和金属用作欧姆接触层150。例如，欧姆接触层150可以是通过使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Pt、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种的单层或者多层。
尽管在第一实施例中设置了欧姆接触层150和反射层160，但是可以不设置欧姆接触层150和反射层160中的至少一个。例如，可以只设置欧姆接触层150，和/或可以只设置反射层160。
欧姆接触层150的第一部分可以与发光结构135竖直地重叠，并且欧姆接触层150的第二部分可以不与发光结构135竖直地重叠并且可以暴露于发光器件100的外部。欧姆接触层150的第一部分可以设置在发光结构135下方。欧姆接触层150的第二部分可以不设置在发光结构135下方，而是设置在除了发光结构135下方之外的区域。
电极133可以与发光结构135隔开和/或可以设置在发光结构135的一侧。
电极133可以接触(在欧姆接触层150的第二部分处的)欧姆接触层150的顶表面。
欧姆接触层150可以从发光结构135的下表面水平延伸到电极133的下表面。也就是说，欧姆接触层150可以接触电极133的下表面，并且可以从电极133的下表面水平延伸，并且欧姆接触层150可以接触发光结构(即，第二导电类型半导体层130的下表面)。因此，电极133和第二导电类型半导体层130可以通过欧姆接触层彼此电连接。
钝化层175可以接触发光结构135的顶表面的一部分、发光结构的侧表面、和/或欧姆接触层150的第二部分的顶表面。
欧姆接触层150可以将电极133(设置在钝化层175的外部)电连接到发光结构135(设置在钝化层175的内部)。
反射层160可以设置在欧姆接触层150下方。反射层160可以反射从发光结构135入射的光，以改进发光器件100的发光效率。
例如，反射层160可以由金属或合金形成，所述金属或合金包含从Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf组成的组中选择的至少一种。可供选择地，可以使用透光和导电材料(例如，从ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO以及金属或合金组成的组中选择的至少一种)的多层结构形成反射层160。例如，反射层160可以包括从IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni组成的组中选择的至少一种。
反射层160的面积可能基本上等于欧姆接触层150的面积。由于反射层160接触欧姆接触层150的下表面，因此反射层160的形状可以基本上与欧姆接触层150的形状相同。
也就是说，反射层160可以具有与发光结构135竖直重叠的第一部分和不与发光结构135竖直重叠的第二部分。反射层160的第一部分可以设置在发光结构135下方。反射层160的第二部分可以不设置在发光结构135下方，而是设置在除了发光结构135下方之外的区域。
反射层160可以从第二导电类型半导体层130的下表面延伸直至电极133的下表面。因此，如同欧姆接触层150，反射层160可以通过欧姆接触层150将电极133(设置在钝化层175的外部)电连接到第二导电类型半导体层130(设置在钝化层175的内部)。
当没有设置欧姆接触层150时，第二导电类型半导体层130和电极133可以通过反射层160彼此直接电连接。
反射层160可以将发光结构135发射的光向上反射，并且将由电极133施加的电流提供到发光结构135中。
电流阻挡层(CBL)140可以直接接触绝缘层170。
CBL 140可以防止电流集中在欧姆接触层150(或反射层160)和用作电极的导电层180之间的最短电流通路中。也就是说，导电层180和欧姆接触层150(或反射层160)之间的最短电流通路间隔可以被限定在导电层180接触第一导电类型半导体层110的区域与绝缘层170接触欧姆接触层150的区域之间。因此，由于电流集中在最短电流通路间隔中，因此可能存在的问题是，电流没有均匀扩展到第一导电类型半导体层110的整个区域中。
为了解决上述问题，在第一实施例中，CBL 140可以设置在最短电流通路间隔的周围。因此，集中在最短电流通路间隔中的电流可以扩展到外围区域中(即，远离绝缘层170的第一导电类型半导体层110的内部)，以使发光器件100的发光效率最高。
CBL 140可以在反射层160下方设置的绝缘层170竖直重叠，并且可以与在反射层160下方设置的绝缘层170通过其间的欧姆接触层150或反射层160隔开。例如，CBL 140可以水平地从绝缘层170突出。
CBL 140可以设置在有源层120与欧姆接触层150或反射层160中的至少一个之间。
CBL 140可以设置在绝缘层170和第二导电类型半导体层130之间。
CBL 140可以设置在与第二导电类型半导体层130相同的层内。
CBL 140的导电率可以低于欧姆接触层150或反射层160的导电率，或者CBL 140的导电率可以高于欧姆接触层150或反射层160的导电率。CBL 140可以由与第二导电类型半导体层130形成肖特基接触的材料形成。
例如，CBL 140可以包含从ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiOxr组成的组中选择的至少一种。SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3可以是绝缘材料。
CBL 140可以由与绝缘层170相同的材料形成，或者由与绝缘层170不同的材料形成。
当CBL 140由与绝缘层170相同的材料形成时，可以通过一个工艺同时制造CBL 140和绝缘层170。因此，可以减少工艺数量并且可以降低工艺成本。
CBL 140可以基本上包围绝缘层170的第一绝缘部分171，使得第一绝缘部分171设置在CBL 140和第一导电部分181之间。如图2中所示，CBL 140可以沿周边包围第一绝缘部分171。在一个实施例中，CBL 140可以沿周边完全包围第一绝缘部分171。在另一个实施例中，CBL 140可以几乎包围第一绝缘部分171的全部周边。可以用诸如半导电材料的另一种材料填充周边的剩余部分。
绝缘部分170的第一绝缘部分171可以包围导电层180的第一导电部分181。
虽然图2示出导电层180的第一导电部分181是圆形，但是导电层180、第一绝缘部分171、和/或电流阻挡层140可以设置成其它形状，例如，方形。
电极133可以设置在欧姆接触层150上。电极133可以是电极焊盘或者具有含电极焊盘的电极图案。该电极图案可以按分支形状从彼此分支出。
可以使用从Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Au、Hf、Pt、Ru和Au或其合金组成的组中选择的至少一种材料，将电极133实现为单层或多层。
由于电极133设置在发光结构135的一侧而非第一导电类型半导体层110的顶表面，因此对沿着竖直方向(即，芯片表面方向)行进的光的吸收会减少。
也就是说，由于电极133没有与发光结构135(包括第一导电类型半导体层110)竖直重叠并且水平地与发光结构135隔开，因此其中要向上行进的从发光结构135发射的光被吸收到电极133的现象会减少。
光提取图案112可以设置在第一导电类型半导体层110的顶表面上。光提取图案112可以使其表面所全反射的光量减少到最少(或使其减少)，以改进发光器件100的光提取效率。光提取图案112可以具有不平坦形状，尽管实施例不限于此。
发光器件100可以改进电流分布。因此，发光器件100的优点可以在于光提取效率可以是优异的。
图3至图11是示出制造根据第一实施例的发光器件的过程的视图。可以提供其它视图和实施例。
如图3中所示，发光结构135可以形成在生长衬底101上。
例如，生长衬底101可以包含从蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge组成的组中选择的至少一种，尽管实施例不限于此。
可以通过在生长衬底101上连续生长第一导电类型半导体层110、有源层120和第二导电类型半导体层130来形成发光结构135。
例如，可以使用从金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、和氢化物气相外延(HVPE)工艺组成的组中选择的一种来形成发光结构135，尽管实施例不限于此。
第一导电类型半导体层110可以由其中掺杂了第一导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体形成，例如，从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP组成组中选择的一种。当第一导电类型半导体层110是N型半导体层时，第一导电类型掺杂物可以包括N型掺杂物，诸如，Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电类型半导体层110可以具有单层或多层结构，尽管实施例不限于此。
有源层120可以形成在第一导电类型半导体层110上。有源层120可以具有单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构。有源层120可以具有阱层和势垒层的周期，例如，使用III-V族化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层或InGaN阱层/AlGaN势垒层的周期。
导电类型包覆层可以设置在有源层120上方和/或下方。导电类型包覆层可以由基于AlGaN的半导体材料形成。
第二导电类型半导体层130可以形成在有源层120上。第二导电类型半导体层130可以由掺杂了第二导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体材料(例如，GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种)形成。当第二导电类型半导体层130是P型半导体层时，第二导电类型掺杂物可以包括P型掺杂物，诸如，Mg和Ze。第二导电类型半导体层130可以具有单层或多层结构，尽管实施例不限于此。
用于减小发光结构135和生长衬底101之间的晶格常数的缓冲层可以形成在其间。
如图4中所示，电流阻挡层140可以形成在第二导电类型半导体层130的一部分中。例如，电流阻挡层140可以注入N、Si和O中的至少一种离子，以形成SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3中的一种。电流阻挡层140可以由从ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO和ZnO组成的组中的一种形成。
如图5中所示，可以选择性地去除发光结构135以形成至少一个凹陷117，使得第一导电类型半导体层110的一部分得以暴露。电流阻挡层140可以形成在凹陷117的周边区域中。
可以通过包括湿法蚀刻工艺和干法蚀刻工艺或激光工艺的蚀刻工艺来形成凹陷117，尽管实施例不限于此。具有凹陷117的发光结构135可以具有垂直于凹陷117的底表面的侧表面或相对于凹陷117的底表面倾斜的侧表面。发光结构135的侧表面可以垂直于发光结构135的周边表面或相对于发光结构135的周边表面倾斜。
如图6中所示，欧姆接触层150可以形成在第二导电类型半导体层130上。反射层160可以形成在欧姆接触层150上。例如，可以使用电子束沉积工艺、溅射工艺、或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中的一种来形成欧姆接触层150和/或反射层160。
如图7中所示，绝缘层170可以形成在发光结构135的内表面上和反射层160上，所述发光结构135的内表面可被蚀刻以形成凹陷117。绝缘层170可以防止发光结构135电短路。
例如，绝缘层170可以由绝缘且透光的材料(例如，SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3中的一种)形成。
如图8中所示，导电层180形成在绝缘层170上。导电支撑构件190可以形成在导电层180上。
导电层180可以电连接到导电支撑构件190和第一导电类型半导体层110。
可以将导电支撑构件190制备为单独的片。可以使用在其中将片附着于导电层180的结合工艺来形成导电支撑构件190。可供选择地，可以使用镀覆工艺或沉积工艺形成导电支撑构件190，尽管实施例不限于此。
如图9中所示，可以去除生长衬底101。可以使用激光剥离工艺或蚀刻工艺中的至少一种，来去除生长衬底101。
可以去除生长衬底101，以暴露第一导电类型半导体层110的表面。
如图10中所示，可以沿着单元芯片区域对发光结构135执行隔离蚀刻工艺，以将发光结构135划分成多个发光结构135。例如，可以通过诸如电感耦合等离子体(ICP)工艺的干法蚀刻工艺或使用诸如KOH、H2SO4、H3PO4的蚀刻剂的湿法蚀刻，来执行隔离蚀刻工艺，尽管实施例不限于此。
可以执行隔离蚀刻工艺以蚀刻发光结构135的侧表面，由此暴露欧姆接触层150和绝缘层170的顶表面的部分。
光提取图案112可以形成在第一导电类型半导体层110的顶表面上。光提取结构112可以具有任意的形状和布置，和/或特定的形状和布置。
可以对发光结构135的顶表面执行湿蚀刻工艺，和/或可以执行物理工艺(诸如，抛光工艺)以形成具有任意形状的光提取结构112。
当光提取图案112具有特定形状时，图案标记可以形成在第一导电类型半导体层110的顶表面上，该图案标记包括形状与光提取图案112的形状对应的图案，并且可以沿着图案标记执行蚀刻工艺，以形成具有特定形状和布置的光提取图案112。
如图11中所示，钝化层175可以形成在发光结构135的侧表面和第一导电类型半导体层110的一部分上。例如，钝化层175可以由绝缘且透光的材料(例如，SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3中的一种)形成。
可以使用溅射工艺和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，形成钝化层175。
电极133可以形成在第一导电类型半导体层110上。电极133可以按预定图案形状形成分支，尽管实施例不限于此。
由于光提取图案112形成在第一导电类型半导体层110上，因此通过制造工艺可以在电极133的顶表面上平稳地形成与光提取图案112对应的图案。
电极133可以接触第一导电类型半导体层的顶表面(即，N面表面)。电极133具有如下的结构：在其中，至少一个焊盘和电极图案相等地或者不等地彼此堆叠，其中，所述电极图案具有至少一种形状并且与焊盘连接。
可以使用从Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Au、Hf、Pt、Ru和Au或其合金组成的组中选择的至少一种材料，将电极133实现为单层或多层。
图12是根据第二实施例的发光器件的侧视图。还可以提供其它实施例和构造。
除了电流阻挡层145的形成位置之外，第二实施例可以近似于第一实施例。因此，根据第二实施例的其它组件的功能和构造可以近似于根据第一实施例的组件。因此，可以省略对第二实施例的一些组件的描述。
如图12中所示，根据第二实施例的发光器件100A可以包括：导电支撑构件190；发光结构135，其位于导电支撑构件190上；导电层180，从下表面向上穿过发光结构135以接触作为发光结构135最上层的第一导电类型半导体层110；绝缘层170，其在导电层180的周围；电流阻挡层145，其在绝缘层170的周围；和电极133，其与发光结构135隔开和/或设置在发光结构135的一侧。
欧姆接触层150或反射层160中的至少一个可以设置在导电支撑构件190和发光结构135之间。
导电层180的一部分可以穿过欧姆接触层150或反射层160中的至少一个，以延伸到欧姆接触层150或者反射层160中的至少一个的下表面。
绝缘层170的一部分可以设置在欧姆接触层150和反射层160中的至少一个与导电层180之间。
参照第一实施例，可以容易地理解关于钝化层175和光提取图案112的描述。
电流阻挡层145的表面可以被绝缘层170的第一绝缘部分171、有源层120、和第一导电类型半导体层110包围。
电流阻挡层145可以水平地从绝缘层170突出。
电流阻挡层145可以设置在第一导电类型半导体层110内。
电流阻挡层145的下表面可以直接接触有源层120，尽管实施例不限于此。电流阻挡层145的下表面还可以与有源层120的顶表面隔开。
电流阻挡层145的顶表面的高度可以等于绝缘层170的第一绝缘部分171。电流阻挡层145的顶表面还可以高于绝缘层170的第一绝缘部分171的端部。电流阻挡层145的顶表面可以不与第一绝缘部分171的端部平行。
如上所述，由于电流阻挡层145设置在第一导电类型半导体层110(在其中，电流扩展是有益的)内，因此与根据第一实施例的第一电流阻挡层140相比时，电流阻挡层145可以将电流扩展到第一导电类型半导体层110的整个区域中。因此，可以进一步使发光效率最大化(或使其提高)。
图13是根据第三实施例的发光器件的侧视图。还可以提供其它实施例和构造。
除了电流阻挡层147的形成位置之外，第三实施例可以近似于第一实施例。因此，根据第三实施例的其它组件的功能和构造可以近似于根据第一实施例的组件。因此，可以省略对第三实施例的一些组件的描述。
如图13中所示，根据第三实施例的发光器件100B可以包括：导电支撑构件190；发光结构135，其位于导电支撑构件190上；导电层180，其从下表面向上穿过发光结构135以接触作为发光结构135最上层的第一导电类型半导体层110；绝缘层170，其在导电层180的周围；电流阻挡层147，其在绝缘层170的周围；和电极133，其与发光结构135隔开和/或设置在发光结构135的一侧。
电流阻挡层147的下表面与有源层120隔开。换句话讲，电流阻挡层147没有接触有源层120。
第一导电类型半导体层110的一部分设置在电流阻挡层147和有源层120之间。
电流阻挡层147具有高于绝缘层170的第一绝缘部分171的端部的表面。绝缘层170的第一绝缘部分171的端部接触第一导电类型半导体层110。
如上所述，由于电流阻挡层147设置在第一导电类型半导体层110(在其中，电流扩展是有益的)内，因此与根据第一实施例的第一电流阻挡层140相比时，电流阻挡层147可以将电流扩展到第一导电类型半导体层110的整个区域中。因此，可以进一步使发光效率最大化(或使其提高)。
图14是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。还可以提供其它实施例和构造。
如图14中所示，发光器件封装可以包括：主体20；第一引线电极31和第二引线电极32，其设置在主体20上；发光器件100，其设置在主体20上并且电连接到第一引线电极31和第二引线电极32；和模制构件40，其包围发光器件100。发光器件还可以是发光器件100A。
主体20可以由硅材料、合成树脂材料、和/或金属材料形成。可以在发光器件100周围设置倾斜表面。
第一引线电极31和第二引线电极32可以彼此电分离，以向发光器件100供应电力。第一引线电极31和第二引线电极32可以反射在发光器件100中产生的光，以提高光效率。第一引线电极31和第二引线电极32可以将发光器件100中产生的热释放到外部。
发光器件100可以设置在主体20上，和/或可以设置在第一引线电极31或第二引线电极32上。
尽管在本实施例中描述了在其中通过布线将发光器件100电连接到第一引线电极31和第二引线电极32的引线结合工艺，但是实施例不限于此。例如，发光器件100可以通过布线连接到第一引线电极31，和/或可以通过管芯结合工艺连接到第二引线电极32。
模制构件40可以包围发光器件100以保护发光器件100。在模制构件40中可以含有荧光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。
发光器件封装可以包括至少一个发光器件或多个发光器件，尽管实施例不限于此。
图15是根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的视图。还可以提供其它实施例和构造。背光单元1100(图15中)被描述为照明系统的实例。实施例不限于此。
如图15中所示，背光单元1100可以包括：底部框架1140；导光构件1120，其设置在底部框架1140内；和发光模块1110，其设置在导光构件1120的至少一个侧表面或底表面上。反射片1130可以设置在导光构件1120下方。
底部框架1140可以具有上侧开口的盒形，用于容纳导光构件1120、发光模块1110、和反射片1130。底部框架1140可以由金属材料或树脂材料形成，尽管实施例不限于此。
发光模块1110可以包括板300和安装在板300上的多个发光器件封装200。多个发光器件封装200可以向导光构件1120提供光。
如图15中所示，发光模块1110可以设置在底部框架1140的至少一个内表面上。因此，发光模块1110可以向着导光构件1120的至少一个侧表面提供光。
发光模块1110可以设置在底部框架1140下方，以向着导光构件1120的下表面提供光。由于可以基于背光单元1100的设计来变化这种结构，因此实施例不限于此。
导光构件1120可以设置在底部框架1140内。导光构件1120可以接收从发光模块1110提供的光以产生平面光，由此将平面光导向显示面板。
例如，导光构件1120可以是导光面板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂的树脂基材料中的一种来形成。
光学片1150可以设置在导光构件1120上方。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片或荧光片中的至少一种。例如，扩散片、聚光片、亮度增强片和/或荧光片可以堆叠以形成光学片1150。光学片1150可以将发光模块1110发出的光均匀扩散，并且可以通过聚光片将扩散光会聚到显示面板。从聚光片发射的光可以是随机偏振的光。亮度增强片可以增强从聚光片发射的光的偏振程度。例如，聚光片可以是水平棱镜片和/或竖直棱镜片。亮度增强片可以是双亮度增强膜。荧光片可以是透光板或含荧光体的膜。
反射片1130可以设置在导光构件1120下方。反射片1130可以将透过导光构件1120的底表面发射的光向着导光构件1120的发光表面反射。
反射片1130可以由具有优异反射性的材料(例如，PET树脂、PC树脂、或PVC树脂)形成，尽管实施例不限于此。
图16是根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的照明单元的视图。还可以提供其它实施例和构造。照明单元1200(图16中)被描述为照明系统的实例。但是，实施例不限于此。
如图16中所示，照明单元1200可以包括：壳体1210；发光模块1230，其设置在壳体1210上；连接端子1220，其设置在壳体1210上，以从外部电源接收电力。
壳体1210可以由具有良好散热性质的材料(例如，金属材料或树脂材料)形成。
发光模块1230可以包括板300和安装在板300上的至少一个发光器件封装200。
可以将电路图案印刷到电介质上，以制造板300。例如，板300可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、和/或陶瓷PCB。
板300可以由可以有效反射光或者具有能有效反射光的颜色(例如，白色或银色)的材料形成。
至少一个发光器件封装200可以安装在板300上。发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色、和白色的光的彩色LED，和/或发射紫外(UV)线的UV LED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合，以得到色感(colorimpression)和亮度。例如，白光LED、红光LED和绿光LED可以彼此组合，以确保高的显色指数。可以进一步在从发光模块1230发射的光的路径上设置荧光片。荧光片可以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄荧光体。因此，从发光模块1230发射的光可以穿过荧光片，最终发射白光。
连接端子1220可以电连接到发光模块1230，以向发光模块1230供应电力。参照图15，连接端子1220可以以插座方式螺纹耦接到外部电源，尽管实施例不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头形状，因此可以插入外部电源。可供选择地，连接端子1220可以通过布线连接到外部电源。
如上所述，在照明系统中，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片和/或荧光片中的至少一个可以设置在从发光模块发射的光的路径上，以得到所需的光学效果。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的任何引用意指，结合实施例描述的特定的特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。出现在本说明书的各个地方的这类短语不必都指代同一实施例。另外，当结合任何实施例来描述特定的特征、结构或特性时，所接受的是，在本领域技术人员的理解内可以结合其它实施例来影响这类特征物、结构或特性。
虽然已参照实施例的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，可以由本领域的技术人员设计出将落入本公开原理的精神和范围内的许多其它修改形式和实施例。更具体来讲，在本公开的范围、附图和所附权利要求书的范围内，在组件部分和/或主题组合布置的布置方式中进行各种变形和修改是可能的。除了组件部分和/或布置方式中的变形和修改之外，其它替代的使用方式对于本领域的技术人员也将是显而易见的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
导电层，所述导电层具有第一导电部分，所述第一导电部分穿过所述第二导电类型半导体层和所述有源层以接触所述第一导电类型半导体层；
绝缘层，所述绝缘层具有第一绝缘部分，所述第一绝缘部分包围所述导电层的第一导电部分；以及
电流阻挡层，所述电流阻挡层基本上包围所述绝缘层的第一绝缘部分，所述第一绝缘部分设置在所述电流阻挡层和所述第一导电部分之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层沿周边包围所述绝缘层的第一绝缘部分。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述绝缘层的第一绝缘部分沿周边包围所述导电层的第一导电部分。
4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电类型半导体层下方的欧姆接触层或反射层中的至少一个。
5.根据权利要求1或4所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层是在所述有源层与所述欧姆接触层或所述反射层中的至少一个之间。
6.根据权利要求1或4所述的发光器件，其中，所述导电层的第一导电部分进一步穿过所述欧姆接触层或者所述反射层中的至少一个，并且所述导电层的第二导电部分设置在所述欧姆接触层或者所述反射层中的至少一个下方。
7.根据权利要求1、4和6中的任一项所述的发光器件，其中，所述绝缘层的第二绝缘部分设置在所述导电层的第二导电部分与所述欧姆接触层或者所述反射层中的至少一个之间。
8.根据权利要求1或4所述的发光器件，其中，所述欧姆接触层或者所述反射层中的至少一个包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述发光结构下方，所述第二部分设置在除了所述发光结构下方之外的区域。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层接触所述绝缘层的第一绝缘部分。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述绝缘层的第一绝缘部分水平地突出，并且所述电流阻挡层设置在与所述第二导电类型半导体层相同的层中，其中，所述电流阻挡层设置在所述绝缘层的第一绝缘部分和所述第二导电类型半导体层之间。
11.根据权利要求1或10所述的发光器件，其中，所述绝缘层的第一绝缘部分、所述有源层和所述第一导电类型半导体层包围所述电流阻挡层的表面。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层的下表面直接接触所述有源层。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层的下表面与所述有源层隔开。
14.根据权利要求1、10和11中的任一项所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层具有高于所述绝缘层的第一绝缘部分的端部的表面。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包含从由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiOx成的组中选择的至少一种。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述导电层包含从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta组成的组中选择的至少一种。
17.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中，所述第二导电类型半导体层包括开口并且所述有源层包括开口；
导电层，所述导电层穿过所述有源层的开口并且穿过所述第一导电类型半导体层的开口，并且所述导电层延伸到所述第一导电类型半导体层，以接触所述第一导电类型半导体层；
绝缘层，所述绝缘层穿过所述有源层的开口并且穿过所述第一导电类型半导体层的开口，并且所述绝缘层延伸到所述第一导电类型半导体层以接触所述第一导电类型半导体层；以及
电流阻挡层，所述电流阻挡层基本上包围且接触所述绝缘层的一部分。
18.根据权利要求17所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电类型半导体层下方的欧姆接触层或者反射层中的至少一个，其中，所述导电层进一步彻底地通过所述欧姆接触层或者所述反射层中的至少一个，并且所述导电层的一部分设置在所述欧姆接触层或者所述反射层中的至少一个下方。
19.根据权利要求17或18所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层设置在所述第一导电类型半导体层内。
20.根据权利要求17至19中的任一项所述的发光器件，其中，所述导电层具有接触所述第一导电类型半导体层内部的表面。
CN201110285041.6A 2010-09-17 2011-09-16 发光器件 Active CN102412355B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0091970 2010-09-17
KR20100091970A KR101114191B1 (ko) 2010-09-17 2010-09-17 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102412355A true CN102412355A (zh) 2012-04-11
CN102412355B CN102412355B (zh) 2016-08-24

Family

ID=44785282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110285041.6A Active CN102412355B (zh) 2010-09-17 2011-09-16 发光器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8324649B2 (zh)
EP (1) EP2432036B8 (zh)
KR (1) KR101114191B1 (zh)
CN (1) CN102412355B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103078027A (zh) * 2013-01-31 2013-05-01 武汉迪源光电科技有限公司 一种具有电流阻挡层的发光二极管
CN104037277A (zh) * 2014-06-26 2014-09-10 圆融光电科技有限公司 倒装led芯片的制备方法及倒装led芯片
CN104733577A (zh) * 2015-03-30 2015-06-24 映瑞光电科技(上海)有限公司 垂直结构led芯片及其制造方法
CN105226140A (zh) * 2014-06-19 2016-01-06 映瑞光电科技(上海)有限公司 倒装led芯片制备方法
WO2016015421A1 (zh) * 2014-07-28 2016-02-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、有机发光二极管显示面板和显示装置
CN106409997A (zh) * 2016-11-23 2017-02-15 映瑞光电科技(上海)有限公司 Led芯片及其形成方法
CN106848027A (zh) * 2015-12-03 2017-06-13 映瑞光电科技(上海)有限公司 高可靠性垂直倒装led芯片的制备方法
TWI631726B (zh) * 2017-03-10 2018-08-01 錼創科技股份有限公司 發光元件與顯示裝置
CN108574032A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 发光元件与显示设备
CN111081835A (zh) * 2019-12-21 2020-04-28 华南理工大学 一种led芯片及其制备方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI437737B (zh) * 2011-09-14 2014-05-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
JP6135213B2 (ja) * 2012-04-18 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR20130120615A (ko) * 2012-04-26 2013-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101946914B1 (ko) 2012-06-08 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101974153B1 (ko) * 2012-06-12 2019-04-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 시스템
KR101902398B1 (ko) * 2012-06-12 2018-10-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 시스템
KR101936277B1 (ko) * 2012-07-12 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR102007402B1 (ko) * 2012-08-06 2019-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP6239311B2 (ja) 2012-08-20 2017-11-29 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
DE102012107921A1 (de) * 2012-08-28 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
KR101458296B1 (ko) * 2013-02-18 2014-11-04 전남대학교산학협력단 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
KR102053408B1 (ko) * 2013-07-11 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US10797188B2 (en) * 2014-05-24 2020-10-06 Hiphoton Co., Ltd Optical semiconductor structure for emitting light through aperture
KR102181429B1 (ko) * 2014-06-11 2020-11-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
KR102252994B1 (ko) * 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
CN104576902B (zh) * 2014-12-31 2017-03-01 杭州士兰明芯科技有限公司 一种led结构及其制作方法
KR102332839B1 (ko) * 2015-01-29 2021-11-30 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102554702B1 (ko) * 2015-08-25 2023-07-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR101772815B1 (ko) * 2016-04-25 2017-08-29 고려대학교 산학협력단 고효율 Ga-polar 수직 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
US20190198313A1 (en) * 2016-09-12 2019-06-27 University Of Houston System Flexible Single-Crystal Semiconductor Heterostructures and Methods of Making Thereof
KR102532743B1 (ko) * 2016-12-06 2023-05-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자
KR102434368B1 (ko) * 2017-11-13 2022-08-19 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN112259572B (zh) * 2020-10-26 2022-11-08 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2397607Y (zh) * 1999-09-21 2000-09-20 光磊科技股份有限公司 可控制区域电流密度的发光二极管
US20090283787A1 (en) * 2007-11-14 2009-11-19 Matthew Donofrio Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
KR20100044726A (ko) * 2008-10-22 2010-04-30 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
CN101834246A (zh) * 2009-03-10 2010-09-15 Lg伊诺特有限公司 发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置
US20100230686A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Hwan Hee Jeong Light emitting device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI347022B (en) * 2004-02-20 2011-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP2008060132A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
KR100867529B1 (ko) 2006-11-14 2008-11-10 삼성전기주식회사 수직형 발광 소자
KR100891761B1 (ko) * 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101438818B1 (ko) 2008-04-01 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 소자
DE102008030584A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
KR101010451B1 (ko) 2008-07-08 2011-01-21 한양대학교 산학협력단 레플리카 부하를 이용한 저전압 강하 레귤레이터
JP5057398B2 (ja) 2008-08-05 2012-10-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US8809893B2 (en) 2008-11-14 2014-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
CN102231413A (zh) * 2009-10-13 2011-11-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
KR100974787B1 (ko) 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2397607Y (zh) * 1999-09-21 2000-09-20 光磊科技股份有限公司 可控制区域电流密度的发光二极管
US20090283787A1 (en) * 2007-11-14 2009-11-19 Matthew Donofrio Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
KR20100044726A (ko) * 2008-10-22 2010-04-30 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
CN101834246A (zh) * 2009-03-10 2010-09-15 Lg伊诺特有限公司 发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置
US20100230686A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Hwan Hee Jeong Light emitting device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103078027A (zh) * 2013-01-31 2013-05-01 武汉迪源光电科技有限公司 一种具有电流阻挡层的发光二极管
CN105226140A (zh) * 2014-06-19 2016-01-06 映瑞光电科技(上海)有限公司 倒装led芯片制备方法
CN104037277A (zh) * 2014-06-26 2014-09-10 圆融光电科技有限公司 倒装led芯片的制备方法及倒装led芯片
WO2016015421A1 (zh) * 2014-07-28 2016-02-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、有机发光二极管显示面板和显示装置
CN104733577A (zh) * 2015-03-30 2015-06-24 映瑞光电科技(上海)有限公司 垂直结构led芯片及其制造方法
CN106848027A (zh) * 2015-12-03 2017-06-13 映瑞光电科技(上海)有限公司 高可靠性垂直倒装led芯片的制备方法
CN106848027B (zh) * 2015-12-03 2019-08-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 高可靠性垂直倒装led芯片的制备方法
CN106409997A (zh) * 2016-11-23 2017-02-15 映瑞光电科技(上海)有限公司 Led芯片及其形成方法
TWI631726B (zh) * 2017-03-10 2018-08-01 錼創科技股份有限公司 發光元件與顯示裝置
CN108574032A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 发光元件与显示设备
CN111081835A (zh) * 2019-12-21 2020-04-28 华南理工大学 一种led芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120007121A1 (en) 2012-01-12
KR101114191B1 (ko) 2012-03-13
CN102412355B (zh) 2016-08-24
EP2432036B1 (en) 2017-04-12
EP2432036B8 (en) 2017-07-12
EP2432036A2 (en) 2012-03-21
EP2432036A3 (en) 2014-07-16
US8324649B2 (en) 2012-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102412355A (zh) 发光器件
CN102194929B (zh) 发光器件
CN102097569B (zh) 发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统
CN102088018B (zh) 发光器件和具有发光器件的发光器件封装
CN102263182A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102222741B (zh) 发光器件和发光器件封装
CN102237463A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统
CN102163676A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102005465A (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装
CN102237460A (zh) 发光器件
CN104201173A (zh) 发光器件封装和照明系统
CN102163675A (zh) 发光器件
CN102222744A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102097565A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102222747A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102214756A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102332520A (zh) 发光器件
CN102347414A (zh) 发光器件
US20130049038A1 (en) Light emitting device and light emitting device package
CN102074625A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102386313B (zh) 发光器件、发光器件封装和灯单元
CN102117874B (zh) 发光器件
CN102110753B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102237453A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102237457A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210816

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right