JP5198793B2 - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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(1)主としてZnTe、BeZnTeまたはMgSeを含む第1導電型半導体層、発光領域を有する活性層および第2導電型半導体層がこの順に配置された積層構造において第1導電型半導体層の表面をウエットエッチング処理することにより、その表面全体に、第1導電型半導体層の一の結晶方位と平行な方向に延在するストライプ形状の凸部を有する凹凸部を形成する工程
(2)その表面に、発光領域との対向領域に開口を有する環形状の金属電極を形成する工程
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光ダイオード(LED)1の断面構成を表すものである。図2は、図1の発光ダイオード1を斜視的に表したものである。なお、図1は、図2のA−A矢視方向の断面構成と対応している。また、図1,図2は、模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。
上記実施の形態では、凹凸部17Cの上に上部電極18を設けていたが、例えば、図5に示したように、コンタクト層17の上面の一部に平坦面18Bを設け、この平坦面18B上に上部電極18を設けるようにしてもよい。この場合には、依然として、コンタクト層17の上面のうち、発光領域14A(または開口部18A)との対向領域の全体または一部には、凹凸部17Cが形成されているので、発光領域14Aから発せられた光がコンタクト層17の上面を透過する際に、発光領域14A側に反射される割合を大幅に減らすことができ、光取り出し効率を大きくすることができる。
上記実施の形態では、コンタクト層17の上面に直接接触させて上部電極18を形成していたが、例えば、図6に示したように、コンタクト層17の上面全体に渡って、透明電極21を設け、この透明電極21を介して間接的にコンタクト層17の上面に上部電極18を形成するようにしてもよい。ここで、透明電極21は、例えばPdおよびAuをコンタクト層17上にこの順に積層したものであり、コンタクト層17とオーミック接触している。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザ(LD)2の断面構成を表すものである。図8は、図7の半導体レーザ2を斜視的に表したものである。なお、図7は、図8のB−B矢視方向の断面構成と対応している。また、図7,図8は、模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。また、以下の説明において、上記実施の形態と同一の符号が用いられている場合は、その同一符号の要素と同様の構成・機能を有することを意味している。
Claims (4)
- 主としてZnTe、BeZnTeまたはMgSeを含む第1導電型半導体層、発光領域を有する活性層および第2導電型半導体層がこの順に配置された積層構造と、
前記積層構造のうち前記第1導電型半導体層の表面上に形成された金属電極と
を備え、
前記金属電極は、前記発光領域との対向領域に開口を有する環形状となっており、
前記第1導電型半導体層は、前記金属電極側の表面全体に凹凸部を有し、
前記凹凸部の各凸部は、ウエットエッチング処理により形成されたものであり、前記第1導電型半導体層の一の結晶方位と平行な方向に延在するストライプ形状となっている
半導体素子。 - 前記凹凸部の間隔は、前記発光領域から発せられる光の波長よりも短い
請求項1に記載の半導体素子。 - 主としてZnTe、BeZnTeまたはMgSeを含む第1導電型半導体層、発光領域を有する活性層および第2導電型半導体層がこの順に配置された積層構造において前記第1導電型半導体層の表面をウエットエッチング処理することにより、その表面全体に、前記第1導電型半導体層の一の結晶方位と平行な方向に延在するストライプ形状の凸部を有する凹凸部を形成する工程と、
その表面に、前記発光領域との対向領域に開口を有する環形状の金属電極を形成する工程と
を含む
半導体素子の製造方法。 - 前記凹凸部の間隔は、前記発光領域から発せられる光の波長よりも短い
請求項3に記載の半導体素子の製造方法。
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