JPH0766503A

JPH0766503A - 発光素子

Info

Publication number: JPH0766503A
Application number: JP23236693A
Authority: JP
Inventors: Satoru Ito; 哲伊藤; Masabumi Ozawa; 正文小沢; Akira Ishibashi; 晃石橋; Masao Ikeda; 昌夫池田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-08-25
Filing date: 1993-08-25
Publication date: 1995-03-10

Abstract

(57)【要約】【目的】ｐ型コンタクト層とｐ型電極との間に良好なオ
ーム性接触を得ることはでき、しかも、１０Ｖ以下の動
作電圧を達成し得る発光素子を提供する。【構成】発光素子は、化合物半導体層２４上に形成され
たｐ型コンタクト層３０を有し、このｐ型コンタクト層
３０は、第１のコンタクト層３２、第２のコンタクト層
３６、並びに第１及び第２のコンタクト層の間に形成さ
れた複数の障壁層と複数の量子井戸層から構成された多
重量子井戸構造３４から成り、障壁層の厚さは０．３乃
至１．７ｎｍであり、量子井戸層の数は３乃至６であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ｐ型コンタクト層に特
徴を有する、半導体レーザあるいは発光ダイオード等の
発光素子に関し、特に、ＺｎＳｅ系、ＺｎＣｄＳｅ系あ
るいはＺｎＭｇＳＳｅ系の化合物半導体材料を用いた発
光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＺｎＳｅ系、ＺｎＣｄＳｅ系ある
いはＺｎＭｇＳＳｅ系の化合物半導体材料を用いた青色
あるいは緑色発光素子を実現する試みが活発に行われて
おり、これまで様々な報告がなされている。ところで、
例えばＺｎＳｅ系の発光素子においては、ｐ型ＺｎＳｅ
とｐ型電極を構成する金属との接触界面に、１ｅＶ以上
の高さのポテンシャル障壁が存在する。一方、これまで
実現されているｐ型ＺｎＳｅ中のキャリア濃度は１０¹⁷
ｃｍ^-3台である。尚、キャリア濃度はＮ_A−Ｎ_Dで表わさ
れ、Ｎ_Aはアクセプタ濃度、Ｎ_Dはドナー濃度であり、以
下においても同様である。

【０００３】このため、ＺｎＳｅ系の化合物半導体材料
を用いた発光素子においては、ｐ型ＺｎＳｅ層に対する
ｐ型電極のオーム性接触を得ることが本質的に困難であ
る。その結果、発光素子の動作に必要な印加電圧が高く
なり、また、ｐ型電極とｐ型ＺｎＳｅ層との接触界面に
おける電力損失による発熱に起因して発光素子の特性に
劣化が生じるという問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、ｐ型コンタクト層としてｐ型ＺｎＴｅ層を
有する発光素子、並びに、ｐ型ＺｎＳｅ層、ｐ型ＺｎＴ
ｅ層及びこれらの間に形成されたｐ型ＺｎＳｅから成る
複数の障壁層とｐ型ＺｎＴｅから成る複数の量子井戸層
から構成された多重量子井戸構造を有するｐ型コンタク
ト層を備えた発光素子を、本出願人は特願平４−１８５
８２１号にて提案した。

【０００５】この提案においては、ｐ型コンタクト層と
ｐ型電極の間の良好なオーム性接触を得ることができ
る。しかしながら、発光素子の動作電圧が１０Ｖを越え
ており、十分な動作電圧であるとはいい難い。また、発
光素子の動作電圧が高いために、ｐ型電極とｐ型コンタ
クト層との接触界面における電力損失による発熱に起因
した発光素子特性の劣化という問題は、十分に解決され
てはいない。

【０００６】従って、本発明の目的は、ｐ型コンタクト
層とｐ型電極との間に良好なオーム性接触を得ることは
でき、しかも、１０Ｖ以下の動作電圧を達成し得る発光
素子を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、化合物半
導体層上に形成されたｐ型コンタクト層を有し、このｐ
型コンタクト層は、第１のコンタクト層、第２のコンタ
クト層、並びに第１及び第２のコンタクト層の間に形成
された複数の障壁層と複数の量子井戸層から構成された
多重量子井戸構造から成り、障壁層の厚さは０．３乃至
１．７ｎｍであり、量子井戸層の数は３乃至６、より好
ましくは４乃至５であることを特徴とする本発明の発光
素子によって達成することができる。

【０００８】障壁層の厚さが０．３ｎｍ未満では、障壁
層を構成する材料と量子井戸層を構成する材料から成る
高抵抗の混晶が形成され、ｐ型コンタクト層全体の抵抗
が高くなるという問題が生じる。また、障壁層の厚さが
１．７ｎｍを越えると、発光素子の動作電圧が１０Ｖを
越えてしまう。量子井戸層の数が３未満では、ｐ型コン
タクト層とｐ型電極との間にオーム性接触が得られな
い。また量子井戸層の数が６を越えると、発光素子の動
作電圧が１０Ｖを越えてしまう。

【０００９】それぞれの障壁層の厚さは、一定であって
も異なっていてもよい。また、それぞれの量子井戸層の
厚さ（井戸幅）も、一定であっても異なっていてもよ
い。障壁層の厚さのそれぞれを異ならせる場合、第２の
コンタクト層に近い障壁層ほど、その厚さを薄くするこ
とが望ましい。量子井戸層のそれぞれの厚さを異ならせ
る場合、第２のコンタクト層に近い量子井戸層ほど、そ
の厚さを厚くし、各量子井戸層の量子準位を第１及び第
２のコンタクト層のフェルミ準位と出来るだけ一致させ
ることが望ましい。

【００１０】本発明の発光素子においては、第１のコン
タクト層はＺｎＳｅから成り、第２のコンタクト層はＺ
ｎＴｅから成り、第２のコンタクト層上にｐ型電極が形
成されていることが望ましい。更には、障壁層は、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＣｄＳｅ又はＺｎＳＳｅから成り、量子井戸
層はＺｎＴｅから成ることが望ましい。

【００１１】発光素子が半導体レーザである場合、上記
の化合物半導体層はｐ型クラッド層に相当する。また、
発光素子が発光ダイオードである場合、第１のコンタク
ト層それ自体が、発光素子の発光領域を構成する。即
ち、この場合には、上記の化合物半導体層は、ｐｎ接合
を形成するｎ型化合物半導体層であり、ｐｎ接合を形成
するｐ型化合物半導体層は第１のコンタクト層を兼ねて
いる。

【００１２】

【作用】本発明においては、多重量子井戸構造がｐ型コ
ンタクト層中に形成されているので、ｐ型電極から第２
のコンタクト層に注入された正孔は、多重量子井戸構造
のそれぞれの量子井戸層に形成された量子準位を介して
トンネル効果によって第１のコンタクト層へと流れる。
従って、第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との
接合における価電子帯の不連続によるポテンシャル障壁
を実質的に無くすことができる。しかも、障壁層の厚さ
を今までの発光素子よりも薄くし、更には量子井戸層の
数を今までの発光素子よりも少なくすることによって、
ｐ型コンタクト層とｐ型電極との間に良好なオーム性接
触を得ることはでき、且つ、１０Ｖ以下の発光素子動作
電圧を達成することができる。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明の発光素子を説明する。

【００１４】（実施例１）実施例１は、本発明の発光素
子を半導体レーザに適用した例である。図１に模式的な
断面図を示す本発明の発光素子は、以下に示す各層から
構成されている。尚、各層の構成は上から下へと示し
た。尚、材料名の末尾のコロン（：）の後に示した元素
は、ドーパント元素を示す。

【００１５】ｐ型コンタクト層３０は、化合物半導体層
に相当するｐ型クラッド層２４上に形成されている。そ
して、ｐ型コンタクト層３０は、第１のコンタクト層３
２、第２のコンタクト層３６、第１及び第２のコンタク
ト層の間に形成された多重量子井戸構造３４から成る。
多重量子井戸構造３４は、複数の障壁層及び複数の量子
井戸層から構成されている。尚、ＺｎＳＳｅ層２６は、
バッファ層、クラッド層及びコンタクト層としての機能
を有する。このＺｎＳＳｅ層２６は、場合によっては省
略することができる。

【００１６】実施例１において、第１のコンタクト層３
２はｐ−ＺｎＳｅから成り、第２のコンタクト層３６は
ｐ−ＺｎＴｅから成る。また、多重量子井戸構造３４を
構成する障壁層はｐ−ＺｎＳｅから成り、量子井戸層は
ｐ−ＺｎＴｅから成る。障壁層の厚さを１．６ｎｍとし
た。また、量子井戸層の数を６とした。各量子井戸層の
厚さ（井戸幅）を、第１のコンタクト層３２側から、そ
れぞれ、０．４，０．５，０．６，０．８，１．１，
１．７ｎｍとした。

【００１７】図１に示した半導体レーザである発光素子
は、図２に模式的に示す分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
装置を用いて、以下の方法で作製することができる。Ｍ
ＢＥ装置は、真空蒸着装置の一種であり、超高真空排気
装置（図示せず）を備えた真空容器１００の中に、複数
の分子線源（Ｋセル）１０２、及び基板１２を保持する
基板ホルダー１０４が備えられている。また、ＥＣＲプ
ラズマセル１０６が備えられている。基板１２は、ロー
ドロックチャンバ１０８を経由して真空容器１００中に
搬入される。

【００１８】Ｓｉをドーピングしたｎ−ＧａＡｓから成
る基板１２をＭＢＥ装置の基板ホルダー１０４に装着
し、基板を約５８０゜Ｃに加熱して、基板１２の表面を
清浄にする。その後、基板１２を所定の最適成長温度
（例えば２８０゜Ｃ）に下げて、分子線源からの分子線
によって各層を基板上に成長させる。

【００１９】先ず、基板１２上にＣｌをドーピングした
ｎ⁺−ＺｎＳｅから成る厚さ２０ｎｍのバッファ層１４
を形成し、その上に、Ｃｌをドーピングしたｎ−Ｚｎ_X
Ｍｇ₁ _-XＳ_YＳｅ_1-Yから成る厚さ２．０μｍのｎ型クラ
ッド層１６を形成する。更にその上に、Ｃｌをドーピン
グしたｎ−ＺｎＳ₀．₀₆Ｓｅ₀．₉₄から成る厚さ５５ｎｍ
の第１の光ガイド層１８を形成し、次いで、その上に、
Ｚｎ_0.85Ｃｄ_0.15Ｓｅから成る厚さ６ｎｍの活性層２０
を形成する。尚、Ｃｌのドーピングのためのドーパント
としてＺｎＣｌ₂を用いた。

【００２０】その後、Ｎ（窒素）をドーピングしたｐ−
ＺｎＳ₀．₀₆Ｓｅ₀．₉₄から成る厚さ５５ｎｍの第２の光
ガイド層２２を形成し、更に、その上に、Ｎをドーピン
グしたｐ−Ｚｎ_XＭｇ_1-XＳ_YＳｅ_1-Yから成る厚さ０．７
μｍのｐ型クラッド層２４（化合物半導体層に相当す
る）を形成し、次いで、Ｎをドーピングした厚さ０．６
μｍのＺｎＳＳｅ層２６を形成する。尚、Ｎ（窒素）の
ドーピングはＲＦプラズマ法にて行った。以下において
も同様である。

【００２１】その後、ｐ型コンタクト層３０を形成す
る。そのために、先ず、ＮをドーピングしたＺｎＳｅか
ら成る厚さ８０ｎｍの第１のコンタクト層３２を形成す
る。第１のコンタクト層３２中のキャリア濃度を約８×
１０¹⁷ｃｍ^-3とした。次いで、多重量子井戸構造を形成
する。即ち、Ｎをドーピングしたｐ−ＺｎＴｅから成る
厚さ（井戸幅）０．４ｎｍの量子井戸層を形成し、次い
で、Ｎをドーピングしたｐ−ＺｎＳｅから成る厚さ１．
６ｎｍの障壁層を形成し、その後、量子井戸層の厚さを
変えてこれらの操作を繰り返し、最終的に、６つの量子
井戸層（厚さは、それぞれ０．４，０．５，０．６，
０．８，１．１，１．７ｎｍ）と６つの障壁層（厚さは
１．６ｎｍ一定）を有する構造の多重量子井戸構造を得
た。

【００２２】その後、Ｎをドーピングしたｐ−ＺｎＴｅ
から成る厚さ７０ｎｍの第２のコンタクト層３６を形成
する。第２のコンタクト層３６中のキャリア濃度を約１
×１０¹⁹ｃｍ^-3とした。尚、第２のコンタクト層３６の
厚さは１０〜２００ｎｍであればよい。

【００２３】次いで、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕを電子線蒸着
法にて第２のコンタクト層３６上に順次積層させて、ｐ
型電極４０を形成する。また、基板１０の下面にＩｎか
ら成るｎ型電極１０を形成する。

【００２４】先に述べたようなキャリア濃度を有するｐ
−ＺｎＳｅとｐ−ＺｎＴｅとの界面における価電子帯の
不連続の大きさは約０．５ｅＶである。このようなｐ−
ＺｎＳｅ／ｐ−ＺｎＴｅ接合の価電子帯には、ステップ
接合を仮定すると、ｐ−ＺｎＳｅ側に、Ｗ＝（２εφ_T／ｑＮ_A）^1/2 の幅（Ｗ）に亙ってバンドの曲がりが生じる。ここで、
εはｐ−ＺｎＳｅの誘電率、φ_Tはｐ−ＺｎＳｅ／ｐ−
ＺｎＴｅ界面における価電子帯の不連続ポテンシャル
（約０．５ｅＶ）、ｑは電子の電荷の絶対値、Ｎ_Aはｐ
−ＺｎＳｅにおけるアクセプタ濃度である。

【００２５】上式を計算すると、Ｗの値は３２ｎｍとな
る。価電子帯の頂上がｐ−ＺｎＳｅ／ｐ−ＺｎＴｅ界面
に垂直な方向に沿ってどのように変化するかを図３に示
す。但し、ｐ−ＺｎＳｅ及びｐ−ＺｎＴｅのフェルミ準
位は価電子帯の頂上に一致すると近似している。図３に
示すように、ｐ−ＺｎＳｅの価電子帯はｐ−ＺｎＴｅに
向かって下に曲がっている。この下に凸の価電子帯の変
化は、ｐ型電極からｐ−ＺｎＳｅ／ｐ−ＺｎＴｅ接合に
注入された正孔に対してポテンシャル障壁として働く。

【００２６】本発明においては、多重量子井戸構造３４
がｐ型コンタクト層３０中に形成されているので、ｐ型
電極４０から第２のコンタクト層３６に注入された正孔
は、多重量子井戸構造３４のそれぞれの量子井戸層に形
成された量子準位を介してトンネル効果によって第１の
コンタクト層３２へと流れる。従って、第１のコンタク
ト層３２と第２のコンタクト層３６との接合における価
電子帯の不連続によるポテンシャル障壁を実質的に無く
すことができる。

【００２７】更には、障壁層の厚さを今までの発光素子
よりも薄くし、且つ、量子井戸層の数を今までの発光素
子よりも少なくすることによって、ｐ型コンタクト層３
０とｐ型電極４０との間に良好なオーム性接触を得るこ
とができ、しかも、１０Ｖ以下の動作電圧を達成するこ
とができる。

【００２８】実施例１にて説明した構成を有する発光素
子においては、図４に示すように、レーザ発振に必要と
される電圧は、閾値電流２６０ｍＡにおいて、９Ｖであ
った。また、発光素子に１００ｍＡの電流を流す場合に
発光素子に印加すべき電圧は約７Ｖであった。

【００２９】一方、図１に示した構造を有するが、障壁
層の厚さが２．０ｎｍであり、量子井戸層の数が７（各
量子井戸層の厚さ（井戸幅）は、それぞれ０．３，０．
４，０．５，０．６，０．８，１．１，１．７ｎｍであ
る）の場合、図５に示すように、レーザ発振に必要とさ
れる電圧は、閾値電流２８０ｍＡにおいて、１２Ｖであ
った。また、発光素子に１００ｍＡの電流を流す場合に
発光素子に印加すべき電圧は約１０Ｖであった。

【００３０】尚、発光素子に５０ｍＡの電流を流すため
に必要な発光素子への印加電圧と、ｐ−ＺｎＳｅから成
る障壁層の厚さの関係を図６に示す。図６に示したデー
タは、実施例１と同様の６つの量子井戸層（井戸幅は実
施例１と同じ）を有する発光素子から得たデータであ
る。図６から明らかなように、障壁層の厚さが薄くなる
に従い、印加電圧は減少する。しかしながら、多重量子
井戸構造が存在しない場合（障壁層の厚さが０に相当す
る）、印加電圧の値は高くなる。

【００３１】（実施例２）実施例２は、本発明の発光素
子を発光ダイオードに適用した例である。実施例２の発
光素子は、図７に示すように、Ｓｉがドープされたｎ−
ＧａＡｓから成る基板５２上に、例えばＧａ（ガリウ
ム）がドーピングされた厚さ１．５μｍのｎ−ＺｎＳｅ
から成るｎ型化合物半導体層５４（キャリア濃度：１〜
５×１０¹⁷ｃｍ^-3）、及びＮ（窒素）がドーピングされ
た厚さ１μｍのｐ−ＺｎＳｅから成るｐ型化合物半導体
層５６（キャリア濃度：２〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3）が順次
積層されて成り、ｎ型化合物半導体層５４及びｐ型化合
物半導体層５６によってｐｎ接合が形成された発光ダイ
オードである。

【００３２】実施例２においては、ｎ型化合物半導体層
５４が化合物半導体層に相当する。また、ｐｎ接合を形
成するｐ型化合物半導体層５６は、ｐ型コンタクト層に
おける第１のコンタクト層を兼ねている。

【００３３】このｐ型化合物半導体層（兼第１のコンタ
クト層）５６の上に多重量子井戸構造５８が形成されて
いる。また、この多重量子井戸構造５８の上には、Ｎ
（窒素）をドーピングしたｐ−ＺｎＴｅから成る厚さ７
０ｎｍの第２のコンタクト層６０が形成されている。第
２のコンタクト層６０中のキャリア濃度を約１×１０¹⁹
ｃｍ^-3とした。尚、第２のコンタクト層６０の厚さは１
０〜２００ｎｍであればよい。

【００３４】多重量子井戸構造５８の構成は、実施例１
と同様とした。即ち、ｐ型化合物半導体層（兼第１のコ
ンタクト層）５６の上にＮをドーピングしたｐ−ＺｎＴ
ｅから成る厚さ（井戸幅）０．４ｎｍの量子井戸層を形
成し、次いで、Ｎ（窒素）をドーピングしたｐ−ＺｎＳ
ｅから成る厚さ１．６ｎｍの障壁層を形成し、その後、
量子井戸層の厚さを変えてこの操作を繰り返し、最終的
に、６つの量子井戸層（厚さは、それぞれ０．４，０．
５，０．６，０．８，１．１，１．７ｎｍ）と６つの障
壁層（厚さは１．６ｎｍ一定）を有する構造の多重量子
井戸構造を得ることができる。

【００３５】以上のように、実施例２におけるｐ型コン
タクト層は、第１のコンタクト層５６（ｐｎ接合を形成
するｐ型化合物半導体層を兼ねている）、第２のコンタ
クト層６０、第１及び第２のコンタクト層の間に形成さ
れた複数の障壁層及び複数の量子井戸層から構成された
多重量子井戸構造５８を有する。

【００３６】第２のコンタクト層６０の上にはＡｕから
成るｐ型電極６２が形成されている。また、基板５２の
下面にはＩｎから成るｎ型電極５０が形成されている。

【００３７】実施例２の発光素子は、実質的には実施例
１と同様の方法で作製することができるので、詳細な説
明は省略する。

【００３８】以上、好ましい実施例に基づき本発明を説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。

【００３９】各層の組成は例示であり、適宜変更するこ
とができる。例えば、実施例１における第１のコンタク
ト層３２及び障壁層を、ＺｎＳｅの代わりに、ＺｎＣｄ
Ｓｅ又はＺｎＳＳｅから構成することができ、また、活
性層２０を、ＺｎＳＳｅから構成することができる。

【００４０】更には、例えば、ｎ−ＧａＡｓから成る基
板上に順次積層された、ｎ−ＺｎＳＳｅから成るｎ型ク
ラッド層、ｎ−ＺｎＳｅから成る第１の光ガイド層、Ｚ
ｎＣｄＳｅから成る活性層、ｐ−ＺｎＳｅから成る第２
の光ガイド層、ｐ−ＺｎＳＳｅから成るｐ型クラッド層
（化合物半導体層に相当する）から発光領域が形成され
た、半導体レーザから成る発光素子を別の構成例として
挙げることができる。

【００４１】ｐ型クラッド層やｐ型コンタクト層を形成
するためのドーパントとして、窒素（Ｎ）元素以外に
も、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）等
のＶ族元素を用いることができる。これによって、第２
のコンタクト層に１０¹⁹ｃｍ^-3程度のキャリア濃度を付
与することができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明においては、障壁層の厚さ及び量
子井戸層の数に特徴を有する多重量子井戸構造を発光素
子に形成することによって、ｐ型電極における発熱を抑
制することができ、信頼性の高い電極構造を作製するこ
とができる。また、発光素子の動作電圧を１０Ｖ以下に
することができ、しかもｐ型コンタクト層とｐ型電極の
間に良好なオーム性接触を得ることができる。その結
果、発光素子の長寿命化、高信頼性、高動作安定性を得
ることができる。更には、量子井戸層数が今までの発光
素子よりも少ないので、発光素子の作製が容易であり、
多重量子井戸構造の形成の再現性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の発光素子の構造を示す模式的な断面
図である。

【図２】本発明の発光素子の作製に適した分子線エピタ
キシー装置の概要を示す図である。

【図３】ｐ−ＺｎＳｅ／ｐ−ＺｎＴｅ界面近傍の価電子
帯を示すエネルギーバンド図である。

【図４】本発明の発光素子における電流電圧特性を示す
図である。

【図５】今までの発光素子における電流電圧特性を示す
図である。

【図６】発光素子に５０ｍＡの電流を流すために必要な
発光素子への印加電圧と、ｐ−ＺｎＳｅから成る障壁層
の厚さの関係を示す図である。

【図７】実施例２の発光素子の構造を示す模式的な断面
図である。

【符号の説明】

１０，５０ｎ型電極１２，５２基板１４バッファ層１６ｎ型クラッド層１８第１の光ガイド層２０活性層２２第２の光ガイド層２４ｐ型クラッド層２６ＺｎＳＳｅ層３０ｐ型コンタクト層３２第１のコンタクト層３４多重量子井戸構造３６第２のコンタクト層４０，６２ｐ型電極５４ｎ型化合物半導体層５６ｐ型化合物半導体層（第１のコンタクト層を兼ね
る）５８多重量子井戸構造６０第２のコンタクト層１００真空容器１０２分子線源（Ｋセル）１０４基板ホルダー１０６ＥＣＲプラズマセル１０８ロードロックチャンバ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池田昌夫東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】化合物半導体層上に形成されたｐ型コンタ
クト層を有し、該ｐ型コンタクト層は、第１のコンタク
ト層、第２のコンタクト層、並びに第１及び第２のコン
タクト層の間に形成された複数の障壁層と複数の量子井
戸層から構成された多重量子井戸構造から成り、該障壁
層の厚さは０．３乃至１．７ｎｍであり、量子井戸層の
数は３乃至６であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】第１のコンタクト層はＺｎＳｅ、ＺｎＣｄ
Ｓｅ又はＺｎＳＳｅから成り、第２のコンタクト層はＺ
ｎＴｅから成り、第２のコンタクト層上にｐ型電極が形
成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素
子。
【請求項３】障壁層は、ＺｎＳｅ、ＺｎＣｄＳｅ又はＺ
ｎＳＳｅから成り、量子井戸層はＺｎＴｅから成ること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。