JP5916459B2 - 面発光レーザ素子 - Google Patents

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Description

本発明は、面発光レーザ素子に関するものである。
近年要求されているたとえば10〜40GHzの高速変調の実現のためには、面発光レーザ素子の寄生容量を低減することが好ましい。電流狭窄のための選択酸化層を備えた面発光レーザ素子の場合、選択酸化層の層厚を厚くすることによって、寄生容量は低減される(たとえば特許文献1参照)。
特開2004−31863号公報
しかしながら、電流狭窄層の厚さを厚くした場合、高次モードでのレーザ発振が起こり易くなるという問題があった。
また、選択酸化層は、アルミニウム(Al)を含む層を選択的に酸化することによって形成される。このとき、Alが酸化されてAlが形成される。そのため、選択酸化層は、もとのAlを含む層よりも体積が減少する。したがって、選択酸化層の層厚を厚くするにつれて、選択酸化層の形成時に面発光レーザ素子内に発生する応力が大きくなる。これによって、活性層に応力がおよび易くなり、応力によって転位が入りやすくなるので、面発光レーザ素子の信頼性が低下する場合があるという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高速変調、高信頼性、および良好な伝送特性を同時に実現できる面発光レーザ素子を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る面発光レーザ素子は、高屈折率層と低屈折率層の周期構造から構成され、光共振器を構成している下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に形成された活性層と、前記上部多層膜反射鏡と前記活性層との間または前記上部多層膜反射鏡内に形成された、電流注入部と選択酸化熱処理によって前記電流注入部の外周に形成された選択酸化層とを有する複数の電流狭窄層と、を備え、前記複数の電流狭窄層は、層厚がそれぞれ60nm以下であるとともに、前記光共振器に形成される光の定在波の節に略対応する位置に形成されていることを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層は前記上部多層膜反射鏡と前記活性層との間に形成されたことを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層のうち前記活性層に最も近い電流狭窄層の層厚が30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層のうち前記活性層に最も近い電流狭窄層の層厚は、他の電流狭窄層の層厚よりも薄いことを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層のうち前記活性層に最も近い電流狭窄層の電流注入部の開口径は、他の電流狭窄層の開口部よりも小さいことを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層は、層厚がそれぞれ44nm以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層への光閉じ込め係数は、0.45%以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層への光閉じ込め係数は、0.06%以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層の総層厚は、20nm以上であることを特徴とする。
また、本発明に係る面発光レーザ素子は、上記の発明において、前記複数の電流狭窄層の総層厚は、50nm以上であることを特徴とする。
本発明によれば、高速変調、高信頼性、および良好な伝送特性を同時に実現できる面発光レーザ素子を実現できるという効果を奏する。
図1は、実施の形態1に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。 図2は、図1に示す光共振器内に形成される定在波と電流狭窄層との関係を示す図である。 図3は、各横モードについての、電流狭窄層厚と光損失との関係を示す図である。 図4は、図3の結果から計算した、電流狭窄厚と、LP01モードを基準とした光損失差との関係を示す図である。 図5は、各横モードについての、電流狭窄層による光閉じ込め係数と光損失との関係を示す図である。 図6は、図5の結果から計算した、電流狭窄層による光閉じ込め係数と、LP01モードを基準とした光損失差との関係を示す図である。 図7は、層数が異なる場合の、電流狭窄層の総層厚と、電流狭窄層による光閉じ込め係数との関係を示す図である。 図8は、図7に示す電流狭窄層が1層または2層の場合の、電流狭窄層による光閉じ込め係数と、LP01モードを基準とした光損失差との関係を示す図である。 図9は、実施の形態2に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。 図10は、図9に示す光共振器内に形成される定在波と電流狭窄層との関係を示す図である。
以下に、図面を参照して本発明に係る面発光レーザ素子の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。さらに、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。図1に示すように、面発光レーザ素子100は、面方位(001)のn型GaAsからなる基板1上に積層された下部多層膜反射鏡として機能するアンドープの下部DBRミラー2、n型コンタクト層3、n側電極4、n型クラッド層5、活性層6、p型クラッド層7、電流狭窄層81、82、83、p型スペーサ層91、92、93、p型コンタクト層10、p側電極11、位相調整層12、および上部多層膜反射鏡として機能する上部誘電体DBRミラー13を備える。
p型コンタクト層10およびn型コンタクト層3は、下部DBRミラー2と上部誘電体DBRミラー13との間に形成されている。活性層6は、下部DBRミラー2と上部誘電体DBRミラー13との間に形成されている。電流狭窄層81、82、83は、上部誘電体DBRミラー13と活性層6との間に形成されている。p型スペーサ層91、92、93は、それぞれ電流狭窄層81、82、83およびp型コンタクト層10との間に介挿された状態に形成されている。p側電極11はp型コンタクト層10上に形成され、n側電極4はn型コンタクト層3上に形成されている。
n型クラッド層5からp型コンタクト層10までの積層構造は、エッチング処理等によって柱状に成形されたメサポストMとして形成されている。メサポスト径はたとえば直径30μmである。また、n型コンタクト層3はメサポストMの外周側に延設している。また、下部DBRミラー2と上部誘電体DBRミラー13とは光共振器R1を形成している。
下部DBRミラー2は、n型GaAs基板1上に積層されたアンドープGaAsバッファ層(不図示)上に形成される。下部DBRミラー2は、低屈折率層として機能するAl0.9Ga0.1As層と、高屈折率層として機能するGaAs層とを1ペアとする複合半導体層がたとえば40.5ペア積層された、周期構造を有する半導体多層膜ミラーとして形成されている。下部DBRミラー2の複合半導体層を構成する各層の層厚は、λ/4n(λ:発振波長、n:屈折率)である。たとえば、λが1.06μmの場合、Al0.9Ga0.1As層の層厚は約88nmであり、GaAs層の層厚は約76nmである。
n型コンタクト層3およびn型クラッド層5は、n型GaAsを材料として形成される。p型クラッド層7は、p型AlGaAsを材料として形成される(たとえば、Al0.3Ga0.7Asが望ましい。)。n型クラッド層5とp型クラッド層7とは活性層6を挟むように形成されており、分離閉じ込め(Separate Confinement Heterostructure、SCH)構造を形成している。
p型スペーサ層91、92、93は、p型AlGaAsを材料として形成される。p型コンタクト層10は、p型GaAsを材料として形成される。
n型クラッド層5、p型クラッド層7、p型スペーサ層91、92、93には、キャリア濃度がたとえば1×1018cm−3程度となるようにp型またはn型ドーパントが添加されており、確実にp型またはn型の導電型とされている。また、n型コンタクト層3、p型コンタクト層10のキャリア濃度はたとえばそれぞれ2×1018cm−3、3×1019cm−3程度である。
電流狭窄層81は、電流注入部としての開口部81aと電流狭窄部としての選択酸化層81bとから構成されている。開口部81aはAl1−xGaAs(0≦x<0.2)からなり、選択酸化層81bは(Al1−xGaからなる。なお、xはたとえば0.02である。電流狭窄層82、83も、それぞれ、開口部82a、83aと、選択酸化層82b、83bとから構成されている。電流狭窄層82、83の構成材料は電流狭窄層81と同じである。
これらの電流狭窄層81、82、83は、Al1−xGaAsからなるAl含有層を選択酸化熱処理することによって形成される。すなわち、選択酸化層81b、82b、83bは、このAl含有層がメサポストMの外周部から積層面に沿って所定範囲だけ酸化されることで、開口部81a、82a、83aの外周にリング状に形成されている。選択酸化層81b、82b、83bは、絶縁性を有し、p側電極11から注入される電流を狭窄して開口部81a、82a、83a内に集中させることで、開口部81a、82a、83aの直下における活性層6内の電流密度を高める機能を有する。開口径を小さくすると、活性層6内の電流密度が高くなるために高速変調には有利であり、同時に高次の横モードの利得が減少したり散乱損失が増加したりするために高次横モードの抑制効果が大きい。一方、開口径が小さすぎると電気抵抗が高くなり、駆動電圧が上がり、消費電力が大きくなるほか、電流密度が高いことによる信頼性の悪化が懸念される。このようなトレードオフの関係を踏まえながら開口径の選定を行なう必要がある。開口部81a、82a、83aの開口径はたとえば6μmであるが、高速動作と信頼性の観点では、たとえば4μm〜15μmが好ましい。さらに、高次の横モードを抑制するためには、たとえば4μm〜8μmがさらに好ましい。
電流狭窄層81、82、83は、それぞれの層厚が60nm以下、好ましくは30nm以下に形成されている。電流狭窄層81、82、83の層厚については後に詳述する。
光共振器R1内のその他の層の層厚は、活性層6の位置に光共振器R1内の光の定在波の腹が形成され、電流狭窄層81、82、83の位置に定在波の節が形成されるように調整されている。
活性層6は、井戸層と障壁層とが交互に積層した多重量子井戸構造(MQW:Multiple Quantum Well)を有する。なお、井戸層は所望の波長の光を放出するように選択される材料からなり、たとえばGaInAs系の半導体材料からなる。障壁層はたとえばGaAsからなる。この活性層6は、p側電極11から注入されて電流狭窄層81、82、83によって狭窄された電流により、たとえば1.0μm〜1.1μm(1.0μm帯とする)の波長の光を含む自然放出光を発するようにその半導体材料の組成および層厚が設定されている。
上部誘電体DBRミラー13は、低屈折率層として機能するSiO2層と、高屈折率層として機能するSiNx層とを1ペアとする複合誘電体層がたとえば9ペア積層された、周期構造を有する誘電体多層膜ミラーとして形成されており、下部DBRミラー2と同様に各層の層厚がλ/4nとされている。
p側電極11は、p型コンタクト層10の外延に沿ってリング状に形成されている。一方、n側電極4は、メサポストMの外周側に延設したn型コンタクト層3の延設部分の表面に形成され、メサポストMの周囲を取り囲むようにC字状に形成されている。
位相調整層12は、SiNxなどの誘電体からなり、上部誘電体DBRミラー13の直下に形成されている。この位相調整層12は、その層厚の調整によって、p型コンタクト層10が光の定在波の節に位置し、上部誘電体DBRミラー13の最下面が定在波の腹に位置するように調整する機能を有する。
つぎに、この面発光レーザ素子100の動作について説明する。はじめに、不図示のレーザ制御器が、p側電極11とn側電極4との間にバイアス電圧および変調電圧を印加し電流を注入する。p側のキャリア(ホール)は、p型コンタクト層10では層内を紙面横方向に流れ、その後p型スペーサ層93,92,91を順次通過しながら、電流狭窄層83,82,81の開口部83a、82a、81a内に集中して密度が高められた状態で、活性層6に注入される。一方、n側のキャリア(電子)については、n側電極4からn型コンタクト層3、n型クラッド層5を通過して、活性層6に注入される。
このように、本実施の形態1の面発光レーザ素子100は、p側のキャリアおよびn側のキャリアのいずれもが、DBRミラーを経由しないで活性層に注入される、いわゆるダブルイントラキャビティ構造を有する。
キャリアが注入された活性層6は、自然放出光を発生する。発生した自然放出光は、活性層6の光増幅作用と光共振器R1の作用とによって、1.0μm波長帯のいずれかの波長においてレーザ発振する。その結果、この面発光レーザ素子100は、上部誘電体DBRミラー13上から変調信号を含むレーザ信号光を出力する。レーザ発振時には光共振器R1内にはレーザ光の定在波が形成されている。
この面発光レーザ素子100では、電流狭窄層81、82、83のそれぞれが、レーザ光の定在波の異なる節に略対応する位置に形成されている。これによって、光の横方向閉じ込めに影響が大きい選択酸化層81b、82b、83bと光の定在波との重なりが少なくなる。また、このように複数の電流狭窄層81、82、83を備えるので、電流狭窄層としての総層厚は厚くなる。その結果、面発光レーザ素子100の寄生容量は低減される。さらには、電流狭窄層としての総層厚は厚いが、個々の電流狭窄層81、82、83は薄いので、選択酸化層81b、82b、83bから活性層6におよぶ応力は低減される。これによって、活性層6での転位の発生が抑制され、面発光レーザ素子100の信頼性が向上する。
図2は、図1に示す光共振器R1内に形成される定在波と電流狭窄層との関係を示す図である。図2において、下部DBRミラー2は、Al0.9Ga0.1As層2aと、GaAs層2bとから構成されている。上部誘電体DBRミラー13は、SiO2層13aと、SiNx層13bとから構成されている。n型半導体層20は、n型コンタクト層3およびn型クラッド層5を含む層を示している。p型半導体層21は、p型スペーサ層91、92、93、およびp型コンタクト層10を含む層を示している。電流狭窄層81、82、83はp型半導体層21に含まれている。線L1は各層の屈折率を示している。線L2は光共振器R1内に形成される光の定在波の節と腹とを示している。
図2に示すように、電流狭窄層81、82、83のそれぞれは、定在波の節N1、N2、N3のそれぞれに略対応する位置に形成されているので、電流狭窄層81、82、83による光の横方向閉じ込めに与える影響は低減される。ここで、節N1、N2、N3は、活性層6側から2番目、3番目、4番目の節である。
つぎに、電流狭窄層81、82、83の合計の層厚(総層厚)の好ましい範囲、および1層あたりの層厚の好ましい範囲について説明する。以下では、xを0.02として、開口部はAl1−xGaAsからなり、選択酸化層は(Al1−xGaからなる場合について説明する。また、面発光レーザ素子100は波長1.06μmのレーザ光を発振するように各要素の層厚や組成が構成されている場合について説明する。
電流狭窄層81、82、83の総層厚については、面発光レーザ素子100の素子容量が、所定の高速変調に適する容量となる程度の総層厚に設定することが好ましい。たとえば、総層厚が20nmより薄い場合、素子容量が1pF程度の大きさとなるので、変調速度10Gbpsでの高速変調が困難となる。したがって、10Gbps以上の高速変調のためには、総層厚が20nm以上であることが好ましく、25Gbps以上の高速変調のためには、総層厚が50nm以上であることが好ましい。
また、電流狭窄層81、82、83の1層あたりの層厚は、10nm以上であれば、選択酸化層を形成するための酸化反応に要する時間が長くならないので好ましい。
また、活性層6に最も近い電流狭窄層81の層厚については、信頼性の確保のためには30nm以下であることが好ましい。30nm以下であれば、長時間通電をした際の面発光レーザ素子100の特性劣化が抑制される。
また、絶縁体である選択酸化層81b、82b、83bは、半導体である開口部81a、82a、83aよりも屈折率が低い。その結果、選択酸化層81b、82b、83bが形成されている領域の、半導体積層方向での実効屈折率は、開口部81a、82a、83aが形成されている領域の、半導体積層方向での実効屈折率よりも低くなる。この屈折率差によって、開口部81a、82a、83aへの横方向の光閉じ込めが発生する。このような光閉じ込めは、電流狭窄層が存在すれば、その厚さが薄くても発生するものである。
このとき、電流狭窄層81、82、83の層厚が厚くなると、屈折率差が与える横方向の光閉じ込め効果が大きくなるため、横モードの基本モード(以下、単に基本モードと呼ぶ)の光だけでなく、高次モードもが光閉じ込めを受けるようになる。そのため、高次モードでのレーザ発振が起こりやすくなるため、上部誘電体DBRミラー13上から出力されるレーザ信号光により多くの高次横モードの光が混入することとなる。この場合、レーザ信号光の強度スペクトルの幅が広がったり、モード競合雑音が増加したりするので、面発光レーザ素子100の伝送特性が劣化する。したがって、面発光レーザ素子100が出力するレーザ光の単一モード性を高め、伝送特性の劣化を抑制するためには、電流狭窄層への光閉じ込めは小さいほうが好ましい。光閉じ込めの大きさは、光閉じ込め係数で表すことができ、電流狭窄層への光閉じ込め係数は、光の定在波が各電流狭窄層と重なり合う割合の総和により定義される。
以下、好ましい光閉じ込め係数の範囲について、2D−FVM(有限体積法)を用いてシミュレーション計算した結果を用いて説明する。まず、面発光レーザ素子100において、電流狭窄層としては電流狭窄層81の1層しかない構成の場合を考える。
図3は、各横モードについての、電流狭窄層厚と光損失との関係を示す図である。なお、凡例において「LP01」とは、基本モードであるLP01モードを意味する。「LP11」、「LP21」は、それぞれ高次モードであるLP11モード、LP21モードを意味する。この光損失とは、光共振器R1内での光損失を意味する。
図4は、図3の結果から計算した、電流狭窄層厚と、LP01モードを基準とした光損失差との関係を示す図である。たとえば、LP11モードの光損失差は、(LP11モードの光損失)−(LP01モードの光損失)として求められる。ここで、光損失が大きいモードについてはレーザ発振しにくくなるので、高次モードについては光損失が大きいほうが好ましい。特に、LP01モードを基準とした光損失差が大きいほうが、LP01モードがレーザ発振し易く、高次モードがレーザ発振しにくくなるので好ましい。
図4に示すように、LP11モードの光損失差は、電流狭窄層厚が薄くなるにつれて増大する傾向があるが、30nm以下で増大が飽和する。したがって、LP11モードの光損失差を効果的に確保するためには、電流狭窄層厚は30nm以下が好ましい。同様に、LP21モードの光損失差は、60nm以下で増大が飽和するので、LP21モードの光損失差を効果的に確保するためには、電流狭窄層厚は60nm以下が好ましい。
つぎに、図3、4の結果において、グラフの横軸を電流狭窄層厚ではなく、電流狭窄層への光閉じ込め係数に変換した結果を示す。図5は、各横モードについての、電流狭窄層への光閉じ込め係数と光損失との関係を示す図である。図6は、図5の結果から計算した、電流狭窄層への光閉じ込め係数と、LP01モードを基準とした光損失差との関係を示す図である。
図6に示すように、LP11モードの光損失差を効果的に確保するためには、光閉じ込め係数は0.06%以下が好ましく、LP21モードの光損失差を効果的に確保するためには、光閉じ込め係数は0.45%以下が好ましい。
このような光閉じ込め係数の好ましい範囲は、以下で説明するように、電流狭窄層が複数であってもほぼ同じである。したがって、本実施の形態1に係る面発光レーザ素子100においても、LP11モードの光損失差を効果的に確保するためには光閉じ込め係数は0.06%以下が好ましく、LP21モードの光損失差を効果的に確保するためには光閉じ込め係数は0.45%以下が好ましい。
なお、光閉じ込め係数は、電流狭窄層の総層厚が同じであっても、電流狭窄層が1層だけ存在する場合と、互いに離間した複数の電流狭窄層が存在する場合とでは異なる。
図7は、層数が異なる場合の、電流狭窄層の総層厚と、電流狭窄層による光閉じ込め係数との関係を示す図である。図7において、1層とは、面発光レーザ素子100において電流狭窄層81だけが存在する場合であり、総層厚とは電流狭窄層81の層厚を意味する。同様に、2層とは、電流狭窄層81、82が存在する場合であり、3層とは、電流狭窄層81、82、83が存在する場合である。なお、層数が2、3の場合は、各電流狭窄層の層厚は等しいとしており、各電流狭窄層は、図2に示したようにレーザ光の定在波の異なる節に略対応する位置に配置されていると仮定している。
図7に示すように、電流狭窄層の総層厚が同じであっても、層数を増加させる程、これによって実現される光閉じ込め係数を低減させることができる。たとえば、層厚が60nmの電流狭窄層1層を定在波の節に配置させた場合の光閉じ込め係数は0.45%であるが、層厚が30nmの電流狭窄層2層を異なる2つの定在波の節に配置させた場合の光閉じ込め係数は0.17%と、1層の場合の0.38倍の値に低減される。また、電流狭窄層が2層の場合、光閉じ込め係数が0.45%以下となる時の各層厚は約44nm以下であることも図7から読み取れる。
図8は、図7に示す電流狭窄層が1層または2層の場合の、電流狭窄層による光閉じ込め係数と、LP01モードを基準とした光損失差との関係を示す図である。図8に示すように、層数が異なっていても、高次モードの光損失差の変化する傾向は同様であり、光閉じ込め係数の好ましい範囲はほぼ同じである。また、2層のほうが1層に比べて、LP01とLP11との光損失差を大きく取ることができ、LP11モードの発振をより抑制することができる。
図7、8からわかるように、本実施の形態1に係る面発光レーザ素子100のように、電流狭窄層を複数備えれば、光閉じ込め係数を、高次モードのレーザ発振を抑制できる程度の値に容易に低減でき、かつ電流狭窄層の1層あたりの層厚を抑制して素子の信頼性を向上しつつ、電流狭窄層の総層厚を厚くして寄生容量を低減でき、高速変調を実現できる。
以上説明したように、本実施の形態1に係る面発光レーザ素子100は、高速変調、高信頼性、および良好な伝送特性を同時に実現できる。
(実施の形態2)
図9は、本発明の実施の形態2に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。図9に示すように、面発光レーザ素子200は、図1に示す実施の形態1に係る面発光レーザ素子100において、p型クラッド層7、p型スペーサ層91、92、93、およびp型コンタクト層10を、上部半導体DBRミラー15に置き換え、この上部半導体DBRミラー15内に電流狭窄層81、82を配置した構成を有する。
上部半導体DBRミラー15は、低屈折率層として機能するp型Al0.7Ga0.3As層15aと、高屈折率層として機能するp型GaAs層15bとを1ペアとする複合半導体層がたとえば2〜5ペア積層された、周期構造を有する半導体多層膜ミラーとして形成されている。上部半導体DBRミラー15の複合半導体層を構成する低屈折率層および高屈折率層の層厚は、それぞれの光学長がλ/4となるように設定されている。上部誘電体DBRミラー13および上部半導体DBRミラー15は上部DBRミラー16を構成しており、下部DBRミラー2と上部DBRミラー16とは光共振器R2を形成している。
また、電流狭窄層81、82は、上部半導体DBRミラー15内に、活性層6から離れる方向に向かって、p型Al0.7Ga0.3As層15a、電流狭窄層81(82)、p型GaAs層15bの順に並ぶように配置されている。電流狭窄層が形成される複合層では、p型Al0.7Ga0.3As層15aとp型Al0.98Ga0.02As層81aの合計の層厚の光学長がλ/4となるように設定されている。
図10は、図9に示す光共振器R2内に形成される定在波と電流狭窄層との関係を示す図である。図10において、線L3は各層の屈折率を示している。線L4は光共振器R2内に形成される光の定在波を示している。
図10に示すように、定在波は、活性層6から離れる方向において、p型Al0.7Ga0.3As層15aとp型GaAs層15bとの各界面の近傍に節が形成される。電流狭窄層81、82のそれぞれは、定在波の節N4、N5のそれぞれに略対応する位置に形成されているので、電流狭窄層81、82による光の横方向閉じ込めに与える影響は低減される。
この面発光レーザ素子200も、実施の形態1に係る面発光レーザ素子100と同様に、複数の電流狭窄層81、82を備えるので、高速変調、高信頼性、および良好な伝送特性を同時に実現できる。さらに、上部DBRミラー16内に電流狭窄層81、82を備えているので、光共振器R2の共振器長を短くすることができ、高速変調に適する構成である。
なお、上記実施の形態では、電流狭窄層の層数は2または3であるが、4以上でもよい。また、電流狭窄層は、定在波の活性層側から2番目以上の節に略対応する位置に形成されているが、活性層側から1番目の節に略対応する位置に形成されていてもよい。本実施の形態に係る面発光レーザ素子では、複数の電流狭窄層を備えることによって、1層あたりの層厚を薄くできるので、このように活性層に近い節に略対応する位置に形成しても、活性層におよぶ応力を小さくすることができる。また、上記実施の形態では、複数の電流狭窄層の層厚は互いに等しいが、互いに異なっていても良い。特に、活性層に近い電流狭窄層ほど層厚が薄くなるように設定すれば、活性層におよぶ応力を小さくすることができるので好ましい。また、活性層に最も近い電流狭窄層だけを他の電流狭窄層よりも薄い層厚にしてもよい。
さらに、上記実施の形態では、複数の電流狭窄層の開口部の開口径は互いに等しいが、互いに異なっていても良い。特に、活性層に近い電流狭窄層ほど開口径が小さくなるように設定しても良い。また、活性層に最も近い電流狭窄層の開口径だけを他の電流狭窄層の開口径よりも小さくしても良い。電流狭窄の効果は、特に活性層に最も近い電流狭窄層の開口径でほぼ決定されるので、活性層に最も近い電流狭窄層を他の電流狭窄層よりも小さい開口径すれば、他の電流狭窄層による素子の電気抵抗の増大を抑制できる。なお、開口径は、電流狭窄層を形成するためのAl含有層におけるAl組成を高くすれば、酸化速度が速くなるので開口径を小さくでき、Al組成を低くすれば、開口径を大きくできる。
また、本発明は、イントラキャビティ構造でない面発光レーザ素子にも適用できる。すなわち、活性層に注入されるキャリアが、下部DBRミラーおよび/または上下部DBRミラーのそれぞれを経由して活性層に注入される構造の面発光レーザ素子にも本発明は適用できる。
また、上記実施の形態では、1.0μm波長帯用にその化合物半導体の材料、サイズ等が設定されている。しかしながら、各材料やサイズ等は、所望のレーザ光の発振波長に応じて適宜設定されるものであり、特に限定はされない。
また、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
1 基板
2 下部DBRミラー
2a Al0.9Ga0.1As層
2b GaAs層
3 n型コンタクト層
4 n側電極
5 n型クラッド層
6 活性層
7 p型クラッド層
10 p型コンタクト層
11 p側電極
12 位相調整層
13 上部誘電体DBRミラー
13a SiO2
13b SiNx層
15 上部半導体DBRミラー
15a p型Al0.7Ga0.3As層
15b p型GaAs層
16 上部DBRミラー
20 n型半導体層
21 p型半導体層
81、82、83 電流狭窄層
81a、82a、83a 開口部
81b、82b、83b 選択酸化層
91、92、93 p型スペーサ層
100、200 面発光レーザ素子
L1、L2、L3、L4 線
M メサポスト
N1、N2、N3、N4、N5 節
R1、R2 光共振器

Claims (10)

  1. 高屈折率層と低屈折率層の周期構造から構成され、光共振器を構成している下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡と、
    前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に形成された活性層と、
    前記上部多層膜反射鏡と前記活性層との間または前記上部多層膜反射鏡内に形成された、電流注入部と選択酸化熱処理によって前記電流注入部の外周に形成された選択酸化層とを有する複数の電流狭窄層と、
    を備え、
    前記複数の電流狭窄層は、基本モードと高次モードとの光損失差が飽和する、層厚がそれぞれ60nm以下であるとともに、前記光共振器に形成される光の定在波の異なる複数の節に略対応する位置に形成されており、
    前記電流狭窄層が複数であることで、前記複数の電流狭窄層への光閉じ込め係数が、0.45%以下であることを特徴とする面発光レーザ素子。
  2. 前記複数の電流狭窄層への光閉じ込め係数は、0.06%以下であることを特徴とする請求項に記載の面発光レーザ素子。
  3. 前記複数の電流狭窄層は、前記活性層に対して同じ側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
  4. 前記複数の電流狭窄層は前記上部多層膜反射鏡と前記活性層との間に形成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
  5. 前記複数の電流狭窄層のうち前記活性層に最も近い電流狭窄層の層厚が30nm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
  6. 前記複数の電流狭窄層のうち前記活性層に最も近い電流狭窄層の層厚は、他の電流狭窄層の層厚よりも薄いことを特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
  7. 前記複数の電流狭窄層のうち前記活性層に最も近い電流狭窄層の電流注入部の開口径は、他の電流狭窄層の開口部よりも小さいことを特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
  8. 前記複数の電流狭窄層は、層厚がそれぞれ44nm以下であることを特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
  9. 前記複数の電流狭窄層の総層厚は、20nm以上であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子。
  10. 前記複数の電流狭窄層の総層厚は、50nm以上であることを特徴とする請求項9に記載の面発光レーザ素子。
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