JP2961964B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JP2961964B2
JP2961964B2 JP3168543A JP16854391A JP2961964B2 JP 2961964 B2 JP2961964 B2 JP 2961964B2 JP 3168543 A JP3168543 A JP 3168543A JP 16854391 A JP16854391 A JP 16854391A JP 2961964 B2 JP2961964 B2 JP 2961964B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
laser device
semiconductor laser
reflection mirror
mirror layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3168543A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0521889A (ja
Inventor
豊 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP3168543A priority Critical patent/JP2961964B2/ja
Priority to US07/911,577 priority patent/US5255278A/en
Publication of JPH0521889A publication Critical patent/JPH0521889A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2961964B2 publication Critical patent/JP2961964B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18355—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a defined polarisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1809—Diffraction gratings with pitch less than or comparable to the wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18375—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on metal reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18377—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising layers of different kind of materials, e.g. combinations of semiconducting with dielectric or metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に垂直な共振器を
有する半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置は従来結晶基板の面内
に共振器を形成しているが、結晶成長技術の進歩によっ
て基板と垂直方向に共振器を形成することが可能となっ
た。
【０００３】図５に従来の垂直共振器型の半導体レーザ
装置の構造例を示す。ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓと
ＡｌＡｓを交互に積層した多層膜よりなる第１の反射ミ
ラー層２、ＩｎＧａＡｓの量子井戸をＡｌＧａＡｓでサ
ンドイッチにした活性層３、ＧａＡｓとＡｌＡｓの交互
積層多層膜とＡｕ金属電極とこの両者の間に形成された
ＧａＡｓ中間層よりなる第２の反射ミラー層４を形成す
る。ミラー層の多層膜は１／４波長厚の層より構成され
る。１０〜２０層程度の層数で９９％以上の反射率を得
ることが出来る。第２の反射ミラー層４では、電極金属
による反射分も加味することが出来る。第１の反射ミラ
ー層２はｎ型に、第２の反射ミラー層はｐ型にドープさ
れている。各層を形成した後にメサエッチングにより第
２の反射ミラー層４と活性層３をエッチングすることで
横モードが閉じ込められた共振器構造が出来上がる。発
振波長は９５０ｎｍ程度であり、基板側へ出射される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この半導体レーザ装置
に用いられる材料は等方的なものであり、垂直共振器構
造では面内方向の異方性は存在しない。従って、発振す
るレーザ光の偏光方向は一定とはならずに、光学装置へ
の応用が限定されてしまう。
【０００５】本発明の目的は、上記のような問題点を生
じることなく特定方向の偏光出力を得ることの出来る半
導体レーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、半導体基板上に第１の反射ミラー層、活性層、第
２の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型
の半導体レーザ装置において、前記第２の反射ミラー層
の中に、面内方向において発振レーザ波長と同程度かそ
れ以下の周期構造を有する位相グレーティング層と、前
記グレーティング層に接する金属層よりなる反射構造を
有することを特徴とする。
【０００７】また、位相グレーティング層はレリーフ型
であり金属層で埋め込む構造であること、または屈折率
の異なる材料を並べた構造であることを特徴とする。
【０００８】
【作用】図により本発明の作用を説明する。図５に示す
従来構成の半導体レーザ装置では第２の反射ミラー層４
は１／４波長厚の多層膜と金属電極層により構成されて
いるが、金属電極膜と多層膜との間に形成する中間層の
層厚によって、図２のように、ミラー層全体の反射率が
変化する。従って、０．３〜０．４波長に層厚を設定す
ることで高い反射率を得ることが出来る。
【０００９】本発明では、図１に示すように中間層がグ
レーティング層５となっており、金属電極層６がこのグ
レーティングと接している。グレーティングの周期が波
長と同程度かそれ以下になった場合、入射する偏光方向
によって溝の深さが異なって見える。図３はその様子を
示すもので、溝に平行な偏光では等価的な溝の深さは直
交する偏光に比べて浅くなる。従って、偏光方向により
中間層の層厚が異なって見えることと等価になり、結果
として第２の反射ミラー層の反射率が直交する偏光間で
差を有することになる。レーザ共振器においては共振器
損失の少ない偏光、つまりミラーの反射率の高い偏光で
発振するため、このようなグレーティング層を設けるこ
とで発振偏光方向を制御することが可能となる。
【００１０】図１ではレリーフ型のグレーティングを用
いているが、図４に示すように屈折率の異なる材料を並
べた構成でも、偏光方向により透過的な屈折率が変化す
るため同様の働きを得ることが出来る。
【００１１】
【実施例】図１に本発明の１つの実施例を示す。ＧａＡ
ｓ基板１上に、ＧａＡｓとＡｌＡｓの交互積層多層膜よ
りなる第１の反射ミラー層２、ＩｎＧａＡｓの量子井戸
をＡｌＧａＡｓでサンドイッチにした活性層３、ＧａＡ
ｓとＡｌＡｓの交互積層多層膜とグレーティング層５と
金属電極層６よりなる第２の反射ミラー層４を形成す
る。第１の反射ミラー層２はｎ型に、第２の反射ミラー
層はｐ型にドープされている。各層を形成した後にメサ
エッチングにより第２の反射ミラー層４と活性層をエッ
チングすることで横モードが閉じ込められた共振器構造
が出来上がる。横モードの閉じ込めはＺｎ拡散などで屈
折率の異なる構造を形成することによっても可能であ
る。
【００１２】図４は本発明の別の実施例である。グレー
ティング層５は屈折率の異なる材料Ａ８とＢ９より形成
される。材料としてはＡｌＡｓとＧａＡｓとが使用出来
る。また、部分的にＺｎ等を拡散して屈折率周期構造を
作製することも可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明により、偏光方向が制御された垂
直共振器型の半導体レーザ装置を容易に得ることが出来
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１つの実施例を示す図。
【図２】本発明の作用を説明する図。
【図３】本発明の１つの実施例を示す図。
【図４】本発明の１つの実施例を示す図。
【図５】従来の技術を示す図。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 第１の反射ミラー層 ３ 活性層 ４ 第２の反射ミラー層 ５ グレーティング層 ６ 金属電極層 ８ 材料Ａ ９ 材料Ｂ

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に第１の反射ミラー層、活
    性層、第２の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直
    共振器型の半導体レーザ装置において、前記第２の反射
    ミラー層の中に、面内方向において発振レーザ波長と同
    程度かそれ以下の周期構造を有する位相グレーティング
    層と、前記グレーティング層に接する金属層よりなる反
    射構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、位相グレーティング層はレリーフ型であり金属層
    でレリーフを埋め込む構造であることを特徴とする半導
    体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、位相グレーティング層は屈折率の異なる材料を並
    べた構造であることを特徴とする半導体レーザ装置。
JP3168543A 1991-07-10 1991-07-10 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JP2961964B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3168543A JP2961964B2 (ja) 1991-07-10 1991-07-10 半導体レーザ装置
US07/911,577 US5255278A (en) 1991-07-10 1992-07-10 Semiconductor laser with vertical resonator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3168543A JP2961964B2 (ja) 1991-07-10 1991-07-10 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0521889A JPH0521889A (ja) 1993-01-29
JP2961964B2 true JP2961964B2 (ja) 1999-10-12

Family

ID=15869966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3168543A Expired - Lifetime JP2961964B2 (ja) 1991-07-10 1991-07-10 半導体レーザ装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5255278A (ja)
JP (1) JP2961964B2 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770790B2 (ja) * 1992-11-27 1995-07-31 日本電気株式会社 面発光素子
DE4240706A1 (de) * 1992-12-03 1994-06-09 Siemens Ag Oberflächenemittierende Laserdiode
US5331654A (en) * 1993-03-05 1994-07-19 Photonics Research Incorporated Polarized surface-emitting laser
JP3207590B2 (ja) * 1993-03-15 2001-09-10 富士通株式会社 光半導体装置
US5491710A (en) * 1994-05-05 1996-02-13 Cornell Research Foundation, Inc. Strain-compensated multiple quantum well laser structures
JPH0856049A (ja) * 1994-08-15 1996-02-27 Tokyo Inst Of Technol 面発光レーザの偏波制御法
US5617436A (en) * 1995-06-07 1997-04-01 Cornell Research Foundation, Inc. Strain-compensated multiple quantum well laser structures
US5727013A (en) * 1995-10-27 1998-03-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Single lobe surface emitting complex coupled distributed feedback semiconductor laser
BE1010069A6 (nl) * 1996-03-29 1997-12-02 Imec Inter Uni Micro Electr Optisch systeem met hoge reflectiviteitsrooster.
GB9709949D0 (en) 1997-05-17 1997-07-09 Dowd Philip Vertical-cavity surface-emitting laser polarisation control
JP3932466B2 (ja) * 1997-09-25 2007-06-20 富士フイルム株式会社 半導体レーザ
DE69831860T2 (de) 1998-07-04 2006-07-20 Au Optronics Corp. Elektrode zur verwendung in elektrooptischen bauelementen
JP3739071B2 (ja) * 1999-01-25 2006-01-25 パイオニア株式会社 分布帰還リッジ型半導体レーザ及びその製造方法
GB9916145D0 (en) * 1999-07-10 1999-09-08 Secr Defence Control of polarisation of vertical cavity surface emitting lasers
US6625195B1 (en) * 1999-07-20 2003-09-23 Joseph Reid Henrichs Vertical cavity surface emitting laser that uses intracavity degenerate four wave mixing to produce phase-conjugated and distortion free collimated laser light
EP1868015B1 (en) * 1999-08-02 2012-04-18 Université Jean-Monnet Optical polarizing device and laser polarisation device
AU6835000A (en) * 1999-08-02 2001-02-19 Universite Jean Monnet Optical polarizing device and laser polarisation device
US6680799B1 (en) * 1999-08-02 2004-01-20 Universite Jean Monnet Optical polarizing device and laser polarization device
US6810053B1 (en) 1999-08-13 2004-10-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Single mode, single lobe surface emitting distributed feedback semiconductor laser
JP3586594B2 (ja) * 1999-08-25 2004-11-10 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6577658B1 (en) 1999-09-20 2003-06-10 E20 Corporation, Inc. Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers
JP2001298212A (ja) * 2000-02-07 2001-10-26 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP4008180B2 (ja) * 2000-03-29 2007-11-14 パイオニア株式会社 分布帰還リッジ型半導体レーザ
EP1187273A1 (de) * 2000-09-08 2002-03-13 Universität Bern Laserresonator zur Erzeugung polarisierter Laserstrahlung
US6396865B1 (en) 2000-10-27 2002-05-28 Wisconsin Alumni Research Foundation Vertical-cavity surface-emitting lasers with antiresonant reflecting optical waveguides
US6608849B2 (en) 2001-06-13 2003-08-19 Wisconsin Alumni Research Foundation Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser arrays
US7457340B2 (en) * 2002-01-18 2008-11-25 Wisconsin Alumni Research Foundation High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser
AU2003207591A1 (en) * 2002-01-18 2003-09-02 Wisconsin Alumini Research Foundation High coherent power, two-dimensional surface­emitting semiconductor diode array laser
US6661830B1 (en) 2002-10-07 2003-12-09 Coherent, Inc. Tunable optically-pumped semiconductor laser including a polarizing resonator mirror
RU2248076C2 (ru) * 2002-12-23 2005-03-10 Общество с ограниченной ответственностью "НПП "Лазерные системы" Резонатор
DE10355600B4 (de) * 2003-11-28 2021-06-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
DE102004057802B4 (de) * 2004-11-30 2011-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit Zwischenschicht
US7778305B2 (en) * 2005-12-22 2010-08-17 Université Jean-Monnet Mirror structure and laser device comprising such a mirror structure
US7403552B2 (en) * 2006-03-10 2008-07-22 Wisconsin Alumni Research Foundation High efficiency intersubband semiconductor lasers
US7457338B2 (en) * 2006-04-19 2008-11-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Quantum well lasers with strained quantum wells and dilute nitride barriers
US7408966B2 (en) * 2006-08-18 2008-08-05 Wisconsin Alumni Research Foundation Intersubband quantum box stack lasers
KR101667815B1 (ko) * 2010-02-18 2016-10-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN101888058A (zh) * 2010-06-02 2010-11-17 中国科学院半导体研究所 一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法
TWI405379B (zh) * 2010-09-14 2013-08-11 True Light Corp 垂直共振腔面射型雷射及其製作方法
US12149049B2 (en) * 2020-12-31 2024-11-19 Win Semiconductors Corp. Vertical-cavity surface-emitting laser and method for forming the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8703743D0 (en) * 1987-02-18 1987-03-25 British Telecomm Semiconductor laser structures
JPS6453485A (en) * 1987-08-25 1989-03-01 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor laser
JP2619057B2 (ja) * 1989-05-22 1997-06-11 三菱電機株式会社 半導体レーザの製造方法
US5088099A (en) * 1990-12-20 1992-02-11 At&T Bell Laboratories Apparatus comprising a laser adapted for emission of single mode radiation having low transverse divergence
US5170407A (en) * 1991-10-11 1992-12-08 At&T Bell Laboratories Elimination of heterojunction band discontinuities

Also Published As

Publication number Publication date
US5255278A (en) 1993-10-19
JPH0521889A (ja) 1993-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2961964B2 (ja) 半導体レーザ装置
US6792026B2 (en) Folded cavity solid-state laser
JP2596195B2 (ja) 垂直共振器型面入出力光電融合素子
JP2009188153A (ja) 垂直共振器型面発光レーザ
JP2006114894A (ja) トンネル接合を備えた高出力レーザー素子、及び該レーザー素子用のレーザーポンピング部
JP4874768B2 (ja) 波長変換素子
JPS61222189A (ja) 半導体レ−ザ
JP3243772B2 (ja) 面発光半導体レーザ
JP4815772B2 (ja) 面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2701596B2 (ja) 半導体レーザ装置
US5043994A (en) Semiconductor laser device
JPH0479287A (ja) 波長可変半導体レーザ
JP3800852B2 (ja) 面発光型半導体レーザ及びその製造方法
JPS62291192A (ja) 面発光レ−ザ
JPH0563301A (ja) 半導体光素子および光通信システム
JPS6114787A (ja) 分布帰還型半導体レ−ザ
JP3541539B2 (ja) 面発光半導体レーザ
JP4488559B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH0567838A (ja) 面発光レ―ザ
JP3163566B2 (ja) ２次高調波発生デバイス
JP3127635B2 (ja) 半導体レーザ
JPH07225404A (ja) 光双安定素子及びその駆動方法
CN116387969A (zh) 边发射激光器及其制备方法
JP2665024B2 (ja) 半導体レーザ
JPH0266985A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990706

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070806

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100806

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term