CN102117874B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光器件。发光器件包括：第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一半导体层，第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及横向电极，台阶部分上的横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横向侧面上。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及发光器件和发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。近来，LED的亮度得到增加，使得LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用冷光材料或者通过组合具有各种颜色的LED，从而能够显示出具有优秀的光效率的白光。
同时，根据诸如有源层的结构、用于将光有效地提取到外部的光提取结构、被用于LED的半导体材料、芯片尺寸、以及包围LED的成型构件的类型的各种条件来更改LED的亮度。
发明内容
实施例提供能够具有新颖的结构的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。实施例提供能够提高光提取效率的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。实施例提供能够改善电流特性同时降低工作电压的发光器件和具有该发光器件的发光器件封装。
根据实施例的发光器件包括：第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一半导体层，第一半导体层具有带有台阶(step)部分的至少一个横向侧面；以及在台阶部分上的横向电极，所述横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横向侧面上。
根据实施例的发光器件封装包括：衬底和发光模块，该发光模块包括被对准在衬底上的发光器件。发光器件可以包括：第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；在有源层上的第一半导体层，其中，该第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及在台阶部分上的横向电极，所述横向电极被形成在第一半导体层的至少一个横向侧面上。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的截面图；
图2是图1中所示的发光器件的透视图；
图3是图1中所示的发光器件的平面图；
图4是示出被形成在图1中所示的发光器件中的焊盘部分的截面图；
图5至图10示出用于制造根据实施例的发光器件的程序的视图；
图11是示出根据另一实施例的发光器件的截面图；
图12是示出根据又一实施例的发光器件的截面图；
图13是示出根据又一实施例的发光器件的截面图；
图14是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；
图15是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及
图16是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
出于方便或清楚的目的，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将参考附图描述根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。
图1是示出根据实施例的发光器件1的截面图，并且图2是发光器件1的透视图。
参考图1和图2，发光器件1包括：导电支撑构件170；导电支撑构件170上的反射层160；反射层160上的第二导电半导体层150；第二导电半导体层上的有源层140；被形成在有源层140上的第一半导体层130，并且在所述第一半导体层130的至少一侧上提供有台阶部分(step part)；以及被形成在第一半导体层130的台阶部分上的横向电极180。
导电支撑构件170可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或者GaN的载体(carrier)晶圆组成的组中选择的至少一个。
导电支撑构件170和横向电极180将电力提供到发光器件1，并且支撑被形成在导电支撑构件170上的多层。
反射层160被形成在导电支撑构件170上。反射层160可以包括具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt以及Pd中的至少一个。
同时，结合层(未示出)能够被形成在反射层160和导电支撑构件170之间，以加强反射层160和导电支撑构件170之间的界面结合强度。
第二导电半导体层150被形成在反射层160上。例如，第二导电半导体层150包括p型半导体层。p型半导体层可以包括具有诸如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、或者InN的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式(compositional formula)的半导体材料。另外，p型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的p型掺杂物。
同时，为了形成欧姆接触，欧姆层(未示出)能够被形成在第二导电半导体层150和反射层160之间。
有源层140被形成在第二导电半导体层150上。在有源层140处，通过第一导电半导体层130注入的电子(或者空穴)可以与通过第二导电半导体层150注入的空穴(或者电子)复合，使得有源层140根据有源层140的本征材料，基于能带的带隙差而发射光。
有源层140可以具有单量子阱结构或者多量子阱(MQW)结构，但是实施例不限于此。
被掺杂有n型或者p型掺杂物的包覆层(clad layer)(未示出)能够被形成在有源层140上和/或下面。包覆层可以包括AlGaN层或者InAlGaN层。
第一半导体层130可以被形成在有源层140上。
第一半导体层130包括第一导电半导体层。例如，第一导电半导体层可以包括n型半导体层。n型半导体层可以包括诸如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、或者InN的具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。另外，n型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge或者Sn的n型掺杂物。
根据本实施例，第一半导体层130包括：第一区域131，该第一区域131位于第一半导体层130的上部分处；第二区域132，该第二区域132位于第一区域131和有源层140之间。横向电极180被形成在第一区域131中。根据本实施例，横向电极180被形成在第一区域131的横向侧面的整个表面上，但是实施例不限于此。根据另一实施例，横向电极180可以被形成在第一区域131的横向侧面的一部分上。在这样的情况下，第一区域131被限定为从与第一半导体层130的底表面133a相邻的横向电极180的末端180a延伸到第一半导体层130的顶表面133b的区域。
能够相对于第一半导体层130的至少一侧的外围部分(参见，附图标记D1)执行蚀刻工艺。因为已经执行蚀刻工艺，所以蚀刻沟槽134被形成在第一半导体层130的第一区域131中，使得台阶部分被形成在第一半导体层130的至少一侧上。另外，台阶部分可以被形成在第一半导体层130的横向侧面的整个表面上。
蚀刻沟槽134可以提供用于安装横向电极180的空间，同时用作用于划分多个发光器件的芯片边界区域。
例如，第一区域131可以具有1.5μm至2.0μm的范围内的第一厚度D1。
另外，横向电极180可以延伸到第一半导体层130的顶表面133b的外围部分的至少一部分，但是实施例不限于此。
同时，横向电极180没有被形成在蚀刻沟槽134没有被形成的第二区域132中。详细地，横向电极180没有被形成在从第一半导体层130的台阶部分延伸到有源层140的区域中。例如，第二区域132具有0.1μm至0.3μm的范围内的第二厚度D2。
由于横向电极180被形成在第一半导体层130的顶表面133b的外围部分和第一区域131上，所以通过横向电极180可以不损耗通过第一半导体层130的顶表面133b发射的光，使得能够提高发光器件1的光提取效率。
另外，由于横向电极180被形成在第一半导体层130的顶表面133b的外围部分和第一区域131上，所以电流可以在横向电极180和导电支撑构件170之间均匀地并且平滑地流动，因此能够提高发光器件1的光提取效率，并且能够降低发光器件1的工作电压。
此外，由于横向电极180没有被形成在第一半导体层130的第二区域132中，所以横向电极180没有引起有源层140和第二导电半导体层150之间的电路短路。
通过溅射或者电子束(E-beam)沉积能够形成横向电极180，但是实施例不限于此。
例如，横向电极180可以包括具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt、和Pd中的至少一个。在这样的情况下，能够从横向电极180有效地反射从有源层140入射到横向电极180的光，使得通过第一半导体层130的顶表面发射光。
另外，横向电极180可以包括从由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个金属氧化物，其具有透明性和导电性能。如果横向电极180包括具有透明性和导电性能的材料，那么通过横向电极180能够有效地反射从有源层140入射到横向电极180的光。可以粗糙地形成横向电极180，以提高发光器件1的光提取效率。
另外，横向电极180可以包括被沉积在第一半导体层130的第一区域131上的第一层和被沉积在第一层上的第二层。在这样的情况下，第一层可以包括具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt、和Pd中的至少一个，并且第二层可以包括不同于第一层的材料的金属材料。
实施例没有限制用于横向电极180的材料，并且根据发光器件1的设计可以将各种材料用于横向电极180。
横向电极180的横向侧面与第一半导体层130的第二区域132的横向侧面、有源层140的横向侧面、以及第二导电半导体层150的横向侧面对准。因为通过蚀刻沟槽134，第一半导体层130被划分为多层、横向电极180位于蚀刻沟槽134中、并且通过分断工艺(breakingprocess)将合成的结构划分为芯片单元(参见图5至图10)，所以能够获得上述的构造。
图3是发光器件1的平面图。
参考图2和图3，横向电极180能够平坦地被形成在第一半导体层130的顶表面的外围部分上。
为了将布线结合到横向电极180，被设置在第一半导体层130的顶表面的外围部分上的横向电极180可以包括至少一个焊盘部分186。
即，横向电极180可以延伸到第一半导体层130的至少一个边缘，并且焊盘部分186能够被形成在被设置在第一半导体层130的至少一个边缘处的横向电极180上。
同时，横向电极180可以没有被形成在除了焊盘部分186被设置的区域之外的第一半导体层130的顶表面的外围部分上，但是实施例不限于此。
焊盘部分186具有足以结合布线的区域。另外，在第一半导体层130的顶表面上形成掩模之后，通过执行镀或者沉积工艺能够形成焊盘部分186，但是实施例不限于此。
图4是示出具有多结构的焊盘部分186的截面图。
不同于横向电极的其它区域，焊盘部分186可以具有多结构使得布线能够被容易地结合到焊盘部分186。
例如，多结构包括欧姆层186a、欧姆层186a上的反射层186b、以及反射层186b上的结合层186c，但是实施例不限于此。
欧姆层186a可以包括具有欧姆属性的金属材料。例如，欧姆层186a可以包括从由Cr、Pt以及Ni组成的组中选择的至少一个。
反射层186b可以包括从由具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt以及Pd组成的组中选择的至少一个。
结合层186c可以包括Au、Au/Sn、SnPb或者共晶金属，诸如无Pb焊料。结合层186c具有粘合属性，使得布线能够被容易地结合到结合层186c。
在下文中，将会参考图5至图10详细地描述制造发光器件1的方法。在下面的描述中，为了避免重复将会省略已经描述的元件和结构的详情。
参考图5，第一半导体层130、有源层140、第二导电层150、反射层160、以及导电支撑构件170被顺序地形成在衬底110上。
衬底110可以包括从由Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、以及Ge组成的组中选择的至少一个。
缓冲层(未示出)能够被形成在衬底110和第一半导体层130之间，以衰减第一半导体层130和衬底110之间的晶格失配。
例如，通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、MBE(分子束外延)、或者HVPE(氢化物气相外延)能够形成缓冲层、第一半导体层130、有源层140、以及第二导电半导体层150，但是实施例不限于此。
参考图5和图6，通过激光剥离(LLO)方案和/或蚀刻工艺来移除衬底110，但是实施例不限于此。
同时，在衬底110已经被移除之后，第一半导体层130被部分地移除，并且通过ICP/RIE(电感耦合等离子体/反应离子蚀刻)工艺来抛光第一半导体层130的表面。结果，被包括在第一半导体层130中的未掺杂的半导体层和第一导电半导体层的一部分可以被移除，但是实施例不限于此。
参考图7和图8，执行蚀刻工艺使得具有第一深度D1的蚀刻沟槽134能够被形成在第一半导体层130的芯片边界区域处，从而在第一半导体层130的至少一侧上形成台阶部分。同时，为了方便起见，将会以导电支撑构件170位于最下层的假设来进行以下的描述。
蚀刻沟槽134可以提供用于安装横向电极180的空间，同时用作用于划分多个发光器件的芯片边界区域。
第一半导体层130的第一区域131可以具有1.5μm至2.0μm的范围内的第一厚度D1。
另外，没有被蚀刻的第二区域132可以具有0.1μm至0.3μm的范围内的厚度D2。
参考图9和图10，横向电极180能够被形成在第一半导体层130的第一区域131中。即，横向电极180能够被形成在被限定在第一半导体层130的台阶部分和第一半导体层130的顶表面之间的区域中。另外，横向电极180可以延伸到第一半导体层130的顶表面133b的外围部分的至少一部分上。
另外，横向电极180可以包括将布线结合到横向电极180的焊盘部分186。
由于横向电极180被形成在第一半导体层130的顶表面133b的外围部分和第一区域131上，所以通过横向电极180可以不损耗通过第一半导体层130的顶表面133b发射的光，使得能够提高发光器件1的光提取效率。
另外，由于横向电极180被形成在第一半导体层130的顶表面133b的外围部分和第一区域131上，所以电流可以在横向电极180和导电支撑构件170之间均匀地并且平滑地流动，因此能够提高发光器件1的光提取效率并且能够降低发光器件1的工作电压。
此外，由于横向电极180没有被形成在第一半导体层130的第二区域132中，所以横向电极180没有引起有源层140和第二导电半导体层150之间的电路短路。
通过溅射或者电子束沉积能够形成横向电极180，但是实施例不限于此。
例如，横向电极180可以包括具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt、和Pd中的至少一个。在这样的情况下，能够从横向电极180有效地反射从有源层140入射到横向电极180的光，使得通过第一半导体层130的顶表面发射光。
另外，横向电极180可以包括从由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个金属氧化物，其具有透明性和导电性能。如果横向电极180包括具有透明性和导电性能的材料，那么通过横向电极180能够有效地反射从有源层140入射到横向电极180的光。可以粗糙地形成横向电极180，以提高发光器件1的光提取效率。
另外，横向电极180可以包括被沉积在第一半导体层130的第一区域131上的第一层和被沉积在第一层上的第二层。在这样的情况下，第一层可以包括具有优秀的反射率的Ag、Al、Pt、和Pd中的至少一个，并且第二层可以包括不同于第一层的材料的金属材料。
实施例没有限制用于横向电极180的材料，并且根据发光器件1的设计可以将各种材料用于横向电极180。
同时，横向电极180可以被形成在第一半导体层130的至少一个横向侧面上，或者横向电极180可以没有被形成在第一半导体层130的顶表面133b的外围部分上，但是实施例不限于此。
参考图1、图2、图9、以及图10，执行分断工艺以将发光器件划分为芯片单元，从而提供根据实施例的发光器件1。由于已经执行分断工艺，横向电极180的横向侧面与第二区域132、有源层140、以及第二导电半导体层150的横向侧面对准。
在下文中，将会参考图11至图13详细地描述根据另一实施例的发光器件。出于简洁的目的，将会省略已经描述的元件和结构的详情，并且下面的描述将会集中于与先前的实施例的不同。
图11是示出根据另一实施例的发光器件的截面图。
参考图11，根据另一实施例的第一半导体层135可以包括第一导电半导体层135a和被形成在第一导电半导体层135a上的未掺杂的半导体层135b。未掺杂的半导体层135b没有被掺杂有导电掺杂物，因此未掺杂的半导体层135b具有显著地低于第一和第二导电半导体层135a和150的导电性。例如，未掺杂的半导体层135b可以包括未掺杂的GaN层，但是实施例不限于此。
根据本实施例，未掺杂的半导体层135b可以减小衬底110(参见图5)和第一导电半导体层135a之间的特性之差。另外，可以不要求用于移除未掺杂的半导体层135b的附加工艺，因此能够简化制造工艺。
由于未掺杂的半导体层135b被沉积在第一导电半导体层135a的顶表面和横向电极180之间，所以能够防止在形成蚀刻沟槽134(参见图7和图8)和横向电极180的工艺中损坏第一导电半导体层135a。
另外，当横向电极180包括透明导电材料时，未掺杂的半导体层135b可以防止从发光结构层产生的光被集中在垂直方向中。更加详细地，被形成在第一半导体层135上的横向电极的一部分被布置为与第二导电半导体层140垂直，光(特别地，蓝光)可以被集中在发光器件的垂直方向中。然而，根据本实施例，通过未掺杂的半导体层135b横向地发射光。因此，能够有效地防止当光被集中在垂直方向中时所引起的冷光材料的退化和效率退化。
图12是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
参考图12，根据本实施例的第一半导体层135可以包括第一导电半导体层135a和被形成在第一导电半导体层135a上的未掺杂的半导体层135b。另外，横向电极182被形成在第一导电半导体层135a的横向侧面上，而没有被形成在未掺杂的半导体层135b的横向侧面上。在这样的情况下，即使横向电极182是由诸如金属的不透明材料组成，未掺杂的半导体层135b也能够防止光被集中在垂直方向中。
图13是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。
参考图13，在其上形成横向电极184的第一半导体层137的第一区域1371的横向侧面相对于导电支撑构件170而倾斜，并且第一半导体层137的第二区域1372的横向侧面垂直于导电支撑构件170。
这时，横向电极184的横向侧面S1与第二区域1372的横向侧面、有源层140的横向侧面、以及第二导电半导体层150的横向侧面S2对准。
图14是示出根据实施例的具有发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图14，发光器件封装包括：主体20；形成在主体20上的第一和第二电极层32和33；发光器件1，该发光器件1被设置在主体20上并且被电气地连接到第一和第二电极层32和33；以及成型构件40，该成型构件40包围发光器件1。尽管在图14中示出根据第一实施例的发光器件1，但是实施例不限于此。在发光器件封装中能够采用根据另一实施例的发光器件。
主体20可以包括硅、合成树脂、或者金属材料。并且被倾斜的表面可以被形成在发光器件1的周围。
第一和第二电极层32和33被相互电气地隔开，以将电力提供给发光器件1。另外，第一和第二电极层32和33反射从发光器件1发射的光以提高光效率，并且将从发光器件1生成的热散发到外部。
发光器件1能够被安装在主体20上，或者第一或者第二电极层32或者33上。
尽管示出的是，通过布线将发光器件1电气地连接到第一和第二电极层32和33，但是实施例不限于此。例如，通过芯片接合(diebonding)方案或者倒装芯片安装方案能够将发光器件1电气地连接到第一和第二电极层32和33。
成型构件40包围发光器件1以保护发光器件1。另外，成型构件40可以包括冷光材料以改变从发光器件1发射的光的波长。
发光器件封装可以包括根据实施例的发光器件中的至少一个，但是实施例不限于此。根据实施例的多个发光器件封装被排列在衬底上，并且包括导光板、棱镜片、漫射片、或者荧光片的光学构件可以被提供在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器件封装、衬底、以及光学构件可以用作背光单元或者照明系统。例如，照明系统可以包括背光单元、照明系统、指示器、灯、以及街灯。
图15是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元1100的分解透视图。图15中所示的背光单元1100是照明系统的示例，并且实施例不限于此。
参考图15，背光单元1100包括：底盖1140、安装在底盖1140中的导光构件1120、以及安装在导光构件1120的底表面或者横向侧面中的至少一个上的发光模块1110。另外，反射片1130被布置在导光构件1120的下面。
底盖1140具有盒状形状，该盒状形状具有开口的顶表面，以在其中容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。另外，底盖1140可以包括金属材料或者树脂材料，但是实施例不限于此。
发光模块1110可以包括基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。发光器件封装600将光提供给导光构件1120。根据实施例的发光模块1110，发光器件封装600被安装在基板700上。然而，还能够直接地安装根据实施例的发光器件。
如图15中所示，发光模块1110被安装在底盖1140的至少一个内侧以将光提供给导光构件1120的至少一侧。
另外，发光模块1110能够被设置在底盖1140中的导光构件1120的下面，以朝着导光构件1120的底表面提供光。能够根据背光单元1100的设计对该布置进行各种修改，并且实施例不限于此。
导光构件1120被安装在底盖1140中。导光构件1120将从发光模块1110发射的光转化为表面光，以朝着显示面板(未示出)引导表面光。
导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC、或者PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂能够制造导光板。
光学片1150可以被设置在导光组件1120的上面。
光学片1150可以包括漫射片、聚光片、亮度增强片、或者荧光片中至少一种。例如，光学片1150具有漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的堆叠结构。在这样的情况下，漫射片均匀地漫射从发光模块1110发射的光，从而能够通过聚光片将漫射光聚集在显示面板(未示出)上。从聚光片输出的光被任意地偏振，并且亮度增强片增加从聚光片输出的光的偏振的程度。聚光片可以包括水平的和/或竖直的棱镜片。另外，亮度增强片可以包括双亮度增强膜，并且荧光片可以包括包含冷光材料的透射膜或者透射板。
反射板1130能够被布置在导光构件1120的下面。反射片1130将通过导光构件1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。
反射片1130可以包括诸如PET、PC、或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但是实施例不限于此。
图16是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明系统1200的透视图。图16中所示的照明系统1200是照明系统的示例，并且实施例不限于此。
参考图16，照明系统1200包括壳体1210、安装在壳体1210中的发光模块1230、以及安装在壳体1210中的连接端子1220，以接收来自于外部电源的电力。
优选地，壳体1210包括具有优秀的散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1230可以包括基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。根据实施例，发光器件封装600被安装在基板700上。然而，还能够直接地安装根据实施例的发光器件1。
基板700包括印有电路图案的绝缘构件。例如，基板700包括PCB(印刷电路板)、MC(金属核)PCB、F(柔性)PCB、或者陶瓷PCB。
另外，基板700可以包括有效地反射光的材料。基板700的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色，以有效地反射光。
根据实施例的至少一个发光器件封装600能够安装在基板700上。每个发光器件封装600可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括发射具有红、绿、蓝或者白色的光的彩色LED，和发射UV光的UV(紫外线)LED。
可以不同地组合发光模块1230的LED以提供各种颜色和亮度。例如，能够组合白光LED、红光LED以及绿光LED以实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够被提供在从发光模块1230发射的光的路径中，以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄光冷光材料。在这样的情况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片，从而光被视为白光。
连接端子1220电气地连接至发光模块1230以将电力提供给发光模块1230。参考图16，连接端子1220具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以插入外部电源或者通过布线连接至外部电源的插头的形式来制备连接端子1220。
根据如上所述的照明系统，导光构件、漫射片、聚光片、亮度增强片、或荧光片中的至少一种被提供在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现想要的光学效果。
如上所述，照明系统包括发光器件或者发光器件封装，其中电流特性被提高并且工作电压被降低，使得照明系统可以具有优秀的特性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构、或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构、或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本领域的技术人员可以设计出落入本发明原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更加具体地，在本说明书、附图、和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (13)

1.一种发光器件，包括：
第二导电半导体层；
在所述第二导电半导体层上的有源层；
在所述有源层上的第一半导体层，所述第一半导体层具有带有台阶部分的至少一个横向侧面；以及
横向电极，所述台阶部分上的所述横向电极被形成在所述第一半导体层的至少一个横向侧面上，
其中，所述第一半导体层包括位于所述第一半导体层的上部的第一区域以及位于所述第一区域和所述有源层之间的第二区域，并且
其中，所述横向电极延伸到所述第一区域的顶表面的外围部分的至少一部分上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述台阶部分被形成在所述第一半导体层的所有的横向侧面上。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层具有与所述有源层相邻的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且
其中，所述第一区域从与所述第一表面相邻的所述横向电极的末端延伸到所述第一半导体层的第二表面。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二区域具有0.1μm至0.3μm的范围内的厚度。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一区域具有1.5μm至2.0μm的范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层包括第一导电半导体层和在所述第一导电半导体层上的未掺杂的半导体层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极包括焊盘部分。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述焊盘部分被形成在所述第一半导体层的顶表面上。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述焊盘部分与所述第一半导体层的顶表面的边缘相邻。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极包括至少一个金属和透明导电材料。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极包括Ag、Al、Pt、Pd、ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个。
12.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层下面的导电支撑构件。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述横向电极的横向侧面与所述有源层和所述第二导电半导体层的横向侧面对准。
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