JPH0236585A - 量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半導体素子 - Google Patents
量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半導体素子Info
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- JPH0236585A JPH0236585A JP63185578A JP18557888A JPH0236585A JP H0236585 A JPH0236585 A JP H0236585A JP 63185578 A JP63185578 A JP 63185578A JP 18557888 A JP18557888 A JP 18557888A JP H0236585 A JPH0236585 A JP H0236585A
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- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は量子井戸層と量子井戸層より大なる禁制帯幅を
有するキャリア閉じ込め層とで構成された量子井戸構造
及び量子井戸構造を用いた半導体素子に関するものであ
る。
有するキャリア閉じ込め層とで構成された量子井戸構造
及び量子井戸構造を用いた半導体素子に関するものであ
る。
（従来技術とその問題点）
物質（材料）からの発光、物質（材料）による光吸収、
あるいは電子デバイスにおける電子のトンネル輸送など
の物理現象は近年のエレクトロニクス分野における量子
井戸構造を用いた半導体素子に広く利用され、新たな基
幹産業を形成する原動力となっている。然るに、このよ
うな物理現象は材料（物質）によって決まる固有の禁制
帯幅によって大きく支配され、応用が制約されている。
あるいは電子デバイスにおける電子のトンネル輸送など
の物理現象は近年のエレクトロニクス分野における量子
井戸構造を用いた半導体素子に広く利用され、新たな基
幹産業を形成する原動力となっている。然るに、このよ
うな物理現象は材料（物質）によって決まる固有の禁制
帯幅によって大きく支配され、応用が制約されている。
以下では、具体例として従来の半導体材料からなる発光
素子について述べる。
素子について述べる。
半導体発光素子は小型・軽量・高効率などの優れた特徴
を有するため、光磁気ディスク、コンパクトディスク、
レーザプリンタ、小型表示パネル・ランプなどの民生用
端末機器から、光フアイバ通信、各種計測など広い分野
で使用されつつある。
を有するため、光磁気ディスク、コンパクトディスク、
レーザプリンタ、小型表示パネル・ランプなどの民生用
端末機器から、光フアイバ通信、各種計測など広い分野
で使用されつつある。
これらの応用分野を含めて今後さらに応用の発展を図っ
て行くためには発光素子の発光波長範囲を拡大すること
がきわめて重要である。可視域では緑から青色の発光源
が必要とされているところであり、赤外域では特殊ガス
分析用光源やフッ化物光フアイバ通信用赤外光源が切望
されている。
て行くためには発光素子の発光波長範囲を拡大すること
がきわめて重要である。可視域では緑から青色の発光源
が必要とされているところであり、赤外域では特殊ガス
分析用光源やフッ化物光フアイバ通信用赤外光源が切望
されている。
第１図は従来の発光素子の代表的な例であるＡｆＧａＡ
ｓ系の半導体レーザの模式図である。ｎ型ＧａＡｓ＆板
１上にｎ型のクラッド層であるｎ型ＡｆＧａＡｓ層２、
ＧａＡｓ発光層３、ｐ型りラッド層であるＰ型Ａ／！Ｇ
ａＡｓ層４、及び電極接触用のｐ型ＧａＡｓ層５が積層
され、横モード制御と電流狭搾のため半絶縁性ＡｆＧａ
Ａｓ層６による埋め込みストライプ構造となっている。
ｓ系の半導体レーザの模式図である。ｎ型ＧａＡｓ＆板
１上にｎ型のクラッド層であるｎ型ＡｆＧａＡｓ層２、
ＧａＡｓ発光層３、ｐ型りラッド層であるＰ型Ａ／！Ｇ
ａＡｓ層４、及び電極接触用のｐ型ＧａＡｓ層５が積層
され、横モード制御と電流狭搾のため半絶縁性ＡｆＧａ
Ａｓ層６による埋め込みストライプ構造となっている。
Ａｌ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ ２の格子定数はＧａＡｓ基
板１とほぼ一致している。電極１０１と１０２を介して
ＧａＡｓ発光層３に電流を注入することにより、ＧａＡ
ｓの禁制帯幅に対応する約０．８８μｍの発光、或はレ
ーザ発振が得られる。第２図はこのような従来の発光素
子の発光原理を説明するための禁制帯幅の模式図で、電
極１０１と１０２を介して注入された電子２０１と正孔
２０２が再結合することによって発光層の禁制帯幅Ｅｇ
に対応した光が放出フォトン３０１として放たれる。
板１とほぼ一致している。電極１０１と１０２を介して
ＧａＡｓ発光層３に電流を注入することにより、ＧａＡ
ｓの禁制帯幅に対応する約０．８８μｍの発光、或はレ
ーザ発振が得られる。第２図はこのような従来の発光素
子の発光原理を説明するための禁制帯幅の模式図で、電
極１０１と１０２を介して注入された電子２０１と正孔
２０２が再結合することによって発光層の禁制帯幅Ｅｇ
に対応した光が放出フォトン３０１として放たれる。
このような構造の半導体発光素子の発光波長を変えよう
とする場合には、半導体材料を変えざるを得ない。例え
ば１．３〜１．５５μｍ帯の発光を得る場合はＩｎＰ基
板上のＩ ｎＧａＡｓ Ｐ系の材料を、２〜４μｍの発
光にはＩｎＡｓ系かＧａ５ｂ系、或はＰｂＳ系の材料を
用いる必要があった。また、青色発光用材料としてＺｎ
５ｅやＺｎＳ１或はＣｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚの
ようなカルコバイライト系の材料を用いる必要があるが
、これらの材料では良質のｐｎ接合が得られないという
問題があった。このように従来の発光素子では発光層の
禁制帯幅に対応するエネルギーを有するフォトンを発光
として利用しているので、発光波長を変えようとした場
合材料面での制約を大きく受け、特に青色発光素子や中
赤外域の発光素子の実現が難しいという大きな問題があ
った。
とする場合には、半導体材料を変えざるを得ない。例え
ば１．３〜１．５５μｍ帯の発光を得る場合はＩｎＰ基
板上のＩ ｎＧａＡｓ Ｐ系の材料を、２〜４μｍの発
光にはＩｎＡｓ系かＧａ５ｂ系、或はＰｂＳ系の材料を
用いる必要があった。また、青色発光用材料としてＺｎ
５ｅやＺｎＳ１或はＣｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚの
ようなカルコバイライト系の材料を用いる必要があるが
、これらの材料では良質のｐｎ接合が得られないという
問題があった。このように従来の発光素子では発光層の
禁制帯幅に対応するエネルギーを有するフォトンを発光
として利用しているので、発光波長を変えようとした場
合材料面での制約を大きく受け、特に青色発光素子や中
赤外域の発光素子の実現が難しいという大きな問題があ
った。
このような困難は発光素子だけでなく受光素子において
も同様である。また、電子デバイスの分野においても禁
制帯幅の異なる材料を組み合わせて電子輸送現象の高機
能化を図る試みが盛んに行なわれているが、ここでも基
本的には材料固有の禁制帯幅による制限を受けていた。
も同様である。また、電子デバイスの分野においても禁
制帯幅の異なる材料を組み合わせて電子輸送現象の高機
能化を図る試みが盛んに行なわれているが、ここでも基
本的には材料固有の禁制帯幅による制限を受けていた。
（発明の目的）
本発明の目的は、上述した従来の材料と半導体素子の欠
点を克服するするために、材料固有の禁制帯幅の制限に
とられれない量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半
導体素子を提供することにある。
点を克服するするために、材料固有の禁制帯幅の制限に
とられれない量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半
導体素子を提供することにある。
（半導体の構成）
本発明の特徴は、電子のド・ブロイ波長程度の厚さを有
する量子井戸層と量子井戸層より大なる禁制帯幅を有す
るキャリア閉じ込め層とで構成される量子井戸構造にお
いて、前記量子井戸層を形成している主たる第１の材料
の格子定数とは異なる格子定数を有する第２の材料が前
記量子井戸層の中に配置され、該第１の材料の結晶格子
の周期に位相シフトを有せしめることにより、前記量子
井戸層の禁制帯の中にエネルギー準位が形成されるよう
に構成された量子井戸構造であることにある。また該量
子井戸構造の特徴である禁制帯内のエネルギー準位に関
する物理現象を利用するように構成れた量子井戸構造を
用いた半導体素子であることにある。具体的には例えば
、中赤外域や青色の発光素子を容易に実現することを特
徴とする。
する量子井戸層と量子井戸層より大なる禁制帯幅を有す
るキャリア閉じ込め層とで構成される量子井戸構造にお
いて、前記量子井戸層を形成している主たる第１の材料
の格子定数とは異なる格子定数を有する第２の材料が前
記量子井戸層の中に配置され、該第１の材料の結晶格子
の周期に位相シフトを有せしめることにより、前記量子
井戸層の禁制帯の中にエネルギー準位が形成されるよう
に構成された量子井戸構造であることにある。また該量
子井戸構造の特徴である禁制帯内のエネルギー準位に関
する物理現象を利用するように構成れた量子井戸構造を
用いた半導体素子であることにある。具体的には例えば
、中赤外域や青色の発光素子を容易に実現することを特
徴とする。
（発明の構成及び作用）
以下に発光素子を例に取り、図面を用いて本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
（発明の原理）
まず、本発明の原理について説明する。第３図は材料中
の電子のに空間におけるエネルギー図を示す。同図（ａ
）は従来の発光素子の発光層のように−様な材料中の場
合を示す。−様な材料では第４図（ａ）に周期的格子点
１０３で示したように原子が周期して規則的に配列され
ている。電子のエネルギーＥはほぼｋの２乗に比例して
大きくなるが、ちょうどｋの値が±π／Ｌの整数倍のと
ころで第３図（ａ）に示したようにエネルギー値に飛び
が生じる。その原因は例えばに＝±π／Ｌのところでは
、電子の波動関数が右へ進む波と左へ進む波とで定在波
をつくり、第４図（ａ）のように電子の存在確率に対応
する波動関数の絶対値の２乗が２０４と２０５で示した
２つのケースに分かれるためである。電子のエネルギー
は原子のところに存在する場合に小さく、原子から離れ
て存在する場合に大きくなるので、波動関数の絶対値の
２乗が２０４のような場合と２０５のような場合とでは
その波動関数に対応する電子のエネルギー値が大きく異
なり、エネルギーギャップ或は禁制帯幅Ｅｇとなって現
れる。この禁制帯幅Ｅｇの値は半導体材料によって決ま
り、逆に禁制帯幅Ｅｇを変える場合には半導体材料を変
えなければならない。
の電子のに空間におけるエネルギー図を示す。同図（ａ
）は従来の発光素子の発光層のように−様な材料中の場
合を示す。−様な材料では第４図（ａ）に周期的格子点
１０３で示したように原子が周期して規則的に配列され
ている。電子のエネルギーＥはほぼｋの２乗に比例して
大きくなるが、ちょうどｋの値が±π／Ｌの整数倍のと
ころで第３図（ａ）に示したようにエネルギー値に飛び
が生じる。その原因は例えばに＝±π／Ｌのところでは
、電子の波動関数が右へ進む波と左へ進む波とで定在波
をつくり、第４図（ａ）のように電子の存在確率に対応
する波動関数の絶対値の２乗が２０４と２０５で示した
２つのケースに分かれるためである。電子のエネルギー
は原子のところに存在する場合に小さく、原子から離れ
て存在する場合に大きくなるので、波動関数の絶対値の
２乗が２０４のような場合と２０５のような場合とでは
その波動関数に対応する電子のエネルギー値が大きく異
なり、エネルギーギャップ或は禁制帯幅Ｅｇとなって現
れる。この禁制帯幅Ｅｇの値は半導体材料によって決ま
り、逆に禁制帯幅Ｅｇを変える場合には半導体材料を変
えなければならない。
そこで本発明では、第４図（ｂ）〜（ｄ）に示したよう
に結晶の周期の位相を途中でシフトした構造を考えた。
に結晶の周期の位相を途中でシフトした構造を考えた。
ここでは結晶の格子点１０３をちょうど周期の半分相当
（０，５Ｌ ）位相シフトした場合である。同図（ｂ）
から分かるように波動関数の絶対値の２乗２０４は、結
晶の格子点１０３が位相シフトした位置の左側では格子
点１０３のところで最小となり、右側では逆に格子点１
０３のところで最大となっている。一方、波動関数の絶
対値の２乗２０５は、全く逆に左側で格子点１０３のと
ころで最大、右側で最小となっている。従って、両方の
波動関数に対する電子のエネルギーは等価になり、かつ
そのエネルギー値は、同図（ａ）の−様な格子配置に対
する２つの波動関数のエネルギー値のちょうど半分にな
る。従って、第３図（ｂ）に示したごとくエネルギーギ
ャップ内の準位２０３が生成される。このエネルギーギ
ャップ内の準位２０３に対する実際の波動関数の絶対値
の２乗は第４図（ｃ）の２０６と２０７のようになる。
（０，５Ｌ ）位相シフトした場合である。同図（ｂ）
から分かるように波動関数の絶対値の２乗２０４は、結
晶の格子点１０３が位相シフトした位置の左側では格子
点１０３のところで最小となり、右側では逆に格子点１
０３のところで最大となっている。一方、波動関数の絶
対値の２乗２０５は、全く逆に左側で格子点１０３のと
ころで最大、右側で最小となっている。従って、両方の
波動関数に対する電子のエネルギーは等価になり、かつ
そのエネルギー値は、同図（ａ）の−様な格子配置に対
する２つの波動関数のエネルギー値のちょうど半分にな
る。従って、第３図（ｂ）に示したごとくエネルギーギ
ャップ内の準位２０３が生成される。このエネルギーギ
ャップ内の準位２０３に対する実際の波動関数の絶対値
の２乗は第４図（ｃ）の２０６と２０７のようになる。
また、第４図（ａ）〜（ｃ）では１．５Ｌの間隔により
格子定数の半分の位相シフトを実現したが、第４図（ｄ
）のように０．５Ｌの間隔によっても同様に実現できる
ことは言うまでもない。２０６と２０７は同様にこの場
合の波動関数の絶対値の２乗である。
格子定数の半分の位相シフトを実現したが、第４図（ｄ
）のように０．５Ｌの間隔によっても同様に実現できる
ことは言うまでもない。２０６と２０７は同様にこの場
合の波動関数の絶対値の２乗である。
このように本発明の基本は結晶内の格子点の中に位相シ
フトを有せしめることにより、禁制体内にエネルギー準
位を形成し、その単位を利用した発光、吸収の電子遷移
などを行わせることにある。
フトを有せしめることにより、禁制体内にエネルギー準
位を形成し、その単位を利用した発光、吸収の電子遷移
などを行わせることにある。
（実施例１）
第５図は本発明による量子井戸構造を用いた発光素子の
実施例を模式図的に示したものである。
実施例を模式図的に示したものである。
第１図に示した従来例と太き（異なっている点は、発光
頭載をド・ブロイ波長程度の厚さの量子井戸層（３，９
）とその量子井戸層（３，９）よりも大なる禁制帯幅を
有するキャリア閉じ込め層（２゜４）とからなる量子井
戸構造とし、量子井戸層（３，９）を主たる第１の材料
であるＧａＡｓ発光Ｎ３とＧａＡｓとは格子定数が異な
る第２の材料Ａｊ！ＩｎＳｂ層９で構成したことにある
。量子井戸層（３，９）部分の拡大図を第５図（ｂ）の
ハツチングで示しである。ｎ型ＡｌＧａＡｓ層７とｐ型
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層８は光を閉じ込めるための光
閉じ込め層で、キャリア閉じ込めＮ２と４のＡｌ Ｇ
ａ Ａ ｓ層よりもＡｆの組成比が大きく低屈折率の組
成となっている。
頭載をド・ブロイ波長程度の厚さの量子井戸層（３，９
）とその量子井戸層（３，９）よりも大なる禁制帯幅を
有するキャリア閉じ込め層（２゜４）とからなる量子井
戸構造とし、量子井戸層（３，９）を主たる第１の材料
であるＧａＡｓ発光Ｎ３とＧａＡｓとは格子定数が異な
る第２の材料Ａｊ！ＩｎＳｂ層９で構成したことにある
。量子井戸層（３，９）部分の拡大図を第５図（ｂ）の
ハツチングで示しである。ｎ型ＡｌＧａＡｓ層７とｐ型
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層８は光を閉じ込めるための光
閉じ込め層で、キャリア閉じ込めＮ２と４のＡｌ Ｇ
ａ Ａ ｓ層よりもＡｆの組成比が大きく低屈折率の組
成となっている。
第６図は本発明による量子井戸構造の禁制帯幅の模式図
である。主たる第１の材料であるＧａＡｓ発光層３の電
子と正孔の量子井戸準位が２０８と２０９のように形成
され、電極１０１と１０２を介して電子２０１と正孔２
０２はその量子井戸準位近傍に第６図のように注入され
る。量子井戸層（３，９）の中に配置されたＧａＡｓ発
光Ｎ３の間の第２の材料であるＡｆｌｎＳｂ層９はＧａ
Ａｓ発光層とほぼ同じ禁制帯幅を有し、格子定数は約６
．２人とＧａＡｓ発光層の５．６４人に比べて大きく異
なっている。Ａ／！Ｉｎ５ｂＪｉ９の厚さを格子定数の
５周期に相当する３１人とすればＡｌＩｎＳｂ層９を挟
んだ２つのＧａＡｓ発光層３の間には格子配列上半格子
骨だけの位相シフトが生じる。従って、発明の原理で述
べたように禁制帯内のエネルギー準位２０３がほぼ禁制
帯の中間に生じる。第２の材料９としてＧａＡｓ層と禁
制帯幅がほぼ同じで格子定数が大きく異なっているＣｄ
Ｔｅを用いることも可能である。その場合にはＣｄＴｅ
の格子定数が約６．５人なので厚さとして約２２人とな
る。そこでこのような発光素子では禁制帯内のエネルギ
ー準位２０３を介した電子の遷移、すなわち電子と正札
の再結合が起こり、電子及び正孔の量子井戸準位間エネ
ルギーの半分のエネルギーの光が放出フォトン３０２と
して放出される。すなわち、Ｇ ａ Ａ ｓの禁制帯幅
Ｅｇは約１．４ｅＶであり、量子井戸準位間エネルギー
が約１．６ｅＶとすると０．８ｅＶのエネルギーの光子
が放出される。第１図の従来構造のＧａＡｓ系のレーザ
では発振波長が約０．８８μｍであるのに対して本発明
の構造によれば同じ半導体材料系のレーザで約１．５５
μｍの発振が得られる。このように本発明の発光素子で
は半導体材料で決まる禁制帯幅Ｅｇとは大きく異なるエ
ネルギーの光を発生させることができる。
である。主たる第１の材料であるＧａＡｓ発光層３の電
子と正孔の量子井戸準位が２０８と２０９のように形成
され、電極１０１と１０２を介して電子２０１と正孔２
０２はその量子井戸準位近傍に第６図のように注入され
る。量子井戸層（３，９）の中に配置されたＧａＡｓ発
光Ｎ３の間の第２の材料であるＡｆｌｎＳｂ層９はＧａ
Ａｓ発光層とほぼ同じ禁制帯幅を有し、格子定数は約６
．２人とＧａＡｓ発光層の５．６４人に比べて大きく異
なっている。Ａ／！Ｉｎ５ｂＪｉ９の厚さを格子定数の
５周期に相当する３１人とすればＡｌＩｎＳｂ層９を挟
んだ２つのＧａＡｓ発光層３の間には格子配列上半格子
骨だけの位相シフトが生じる。従って、発明の原理で述
べたように禁制帯内のエネルギー準位２０３がほぼ禁制
帯の中間に生じる。第２の材料９としてＧａＡｓ層と禁
制帯幅がほぼ同じで格子定数が大きく異なっているＣｄ
Ｔｅを用いることも可能である。その場合にはＣｄＴｅ
の格子定数が約６．５人なので厚さとして約２２人とな
る。そこでこのような発光素子では禁制帯内のエネルギ
ー準位２０３を介した電子の遷移、すなわち電子と正札
の再結合が起こり、電子及び正孔の量子井戸準位間エネ
ルギーの半分のエネルギーの光が放出フォトン３０２と
して放出される。すなわち、Ｇ ａ Ａ ｓの禁制帯幅
Ｅｇは約１．４ｅＶであり、量子井戸準位間エネルギー
が約１．６ｅＶとすると０．８ｅＶのエネルギーの光子
が放出される。第１図の従来構造のＧａＡｓ系のレーザ
では発振波長が約０．８８μｍであるのに対して本発明
の構造によれば同じ半導体材料系のレーザで約１．５５
μｍの発振が得られる。このように本発明の発光素子で
は半導体材料で決まる禁制帯幅Ｅｇとは大きく異なるエ
ネルギーの光を発生させることができる。
（実施例２）
第７図は本発明による第２の実施例である。半導体材料
系は実施例１の場合と同じであるが、実施例１では量子
井戸層の数が１つであるのに対して本実施例では３つと
なっており、いわゆる多重量子井戸構造になっている。
系は実施例１の場合と同じであるが、実施例１では量子
井戸層の数が１つであるのに対して本実施例では３つと
なっており、いわゆる多重量子井戸構造になっている。
発光の原理や作用はまったく同じであるが、量子井戸層
数が多い分、レーザの発振しきい値を小さくすることが
できる。
数が多い分、レーザの発振しきい値を小さくすることが
できる。
（実施例３）
第８図は本発明による第３の実施例で、異なる半導体材
料系に応用した例である。ｎ型ＩｎＰ基板上１１に、光
閉じ込め用のクラッド１ｍ ｎ型Ｉｎ２層１７、キャリ
ア閉じ込め用のｎ型１ｎＧａＡｓＰ層１２、Ｉ ｎＧａ
Ａｓ Ｐ発光層１３とＡｆｆｉｌｎｓｂｊＷ１９からな
る量子井戸層、キャリア閉じ込め用のｐ型１ｎＧａＡｓ
Ｐ層１４、光閉じ込め用のクラッド層ｐ型ＴｎＰ層１８
、及び電極接触用のｐ型１ｎＧａＡｓＰ１ｉ１５が積層
されており、これらが半絶縁性ＩｎＰ層１６でメサスト
ライプ状に埋め込まれた構造になっている。ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（１２，１３，１４，１５）はすべてｎ型ＩｎＰ
基板１１と格子整合されている。発光領域をド・ブロイ
波長程度の厚さの量子井戸層（１３゜１９）とその量子
井戸層よりも大なる禁制帯幅を有するキャリア閉じ込め
層（１２，１４）とからなる量子井戸構造とし、量子井
戸層を主たる第１の材料であるＩｎＧａＡｓＰ層１３と
ＩｎＧａＡｓＰ層とは格子定数が異なる第２の材料Ａｆ
ｌｎｓｂ層１９で構成しである。量子井戸層（１３゜１
９）部分の拡大図を第８図（ｂ）のハツチングで示しで
ある。量子井戸層の中に配置された２つのＩ ｎＧａＡ
ｓ Ｐ発光層１３の間の第２の材料のＡｆｌｎＳｂ層１
９はＩｎＧａＡｓＰ発光層１３とほぼ同じ禁制帯幅を有
し、格子定数は約６．３５人とＩｎＧａＡｓＰ発光層の
５．７８人に比べて大きく異なっている。ＡｆＩｎＳｂ
ｊｉｉ１９の厚さを格子定数の約６周期に相当する３７
人とすればＡｆＩｎｓｂＪｉ１９を挟んだ２つのＩ ｎ
ＧａＡｓ Ｐ発光層１３の間には格子配列上半格子分だ
けの位相シフトが生じる。従って、発明の原理で述べた
ように禁制帯内のエネルギー準位がほぼ禁制帯の中間に
生じる。そこでこのような発光素子では禁制帯内のエネ
ルギー準位を介した電子の遷移、すなわち電子と正孔の
再結合が起こり、禁制帯幅Ｅｇの半分のエネルギーの光
が放出される。すなわち、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ発光層１
３の量子井戸準位間のエネルギー幅は約０．９５ ｅ
Ｖであるのに対して０．４７５ｅＶのエネルギーの光子
、すなわちＩｎＣ；ａＡｓＰ／ＩｎＰ系のレーザから約
２．６μｍの光が放出される。
料系に応用した例である。ｎ型ＩｎＰ基板上１１に、光
閉じ込め用のクラッド１ｍ ｎ型Ｉｎ２層１７、キャリ
ア閉じ込め用のｎ型１ｎＧａＡｓＰ層１２、Ｉ ｎＧａ
Ａｓ Ｐ発光層１３とＡｆｆｉｌｎｓｂｊＷ１９からな
る量子井戸層、キャリア閉じ込め用のｐ型１ｎＧａＡｓ
Ｐ層１４、光閉じ込め用のクラッド層ｐ型ＴｎＰ層１８
、及び電極接触用のｐ型１ｎＧａＡｓＰ１ｉ１５が積層
されており、これらが半絶縁性ＩｎＰ層１６でメサスト
ライプ状に埋め込まれた構造になっている。ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（１２，１３，１４，１５）はすべてｎ型ＩｎＰ
基板１１と格子整合されている。発光領域をド・ブロイ
波長程度の厚さの量子井戸層（１３゜１９）とその量子
井戸層よりも大なる禁制帯幅を有するキャリア閉じ込め
層（１２，１４）とからなる量子井戸構造とし、量子井
戸層を主たる第１の材料であるＩｎＧａＡｓＰ層１３と
ＩｎＧａＡｓＰ層とは格子定数が異なる第２の材料Ａｆ
ｌｎｓｂ層１９で構成しである。量子井戸層（１３゜１
９）部分の拡大図を第８図（ｂ）のハツチングで示しで
ある。量子井戸層の中に配置された２つのＩ ｎＧａＡ
ｓ Ｐ発光層１３の間の第２の材料のＡｆｌｎＳｂ層１
９はＩｎＧａＡｓＰ発光層１３とほぼ同じ禁制帯幅を有
し、格子定数は約６．３５人とＩｎＧａＡｓＰ発光層の
５．７８人に比べて大きく異なっている。ＡｆＩｎＳｂ
ｊｉｉ１９の厚さを格子定数の約６周期に相当する３７
人とすればＡｆＩｎｓｂＪｉ１９を挟んだ２つのＩ ｎ
ＧａＡｓ Ｐ発光層１３の間には格子配列上半格子分だ
けの位相シフトが生じる。従って、発明の原理で述べた
ように禁制帯内のエネルギー準位がほぼ禁制帯の中間に
生じる。そこでこのような発光素子では禁制帯内のエネ
ルギー準位を介した電子の遷移、すなわち電子と正孔の
再結合が起こり、禁制帯幅Ｅｇの半分のエネルギーの光
が放出される。すなわち、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ発光層１
３の量子井戸準位間のエネルギー幅は約０．９５ ｅ
Ｖであるのに対して０．４７５ｅＶのエネルギーの光子
、すなわちＩｎＣ；ａＡｓＰ／ＩｎＰ系のレーザから約
２．６μｍの光が放出される。
（実施例４）
第９図は本発明による第４の実施例で、さらに異なる材
料系、すなわち■−Ｖ属材料に加え、■−■属やカルコ
パイライト系の材料を用いた材料系に応用し、かつ光ポ
ンピングによって発光せしめる例である。ＧａＰ基板２
１上に、カルコパイライト系材料からなる光閉じ込め用
のクラッド層Ｃｕ （ＧａＡＩｌ）（ＳＳｅ）ｚ層２６
、キャリア閉じ込め用のＣｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）
ｚ層２２、Ｃｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ発光層２３
とＧａＰ層２８からなる量子井戸層、キャリア閉じ込め
用のＣｕ （ＧａＡｊ２）（ＳＳｅ）ｚ層２４、及び光
閉じ込め用のクラッド層Ｃｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）
ｚ層２７が積層されており、これらが半絶縁性Ｃｕ（Ｇ
ａＡ１）（ＳＳｅ）ｚ層２５でメサストライプ状に埋め
込まれた構造になっている。Ｃｕ （ＧａＡｊ２）（Ｓ
Ｓｅ）ｚ層はすべてＧａＰ基板２１と格子整合されてい
る。
料系、すなわち■−Ｖ属材料に加え、■−■属やカルコ
パイライト系の材料を用いた材料系に応用し、かつ光ポ
ンピングによって発光せしめる例である。ＧａＰ基板２
１上に、カルコパイライト系材料からなる光閉じ込め用
のクラッド層Ｃｕ （ＧａＡＩｌ）（ＳＳｅ）ｚ層２６
、キャリア閉じ込め用のＣｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）
ｚ層２２、Ｃｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ発光層２３
とＧａＰ層２８からなる量子井戸層、キャリア閉じ込め
用のＣｕ （ＧａＡｊ２）（ＳＳｅ）ｚ層２４、及び光
閉じ込め用のクラッド層Ｃｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）
ｚ層２７が積層されており、これらが半絶縁性Ｃｕ（Ｇ
ａＡ１）（ＳＳｅ）ｚ層２５でメサストライプ状に埋め
込まれた構造になっている。Ｃｕ （ＧａＡｊ２）（Ｓ
Ｓｅ）ｚ層はすべてＧａＰ基板２１と格子整合されてい
る。
第１０図は本発明による量子井戸構造の禁制帯幅の模式
図である。主たる第１の材料であるＣｕ（ＧａＡｌ）（
ＳＳｅ）ｚ発光層２３の電子と正孔の量子井戸準位が２
１０と２１１のように形成される。量子井戸層の中に配
置された２つのＣｕ（Ｃ，ａＡｊり（ＳＳｅ）を発光層
２３の間の第２の材料であるＧａＰ層２８はＣｕ （Ｇ
ａＡＩ！、）（ＳＳｅ）、発光層とほぼ同じ禁制帯幅を
有する。一方、Ｃｕ （ＧａＡｌ （ＳＳｅ）ｚの格
子定数は、膜厚と垂直な方向では前述のようにＧａＰ基
板２１と同じく約５．４３人であるが、膜厚の方向では
約２倍の約１０．５人となっている。従って、ＧａＰ層
２８の厚さを格子定数の１周期とすればＧａＰ層２８を
挟んだ２つのＣｕ （ＧａＡｊり（ＳＳｅ）ｚ発光層２
３の間には格子配列上半格子分だけの位相シフトが第４
図（ｄ）のように生じる。従って、発明の原理で述べた
ように禁制帯内のエネルギー準位２１２がほぼ禁制帯の
中間に生じる。Ｃｕ（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ発光層２
３の禁制帯幅は約２．３ｅＶであり、その電子と正孔の
量子井戸準位間エネルギーとして２．８ｅＶ程度が得ら
れる。
図である。主たる第１の材料であるＣｕ（ＧａＡｌ）（
ＳＳｅ）ｚ発光層２３の電子と正孔の量子井戸準位が２
１０と２１１のように形成される。量子井戸層の中に配
置された２つのＣｕ（Ｃ，ａＡｊり（ＳＳｅ）を発光層
２３の間の第２の材料であるＧａＰ層２８はＣｕ （Ｇ
ａＡＩ！、）（ＳＳｅ）、発光層とほぼ同じ禁制帯幅を
有する。一方、Ｃｕ （ＧａＡｌ （ＳＳｅ）ｚの格
子定数は、膜厚と垂直な方向では前述のようにＧａＰ基
板２１と同じく約５．４３人であるが、膜厚の方向では
約２倍の約１０．５人となっている。従って、ＧａＰ層
２８の厚さを格子定数の１周期とすればＧａＰ層２８を
挟んだ２つのＣｕ （ＧａＡｊり（ＳＳｅ）ｚ発光層２
３の間には格子配列上半格子分だけの位相シフトが第４
図（ｄ）のように生じる。従って、発明の原理で述べた
ように禁制帯内のエネルギー準位２１２がほぼ禁制帯の
中間に生じる。Ｃｕ（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ発光層２
３の禁制帯幅は約２．３ｅＶであり、その電子と正孔の
量子井戸準位間エネルギーとして２．８ｅＶ程度が得ら
れる。
そこで約１，４ｅＶの光子エネルギーを持つＧａＡｓ系
の高出力半導体レーザの出力光を励起フォトン３０３と
して光ポンピングを行えば、禁制帯内のエネルギー準位
２１２を介して電子と正孔の量子井戸準位２１０と２１
１に励起される。励起された電子２０１と正孔２０２は
再結合し、２．８ｅＶに相当する約０．４４μｍの青色
の光を放出する。
の高出力半導体レーザの出力光を励起フォトン３０３と
して光ポンピングを行えば、禁制帯内のエネルギー準位
２１２を介して電子と正孔の量子井戸準位２１０と２１
１に励起される。励起された電子２０１と正孔２０２は
再結合し、２．８ｅＶに相当する約０．４４μｍの青色
の光を放出する。
このように光ポンピングが強く起こっている状態では、
禁制帯内のエネルギー準位２１２を介した再結合確率は
小さく、量子井戸準位間の直接遷移が支配的となる。光
ポンピングを十分強く行えば青色のレーザ発振が得られ
る。ちなみに、ＧａＰ層２８の代わりにＧａＰと同様の
禁制帯幅を有するＺｎＴｅＪｉｉを用いることも可能で
ある。
禁制帯内のエネルギー準位２１２を介した再結合確率は
小さく、量子井戸準位間の直接遷移が支配的となる。光
ポンピングを十分強く行えば青色のレーザ発振が得られ
る。ちなみに、ＧａＰ層２８の代わりにＧａＰと同様の
禁制帯幅を有するＺｎＴｅＪｉｉを用いることも可能で
ある。
以上の説明では、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、及びＧａＰなどの
半導体基板を用いた例を説明したが他の材料にも容易に
適用できる。また、第１の材料及び第２の材料としては
半導体に限らず、導電体材料や絶縁材料にも適用できる
。発光素子として埋め込みストライブザ構造の半導体レ
ーザについて述べたが他のストライブ構造の半導体レー
ザや発光ダイオードにも容易に応用できる。本発明が受
光素子にも応用できることは実施例４から明かである。
半導体基板を用いた例を説明したが他の材料にも容易に
適用できる。また、第１の材料及び第２の材料としては
半導体に限らず、導電体材料や絶縁材料にも適用できる
。発光素子として埋め込みストライブザ構造の半導体レ
ーザについて述べたが他のストライブ構造の半導体レー
ザや発光ダイオードにも容易に応用できる。本発明が受
光素子にも応用できることは実施例４から明かである。
さらに、本発明による禁制帯内のエネルギー準位は電子
トンネル輸送現象のトンネル準位としても利用可能であ
る。
トンネル輸送現象のトンネル準位としても利用可能であ
る。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように本発明の構造の量子井戸構造
及び量子井戸構造を用いた半導体素子によれば、材料固
有の禁制帯幅にとられれない量子井戸構造、及び半導体
素子が実現できる。
及び量子井戸構造を用いた半導体素子によれば、材料固
有の禁制帯幅にとられれない量子井戸構造、及び半導体
素子が実現できる。
位相シフトが第１の材料の結晶格子定数の半分に相当す
るようにすることにより、容易に禁制体内にエネルギー
準位を形成した量子井戸構造及びその半導体素子を構成
することができる。
るようにすることにより、容易に禁制体内にエネルギー
準位を形成した量子井戸構造及びその半導体素子を構成
することができる。
量子井戸層が１ ｎＧａＡｓ Ｐ層３とＡｆｆｉｌｎＳ
ｂ層９で、キャリア閉じ込めＪＷ（２，４）がＩｎＧａ
ＡｓＰ層で構成することにより、約０，５ｅ■のエネル
ギーを有する光子を放出することができる。
ｂ層９で、キャリア閉じ込めＪＷ（２，４）がＩｎＧａ
ＡｓＰ層で構成することにより、約０，５ｅ■のエネル
ギーを有する光子を放出することができる。
量子井戸層がＣｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ層２３と
ＧａＰ層２８で、キャリア閉じ込めＮＣ２２゜２４）が
Ｃｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ層で構成することによ
り、２．８ｅＶのエネルギー光子を放出することができ
る。
ＧａＰ層２８で、キャリア閉じ込めＮＣ２２゜２４）が
Ｃｕ （ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ層で構成することによ
り、２．８ｅＶのエネルギー光子を放出することができ
る。
量子井戸構造が量子井戸層とキャリア閉じ込め層とを複
数積層した多重量子井戸構造で構成することにより、レ
ーザの発振しきい値を小さくすることができる。
数積層した多重量子井戸構造で構成することにより、レ
ーザの発振しきい値を小さくすることができる。
第１及び第２の材料として半導体をもちいることにより
、容易に半導体素子を作製することができる。
、容易に半導体素子を作製することができる。
禁制体内のエネルギー準位に関する物理現象を利用して
量子井戸構造を用いた半導体素子を構成することにより
、材料固有の禁制体幅に制約されない半導体素子を作製
することができる。
量子井戸構造を用いた半導体素子を構成することにより
、材料固有の禁制体幅に制約されない半導体素子を作製
することができる。
物理現象がエネルギー準位を介した電子の遷移に伴う発
光を利用することにより、材料固有の禁制体幅に制約さ
れない発光素子を作製することができる。
光を利用することにより、材料固有の禁制体幅に制約さ
れない発光素子を作製することができる。
物理現象がエネルギー準位を介した光ポンピングに伴う
量子井戸層の禁制帯幅に対応する発光を利用することに
より、青色の発光素子を作製することができる。
量子井戸層の禁制帯幅に対応する発光を利用することに
より、青色の発光素子を作製することができる。
なお、発光素子の例では材料固有の禁制帯幅の発光だけ
でな（，２倍の波長や半分の波長の光を得ることができ
、光磁気ディスク、コンパクトディスク、レーザプリン
タ、小型表示パネル・ランプなどの民生用端末機器から
、光フアイバ通信、各種計測など広い分野で応用でき、
その効果は大きい。
でな（，２倍の波長や半分の波長の光を得ることができ
、光磁気ディスク、コンパクトディスク、レーザプリン
タ、小型表示パネル・ランプなどの民生用端末機器から
、光フアイバ通信、各種計測など広い分野で応用でき、
その効果は大きい。
第１図は従来の発光素子の構成模式図、第２図は従来の
発光素子の発光原理を説明するためのエネルギーバンド
構造図、第３図（ａ）は従来の発光素子のに空間におけ
るエネルギー模式図、第３図（ｂ）は本発明の発光素子
のに空間におけるエネルギー模式図、第４図（ａ）は従
来の発光素子の結晶格子点と波動関数の絶対値の２乗の
関係を示す波形図、第４図（ｂ）〜（ｄ）は本発明の発
光素子の結晶格子点と波動関数の絶対値の２乗の関係を
示す波形図、第５図（ａ）（ｂ）、第７図（ａ）（ｂ）
、第８図（ａ） （ｂ）、及び第９図（ａ） （ｂ）は
本発明による発光素子の構成模式図、第６図と第１０図
は本発明による発光素子のエネルギーバンド構造図であ
る。 １・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２− ｎ型ＡｆｆｉＧａ
ＡＳ層、 ３・・・ＧａＡｓ発光層、 ４・・・ｐ型Ａ
尼ＧａＡｓ層、 ５・・・ｐ型ＧａＡｓ層、 ６・・・
半絶縁性ＡｆＧａＡｓ層、 ７ ＝ ｎ型ＡｆＧａＡｓ
層、８−ｐ型Ａｊ！ＧａＡｓ層、 ９・Ａｊ！ＩｎＳｂ
層、１１− ｎ型１ｎＰ基板、 １２ ・・・ｎ型１
ｎＧａＡｓＰ層、 １３・・１ｎＧａＡｓ Ｐ層、
１４− ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層、 １５− ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ層、 １６・・・半絶縁性ＩｎＰ層、 １７・
・・ｎ型ＩｎＰ層、 １８− ｐ型ＩｎＰＪｉ、 １
９−Ａｎ！ＩｎＳｂ層、 ２ｌ−ＧａＰ基板、 ２２−
” Ｃｕ（ＧａＡｊ２）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２３−Ｃ
ｕ（ＧａＡＮ）（ＳＳｅ）ｚ発光層、 ２４−Ｃｕ（Ｇ
ａＡ１）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２５ ・・・半絶縁性Ｃｕ
（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２６− Ｃｕ （
Ｇ ａ Ａ ｌ ）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２７− Ｃｕ
（Ｇ ａ Ａ ｌ ） （Ｓ ５ｅ）ｚ層、 ２Ｂ
−ＧａＰ層、 １０１−・・ｐ型電極、１０２・・・
ｎ型電極、 １０３・・・周期的格子点、２０１・・
・電子、 ２０２・・・正孔、 ２０３，２１２・・・
禁制帯内のエネルギー準位、 ２０４，２０５．２０６
，２０７・・・波動関数の絶対値の２乗、２０８．２１
０・・・電子の量子準位、 ２０９．２１１・・・正孔
の量子準位、 ３０１，３０２．３０４・・・放出フォ
トン、 ３０３・・・励起フォトン。
発光素子の発光原理を説明するためのエネルギーバンド
構造図、第３図（ａ）は従来の発光素子のに空間におけ
るエネルギー模式図、第３図（ｂ）は本発明の発光素子
のに空間におけるエネルギー模式図、第４図（ａ）は従
来の発光素子の結晶格子点と波動関数の絶対値の２乗の
関係を示す波形図、第４図（ｂ）〜（ｄ）は本発明の発
光素子の結晶格子点と波動関数の絶対値の２乗の関係を
示す波形図、第５図（ａ）（ｂ）、第７図（ａ）（ｂ）
、第８図（ａ） （ｂ）、及び第９図（ａ） （ｂ）は
本発明による発光素子の構成模式図、第６図と第１０図
は本発明による発光素子のエネルギーバンド構造図であ
る。 １・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２− ｎ型ＡｆｆｉＧａ
ＡＳ層、 ３・・・ＧａＡｓ発光層、 ４・・・ｐ型Ａ
尼ＧａＡｓ層、 ５・・・ｐ型ＧａＡｓ層、 ６・・・
半絶縁性ＡｆＧａＡｓ層、 ７ ＝ ｎ型ＡｆＧａＡｓ
層、８−ｐ型Ａｊ！ＧａＡｓ層、 ９・Ａｊ！ＩｎＳｂ
層、１１− ｎ型１ｎＰ基板、 １２ ・・・ｎ型１
ｎＧａＡｓＰ層、 １３・・１ｎＧａＡｓ Ｐ層、
１４− ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層、 １５− ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ層、 １６・・・半絶縁性ＩｎＰ層、 １７・
・・ｎ型ＩｎＰ層、 １８− ｐ型ＩｎＰＪｉ、 １
９−Ａｎ！ＩｎＳｂ層、 ２ｌ−ＧａＰ基板、 ２２−
” Ｃｕ（ＧａＡｊ２）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２３−Ｃ
ｕ（ＧａＡＮ）（ＳＳｅ）ｚ発光層、 ２４−Ｃｕ（Ｇ
ａＡ１）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２５ ・・・半絶縁性Ｃｕ
（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２６− Ｃｕ （
Ｇ ａ Ａ ｌ ）（ＳＳｅ）ｚ層、 ２７− Ｃｕ
（Ｇ ａ Ａ ｌ ） （Ｓ ５ｅ）ｚ層、 ２Ｂ
−ＧａＰ層、 １０１−・・ｐ型電極、１０２・・・
ｎ型電極、 １０３・・・周期的格子点、２０１・・
・電子、 ２０２・・・正孔、 ２０３，２１２・・・
禁制帯内のエネルギー準位、 ２０４，２０５．２０６
，２０７・・・波動関数の絶対値の２乗、２０８．２１
０・・・電子の量子準位、 ２０９．２１１・・・正孔
の量子準位、 ３０１，３０２．３０４・・・放出フォ
トン、 ３０３・・・励起フォトン。
Claims (10)
- （１）電子のド・ブロイ波長程度の厚さを有する量子井
戸層と該量子井戸層より大なる禁制帯幅を有するキャリ
ア閉じ込め層とを有し、前記量子井戸層が該キャリア閉
じ込め層で挟まれて構成された量子井戸構造において、 前記量子井戸層を形成している主たる第１の材料の格子
定数とは異なる格子定数を有する第２の材料が前記量子
井戸層の中に配置され該第１の材料の結晶格子の周期に
位相シフトを有せしめることにより、前記量子井戸層の
禁制帯の中にエネルギー準位が形成されるように構成さ
れたことを特徴とする量子井戸構造。 - （２）前記位相シフトが前記第１の材料の結晶格子定数
の半分に相当することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の量子井戸構造。 - （３）前記量子井戸層がＩｎＧａＡｓＰ層とＡｌＩｎＳ
ｂ層で、キャリア閉じ込め層がＩｎＧａＡｓＰ層で構成
されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の量
子井戸構造。 - （４）前記量子井戸層がＣｕ（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）＿
２層とＧａＰ層で、キャリア閉じ込め層がＣｕ（ＧａＡ
ｌ）（ＳＳｅ）＿２層で構成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の量子井戸構造。 - （５）前記量子井戸構造が前記量子井戸層と前記キャリ
ア閉じ込め層とを複数積層した多重量子井戸構造で構成
されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の量
子井戸構造。 - （６）前記第１及び第２の材料が半導体であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の量子井戸構造。 - （７）電子のド・ブロイ波長程度の厚さを有する量子井
戸層と該量子井戸層より大なる禁制帯幅を有するキャリ
ア閉じ込め層とを有し、前記量子井戸層が該キャリア閉
じ込め層で挟まれて構成された量子井戸構造を用いた半
導体素子において、前記量子井戸層を形成している主た
る第１の材料の格子定数とは異なる格子定数を有する第
２の材料が前記量子井戸層の中に配置され該第１の材料
の結晶格子の周期に位相シフトを有せしめることにより
、前記量子井戸層の禁制帯の中にエネルギー準位が形成
され、禁制体内の前記エネルギー準位に関する物理現象
を利用したことを特徴とする量子井戸構造を用いた半導
体素子。 - （８）前記物理現象が前記エネルギー準位を介した電子
の遷移に伴う発光であることを特徴とする特許請求の範
囲第７項記載の量子井戸構造を用いた半導体素子。 - （９）前記物理現象が前記エネルギー準位を介した光ポ
ンピングに伴う前記量子井戸層の禁制帯幅に対応する発
光であることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の
量子井戸構造を用いた半導体素子。 - （１０）前記位相シフトが前記第１の半導体層の結晶格
子定数の半分に相当することを特徴とする特許請求の範
囲第７項、第８項又は第９項記載の量子井戸構造を用い
た半導体素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185578A JPH0236585A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半導体素子 |
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