JP2744503B2 - 面形発光素子 - Google Patents
面形発光素子Info
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- JP2744503B2 JP2744503B2 JP2024452A JP2445290A JP2744503B2 JP 2744503 B2 JP2744503 B2 JP 2744503B2 JP 2024452 A JP2024452 A JP 2024452A JP 2445290 A JP2445290 A JP 2445290A JP 2744503 B2 JP2744503 B2 JP 2744503B2
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- Japan
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- light emitting
- light
- emitting device
- cavity
- gaas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
- H01S5/18347—Mesa comprising active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、基板に垂直方向に発光またはレーザ発振す
る面形発光素子に関し、詳しくは面発光形半導体レーザ
の特性改善、および微細素子作製の容易化に関するもの
である。
る面形発光素子に関し、詳しくは面発光形半導体レーザ
の特性改善、および微細素子作製の容易化に関するもの
である。
（従来の技術） 基板に垂直に発振する面発光形半導体レーザでは、キ
ャビティ長、すなわち増幅領域が、エピ厚に対応するの
で、ミクロンオーダであり、通常のストライプ形レーザ
に比べて極めて短い。このためレーザ発振を得るために
は、できるだけ反射率を高めて光の内部往復を繰り返す
ことにより、キャビティ長を実効的に長くして、ゲイン
を得ていた。
ャビティ長、すなわち増幅領域が、エピ厚に対応するの
で、ミクロンオーダであり、通常のストライプ形レーザ
に比べて極めて短い。このためレーザ発振を得るために
は、できるだけ反射率を高めて光の内部往復を繰り返す
ことにより、キャビティ長を実効的に長くして、ゲイン
を得ていた。
第２図は、従来のGaAlAs系面発光レーザの構造を示す
模式的断面図であって、発光層は、GaAs基板１の上にGa
As層もしくはInGaAs歪層のDH（Double Hetero）構造ま
たはGRIN（Graded Index）構造からなる活性領域２をも
ち、ミラー間隔を１波形程度とした、いわゆるマイクロ
キャビティ形をしている。活性領域の外側のキャビティ
用ミラー3,4は、透明であって、GaAs/AlGaAsの各々λ/4
n（λは発振波長、ｎは各屈折率）の厚さからなる半導
体多層膜ミラーを使用している。AlGaAs系の屈折率ｎは
GaAsで約3.6、AlAsで約3.0であり、中間組成ではほぼ直
線的に変化する。多層膜ミラーの反射率は、多層膜ミラ
ーを構成する半導体層の屈折率の差Δｎが大きいほど高
いので、従来の面形発光素子では、GaAs（またはｘ0.
2のAlxGa1-xAs）とAlAs（またはｘ0.9のAlxGa1-xAs）
を用い、その層数（ペア数）は15〜30が使用されてい
た。発光層にInGaAs歪量子井戸を用いた場合、発光波長
は約１μｍであり、GaAs基板も透明であるので、基板側
から出力を出す場合にも基板GaAsの穴開けを行う必要は
ない。マイクロキャビティ形レーザでは、発光した光を
ミラー間で往復させる通常のレーザと異なり、両ミラー
の反射率以外に、キャビティモードの半値幅と発光した
光の半値幅が特性に関係してくる。すなわち自然放出係
数βを大きくすることが発光出力の増大および変調速度
の高帯域化などに重要となる。一般にマイクロキャビテ
ィの反射率とキャビティモードの半値幅とは逆比例の関
係がある。従って前述の従来の面発光形半導体レーザで
は、多層膜ミラーの反射率を大きくすることばかりに注
目していたが、キャビティモードの半値幅が発光の半値
幅に比べて極端に狭くなり、有効に光出力が外部に取り
出せない欠点があった。また変調速度について言えば、
高反射ミラーのレーザでは、フォトンのライフタイムが
長くなるので、変調速度は、これにより制限があった。
模式的断面図であって、発光層は、GaAs基板１の上にGa
As層もしくはInGaAs歪層のDH（Double Hetero）構造ま
たはGRIN（Graded Index）構造からなる活性領域２をも
ち、ミラー間隔を１波形程度とした、いわゆるマイクロ
キャビティ形をしている。活性領域の外側のキャビティ
用ミラー3,4は、透明であって、GaAs/AlGaAsの各々λ/4
n（λは発振波長、ｎは各屈折率）の厚さからなる半導
体多層膜ミラーを使用している。AlGaAs系の屈折率ｎは
GaAsで約3.6、AlAsで約3.0であり、中間組成ではほぼ直
線的に変化する。多層膜ミラーの反射率は、多層膜ミラ
ーを構成する半導体層の屈折率の差Δｎが大きいほど高
いので、従来の面形発光素子では、GaAs（またはｘ0.
2のAlxGa1-xAs）とAlAs（またはｘ0.9のAlxGa1-xAs）
を用い、その層数（ペア数）は15〜30が使用されてい
た。発光層にInGaAs歪量子井戸を用いた場合、発光波長
は約１μｍであり、GaAs基板も透明であるので、基板側
から出力を出す場合にも基板GaAsの穴開けを行う必要は
ない。マイクロキャビティ形レーザでは、発光した光を
ミラー間で往復させる通常のレーザと異なり、両ミラー
の反射率以外に、キャビティモードの半値幅と発光した
光の半値幅が特性に関係してくる。すなわち自然放出係
数βを大きくすることが発光出力の増大および変調速度
の高帯域化などに重要となる。一般にマイクロキャビテ
ィの反射率とキャビティモードの半値幅とは逆比例の関
係がある。従って前述の従来の面発光形半導体レーザで
は、多層膜ミラーの反射率を大きくすることばかりに注
目していたが、キャビティモードの半値幅が発光の半値
幅に比べて極端に狭くなり、有効に光出力が外部に取り
出せない欠点があった。また変調速度について言えば、
高反射ミラーのレーザでは、フォトンのライフタイムが
長くなるので、変調速度は、これにより制限があった。
第３図にマイクロキャビティの反射特性を示す。
（ａ）は従来の面発光形半導体レーザに用いられていた
もので、両多層膜ミラーがλ/4n−GaAs膜とλ/4n−AlAs
膜の20ペアからなる場合の反射特性である。キャビティ
全体の反射率はＲ＞99.99％（各多層膜ミラーの反射率
はエピ側99.9％、基板側99.7％）、キャビティモードの
半値幅Δλｃは0.1nmである。ところが発光層がInGaAs
歪量子井戸層やGaAs量子井戸層の室温における発光半値
幅ΔλPLは通常5nm〜15nm程度であるので、Δλｃ≪Δ
λPLとなり、発光の大部分はキャビティ外には出てこな
い状況となっていた。自然放出係数βは、波長帯域分0.
1/5〜0.1/15、立体角分約0.1とすると、β＝0.7〜２×1
0-3となり、このため出力が小さく、面形半導体レーザ
の最大の欠点となっていた。
（ａ）は従来の面発光形半導体レーザに用いられていた
もので、両多層膜ミラーがλ/4n−GaAs膜とλ/4n−AlAs
膜の20ペアからなる場合の反射特性である。キャビティ
全体の反射率はＲ＞99.99％（各多層膜ミラーの反射率
はエピ側99.9％、基板側99.7％）、キャビティモードの
半値幅Δλｃは0.1nmである。ところが発光層がInGaAs
歪量子井戸層やGaAs量子井戸層の室温における発光半値
幅ΔλPLは通常5nm〜15nm程度であるので、Δλｃ≪Δ
λPLとなり、発光の大部分はキャビティ外には出てこな
い状況となっていた。自然放出係数βは、波長帯域分0.
1/5〜0.1/15、立体角分約0.1とすると、β＝0.7〜２×1
0-3となり、このため出力が小さく、面形半導体レーザ
の最大の欠点となっていた。
一方、変調速度は緩和振動周波数fr＝(P/Pth-1)1/2／
（τspτph）1/2/2πで制限される。ここで、Ｐは注入
密度、Pth（発振しきい値密度）はPth＝γｎsp／β＝n
sp／βτph，γ（＝1/τph）は共振器の帯域幅、nspは
キャリアの反転分布係数、τphおよびτspはそれぞれフ
ォトンおよびキャリアのライフタイムである。高注入状
態のＰ≫Pthでは、fr（βP/nspτsp）1/2/2πとな
り、自然放出係数βが小さいと高速変調に不利であっ
た。
（τspτph）1/2/2πで制限される。ここで、Ｐは注入
密度、Pth（発振しきい値密度）はPth＝γｎsp／β＝n
sp／βτph，γ（＝1/τph）は共振器の帯域幅、nspは
キャリアの反転分布係数、τphおよびτspはそれぞれフ
ォトンおよびキャリアのライフタイムである。高注入状
態のＰ≫Pthでは、fr（βP/nspτsp）1/2/2πとな
り、自然放出係数βが小さいと高速変調に不利であっ
た。
またAl組成が100％に近いAlGaAsでは、化学的に不安
定である、電子およびホールの移動度が小さい、加工性
が悪いなどの種々の問題があり、またエピ成長の際には
良好な平坦性が得られないという困難性もあった。また
反射率を高くするために多層膜のペア数を増すと、全体
の厚みが厚くなり、これは微細径素子の作製やシリーズ
抵抗の点で不利となるほか、エピ成長表面の平坦性が徐
々に劣化し、ミラー特性が悪くなる欠点があった。
定である、電子およびホールの移動度が小さい、加工性
が悪いなどの種々の問題があり、またエピ成長の際には
良好な平坦性が得られないという困難性もあった。また
反射率を高くするために多層膜のペア数を増すと、全体
の厚みが厚くなり、これは微細径素子の作製やシリーズ
抵抗の点で不利となるほか、エピ成長表面の平坦性が徐
々に劣化し、ミラー特性が悪くなる欠点があった。
（発明が解決しようとする課題） 本発明では、発光を有効に取り出し、またはレーザ発
振に使用し、かつ変調帯域幅を拡大するため、キャビテ
ィモードの半値幅を発光した光のそれと同程度にした、
面形発光素子および半導体レーザに関するものである。
またAl組成が100％近傍のAlGaAsの使用を回避するもの
である。
振に使用し、かつ変調帯域幅を拡大するため、キャビテ
ィモードの半値幅を発光した光のそれと同程度にした、
面形発光素子および半導体レーザに関するものである。
またAl組成が100％近傍のAlGaAsの使用を回避するもの
である。
（課題を解決するための手段） 本発明では、少なくとも一方の多層膜ミラーを構成す
る材料（λ/4n膜）の屈折率の差を少なくするか、また
はペア数を少なくし、キャビティモードの半値幅を発光
した光のそれと同程度としたところが、従来の面形発光
素子と異なる。
る材料（λ/4n膜）の屈折率の差を少なくするか、また
はペア数を少なくし、キャビティモードの半値幅を発光
した光のそれと同程度としたところが、従来の面形発光
素子と異なる。
（実施例） 第１図は本発明の面形発光素子の一実施例の構造を示
す模式的断面図である。活性領域はInGaAs歪量子井戸
（発光波長980nm）の発光層と、GaAs−Al0.6Ga0.4AsのG
RIN構造からなり、スペーサにはAl0.6Ga0.4Asを用い、
ミラー間隔は１波長または1/2波長としている。多層膜
ミラーはGaAsとAl0.6Ga0.4Asのλ/4n膜からなるが、例
えがミラー間隔が1/2波長の場合、スペーサに接するλ/
4n膜はGaAsとし、キャビティ内の定在波の腹がキャビテ
ィの中心にくるようにし、その位置に発光層があるもの
である。１波長の場合にも同様にGRIN構造およびスペー
サのAlGaAs組成を選び、定在波の腹がキャビティの中央
にくるようにし、その位置に発光層を置く。このように
したものについて、この実施例では第３図（ｂ）に示す
ように、発光幅とキャビティモード幅が同程度となるよ
う以下のように多層膜ミラーを設定する。
す模式的断面図である。活性領域はInGaAs歪量子井戸
（発光波長980nm）の発光層と、GaAs−Al0.6Ga0.4AsのG
RIN構造からなり、スペーサにはAl0.6Ga0.4Asを用い、
ミラー間隔は１波長または1/2波長としている。多層膜
ミラーはGaAsとAl0.6Ga0.4Asのλ/4n膜からなるが、例
えがミラー間隔が1/2波長の場合、スペーサに接するλ/
4n膜はGaAsとし、キャビティ内の定在波の腹がキャビテ
ィの中心にくるようにし、その位置に発光層があるもの
である。１波長の場合にも同様にGRIN構造およびスペー
サのAlGaAs組成を選び、定在波の腹がキャビティの中央
にくるようにし、その位置に発光層を置く。このように
したものについて、この実施例では第３図（ｂ）に示す
ように、発光幅とキャビティモード幅が同程度となるよ
う以下のように多層膜ミラーを設定する。
表１に本発明における具体的な多層膜ミラーの構成と
ミラー特性の関係を、従来形のものと比較して示す。多
層膜組成が、はGaAs/Al0.6Ga0.4As、はGaAs/Al0.8G
a0.2As、はGaAs/AlAsのものである。屈折率は、3.66
（GaAs）,3.294（Al0.6Ga0.4As）,3.172（Al0.8Ga0.2A
s）,3.05（AlAs）とした。キャビティは、すべてAl0.6G
a0.4Asのλ/2厚とし、各反射率はキャビティからエピ側
および基板側をみたものである。両側の反射率の値が近
いものは、面形双安定形論理素子として、一方から信号
光を受信し、他方ヘレージング光を出力する場合のもの
である。各々の反射率は、キャビティモードの半値幅と
発光波長の半値幅を同程度にしつつ、素子の受光感度お
よび発光出力に従い任意に設定される。また一方の反射
率を１に近くし、他方の反射率をそれより小さくした非
対称構成のものは、小さい反射率の方向へのみ発光する
光を得るもので、発光専用または受光、発光が同一面側
である素子の場合のものである。
ミラー特性の関係を、従来形のものと比較して示す。多
層膜組成が、はGaAs/Al0.6Ga0.4As、はGaAs/Al0.8G
a0.2As、はGaAs/AlAsのものである。屈折率は、3.66
（GaAs）,3.294（Al0.6Ga0.4As）,3.172（Al0.8Ga0.2A
s）,3.05（AlAs）とした。キャビティは、すべてAl0.6G
a0.4Asのλ/2厚とし、各反射率はキャビティからエピ側
および基板側をみたものである。両側の反射率の値が近
いものは、面形双安定形論理素子として、一方から信号
光を受信し、他方ヘレージング光を出力する場合のもの
である。各々の反射率は、キャビティモードの半値幅と
発光波長の半値幅を同程度にしつつ、素子の受光感度お
よび発光出力に従い任意に設定される。また一方の反射
率を１に近くし、他方の反射率をそれより小さくした非
対称構成のものは、小さい反射率の方向へのみ発光する
光を得るもので、発光専用または受光、発光が同一面側
である素子の場合のものである。
本発明におけるキャビティモードの半値幅Δλｃは1n
m〜16nmであり、これは発光層からの発光半値幅ΔλPL
＝5nm〜15nmに近い値であるので、全発光が有効にレー
ジングに関与することができる。このため光出力の大き
い半導体レーザを提供することができた。多層膜材料と
して、AlAsを用いた場合には、ペア数を少なくすること
ができ、全体の厚さを薄くできる。波長１μｍにおける
AlGaAs系材料のλ/4膜の厚さは約70nmで、20ペアでは2.
8μｍとなる。面発光形半導体レーザのしきい値は原理
的には面積に比例して小さくなるので、微小径素子の作
製が重要であるが、上記ミラーの厚さでは１μｍオーダ
の微小径の面形発光素子の作製は困難となる。従って多
層膜ミラーのペア数を少なくすることは、微小径素子の
作製に非常に有利となる。
m〜16nmであり、これは発光層からの発光半値幅ΔλPL
＝5nm〜15nmに近い値であるので、全発光が有効にレー
ジングに関与することができる。このため光出力の大き
い半導体レーザを提供することができた。多層膜材料と
して、AlAsを用いた場合には、ペア数を少なくすること
ができ、全体の厚さを薄くできる。波長１μｍにおける
AlGaAs系材料のλ/4膜の厚さは約70nmで、20ペアでは2.
8μｍとなる。面発光形半導体レーザのしきい値は原理
的には面積に比例して小さくなるので、微小径素子の作
製が重要であるが、上記ミラーの厚さでは１μｍオーダ
の微小径の面形発光素子の作製は困難となる。従って多
層膜ミラーのペア数を少なくすることは、微小径素子の
作製に非常に有利となる。
またAl組成が60％〜80％程度のものでも、反射率をさ
ほど落とさずに、キャビティモード幅を発光した光の半
値幅と同程度とすることができた。このAl組成は実用化
されたストライプ形レーザに使用されている程度の組成
であり、化学的安定性や電気的特性の点で問題はない。
ほど落とさずに、キャビティモード幅を発光した光の半
値幅と同程度とすることができた。このAl組成は実用化
されたストライプ形レーザに使用されている程度の組成
であり、化学的安定性や電気的特性の点で問題はない。
（発明の効果） 本発明の面形発光素子は、前記の実施例では、発光層
がInGaAs歪量子井戸、多層膜ミラーがAlGaAs系のもので
あったが、本発明の基本概念は、発光層がGaAsまたはAl
組成の少ないAlGaAsの場合にも、さらにはInGaAsP/InP
長波系発光素子、AlGaInP系可視光素子などにも適用で
きる。
がInGaAs歪量子井戸、多層膜ミラーがAlGaAs系のもので
あったが、本発明の基本概念は、発光層がGaAsまたはAl
組成の少ないAlGaAsの場合にも、さらにはInGaAsP/InP
長波系発光素子、AlGaInP系可視光素子などにも適用で
きる。
また量子構造は前記の１次元井戸構造だけでなく、２
次元、３次元量子井戸、すなわち量子線、量子箱形につ
いても、おのおの発光幅に合わせてミラー特性を設定す
ることにより、本発明の効果を得ることができる。
次元、３次元量子井戸、すなわち量子線、量子箱形につ
いても、おのおの発光幅に合わせてミラー特性を設定す
ることにより、本発明の効果を得ることができる。
また素子形態についても面発光形半導体レーザ、面形
LEDばかりでなく、面形双安定レーザおよびそれを用い
た光論理素子等に対する適用も可能である。使用するミ
ラー用多層膜については、誘電体多層膜、金属膜等を使
用できることはもち論である。
LEDばかりでなく、面形双安定レーザおよびそれを用い
た光論理素子等に対する適用も可能である。使用するミ
ラー用多層膜については、誘電体多層膜、金属膜等を使
用できることはもち論である。
第１図は本発明の面形発光素子の一実施例の構造を示す
模式的断面図、 第２図は従来の面形発光素子の構造を示す模式的断面
図、 第３図はマイクロキャビティの反射特性を示す図であ
る。 １……GaAs基板 ２……GaAs層またはInGaAs歪量子井戸を発光層とするDH
形またはGRIN形の活性層 ３……基板側多層膜ミラー ４……エピ側多層膜ミラー 3a,4a……AlAsのλ/4波長膜 3b,4b……GaAsのλ/4波長膜 31a,41a……Al0.6Ga0.4As〜Al0.8Ga0.2Asのλ/4波長膜 31b,41b……GaAs〜Al0.1Ga0.9Asのλ/4波長膜
模式的断面図、 第２図は従来の面形発光素子の構造を示す模式的断面
図、 第３図はマイクロキャビティの反射特性を示す図であ
る。 １……GaAs基板 ２……GaAs層またはInGaAs歪量子井戸を発光層とするDH
形またはGRIN形の活性層 ３……基板側多層膜ミラー ４……エピ側多層膜ミラー 3a,4a……AlAsのλ/4波長膜 3b,4b……GaAsのλ/4波長膜 31a,41a……Al0.6Ga0.4As〜Al0.8Ga0.2Asのλ/4波長膜 31b,41b……GaAs〜Al0.1Ga0.9Asのλ/4波長膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡安 雅信 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 上原 信吾 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−298787（ＪＰ，Ａ) 電子情報通信学会誌 72［９ ］（1989）Ｐ．1014−1020
Claims (3)
- 【請求項１】一定の間隔を持つ１組の多層膜ミラーでキ
ャビティが形成され、該キャビティ内の定在波の腹の部
分に発光層を有し、基板に垂直に発光またはレーザ発振
する発光素子において、該キャビティモードの半値幅と
発光波長の半値幅を同程度にしたことを特徴とする面形
発光素子。 - 【請求項２】多層膜ミラーの反射率が光取り出し側で小
さく、反対側で１に近いことを特徴とする請求項１に記
載の面形発光素子。 - 【請求項３】二つの多層膜ミラーの反射率がほぼ等し
く、一方から受光し他方から発光することを特徴とする
請求項１に記載の面形発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024452A JP2744503B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 面形発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024452A JP2744503B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 面形発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03229480A JPH03229480A (ja) | 1991-10-11 |
| JP2744503B2 true JP2744503B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=12138552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024452A Expired - Lifetime JP2744503B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 面形発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744503B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794687B1 (en) | 1999-08-25 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the device |
| US6797986B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100683234B1 (ko) | 1998-03-12 | 2007-02-15 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
| JP4815732B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2011-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP2003309283A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2024452A patent/JP2744503B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子情報通信学会誌 ７２［９］（１９８９）Ｐ．１０１４−１０２０ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797986B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element |
| US6794687B1 (en) | 1999-08-25 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the device |
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