JPH11506273A - 最高３０％のアルミニウムを含む半導体材料又はアルミニウムを含まない半導体材料から成る個別の閉じ込め層を有する放射放出半導体ダイオード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、放射放出半導体ダイオード、特に活性層（２）とＩｎＰクラッド層（１，３）との間に少なくとも１個の個別の閉じ込め層（４）を具える埋め込みヘテロ型のレーザ（増幅器）ダイオードに関するものである。活性区域（２Ａ）は約１μｍ以上の放射波長を有すると共に、個別の閉じ込め層（４）及びＩｎＰクラッド層（１，３）と共に細条状区域（３０）を形成し、この細条状区域（３０）は電流を阻止するＩｎＰの第３のクラッド層（５）により包囲する。既知のダイオードの欠点は、始動電流が時間と共に比較的強く増大し、ダイオードの寿命が制限され短くなり過ぎることである。本発明のダイオードにおいて、個別の閉じ込め層（４）は最高３０％のアルミニウム好ましくは２０％のアルミニウムを含むアルミニウム含有半導体材料、又はアルミニウムを含まない半導体材料で構成する。既知のダイオードの短い寿命は第３のクラッド層（５）と隣接する個別の閉じ込め層（４）の側部に酸素含有材料が存在することに起因する。劣化は個別の閉じ込め層（４）のアルミニウム含有量に関係する。好ましくは、個別の閉じ込め層（４）はＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰで構成する。個別の閉じ込め層のバンドギャップ及び屈折率は平坦、階段状又は徐々に変化するプロファイルを有することができる。本発明は、本発明によるダイオードの製造方法にも関する。

Description

【発明の詳細な説明】 最高３０％のアルミニウムを含む半導体材料又はアルミニウムを 含まない半導体材料から成る個別の閉じ込め層を有する放射放出 半導体ダイオード 本発明は、第１導電型の半導体基板を有する半導体本体を具え、半導体基板上 に、第１導電型のＩｎＰの第１のクラッド層と、活性層と、第１導電型とは反対 の第２導電型のＩｎＰから成る第２のクラッド層と、前記活性層と第１のクラッ ド層又は第２のクラッド層との間に位置する少なくとも１個の個別の閉じ込め層 とをこの順序で具える半導体層構造体が存在し、前記基板及び第２のクラッド層 に電気的接続部が形成され、前記第１のクラッド層と第２のクラッド層との間で あって活性層の細条状活性区域内に形成したｐｎ接合に順方向の十分な電流を与 えた場合波長が１μｍに等しいか又はそれ以上の放射を発生し、前記半導体本体 に少なくとも前記第２のクラッド層、個別の閉じ込め層及び活性層を含む細条状 区域が存在し、前記半導体本体がいずれかの側においてＩｎＰの第３のクラッド 層により境界されている放射放出半導体ダイオードに関するものである。本発明 は、このようなダイオードの製造方法にも関するものである。 このダイオードは、光ガラスファイバ通信システムの送信機又は増幅器として 用いられている。この場合、放出／増幅波長は１．３μｍと１．６μｍとの間に 存在する。 このダイオードは、１９９１年９月９日に発行されたAppl．Phys．Lett．59（ 11）、第１２６９〜１２７１頁に記載されているカワサキ等による論文「Novel etching technique for a buried hetero structure ＧａＩｎＡｓ／ＧａＩｎ Ａｓ量子井戸レーザダイオード」から既知である。この論文は、ＩｎＰ基板上に ＩｎＰクラッド層及びＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を有するいわゆる ＳＩＰＢＨ（Semi-Insulating Planar Buried Hetero）ダイオードに関するもの である。このダイオードの細条状区域は、上側クラッド層、活性層、および活性 層と隣接する２個の個別の閉じ込め層を有している。この細条状区域は、ＩｎＰ 電流阻止層によりいずれかの側において境界されている。活性層はＭＱＷ（＝多 重量子井戸）構造を有している。個別の閉じ込め層は０．１μmの厚さのＧＲＩ Ｎ（＝ＧＲａｄｅｄ ＩＮｄｅｘ）部分を具え、アルミニウム含有量が２０〜３ ８％の勾配を示すＡｌＧａＩｎＡｓで構成され、０．１μmの厚さの部分はアル ミニウム含有量が３８％のＡｌＧａＩｎＡｓで構成されている。この埋込ヘテロ 形のダイオードは、低い始動電流、安定なラテラルモード、ほぼ円形断面の放射 ビーム、及び小さい寄生容量のような有用な性能を有している。活性層について ＧａＩｎＡｓ（Ｐ）／ＡｌＧａＩｎＡｓを用いることは、伝導帯ジャンプが一層 大きい別のＧａＩｎＡｓ（Ｐ）／ＧａＩｎＡｓＰを超える重要な利点を有してお り、これにより特に高い効率及び低い始動電流がダイオードに与えられ、始動電 流の量は温度が上昇してもほとんど増加しない。 この既知のダイオードの欠点は、始動電流が時間と共に比較的大きく上昇する ことである。既知のダイオードは５００〜１０００時間経過後に始動電流の許容 できない増大を示すため、これにより、ダイオードを光通信システムに用いるの が不適当になってしまう。この理由は、光通信システムには例えば２０〜２５年 の有用な寿命を必要とするからである。 本発明の目的は、上述した欠点を有しない又は少なくとも大幅に軽減された放 射放出半導体ダイオード、すなわち時間と共に始動電流が増加せず又はほとんど 増加しない放射放出半導体ダイオードを提供することにある。 この目的を達成するため、本発明による放射放出半導体は、冒頭で述べた型式 の放射放出半導体において、前記個別の閉じ込め層を最高３０％のアルミニウム を含むアルミニウム含有半導体材料又はアルミニウムを含まない半導体材料で構 成したことを特徴とする。 本発明は、始動電流の増加は、第３のクラッド層につながる細条状区域の側部 の酸素含有材料の存在によるダイオードの劣化により生ずるという驚くべき認識 に基づいている。この酸素含有材料は、細条状区域が形成された後第３のクラッ ド層が形成される前に大気に露出される際、個別のクラッド層の側面の区域に形 成される。アルミニウムの存在は、上記酸素含有材料の形成の一部の役割を果た している。明らかなことに、形成された酸化物は、ダイオードの製造時の温度又 は損傷が生ずることなくダイオードが受ける温度に応じて減少することはない。 個別の閉じ込め層のアルミニウム含有材料のアルミニウム含有量が本発明に基い て最大３０％に制限されれば、好ましくは最大２０％に制限されれば、少なくと も劣化が発生せず又は少なくともほとんど発生しない程度の十分に微小な量の酸 素含有材料が形成される。結果として、本発明によるダイオードは、特別に長い 寿命を有し、光通信システムに特に好適なものとなる。 アルミニウムを含有する表面上にアルミニウムを含む半導体層を成長させると 、問題が一層大きくなることは知られている。米国特許第４８００５６５号及び 第５０５８１２０号は、（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料系（λ＝０．７〜 ０．９μm）及び（Ａｌ）ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ材料系（λ＝０．５〜０ ．７μm）のダイオードについてこの問題をそれぞれ例証している。クラッド層 がＩｎＰで構成される材料系、すなわちアルミニウムのない材料系において、ア ルミニウムを含むことに関する課題は、以前から観察されなかった。この課題の 発生は驚くべきことである。この理由は、いわゆる埋込ヘテロ型の本発明のダイ オードのＩｎＰの第３クラッド層は既知の場合のようにアルミニウム含有材料の 比較的広い表面上に形成されておらず、比較的薄い個別の閉じ込め層の側部に排 他的に形成されているからである。また、個別の閉込層の許容される最大アルミ ニウム含有量は比較的多く、すなわち３０％又は２０％である。 本発明のダイオードの好適実施例において、個別の閉じ込め層はＡｌＧａＩｎ Ａｓで構成する。この構成は、活性層もＡｌＧａＩｎＡｓで構成される場合に、 個別の閉じ込め層が同一の材料で製造できる場合に有益である。この材料の組成 は変えることができるので、III族の元素の濃度だけを変えることができる。こ れは、III族及びＶ族の両方の元素の濃度を変える場合よりも一層良好に制御す ることができる。個別の閉じ込めの層は、活性層（ＭＱＷ活性層の場合、その障 壁層）のアルミニウム含有量と同一またはそれ以上の一定のアルミニウム含有量 を有することができる。個別の閉じ込め層についてその厚さ方向に勾配を持たせ ることも可能であり、実際に好ましいものである。その場合、最大アルミニウム 含有量は本発明に基いて規定される条件に適合する必要がある。３０％のアルミ ニウムを有するＩｎＰに整合するＡｌＧａＩｎＡｓのバンドギャップは１．２０ ｅＶであり、Ａｌ_0.30Ｇａ_0.18Ｉｎ_0.52Ａｓに対応し、２０％のアルミニウムを 含有する場合のバンドギャップは１．０６ｅＶでありＡｌ_0.20Ｇａ_0.28Ｉｎ_0.52 Ａｓに対応する。 好ましい変形例において、個別の閉じ込め層をＧａＩｎＡｓＰで構成する。こ のアルミニウムのない材料を用いれば、個別の閉じ込め層は０．８０ｅＶ（Ｇａ_0.42 Ｉｎ_0.58Ａｓ_0.90Ｐ_1.10）と１．３５ｅＶ（ＩｎＰ）との間のバンドギャッ プを有することができる。実際により有用な下側の限界は０．９５ｅＶ（Ｇａ_{0. 28} Ｉｎ_0.72Ａｓ_0.60Ｐ_0.40）に存在する。これら全ての材料はＩｎＰの格子と整 合する。個別の閉じ込め層はアルミニウムがないという事実により、この変形例 によるダイオードの劣化は極めて微小でありその寿命は長くなる。 個別の閉じ込め層は、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ及びＧａＩｎＡｓＰのような異 なる材料の種々のサブ層で構成できることに注意されたい。材料の組成を変える ことができる。これは、個別の閉じ込め層がバンドギャップ及び屈折率の勾配を 示すことができることを意味する。好ましくは、個別の閉じ込め層は、活性層の バンドギャップ及び屈折率と第１又は第２のクラッド層のバンドギャップ及び屈 折率との間のバンドギャップ及び屈折率を有する。電気的な閉じ込めとは対照的 に、光の閉じ込めは（主として）個別の閉じ込め層（及びクラッド層のわずかな 部分において）において行われる。この結果、ダイオードの効率は極めて高く、 始動電流は極めて小さく、その寿命は極めて長くなる。始動電流が小さくなる効 果は、バンドギャップの勾配がある場合すなわちバンドギャップの小さい隣接す る活性層にバンドギャップの大きい隣接するクラッド層との間において勾配があ る場合、最高になる。 活性層がＭＱＷ構造を有する場合、最良の結果が得られる。この場合量子井戸 層は、好ましくはＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰとＡｌＧａＩｎＡｓの障壁と で構成する。障壁層もアルミニウムが３０％以上ないという条件、好ましくは２ ０％以上でないという条件が課せられる。有用な放出波長は１．３μmと１．６ μmとの間に存在し、これは障壁層のアルミニウム含有量が２０％以下である（ 以下でなければならない）ことを意味する。 本発明によるダイオードの基板は、ＩｎＰの比較的厚いクラッド層の格子と良 好に整合するように好ましはＩｎＰで構成する。或いは、基板は、例えばＳｉと することができる。好ましくは、第３のクラッド層は電流阻止層であり、半絶縁 性の（Ｆｅが添加された）ＩｎＰで構成し又は動作中電流を阻止するＰｎ接合を 形成するｐ形のＩｎＰとｎ形のＩｎＰとの多数の交互層で構成される。本発明に よるダイオードは、好ましくは細条状区域が第１のクラッド層及び／又は基板の 一部で構成される埋込ヘテロ形のレーザダイオードとする。 放射放出半導体ダイオードの製造方法は、第１導電型の半導体基板上に半導体 層構造体を形成し、この半導体層構造体が、互いに反対導電型のＩｎＰから成る ２個のクラッド層の間に位置する活性層と、活性層と第１のクラッド層又は第２ のクラッド層との間に存在少なくとも１個の個別の閉じ込め層と、ｐｎ接合とに より形成し、前記ｐｎ接合に順方向の十分な電流を与えた場合１μｍに等しいか 又はそれ以上の波長の電磁放射を活性層の活性区域で発生することができ、少な くとも第２のクラッド層、個別の閉じ込め層及び活性層を具えると共にいずれか の側においてＩｎＰの第３のクラッド層により境界される細条状クラッド層を形 成し、前記基板及び第２のクラッド層に電気的接続部を形成することにより放射 放出半導体ダイオードレーザを製造するに当たり、最高で約３０％のアルミニウ ム、好ましくは２０％のアルミニウムを含むアルミニウム含有半導体材料又はア ルミニウムを含まない半導体材料を、前記個別の閉じ込め層について選択したこ とを特徴とする。 本発明によるダイオードは、この方法により簡単に得られる。好ましくは、細 条状区域は、少なくとも第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層が第１ の成長プロセスで形成された後、第３のクラッド層を第２の成長プロセスで形成 する。 以下添付図面及び実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。 図１は本発明による放射放出半導体ダイオードの実施例を斜視図として線図的 に示す。 図２は図１のダイオードの第１の変形例の層部分の厚さの関数として伝導体を 示す線図である。 図３は図１のダイオードの第２の変形例の層部分の厚さの関数として伝導体を 示す線図である。 図４及び５は図１のダイオードを本発明による方法の順次の製造工程として線 図的に示す。 図面は線図的なものであり、スケール通りに表示されておらず、厚さ方向の寸 法は特に拡大して図面を一層明瞭にしている。 図１は本発明による放射放出半導体ダイオードの実施例を斜視図として線図的 に示す。図２及び３は図１のダイオードの第１及び第２の構成の各層の部分２０ の厚さ関数として伝導体を示す線図である。本例の第はダイオードレーザであり 、以下ダイオードと短縮して称することにする。このダイオードは基板１１を有 する半導体本体１０を具え、本例では基板１１は第１導電型本例の場合ｎ形のＩ ｎＰから成り、この基板に金属層７を形成し、基板上に半導体層構造を設ける。 この半導体層構造体は、第１のＩｎＰのクラッド層１と第２のＩｎＰクラッド層 ３との間に活性層２を有し、活性層２は本例の場合クラッド層１と３との間にｐ ｎ接合を有し、これらクラッド層は第１導電型従ってｎ形及び第１導電型とは反 対の第２導電型従ってｐ形とする。本例のクラッド層１は基板１１の一部を構成 する。順方向の十分な電流強度を与えると、ｐｎ接合は半導体本体１０の細条区 域３０の一部を構成する活性層２の細条状の活性区域２Ａ内で１μｍ以上の電磁 放射を発生することができ、細条状区域３０は第２のクラッド層３及び第１のク ラッド層１を含む共に鉄が添加されたＩｎＰの電流阻止を行う第３のクラッド層 ５により包囲されている。このダイオードには、紙面と平行に延在し細条状活性 区域２Ａを境界し、従ってレーザ動作に必要な共振キャビティを規定する２個の 端面５０，５１を形成する。このダイオードは、さらに細条区域３０内に延在す る第１のコンタクト層６ａとダイオードの全表面にわたって延在する第２のコン タクト層６ｂを含むと共に金属層８が形成されている。これら金属層７，８はダ イオード用の電気的接続を構成する。 活性層２と第１及び第２のクラッド層層１，３との間に少なくとも１個の個別 の閉じ込め層４が存在する。本例の場合、ダイオードは２個の個別の閉じ込め層 ４、すなわち活性層２のいずれかの側に具える。本発明において、個別の閉じ込 め層４は、アルミニウムの含有量が３０％、好ましくは最高で２０％のアルミニ ウム含有半導体材料又はアルミニウムを含まない半導体材料で構成する。第１の 例（図２参照）として、個別の閉じ込め層はアルミニウムの含有量が１６％のＡ ｌＧａＩｎＡｓで構成する。本例のダイオードは極めて長い寿命を有する。第２ の閉じ込め層４のアルミニウム含有量が本発明に基づいて規定される場合、細条 区域３０の形成後第３のクラッド層５の形成前に個別の閉じ込め層４の横方向の 側部に酸素を含有しない又は少なくとも酸素をほとんど含有しない材料が形成さ れる。この工程において、実際にこの側部表面を酸素を含む環境に露出すること は避けられないものである。ダイオードの劣化は明らかに発生せず又は少なくと もわずかなものである。この理由は、酸素をほとんど含まない材料が形成される からである。 この場合、１０％のバラツキを有する既知のダイオード（６６個のダイオード について６００時間測定した）について５００時間当たり平均１０％の時間の始 動電流の増加が認められた。本発明のダイオードの場合すなわち上述した第１の 実施例の場合、これらの量はそれぞれ０％及び２％であった。この実施例のダイ オードの材料、組成、導電形、不純物濃度、及び厚さを以下の表に示す。ここで 、Δａ／ａは基板１１に対する格子定数の相対変移であり、この層の材料及び組 成により規定される。 本発明のダイオードの第２の実施例（図３参照）において、個別の閉じ込め層 ４はＧａＩｎＡｓＰ、すなわちアルミニウムのない半導体材料で構成する。この 実施例は、第１の実施例について説明した理由とど同一の理由により極めて長い 寿命を有している。個別の閉じ込め層４のバンドギャップは活性層からクラッド 層１，３の方向に沿って徐々に増加している。初期の組成は、例えばＩｎＰと整 合するＧａ_0.28Ｉｎ_0.72Ａｓ_0.60Ｐ_0.40に対応し、最終組成はＩｎＰに対応する 。中間の組成は、Δａ／ａがほぼ零となるように選択する。好ましくは、組成は 微小な段階では変化しており、各構成層について以下のこと、すなわちΔａ／ａ ＝０となることはほぼ真実である。この実施例の個別の閉じ込め層４の全体の厚 さはほぼ０．１μｍである。本例では、４個のサブ層が存在する。このＧＲＩＮ プロファイルにより、ダイオードのこの実施例は極めて高い効率及び極めて小さ い始動電流を有する。第２の実施例の別の層は第１の実施例の層と同一であり、 この点に関して上記表を参照されたい。 細条区域３０従って活性区域２Ａの幅及び長さは、それぞれ１．５μｍ及び２ ５０μｍとする。半導体本体１０の寸法は３００×２５０μｍ²とする。本例の ダイオードの放出波長は１．４８０μｍである。 図４及び５は、本発明による方法の順次の製造工程における図１すなわち第２ の実施例のダイオードを線図的に示す。厚さが約３６０μｍ、（１００）方位、 及び不純物濃度が例えば５×１０¹⁸原子／ｃｍ³のｎ形ＩｎＰの基板からスター トする。基板１１（上側部分１）は同時に第１のクラッド層１として作用する。 洗浄した後、基板１１上に第１の個別の閉じ込め層４、活性層２、第２の個別の 閉じ込め層４、第２のクラッド層３、及び第１のコンタクト層６ａを形成し、本 例ではＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシー）により形成する。これらの及び 別の層の材料、その組成及び厚さの選択に際して上記表をする。ｐ形層について 選択した不純物はＺｎとし、ｎ形層についてはＳとする。 このデバイスを成長装置から取り外した後、例えばスパッタリングにより酸化 シリコン（ＳｉＯ₂）のマスク層を形成する。フォトリソグラフィ及びエッチン グにより、この層の細条状のマスク４０の外側を除去する。次に（図５参照）、 エッチングにより本例ではＲＩＥ（＝リアクティブ イオン エッチング）によ り、この層構造体及び基板１１の約１．５μｍの厚さの薄い部分のマスク４０の 外側を除去し、これにより細条状のメサ３０を形成する。通常の方法により清浄 にした後、本発明により形成した構造体を再び成長装置内に配置し、選択的な成 長プロセス、本例の場合ＭＯＶＰＥによりメサ３０のいずれかの側に第３の、本 例の場合高オーミッククラッド層５を形成し、平面状の構造体を形成する。 成長装置から取り出しマスク４０を除去した後、このデバイス（図１参照）を 再び（ＭＯＶＰＥ）成長装置に配置し、上側表面全体にわたって第２のコンタク ト層６ｂを形成する。このようにして形成した構造体を成長装置から取り出し、 通常の方法により通常の組成及び厚さの金属層７，８を半導体本体１０の上側及 び下側に形成し、この金属層に電流供給導体を接続する。直交する２個の方向に おいてへき開した後、個別の半導体本体１０を形成し使用のために準備する。 本発明は上述した実施例だけに限定されず、当業者にとって本発明の範囲内に おいて種々の変形や変更が可能である。上述した実施例と比較して、異なる厚さ 、異なる半導体材料、又は異なる組成を用いることができる。さらに、本発明は 、上記実施例で説明したＳＩＰＢＨだけでなく、ＤＣＰＢＨ（＝ダブル チャネ ル プレナ バリッド ヘテロ）構造にも適用することができる。このダイオー ドは、ＦＰ（＝ファブリーペロー）形の代りに、ＤＦＢ（デストリビューテッド フィードバック）又はＤＢＲ（ディストリビューテッド ブラッグ リフレク タ）形とすることもできる。このダイオードは、放射源の代りに、増幅器として 構成することもできる。全ての場合において、ダイオードの端面には適切な反射 層又は反射防止層を形成することができる。最後に、本発明による方法の成長プ ロセスとして、ＬＰＥ（＝液相エピタキー）、ＶＰＥ（気相エピタキシー）又は ＭＢＥ（分子ビームエピタキシー）、或いはこれらの組み合せのようなＭＯＶＰ Ｅ以外の成長技術を用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 （４）はＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰで構成す る。個別の閉じ込め層のバンドギャップ及び屈折率は平 坦、階段状又は徐々に変化するプロファイルを有するこ とができる。本発明は、本発明によるダイオードの製造 方法にも関する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．第１導電型の半導体基板（１１）を有する半導体本体（１０）を具え、半導 体基板上に、第１導電型のＩｎＰの第１のクラッド層（１）と、活性層（２）と 、第１導電型とは反対の第２導電型のＩｎＰから成る第２のクラッド層（３）と 、前記活性層（２）と第１のクラッド層（１）又は第２のクラッド層（３）との 間に位置する少なくとも１個の個別の閉じ込め層（４）とをこの順序で具える半 導体層構造体が存在し、前記基板（１１）及び第２のクラッド層（３）に電気的 接続部が形成され、前記第１のクラッド層（１）と第２のクラッド層（３）との 間であって活性層（２）の細条状活性区域（２Ａ）内に形成したｐｎ接合に順方 向の十分な電流を与えた場合波長が１μｍに等しいか又はそれ以上の放射を発生 し、前記半導体本体に少なくとも前記第２のクラッド層（３）、個別の閉じ込め 層（４）及び活性層（２）を含む細条状区域（３０）が存在し、前記半導体本体 がいずれかの側においてＩｎＰの第３のクラッド層（５）により境界されている 放射放出半導体ダイオードにおいて、前記個別の閉じ込め層（４）を最高３０％ のアルミニウムを含むアルミニウム含有半導体材料又はアルミニウムを含まない 半導体材料で構成したことを特徴とする放射放出半導体ダイオード。 ２．請求項１に記載の放射放出半導体ダイオードにおいて、前記個別の閉じ込め 層（４）をＡｌＧａＩｎＡｓで構成したことを特徴とする放射放出半導体ダイオ ード。 ３．請求項１又は２に記載の放射放出半導体ダイオードにおいて、前記個別の閉 じ込め層（４）をＧａＩｎＡｓＰで構成したことを特徴とする放射放出半導体ダ イオード。 ４．請求項１、２又は３に記載の放射放出半導体ダイオードにおいて、前記個別 の閉じ込め層（４）が、前記活性層（２）のバンドギャップ及び屈折率と前記第 ２のクラッド層（３）又は第１のクラッド層（１）のバンドギャップ及び屈折率 との間のバンドギャップ及び屈折率を有することを特徴とする放射放出半導体ダ イオード。 ５．請求項１から４までのいずれか１項に記載の放射放出半導体ダイオードにお いて、前記個別の閉じ込め層（４）のバンドギャップ及び屈折率が、厚さ方向に それぞれ勾配を示すことを特徴とする放射放出半導体ダイオード。 ６．請求項１から５までのいずれか１項に記載の放射放出半導体ダイオードにお いて、前記活性層（２）が多重量子井戸層構造体（２ａ，２ｂ）を有することを 特徴とする放射放出半導体ダイオード。 ７．請求項６に記載の放射放出半導体ダイオードにおいて、前記活性層（２）が 、アルミニウム含有量が最高で約２０％のＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰの量 子井戸層及びＡｌＧａＩｎＡｓの障壁層（２ｂ）を有することを特徴とする放射 放出半導体ダイオード。 ８．請求項１から７までのいずれか１項に記載の放射放出半導体ダイオードにお いて、前記基板（１１）をＩｎＰで構成し、前記第３のクラッド層（５）を半絶 縁性としたことを特徴とする放射放出半導体ダイオード。 ９．請求項１から８までのいずれか１項に記載の放射放出半導体ダイオードにお いて、ダイオードを埋め込みヘテロ型のダイオードレーザとしたことを特徴とす る放射放出半導体ダイオード。 10．第１導電型の半導体基板（１１）上に半導体層構造体を形成し、この半導体 層構造体が、互いに反対導電型のＩｎＰから成る２個のクラッド層（１，３）の 間に位置する活性層（２）と、活性層（２）と第１のクラッド層（１）又は第２ のクラッド層（３）との間に存在少なくとも１個の個別の閉じ込め層（４）と、 ｐｎ接合とにより形成し、前記ｐｎ接合に順方向の十分な電流を与えた場合１μ ｍに等しいか又はそれ以上の波長の電磁放射を活性層（２）の活性区域（２Ａ） で発生することができ、少なくとも第２のクラッド層（３）、個別の閉じ込め層 （４）及び活性層（２）を具えると共にいずれかの側においてＩｎＰの第３のク ラッド層（５）により境界される細条状クラッド層（３０）を形成し、前記基板 （１１）及び第２のクラッド層（３）に電気的接続部（７，８）を形成すること により放射放出半導体ダイオードレーザを製造するに当たり、最高で約３０％の アルミニウム、好ましくは２０％のアルミニウムを含むアルミニウム含有半導体 材料又はアルミニウムを含まない半導体材料を、前記個別 の閉じ込め層（４）について選択したことを特徴とする放射放出半導体ダイオー ドの製造方法。