KR101114047B1 - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 제2 전극; 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역에 형성된 제1 패턴(texture); 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역 상에 A 전극; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극;을 포함할 수 있다.
발광소자, 발광효율
Description
실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
한편, 종래기술에 의하면 활성층에서 발생된 빛의 일부는 전극에 의해 흡수되거나 반사되어 발광소자 내부에서 손실되고 이에 따라 발광효율이 감소하는 문제가 있다.
또한, 종래기술에 의하면 발광소자에서 전류밀집(current crowding) 현상이 발생하여 발광소자의 수명 및 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
실시예는 광추출 효과와 전류확산의 효과를 함께 겸비할 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 제2 전극; 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역에 형성된 제1 패턴(texture); 상기 제1 패턴 상에 A 전극; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극;을 포함할 수 있고, 상기 B 전극과 상기 제1 도전형 반도체층과의 접촉 면적이 상기 A 전극과 상기 제1 도전형 반도체층과의 접촉 면적보다 작고, 상기 B 전극은 와이어와 연결되는 패드 전극일 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역에 제1 패턴(texture)을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역 상에 A 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴(texture) 유무에 따라 접촉저항을 조절하여 전류확산 효과를 높이고, 패드 전극에 의한 광흡수를 최소화 하여 광추출 효 과의 향상을 가질 수 있다.
예를 들어, 실시예는 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 패드 전극의 접촉 영역에서 패턴을 형성하지 않음으로써 패턴에 의한 빛의 스캐터링(scattering)을 줄여 제1 전극에 의한 광흡수를 감소시킬 수 있고, 컨택저항이 다른 영역보다 높음으로써 패드 전극 아래에서 전류밀집 현상을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 패드 전극이 아닌 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴을 형성하여 컨택(contact) 저항을 줄임으로써 전류확산(current spreading)을 효과를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이며, 도 2는 실시예에 따른 발광소 자의 평면도이다. 도 1은 도 2의 I-I'선을 따른 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 제2 도전형 반도체층(116)을 포함하는 발광구조물(110); 상기 제2 도전형 반도체층(116) 아래에 형성된 제2 전극(120); 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 영역에 형성된 제1 패턴(Texture: T); 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 영역 상에 A 전극(150a); 및 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제2 영역 상에 B 전극(150b);을 포함할 수 있다. 제1 전극(150)은 상기 A 전극(150a)과 상기 B 전극(150b)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자 칩의 제1 도전형 반도체층과 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴(texture) 유무에 따라 접촉저항을 조절하여 전류확산 효과를 높이고, 패드 전극에 의한 광흡수를 최소화 하여 광추출 효과의 향상을 가질 수 있다.
도 3는 실시예에 따른 발광소자의 광추출 효율에 대한 도표이며, 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 저항에 대한 도표이다.
도 3는 도 1에서 제1 도전형 반도체층(112) 중 패드 전극인 B 전극(150b) 아래에 패턴이 형성되지 않은 영역의 수평길이(D)에 따른 광추출 효율의 도표이다.
종래기술에 의하면 제1 전극 아래에 형성된 패턴에 의해 빛의 산란으로 인해 제1 전극에서 흡수되는 광량이 증가하여 광추출 효과가 감소하였으며, 제1 전극 아래에 형성된 패턴에 의해 표면적이 증가하여 제1 전극에서 흡수되는 광량이 증가하여 광추출 효과가 감소하는 문제가 있었다.
이에 실시예는 제1 도전형 반도체층(112) 중 패턴(T)이 없는 영역에 패드 전극인 B 전극(150b)을 소정의 길이로 형성함으로써 패드 전극에서 흡수되는 광량을 줄임으로써 광추출 효율을 증대시킬 수 있다. 예를 들어, 실시예에 의하면 제1 도전형 반도체층(112) 중 와이어와 연결되는 패드 전극인 B 전극(150b)과 같은 면적으로 패턴을 형성하지 않음으로써 광추출 효율을 증대시킬 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 패턴이 형성되지 않은 제2 영역의 수평길이(D)를 패드 전극인 B 전극(150b)의 수평길이(W)인 300㎛로 형성함으로써 광추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 패턴(T)이 형성되지 않는 제2 영역의 범위(D)는 제1 도전형 반도체층(112)의 중 패드 전극인 B 전극(150b)의 면적 보다 ±5% 이하의 범위를 가질 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 발광소자에서 전극아래에 패턴이 도입된 경우(P)와 도입되지 않은 경우(Q)에 전극간 거리에 따른 각각의 저항 변화에 대한 도표이다. 도 4의 X 축은 도 1에서 제1 전극(150) 사이의 간격(x)이다.
실시예에 의하면 패드 전극(150b) 아래에 패턴을 형성하지 않음으로써 발광구조물과 패드 전극인 B 전극(150b) 사이의 컨택 저항을 높게 설정함으로써 패드 전극 아래에서 전류밀집 현상을 방지함과 아울러 다른 영역의 발광구조물 상에는 패턴을 형성함으로써 A 전극(105a)과의 컨택 저항의 낮추어 전류확산의 효과를 가질 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴(texture) 유무에 따라 접촉저항을 조절하여 전류확산 효과를 높이고, 패드 전극에 의한 광흡수를 최소화 하여 광추출 효과의 향상을 가질 수 있다.
예를 들어, 실시예는 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 패드 전극의 접촉 영역에서 패턴을 형성하지 않음으로써 패턴에 의한 빛의 스캐터링(scattering)을 줄여 제1 전극에 의한 광흡수를 감소시킬 수 있고, 컨택저항이 다른 영역보다 높음으로써 패드 전극 아래에서 전류밀집 현상을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 패드 전극이 아닌 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴을 형성하여 컨택(contact) 저항을 줄임으로써 전류확산(current spreading)을 효과를 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 실시예는 A 전극(150a) 아래에 제1 패턴(T)이 형성된 예를 설명하고 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니다. 즉, 실시예는 A 전극(150a) 아래에만 패턴(T)이 형성되는 것이 아니며, B 전극(150b) 아래에도 일부 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 B 전극(150b) 아래의 제2 패턴의 밀도가 상기 A 전극(150a) 아래의 제1 패턴의 밀도 보다 낮게 형성되는 경우에도 상기 설명된 실시예와 유사한 효과가 있다.
이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명한다.
실시예에서의 발광소자는 GaN, GaAs, GaAsP, GaP 등의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, Green~Blue LED는 GaN(InGaN), Yellow~Red LED는 InGaAIP, AIGaAs 를 사용할 수 있으며, 물질의 조성의 변경에 따라 Full Color 구현도 가능하다.
먼저, 도 5와 같이 제1 기판(100)을 준비한다. 상기 제1 기판(100)은 사파이어(Al2O3) 기판, SiC 기판 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 기판에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
이후, 상기 제1 기판(100) 상에 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함하는 발광구조물(110)을 형성할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 N형 GaN층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.
이때, 실시예는 상기 제1 기판(100) 상에 언도프트(undoped) 반도체층(미도시)을 형성하고, 상기 언도프트 반도체층 상에 제1 도전형 반도체층(112)을 형성함으로써 기판과 발광구조물 간의 결정격자 차이를 줄일 수 있다.
상기 활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(114)은 에너지 밴드가 서로 다른 질화물 반도체 박막층을 교대 로 한 번 혹은 여러 번 적층하여 이루어지는 양자우물구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 InGaN/GaN 구조를 갖는 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전형 반도체층(116)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 제2 전극(120)을 형성한다.
상기 제2 전극(120)은 오믹층(122), 반사층(124), 결합층(미도시), 제2 기판(미도시) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(120)은 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.
예를 들어, 상기 제2 전극(120)은 오믹층(122)을 포함할 수 있으며, 정공주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(122)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ni, Ag 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
또한, 상기 제2 전극(120)이 반사층(124)을 포함하는 경우 Al, Ag, 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.
또한, 상기 제2 전극(120)이 결합층을 포함하는 경우 상기 반사층(124)이 결합층의 기능을 하거나, 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용하여 결합층을 형성할 수 있다.
또한, 제2 전극(120)은 제2 기판을 포함할 수 있다. 만약, 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 50㎛ 이상으로 충분히 두꺼운 경우에는 제2 기판을 형성하는 공정은 생략될 수 있다. 상기 제2 기판은 효율적으로 정공을 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 기판은 구리(Cu), 구리합금(Cu Alloy) 또는 Si, Mo, SiGe, Ge, GaN, SiC 중 하나 이상일 수 있다. 상기 제2 기판을 형성시키는 방법은 전기화학적인 금속증착방법이나 공융금속을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 6과 같이, 상기 제1 도전형 반도체층(112)이 노출되도록 상기 제1 기판(100)을 제거한다. 상기 제1 기판(100)을 제거하는 방법은 고출력의 레이저를 이용하여 제1 기판을 분리하거나 화학적 식각 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(100)은 물리적으로 갈아냄으로써 제거할 수도 있다.
다음으로, 도 7 및 도 8과 같이 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 영역에 제1 패턴(T)을 형성한다.
예들 들어, 도 7과 같이 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제2 영역을 가리 는 마스크 패턴(210)을 형성한다. 상기 제2 영역은 이후 패드 전극이 형성될 영역일 수 있다. 상기 마스크 패턴(210)은 감광막 패턴이거나 절연막 패턴 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 제1 도전형 반도체층(112) 중 제1 패턴(T)이 없는 제2 영역에 패드 전극인 B 전극(150b)을 소정의 길이로 형성함으로써 패드 전극에서 흡수되는 광량을 줄임으로써 광추출 효율을 증대시킬 수 있다. 예를 들어, 실시예에 의하면 제1 도전형 반도체층(112) 중 와이어와 연결되는 패드 전극인 B 전극(150b)과 같은 면적으로 패턴을 형성하지 않음으로써 광추출 효율을 증대시킬 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 실시예에서 제1 패턴(T)이 형성되지 않는 제2 영역의 범위는 제1 도전형 반도체층(112)의 중 패드 전극인 B 전극(150b)의 면적 대비 ±5% 이하의 범위를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 도 8과 같이 상기 마스크 패턴(210)을 마스크로 하여 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 영역 상에 제1 패턴(T)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 습식식각 또는 건식식각 등에 의해 제1 영역 상에 요철(Roughness) 또는 광자결정(Photonic crystal) 등의 제1 패턴(T)을 형성할 수 있다. 이후, 상기 마스크 패턴(210)을 제거할 수 있다.
다음으로, 도 9와 같이 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 영역 상에 A 전극(150a)을 형성하고, 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제2 영역 상에 B 전극(150b)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 패턴(T) 상에 A 전극(150a)을 형성하고, 제1 패턴이 형성되지 않은 제1 도전형 반도체층(112) 상에 B 전극(150b)을 형성할 수 있다.
실시예에 의하면 발광구조물의 패드 전극 아래에 패턴을 형성하지 않음으로써 패드 전극 아래에서의 전류밀집 현상을 방지함과 아울러 다른 영역의 발광구조물에 패턴을 형성함으로써 제1 전극과의 컨택 저항의 낮추어 전류확산의 효과를 가질 수 있다.
한편, 상기 실시예는 A 전극(150a) 아래에 제1 패턴(T)이 형성된 예를 설명하고 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니다. 즉, 실시예는 A 전극(150a) 아래에만 패턴(T)이 형성되는 것이 아니며, B 전극(150b) 아래에도 일부 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 B 전극(150b) 아래의 제2 패턴의 밀도가 상기 A 전극(150a) 아래의 제1 패턴의 밀도 보다 낮게 형성되는 경우에도 상기 설명된 실시예와 유사한 효과가 있다.
이후, 패키징 과정에서 백색(White) LED를 구현하기 위해서 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색 LED를 조합하거나, 청색 LED에 황색 형광체(YAG, TAG 등의 형광체를 사용)를 더하거나, UV LED에 적/녹/청 삼색 형광체를 사용할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴(texture) 유무에 따라 접촉저항을 조절하여 전류확산 효과를 높이고, 패드 전극에 의한 광흡수를 최소화 하여 광추출 효과의 향상을 가질 수 있다.
예를 들어, 실시예는 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 패드 전극의 접촉 영역에서 패턴을 형성하지 않음으로써 패턴에 의한 빛의 스캐터링(scattering)을 줄여 제1 전극에 의한 광흡수를 감소시킬 수 있고, 컨택저항이 다른 영역보다 높음으로써 패드 전극 아래에서 전류밀집 현상을 방지할 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자의 제1 도전형 반도체층과 패드 전극이 아닌 제1 전극의 접촉 영역에서 패턴을 형성하여 컨택(contact) 저항을 줄임으로써 전류확산(current spreading)을 효과를 향상시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 평면도.
도 3는 실시예에 따른 발광소자의 광추출 효율에 대한 도표이며, 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 저항에 대한 도표.
도 5 내지 도 9는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정단면도.
Claims (14)
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 제2 도전형 반도체층 아래에 제2 전극;상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역에 형성된 제1 패턴(texture);상기 제1 패턴 상에 A 전극; 및상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극;을 포함하며,상기 B 전극과 상기 제1 도전형 반도체층과의 접촉 면적이 상기 A 전극과 상기 제1 도전형 반도체층과의 접촉 면적보다 작고,상기 B 전극은 와이어와 연결되는 패드 전극인 발광소자.
- 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,상기 B 전극은,상기 패턴이 형성되지 않은 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 B 전극 아래에 제2 패턴을 포함하는 발광소자.
- 제5 항에 있어서,상기 B 전극 아래의 제2 패턴의 밀도가 상기 A 전극 아래의 제1 패턴의 밀도 보다 낮은 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 제1 패턴은상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역 상에 요철 또는 광자결정을 포함하는 발광소자.
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역에 제1 패턴(texture)을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역 상에 A 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극을 형성하는 단계에서,상기 B 전극은 와이어와 연결되는 패드 전극인 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역에 제1 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역을 가리는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역 상에 제1 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역 상에 요철 또는 광자결정을 형성하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 B 전극을 형성하는 단계는,상기 제1 패턴이 형성되지 않은 제1 도전형 반도체층 상에 B 전극을 형성하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역 상에 제2 패턴을 형성하는 발광소자의 제조방법.
- 제13 항에 있어서,상기 B 전극 아래의 제2 패턴의 밀도가 상기 A 전극 아래의 제1 패턴의 밀도 보다 낮은 발광소자의 제조방법.
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