WO2023238621A1

WO2023238621A1 - 面発光レーザ

Info

Publication number: WO2023238621A1
Application number: PCT/JP2023/018360
Authority: WO
Inventors: 秀輝渡邊; 倫太郎幸田; 敬錫宋; 康貴比嘉; 達也真藤; 修平山口
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2022-06-10
Filing date: 2023-05-17
Publication date: 2023-12-14

Abstract

直列抵抗及び光損失の双方を低減することができる面発光レーザを提供すること。　本技術に係る面発光レーザは、第１反射鏡を含む第１構造と、前記第１構造と積層された、第２反射鏡を含む第２構造と、前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、を備え、前記第１及び／又は第２反射鏡の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に電流注入層が設けられている。本技術に係る面発光レーザによれば、直列抵抗及び光損失の双方を低減することができる面発光レーザを提供することができる。

Description

面発光レーザ

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザに関する。

　従来、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａｓｅｒ）が知られている。

　この面発光レーザの中には、２つの反射鏡で挟まれた共振器構成部内に電流注入層が設けられたイントラキャビティ構造を有するものがある。このイントラキャビティ構造では、光損失（特に電流注入層による光吸収）の課題がある。

　そこで、共振器構成部内に設けられた少なくとも３つのスペーサ層のうち定在波の光強度の包絡線が極小となる位置のスペーサ層内又は該スペーサ層の近傍に電流注入層が配置された面発光レーザが提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１２－１２９２４５号公報

　しかしながら、この面発光レーザ（例えば特許文献１参照）では、直列抵抗及び光損失の双方を低減することに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、直列抵抗及び光損失の双方を低減することができる面発光レーザを提供することを主目的とする。

　本技術は、第１反射鏡を含む第１構造と、
　前記第１構造と積層された、第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第１反射鏡及び／又は前記第２反射鏡の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に電流注入層が設けられている、面発光レーザを提供する。
　前記電流注入層は、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていてもよい。
　前記第１反射鏡及び／又は前記第２反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層が配置されていてもよい。　前記電流注入層は、前記第１構成層よりも厚く、且つ、前記第２構成層よりも薄くてもよい。
　前記電流注入層は、Ｉｎを含む化合物半導体層を含んでいてもよい。
　前記第１反射鏡は、前記第１及び第２構成層を有し、前記電流注入層上に前記第１構成層、前記活性層及び前記第２反射鏡を含むメサが形成され、前記電流注入層の、前記メサの周辺の領域上に電極が設けられていてもよい。
　前記活性層と前記第２反射鏡との間に別の電流注入層が設けられていてもよい。
　前記第２構造は、前記活性層と前記第２反射鏡との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記クラッド層と前記第２反射鏡との間に配置されていてもよい。
　前記第２構造は、前記活性層と前記第２反射鏡との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記クラッド層の少なくとも内部に設けられていてもよい。
　前記別の電流注入層上に前記第２反射鏡を含む別のメサが形成され、前記別の電流注入層の、前記別のメサの周辺の領域上に別の電極が設けられていてもよい。
　前記第２反射鏡は、前記第１及び第２構成層を有し、前記電流注入層上に前記第２構成層を含むメサが形成され、前記電流注入層の、前記メサの周辺の領域上に電極が設けられていてもよい。
　前記第１反射鏡と前記活性層との間に別の電流注入層が設けられていてもよい。
　前記第１構造は、前記第１反射鏡と前記活性層との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記第１反射鏡と前記クラッド層との間に配置されていてもよい。
　前記第１構造は、前記第１反射鏡と前記活性層との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記クラッド層の少なくとも内部に設けられていてもよい。
　前記別の電流注入層上に前記活性層及び前記第１構成層及び前記電流注入層を含む別のメサが形成され、前記別の電流注入層の、前記別のメサの周辺の領域上に別の電極が設けられていてもよい。
　前記第１及び第２反射鏡の少なくとも内部に前記電流注入層が設けられていてもよい。　前記第１反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、前記第２反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、前記第１反射鏡の前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層としての第１電流注入層が設けられ、前記第２反射鏡の前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層としての第２電流注入層が設けられていてもよい。
　前記第１電流注入層上に前記第１反射鏡の第１構成層、前記活性層、前記第２反射鏡の前記第１構成層及び前記第２電流注入層を含む第１メサが形成され、前記第２電流注入層上に前記第２反射鏡の前記第２構成層を含む第２メサが形成され、前記第１電流注入層の、前記第１メサの周辺の領域上に第１電極が設けられ、前記第２電流注入層の、前記第２メサの周辺の領域上に第２電極が設けられていてもよい。

本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの平面図である。電流注入層の好適な配置を説明するための図である。中間ＤＢＲのペア数と電流注入層での相対光強度との関係を示すグラフである。中間ＤＢＲのペア数と、発振閾値利得及びスロープ効率との関係を示すグラフである。図１の面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図１の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の第２実施形態に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第３実施形態に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第３実施形態に係る面発光レーザの平面図である。図１２の面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図１２の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１２の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１２の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１２の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図１２の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の第４実施形態に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第５実施形態に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例１に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例２に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例３に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例４に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例５に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例６に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例７に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例８に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例９に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第２実施形態の変形例１に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第２実施形態の変形例２に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第３実施形態の変形例に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第４実施形態の変形例に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第５実施形態の変形例に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザが複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザは、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ
２．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ
３．本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ
４．本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ
５．本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ
６．本技術の変形例
７．電子機器への応用例
８．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
９．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜０．導入＞
　垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　ｃａｖｉｔｙ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｓｅｒ　：　ＶＣＳＥＬ）において、２つの反射鏡で挟まれた共振器構成部の中に電流注入層が配置されたイントラキャビティ構造が広く知られている。イントラキャビティ構造を有するＶＣＳＥＬでは、活性層の近くに配置された電流注入層を介して活性層に電流注入を行うことにより、直列抵抗を減らして活性層に効率良く電流を注入することが可能である。しかしながら、イントラキャビティ構造を有するＶＣＳＥＬでは、共振器構成部中に電流注入層が設けられるため、電流注入層が定在波の節に配置されたとしても、光損失（詳しくは電流注入層による光吸収）の課題がある。

　そこで、発明者らは、電流注入層の配置に工夫を凝らすことにより、直列抵抗及び光損失の双方を低減することが可能な面発光レーザとして本技術に係る面発光レーザを開発した。

　以下、本技術に係る面発光レーザの幾つかの実施形態について詳細に説明する。

＜１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ＞
　図１は、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０の断面図である。図２は、面発光レーザ１０の平面図である。図１は、図２の１－１線断面図である。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。

≪面発光レーザの構成≫
　本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。面発光レーザ１０は、一例として裏面出射型のＶＣＳＥＬである。

　面発光レーザ１０は、一例として、図１及び図２に示すように、第１反射鏡１０２を含む第１構造ＳＴ１と、該第１構造ＳＴ１と積層された、第２反射鏡１０８を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された活性層１０６とを備える。すなわち、面発光レーザ１０は、互いに積層された第１及び第２反射鏡１０２、１０８で活性層１０６が挟まれた垂直共振器構造を有する。面発光レーザ１０は、一例として、基板１０１の裏面（下面）側からレーザ光（出射光ＥＬ）を出射する。面発光レーザ１０は、例えばレーザドライバにより駆動される。以下、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２が積層された方向（上下方向）を「積層方向」とも呼ぶ。

　第１構造ＳＴ１は、さらに、一例として、第１反射鏡１０２の少なくとも内部に配置された電流注入層１０３と、第１反射鏡１０２の活性層１０６側とは反対側に配置された基板１０１と、第１反射鏡１０２と活性層１０６との間に配置された第１クラッド層１０５とを含む。

　第１反射鏡１０２は、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２を活性層１０６側からこの順に有している。第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２の間に電流注入層１０３が配置されている。

　電流注入層１０３上に第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１、活性層１０６及び第２反射鏡１０８を含むメサＭが形成されている。すなわち、電流注入層１０３のメサＭの周辺の領域は、外部に露出している。電流注入層１０３の、メサＭの周辺の領域上に第１電極１０９（例えばｎ側電極：カソード電極）が設けられている。メサＭの高さは、例えば６μｍ程度である。ここでは、メサＭの平面視形状は、円形とされているが、例えば楕円形、多角形等の他の形状であってもよい。

　第２構造ＳＴ２は、さらに、第２反射鏡１０８と活性層１０６との間に配置された第２クラッド層１０７を含む。第２反射鏡１０８上には、第２電極１１０（例えばｐ側電極：アノード電極）が設けられている。

　以下では、面発光レーザ１０の、第１及び第２クラッド層１０５、１０７と活性層１０６とを含む部分であって第１及び第２反射鏡１０２、１０８で挟まれた部分を「共振器構成部」とも呼ぶ。第１及び第２反射鏡１０２、１０８と共振器構成部とを含んで共振器が構成される。
（基板）
　基板１０１は、一例として、半絶縁性のＧａＡｓ基板（ｉ－ＧａＡｓ基板）からなる。なお、基板１０１は、第１導電型（例えばｎ型）の半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）であってもよい。

（第１反射鏡）
　第１反射鏡１０２は、一例として半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。

　第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１は、第１導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡（不純物半導体からなる半導体多層膜反射鏡）である。第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２は、アンドープ（ｉ型）の半導体多層膜反射鏡（真性半導体からなる半導体多層膜反射鏡）である。第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２の各々は、一例として、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体（ＧａＡｓ系化合物半導体）からなる。詳述すると、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２の各々は、一例として、高屈折率層（例えばｎ－ＧａＡｓ）と低屈折率層（例えばｎ－ＡｌＧａＡｓ）とが交互に積層された積層構造を有する。各屈折率層の光学厚さは、発振波長λの１／４である。

　第１構成層１０２－１のペア数は、例えば２ペアである。第２構成層１０２－２のペア数は、例えば１６ペアである。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０５は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｎ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。クラッド層は「スペーサ層」とも呼ばれる。

（活性層）
　活性層１０６は、一例として、発光波長λが９１０～９５０ｎｍとなるように設計された、ＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＩｎＧａＡｓ）からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。なお、活性層１０６は、トンネルジャンクションを介して積層された複数のＱＷ構造又は複数のＭＱＷ構造を有していてもよい。

（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０７は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｐ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。クラッド層は「スペーサ層」とも呼ばれる。

（第２反射鏡）
　第２反射鏡１０８は、一例として半導体多層膜反射鏡である。第２反射鏡１０８は、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡（不純物半導体からなる半導体多層膜反射鏡）である。第２反射鏡１０８は、一例として、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体（ＧａＡｓ系化合物半導体）からなる。第２反射鏡１０８は、高屈折率層（例えばｐ－ＧａＡｓ）と低屈折率層（例えばｐ－ＡｌＧａＡｓ）とが交互に積層された積層構造を有する。各屈折率層の光学厚さは、発振波長λの１／４である。第２反射鏡１０８のペア数は、例えば３５ペアである。第２反射鏡１０８は、第１反射鏡１０２よりも反射率が僅かに低く設定されている。

　以下では、基板１０１から最も近い下側のＤＢＲである第２構成層１０２－２を「下部ＤＢＲ」とも呼び、基板１０１から最も遠い上側のＤＢＲである第２反射鏡１０８を「上部反射鏡」とも呼び、第２構成層１０２－２と第２反射鏡１０８との間に配置されたＤＢＲである第１構成層１０２－１を「中間ＤＢＲ」とも呼ぶ。

（第１電極）
　第１電極１０９は、電流注入層１０３上にメサＭを取り囲むように枠状（例えばリング状）に設けられている。第１電極１０９は、一例として、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層構造を有する。該積層構造においてＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕは、一例として、それぞれ１５０ｎｍ、５０ｎｍ、２００ｎｍの膜厚とされている。なお、第１電極１０９は、単層構造を有していてもよい。第１電極１０９は、例えばレーザドライバの陰極側に接続される。

（第２電極）
　第２電極１１０は、一例として、第２反射鏡１０８上にベタ状に設けられている。第２電極１１０は、一例として、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造を有する。該積層構造においてＴｉ、Ｐｔ、Ａｕは、一例として、それぞれ５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍの膜厚とされている。なお、第２電極１１０は、単層構造を有していてもよい。第２電極１１０は、例えばレーザドライバの陽極側に接続される。

（電流注入層）
　ここでは、電流注入層１０３は、アノード電極としての第２電極１１０を介してメサＭに流入され第２反射鏡１０８、第２クラッド層１０７、活性層１０６、第１クラッド層１０５及び第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１を介した電流をカソード電極としての第１電極１０９に注入する役割を担う。電流注入層１０３は、活性層１０６への電流注入効率の向上に寄与する。

　電流注入層１０３は、一例として、不純物が高濃度でドープされた化合物半導体層であるハイドープ層（キャリア伝導性が高い低抵抗層）を含む。電流注入層１０３は、「コンタクト層」とも呼ばれる。ここでは、電流注入層１０３は、一例として、ｎ型不純物がドープされたＧａＡｓ層（ｎ－ＧａＡｓ層）からなる。電流注入層１０３にドープされるｎ型の不純物（ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ等が挙げられる。電流注入層１０３における不純物濃度は、例えば１×１０^１７ｃｍ^－３以上～１×１０^１９ｃｍ^－３以下であることが好ましい。ここでは、電流注入層１０３に不純物としてのＳｉが高濃度（例えば３×１０^１８ｃｍ^－３）でドープされている。

　電流注入層１０３の光学厚さは、例えば５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。ここでは、電流注入層１０３の光学厚さは、例えばλ（発振波長）と同じである。

　電流注入層１０３は、一例として、第１反射鏡１０２の少なくとも内部の、共振器内における光強度がピーク強度の１／１０倍（０．１倍）以上２／５倍（０．４倍）以下となる範囲である第１範囲に設けられることが好ましい。この第１範囲は、直列抵抗及び光損失（特に電流注入層１０３による光吸収）の双方を低減できる範囲である。なお、直列抵抗の低減は、駆動電圧の低減につながる。電流注入層１０３は、例えば第１範囲の一端（光強度がピーク強度の０．１倍となる位置）と第１範囲の中央（光強度がピーク強度の０．２５倍となる位置）との間の位置に配置されてもよい。電流注入層１０３は、例えば第１範囲の他端（光強度が０．４倍となる位置）と第１範囲の中央（光強度のピーク強度の０．２５倍となる位置）との間の位置に配置されてもよい。

　電流注入層１０３は、共振器内における光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲である第２範囲に配置されることがより好ましい。電流注入層１０３は、例えば第２範囲の一端（光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍となる位置）と第２範囲の中央（光強度がピーク強度の（１／ｅ^２＋１／ｅ）×０．５倍となる位置）との間の位置に配置されてもよい。電流注入層１０３は、例えば第２範囲の他端（光強度がピーク強度の１／ｅ倍となる位置）と第２範囲の中央（光強度がピーク強度の（１／ｅ^２＋１／ｅ）×０．５倍となる位置）との間の位置に配置されてもよい。

　図３は、電流注入層の好適な位置を説明するための図である。詳しくは、図３は、電流注入層１０３が、共振器内における光強度がピーク強度の１／ｅ倍（約０．３７倍）となる範囲に配置されている例について示すグラフである。図３において、横軸は基板１０１からの距離［ｎｍ］を示し、左側の縦軸は各ＤＢＲの材料屈折率を示し、右側の縦軸は規格化光強度（ピーク強度を１としたときの相対光強度）を示す。共振器内における光強度分布は、活性層の積層方向の中心を中心とするガウス分布となる。

　電流注入層１０３の積層方向の位置は、中間ＤＢＲのペア数（厚さ）に依存する。逆に言うと、中間ＤＢＲのペア数（厚さ）は、電流注入層１０３の積層方向の位置に依存する。図４は、中間ＤＢＲのペア数と電流注入層での相対光強度（ピーク強度１で規格化）との関係を示すグラフである。上記第１及び第２範囲の各々において、電流注入層１０３の位置が活性層１０６から離れるほど（中間ＤＢＲのペア数が多いほど）電流注入層１０３での相対光強度が下がり光損失は小さくなるが直列抵抗が大きくなる。すなわち、第１及び第２範囲の各々において、活性層１０６から最も近い位置が直列抵抗を最小にできる位置であり、活性層１０６から最も遠い位置が光損失を最小にできる位置である。このように、電流注入層１０３の配置について直列抵抗及び光損失がトレードオフの関係にある。

　図３の例では、電流注入層１０３が第２範囲の活性層１０６から最も近い位置に配置されている。この位置は、第２範囲において直列抵抗を最も低減できる位置である。電流注入層１０３は、中間ＤＢＲのペア数が少ないほど活性層１０６から近くなり、多いほど活性層１０６から遠くなる。図３の例では、中間ＤＢＲのペア数が２ペア、下部ＤＢＲのペア数が３４ペア、上部ＤＢＲのペア数が１６ペアとなっている。

　一方、電流注入層１０３が第２範囲の活性層１０６から最も遠い位置である、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍（約０．１３５倍）となる位置（例えば中間ＤＢＲのペア数が５ペアとなる位置、図４参照）に配置された場合を想定する。この位置は、第２範囲において光損失を最も低減できる位置である。

　図５は、中間ＤＢＲのペア数と、発振閾値利得及びスロープ効率との関係を示すグラフである。発振閾値利得（図５において●）は、中間ＤＢＲのペア数が多いほど（中間ＤＢＲの反射率が高いほど）低くなる。スロープ効率（図５において■）は、中間ＤＢＲのペア数が多いほど（直列抵抗が大きいほど）高くなる。このように、中間ＤＢＲのペア数に対して、発振閾値利得及びスロープ効率がトレードオフの関係にある。図５から、中間ＤＢＲのペア数を例えば１～３ペア（好ましくは２ペア）とすることにより、発振閾値利得及びスロープ効率の双方を好適な値とすることができる。

　以上より、直列抵抗及び光損失の双方を低減する観点からは、中間ＤＢＲのペア数は、例えば１～６ペア（第１範囲に対応）であることが好ましく、例えば２～５ペア（第２範囲に対応）であることが好ましい。また、発振閾値利得及びスロープ効率の双方を好適な値とする観点からは、中間ＤＢＲのペア数は、例えば１～３ペアであることが好ましく、例えば２ペアであることがより好ましい。

　電流注入層１０３は、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１（中間ＤＢＲ）よりも厚く、且つ、第２構成層１０２－２（下部ＤＢＲ）よりも薄いことが好ましい。これにより、電流注入層１０３における面内方向（横方向）の電気抵抗を減らし、且つ、中間ＤＢＲにおける積層方向（縦方向）の電気抵抗を減らし、且つ、下部ＤＢＲで反射率を稼ぐことができる。なお、電流注入層１０３が第１構成層１０２－１よりも薄く、且つ、第１構成層１０２－１が第２構成層１０２－２よりも薄くてもよい。

　電流注入層１０３は、Ｉｎを含む化合物半導体層（例えばＩｎＧａＰ）を含むことが好ましい。Ｉｎを含む化合物半導体層は、電流注入層１０３の活性層１０６側の表層であることが好ましい。これにより、Ｉｎを含む化合物半導体層をメサＭ形成の際のエッチングストップ層として機能させることができる。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ１０の動作について簡単に説明する。面発光レーザ１０では、例えばレーザドライバの陽極側から供給され第２電極１１０（アノード電極）から流入した電流は、第２反射鏡１０８及び第２クラッド層１０７をこの順に介して活性層１０６に注入される。このとき、活性層１０６が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０８の間を活性層１０６で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに、基板１０１の裏面から出射光ＥＬとして出射される。活性層１０６を経た電流は、第１クラッド層１０５、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１及び電流注入層１０３をこの順に介して第１電極１０９（カソード電極）へ至り、該第１電極１０９から例えばレーザドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　以下、面発光レーザ１０の製造方法について、図６のフローチャート等を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ（以下では、便宜上「基板１０１」とも呼ぶ）上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０を得る。

　最初のステップＳ１では、積層体を生成する（図７参照）。具体的には、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、成長基板としての基板１０１（例えばｉ－ＧａＡｓ基板）上に第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２、電流注入層１０３、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１、第１クラッド層１０５、活性層１０６、第２クラッド層１０７及び第２反射鏡１０８をこの順に積層して（例えば成長温度６０５℃にてエピタキシャル成長させて）、積層体を生成する。なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ₃）₃Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ₃）₃Ａｌ）、インジウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ₃）₃Ｉｎ）、Ａｓの原料ガスとしては、例えばトリメチルヒ素（（ＣＨ_３）_３Ａｓ）をそれぞれ用いる。また、ケイ素の原料ガスとしては、例えばモノシラン（ＳｉＨ₄）を用い、炭素の原料ガスとしては、例えば、四臭化炭素（ＣＢｒ₄）を用いる。

　次のステップＳ２では、メサＭを形成する（図８参照）。具体的には、先ず、フォトリソグラフィにより、積層体の第２反射鏡１０８側の表面（上面）のメサＭが形成されることとなる箇所を覆うレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、積層体を例えばＣｌ_２やＳｉＣｌ_４、Ａｒを用いたＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）ドライエッチングにより電流注入層１０３が露出するまでエッチングし、電流注入層１０３上にメサＭを形成する。このとき、電流注入層１０３の活性層１０６側の表層がエッチングストップ層（例えばＩｎＧａＰ）であれば、電流注入層１０３がエッチングされることをより確実に抑制することができる。その後、該レジストパターンを除去する。

　次のステップＳ３では、第１電極１０９を形成する（図９参照）。具体的には、例えばリフトオフ法を用いて、電流注入層１０３のメサＭの周辺の領域上に第１電極１０９をメサＭを取り囲むように枠状（例えばリング状）に形成する。このとき、第１電極１０９の電極材料の成膜には、真空蒸着、スパッタ等を用いる。

　最後のステップＳ４では、第２電極１１０を形成する（図１０参照）。具体的には、例えばリフトオフ法を用いて、メサＭの頂部（第２反射鏡１０８の上面）上に第２電極１１０をベタ状に形成する。このとき、第２電極１１０の電極材料の成膜には、真空蒸着、スパッタ等を用いる。

≪面発光レーザの効果≫
　以下、面発光レーザ１０の効果について説明する。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０は、第１反射鏡１０２を含む第１構造ＳＴ１と、該第１構造ＳＴ１と積層された、第２反射鏡１０８を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された活性層１０６とを備え、第１反射鏡１０２の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に電流注入層１０３が設けられている。

　この場合、電流注入層１０３が直列抵抗及び光損失の双方を低減可能な位置に配置される。

　結果として、面発光レーザ１０によれば、直列抵抗及び光損失の双方を低減することができる面発光レーザを提供することができる。

　電流注入層１０３は、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることが好ましい。これにより、直列抵抗及び光損失の双方を十分に低減することができる。

　第１反射鏡１０２は、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２を活性層１０６側からこの順に有し、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２の間に電流注入層１０３が配置されている。これにより、電流注入層１０３と活性層１０６との間に第１反射鏡１０２の一部である第１構成層１０２－１を位置させることができるため、第１構成層１０２－１により発振閾値利得を高めることができ、且つ、電流注入層１０３での光吸収を低減することができる。

　第１構成層１０２－１は、ペア数が１ペア以上６ペア以下の多層膜反射鏡である。これにより、直列抵抗、電流注入層１０３による光吸収、発振閾値利得及びスロープ効率の少なくとも１つを好適な値にすることができる。

　電流注入層１０３は、第１構成層１０２－１よりも厚く、且つ、第２構成層１０２－２よりも薄いことが好ましい。これにより、第１反射鏡１０２の反射率を維持しつつ直列抵抗の更なる低減を図ることができる。

　電流注入層１０３は、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^－３以上～１×１０^１９ｃｍ^－３以下の化合物半導体層を含む。これにより、電流注入層１０３の低抵抗化及び光吸収低減をバランスさせることができる。

　電流注入層１０３は、Ｉｎを含む化合物半導体層を含むことが好ましい。これにより、メサＭ形成時に電流注入層１０３がエッチングされることを抑制できる。

　第１反射鏡１０２は、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２を有し、電流注入層１０３上に第１構成層１０２－１、活性層１０６及び第２反射鏡１０８を含むメサＭが形成され、電流注入層１０３の、メサＭの周辺の領域上に第１電極１０９が設けられている。これにより、簡易な手法により、電流注入層１０３上に第１電極１０９を設けることができる。

　第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２の各々は、半導体多層膜反射鏡であり、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２のうち活性層１０６から近い方である第１構成層１０２－１が不純物半導体からなり、遠い方である第２構成層１０２－２が真性半導体からなる。これにより、活性層１０６と電流注入層１０３との間を導通させ、且つ、第２構成層１０２－２側への電流の拡散を抑制することができ電流注入層１０３内での電流密度を高めることができる。

　以上の説明から分かるように、面発光レーザ１０によれば、共振器長を徒に長くすることなく電流注入層１０３による光吸収を低減することができ、ひいては駆動電圧（直列抵抗）及び光損失の低減を図ることができる。

＜２．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ＞
　≪面発光レーザの構成≫
　図１１は、本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ２０の断面図である。面発光レーザ２０は、図１１に示すように、第２反射鏡１０８が第１及び第２構成層１０８－１、１０８－２を活性層１０６側からのこの順に有し、第１及び第２構成層１０８－１、１０８－２の間に電流注入層１０３が配置されている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ２０では、電流注入層１０３上に第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２を含むメサＭが形成されている。電流注入層１０３の、メサＭの周辺の領域上に第２電極１１０が設けられている。第２電極１１０は、一例としてメサＭを取り囲むように枠状（例えばリング状）に設けられている。第１電極１０９は、基板１０１の裏面（下面）にベタ状に設けられている。第１反射鏡１０２は、基板１０１と第１クラッド層１０５との間に配置されている。

　面発光レーザ２０では、基板１０１は、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ（例えばｎ－ＧａＡｓ）からなる。第１反射鏡１０２（下部ＤＢＲ）は、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｎ－ＧａＡｓ／ｎ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。第１反射鏡１０２のペア数は、例えば３４ペアである。第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１（中間ＤＢＲ）が、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｐ－ＧａＡｓ／ｐ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。第１構成層１０８－１のペア数は、例えば２ペアである。電流注入層１０３は、一例として、ｐ型のＧａＡｓ（ｐ－ＧａＡｓ）からなる。電流注入層１０３には、一例としてｐ型不純物（例えばＣ）が高濃度（例えば１×１０^１９ｃｍ^－３）でドープされている。電流注入層１０３の光学厚さは、例えばλである。第２反射鏡１０８は、ｉ型のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）である。第２反射鏡１０８のペア数は、例えば１６ペアである。なお、第２反射鏡１０８は、例えば第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｐ－ＧａＡｓ／ｐ－ＡｌＧａＡｓ）であってもよい。

　面発光レーザ２０では、第１反射鏡１０２の反射率が第２反射鏡１０８の反射率よりも僅かに高く設定されており、第２反射鏡１０８の上面からレーザ光を出射する。すなわち、面発光レーザ２０は、表面出射型の面発光レーザである。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ２０の動作について簡単に説明する。面発光レーザ２０では、例えばレーザドライバの陽極側から供給され第２電極１１０（アノード電極）から流入した電流
は、電流注入層１０３、第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１及び第２クラッド層１０７をこの順に介して活性層１０６に注入される。このとき、活性層１０６が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０８の間を活性層１０６で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに、第２反射鏡１０８の上面から出射光ＥＬとして出射される。活性層１０６を経た電流は、第１クラッド層１０５、第１反射鏡１０２及び基板１０１をこの順に介して第１電極１０９（カソード電極）へ至り、該第１電極１０９から例えばレーザドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　面発光レーザ２０は、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法に準じた製造方法により製造できる。

≪面発光レーザの効果≫
　面発光レーザ２０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の効果を得ることができる。

＜３．本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ＞
≪面発光レーザの構成≫
　図１２は、本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ３０の断面図である。図１３は、面発光レーザ３０の平面図である。図１２は、図１３の１２－１２断面図である。面発光レーザ３０は、第１反射鏡１０２の少なくとも内部に電流注入層１０３としての第１電流注入層１０３Ａが設けられ、且つ、第２反射鏡１０８の少なくとも内部に電流注入層１０３としての第２電流注入層１０３Ｂが設けられている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０では、第１反射鏡１０２は、第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２を活性層１０６側からこの順に有する。第２反射鏡１０８は、第１及び第２構成層１０８－１、１０８－２を活性層１０６側からこの順に有する。第１反射鏡１０２の第１及び第２構成層１０２－１、１０２－２の間に電流注入層１０３としての第１電流注入層１０３Ａが設けられている。第２反射鏡１０８の第１及び第２構成層１０８－１、１０８－２の間に電流注入層１０３としての第２電流注入層１０３Ｂが設けられている。

　面発光レーザ３０では、基板１０１に半絶縁性のＧａＡｓ基板（ｉ－ＧａＡｓ基板）が用いられている。第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２は、アンドープ（ｉ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｉ－ＧａＡｓ／ｉ－ＡｌＧａＡｓ）である。第２構成層１０２－２のペア数は、例えば３４ペアである。第１電流注入層１０３Ａは、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ（例えばｎ－ＧａＡｓ）からなる。第１電流注入層１０３Ａには、一例としてｎ型不純物（例えばＳｉ）が高濃度（例えば５×１０^１８ｃｍ^－３）でドープされている。第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１は、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｎ－ＧａＡｓ／ｎ－ＡｌＧａＡｓ）である。第１構成層１０２－１のペア数は、例えば２ペアである。第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１は、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｐ－ＧａＡｓ／ｐ－ＡｌＧａＡｓ）である。第１構成層１０８－１のペア数は、例えば２ペアである。第２電流注入層１０３Ｂは、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ（例えばｐ－ＧａＡｓ）からなる。第２電流注入層１０３Ｂには、一例としてｐ型不純物（例えばＣ）が高濃度（例えば１×１０^１９ｃｍ^－３）でドープされている。第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２は、アンドープ（ｉ型）のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡（例えばｉ－ＧａＡｓ／ｉ－ＡｌＧａＡｓ）である。第２構成層１０８－２のペア数は、例えば１６ペアである。なお、第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２は、第１導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡であってもよい。第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２は、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であってもよい。

　さらに、面発光レーザ３０では、第１電流注入層１０３Ａ上に第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１、活性層１０６、第２反射鏡１０８の第１構成層１０２－１及び第２電流注入層１０３Ｂを含む第１メサＭ１が形成されている。第２電流注入層１０３Ｂ上に第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２を含む第２メサＭ２が形成されている。第１電流注入層１０３Ａの、第１メサＭ１の周辺の領域上に第１電極１０９が枠状（例えばリング状）に設けられている。第２電流注入層１０３Ｂの、第２メサＭ２の周辺の領域上に第２電極１１０が枠状（例えばリング状）に設けられている。メサＭ１、Ｍ２の高さは、一例として、いずれも２μｍ程度とされている。

　面発光レーザ３０は、第２反射鏡１０８の反射率を第１反射鏡１０２の反射率よりも僅かに高くすることにより、裏面出射型の面発光レーザを構成することができる。面発光レーザ３０は、第１反射鏡１０２の反射率を第２反射鏡１０８の反射率よりも僅かに高くすることにより、表面出射型の面発光レーザを構成することができる。

　第１電流注入層１０３Ａは、第１反射鏡１０２の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に設けられている。第１電流注入層１０３Ａは、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることが好ましい。

　第２電流注入層１０３Ｂは、第２反射鏡１０８の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に設けられている。第２電流注入層１０３Ｂは、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることが好ましい。

　面発光レーザ３０でも、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１及び第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１の各々のペア数は、例えば１～６ペアであることが好ましく、例えば２～５ペアであることがより好ましく、２ペアであることより一層好ましい。

　第１電流注入層１０３Ａの活性層１０６側の表層は、Ｉｎを含む化合物半導体（例えばＩｎＧａＰ）からなるエッチングストップ層であることが好ましい。第２電流注入層１０３Ｂの活性層１０６側とは反対側の表層は、Ｉｎを含む化合物半導体（例えばＩｎＧａＰ）からなるエッチングストップ層であることが好ましい。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ３０の動作について簡単に説明する。ここでは、面発光レーザ３０が裏面出射型である場合を例にとって説明する。面発光レーザ３０では、例えばレーザドライバの陽極側から供給され第２電極１１０（アノード電極）から流入した電流は、第２電流注入層１０３Ｂ、第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１及び第２クラッド層１０７をこの順に介して活性層１０６に注入される。このとき、活性層１０６が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０８の間を活性層１０６で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに、基板１０１の裏面から出射光ＥＬとして出射される。活性層１０６を経た電流は、第１クラッド層１０５、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１及び第１電流注入層１０３Ａをこの順に介して第１電極１０９（カソード電極）へ至り、該第１電極１０９から例えばレーザドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　以下、面発光レーザ３０の製造方法について、図１４のフローチャート等を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ（以下では、便宜上「基板１０１」とも呼ぶ）上に複数の面発光レーザ３０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ３０を互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザ３０を得る。

　最初のステップＳ１１では、積層体を生成する（図１５参照）。具体的には、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、成長基板としての基板１０１（例えばｉ－ＧａＡｓ基板）上に第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２、第１電流注入層１０３Ａ、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１、第１クラッド層１０５、活性層１０６、第２クラッド層１０７、第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１、第２電流注入層１０３Ｂ及び第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２をこの順に積層して（例えば成長温度６０５℃にてエピタキシャル成長させて）、積層体を生成する。なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ₃）₃Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ₃）₃Ａｌ）、インジウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ₃）₃Ｉｎ）、Ａｓの原料ガスとしては、例えばトリメチルヒ素（（ＣＨ_３）_３Ａｓ）をそれぞれ用いる。また、ケイ素の原料ガスとしては、例えばモノシラン（ＳｉＨ₄）を用い、炭素の原料ガスとしては、例えば、四臭化炭素（ＣＢｒ₄）を用いる。

　次のステップＳ１２では、第１メサＭを形成する（図１６参照）。具体的には、先ず、フォトリソグラフィにより、積層体の第２反射鏡１０８側の表面（上面）の第１メサＭ１が形成されることとなる箇所を覆うレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、積層体を例えばＣｌ_２やＳｉＣｌ_４、Ａｒを用いたＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）ドライエッチングにより第１電流注入層１０３Ａが露出するまでエッチングし、第１電流注入層１０３Ａ上にメサＭ１を形成する。このとき、第１電流注入層１０３Ａの活性層１０６側の表層がエッチングストップ層（例えばＩｎＧａＰ）であれば、第１電流注入層１０３Ａがエッチングされることをより確実に抑制することができる。その後、該レジストパターンを除去する。

　次のステップＳ１３では、第１電極１０９を形成する（図１７参照）。具体的には、例えばリフトオフ法を用いて、第１電極１０９を第１電流注入層１０３Ａの第１メサＭ１の周辺の領域上に第１メサＭ１を取り囲むように枠状（例えばリング状）に形成する。このとき、第１電極１０９の電極材料の成膜には、真空蒸着、スパッタ等を用いる。

　次のステップＳ１４では、第２メサＭを形成する（図１８参照）。具体的には、先ず、フォトリソグラフィにより、積層体の第２反射鏡１０８側の表面（上面）の第２メサＭ２が形成されることとなる箇所を覆うレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、積層体を例えばＣｌ_２やＳｉＣｌ_４、Ａｒを用いたＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）ドライエッチングにより第２電流注入層１０３Ｂが露出するまでエッチングし、第２電流注入層１０３Ｂ上に第２メサＭ２を形成する。このとき、第２電流注入層１０３Ｂの活性層１０６側とは反対側の表層がエッチングストップ層（例えばＩｎＧａＰ）であれば、第２電流注入層１０３Ｂがエッチングされることをより確実に抑制することができる。その後、該レジストパターンを除去する。

　最後のステップＳ１５では、第２電極１１０を形成する（図１９参照）。具体的には、例えばリフトオフ法を用いて、第２電極１１０を第２電流注入層１０３Ｂの第２メサＭ２の周辺の領域上に第２メサＭ２を取り囲むように枠状（例えばリング状）に形成する。このとき、第２電極１１０の電極材料の成膜には、真空蒸着、スパッタ等を用いる。

≪面発光レーザの効果≫
　面発光レーザ３０によれば、第１反射鏡１０２、１０８の少なくとも内部にそれぞれ電流注入層１０３Ａ、１０３Ｂが設けられているので、直列抵抗をより低減することができ、且つ、活性層１０６への電流注入効率をより向上することができる。

＜４．本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ＞
≪面発光レーザの構成≫
　図２０は、本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ４０の断面図である。面発光レーザ４０は、第２電流注入層１０３Ｂ（別の電流注入層）が活性層１０６と第２反射鏡１０８との間に設けられている点を除いて、第３実施形態に係る面発光レーザ３０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ４０では、第２電流注入層１０３Ｂが、第２クラッド層１０７と第２反射鏡１０８との間に配置されている。ここでは、第２電流注入層１０３Ｂの積層方向の位置は、第２クラッド層１０７の厚さに依存する。

　面発光レーザ４０でも、第１電流注入層１０３Ａは、第１反射鏡１０２の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に設けられている。第１電流注入層１０３Ａは、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることが好ましい。

　面発光レーザ４０では、第２電流注入層１０３Ｂは、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に設けられていることが好ましい。第２電流注入層１０３Ｂは、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることがより好ましい。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ４０の動作について簡単に説明する。ここでは、面発光レーザ４０が裏面出射型である場合を例にとって説明する。面発光レーザ４０では、例えばレーザドライバの陽極側から供給され第２電極１１０（アノード電極）から流入した電流は、第２電流注入層１０３Ｂ及び第２クラッド層１０７をこの順に介して活性層１０６に注入される。このとき、活性層１０６が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０８の間を活性層１０６で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに、基板１０１の裏面から出射光ＥＬとして出射される。活性層１０６を経た電流は、第１クラッド層１０５、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１及び第１電流注入層１０３Ａをこの順に介して第１電極１０９（カソード電極）へ至り、該第１電極１０９から例えばレーザドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　面発光レーザ４０は、第３実施形態に係る面発光レーザ３０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。

　面発光レーザ４０によれば、第３実施形態に係る面発光レーザ３０と概ね同様の効果を奏する。

＜５．本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ＞
≪面発光レーザの構成≫
　図２１は、本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ５０の断面図である。面発光レーザ５０は、第１電流注入層１０３Ａ（別の電流注入層）が活性層１０６と第１反射鏡１０２との間に設けられている点を除いて、第３実施形態に係る面発光レーザ３０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ５０では、第１電流注入層１０３Ａが、第１クラッド層１０５と第１反射鏡１０２との間に配置されている。ここでは、第１電流注入層１０３Ａの積層方向の位置は、第１クラッド層１０５の厚さに依存する。

　面発光レーザ５０では、第１電流注入層１０３Ａは、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に設けられていることが好ましい。第１電流注入層１０３Ａは、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることがより好ましい。

　面発光レーザ５０でも、第２電流注入層１０３Ｂは、第２反射鏡１０８の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に設けられている。第２電流注入層１０３Ｂは、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されていることが好ましい。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ５０の動作について簡単に説明する。ここでは、面発光レーザ５０が裏面出射型である場合を例にとって説明する。面発光レーザ５０では、例えばレーザドライバの陽極側から供給され第２電極１１０（アノード電極）から流入した電流は、第２電流注入層１０３Ｂ、第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１及び第２クラッド層１０７をこの順に介して活性層１０６に注入される。このとき、活性層１０６が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０８の間を活性層１０６で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに、基板１０１の裏面から出射光ＥＬとして出射される。活性層１０６を経た電流は、第１クラッド層１０５及び第１電流注入層１０３Ａをこの順に介して第１電極１０９（カソード電極）へ至り、該第１電極１０９から例えばレーザドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　面発光レーザ５０は、第３実施形態に係る面発光レーザ３０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。

　面発光レーザ５０によれば、第３実施形態に係る面発光レーザ３０と概ね同様の効果を奏する。

＜６．本技術の変形例＞

　本技術は、上記各実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。

（本技術の第１実施形態の変形例１に係る面発光レーザ）
　図２２に示す第１実施形態の変形例１に係る面発光レーザ１０－１は、第２電極１１０が枠状（例えばリング状）であり、第２反射鏡１０８の上面から出射光ＥＬを出射する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。面発光レーザ１０－１によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する表面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例２に係る面発光レーザ）
　図２３に示す第１実施形態の変形例２に係る面発光レーザ１０－２は、第２反射鏡１０８の内部に酸化狭窄層１１１が設けられている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。酸化狭窄層１１１は、非酸化領域１１１ａ（例えばＡｌＡｓ層）と、該非酸化領域１１１ａを取り囲む酸化領域１１１ｂ（例えばＡｌ_２Ｏ_３層）とを含む。酸化狭窄層１１１は、電流・光狭窄層として機能する。酸化狭窄層１１１は、共振器内の他の位置に設けられてもよい。面発光レーザ１０－２によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、電流・光狭窄機能を持つ裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例３に係る面発光レーザ）
　図２４に示す第１実施形態の変形例３に係る面発光レーザ１０－３は、少なくとも第２反射鏡１０８の周辺部（例えば第２反射鏡１０８、第２クラッド層１０７、第１活性層１０６及び第１クラッド層１０５の周辺部）にイオン注入領域１１２が形成されている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。イオン注入領域１１２に用いられるイオン種としては、例えばＨ^＋、Ｂ^＋等が挙げられる。イオン注入領域１１２は、電流狭窄層として機能する。面発光レーザ１０－３によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、電流狭窄機能を持つ裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例４に係る面発光レーザ）
　図２５に示す第１実施形態の変形例４に係る面発光レーザ１０－４は、メサの代わりに平面視枠状（例えば平面視リング状）のトレンチＴＲが形成されている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。トレンチＴＲの底面は、電流注入層１０３の上面となっている。トレンチＴＲの底面上に第１電極１０９が設けられている。面発光レーザ１０－４によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する、メサレス構造を持つ裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例５に係る面発光レーザ）
　図２６に示す第１実施形態の変形例５に係る面発光レーザ１０－５は、トレンチＴＲ内にパッドメタル１１３及びメッキメタル１１４が積層された配線が設けられている点を除いて、変形例４に係る面発光レーザ１０－４と同様の構成を有する。パッドメタル１１３は、トレンチＴＲの壁面に沿って延在し、一端が第１電極１０９に接し、且つ、他端が第２反射鏡１０８の上面に露出している。メッキメタル１１４は、トレンチＴＲ内においてパッドメタル１１３で囲まれた溝を埋め込むように設けられている。トレンチＴＲの周辺には、イオン注入領域１１２が設けられている。イオン注入領域１１２は、第２構造ＳＴ２及び活性層１０６と上記配線とを絶縁する機能と、電流狭窄機能とを併せ持つ。なお、上記配線は、例えば厚膜に設けられたパッドメタル１１３のみで構成されてもよい。面発光レーザ１０－５によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、例えばレーザドライバにフリップチップで（ジャンクションダウンで）実装するのに適する裏面出射型の面発光レーザを実現できる。

（本技術の第１実施形態の変形例６に係る面発光レーザ）
　図２７に示す第１実施形態の変形例６に係る面発光レーザ１０－６は、第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２が誘電体多層膜反射鏡である点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ１０－６では、基板１０１の裏面に第２構成層１０２－２としての誘電体多層膜反射鏡が設けられている。該誘電体多層膜反射鏡の材料は、例えばＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２である。誘電体多層膜反射鏡は、少ないペア数で高反射率を得ることが可能である。面発光レーザ１０－６によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する、薄型の裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例７に係る面発光レーザ）
　図２８に示す第１実施形態の変形例７に係る面発光レーザ１０－７は、第２反射鏡１０８が誘電体多層膜反射鏡である点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ１０－７では、第２クラッド層１０７の上面に第２反射鏡１０８としての誘電体多層膜反射鏡がメサ状に設けられている。該誘電体多層膜反射鏡の材料は、例えばＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２である。面発光レーザ１０－７によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する、薄型の裏面出射型又は表面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例８に係る面発光レーザ）
　図２９に示す第１実施形態の変形例８に係る面発光レーザ１０－８は、第１反射鏡１０２の第２構成層１０２－２及び第２反射鏡１０８のいずれも誘電体多層膜反射鏡である点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ１０－８では、基板１０１の裏面に第２構成層１０２－２としての誘電体多層膜反射鏡が設けられ、且つ、第２クラッド層１０７の上面に第２反射鏡１０８としての誘電体多層膜反射鏡がメサ状に設けられている。各誘電体多層膜反射鏡の材料は、例えばＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２である。面発光レーザ１０－８によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する、超薄型の裏面出射型又は表面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第１実施形態の変形例９に係る面発光レーザ）
　図３０に示す第１実施形態の変形例９に係る面発光レーザ１０－９は、第２反射鏡１０８が誘電体多層膜反射鏡１０８ａ及び金属反射鏡１０８ｂを含むハイブリッドミラーである点及び第２電極１１０を有してない点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ１０－９では、第２クラッド層１０７の上面に第２反射鏡１０８の誘電体多層膜反射鏡１０８ａがメサ状に設けられ、且つ、該誘電体多層膜反射鏡１０８ａ及び第２クラッド層１０７の上面の周辺部を覆うように金属反射鏡１０８ｂが設けられている。該誘電体多層膜反射鏡の材料は、例えばＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２である。金属反射鏡１０８ｂは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属からなり、第２電極１１０の機能及び放熱機能を持つ。面発光レーザ１０－９によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する、高出力且つ高放熱性の裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第２実施形態の変形例１に係る面発光レーザ）
　図３１に示す第２実施形態の変形例１に係る面発光レーザ２０－１は、裏面出射型の面発光レーザである点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ２０－１では、第１電極１０９が基板１０１の裏面に枠状（例えばリング状）に設けられている。面発光レーザ２０－１によれば、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の効果を奏する、裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第２実施形態の変形例２に係る面発光レーザ）
　図３２に示す第２実施形態の変形例２に係る面発光レーザ２０－２は、第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２が誘電体多層膜反射鏡である点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の構成を有する。面発光レーザ２０－２では、電流注入層１０３の上面に第２構成層１０８－２としての誘電体多層膜反射鏡がメサ状に設けられている。該誘電体多層膜反射鏡の材料は、例えばＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２である。面発光レーザ２０－２によれば、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の効果を奏する、薄型の裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第３実施形態の変形例に係る面発光レーザ）
　図３３に示す第３実施形態の変形例に係る面発光レーザ３０－１は、第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２が誘電体多層膜反射鏡である点を除いて、第３実施形態に係る面発光レーザ３０と同様の構成を有する。面発光レーザ３０－１では、第２電流注入層１０３Ｂの上面に第２構成層１０８－２としての誘電体多層膜反射鏡がメサ状に設けられている。誘電体多層膜反射鏡の材料は、例えばＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２である。面発光レーザ３０－１によれば、第３実施形態に係る面発光レーザ３０と同様の効果を奏する、薄型の裏面出射型又は表面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第４実施形態の変形例に係る面発光レーザ）
　図３４に示す第４実施形態の変形例に係る面発光レーザ４０－１は、第２電流注入層１０３Ｂが第２クラッド層１０７の少なくとも内部に設けられている点を除いて、第４実施形態に係る面発光レーザ４０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ４０－１では、第２クラッド層１０７が第１及び第２構成層１０７－１、１０７－２を活性層１０６側からこの順に有する。第１及び第２構成層１０７－１、１０７－２の間に第２電流注入層１０３Ｂが配置されている。面発光レーザ４０－１では、第１反射鏡１０２の第１構成層１０２－１、第１クラッド層１０５、活性層１０６、第２クラッド層１０７の第１構成層１０７－１及び第２電流注入層１０３ＢによりメサＭ１が構成され、第２クラッド層１０７の第２構成層１０７－２及び第２反射鏡１０８により第２メサＭ２が構成されている。面発光レーザ４０－１によれば、第４実施形態に係る面発光レーザ４０と同様の効果を奏する、裏面出射型及び表面出射型の面発光レーザを提供できる。

（本技術の第５実施形態の変形例に係る面発光レーザ）
　図３５に示す第５実施形態の変形例に係る面発光レーザ５０－１は、第１電流注入層１０３Ａが第１クラッド層１０５の少なくとも内部に設けられている点を除いて、第５実施形態に係る面発光レーザ５０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ５０－１では、第１クラッド層１０５が第１及び第２構成層１０５－１、１０５－２を活性層１０６側からこの順に有する。第１及び第２構成層１０５－１、１０５－２の間に第１電流注入層１０３Ａが配置されている。面発光レーザ５０－１では、第１クラッド層１０５の第１構成層１０５－１、活性層１０６、第２クラッド層１０７、第２反射鏡１０８の第１構成層１０８－１及び第２電流注入層１０３ＢによりメサＭ１が構成され、第２反射鏡１０８の第２構成層１０８－２により第２メサＭ２が構成されている。

（本技術のその他の変形例）
　例えば、面発光レーザにおける電流閉じ込めは、酸化狭窄層やイオン注入領域によるものに限らない。例えばＧａ空孔拡散によりアパーチャの内外でバンドギャップエネルギー差を設けてキャリアを閉じ込めるＱＷＩ、埋め込みトンネルジャンクション等により電流狭窄を行ってもよい。

　例えば、面発光レーザにおける光閉じ込めは、酸化狭窄層によるものに限らない。例えば埋め込みトンネルジャンクション等の活性層１０６を含む中間構造の中央部を高抵抗領域又は絶縁領域で取り囲んだ構造のように、中間構造の中央部と周辺部とに屈折率差を生じさせ、該中央部に光を閉じ込める構造全般で光閉じ込めを行うことができる。

　例えば、面発光レーザの第１及び第２反射鏡の少なくとも一方は、互いに積層された、異種材料からなる複数の構成層を含んでいてもよい。具体的には、第１及び第２反射鏡は、半導体多層膜反射鏡及び誘電体多層膜反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよいし、半導体多層膜反射鏡及び金属反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよいし、誘電体多層膜反射鏡及び金属反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよいし、半導体多層膜反射鏡、誘電体多層膜反射鏡及び金属反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよい。

　例えば、基板１０１は、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、ＧａＮ基板、ＩｎＰ基板等であってもよい。いずれの場合も、基板１０１上に積層される半導体層は、基板１０１の材料に格子整合するものを適宜選択することが好ましい。面発光レーザには、波長帯２００～２０００ｎｍに含まれるいずれの発振波長となる材料も用いることが可能である。

　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザの第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の導電型（ｎ型及びｐ型）を入れ替えてもよい。

　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　以上説明した各実施形態及び各変形例において、面発光レーザを構成する各層の材料、導電型、厚さ、幅、数値、形状、大きさ等は、面発光レーザとして機能する範囲内で適宜変更可能である。

＜７．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体や、低消費電力デバイス(例えばスマートフォン、スマートウォッチ、マウス等)に搭載される装置として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光レーザは、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜８．面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施形態及び各変形例に係る面発光レーザの適用例について説明する。

　図３６は、本技術に係る電子機器の一例としての、面発光レーザ１０を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１０を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、レンズ１１５、１３０、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。

　受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１５は、面発光レーザ１０から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３０は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

　信号処理部１４０は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１０の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ１０に代えて、上記面発光レーザ１０－１～１０－９、２０、２０－１、２０－２、３０、３０－１、４０、４０－１、５０、５０－１のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。

＜９．距離測定装置を移動体に搭載した例＞
　図３７は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３７に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受・BR>ッ付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３７の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図３８は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図３８では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図３８には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１反射鏡を含む第１構造と、
　前記第１構造と積層された、第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第１反射鏡及び／又は前記第２反射鏡の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に電流注入層が設けられている、面発光レーザ。
（２）前記電流注入層は、光強度がピーク強度の１／ｅ２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されている、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記第１反射鏡及び／又は前記第２反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層が配置されている、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記第１構成層は、ペア数が１ペア以上６ペア以下の多層膜反射鏡である、（３）に記載の面発光レーザ。
（５）前記電流注入層は、前記第１構成層よりも厚く、且つ、前記第２構成層よりも薄い、（３）又は（４）に記載の面発光レーザ。
（６）前記電流注入層は、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^－３以上～１×１０^１９ｃｍ^－３以下の化合物半導体層を含む、（１）～（５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（７）前記電流注入層は、Ｉｎを含む化合物半導体層を含む、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（８）前記第１反射鏡は、前記第１及び第２構成層を有し、前記電流注入層上に前記第１構成層、前記活性層及び前記第２反射鏡を含むメサが形成され、前記電流注入層の、前記メサの周辺の領域上に電極が設けられている、（３）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記活性層と前記第２反射鏡との間に別の電流注入層が設けられている、（８）に記載の面発光レーザ。
（１０）前記第２構造は、前記活性層と前記第２反射鏡との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記クラッド層と前記第２反射鏡との間に配置されている、（９）に記載の面発光レーザ。
（１１）前記第２構造は、前記活性層と前記第２反射鏡との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記クラッド層の少なくとも内部に設けられている、（９）に記載の面発光レーザ。
（１２）前記活性層と前記第２反射鏡との間に別の電流注入層が設けられ、前記別の電流注入層上に前記第２反射鏡を含む別のメサが形成され、前記別の電流注入層の、前記別のメサの周辺の領域上に別の電極が設けられている、（９）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記第２反射鏡は、前記第１及び第２構成層を有し、前記電流注入層上に前記第２構成層を含むメサが形成され、前記電流注入層の、前記メサの周辺の領域上に電極が設けられている、（３）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）前記第１反射鏡と前記活性層との間に別の電流注入層が設けられている、（１３）に記載の面発光レーザ。
（１５）前記第１構造は、前記第１反射鏡と前記活性層との間に配置されたクラッド層を含み、前記別の電流注入層は、前記第１反射鏡と前記クラッド層との間に配置されている、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１６）前記第１構造は、前記第１反射鏡と前記活性層との間に配置されたクラッド層を含み、
　前記別の電流注入層は、前記クラッド層の少なくとも内部に設けられている、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１７）前記第１反射鏡と前記活性層との間に別の電流注入層が設けられ、前記別の電流注入層上に前記活性層及び前記第１構成層及び前記電流注入層を含む別のメサが形成され、前記別の電流注入層の、前記別のメサの周辺の領域上に別の電極が設けられている、（１３）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１８）前記第１及び第２反射鏡の少なくとも内部に前記電流注入層が設けられている、（１）に記載の面発光レーザ。
（１９）前記第１反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、前記第２反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、前記第１反射鏡の前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層としての第１電流注入層が設けられ、前記第２反射鏡の前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層としての第２電流注入層が設けられている、（１８）に記載の面発光レーザ。
（２０）前記第１電流注入層上に前記第１反射鏡の第１構成層、前記活性層、前記第２反射鏡の前記第１構成層及び前記第２電流注入層を含む第１メサが形成され、前記第２電流注入層上に前記第２反射鏡の前記第２構成層を含む第２メサが形成され、前記第１電流注入層の、前記第１メサの周辺の領域上に第１電極が設けられ、前記第２電流注入層の、前記第２メサの周辺の領域上に第２電極が設けられている、（１９）に記載の面発光レーザ。
（２１）前記第１及び第２反射鏡の少なくとも一方は、互いに積層された、異種材料からなる複数の構成層を有する、（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２２）前記第１及び第２反射鏡の少なくとも一方は、同種材料からなる第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有する、（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２３）前記第１及び第２反射鏡の少なくとも一方は、異種材料からなる第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有する、（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２４）前記第１及び第２反射鏡の少なくとも一方は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、
　前記第１構成層が不純物半導体からなる半導体多層膜反射鏡であり、
　前記第２構成層が真性半導体からなる半導体多層膜反射鏡である、（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２５）前記第１及び第２反射鏡の少なくとも一方は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、
　前記第１及び第２構成層は、導電型が同一の半導体多層膜反射鏡である、（１）～（２０）に記載の面発光レーザ。
（２６）前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層が配置されている、（２１）～（２５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２７）前記電流注入層の光学厚さは、０．５λ～１．５λである、（１）～（２６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。

　１０－１～１０－９、２０、２０－１、２０－２、３０、３０－１、４０、４０－１、５０、５０－１：面発光レーザ
　１０１：基板
　１０２：第１反射鏡
　１０２－１：第１反射鏡の第１構成層
　１０２－２：第１反射鏡の第２構成層
　１０３、１０３Ａ、１０３Ｂ：電流注入層
　１０５：第１クラッド層
　１０６：活性層
　１０７：第２クラッド層
　１０８：第２反射鏡
　１０８－１：第２反射鏡の第１構成層
　１０８－２：第２反射鏡の第２構成層
　１０９：第１電極（電極）
　１１０：第２電極（電極）
　ＳＴ１：第１構造
　ＳＴ２：第２構造
　Ｍ：メサ
　Ｍ１：第１メサ
　Ｍ２：第２メサ

Claims

　第１反射鏡を含む第１構造と、
　前記第１構造と積層された、第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第１反射鏡及び／又は前記第２反射鏡の少なくとも内部の、光強度がピーク強度の１／１０倍以上２／５倍以下となる範囲に電流注入層が設けられている、面発光レーザ。
　前記電流注入層は、光強度がピーク強度の１／ｅ^２倍以上１／ｅ倍以下となる範囲に配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１反射鏡及び／又は前記第２反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、
　前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層が配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記電流注入層は、前記第１構成層よりも厚く、且つ、前記第２構成層よりも薄い、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記電流注入層は、Ｉｎを含む化合物半導体層を含む、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１反射鏡は、前記第１及び第２構成層を有し、
　前記電流注入層上に前記第１構成層、前記活性層及び前記第２反射鏡を含むメサが形成され、
　前記電流注入層の、前記メサの周辺の領域上に電極が設けられている、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記活性層と前記第２反射鏡との間に別の電流注入層が設けられている、請求項６に記載の面発光レーザ。
　前記第２構造は、前記活性層と前記第２反射鏡との間に配置されたクラッド層を含み、
　前記別の電流注入層は、前記クラッド層と前記第２反射鏡との間に配置されている、請求項７に記載の面発光レーザ。
　前記第２構造は、前記活性層と前記第２反射鏡との間に配置されたクラッド層を含み、
　前記別の電流注入層は、前記クラッド層の少なくとも内部に設けられている、請求項７に記載の面発光レーザ。
　前記別の電流注入層上に前記第２反射鏡を含む別のメサが形成され、
　前記別の電流注入層の、前記別のメサの周辺の領域上に別の電極が設けられている、請求項７に記載の面発光レーザ。
　前記第２反射鏡は、前記第１及び第２構成層を有し、
　前記電流注入層上に前記第２構成層を含むメサが形成され、
　前記電流注入層の、前記メサの周辺の領域上に電極が設けられている、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記第１反射鏡と前記活性層との間に別の電流注入層が設けられている、請求項１１に記載の面発光レーザ。
　前記第１構造は、前記第１反射鏡と前記活性層との間に配置されたクラッド層を含み、
　前記別の電流注入層は、前記第１反射鏡と前記クラッド層との間に配置されている、請求項１２に記載の面発光レーザ。
　前記第１構造は、前記第１反射鏡と前記活性層との間に配置されたクラッド層を含み、
　前記別の電流注入層は、前記クラッド層の少なくとも内部に設けられている、請求項１２に記載の面発光レーザ。
　前記別の電流注入層上に前記活性層及び前記第１構成層及び前記電流注入層を含む別のメサが形成され、
　前記別の電流注入層の、前記別のメサの周辺の領域上に別の電極が設けられている、請求項１２に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２反射鏡の少なくとも内部に前記電流注入層が設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、
　前記第２反射鏡は、第１及び第２構成層を前記活性層側からこの順に有し、
　前記第１反射鏡の前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層としての第１電流注入層が設けられ、
　前記第２反射鏡の前記第１及び第２構成層の間に前記電流注入層としての第２電流注入層が設けられている、請求項１６に記載の面発光レーザ。
　前記第１電流注入層上に前記第１反射鏡の第１構成層、前記活性層、前記第２反射鏡の前記第１構成層及び前記第２電流注入層を含む第１メサが形成され、
　前記第２電流注入層上に前記第２反射鏡の前記第２構成層を含む第２メサが形成され、　前記第１電流注入層の、前記第１メサの周辺の領域上に第１電極が設けられ、
　前記第２電流注入層の、前記第２メサの周辺の領域上に第２電極が設けられている、請求項１７に記載の面発光レーザ。