JP2006066518A - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 n型AlGaAs電流拡散層3、n型AlInPクラッド層4、量子井戸活性層5、p型AlInPクラッド層6、p型AlGaInP中間層7およびp型GaInP貼付コンタクト層8と、この貼付コンタクト層8に直接接合されたp型GaP基板10を備える。p型GaP基板10は、量子井戸活性層5と反対側に傾斜面10aを有する。量子井戸活性層5で生成され、このLED内の反射面で全反射した光を、傾斜面10aから外部に出射させることができるので、LEDの輝度を向上できる。
【選択図】図1A
Description
ダイボンディングされる側から順に、第1導電型の第1半導体層と、発光層と、第2導電型の第2半導体層と、上記発光層からの光に対して透明であると共に上記第2半導体層に直接接合された第2導電型の透明基板とを備え、
上記透明基板は、上記発光層と反対側に、上記発光層と略平行な平行面と、この平行面に連なると共にこの平行面に対して傾斜した傾斜面とを有することを特徴としている。
上記第1半導体層の上記第1電極が形成された面に、平面視において上記第1電極の周りに位置すると共に、この第1電極に電気的に接続され、かつ、上記第1半導体層にオーミック接触した第2電極を備える。
第1導電型の第1半導体層を形成する工程と、
上記第1半導体層上に、発光層を形成する工程と、
上記発光層上に、第2導電型の第2半導体層を形成する工程と、
上記第2半導体層の表面に、上記発光層からの光に対して透明な第2導電型の透明基板を直接接合する工程と、
上記透明基板の上記発光層と反対側の面に、断面V字形の第1溝を形成する工程と、
平面視において上記透明基板に形成される第1溝の底と略同じ位置に、上記第1半導体層から少なくとも上記発光層に達する第2溝を形成する工程と、
上記第1半導体層の上記発光層と反対側の面に、第1電極を形成する工程と、
上記第1電極に電力を供給して検査を行う工程と
を備えることを特徴としている。
図1A、図1Bおよび図1Cは、本発明の第1実施形態の半導体発光素子としてのLEDを示す断面図、平面図および底面図である。
図6A、図6Bおよび図6Cは、本発明の第2実施形態の半導体発光素子としてのLEDを示す断面図、平面図および底面図である。
2 n型GaAsバッファー層
3 n型Al0.5Ga0.5As電流拡散層
4 n型Al0.5In0.5Pクラッド層
5 量子井戸活性層
6 p型Al0.5In0.5Pクラッド層
7 p型(Al0.2Ga0.8)0.77In0.23P中間層
8 p型Ga0.915In0.085P貼付コンタクト層
9 ノンドープGaAsキャップ層9
10 p型GaP基板
10a p型GaP基板の傾斜面
10b p型GaP基板の平行面
10c p型GaP基板の側面
11 ボンディングパッド
12 n型電極
Claims (11)
- ダイボンディングされる側から順に、第1導電型の第1半導体層と、発光層と、第2導電型の第2半導体層と、上記発光層からの光に対して透明であると共に上記第2半導体層に直接接合された第2導電型の透明基板とを備え、
上記透明基板は、上記発光層と反対側に、上記発光層と略平行な平行面と、この平行面に連なると共にこの平行面に対して傾斜した傾斜面とを有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
上記傾斜面と平行面との間の峰は、平面視において、上記透明基板の側面から内側に20μm以上隔てられており、かつ、上記傾斜面と上記透明基板の側面との間の峰は、側面視において、上記透明基板の平行面から発光層側に20μm以上隔てられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子において、
上記発光層は、(AlyGa1−y)zIn1−zP(0≦y≦1、0<z<1)で形成された層を少なくとも1つ有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体発光素子において、
上記第1半導体層の上記発光層と反対側の面に、平面視において円形状の第1電極を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項4に記載の半導体発光素子において、
上記第1電極は、直径が80μm以上であることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項4または5に記載の半導体発光素子において、
上記第1電極は、上記第1半導体層に非オーミック接触しており、
上記第1半導体層の上記第1電極が形成された面に、平面視において上記第1電極の周りに位置すると共に、この第1電極に電気的に接続され、かつ、上記第1半導体層にオーミック接触した第2電極を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項6に記載の半導体発光素子において、
上記第2電極は、平面視において枝形状を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項4乃至7のいずれか1つに記載の半導体発光素子において、
上記第1電極は、上記発光層で生成される光に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、この反射層は、上記第1半導体層に接触していることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項8に記載の半導体発光素子において、
上記反射層は、少なくともAl、AgまたはAuを含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項4乃至9のいずれか1つに記載の半導体発光素子において、
平面視において上記発光層の上記第1電極と略同じ位置に発光領域を定義するための電流狭窄部を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 第1導電型の第1半導体層を形成する工程と、
上記第1半導体層上に、発光層を形成する工程と、
上記発光層上に、第2導電型の第2半導体層を形成する工程と、
上記第2半導体層の表面に、上記発光層からの光に対して透明な第2導電型の透明基板を直接接合する工程と、
上記透明基板の表面に、断面V字形の第1溝を形成する工程と、
平面視において上記透明基板に形成される第1溝の底と略同じ位置に、上記第1半導体層から少なくとも上記発光層に達する第2溝を形成する工程と、
上記第1半導体層の上記発光層と反対側の面に、第1電極を形成する工程と、
上記第1電極に電力を供給して検査を行う工程と
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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