JP3586594B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、伝送用(特にIEEE1394用)および表示用等に用いられる半導体発光素子、および、その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、光通信や表示パネル等に半導体発光素子が広く用いられている。その場合に用いられる半導体発光素子は、発光効率が高いこと、更に光通信用の半導体発光素子においては応答速度が高速であることが重要であり、近年開発が盛んに行われている。
【0003】
通常の面発光型のLED(発光ダイオード)では高速応答性が余りよくなく、100Mbps〜200Mbps程度が限界である。そこで、共鳴キャビティ(Resonant Cavity)型LEDと呼ばれる半導体発光素子が開発されている。この共鳴キャビティ型LEDは、2つのミラーで形成された共振器によって発生する定在波の腹の位置が発光層になるようにすることによって自然放出光を制御し、高速応答および高効率を実現する半導体発光素子である(特公平10−2744503号公報、米国特許:5226053)。
【0004】
特に、最近、比較的短い距離の通信にPOF(プラスチック・オプティカル・ファイバ)が利用され始め、このPOFの低損失な波長領域である650nmでの高効率な発光が可能なAlGaInP系の半導体材料を発光層とする共鳴キャビティ型LEDが開発されている(High Brightness Visible Resonant Cavity Light Emitting Diode: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS Vol.10 No.12 DECEMBER 1998)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の共鳴キャビティ型LEDにおいては、以下のような問題がある。すなわち、従来の共鳴キャビティ型LEDおいては、垂直方向の共振波長λ1と斜め方向の共振波長λ2との大小関係がλ1>λ2となり、LEDチップからの放射角度によってピーク波長が異なるという特性がある。通常、この放射角依存性は0.2nm/deg〜0.3nm/deg程度である。このことは、上記LEDチップを表示用として使用する場合には、見る角度によって色が変化してしまうという問題が発生する。
【0006】
また、上記LEDチップを通信用として使用する場合には、例えばプラスチックファイバによる通信用光源に使用する場合には、垂直方向でプラスチックファイバの損失が小さい650nmにピークを持つように作製したLEDチップでは、斜め方向の発光光を利用するような光学系では650nmよりもピーク波長が短くなるため使用できないという問題が発生する。
【0007】
そこで、この発明の目的は、発光波長の放射角依存性が小さい半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第1の発明の半導体発光素子は、GaAs基板上に所定の間隔を有して形成された一対の多層反射膜で成る共振器と,上記共振器内における定在波の腹の位置に形成された発光層を有する半導体発光素子において、上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記多層反射膜上には、層数が1以上であって最上層の表面が粗面化されている半導体層が形成されており、上記発光層に対してG a A s 基板側に位置する多層反射膜は , A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で構成され、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する多層反射膜は , A l y G a z I n 1-y-z P(0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で構成されていることを特徴としている。
【0009】
上記構成によれば、半導体発光素子の表面は粗面化されている。したがって、図7(a)に示すように、発光層から放射された光は、本半導体発光素子の表面から外部に出射される際に種々の方向に散乱されることになる。その結果、発光波長の放射角依存性が小さくなる。
【0010】
さらに、上記発光層に対して上記G a A s 基板側に位置する多層反射膜はA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成されているので、上記G a A s 基板との熱膨張孫数の差が小さい。したがって、結晶成長時と結晶成長後との温度差による転位が発生し難い。このことによって、上記多層反射膜の層数を多くすることが可能になり、容易に高反射率が得られる。
【0011】
一方、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する多層反射膜はA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) で形成されているので、G a A s 基板に格子整合する層が最もA l を含む場合でも25%程度であり、A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成した場合 ( 50% ) の1 / 2である。したがって、耐湿性が大きく向上される。
【0012】
また、上記第1の発明の半導体発光素子は、上記発光層を、単層あるいは複数層から成るAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層で構成することが望ましい。
【0013】
上記構成によれば、上記発光層が、単層又は複数層から成るAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層で構成されている。したがって、波長が560nm〜660nmの発光光が得られる。
【0014】
また、第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、GaAs基板上に所定の間隔を有してA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で成る第1多層反射膜を形成する工程と、上記第1多層反射膜上に上記所定の間隔とは異なる間隔を有してA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で成る第2多層反射膜を形成する工程と、上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に,層数が1以上の半導体層を形成する工程と、上記半導体層における最上層の表面を粗面化する工程を備えたことを特徴としている。
【0015】
上記構成によれば、一対の多層反射膜で成る共振器上に形成された半導体層における最上層の表面は粗面化されている。したがって、上記多層反射膜の反射率を低下させることなく、上記発光層から放射された光は、本半導体発光素子の表面から外部に出射される際に種々の方向に散乱される。その結果、発光波長の放射角依存性が小さくなる。
【0016】
さらに、上記発光層に対して上記G a A s 基板側に位置する上記第1多層反射膜はA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成されているので、上記G a A s 基板との熱膨張孫数の差が小さい。したがって、結晶成長時と結晶成長後との温度差による転位が発生し難い。このことによって、上記多層反射膜の層数を多くすることが可能になり、容易に高反射率が得られる。
【0017】
一方、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜はA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) で形成されているので、G a A s 基板に格子整合する層が最もA l を含む場合でも25%程度であり、A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成した場合 ( 50% ) の1 / 2である。したがって、耐湿性が大きく向上される。
【0018】
また、上記第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を、フォトリソグラフィおよびエッチングによって光散乱用のパターンを形成することによって行なうことが望ましい。
【0019】
上記構成によれば、上記半導体層における最上層の表面に、フォトリソグラフィおよびエッチングによって光を散乱するようなパターンを形成するので、精度の高い微細パターンが形成される。したがって、発光波長の放射角依存性が小さくなるように表面粗面化の程度が制御される。
【0020】
また、上記第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を研磨によって行なうことが望ましい。
【0021】
上記構成によれば、上記半導体層における最上層の表面を研磨することによって粗面化するので、上記光散乱用のパターンを形成する場合のごとく複雑なフォトリソグラフィ工程を必要とはせず、より簡単な方法によって半導体発光素子が作成される。
【0022】
また、上記第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、上記半導体層を,AlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)で形成し、上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を,少なくとも上記半導体層を塩酸中で煮沸することによって行なうことが望ましい。
【0023】
上記構成によれば、塩酸中で煮沸することによって上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を行なうので、上記研磨による場合のようにウェハ全体を別の基板やシート等に貼り付けて保持する工程および洗浄する工程を必要とはしない。したがって、より簡単な方法によって半導体発光素子が作成される。
【0024】
また、第3の発明は、GaAs基板上に所定の間隔を有してA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で成る第1多層反射膜を形成する工程と、上記第1多層反射膜上に上記所定の間隔とは異なる間隔を有してA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で成る第2多層反射膜を形成する工程と、上記第1多層反射膜と第2多層反射膜との対で成る共振器内における定在波の腹の位置に発光層を形成する工程と、上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に,上記GaAs基板に対して格子定数が0.5%以上小さいAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層を含む層数が1以上の半導体層を形成することによって,上記半導体層における最上層の表面を粗面化する工程を備えたことを特徴としている。
【0025】
上記構成によれば、上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に形成された半導体層の表面が、格子定数差によって粗面化される。こうして、一連の結晶成長工程のみによって上記半導体層の表面が粗面化されるので、結晶成長の後に別途上記粗面化を行なう工程を設ける必要がなく、さらに簡単な方法によって半導体発光素子が作成される。
【0026】
さらに、上記発光層に対して上記G a A s 基板側に位置する上記第1多層反射膜はA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成されているので、上記G a A s 基板との熱膨張孫数の差が小さい。したがって、結晶成長時と結晶成長後との温度差による転位が発生し難い。このことによって、上記多層反射膜の層数を多くすることが可能になり、容易に高反射率が得られる。
【0027】
一方、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜はA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) で形成されているので、G a A s 基板に格子整合する層が最もA l を含む場合でも25%程度であり、A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成した場合 ( 50% ) の1 / 2である。したがって、耐湿性が大きく向上される。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0029】
<第1実施の形態>
図1は本実施の形態の半導体発光素子における表面図であり、図2は、図1におけるA−A矢視断面図である。
【0030】
本実施の形態における半導体発光素子は、AlGaInP系のものであり、以下のようにして形成される。図3に示すように、(100)から[011]の方向に15°だけ傾斜したn型のGaAs基板1上に、膜厚が1μmのn型GaAsバッファ層2、n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR(ディストリビューテッド・ブラッグ・リフレクター)層3、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第1クラッド層4、量子井戸活性層5、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第2クラッド層6、p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層7、膜厚が3μmのp型Al0.5Ga0.5As電流拡散層8、膜厚が0.1μmであるp型(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pエッチングストップ層9、膜厚が3μmであるp型Al0.5Ga0.5As光散乱層10を、MOCVD(有機金属化学蒸着)法によって順次積層する。尚、量子井戸活性層5は、その井戸層はGaInPであり、バリア層は(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pである。
【0031】
ここで、上記n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR層3、および、p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層7は、反射スペクトルの中心が650nmになるように形成し、この2つのDBR層3,7で形成される共振器の共振波長も650nmになるように共振器長を調整する。本実施の形態においては、上記共振器長を1.5波長分とした。さらに、量子井戸活性層5は、上記共振器中に生じる定在波の腹の位置に位置し、発光ピーク波長は650nmになるように形成する。
【0032】
次に、図4及び図5(図4のB−B矢視断面図)に示すように、上記p型Al0.5Ga0.5As光散乱層10の表面に、CVD(化学蒸着)法によってSiO2膜11を形成し、フォトリソグラフィおよび希釈HFでのエッチングによって70μmφの円形の電流経路14を形成する。
【0033】
その後、図1および図2に示すように、上記p型Al0.5Ga0.5As光散乱層10およびSiO2膜11上に、AuZn/Mo/Auをスパッタし、フォトリソグラフィによるパターニングを行って表面電極を形成する。そして、熱処理を行ってp型電極12を形成する。
【0034】
その後、上記p型のAl0.5Ga0.5As光散乱層10におけるp型電極12が形成されていない円形の電流経路14内に、フォトリソグラフィおよび硫酸/過酸化水素系エッチャントによって5μmピッチの格子パターン15を形成する。その場合、上記エッチングは、p型(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pエッチングストップ層9に達するまで行うことによって、エッチング深さを制御する。そして、n型GaAs基板1を約280μmの膜厚まで研磨し、この研磨した面にAuGe/Auを蒸着し、熱処理することによってn型電極13を形成する。
【0035】
このようにして形成された半導体発光素子は、上記電流経路14内における光出射面となるp型Al0.5Ga0.5As光散乱層10に格子パターン15を形成している。したがって、図7(a)に示すように、発光層としての量子井戸活性層5から放射された光が外部に出射される際に種々の方向に散乱されることになり、図6に示すように、発光波長の放射角依存性がp型Al0.5Ga0.5As光散乱層10に格子パターンを形成しない場合(図7(b)の場合に相当)よりも小さくなっている。
【0036】
また、上記発光層(量子井戸活性層)5に対してn型GaAs基板1側に位置する多層反射膜(n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5AsのDBR層)3は、AlGaAs系の材料で形成されている。したがって、その全膜厚は約3μmであるがn型GaAs基板1との熱膨張率差が小さいので、n型GaAs基板1の反りやダークラインの発生は認められない。さらに、層数を30ペアとすることで99%以上の高反射率を実現している。
【0037】
また、上記発光層(量子井戸活性層)5に対してn型GaAs基板1とは反対側の多層反射膜(p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5PのDBR層)7はAlGaInP系の材料で形成されている。したがって、表面近傍における最も多くAlを含む層がAl0.5In0.5Pであり、耐湿性は問題にならない。更に、この多層反射膜7のピーク反射率は約70%であり、共鳴キャビティ構造としては十分な反射率が得られている。
【0038】
尚、AlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)多層反射膜の場合、20ペア〜30ペアを超えるとn型GaAs基板1との熱膨張率差によって転位が発生し易くなる。しかしながら、共鳴キャビティ型LEDの場合には、n型GaAs基板1とは反対側の多層反射膜7に対しては、n型GaAs基板1側の多層反射膜3ほどの高反射率は要求されない。したがって、通常、上記多層反射膜7には20ペアを超える層数は必要がなく、転位は発生しないのである。
【0039】
本実施の形態における半導体発光素子を、温度80℃,湿度85%中で50mAの通電試験を行ったところ、1000時間経過後であっても初期光出力の90%の光出力を有していた。また、本半導体発光素子は電流狭窄構造を有しており、内部量子効率および外部出射効率が共に高く、初期光出力は20mAで1.6mWと高い光出力が得られた。
【0040】
上述のごとく、本実施の形態においては、上記n型GaAs基板1上に、所定の間隔を置いて、n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5AsのDBR層3及びp型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5PのDBR層7を、反射スペクトルの中心が650nmであり共振波長も650nmになるように形成する。そして、量子井戸活性層(発光層)5を、上記両DBR層3,7で成る共振器中に生じる定在波の腹の位置に、発光ピーク波長が650nmになるように形成する。さらに、p型電極12に囲まれた光出射面としてのp型Al0.5Ga0.5As光散乱層10の表面に格子パターン15を形成している。
【0041】
したがって、本実施の形態における半導体発光素子の表面は粗面となり、発光層5から放射された光は種々の方向に散乱される。その結果、発光波長の放射角依存性を小さくすることができるのである。
【0042】
また、上記発光層としての量子井戸活性層5を、単層あるいは複数層からなるAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層で形成している。したがって、560nm〜660nm程度の光を発光させることができる。
【0043】
<第2実施の形態>
図8は本実施の形態の半導体発光素子における表面図であり、図9は、図8におけるC−C矢視断面図である。
【0044】
本実施の形態における半導体発光素子はAlGaInP系であり、以下のようにして形成される。図10に示すように、(100)から[011]の方向に15°だけ傾斜したn型のGaAs基板21上に、膜厚が1μmのn型GaAsバッファ層22、n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR層23、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第1クラッド層24、量子井戸活性層25、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第2クラッド層26、p型の(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層27、膜厚が10μmのp型Al0.5Ga0.5As電流拡散層28を、MOCVD法によって順次積層する。尚、量子井戸活性層25は、その井戸層はGaInPであり、バリア層は(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pである。
【0045】
ここで、上記n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR層23、および、p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層27は、反射スペクトルの中心が650nmになるように形成し、この2つのDBR層23,27で形成される共振器の共振波長も650nmになるように共振器長を調整する。本実施の形態においては、上記共振器長を1.5波長分とした。さらに、量子井戸活性層25は、上記共振器中に生じる定在波の腹の位置に位置し、発光ピーク波長は650nmになるように形成する。
【0046】
その後、図11に示すように、上記膜厚が10μmのp型Al0.5Ga0.5As電流拡散層28の表面を、発光光を散乱するように数μmだけ研磨して粗面化する。
【0047】
次に、図12および図13(図12のD−D矢視断面図)に示すように、上記p型Al0.5Ga0.5As電流拡散層28の表面に、CVD法によってSiO2膜29を形成し、フォトリソグラフィおよび希釈HFでのエッチングによって70μmφの円形の電流経路32を形成する。
【0048】
その後、図8および図9に示すように、上記p型Al0.5Ga0.5As電流拡散層28およびSiO2膜29上に、AuZn/Mo/Auをスパッタし、フォトリソグラフィによるパターニングを行って表面電極を形成する。そして、熱処理を行ってp型電極30を形成する。さらに、n型GaAs基板21を約280μmの膜厚まで研磨し、この研磨した面にAuGe/Auを蒸着し、熱処理することによってn型電極31を形成する。
【0049】
このようにして形成された半導体発光素子は、第1実施の形態に比して、ウェハ表面に格子パターンを形成して粗面化する際の複雑なフォトリソグラフィの工程が必要なくなり、工程を簡略化することができる。尚、発光波長の放射角依存性については、第1実施の形態同様十分小さくなっている。
【0050】
また、耐湿性に関しても第1実施の形態と同様に全く問題なく、温度80℃,湿度85%中で20mAの通電試験を行ったところ、1000時間経過後であっても初期光出力の90%の光出力を有していた。また、初期光出力は20mAで1.6mWと十分高い光出力が得られた。
【0051】
<第3実施の形態>
図14は本実施の形態の半導体発光素子における表面図であり、図15は、図14におけるE−E矢視断面図である。
【0052】
本実施の形態における半導体発光素子はAlGaInP系であり、以下のようにして形成される。図16に示すように、(100)から[011]の方向に15°だけ傾斜したn型のGaAs基板41上に、膜厚が1μmのn型GaAsバッファ層42、n型AlAs/n型Al0.7Ga0.3Asの70ペアのDBR層43、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第1クラッド層44、量子井戸活性層45、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第2クラッド層46、p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの18ペアのDBR層47、膜厚0.15μmのp型AlGaInP中間層48、膜厚が1μmのp型AlGaInP第1電流拡散層49、膜厚が0.3μmのn型AlGaInP電流狭窄層50、膜厚0.01μmのn型のGaAsキャップ層51を、MOCVD法によって順次積層する。尚、量子井戸活性層45は、その井戸層は(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pであり、バリア層は(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pである。
【0053】
ここで、上記n型AlAs/n型Al0.7Ga0.3Asの70ペアのDBR層43、および、p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの18ペアのDBR層47は、反射スペクトルの中心が570nmになるように形成し、この2つのDBR層43,47で形成される共振器の共振波長も570nmになるように共振器長を調整する。本実施の形態においては、上記共振器長を1.5波長分とした。さらに、量子井戸活性層45は、上記共振器中に生じる定在波の腹の位置に位置し、発光ピーク波長は570nmになるように形成する。
【0054】
その後、図17および図18(図17のF−F矢視断面図)に示すように、n型GaAsキャップ層51を硫酸/過酸化水素系エッチャントで除去する。そうした後、フォトリソグラフィおよび硫酸/過酸化水素系エッチャントによって、n型AlGaInP電流狭窄層50をp型AlGaInP第1電流拡散層49に達するまでエッチングする。このときのエッチングによって70μmφの円形の電流経路55を形成する。
【0055】
次に、図19及び図20(図19のG−G矢視断面図)に示すように、膜厚が7μmのp型AlGaInP第2電流拡散層52を、n型AlGaInP電流狭窄層50およびp型AlGaInP第1電流拡散層49の上に再成長する。
【0056】
その後、図14および図15に示すように、上記p型AlGaInP第2電流拡散層52上にAuBe/Auを蒸着し、フォトリソグラフィおよびAuエッチャントによるエッチングによって表面電極を形成する。そして、熱処理を行ってp型電極53を形成する。次に、ウェハを、65℃〜70℃の塩酸中で煮沸する。その際に、p型AlGaInP第2電流拡散層52の表面におけるp型電極53が形成されていない領域が粗面になる。さらに、n型GaAs基板41を約280μmの膜厚まで研磨し、この研磨した面にAuGe/Auを蒸着し、熱処理することによってn型電極54を形成する。
【0057】
このようにして形成された半導体発光素子は、第2実施の形態に比して、ウェハ表面を研磨して粗面化するためにウェハをシートあるいは他のウェハ等に貼り付けたり、研磨後に取り外して洗浄したりする工程が全く必要なく、工程の簡略化が可能となる。尚、発光波長の放射角依存性については、第1,第2実施の形態同様十分小さくなっている。
【0058】
また、上記発光層(量子井戸活性層)45に対してn型GaAs基板41側に位置する多層反射膜(n型AlAs/n型Al0.7Ga0.3Asの70ペアのDBR層)43はAlGaAs系の材料で形成されている。したがって、その全膜厚は約7μmと第1,第2実施の形態の場合よりも更に厚くなっているが、n型GaAs基板41との熱膨張率差が小さいので、n型GaAs基板41の反りやダークラインの発生は認められない。その結果、層数を70ペアと多くすることが可能になり、99%以上の高反射率を実現できるのである。
【0059】
また、上記発光層(量子井戸活性層)45に対してn型GaAs基板41とは反対側の多層反射膜(p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの18ペアのDBR層)47はAlGaInP系の材料で形成されているので、第1,第2実施の形態の場合と同様に耐湿性の問題はない。温度80℃,湿度85%中で50mAの通電試験を行ったところ、1000時間経過後であっても初期光出力の105%の光出力を有していた。
【0060】
また、初期光出力は、発光部上における枝状電極56の面積を、第1,第2実施の形態の楊合よりも小さくしていることによって、約1割だけ光取り出し効率が向上して0.4mWを呈した。
【0061】
<第4実施の形態>
図21は本実施の形態の半導体発光素子における表面図であり、図22は、図21におけるH−H矢視断面図である。
【0062】
本実施の形態における半導体発光素子はAlGaInP系であり、以下のようにして形成される。図23に示すように、(100)から[011]の方向に15°だけ傾斜したn型のGaAs基板61上に、膜厚が1μmのn型GaAsバッファ層62、n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR層63、n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第1クラッド層64、量子井戸活性層65、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第2クラッド層66、p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層67、膜厚が0.15μmのp型AlGaInP中間層68、膜厚が1μmのp型Al0.01Ga0.98In0.01P第1電流拡散層69、膜厚が0.3μmのn型Al0.01Ga0.98In0.01P電流狭窄層70、膜厚0.01μmのn型のGaAsキャップ層71を、MOCVD法によって順次積層する。尚、量子井戸活性層65は、その井戸層はGaInPであり、バリア層は(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pである。
【0063】
ここで、上記n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR層63、および、p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層67は、反射スペクトルの中心が650nmになるように形成し、この2つのDBR層63,67で形成される共振器の共振波長も650nmになるように共振器長を調整する。本実施の形態においては、上記共振器長を1.5波長分とした。さらに、量子井戸活性層65は、上記共振器中に生じる定在波の腹の位置に位置し、発光ピーク波長は650nmになるように形成する。
【0064】
その後、図24および図25(図24のI−I矢視断面図)に示すように、n型GaAsキャップ層71を硫酸/過酸化水素系エッチャントで除去する。そうした後、フォトリソグラフィおよび硫酸/過酸化水素系エッチャントによって、n型Al0.01Ga0.98In0.01P電流狭窄層70をp型Al0.01Ga0.98In0.01P第1電流拡散層69に達するまでエッチングする。このときのエッチングによって70μmφの円形の電流経路75を形成する。
【0065】
次に、図26及び図27(図26におけるJ−J矢視断面図)に示すように、膜厚が7μmのp型Al0.01Ga0.98In0.01P第2電流拡散層72を、n型Al0.01Ga0.98In0.01P電流狭窄層70およびp型Al0.01Ga0.98In0.01P第1電流拡散層69の上に再成長する。この段階で、格子定数がn型GaAs基板61に対して約3.6%小さく且つ膜厚が約8μmのAl0.01Ga0.98In0.01P層が、p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアのDBR層67上に形成されており、ウェハ表面は粗面になっている。
【0066】
その後、図21および図22に示すように、上記p型Al0.01Ga0.98In0.01P第2電流拡散層72上にAuBe/Auを蒸着し、フォトリソグラフィおよびAuエッチャントによるエッチングによって表面電極を形成する。そして、熱処理を行ってp型電極73を形成する。さらに、n型GaAs基板61を約280μmの膜厚まで研磨し、この研磨した面にAuGe/Auを蒸着し、熱処理することによってn型電極74を形成する。
【0067】
このようにして形成された半導体発光素子においては、第1〜第3実施の形態に比して、結晶成長後に別途ウェハ表面を粗面化する工程が全く必要なく、工程の簡略化が可能となる。尚、発光波長の放射角依存性については、表面の粗面化の程度が小さいために、図28に示すように、第1〜第3実施の形態の場合よりやや依存性は大きい。しかしながら、粗面化がない場合よりは依存性が大幅に小さくなっている。
【0068】
また、耐湿性に関しても全く問題はない。温度80℃,湿度85%中で50mAの通電試験を行ったところ、1000時間経過後であっても初期光出力の90%の光出力を有していた。また、初期光出力は、20mAで1.7mWと十分高い出力が得られた。
【0069】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第1の発明の半導体発光素子は、一対の多層反射膜で成る共振器内における定在波の腹の位置に発光層を有し、この発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記多層反射膜上に表面が粗面化された半導体層が形成されているので、上記発光層から放射された光を、本半導体発光素子の表面から外部に出射される際に種々の方向に散乱させることができる。したがって、発光波長の放射角依存性を小さくすることができる。
【0070】
さらに、上記発光層に対してG a A s 基板側に位置する上記多層反射膜をA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で構成するので、G a A s 基板との熱膨張孫数の差を小さくして結晶成長時と結晶成長後との温度差による転位を発生し難くできる。したがって、上記多層反射膜の層数を多くして、容易に高反射率を得ることができる。
【0071】
さらに、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する上記多層反射膜をA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で構成するので、上記G a A s 基板に格子整合する層が含むA l 量を最大25%程度にでき、A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成した場合 ( 50% ) の1 / 2にできる。したがって、耐湿性を大きく向上できる。
【0072】
また、上記第1の発明の半導体発光素子は、上記発光層を、単層あるいは複数層から成るAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層で構成すれば、波長が560nm〜660nmの発光光を得ることができる。
【0073】
また、第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、G a A s 基板上に所定の間隔を有してA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で成る第1多層反射膜とA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で成る第2多層反射膜とを形成し、上記一対の多層反射膜で成る共振器内における定在波の腹の位置に発光層を形成し、この発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に、層数が1以上の半導体層を形成し、上記半導体層における最上層の表面を粗面化するので、上記多層反射膜の反射率を低下させることなく、上記発光層から放射された光を、本半導体発光素子の表面から外部に出射する際に種々の方向に散乱させることができる。したがって、発光波長の放射角依存性を小さくできる。
【0074】
さらに、上記発光層に対してG a A s 基板側に位置する上記第1多層反射膜をA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で構成するので、G a A s 基板との熱膨張孫数の差を小さくして結晶成長時と結晶成長後との温度差による転位を発生し難くできる。したがって、上記多層反射膜の層数を多くして、容易に高反射率を得ることができる。
【0075】
さらに、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜をA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で構成するので、上記G a A s 基板に格子整合する層が含むA l 量を最大25%程度にでき、A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成した場合 ( 50% ) の1 / 2にできる。したがって、耐湿性を大きく向上できる。
【0076】
また、上記第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を、フォトリソグラフィおよびエッチングによって光散乱用のパターンを形成することによって行なえば、精度の高い光散乱用の微細パターンを形成できる。したがって、発光波長の放射角依存性が小さくなるように、表面粗面化の程度を制御できる。
【0077】
また、上記第2の発明の半導体発光素子の製造方法は、上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を研磨によって行なえば、上記光散乱用パターンを形成する場合のような複雑なフォトリソグラフィ工程を必要とはせず、より簡単な方法によって半導体発光素子を製造できる。
【0078】
また、上記第2の発明の半導体発光素子の製造方法では、上記半導体層をAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)で形成し、少なくとも上記半導体層を塩酸中で煮沸することによって上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化を行なえば、上記研磨による粗面化の場合のように、ウェハ全体を別の基板やシート等に貼り付けて保持する工程および洗浄する工程を必要とはしない。したがって、より簡単な方法によって半導体発光素子を製造できる。
【0079】
また、第3の発明は、G a A s 基板上に所定の間隔を有してA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で成る第1多層反射膜とA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で成る第2多層反射膜とを形成し、上記一対の多層反射膜で成る共振器内における定在波の腹の位置に発光層を形成し、この発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に、上記GaAs基板に対して格子定数が0.5%以上小さいAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層を含む半導体層を形成するので、上記半導体層の表面を格子定数差によって粗面化できる。したがって、一連の結晶成長工程のみによって上記半導体層の表面を粗面化でき、結晶成長の後に別途上記粗面化を行なう工程を設ける必要がない。すなわち、この発明によれば、さらに簡単な方法によって半導体発光素子を製造できる。
【0080】
さらに、上記発光層に対してG a A s 基板側に位置する上記第1多層反射膜をA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で構成するので、G a A s 基板との熱膨張孫数の差を小さくして結晶成長時と結晶成長後との温度差による転位を発生し難くできる。したがって、上記多層反射膜の層数を多くして、容易に高反射率を得ることができる。
【0081】
さらに、上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜をA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で構成するので、上記G a A s 基板に格子整合する層が含むA l 量を最大25%程度にでき、A l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) で形成した場合 ( 50% ) の1 / 2にできる。したがって、耐湿性を大きく向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体発光素子における表面図である。
【図2】図1におけるA−A矢視断面図である。
【図3】図2に示す半導体発光素子の製造工程を示す図である。
【図4】図3に続く製造工程を示す表面図である。
【図5】図4におけるB−B矢視断面図である。
【図6】図1に示す半導体発光素子におけるピーク波長の放射各依存性を示す図である。
【図7】図1に示す半導体発光素子における粗面化による効果の説明図である。
【図8】図1とは異なる半導体発光素子における表面図である。
【図9】図8におけるC−C矢視断面図である。
【図10】図9に示す半導体発光素子の製造工程を示す図である。
【図11】図10に続く製造工程を示す図である。
【図12】図11に続く製造工程を示す表面図である。
【図13】図12におけるD−D矢視断面図である。
【図14】図1および図8とは異なる半導体発光素子における表面図である。
【図15】図14におけるE−E矢視断面図である。
【図16】図15に示す半導体発光素子の製造工程を示す図である。
【図17】図16に続く製造工程を示す表面図である。
【図18】図17におけるF−F矢視断面図である。
【図19】図18に続く製造工程を示す表面図である。
【図20】図19におけるG−G矢視断面図である。
【図21】図1,図8および図14とは異なる半導体発光素子における表面図である。
【図22】図21におけるH−H矢視断面図である。
【図23】図22に示す半導体発光素子の製造工程を示す図である。
【図24】図23に続く製造工程を示す表面図である。
【図25】図19におけるI−I矢視断面図である。
【図26】図25に続く製造工程を示す表面図である。
【図27】図26におけるJ−J矢視断面図である。
【図28】図21に示す半導体発光素子におけるピーク波長の放射各依存性を示す図である。
【符号の説明】
1,21,41,61…n型GaAs基板、
2,22,42,62…n型GaAsバッファ層、
3,23,63…n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5Asの30ペアのDBR層、
4,24,44,64…n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第1クラッド層、
5,25,45,65…量子井戸活性層、
6,26,46,66…p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P第2クラッド層、
7,27,67…p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの12ペアの
DBR層、
8,28…p型Al0.5Ga0.5As電流拡散層、
9…p型(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5Pエッチングストップ層、
10…p型Al0.5Ga0.5As光散乱層、 11,29…SiO2膜、
12,30,53,73…p型電極、 13,31,54,74…n型電極、
14,32,55,75…電流経路、 15…格子パターン、
43…n型AlAs/n型Al0.7Ga0.3Asの70ペアのDBR層、
47…p型(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5Pの18ペアのDBR層、
48,68…p型AlGaInP中間層、
49…p型AlGaInP第1電流拡散層、50…n型AlGaInP電流狭窄層、
51,71…n型GaAsキャップ層、
52…p型AlGaInP第2電流拡散層、
56…枝状電極、
69…p型Al0.01Ga0.98In0.01P第1電流拡散層、
70…n型Al0.01Ga0.98In0.01P電流狭窄層、
72…p型Al0.01Ga0.98In0.01P第2電流拡散層。
Claims (7)
- GaAs基板上に所定の間隔を有して形成された一対の多層反射膜で成る共振器と、上記共振器内における定在波の腹の位置に形成された発光層を有する半導体発光素子において、
上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記多層反射膜上には、層数が1以上であって最上層の表面が粗面化されている半導体層が形成されており、
上記発光層に対してG a A s 基板側に位置している上記多層反射膜はA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で構成され、
上記発光層に対して上記G a A s 基板とは反対側に位置する上記多層反射膜は、A l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で構成されている
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
上記発光層は、単層あるいは複数層から成るAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)層で構成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - G a A s 基板上に所定の間隔を有してA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で成る第1多層反射膜を形成する工程と、
上記第1多層反射膜上に上記所定の間隔とは異なる間隔を有してA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で成る第2多層反射膜を形成する工程と、
上記第1多層反射膜と第2多層反射膜との対で成る共振器内における定在波の腹の位置に発光層を形成する工程と、
上記発光層に対してG a A s 基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に、層数が1以上の半導体層を形成する工程と、
上記半導体層における最上層の表面を粗面化する工程
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化は、フォトリソグラフィおよびエッチングによって光散乱用のパターンを形成することによって行われることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化は、研磨することによって行われることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記半導体層は、A l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) で形成され、
上記半導体層における最上層の表面に対する粗面化は、少なくとも上記半導体層を塩酸中で煮沸することによって行われることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - G a A s 基板上に所定の間隔を有してA l x G a 1-x A s( 0≦x≦1 ) 層で成る第1多層反射膜を形成する工程と、
上記第1多層反射膜上に上記所定の間隔とは異なる間隔を有してA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層で成る第2多層反射膜を形成する工程と、
上記第1多層反射膜と第2多層反射膜との対で成る共振器内における定在波の腹の位置に発光層を形成する工程と、
上記発光層に対してG a A s 基板とは反対側に位置する上記第2多層反射膜上に、上記G a A s 基板に対して格子定数が0 . 5%以上小さいA l y G a z I n 1-y-z P ( 0≦y≦1 , 0≦z≦1 ) 層を含む層数が1以上の半導体層を形成することによって、上記半導体層における最上層の表面を粗面化する工程
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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