JP2917971B2 - 面発光レーザ - Google Patents
面発光レーザInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は面発光型レーザに関
し、より詳しくは面発光型レーザの閾値電流の低減化お
よび低消費電力化が図れる面発光型レーザおよびその製
造方法に関する。
し、より詳しくは面発光型レーザの閾値電流の低減化お
よび低消費電力化が図れる面発光型レーザおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】面発光型レーザは、基板に対して垂直な
方向に光を出射するレーザであり、光インタコネクショ
ン等の光源として用いられている。例えば特開平３−３
４７５４号公報には、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの積層構造の
半導体多層反射膜による共振器と、イオン注入により高
抵抗層を活性層の脇に形成した電流狭窄構造とを用いた
構造が記載されている。
方向に光を出射するレーザであり、光インタコネクショ
ン等の光源として用いられている。例えば特開平３−３
４７５４号公報には、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの積層構造の
半導体多層反射膜による共振器と、イオン注入により高
抵抗層を活性層の脇に形成した電流狭窄構造とを用いた
構造が記載されている。
【０００３】これに対し、エレクトロニクスレターズ、
第３０巻、２０４３頁には、構成材料中のＡｌＡｓまた
はＡｌＧａＡｓ膜の一部を酸化して、電流狭窄構造を形
成することで、低閾値、高効率の優れた特性を有するレ
ーザが得られることが記載されている。この製造方法で
は、高温での水蒸気によるＡｌＧａＡｓの酸化が用いら
れている。Ａｌ組成比が０から１へ増えるに従い酸化の
速度が増していくことを利用して、活性層直近の１層の
Ａｌ組成比を大きくしておくことで、この１層のみを周
囲から酸化する方法である。
第３０巻、２０４３頁には、構成材料中のＡｌＡｓまた
はＡｌＧａＡｓ膜の一部を酸化して、電流狭窄構造を形
成することで、低閾値、高効率の優れた特性を有するレ
ーザが得られることが記載されている。この製造方法で
は、高温での水蒸気によるＡｌＧａＡｓの酸化が用いら
れている。Ａｌ組成比が０から１へ増えるに従い酸化の
速度が増していくことを利用して、活性層直近の１層の
Ａｌ組成比を大きくしておくことで、この１層のみを周
囲から酸化する方法である。
【０００４】Ａｌ組成比の大きいＡｌ（Ｇａ）Ａｓ層の
周囲を酸化してできたＡｌ（Ｇａ）Ａｓ酸化層は高抵抗
であるので電流狭窄層として働く。また、同時にＡｌ
（Ｇａ）Ａｓ酸化層は屈折率が中心部の元のＡｌ（Ｇ
ａ）Ａｓ層に比べて低いため、屈折率差に起因する光閉
じこめ層としての働きも持つ。そのためこの選択酸化を
用いた面発光レーザは非常に小さい領域だけに電流注入
をし、かつ光も閉じこめられるため数十μＡという非常
に小さな閾値を持つ。
周囲を酸化してできたＡｌ（Ｇａ）Ａｓ酸化層は高抵抗
であるので電流狭窄層として働く。また、同時にＡｌ
（Ｇａ）Ａｓ酸化層は屈折率が中心部の元のＡｌ（Ｇ
ａ）Ａｓ層に比べて低いため、屈折率差に起因する光閉
じこめ層としての働きも持つ。そのためこの選択酸化を
用いた面発光レーザは非常に小さい領域だけに電流注入
をし、かつ光も閉じこめられるため数十μＡという非常
に小さな閾値を持つ。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、さらに閾値電
流を下げるために酸化による電流狭窄を進めていくと、
開口径が３μｍ以下では逆に閾値電流が増加してしまう
問題があった。アプライド フィジックス レターズ
第７０巻８２３−８２５ページ（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，７０（７），ｐｐ８２３−
８２５，１９９７）によれば、径が小さくなると酸化層
による屈折率差のために光が回折してしまうためである
と考えられる。
流を下げるために酸化による電流狭窄を進めていくと、
開口径が３μｍ以下では逆に閾値電流が増加してしまう
問題があった。アプライド フィジックス レターズ
第７０巻８２３−８２５ページ（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，７０（７），ｐｐ８２３−
８２５，１９９７）によれば、径が小さくなると酸化層
による屈折率差のために光が回折してしまうためである
と考えられる。
【０００６】本発明は閾値をさらに低減して、低消費電
力、高効率化が図れる面発光型半導体レーザと製造が容
易で制御性に優れた面発光型半導体レーザの製造方法を
提供することを目的とする。
力、高効率化が図れる面発光型半導体レーザと製造が容
易で制御性に優れた面発光型半導体レーザの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、活
性層と、この活性層を挟み共振器を形成する一組の分布
反射層とを有する面発光レーザにおいて、活性層と分布
反射層の間の活性層に近い位置に、開口部を有する電流
狭窄用酸化層を設け、この電流狭窄用酸化層より活性層
から離れた位置に、電流狭窄用酸化層より広い開口で、
膜厚が厚い光狭窄用酸化層を設けたことを特徴とする面
発光レーザに関する。
性層と、この活性層を挟み共振器を形成する一組の分布
反射層とを有する面発光レーザにおいて、活性層と分布
反射層の間の活性層に近い位置に、開口部を有する電流
狭窄用酸化層を設け、この電流狭窄用酸化層より活性層
から離れた位置に、電流狭窄用酸化層より広い開口で、
膜厚が厚い光狭窄用酸化層を設けたことを特徴とする面
発光レーザに関する。
【０００８】また、本発明は基板上に、活性層と、この
活性層を挟み共振器を形成する一組の分布反射層とを有
する面発光レーザの製造方法において、基板上に一方の
分布反射層を成膜する工程と、活性層を成膜する工程
と、他の層よりＡｌ組成比の高い第１の高Ａｌ半導体化
合物層を形成する工程と、第１の高Ａｌ半導体化合物層
よりＡｌ組成比が低く、その他の層よりＡｌ比の高い第
２の高Ａｌ半導体化合物層を形成する工程と、もう一方
の分布反射層を成膜する工程と、少なくとも第１および
第２の高Ａｌ半導体化合物層をメサ型に加工する工程
と、水蒸気を含む雰囲気中で第１および第２の高Ａｌ半
導体化合物層を周囲から酸化する工程とを有する面発光
レーザの製造方法に関する。
活性層を挟み共振器を形成する一組の分布反射層とを有
する面発光レーザの製造方法において、基板上に一方の
分布反射層を成膜する工程と、活性層を成膜する工程
と、他の層よりＡｌ組成比の高い第１の高Ａｌ半導体化
合物層を形成する工程と、第１の高Ａｌ半導体化合物層
よりＡｌ組成比が低く、その他の層よりＡｌ比の高い第
２の高Ａｌ半導体化合物層を形成する工程と、もう一方
の分布反射層を成膜する工程と、少なくとも第１および
第２の高Ａｌ半導体化合物層をメサ型に加工する工程
と、水蒸気を含む雰囲気中で第１および第２の高Ａｌ半
導体化合物層を周囲から酸化する工程とを有する面発光
レーザの製造方法に関する。
【０００９】本発明では、活性層と分布反射層の間の活
性層に近い位置に、開口部の小さい電流狭窄用酸化層を
設けることで十分に電流狭窄を行うことができる。ま
た、層厚を光が屈折率変化を感じない程度に薄くしてお
くことで、屈折率の変化による光散乱、回折損失を最小
限にすることができる。
性層に近い位置に、開口部の小さい電流狭窄用酸化層を
設けることで十分に電流狭窄を行うことができる。ま
た、層厚を光が屈折率変化を感じない程度に薄くしてお
くことで、屈折率の変化による光散乱、回折損失を最小
限にすることができる。
【００１０】また、活性層の位置から見てこの電流狭窄
用酸化層よりさらに少し遠い位置に、層厚が厚く、開口
部の広い光狭窄用酸化層を設けることで光の閉じこめも
十分に行うことができる。即ち、本発明によれば、電流
狭窄機能を持つ酸化膜と光狭窄機能を持つ酸化膜を別途
設けることで、それぞれに最適の条件を設定できるた
め、従来より低い閾値電流でのレーザ発振を実現するこ
とができる。
用酸化層よりさらに少し遠い位置に、層厚が厚く、開口
部の広い光狭窄用酸化層を設けることで光の閉じこめも
十分に行うことができる。即ち、本発明によれば、電流
狭窄機能を持つ酸化膜と光狭窄機能を持つ酸化膜を別途
設けることで、それぞれに最適の条件を設定できるた
め、従来より低い閾値電流でのレーザ発振を実現するこ
とができる。
【００１１】また、本発明の製造方法では、化合物半導
体の積層構造中の２層のＡｌ組成比を高くしておくこと
で、その２層だけ酸化されるようなり、しかもこの２層
の間でもＡｌ組成比を変えることで、周囲からの水蒸気
酸化の速度を調整する。その結果、異なった開口を持つ
酸化膜を、精度よく形成することができる。
体の積層構造中の２層のＡｌ組成比を高くしておくこと
で、その２層だけ酸化されるようなり、しかもこの２層
の間でもＡｌ組成比を変えることで、周囲からの水蒸気
酸化の速度を調整する。その結果、異なった開口を持つ
酸化膜を、精度よく形成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図１を参照して詳細に説明する。
て図１を参照して詳細に説明する。
【００１３】半導体基板７上に、活性層１と、これを挟
む基板側の分布反射層ＤＢＲ６（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ Ｂｒａｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）と上側ＤＢＲ３か
らなる共振器を有する構造である。活性層１の上下に
は、共振器を構成するために中間層２を設け、中間層２
の直上に光が屈折率差を感じない程度に薄い電流狭窄用
酸化層５を設ける。この電流狭窄用酸化層５は、中央に
酸化されていない半導体の開口部Ｂ９を有する酸化膜で
ある。
む基板側の分布反射層ＤＢＲ６（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ Ｂｒａｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）と上側ＤＢＲ３か
らなる共振器を有する構造である。活性層１の上下に
は、共振器を構成するために中間層２を設け、中間層２
の直上に光が屈折率差を感じない程度に薄い電流狭窄用
酸化層５を設ける。この電流狭窄用酸化層５は、中央に
酸化されていない半導体の開口部Ｂ９を有する酸化膜で
ある。
【００１４】例えば発振波長９８０ｎｍである場合には
半導体の屈折率を３程度とすると半導体内の光の波長は
３００ｎｍ程度となるので、通常のＤＢＲの厚さは、
（波長）／４程度、即ち８０ｎｍ程度の厚さである。電
流狭窄用酸化層の厚さは、目安としてこの１／４程度、
即ち２０ｎｍ程度が適当である。しかし、通常、電流狭
窄用酸化層５の位置が活性層から離れるときには厚く、
近づくときには薄くし、また酸化層の屈折率変化が大き
いほど薄くすることが好ましい。また発光強度、開口部
Ｂ９の径にも依存するので、膜厚および活性層からの距
離は個々のレーザの目的等に合わせて適宜調整して最適
化する。ここでは、電流狭窄用酸化層の厚さを１５ｎｍ
とした。
半導体の屈折率を３程度とすると半導体内の光の波長は
３００ｎｍ程度となるので、通常のＤＢＲの厚さは、
（波長）／４程度、即ち８０ｎｍ程度の厚さである。電
流狭窄用酸化層の厚さは、目安としてこの１／４程度、
即ち２０ｎｍ程度が適当である。しかし、通常、電流狭
窄用酸化層５の位置が活性層から離れるときには厚く、
近づくときには薄くし、また酸化層の屈折率変化が大き
いほど薄くすることが好ましい。また発光強度、開口部
Ｂ９の径にも依存するので、膜厚および活性層からの距
離は個々のレーザの目的等に合わせて適宜調整して最適
化する。ここでは、電流狭窄用酸化層の厚さを１５ｎｍ
とした。
【００１５】また開口部Ｂ９は径が小さいほど電流狭窄
が十分行われるので閾値電流が下がるが、抵抗の増加に
よる発熱で発光効率が下がること、ゲインが飽和するこ
とから最適値を有し、これも個々のレーザで最適化する
必要がある。ここでは２．５μｍ径とした。
が十分行われるので閾値電流が下がるが、抵抗の増加に
よる発熱で発光効率が下がること、ゲインが飽和するこ
とから最適値を有し、これも個々のレーザで最適化する
必要がある。ここでは２．５μｍ径とした。
【００１６】中間層２から（波長）／２程度離れた位置
には光狭窄用酸化層４を設ける。この厚さは光が十分屈
折率変化を感じる程度であり、電流狭窄用酸化層５より
厚い。目安として（波長）／４、即ち８０ｎｍ程度で良
いが、光の回折や散乱による損失を避けるため、活性層
１との距離が小さい場合は薄くする必要がある。
には光狭窄用酸化層４を設ける。この厚さは光が十分屈
折率変化を感じる程度であり、電流狭窄用酸化層５より
厚い。目安として（波長）／４、即ち８０ｎｍ程度で良
いが、光の回折や散乱による損失を避けるため、活性層
１との距離が小さい場合は薄くする必要がある。
【００１７】開口部Ａ８の径は光閉じこめ効果を維持し
つつ、回折、散乱損失が少ないよう個々のレーザで最適
化が必要であるが、本発明では５μｍとした。
つつ、回折、散乱損失が少ないよう個々のレーザで最適
化が必要であるが、本発明では５μｍとした。
【００１８】薄い電流狭窄用酸化層５により光の回折散
乱損失を起こさずに十分狭い開口部Ｂ９まで電流を狭窄
し、かつ厚い光狭窄用酸化層４により光閉じこめを実現
することで、これまで１枚の酸化層では不可能であった
程度まで閾値を低減することができる。
乱損失を起こさずに十分狭い開口部Ｂ９まで電流を狭窄
し、かつ厚い光狭窄用酸化層４により光閉じこめを実現
することで、これまで１枚の酸化層では不可能であった
程度まで閾値を低減することができる。
【００１９】次にこのレーザ構造の製造方法を以下に説
明する。成膜方法は、分子線エピタキシ法、または有機
金属気相エピタキシ法を用いることができる。
明する。成膜方法は、分子線エピタキシ法、または有機
金属気相エピタキシ法を用いることができる。
【００２０】図２に示すように、ＧａＡｓ基板７上に、
ＡｌxＧａ1-xＡｓ／ＧａＡｓの組（ｘ＝０．９２）を２
２．５組（最下層と最上層がＡｌxＧａ1-xＡｓ層）成膜
し、厚さ約２．９μｍの基板側ＤＢＲ６を形成した。
ＡｌxＧａ1-xＡｓ／ＧａＡｓの組（ｘ＝０．９２）を２
２．５組（最下層と最上層がＡｌxＧａ1-xＡｓ層）成膜
し、厚さ約２．９μｍの基板側ＤＢＲ６を形成した。
【００２１】この上に中間層をＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝
０．２）の組成で成膜し、その上に活性層をＩｎxＧａ
1-xＡｓ（ｘ＝０．２）の組成で量子井戸３層、厚さ１
０ｎｍに成膜し、さらにその上に中間層をＡｌxＧａ1-x
Ａｓ（ｘ＝０．２）の組成で成膜した。中間層の厚さ
は、活性層の上下の両方を合わせて光学長で一波長、約
０．３μｍである。
０．２）の組成で成膜し、その上に活性層をＩｎxＧａ
1-xＡｓ（ｘ＝０．２）の組成で量子井戸３層、厚さ１
０ｎｍに成膜し、さらにその上に中間層をＡｌxＧａ1-x
Ａｓ（ｘ＝０．２）の組成で成膜した。中間層の厚さ
は、活性層の上下の両方を合わせて光学長で一波長、約
０．３μｍである。
【００２２】この上に、後の工程により電流狭窄用酸化
層を形成するＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９７）層１５
を、厚さ１５ｎｍに成膜した。
層を形成するＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９７）層１５
を、厚さ１５ｎｍに成膜した。
【００２３】次に、この上にＧａＡｓ層を１／４波長、
約５０ｎｍ厚に成膜した。
約５０ｎｍ厚に成膜した。
【００２４】この上に、後の工程により光狭窄用酸化層
を形成するＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９５）層１４を
厚さ６０ｎｍに成膜した。
を形成するＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９５）層１４を
厚さ６０ｎｍに成膜した。
【００２５】さらにこの上に、ＡｌxＧａ1-xＡｓ／Ｇａ
Ａｓの組（ｘ＝０．９２）を１５．５組成膜し、厚さ約
２．０μｍの上側ＤＢＲ３を形成した。
Ａｓの組（ｘ＝０．９２）を１５．５組成膜し、厚さ約
２．０μｍの上側ＤＢＲ３を形成した。
【００２６】ここまでの工程により、図２のような積層
構造が得られる。この積層構造の上側ＤＢＲから基板側
ＤＢＲの一部までを、図３のように直径４０μｍのメサ
型に加工する。水蒸気を含んだ窒素雰囲気中、４３０℃
に、１０分間保持した。
構造が得られる。この積層構造の上側ＤＢＲから基板側
ＤＢＲの一部までを、図３のように直径４０μｍのメサ
型に加工する。水蒸気を含んだ窒素雰囲気中、４３０℃
に、１０分間保持した。
【００２７】その結果Ａｌ組成比の大きいＡｌxＧａ1-x
Ａｓ（ｘ＝０．９７）層１５は、中の方まで酸化が進行
し、開口部の小さい電流狭窄用酸化層５が形成され、こ
れよりもＡｌ組成比が小さいＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝
０．９５）層１４では、中の方まで酸化が進行したが、
電流狭窄用酸化層よりも開口の大きい光狭窄用酸化層４
が形成され、図１に示す面発光型レーザが得られた。
Ａｓ（ｘ＝０．９７）層１５は、中の方まで酸化が進行
し、開口部の小さい電流狭窄用酸化層５が形成され、こ
れよりもＡｌ組成比が小さいＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝
０．９５）層１４では、中の方まで酸化が進行したが、
電流狭窄用酸化層よりも開口の大きい光狭窄用酸化層４
が形成され、図１に示す面発光型レーザが得られた。
【００２８】このように本発明の製造方法では、Ａｌ組
成比を変えて水蒸気酸化の速度を調整することができる
ので、異なった開口を持つ酸化膜を、精度よく形成する
ことができる。水蒸気酸化の温度、時間等の条件はプロ
セスに合わせて適宜調整することができる。
成比を変えて水蒸気酸化の速度を調整することができる
ので、異なった開口を持つ酸化膜を、精度よく形成する
ことができる。水蒸気酸化の温度、時間等の条件はプロ
セスに合わせて適宜調整することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、従来の構造よりさらに
閾値を低減して、低消費電力、高効率化することが可能
である。また、本発明の製造方法によれば、製造が容易
で制御性に優れた面発光型半導体レーザの製造方法を提
供することができる。
閾値を低減して、低消費電力、高効率化することが可能
である。また、本発明の製造方法によれば、製造が容易
で制御性に優れた面発光型半導体レーザの製造方法を提
供することができる。
【図１】本発明の面発光レーザを示す図である。
【図２】本発明の面発光レーザの製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】図２に引き続き、本発明の面発光レーザの製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
１ 活性層 ２ 中間層 ３ 上側ＤＢＲ ４ 光狭窄用酸化層 ５ 電流狭窄用酸化層 ６ 基板側ＤＢＲ ７ 基板 ８ 開口部Ａ ９ 開口部Ｂ １４ 後の工程により光狭窄用酸化層となるＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９５）層 １５ 後の工程により電流狭窄用酸化層となるＡｌx
Ｇａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９７）層
ａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９５）層 １５ 後の工程により電流狭窄用酸化層となるＡｌx
Ｇａ1-xＡｓ（ｘ＝０．９７）層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、活性層と、この活性層を挟み
共振器を形成する一組の分布反射層とを有する面発光レ
ーザにおいて、 活性層と分布反射層の間の活性層に近い位置に、開口部
を有する電流狭窄用酸化層を設け、 この電流狭窄用酸化層より活性層から離れた位置に、電
流狭窄用酸化層より広い開口で、膜厚が厚い光狭窄用酸
化層を設けたことを特徴とする面発光レーザ。 - 【請求項２】 基板上に、活性層と、この活性層を挟み
共振器を形成する一組の分布反射層とを有する面発光レ
ーザの製造方法において、 基板上に一方の分布反射層を成膜する工程と、 活性層を成膜する工程と、 他の層よりＡｌ組成比の高い第１の高Ａｌ半導体化合物
層を形成する工程と、第１の高Ａｌ半導体化合物層より
Ａｌ組成比が低く、その他の層よりＡｌ比の高い第２の
高Ａｌ半導体化合物層を形成する工程と、 もう一方の分布反射層を成膜する工程と、 少なくとも第１および第２の高Ａｌ半導体化合物層をメ
サ型に加工する工程と、 水蒸気を含む雰囲気中で第１および第２の高Ａｌ半導体
化合物層を周囲から酸化する工程とを有する面発光レー
ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386397A JP2917971B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386397A JP2917971B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 面発光レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114040A JPH114040A (ja) | 1999-01-06 |
| JP2917971B2 true JP2917971B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=15571758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15386397A Expired - Fee Related JP2917971B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 面発光レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917971B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3116088B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2000-12-11 | 東京工業大学長 | 面発光レーザ装置 |
| US6674785B2 (en) | 2000-09-21 | 2004-01-06 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical-cavity, surface-emission type laser diode and fabrication process thereof |
| FR2881876B1 (fr) * | 2005-02-07 | 2007-05-25 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'oxydation planaire pour realiser un isolant enterre localise |
| JP4896540B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2012-03-14 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、それを備えた光伝送モジュール、およびそれを備えた光伝送システム。 |
| JP2010114214A (ja) | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ素子、面発光型半導体レーザ素子の製造方法、および光送信装置 |
| JP5916459B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-05-11 | 古河電気工業株式会社 | 面発光レーザ素子 |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15386397A patent/JP2917971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH114040A (ja) | 1999-01-06 |
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