CN102136538B - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。根据实施例的发光器件包括：导电支撑衬底，该导电支撑衬底包括多对第一和第二导电层；导电支撑衬底上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极。通过使用相同的材料形成第一和第二导电层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年1月21日提交的韩国专利申请No.10-2010-0005481的优先权，其内容通过引用整体合并在此。
技术领域
本发明涉及一种发光器件和制造发光器件的方法。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。
根据被用于制造LED的半导体材料可以改变从LED发射的光的波长。这是因为被发射的光的波长根据半导体材料的带隙，即，价带电子和导带电子之间的能量差而进行变化。
LED能够产生具有高亮度的光，使得LED 经被广泛地用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，通过采用荧光材料或者组合具有各种颜色的LED，LED能够呈现出具有优秀的光效率的白光。
发明内容
实施例提供了具有新颖的结构的发光器件和制造发光器件的方法。
实施例提供了具有被减少的应力的具有导电支撑衬底的发光器件和制造发光器件的方法。
实施例提供了具有改善的散热特性的发光器件和制造发光器件的方法。
根据实施例的发光器件可以包括：导电支撑衬底，该导电支撑衬底包括多对的第一和第二导电层；导电支撑衬底上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中，通过使用相同的材料形成第一和第二导电层。
根据实施例的发光器件可以包括：导电支撑衬底，该导电支撑衬底包括多对的第一和第二导电层；导电支撑衬底上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中，第一导电层具有压缩应力，并且第二导电层具有拉伸应力。
根据实施例的发光器件封装可以包括：封装主体；封装主体上的第一和第二电极层；发光器件，该发光器件被电气地连接到第一和第二电极层；以及发光器件上的成型构件，其中，发光器件包括：导电支撑衬底，该导电支撑衬底包括多对的第一和第二导电层；导电支撑衬底上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中，通过使用相同的材料形成第一和第二导电层。
根据实施例的制造发光器件的方法，包括下述步骤：在生长衬底上形成发光结构层，所述发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；在发光结构层上形成包括多对的第一和第二导电层的导电支撑衬底；使生长衬底与发光结构层分离；并且在发光结构层上形成电极，其中，第一和第二导电层包含相同的材料。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的视图；
图2是示出根据第二实施例的发光器件的视图；
图3是示出根据第三实施例的发光器件的视图；
图4是示出根据第四实施例的发光器件的视图；
图5至图7是示出制造根据实施例的发光器件的方法的截面图；
图8是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；
图9是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及
图10是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的灯单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了这样的层的位置。
为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的视图。
参考图1，根据第一实施例的发光器件包括：导电支撑衬底80；导电支撑衬底80上的反射层70；反射层70上的欧姆接触层60；发光结构层，该发光结构层被形成在欧姆接触层60上，并且包括第二导电半导体层50、有源层40、以及第一导电半导体层30；以及电极90，该电极90被形成在第一导电半导体层30上。
导电支撑衬底80可以包括第一和第二导电层80a和80b。当第一和第二导电层80a和80b被定义为一对单元层时，导电支撑衬底80可以包括多对单元层。
例如，导电支撑衬底80可以包括2到80对的第一和第二导电层80a和80b。优选地，导电支撑衬底80可以包括30到70对的第一和第二导电层80a和80b。更加优选地，导电支撑衬底80可以包括40到60对的第一和第二导电层80a和80b。
通过使用相同的金属或者异质金属能够形成第一和第二导电层80a和80b。
例如，第一和第二导电层80a和80b可以分别具有0.1μm至10μm的厚度。优选地，第一和第二导电层80a和80b中的一个可以具有0.4μm至0.8μm的厚度，并且第一和第二导电层80a和80b中的另一个可以具有0.8μm至1.2μm的厚度。
包括多个第一和第二导电层80a和80b的导电支撑衬底80可以具有50μm至200μm的厚度。
第一导电层80a可以具有压缩应力，并且第二导电层80b可以具有拉伸应力。相反地，第一导电层80a可以具有拉伸应力，并且第二导电层80b可以具有压缩应力。
因为第一和第二导电层80a和80b具有彼此相反的应力，所以第一导电层80a的压缩应力被第二导电层80b的拉伸应力抵消，从而能够减少导电支撑衬底80的应力。
例如，第一导电层80a可以具有100MPa至2000Mpa的压缩应力，并且第二导电层80b可以具有100MPa至2000MPa的拉伸应力。
通过使用适合于诸如溅射工艺或者电子束蒸发工艺的干法沉积工艺的金属能够形成第一和第二导电层80a和80b。例如，第一和第二导电层80a和80b可以包括Cu、Mo、Al、Ni、以及Cu-W中的至少一个。详细地，第一和第二导电层80a和80b可以包括诸如Cu的金属。另外，第一导电层80a可以包括Al，并且第二导电层80b可以包括Ni。
反射层70可以包括具有高反射率的Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一个。欧姆接触层60可以包括使用ITO、ZnO、RuOx、TiOx、以及IrOx中的至少一个的透明电极。
没有必要提供反射层70和欧姆接触层60。即，当反射层70是由具有欧姆特性的材料形成时，欧姆接触层60能够被省略。
发光结构层可以包括III-V族元素的化合物半导体层。例如，发光结构层可以包括包含第一导电半导体层30、有源层40、以及第二导电半导体层50的堆叠结构。因为电力被施加到第一和第二导电半导体层30和50，所以有源层40发射光。
第一导电半导体层30可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的n型半导体层。可以从由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN组成的组中选择第一导电半导体层30，并且其可以被掺杂有诸如Si、Ge或者Sn的n型掺杂物。第一导电半导体层30可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
有源层40被形成在第一导电半导体层30下面。有源层40可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、或者量子线结构。有源层40可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。如果有源层40具有MQW结构，那么有源层40可以具有多个阱层和多个势垒层的堆叠结构。例如，有源层40可以包括InGaN阱/GaN势垒层的堆叠结构。
被掺杂有n型掺杂物或者p型掺杂物的包覆层(未示出)可以被形成在有源层40上和/或下面。包覆层可以包括AlGaN层或者InAlGaN层。
第二导电半导体层50被形成在有源层40下面，并且可以包括p型半导体层。p型半导体层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，可以从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN组成的组中选择p型半导体层，并且其可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的P型掺杂物。
第二导电半导体层50能够被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
同时，不同于上面的描述，第一导电半导体层30可以包括p型半导体层，并且第二导电半导体层50可以包括n型半导体层。另外，包括n型半导体层或者p型半导体层的第三导电半导体层(未示出)可以被形成在第二导电半导体层50下面。因此，发光结构层可以具有NP、PN、NPN、以及PNP结结构中的至少一个。另外，第一和第二导电半导体层30和50中的杂质的掺杂浓度可以是均匀的或者不规则的。换言之，发光结构层可以具有各种结构，但是实施例不限于此。
电极90被形成在第一导电半导体层30上。电极90可以包括Cu、Ni、Au、Al以及Pt中的至少一个，使得能够容易地执行引线结合。电极90可以被形成为单层或者多层。电极90将电力提供到有源层40以及导电支撑衬底80。
根据第一实施例的发光器件，通过干法沉积方案形成导电支撑衬底80，因此能够省略引起环境污染的湿法镀工艺。
另外，根据第一实施例的发光器件，在没有使用焊料金属结合导电支撑衬底80的情况下，通过干法沉积方案来形成导电支撑衬底80，从而防止由焊料金属的低热传输特性或者裂缝而引起的发光器件的可靠性的降低。
此外，根据第一实施例的发光器件，导电支撑衬底80包括第一和第二导电层80a和80b，因此能够削弱导电支撑衬底80的应力，从而减少发光结构层的缺陷。
图2是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。
在第二实施例的下述描述中，为了避免重复，将会省略在第一实施例中已经描述的结构和元件的详情。
参考图2，根据第二实施例的发光器件进一步包括发光器件的导电支撑衬底80下面的抗氧化层100。
抗氧化层100防止导电支撑衬底80被氧化。通过使用诸如Au或者Pt的金属能够形成至10μm的厚度的抗氧化层100。例如，可以形成至的厚度的抗氧化层100。
图3是示出根据第三实施例的发光器件的截面图。
在第三实施例的下述描述中，为了避免重复将会省略在第一实施例中已经描述的结构和元件的详情。
参考图3，根据第三实施例的发光器件进一步包括导电支撑衬底80下面的扩散阻挡层110和焊料金属层120。
扩散阻挡层110被用于防止焊料金属层120被扩散，并且焊料金属层120被用于将发光器件附接到发光器件封装的主体。通过使用诸如Ni的金属可以形成至的厚度的扩散阻挡层110。
焊料金属层120可以包括Au-Sn焊料、Ag-Sn焊料或者Pb-Sn焊料。可以形成至的厚度的焊料金属层120。例如，可以形成的厚度的焊料金属层。
另外，抗氧化层(未示出)能够被形成在焊料金属层120下面，以防止焊料金属层120被氧化。
图4是示出根据第四实施例的发光器件的截面图。
在第四实施例的下述描述中，为了避免重复，将会省略在第一实施例中已经描述的结构和元件的详情。
参考图4，根据第四实施例的发光器件进一步包括沿着欧姆接触层60的顶部边缘的保护层140，和第二导电半导体层50和欧姆接触层60之间的电流阻挡区域145。
电流阻挡区域145的至少一部分可以在垂直方向中与电极90重叠以减少沿着电极90和导电支撑衬底80之间的最短的路径的电流的集中，从而提高发光器件的发光效率。
电流阻挡区域145可以是由比欧姆接触层60低的导电性的材料、能够与第二导电类型半导体层50形成肖特基接触的材料、或者电绝缘材料形成。例如，电流阻挡区域145可以包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、以及Cr中的至少一个。
沿着欧姆接触层60的顶部边缘可以形成保护层140。保护层140可以通过使用诸如ZnO或者SiO2的电绝缘材料被形成在欧姆接触层60和发光结构层的顶部边缘部分之间。在垂直方向中，保护层140的一部分与发光结构层重叠。
由于保护层140，能够增加欧姆接触层60和有源层40之间的横向距离。因此，在欧姆接触层60和有源层40之间可以减少短路的可能性。
另外，当在芯片分离工艺中执行隔离蚀刻，以将发光结构层分离为单位芯片时，保护层140防止可能由从欧姆接触层60产生的，并且被附接在第二导电半导体层50和有源层40之间或者在第二导电半导体层40和第一导电半导体层30之间的颗粒引起短路。保护层140由不会破裂或者产生颗粒的材料来形成，或者由尽管其发生破裂或者产生少量的颗粒，但是不会引起短路的电绝缘材料来形成。
在用于将发光结构层隔离为单位芯片的隔离蚀刻工艺中，发光结构层的侧表面可以被倾斜，并且在垂直方向中，被倾斜的表面的一部分与保护层140重叠。
通过隔离蚀刻工艺可以部分地暴露保护层140的顶表面。因此，在垂直方向中，保护层140的一部分与发光结构层重叠，但是在垂直方向中保护层140的另一部分没有与发光结构层重叠。
钝化层180可以被布置在发光结构层的侧表面上。钝化层180可以被形成在第一导电半导体层30和保护层140的顶表面上，但是其不限于此。
钝化层180可以被形成，以电气地保护发光结构层。例如，钝化层180可以由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、或者Al2O3形成，但是其不限于此。
图5至图7是示出制造根据实施例的发光器件的方法的截面图。
参考图5，包括缓冲层的未掺杂的氮化层20被形成在生长衬底10上，并且包括第一导电半导体层30、有源层40、以及第二导电半导体层50的发光结构层被形成在未掺杂的氮化层20上。
另外，欧姆接触层60被形成在第二导电半导体层50上，反射层70被形成在欧姆接触层60上，并且导电支撑衬底80被形成在反射层70上。
生长衬底10可以包括从由蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、ZnO以及MgO组成的组中选择的至少一个。例如，蓝宝石衬底能够被用作生长衬底10。
未掺杂的氮化层20可以包括GaN基半导体层。例如，未掺杂的氮化层20可以包括未掺杂的GaN层，其通过将氢气和氨气连同三甲基镓(TMGa)气体注入腔室中来生长。
通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气、氢气和包括诸如硅的n型杂质的硅烷(SiH4)气体注入腔室中，能够生长第一导电半导体层30。另外，有源层40和第二导电半导体层50被形成在第一导电半导体层30上。
有源层40可以具有单量子阱结构或者多量子阱(MQW)结构。例如，通过使用具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料能够形成有源层40。
通过将TMGa气体、NH3气体、H2气体、以及包括p型杂质(例如，Mg)的(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体注入腔室，可以生长第二导电半导体层50。
欧姆接触层60和反射层70能够被形成在第二导电半导体层50上。没有完全地必要提供反射层70和欧姆接触层60。即，反射层70和欧姆接触层60中的一个或者两个能够被省略。
欧姆接触层60可以包括使用ITO，ZnO，RuOx，TiOx，and IrOx中的至少一个的透明电极。另外，反射层70可以包括具有高反射率的Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一个。
导电支撑衬底80被形成在反射层70上。详细地，第一导电层80a被形成在反射层70上，并且第二导电层80b被形成在第一导电层80a上。另外，重复地，将另一个第一导电层80a形成在第二导电层80b上，并且将另一个第二导电层80b形成在另一个第一导电层80a上。
通过诸如溅射或者电子束蒸发的干法沉积方案能够形成第一和第二导电层80a和80b。如果采用溅射方案，那么使用高速溅射方案。根据高速溅射方案，磁性材料被形成在负溅射目标(negative sputteringtarget)的后表面上，使得能够执行垂直于电场的磁场。在这样的情况下，电子的迁移被限制在负溅射目标周围，并且诱导电子的旋转往复运动以延长电子的运动路程，从而增加等离子体密度并且提高溅射工艺的生产率。通过原位工艺(situ process)中能够形成第一和第二导电层80a和80b。
通过使用相同的材料或者异质材料能够形成第一和第二导电层80a和80b。
如果通过使用相同的材料形成第一和第二导电层80a和80b，那么调节溅射工艺的条件，以允许第一和第二导电层80a和80b分别具有拉伸应力和压缩应力。
例如，为了允许第一和第二导电层80a和80b分别具有拉伸应力和压缩应力，被溅射的金属或者被蒸发的金属的能量被增加，使得到达衬底的金属可以扩散到所想要的位置，从而形成具有压缩应力的导电层。
用于通过增加金属的能量而形成具有压缩应力的导电层的方法可以包括：在溅射工艺期间增加能量的方案、降低溅射气体的压强的方案、增加衬底的温度的方案、以及改变溅射工艺的功率的方案。例如，根据改变溅射工艺的功率的方案，脉冲源和DC源被制备为电源，并且脉冲被施加以形成具有压缩应力的导电层，或者DC电流被施加以形成具有拉伸应力的导电层。
这样，在溅射工艺期间，通过控制功率、气体压强、以及衬底温度能够选择性地形成具有拉伸应力或者压缩应力的导电层。
详细地，通过改变溅射功率、溅射气体的压强、衬底温度、或者溅射电源能够形成第一和第二导电层80a和80b。
另外，当通过使用异质材料形成第一和第二导电层80a和80b时，采用适合于表现拉伸应力或者压缩应力的材料。在这样的情况下，当形成第一和第二导电层80a和80b时，能够应用用于允许相同的金属表现拉伸应力和压缩应力的方案。
同时，用于制造根据第二实施例的方法可以包括在导电支撑衬底80上形成抗氧化层100的步骤，并且用于制造根据第三实施例的发光器件的方法可以包括在导电支撑衬底80上形成扩散阻挡层110和焊料金属层120的步骤。另外，可以添加在焊料金属层120上形成抗氧化层的步骤。用于制造根据第四实施例的发光器件的方法可以包括在第二导电半导体层50和欧姆接触层60之间形成保护层140和电流阻挡区域145的步骤，和在发光结构层上形成钝化层180的步骤。
参考图6，生长衬底10和未掺杂的氮化层20被移除。通过激光剥离方案或者化学蚀刻方案能够移除未掺杂的氮化层20和生长衬底10。
参考图7，因为生长衬底10和未掺杂的氮化层20已经被移除，所以电极90被形成在被暴露的第一导电半导体层30的预定部分上。
这样，能够制造根据实施例的发光器件。
图8是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。
参考图8，根据实施例的发光器件封装包括：封装主体300；第一和第二电极层310和320，该第一和第二电极层310和320形成在封装主体300上；发光器件100，该发光器件100被提供在封装主体300上并且电气地连接到第一和第二电极层310和320；以及成型组件400，该成型组件400包围发光器件100。
封装主体300可以包括硅、合成树脂、或者金属材料。倾斜表面可以形成在发光器件100的周围。
第一和第二电极层310和320被相互电气地隔离，以将电力提供给发光器件100。另外，第一和第二电极层310和320反射从发光器件100发射的光以提高光效率，并且将从发光器件100生成的热散发到外部。
发光器件100能够被安装在封装主体300上，或者第一和第二电极层310和320上。发光器件100可以包括图1至图7中所示的根据实施例的发光器件中的一个。
发光器件100可以通过布线500而被电气地连接到第一电极层310，并且直接地接触第二电极层320，使得发光器件100可以被电气地连接到第二电极层320。
成型组件400包围发光器件100以保护发光器件100。另外，成型组件400可以包括荧光材料，以改变从发光器件100发射的光的波长。
多个根据实施例的发光器件封装可以排列在基板上，并且包括导光板、棱柱片、散射片、或者荧光片的光学组件可以被提供在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器件封装、基板、以及光学组件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示器、灯、或者街灯。
图9是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。图9中所示的背光单元1100是照明系统的示例，并且实施例不限于此。
参考图9，背光单元1100包括：底框1140、安装在底框1140中的导光构件1120、以及安装在导光构件1120的底表面上或者一侧上的发光模块1110。另外，反射片1130被布置在导光构件1120的下面。
底框1140具有盒形形状，该盒形形状具有开口的顶表面，以在其中容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。另外，底框1140可以包括金属材料或者树脂材料，但是实施例不限于此。
发光模块1110可以包括基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。发光器件封装600将光提供给导光构件1120。根据实施例的发光模块1110，发光器件封装600被安装在基板700上。然而，也能够直接安装根据实施例的发光器件100。
如图9中所示，发光模块1110安装在底框1140的至少一个内侧，以将光提供给导光构件1120的至少一侧。
另外，发光模块1110能够被提供在底框1140的下面，以朝着导光构件1120的底表面提供光。根据背光单元1100的设计，能够对该布置进行各种修改，但是实施例不限于此。
导光构件1120安装在底框1140中。导光构件1120将从发光模块1110发射的光转化为表面光，以朝着显示面板(未示出)引导表面光。
导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMAA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂能够制造导光板。
光学片1150可以被设置在导光构件1120的上方。
光学片1150可以包括散射片、聚光片、亮度增强片、或荧光片中至少一种。例如，光学片1150具有散射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的堆叠结构。在这样的情况下，散射片均匀地散射从发光模块1110发射的光，从而能够通过聚光片将散射的光聚集在显示面板(未示出)上。从聚光片输出的光被任意地偏振，并且亮度增强片增加从聚光片输出的光的偏振的程度。聚光片可以包括水平的和/或竖直的棱柱片。另外，亮度增强片可以包括双亮度增强膜，并且荧光片可以包括包含荧光体的透射膜或者透射板。
反射板1130能够被布置在导光构件1120的下方。反射板1130将通过导光构件1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。
反射板1130可以包括诸如PET、PC或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但是实施例不限于此。
图10是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元1200的透视图。图10中所示的照明单元1200是照明系统的示例，并且实施例不限于此。
参考图10，照明单元1200包括壳体1210、安装在壳体1210中的发光模块1230、以及安装在壳体1210中以从外部电源接收电力的连接端子1220。
优选地，壳体1210包括具有优异的散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1230可以包括基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。在根据实施例的发光模块1230中，发光器件封装600被安装在基板700上。然而，也能够直接地安装根据实施例的发光器件100。
基板700包括印有电路图案的绝缘构件。例如，基板700包括PCB(印刷电路板)、MC(金属核)PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
另外，基板700可以包括有效地反射光的材料。基板700的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色，以有效地反射光。
根据实施例的至少一个发光器件封装600能够安装在基板700上。每个发光器件封装600可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括发射具有红、绿、蓝或者白色的光的彩色LED，和发射UV光的UV(紫外线)LED。
可以不同地布置发光模块1230的LED，以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白光LED、红光LED、以及绿光LED以实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够被提供在从发光模块1230发射的光的路径中，以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄光荧光体。在这样的情况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片从而光被视为白光。
连接端子1220电气地连接至发光模块1230，以将电力提供给发光模块1230。参考图10，连接端子1220具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以插入外部电源的插头的形式制备连接端子1220，或者通过布线将连接端子1220连接至外部电源。
根据如上所述的发光系统，导光构件、散射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中的至少一种被提供在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现想要的光学效果。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构、或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到将落入本发明原理的精神和范围内的多个其它修改和实施例。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题的组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
Claims (15)
1.一种发光器件，包括：
导电支撑衬底，所述导电支撑衬底包括多对的第一和第二导电层；
所述导电支撑衬底上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；
反射层，所述反射层在所述导电支撑衬底和所述发光结构层之间；以及
所述发光结构层上的电极，
其中，所述第一导电层和所述第二导电层具有彼此相反的应力，并且
其中，所述第一导电层和所述第二导电层由金属制成，
其中，所述第一导电层具有压缩应力并且所述第二导电层具有拉伸应力，或者，所述第一导电层具有拉伸应力并且所述第二导电层具有压缩应力。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第二导电层通过使用相同的材料或者使用异质的材料来形成。
3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述导电支撑衬底和所述发光结构层之间的欧姆接触层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述导电支撑衬底下面的抗氧化层。
5.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述导电支撑衬底下面的扩散阻挡层，和所述扩散阻挡层下面的焊料金属层。
6.根据权利要求5所述的发光器件，进一步包括所述焊料金属层下面的抗氧化层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一和第二导电层包括Cu、Mo、Al、Ni、以及Cu-W中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述导电支撑衬底包括2至80对的所述第一导电层和第二导电层。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述导电支撑衬底包括30至70对的所述第一导电层和第二导电层。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一和第二导电层分别具有0.1μm至10μm的厚度。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一导电层和第二导电层中的一个具有0.4μm至0.8μm的厚度，并且所述第一和第二导电层中的剩余的一个具有0.8μm至1.2μm的厚度。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述导电支撑衬底具有50μm至200μm的厚度，和在大于0至2000MPa的范围内的压缩应力或者拉伸应力。
13.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：
在生长衬底上形成包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层的发光结构层；
在所述发光结构层上形成反射层；
在所述反射层上形成包括多对第一和第二导电层的导电支撑衬底；
使所述生长衬底与所述发光结构层隔离；以及
在所述发光结构层上形成电极，
其中，所述第一导电层和所述第二导电层具有彼此相反的应力，并且
其中，所述第一导电层和所述第二导电层由金属制成，
其中，所述第一导电层具有压缩应力并且所述第二导电层具有拉伸应力，或者，所述第一导电层具有拉伸应力并且所述第二导电层具有压缩应力。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，通过电子束蒸发或者溅射形成所述第一和第二导电层。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，通过改变溅射功率、溅射气体的压强、衬底温度、以及溅射电源来形成所述第一和第二导电层。
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