JP3800852B2 - 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

面発光型半導体レーザ及びその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型半導体レーザに関し、特に、光情報処理や光通信、あるいは光を用いた画像形成装置の光源として利用される偏波面制御型の面発光型半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
面発光型半導体レーザは、発光スポットを円形にできるところに特徴を持ち、2次元集積が可能な光源としての利便性が近年とみに注目されている。この面発光型半導体レーザは、発光面に対して垂直な方向に等方的な物理形状を有する(軸対称性が高い)ため、発光面に対して水平な平面内における直交する2つの軸方向(以後、2軸方向と称す。)に関して特性の差異がない。そのため、偏波面は2軸方向に対して等しい確率で向くことが知られている。
【0003】
偏波面が2軸方向に対して等しい確率で向く状態であると、特殊なコーティングを施していないレンズや偏光ビームスプリッタといった偏波依存性のある光学素子を使用することができず、また、多数個の素子を同一の光学系を用いて使用する場合などにおいては、素子間の偏波面のばらつきが反映され、光量ばらつきなど支障をきたすため、従来、偏波面を一方向に安定化させる工夫がなされている。
【0004】
その一つとして、特開平5−21890号公報が挙げられる。これは、図9に示すように、GaAs基板50上に、GaAs層とAlAs層との交互積層の多層膜より構成されn型不純物がドープされた第1の反射ミラー層52と、2つのAlGaAs層54、58によりInGaAs層56を挟んでInGaAs層56を量子井戸とした構成の活性層70と、GaAs層とAlAs層との交互積層の多層膜と金属電極層より構成されp型不純物がドープされた第2の反射ミラー層64と、を形成した後、メサエッチングにより第2の反射ミラー層64と活性層70とを四角柱状のポスト部60として垂直共振器構造を構成し、ポスト部60のメサ側面の一部分に金属膜80a、80bを設けることで、共振器損失に差を生じさせ、特定の偏光方向で発振させ、偏波面を一方向にさせるものである。
【0005】
また、別の構成のものとして特公平7−73139号公報が挙げられる。これは、図10(b)及び図10(c)に示すように、n型GaAs基板50上に、n型AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡(以後、DBRと称す。)52と、n型Al0.4 Ga0.6 As層54と、In0.2 Ga0.8 As活性層56と、p型Al0.4 Ga0.6 As層58と、p型AlAs/GaAsDBR64と、を順に形成した後、メサエッチングによりn型Al0.4 Ga0.6 As層54と、In0.2 Ga0.8 As活性層56と、p型Al0.4 Ga0.6 As層58と、p型AlAs/GaAsDBR64とを四角柱状にエッチングしてポスト部60とすることで垂直共振器構造を構成し、ポスト部60のメサ側面にSiN膜72を形成する際に、対向する一対の側面では300℃、対向する他の一対の側面では100℃の温度雰囲気としている。
【0006】
これにより室温に戻ったときにポスト部60にかかる引張応力が前記2軸方向で変わるため、発光面に対して水平な活性層面内の2軸方向のそれぞれに与えられるストレスが異なり、2軸方向の一方の偏光モードが発振しにくくなって偏波面が一方向に安定する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の構成の面発光型半導体レーザはエアポスト構造であるので、しきい値電流を小さくするためにポスト径を小さくすると、光出力も小さくなって好ましくなく、また、所望の光出力を得るためにポスト径を大きくすると、しきい値電流の増大と共に横モードが不安定になるなどと言うように、所望のしきい値電流が得られる面発光型半導体レーザとするのが難しい。
【0008】
また、半導体基板面に対してほぼ垂直な面であるメサ側面に金属膜80a、80bやSiN膜72を形成させており、半導体基板面に対してほぼ垂直な面に再現性の高い均一な膜を形成するのは容易ではなく、特殊で高度な技術を要するため素子を精度良く製造する等の信頼性の点から好ましくない。
【0009】
以上のことから、本発明は、レーザ光の偏波面を一定方向に制御でき、さらには低しきい値電流が得られる面発光型半導体レーザを提供することを第1の目的とする。また、比較的簡単な工程で、レーザ光の偏波面を一定方向に制御でき、素子特性を向上できる面発光型半導体レーザの製造方法を提供することを第2の目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、下記手段により上記課題が解決されることを見出した。
すなわち、請求項1記載の本発明の面発光型半導体レーザは、半導体基板の主面に形成された第1反射ミラー層と、前記第1反射ミラー層上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層と、前記第1反射ミラー層と共に共振器構造を構成する柱状の第2反射ミラー層を備えたポスト部と、前記第1反射ミラー層と前記第2反射ミラー層との間に形成され、選択酸化により周縁部が高抵抗化された周縁高抵抗化層と、を備えた面発光型半導体レーザであって、該周縁高抵抗化層の少なくとも1つの膜は、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚分布を有することを特徴とする。
【0011】
高抵抗された領域は殆ど電流を通さないため、半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚分布の周縁高抵抗化層を設けたことにより、半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる割合で電流狭窄及び光の閉じ込めがなされる。このように、直交する2軸方向で異なる反射率分布と異なるストレスが活性層に与えられ、発振しきい値利得に異方性が生じ、しきい値利得の小さい軸方向のモードだけが選択的に得られ、レーザ光の偏波面を一定方向に固定化することができる。
また、周縁を高抵抗化することにより屈折率導波路が形成されるため、低しきい値電流の良好な素子特性が得られる。
【0012】
請求項2の発明は、請求項1記載の面発光型半導体レーザにおいて、前記周縁高抵抗化層の少なくとも1つの膜は、その非高抵抗化領域の前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向の長さが異なることを特徴とする。
【0013】
周縁高抵抗化層に、半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向の長さが異なる形状の非高抵抗化領域を設けたことにより、直交する2軸方向で異なる反射率分布と異なるストレスが活性層に与えられ、発振しきい値利得に異方性が生じ、しきい値利得の小さい軸方向のモードだけが選択的に得られ、レーザ光の偏波面を一定方向に固定化することができる。
【0014】
請求項3の発明は、請求項1に記載の面発光型半導体レーザにおいて、前記周縁高抵抗化層が複数の膜からなり、各膜の非高抵抗化の割合が異なることを特徴とする。
【0015】
各膜の非高抵抗化の割合が異なる複数の膜からなる周縁高抵抗化層を設けたことにより、直交する2軸方向で異なる反射率分布と異なるストレスが活性層に与えられ、発振しきい値利得に異方性が生じ、しきい値利得の小さい軸方向のモードだけが選択的に得られ、レーザ光の偏波面を一定方向に固定化することができる。
なお、ここでいう高抵抗化の割合とは側面部からの高抵抗化の到達距離の深さ、あるいは高抵抗化された膜の厚み、高抵抗化された膜の化学組成等を意味し、活性層に印加されるストレスに影響を与える因子全般を指している。
【0016】
また、複数の膜は、すべての膜が前記直交する2軸方向に異なる割合で周縁部が高抵抗化された膜であっても良いし、前記直交する2軸方向に異なる割合で周縁部が高抵抗化された膜と直交する2軸方向に同じ割合で周縁部が高抵抗化された膜との組み合わせであっても良い。
【0017】
請求項4の発明は、請求項1から3までのいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザにおいて、前記周縁高抵抗化層が、Al組成比が第1及び第2反射ミラー層のAl組成比より高い半導体層を選択酸化することによって形成されたことを特徴とする。
【0018】
Alを含有層は水蒸気雰囲気下の高温熱処理で酸化されるが、Al組成の違いによって酸化速度に大きな差が生ずることが知られており、Al組成の差を設けることによって、所望の層のみを選択的に酸化することができる。
【0019】
請求項5に記載の本発明の面発光型半導体レーザの製造方法は、半導体基板の主面上に、第1反射ミラー層、量子井戸が形成された活性層、及び前記第1反射ミラー層と共に共振器構造を構成する第2反射ミラー層を順に設けると共に、前記第1反射ミラー層、前記活性層、及び前記第2反射ミラー層を順に設ける際に、前記第1反射ミラー層と前記第2反射ミラー層との間に、選択酸化により高抵抗化することが可能であり、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有する挿入層を設ける積層工程と、少なくとも該挿入層の表面または側面が露出するまでエッチングして凸部を形成するエッチング工程と、該凸部の表面または側面に露出した前記挿入層を選択酸化して高抵抗化する選択高抵抗化工程と、を含んでいる。
【0020】
請求項5の発明によれば、1回のエッチング工程と1回の選択高抵抗化工程で、請求項1〜4で説明したような半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有する周縁高抵抗化層を備えた面発光型半導体レーザの製造工程を簡略化することができる。
【0021】
特に、Al組成の高い層は膜厚が薄いほど酸化速度が低下することが知られており、周縁高抵抗化層をAl組成の高い半導体層を選択酸化することによって形成する場合には、特別な加工手段を用いることなく直交する2軸方向で側面からの酸化距離に差をつけることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図1〜図8を参照して説明する。
【0023】
(第1の実施形態)
図1〜図7を参照して第1の実施形態を説明する。図1は、第1の実施形態に係る面発光型半導体レーザの概略構成を示しており、図2〜図7は、第1の実施形態に係る面発光型半導体レーザの製造工程の概略を示している。
【0024】
図1(a)の平面図に示すように、第1の実施形態に係る面発光型半導体レーザは、上面に光を射出させるための開口部20aが形成された四角柱状のポスト部20を備えた素子であり、図1(b)及び図1(c)に示すように、裏面にn側電極28が設けられたn型GaAs基板10に、詳細には図示しないが、厚さλ/(4nr)(λ:発振波長、nr:媒質の屈折率)のn型Al0.9Ga0.1As膜と厚さλ/(4nr)のn型Al0.3Ga0.7As膜とを交互に40.5周期程度積層して、n型不純物であるSiをドーピングすることによりキャリア濃度を2×1018cm-3としたn型第1反射ミラー層12が設けられている。
【0025】
n型第1反射ミラー層12の上層には、n型Al0.5Ga0.5Asからなる第1スペーサ層14が設けられ、さらにこの第1スペーサ層14の上層には、4層の膜厚5nmのアンドープAl0.3Ga0.7As障壁膜と3層の膜厚8nmのアンドープAl0.11Ga0.89As膜とが交互に積層された構成の量子井戸層を含む量子井戸活性層16設けられている。さらにこの量子井戸活性層16の上層にはp型Al0.5Ga0.5Asからなる第2スペーサ層18が設けられ、上記第1スペーサ層14と上記第2スペーサ層18とで量子井戸活性層16を挟みこんで活性層30を形成している。
【0026】
この活性層30の膜厚はλ/nrの整数倍とされ、定在波がたつように調整されている。そのため、面発光型半導体レーザとして働いたときに光強度の最も強いいわゆる「腹」の部分が量子井戸活性層16の位置となる。
【0027】
第2スペーサ層18の上面には、略四角柱状のポスト部20が設けられている。ポスト部20は、周縁部がn型GaAs基板10の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有するAlAs周縁高抵抗化層22と、詳細には図示しないが厚さλ/(4nr)のp型Al0.9Ga0.1As膜と厚さλ/(4nr)のp型Al0.3Ga0.7As膜とを前記2つの膜の中間のAl組成比を有する中間層を介して交互に30周期積層してCをドーピングすることにより3×1018cm-3のキャリア濃度としたp型第2反射ミラー層24と、Cをドーピングすることにより1×1020cm-3のキャリア濃度とした膜厚10nmのp型GaAsコンタクト層26とから構成されている。
【0028】
AlAs周縁高抵抗化層22は、図1(b)及び図1(c)に示すように、その膜厚が中央部で薄く、周辺部で厚くなるように形成されている。また、AlAs周縁高抵抗化層22のAl組成が反射ミラー層を構成するAl0.9Ga0.1As膜とAl0.3Ga0.7As膜よりも高く設定されており、水蒸気雰囲気下での熱処理によって酸化を受けやすく調整されている。このAlAs周縁高抵抗化層22の周縁部には高抵抗化領域21が設けられている。
【0029】
また、p型第2反射ミラー層24は、前述したn型第1反射ミラー層12よりも周期数(層数)が少なく設けられて、 光学反射率がn型第1反射ミラー層12よりも小さくされている。この反射率の差により出射光がポスト部20上面から取り出されることとなる。なお、図示はされていないがp型第2反射ミラー層24を構成するp型Al0.9Ga0.1As膜とp型Al0.3Ga0.7As膜との間に設けた中間層は、素子の直列抵抗を下げる働きをしている。さらに、最上層に設けられたp型GaAsコンタクト層26は、絶縁膜27を介して設けられたp側電極29とのコンタクトを取るために形成されている。
【0030】
以下、上記構成の面発光型半導体レーザの製造工程を図2〜図8を参照して説明する。
【0031】
図2に示すように、n型GaAs基板10に、Siをドーピングしたn型Al0.9Ga0.1As膜(図示せず)とn型Al0.3Ga0.7As膜(図示せず)とを交互に積層して構成したn型第1反射ミラー層12と、n型Al0.5Ga0.5Asからなる第1スペーサ層14とp型Al0.5Ga0.5Asからなる第2スペーサ層18とにより量子井戸活性層16を挟みこんだ構成の活性層30とを、例えば、有機金属気相成長(MOCVD)法や分子線エピタキシー(MBE)法などの半導体結晶成長技術を用いて順次積層形成する。次段階でマスクMBE法による成膜を行う関係上、この段階で半導体基板を大気中に取り出すことを避ける意味でMBE法を使って成膜することが望ましい。
【0032】
つぎに、周縁高抵抗化層22となるAlAs層を積層する。AlAs層の積層にはマスクMBE法という結晶成長技術を用いる。マスクMBE法については、例えば特開平10−178235号公報に詳細が記載されている。
図3に示すように、AlAs層は、厚さλ/(4nr)だけ成長した後、積層体の上方に5〜10μm径のワイヤー状のマスク40を配置して、この状態でさらにAlAs層を成膜する。ワイヤー状のマスク40によってマスクされた部分にはこれ以上AlAs層が形成されないため、同一層内で異なる膜厚を有する周縁高抵抗化層22となるAlAs層が形成される。
【0033】
つづいて、図4に示すように、Cをドーピングしたp型Al0.9Ga0.1As膜とp型Al0.3Ga0.7As膜とを中間層を介して交互に積層した構成のp型第2反射ミラー層24と、Cを高濃度にドーピングしたp型GaAsコンタクト層26とを、順次積層する(積層工程)。
【0034】
次に、図5に示すように、上記の層を積層した積層体上の全面にシリコン系絶縁膜を堆積した後、フォトリソグラフィ技術を使って最終的にポスト部20の上面となる領域にフォトレジストを形成する。これをマスクとして反応性イオンエッチングにより周縁高抵抗化層22となるAlAs膜の表面または側面が露出するまでエッチングして、図5に示すようにメサ構造となる四角柱状のポスト部20を形成する。これにより、ポスト部20の周囲には、周縁高抵抗化層22となるAlAs膜の端部が露出することとなる(エッチング工程)。
【0035】
その後、水蒸気を充満させた石英管内において380℃、5〜10分間の加熱を行うことにより、周縁高抵抗化層22となるAlAs膜を選択的に酸化して高抵抗化する(高抵抗化工程)。
【0036】
これにより、図6に示すように、ポスト部20の4側面に露出した周縁高抵抗化層22となるAlAs膜が外周部から内部に向かって徐々に酸化され、高抵抗化領域21が形成される。
周縁高抵抗化層22となるAlAs膜については、図7(a)に示すように、GaAs基板10の主面に平行な面内において膜厚の分布があり、幅5から10μmのストライプ状に膜厚の薄い部分がある。この部分では酸化の進行速度が遅く、いわゆる酸化深さの異方性を生ずる。このため、図7(b)に示すように、GaAs基板10の主面に平行な面内において直交する2軸方向の長さが異なる非高抵抗化領域23が形成される。
【0037】
その後、フォトリソグラフィ技術を使って、GaAs基板10の表面側にはポスト部20の上面に光を射出させるための開口部20aを形成したp側電極29を絶縁膜27を介して形成し、GaAs基板10の裏面側には全面にn側電極28を形成して、図1に示す構成のλ〜780nmの発振波長を備えた面発光型半導体レーザを得る。
【0038】
この製造方法によれば、AlAs膜の膜厚分布により酸化速度に異方性を与えるという単純な構成で所望の周縁高抵抗化層22を形成できるため、マスクMBE法という工程が結晶成長時に1つ増えるが、エッチング工程および高抵抗化工程を各々1回にできることから、プロセスがより容易化されている。
【0039】
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、図8(b)及び図8(c)に示すように、第1の実施形態に係る面発光型半導体レーザの周縁高抵抗化層22を、第1のAlAs膜22aと第2のAlAs膜22bとに分けて、活性層30の上面と下面とにそれぞれ設けたものである。
第1のAlAs膜22aは、GaAs基板10の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有し、前記直交する2軸方向に異なる割合で周縁部が高抵抗化されたAlAs膜であり、図8(a)に示すように、出射方向から見た非高抵抗化領域の形状は矩形となる。一方、第2のAlAs膜22bは、均一な膜厚を有し、前記直交する2軸方向に同じ割合で周縁部が高抵抗化されたAlAs膜であり、出射方向から見た非高抵抗化領域の形状は正方形となる。
【0040】
活性層30の上面と下面とに、周縁部が高抵抗化された第1のAlAs膜22aと第2のAlAs膜22bとを備えることにより、活性性層30に与えるストレスを第1の実施形態に係る面発光型半導体レーザよりも大きくできる。このため、より効果的に発振しきい値利得に異方性が与えられるので、より効果的にしきい値利得の小さい軸方向のモードだけを選択的に得ることができると共に、より効果的にGaAs基板10の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる割合で電流狭窄及び光の閉じ込めを行えるので、偏波方向が一定に制御されることになる。
【0041】
なお、その他の構成部分は第1の実施形態に係る面発光型半導体レーザと同様であるため説明を省略する。
【0042】
また、第2の実施形態に係る面発光型半導体レーザーの製造工程は、第2の実施形態に係る面発光型半導体レーザーの製造工程と比べて、挿入層である第2のAlAs膜22bを活性層30を積層する前に積層する点と、ポスト部20を形成する際に、第2のAlAs膜22bの表面または側面が露出するまでエッチングを行う点とが異なるだけで、その他の点は同様であるため説明を省略する。
【0043】
以上説明した第1及び第2の実施形態においては、周縁高抵抗化層22を構成するAlAs膜22、22a、22bは、第1の反射ミラー層12と第2の反射ミラー層24とを構成するAl組成比の異なる2種類の膜(Al0.9Ga0.1As膜とAl0.3Ga0.7As膜)よりもAlの組成を高く調整したAlAs層としているが、前記2種類の膜のうち、Al組成比の高い方(ここでは90%のAl0.9Ga0.1As膜)と熱処理を行う際の酸化速度に差が生じれば良いことから、周縁高抵抗化層22を構成するAlAs膜としては、Al組成比が95%以上、望ましくは98%以上のものであればよい。
【0044】
また、上記第1及び第2の実施形態においては、周縁高抵抗化層22を構成する膜の組成を同一のAlAsとしたが、もちろんこれに限らず、例えばAlAsとAlGaAsの組み合わせであったり、AlAsとAlGaInPの組み合わせなど、周囲の半導体層に比べて酸化されやすいAl組成比の高い他の材料系からなる、材料の異なる組み合わせの層とすることもできる。
【0045】
なお、一般にp型層はn型層に比べバンド不連続に起因する素子抵抗の増大の懸念があるため、このことを考慮して、上記第1及び第2の実施形態においては、対向して設けられる第1の反射ミラー層12と第2の反射ミラー層24のうち層数の少ない射出側の第2の反射ミラー層24の導電型をp型としているが、これに限定されることなく導電型を反対にすることも可能である。
【0046】
また、上記第1及び第2の実施形態においては、出射光をポスト部20が形成された表面側から取り出す構成としたが、GaAs基板10裏面から取り出す構成とすることもできる。この場合GaAs基板10側に形成する反射ミラー層の導電型をp型とし、ポスト部20に形成する反射ミラー層の導電型をn型とするとよい。
【0047】
なお、上記第1及び第2の実施形態においては、量子井戸活性層16を構成する材料としてGaAs/AlGaAs系半導体を用いたが、これに限定されることなく、例えば量子井戸活性層16にGaAs/InGaAs系、あるいはInP/InGaAsP系半導体を用いることも可能である。これらの量子井戸層からの発光波長はGaAs基板に対して透過であり、半導体基板裏面から出射光を取り出すのが容易となって、プロセス上の手間が省ける。
【0048】
また、上記第1及び第2の実施形態においては、ポスト部20の形状を上面が正方形の柱状としたが、もちろんこれに限らず、上面形状が長方形や、菱形や、円形や、楕円形の柱状とすることもできる。上面形状を長方形や、菱形または、楕円形などの長軸と短軸とを有する形状とする場合、長軸方向と短軸方向のそれぞれと前記直交する2軸方向とが対応しするように構成すると、偏波面をより一層安定化させることができ好ましい。
なお、ここで述べる柱状とは、上面と下面の寸法が同じ物に限らず、上面の方が下面よりも小さいまたは大きい寸法の柱状のものも含んでいる。
【0049】
また、周縁高抵抗化層22を形成させるための選択酸化の加熱温度を380℃としたが、これに限定されることなく、最終的な電流通路の大きさが所望の値となるよう制御できる条件であれば良い。温度を上げると酸化速度が増し、短時間で所望の高抵抗化領域を形成することができるが、400℃前後が酸化距離を最も制御し易く好ましい。
【0050】
また、上記第2の実施形態においては、周縁高抵抗化層22を構成する膜の数を2つとしているが、これに限定されることなく、3膜以上とすることもできる。
【0051】
さらに、上記第2の実施形態においては、GaAs基板10の主面に平行な面内において直交する2軸方向でに膜厚分布を持たせる層を活性層より上方の第1のAlAs膜22aとしたが、もちろんこれに限らず、第2のAlAs層に膜厚分布を持たせても同様な効果が得られる。
【0052】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の面発光型半導体レーザは、半導体基板の主面に水平な面内において直交する2軸方向に膜厚分布を有し、高抵抗化の進行が異なる周縁高抵抗化層を備えるため、活性層に対して前記直交する2つの方向で異なる大きさのストレスが与えられるので、発振しきい値利得に異方性が与えられ、しきい値利得の小さい軸方向のモードだけが選択的に得られる。従って、レーザ光の偏波面が一定方向に制御された面発光型半導体レーザとすることができる、という効果を達成する。また、周縁高抵抗化層の高抵抗化領域により屈折率導波路が形成されるので、低しきい値電流の良好な素子特性を備えた面発光型半導体レーザとすることができる、という効果を達成する。
【0053】
また、本発明の面発光型半導体レーザの製造方法では、膜厚分布により高抵抗化速度に異方性を与えるという単純な構成で所望の周縁高抵抗化層を形成できることとしたため、製造工程を簡略化することができ、半導体基板と水平な面内において直交する2軸方向に膜厚分布を有し、高抵抗化の進行が異なる周縁高抵抗化層を備えた面発光型半導体レーザを比較的容易に製造することができる、という効果を達成する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の第1の実施形態の面発光型半導体レーザの概略平面図であり、(b)は(a)におけるB-B矢視断面図であり、(c)は(a)におけるA-A矢視断面図である。
【図2】 本発明の第1実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法における積層工程の中間段階の状態を示す概略図である。
【図3】 本発明の第1実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法における積層工程の中間段階の状態を示す概略図である。
【図4】 本発明の第1実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法における積層工程終了後の状態を示す概略図である。
【図5】 本発明の第1実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法におけるポスト部形成工程終了後の状態を示す概略図である。
【図6】 本発明の第1実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法における高抵抗化工程終了後の状態を示す概略図である。
【図7】 (a)は、本発明の第1実施形態の面発光型半導体レーザの製造方法における図5に示す高抵抗化前の周縁高抵抗化層の状態を示す平面図であり、(b)は、図6に示す高抵抗化工程終了後の周縁高抵抗化層の状態を示す平面図である。
【図8】(a)は、本発明の第2の実施形態の面発光型半導体レーザの出射方向から見た周縁高抵抗化層の状態を示す平面図であり、(b)は(a)の面発光型半導体レーザのB-B矢視断面図であり、(c)は(a)の面発光型半導体レーザのA-A矢視断面図である。
【図9】 従来の面発光型半導体レーザの一部破断斜視図である。
【図10】(a)は、従来の別の構成の面発光型半導体レーザの上面図、(b)は、(a)におけるA-A矢視断面図、(c)は(a)におけるB-B矢視断面図である。
【符号の説明】
10 n型GaAs基板
12 n型第1反射ミラー層
14 第1スペーサ層
16 量子井戸活性層
18 第2スペーサ層
20 ポスト部
20a 開口部
21,21a,21b 高抵抗化領域
22,22a,22b 周縁高抵抗化層
24 p型第2反射ミラー層
26 p型GaAsコンタクト層
27 絶縁膜
28 n側電極
29 p側電極
30 活性層
40 MBEマスク

Claims (5)

  1. 半導体基板の主面に形成された第1反射ミラー層と、
    前記第1反射ミラー層上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層と、
    前記第1反射ミラー層と共に共振器構造を構成する柱状の第2反射ミラー層を備えたポスト部と、
    前記第1反射ミラー層と前記第2反射ミラー層との間に形成され、選択酸化により周縁部が高抵抗化された周縁高抵抗化層と、を備えた面発光型半導体レーザであって、
    該周縁高抵抗化層の少なくとも1つの膜は、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚分布を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ。
  2. 前記周縁高抵抗化層の少なくとも1つの膜は、その非高抵抗化領域の前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向の長さが異なることを特徴とする請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
  3. 前記周縁高抵抗化層が複数の膜からなり、各膜の非高抵抗化の割合が異なることを特徴とする請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
  4. 前記周縁高抵抗化層は、Al組成比が第1及び第2反射ミラー層のAl組成比より高い半導体層を選択酸化することによって形成されたことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザ。
  5. 半導体基板の主面上に、第1反射ミラー層、量子井戸が形成された活性層、及び前記第1反射ミラー層と共に共振器構造を構成する第2反射ミラー層を順に設けると共に、前記第1反射ミラー層、前記活性層、及び前記第2反射ミラー層を順に設ける際に、前記第1反射ミラー層と前記第2反射ミラー層との間に、選択酸化により高抵抗化することが可能であり、前記半導体基板の主面に平行な面内において直交する2軸方向に異なる膜厚を有する挿入層を設ける積層工程と、
    少なくとも該挿入層の表面または側面が露出するまでエッチングして凸部を形成するエッチング工程と、
    該凸部の表面または側面に露出した前記挿入層を選択酸化して高抵抗化する高抵抗化工程と、
    を含む面発光型半導体レーザの製造方法。
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