WO2022158301A1 - 面発光レーザ、電子機器及び面発光レーザの製造方法 - Google Patents

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孝博 荒木田
新一 我妻
倫太郎 幸田
康貴 比嘉
修 前田
耕太 徳田
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ソニーグループ株式会社
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode

Definitions

  • this technology relates to surface emitting lasers, electronic devices, and methods of manufacturing surface emitting lasers.
  • a surface-emitting laser in which an active layer is arranged between first and second multilayer film reflectors.
  • Some surface-emitting lasers have a tunnel junction, an active layer, and a current confinement layer laminated in this order between first and second multilayer reflectors (see, for example, Patent Document 1).
  • the main object of the present technology is to provide a surface-emitting laser that can suppress a decrease in luminous efficiency.
  • the present technology includes first and second multilayer film reflectors, a plurality of active layers stacked between the first and second multilayer reflectors; a tunnel junction disposed between two active layers adjacent in the stacking direction among the plurality of active layers; an oxidized constricting layer disposed between one of the two adjacent active layers and the tunnel junction;
  • a surface-emitting laser comprising: The one active layer may be arranged at a position farther from the emission surface of the surface emitting laser than the other active layer of the two adjacent active layers. The one active layer may be arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is farther from the exit surface than the one closer to the exit surface.
  • the one active layer may be arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is closer to the exit surface than to the other which is farther from the exit surface.
  • the one active layer may be arranged closer to the emission surface of the surface emitting laser than the other active layer of the two adjacent active layers.
  • the one active layer may be arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is farther from the exit surface than the one closer to the exit surface.
  • the one active layer may be arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is closer to the exit surface than to the other which is farther from the exit surface.
  • the plurality of active layers is at least three active layers, and the tunnel junction is disposed between two adjacent active layers of each set of at least two sets of two adjacent active layers among the plurality of active layers.
  • the oxidized constriction layer may be arranged therebetween.
  • the at least three active layers include first, second and third active layers, the first, second and third active layers are stacked in this order between the first and second active layers.
  • a first tunnel junction which is the tunnel junction, is arranged; a second tunnel junction, which is the tunnel junction, is arranged between the second and third active layers;
  • the oxidized constriction layer may be arranged between and/or between the second active layer and the second tunnel junction.
  • the first active layer may be the active layer arranged at the farthest position from the emission surface of the surface emitting laser among the plurality of active layers.
  • a first oxidized constricting layer which is the oxidized constricting layer, may be arranged between the first active layer and the first tunnel junction.
  • a second oxidized constricting layer which is the oxidized constricting layer, may be arranged between the second active layer and the second tunnel junction.
  • the oxidized constriction layer may not be arranged between the second active layer and the second tunnel junction.
  • Another oxidized constricting layer may be disposed inside the first and second multilayer film reflectors closer to the emission surface of the surface emitting laser.
  • Both the oxidized constricting layer and the another oxidized constricting layer may be formed by selectively oxidizing a layer made of an AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the oxidized constricting layer and the another oxidized constricting layer may differ from each other in Al composition and/or optical thickness.
  • the tunnel junction may have a layered structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated, and the oxidized constricting layer may be arranged on the p-type semiconductor layer side.
  • the one active layer, the tunnel junction and the oxidized constricting layer may be arranged within an optical thickness of 3 ⁇ /4.
  • the present technology also provides an electronic device including the surface emitting laser.
  • a structure including a laminated structure in which a first active layer, a selectively oxidized layer, a tunnel junction, and a second active layer are laminated in this order is laminated on a first multilayer reflector, and a step of laminating at least the second multilayer film reflector to produce a laminate; forming a mesa by etching the laminate until at least the side surface of the selectively oxidized layer is exposed; a step of selectively oxidizing the selectively oxidized layer from the side surface to form an oxidized constricting layer;
  • a method of manufacturing a surface emitting laser is also provided, comprising:
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a surface emitting laser according to a first embodiment of the present technology
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining a method for manufacturing a surface emitting laser according to the first embodiment of the present technology
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining the first step (laminate production process 1) in FIG. 2
  • FIG. FIG. 4 is a first step diagram of FIG. 3
  • FIG. 4 is a flow chart for explaining a second step (resonator base forming step 1) of FIG. 3
  • FIG. FIG. 6 is a first stacking process diagram of FIG. 5
  • FIG. 6 is a second stacking process diagram of FIG. 5
  • FIG. 6 is a view of the third lamination step of FIG. 5;
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining a method for manufacturing a surface emitting laser according to the first embodiment of the present technology
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining the first step (laminate production process 1) in FIG. 2
  • FIG. 6 is a fourth stacking step diagram of FIG. 5;
  • FIG. 6 is a view of the fifth lamination step of FIG. 5; It is a 3rd process drawing of FIG. FIG. 3 is a second process diagram of FIG. 2; It is a 3rd process drawing of FIG. FIG. 3 is a fourth process diagram of FIG. 2;
  • FIG. 3 is a fifth process diagram of FIG. 2;
  • FIG. 3 is a sixth process diagram of FIG. 2;
  • FIG. 3 is a seventh process diagram of FIG. 2; It is a sectional view showing composition of a surface emitting laser concerning modification 1 of a 1st embodiment of this art. It is a sectional view showing composition of a surface emitting laser concerning modification 2 of a 1st embodiment of this art.
  • FIG. 25 is a flowchart for explaining the first step (laminated body generation process 2) of FIG. 24; FIG. FIG.
  • FIG. 26 is a flow chart for explaining a second step (resonator base forming step 2) of FIG. 25;
  • FIG. FIG. 27 is a third stacking process diagram of FIG. 26;
  • FIG. 27 is a fourth stacking step diagram of FIG. 26;
  • FIG. 27 is a view of the fifth lamination process of FIG. 26;
  • FIG. 27 is a view of the sixth lamination process of FIG. 26;
  • FIG. 27 is a view of the seventh lamination process of FIG. 26;
  • FIG. 26 is a third process diagram of FIG. 25;
  • FIG. 25 is a second step diagram of FIG. 24; 24. It is a 3rd process drawing of FIG.
  • FIG. 25 is a fourth step diagram of FIG. 24;
  • FIG. 25 is a fifth step diagram of FIG. 24;
  • FIG. 25 is a sixth process diagram of FIG. 24; 24. It is the 7th process drawing of FIG. It is a sectional view showing composition of a surface emitting laser concerning modification 1 of a 2nd embodiment of this art. It is a sectional view showing composition of a surface emitting laser concerning modification 2 of a 2nd embodiment of this art. It is a sectional view showing composition of a surface emitting laser concerning modification 3 of a 2nd embodiment of this art.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a configuration of a surface-emitting laser according to Modification 4 of the second embodiment of the present technology; 1 is a plan view showing a configuration example of a surface emitting laser to which the present technology can be applied; FIG.
  • FIG. 44A is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 43.
  • FIG. 44B is a cross-sectional view taken along the line YY of FIG. 43.
  • FIG. It is a figure which shows the application example to the distance measuring device of the surface emitting laser which concerns on each embodiment of this technique, and its modification.
  • 1 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a vehicle control system;
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of the installation position of the distance measuring device;
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a surface-emitting laser 100 according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 shows the configuration of a surface-emitting laser 100 according to a first embodiment of the present technology.
  • the surface-emitting laser 100 as shown in FIG. 1, 104-2), a tunnel junction 108, and an oxide constriction layer 106.
  • FIG. 1 the surface-emitting laser 100, as shown in FIG. 1, 104-2), a tunnel junction 108, and an oxide constriction layer 106.
  • Each component of the surface emitting laser 100 is formed on a substrate 101 (semiconductor substrate) as an example.
  • the first and second multilayer film reflectors 102 and 112 are stacked on the substrate 101, for example.
  • the second multilayer reflector 112 is arranged above the first multilayer reflector 102 .
  • the first and second active layers 104-1, 104-2 are stacked together between the first and second multilayer reflectors 102, 112.
  • the tunnel junction 108 is arranged between first and second active layers 104-1 and 104-2, which are two adjacent active layers in the stacking direction (vertical direction) of the plurality of active layers.
  • the oxidized constricting layer 106 is, for example, the first active layer 104-1, which is one of the two active layers adjacent to each other in the stacking direction, that is, the first and second active layers 104-1 and 104-2, and the tunnel layer. It is arranged between junction 108 .
  • the first multilayer reflector 102 on the substrate 101, the first multilayer reflector 102, the first active layer 104-1, the oxidized constricting layer 106, the tunnel junction 108, the second active layer 104-2 and the second multilayer
  • the film reflectors 112 are laminated in this order from the substrate 101 side (lower side).
  • the resonator R is configured including the first and second active layers 104-1 and 104-2, the tunnel junction 108, and the oxidized constricting layer 106. That is, the surface emitting laser 100 has a resonator structure in which the resonator R is arranged between the first and second multilayer reflectors 102 and 112 .
  • the mesa M1 constitutes a resonator structure (excluding the other portion (lower portion) of the first multilayer reflector 102).
  • the height direction of the mesa M1 substantially coincides with the stacking direction.
  • the mesa M1 has, for example, a substantially cylindrical shape, but may have other shapes such as a substantially elliptical cylindrical shape, a substantially prismatic shape, a substantially truncated pyramid shape, a substantially truncated cone shape, and a substantially truncated elliptical cone shape.
  • the surface emitting laser 100 emits light from the emission surface ES at the top of the mesa M1. That is, the surface emitting laser 100 is, for example, a surface emitting surface emitting laser.
  • the first active layer 104-1 is located farther from the emission surface ES of the surface emitting laser 100 than the other active layer 104-2 of the two adjacent active layers.
  • the first active layer 104-1 is the other of the first and second multilayer reflecting mirrors 102 and 112, which is farther from the output surface ES than the second multilayer reflecting mirror 112, which is closer to the output surface ES. It is arranged at a position close to the multilayer film reflector 102 .
  • the first active layer 104-1 is arranged in the lower half of the resonator R, for example. More specifically, the first active layer 104-1 is arranged near the downstream end of the current path in the resonator R, for example.
  • the second active layer 104-2 is located closer to the second multilayer reflector 112 than the first multilayer reflector 102 is.
  • the second active layer 104-2 is arranged in the upper half of the resonator R, for example. More specifically, the second active layer 104-2 is arranged near the upstream end of the current path in the resonator R, for example.
  • the oxidized constricting layer 106 is located closer to the first multilayer reflector 102 than to the second multilayer reflector 112 . That is, the oxidized constricting layer 106 is arranged in the lower half of the resonator R, for example.
  • the substrate 101 is, for example, a first conductivity type (eg, n-type) semiconductor substrate (eg, GaAs substrate).
  • a cathode electrode 117 that is an n-side electrode is provided on the back surface (lower surface) of the substrate 101 .
  • the cathode electrode 117 may have a single-layer structure or a laminated structure.
  • the cathode electrode 117 is made of AuGe/Ni/Au, for example.
  • the first multilayer film reflector 102 is arranged on the substrate 101 as an example.
  • the first multilayer reflector 102 is, for example, a semiconductor multilayer reflector.
  • a multilayer reflector is also called a distributed Bragg reflector.
  • a semiconductor multilayer reflector which is a type of multilayer reflector (distributed Bragg reflector), absorbs little light and has high reflectance and conductivity.
  • the first multilayer reflector 102 is, for example, a semiconductor multilayer reflector of a first conductivity type (for example, n-type), and includes a plurality of types (for example, two types) of semiconductor layers having mutually different refractive indices.
  • Each refractive index layer of the first multilayer reflector 102 is made of a first conductivity type (for example, n-type) AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the first active layer 104-1 is arranged on the first multilayer reflector 102 via the first clad layer 103 made of a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the "cladding layer” is also called a "spacer layer”.
  • the first active layer 104-1 includes an active region made of a non-doped InGaAs-based compound semiconductor (eg, In 0.10 GaAs) and a guide region made of a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor (eg, Al 0.10 GaAs). It has a laminated structure in which barrier regions (guide regions at both ends in the lamination direction and barrier regions in the middle in the lamination direction) are alternately laminated.
  • the first active layer 104 has, for example, two layers of guide regions, two layers of barrier regions and three layers of active regions.
  • the thickness of each active region is, for example, 7 nm.
  • the thickness of the guide regions at both ends in the stacking direction is, for example, 10 nm.
  • the thickness of the intermediate barrier region in the lamination direction is, for example, 8 nm. Since the first active layer 104-1 has the laminated structure, the surface emitting laser 100 can perform laser oscillation with an oscillation wavelength of, for example, the 900 nm band.
  • the oxidized constricting layer 106 is arranged on the first active layer 104-1 via a spacer layer 105 made of a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor. Note that the spacer layer is also called a "cladding layer”.
  • the oxidized constricting layer 106 includes, for example, a non-oxidized region 106a made of an AlGaAs-based compound semiconductor (eg, AlGaAs, AlAs, etc.) and an oxidized region made of an AlGaAs-based compound semiconductor oxide (eg, Al 2 O 3 ) surrounding the non-oxidized region 106a. 106b.
  • the base material of the oxidized constricting layer 106 (selectively oxidized layer 106S to be described later), it is preferable to use an AlGaAs film having an Al composition of 90% or more. Assuming that the oscillation wavelength of the surface emitting laser 100 is ⁇ , the first active layer 104-1, the tunnel junction 108 and the oxidized constricting layer 106 are arranged within an optical thickness of 3 ⁇ /4.
  • the oxidized constriction layer is also called a "current confinement layer".
  • the tunnel junction 108 is arranged on the oxidized constricting layer 106 via a spacer layer 107 made of a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the tunnel junction 108 includes a p-type semiconductor layer 108a and an n-type semiconductor layer 108b stacked together.
  • the p-type semiconductor layer 108a is arranged on the substrate 101 side (lower side) of the n-type semiconductor layer 108b. More specifically, as an example, the p-type semiconductor layer 108a is arranged between the oxidized constricting layer 106 and the n-type semiconductor layer 108b so as to be in contact with the n-type semiconductor layer 108b.
  • the p-type semiconductor layer 108a is made of, for example, a GaAs-based compound semiconductor, an AlGaAs-based compound semiconductor, an InGaAs-based compound semiconductor, or an AlGaInP-based compound semiconductor having a high carrier concentration.
  • a dopant material for the p-type semiconductor layer 108a for example, C, Zn, Mg, or the like can be used.
  • a GaAs layer with a thickness of 10 nm doped with C (carbon) at a high concentration for example, 1 ⁇ 10 20 cm ⁇ 3 ) can be used.
  • the n-type semiconductor layer 107b is made of, for example, an n-type GaAs-based compound semiconductor, AlGaAs-based compound semiconductor, InGaAs-based compound semiconductor, or AlGaInP-based compound semiconductor having a high carrier concentration.
  • a dopant material for the n-type semiconductor layer 108b Si, Te, Se, or the like can be used.
  • As the n-type semiconductor layer 108b for example, a 20 nm-thick GaAs layer doped with Si (silicon) at a high concentration (eg, 5 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) can be used.
  • the second active layer 104-2 is arranged above the tunnel junction 108 via a spacer layer 109 made of a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the second active layer 104-2 has, for example, the same layer configuration as the first active layer 104-1. That is, for example, the second active layer 104-2 consists of an active region made of a non-doped InGaAs-based compound semiconductor (eg, In 0.10 GaAs) and a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor (eg, Al 0.10 GaAs).
  • the second active layer 104-2 has, for example, two layers of guide regions, two layers of barrier regions, and three layers of active regions.
  • the film thickness of each active region is, for example, 7 nm.
  • the film thickness of the guide regions at both ends in the stacking direction is, for example, 10 nm.
  • the film thickness of the intermediate barrier region in the stacking direction is, for example, 8 nm. Since the second active layer 104-2 has the laminated structure, the surface emitting laser 100 can perform laser oscillation with an oscillation wavelength of, for example, the 900 nm band.
  • the second multilayer reflector 112 is arranged on the second active layer 104-2 via a second cladding layer 111 made of a non-doped AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the second multilayer reflector 112 is, for example, a semiconductor multilayer reflector.
  • a multilayer reflector is also called a distributed Bragg reflector.
  • a semiconductor multilayer reflector which is a kind of multilayer reflector (distributed Bragg reflector), absorbs little light and has high reflectance and conductivity.
  • the second multilayer reflector 112 is, for example, a semiconductor multilayer reflector of a second conductivity type (for example, p-type), and includes a plurality of types (for example, two types) of semiconductor layers having different refractive indices. It has a structure in which layers are alternately laminated with an optical thickness of 1/4 wavelength of the oscillation wavelength.
  • Each refractive index layer of the second multilayer reflector 112 is made of a second conductivity type (for example, p-type) AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the second multilayer reflecting mirror 112 is set to have a slightly lower reflectance than the first multilayer reflecting mirror 102 .
  • An oxidized constricting layer 113 which is another oxidized constricting layer, is arranged inside the second multilayer film reflector 112 .
  • the second multilayer reflector 112 is, for example, the one of the first and second multilayer reflectors 102 and 112 closer to the emission surface ES of the surface emitting laser 100 .
  • the oxidized constricting layer 113 includes a non-oxidized region 113a made of a second conductivity type (eg, n-type) AlGaAs-based compound semiconductor (eg, AlGaAs, AlAs, etc.) and an AlGaAs-based compound semiconductor oxide ( and an oxidized region 113b made of, for example, Al 2 O 3 ).
  • a second conductivity type eg, n-type
  • AlGaAs-based compound semiconductor eg, AlGaAs, AlAs, etc.
  • AlGaAs-based compound semiconductor oxide eg, AlGaAs, AlAs, etc
  • the oxidized constricting layers 106 and 113 are formed, as an example, by selectively oxidizing a selectively oxidized layer made of an AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the oxidized constricting layers 106 and 113 preferably have different Al compositions and/or optical thicknesses.
  • the substrate layer to be selectively oxidized
  • the substrate is oxidized differently in the resonator R including the oxidized constricting layer 106 and in the second multilayer reflector 112 including the oxidized constricting layer 113. This is because it is necessary to individually set the oxidation rate in order to obtain a desired oxidized constriction diameter in the oxidized constriction layer.
  • the oxidation constriction diameters of the oxidation constriction layers 106 and 113 may be the same or different.
  • the selectively oxidized layer tends to have a higher oxidation rate as the Al composition increases, and tends to have a higher oxidation rate as the optical thickness increases.
  • a contact layer 114 made of a GaAs layer of the second conductivity type (for example, p-type) is arranged on the second multilayer film reflector 112 .
  • the contact layer 114 constitutes the top portion of the mesa M1, and the central portion (part other than the peripheral portion) of the upper surface of the contact layer 114 constitutes the emission surface ES.
  • the mesa M1 is covered with an insulating film 115 except for the central portion of the top surface of the contact layer 114 .
  • the insulating film 115 is made of dielectric material such as SiO 2 , SiN, and SiON. That is, a contact hole 115a is formed in the insulating film 115 on the top of the mesa M1 (for example, the contact layer 114), and the annular anode electrode 116, which is the p-side electrode, is formed in the contact hole 115a on the top of the mesa M1 (for example, the contact layer 114). For example, it is provided in contact with the contact layer 114).
  • the anode electrode 116 is arranged in the contact hole 115a such that its center substantially coincides with the center of the oxidized constricting layer 113 when viewed in the stacking direction.
  • the inner side of the anode electrode 116 serves as an exit port for laser light.
  • the anode electrode 116 may have a single-layer structure or a laminated structure.
  • the anode electrode 116 is made of Ti/Pt/Au, for example.
  • FIG. 2 shows a procedure for manufacturing not only the surface-emitting laser 100 but also derivatives of the surface-emitting laser 100 .
  • a plurality of surface-emitting laser arrays in which a plurality of surface-emitting lasers 100 are two-dimensionally arranged are simultaneously formed on a single wafer, which is the base material of the substrate 101, by a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus. Generate.
  • a plurality of integrated surface emitting laser arrays are separated by dicing to obtain a plurality of chip-shaped surface emitting laser arrays (surface emitting laser array chips).
  • a plurality of surface emitting lasers 100 are simultaneously generated on one wafer which is the base material of the substrate 101, and the plurality of surface emitting lasers 100 are separated by dicing. It is also possible to obtain a chip-shaped surface-emitting laser (surface-emitting laser chip).
  • the following series of steps are executed by the CPU of the semiconductor manufacturing equipment.
  • a stack generation process 1 is performed.
  • the layers constituting the surface-emitting laser 100 are successively laminated in a growth chamber by a chemical vapor deposition (CVD) method, such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, to form a laminate L1.
  • CVD chemical vapor deposition
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the first active layer 104-1, the selectively oxidized layer 106S, the tunnel junction 108, and the second active layer 104-2 are formed on the first multilayer reflector 102.
  • a structure including a laminated structure laminated in this order is laminated, and a second multilayer reflector 112 including a selectively oxidized layer 113S is laminated on the structure to generate a laminated body L1.
  • Laminate generation processing 1 (step S1 in FIG. 2) will be described below with reference to the flowchart in FIG.
  • Step S1-1 the first multilayer film reflector 102 is laminated on the substrate 101 (see FIG. 4).
  • Step S1-2 Resonator base material production step 1
  • a resonator substrate forming step 1 is performed.
  • Resonator substrate production step 1 is a step of producing a resonator substrate that will become the resonator R on the first multilayer film reflector 102, as will be described in detail below.
  • the resonator base material production step 1 will be described with reference to the flow chart of FIG. 5 and FIGS. 6 to 10 (first to fifth lamination process diagrams).
  • step S1-2-1 the first active layer 104-1 is laminated on the first multilayer reflector 102 (see FIG. 6). More specifically, the first active layer 104-1 is laminated on the first multilayer reflector 102 with the first cladding layer 103 interposed therebetween.
  • step S1-2-2 1 is set to n.
  • step S1-2-3 the n-th selectively oxidized layer 106S-n is laminated on the n-th active layer 104-n (see FIG. 7). More specifically, the nth selectively oxidized layer 106S-n is laminated on the first active layer 104-1 with the spacer layer 105 interposed therebetween.
  • the first selectively oxidized layer 106S-1 is the selectively oxidized layer 106S shown in FIG.
  • step S1-2-4 the nth tunnel junction 108-n is stacked on the nth selectively oxidized layer 106S-n (see FIG. 8). More specifically, the p-type semiconductor layer 108a and the n-type semiconductor layer 108b that constitute the n-th tunnel junction 108-n are stacked in this order on the n-th selectively oxidized layer 106S with the spacer layer 107 interposed therebetween.
  • step S1-2-5 the n+1th active layer 104-(n+1) is stacked on the nth tunnel junction 108-n (see FIG. 9). More specifically, the n+1th active layer 104-(n+1) is stacked on the nth tunnel junction 108-n with the spacer layer 109 interposed therebetween.
  • step S1-2-6 it is determined whether or not n ⁇ N. If the determination here is affirmative, the process proceeds to step S1-2-7, and if the determination is negative, the process proceeds to step S1-2-8.
  • step S1-2-7 n is incremented. After step S1-2-7 is executed, the process returns to step S1-2-3, and a series of processes from S1-2-3 to S1-2-5 are executed again. As a result, the selectively oxidized layer, the tunnel junction and the active layer are further laminated in this order on the second active layer 104-2 to produce a cavity base material for manufacturing a derived system of the surface emitting laser 100. can be done.
  • step S1-2-8 the second clad layer 111 is laminated on the n+1th active layer 104-(n+1) (see FIG. 10). As a result, a resonator base that becomes a resonator is produced.
  • Step S1-3 the second multilayer film reflector 112 is stacked on the resonator substrate (see FIG. 11). More specifically, on the second cladding layer 111 of the resonator substrate, the second multilayer reflector 112 including the selectively oxidized layer 113S inside and the contact layer 114 are laminated in this order. As a result, a laminate (for example, laminate L1) is generated. When step S1-3 is executed, the laminate generation process 1 ends.
  • step S2 the laminate (eg, laminate L1) is etched to form a mesa (eg, mesa M1) (see FIG. 12).
  • a resist pattern is formed by photolithography on the laminate L1 taken out from the growth chamber.
  • the laminate L1 is etched by, for example, RIE etching (reactive ion etching) until at least the side surface of the selectively oxidized layer 106S is exposed, thereby forming the mesa M1.
  • the etching is performed, for example, until the side surface of the first cladding layer 103 is completely exposed (for example, until the etched bottom surface is positioned within the first multilayer film reflector 102).
  • the resist pattern is removed.
  • step S3 the peripheral portions of the selectively oxidized layers 106S and 113S (see FIG. 12) are oxidized to form oxidized constricting layers 106 and 113 (see FIG. 13).
  • the mesa M1 is exposed to a steam atmosphere to oxidize (selectively oxidize) the layers 106S and 113S to be selectively oxidized from the side surfaces, thereby forming an oxidized constriction in which the non-oxidized region 106a is surrounded by the oxidized region 106b.
  • an oxidized constricting layer 113 is formed in which a region 113a to be oxidized is surrounded by an oxidized region 113b.
  • step S4 an insulating film 115 is formed (see FIG. 14). Specifically, for example, the insulating film 115 is formed over substantially the entire area of the laminate in which the mesa M1 is formed.
  • step S5 contact holes 115a are formed (see FIG. 15). Specifically, for example, a resist pattern is formed by photolithography on the insulating film 115 other than the insulating film 115 formed on the top of the mesa M1. Next, using this resist pattern as a mask, the insulating film 115 formed on the top of the mesa M1 is removed by etching using, for example, a hydrofluoric acid-based etchant. After that, the resist pattern is removed. As a result, a contact hole 115a is formed and the contact layer 114 is exposed.
  • step S6 the anode electrode 116 is formed (see FIG. 16). Specifically, for example, a Ti/Pt/Au film is formed on the contact layer 114 through the contact hole 115a by EB vapor deposition, and the resist and the Ti/Pt/Au on the resist are lifted off. Thus, an annular anode electrode 116 is formed in the contact hole 115a.
  • step S7 the cathode electrode 117 is formed (see FIG. 17). Specifically, after polishing the back surface (lower surface) of the substrate 101, for example, an AuGe/Ni/Au film is formed on the back surface. After step S7 is executed, the flow of FIG. 2 ends.
  • the surface emitting laser 100 includes first and second multilayer film reflectors 102 and 112, and first and second multilayer film reflectors.
  • a plurality of active layers (for example, first and second active layers 104-1 and 104-2) laminated between 102 and 112 and two active layers adjacent in the lamination direction among the plurality of active layers
  • a tunnel junction 108 arranged between certain first and second active layers 104-1 and 104-2, and the first active layer 104-1 and the tunnel junction 108, which are one active layer of two adjacent active layers.
  • an oxidized constricting layer 106 disposed between.
  • the current injected into the second active layer 104-2 through the tunnel junction 108 is confined by the oxidized constricting layer 106 and injected into the first active layer 104-1.
  • current can be efficiently injected into the first active layer 104-1, and a decrease in light emission efficiency in the first active layer 104-1 can be suppressed.
  • the surface emitting laser 100 of the first embodiment it is possible to provide a surface emitting laser capable of suppressing a decrease in luminous efficiency.
  • the surface emitting laser 100 when the light generated in each of the first and second active layers 104-1 and 104-2 reciprocates between the first and second multilayer reflectors 102 and 112, Since the oxidized constricting layer 106 increases the light confinement effect, it is also possible to expand the control range of the output angle of the laser light (output light).
  • the first active layer 104-1 which is one of the active layers (the active layer sandwiching the oxidized constricting layer 106 with the tunnel junction 108) is the second active layer 104-1 which is the other active layer of the two adjacent active layers. 2 from the emission surface ES of the surface-emitting laser 100 .
  • the oxidized constricting layer 106 can be arranged at a position farther from the exit surface ES (at least a position farther from the exit surface ES than the tunnel junction 108), and a current constriction effect can be obtained at this position.
  • the resonator R provided between the first and second multilayer film reflectors 102 and 112, it is arranged at a position farther from the output surface ES (at least a position farther from the output surface ES than the oxidized constricting layer 106).
  • the current injected into the first active layer 104-1 can be narrowed, and the current injection efficiency into the first active layer 104-1 can be improved. If the oxidized constricting layer 106 were not provided in the resonator, for example, the current supplied to the resonator from the side of the emission surface ES spreads in the resonator and spreads through the second active layer 104-2, The first active layer 104-1 is implanted in this order.
  • the first active layer 104-1 is located on the downstream end side of the current path in the resonator than the second active layer 104-2, a wider current is injected.
  • the first active layer 104-1 is in a more disadvantageous position than the second active layer 104-2 in terms of current injection efficiency. Therefore, it is of great significance that the current injected into the first active layer 104-1 can be confined.
  • the first active layer 104-1 which is one of the active layers (the active layer sandwiching the oxidized constricting layer 106 with the tunnel junction 108), is closer to the exit surface ES than the first and second multilayer reflectors 102 and 112. It is arranged at a position (for example, the lower half of the resonator R) closer to the first multilayer film reflector 102 which is farther from the exit surface ES than the second multilayer film reflector 112 which is one.
  • the current injected into the first active layer 104-1 arranged in the lower half of the resonator R can be effectively confined by the oxidized constricting layer 106, for example.
  • the first active layer 104-1 which is one of the active layers (the active layer sandwiching the oxidized constricting layer 106 with the tunnel junction 108), is the exit surface ES of the first and second multilayer reflectors 102 and 112. It may be arranged at a position closer to the second multilayer film reflector 112, which is closer to the exit surface ES than the first multilayer film reflector 102, which is the one farther from the exit surface ES (for example, the upper half of the resonator R).
  • the oxidized constricting layer 106, the tunnel junction 108, and the second active layer 104-2 are also positioned closer to the second multilayer reflector 112 than the first multilayer reflector 102 (for example, the upper half of the resonator R). may be placed in
  • An oxidized constricting layer 113 (another oxidized constricting layer) is arranged inside the first and second multilayer film reflectors 102 and 112 closer to the emission surface ES of the surface emitting laser 100 .
  • the first and second active layers 104-1 and 104-2 are positioned closer to the emission surface ES (for example, the upper half of the resonator R (specifically, near the upstream end of the current path in the resonator R)). ), the current injected into the second active layer 104-2 can be effectively constricted.
  • Both of the oxidized constricting layers 106 and 113 are preferably formed by selectively oxidizing a layer made of an AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the oxidized constricting layers 106 and 113 differ from each other in Al composition and/or optical thickness.
  • the oxidation confinement diameter of each of the oxidation constriction layers 106 and 113 can be set to a desired size when the selective oxidation process is performed in the same oxidation atmosphere (for example, in the same steam atmosphere).
  • the tunnel junction 108 has a layered structure in which a p-type semiconductor layer 108a and an n-type semiconductor layer 108b are laminated, and the oxidized constricting layer 106 is arranged on the p-type semiconductor layer 108a side.
  • the oxidized constricting layer 106 can be arranged at a position closer to the first multilayer reflector 102, which is an n-type multilayer reflector (farther from the exit surface ES).
  • the first active layer 104-1, the tunnel junction 108, and the oxidized constricting layer 106 are arranged within an optical thickness of 3 ⁇ /4.
  • the first active layer 104-1 is arranged at or near the antinode of the standing wave of wavelength ⁇
  • each of the tunnel junction 108 and the oxidized constriction layer 106 is arranged at the standing wave.
  • the manufacturing method of the surface emitting laser 100 is a lamination in which the first active layer 104-1, the selectively oxidized layer 106S, the tunnel junction 108 and the second active layer 104-2 are laminated in this order on the first multilayer reflector 102. a step of stacking a structure including a structure and stacking at least a second multilayer film reflector 112 on the structure to generate a stack L1; and forming the oxidized constricting layer 106 by selectively oxidizing the selectively oxidized layer 106S from the side surface.
  • a refractive index guide type surface emitting laser 100 capable of suppressing a decrease in luminous efficiency.
  • a first oxidized constricting layer 106-1 In the surface-emitting laser 100-1 of Modified Example 1, as shown in FIG. In place of the oxidized constricting layer 113, another oxidized constricting layer 106 (referred to as a first oxidized constricting layer 106-1) is provided between the first multilayer reflector 102 and the first active layer 104-1. It has the same configuration as the surface-emitting laser 100 (see FIG. 1) of the first embodiment except that it is provided between and that the conductivity type is opposite.
  • the conductivity type of the first multilayer film reflector 102 is p-type
  • the conductivity type of the second multilayer film reflector 112 is n-type
  • the anode electrode 116 is connected to the substrate 101.
  • the cathode electrode 117 is arranged on the top of the mesa, and the n-type semiconductor layer 108b is arranged on the substrate 101 side of the p-type semiconductor layer 108a at the tunnel junction 108 .
  • the second active layer 104-2 which is an active layer sandwiching the second oxidized constricting layer 106-2 with the tunnel junction 108, is stronger in the surface-emitting laser 100 than the first active layer 104-1. It is arranged at a position close to the exit surface ES.
  • the second oxidized confinement layer 106-2 can be arranged at a position closer to the exit surface ES (at least a position closer to the exit surface ES than the tunnel junction 108), and a current confinement effect can be obtained at this position. can be done. That is, in the resonator provided between the first and second multilayer film reflectors 102 and 112, a position closer to the output surface ES (at least a position closer to the output surface ES than the oxidized constricting layer 106, for example, above the resonator) A current constriction effect can be obtained in the second active layer 104-2, and the efficiency of current injection into the second active layer 104-2 can be improved.
  • the second active layer 104-2 which is an active layer sandwiching the second oxidized constricting layer 106-2 with the tunnel junction 108, is one of the first and second multilayer reflectors 102 and 112. It is arranged at a position closer to the second multilayer reflecting mirror 112, which is the other multilayer reflecting mirror closer to the exit surface ES than the first multilayer reflecting mirror 102, which is the other multilayer reflecting mirror farther from the exit surface ES. .
  • the current flowing from the anode electrode 116 passes through the substrate 101 and the first multilayer reflector 102, is confined by the first constricting oxide layer 106-1, and is injected into the first active layer 104-2. be done.
  • the second active layer 104-2 which is the active layer sandwiching the oxidized constricting layer 106-2 with the tunnel junction 108, is one of the first and second multilayer mirrors 102 and 112 closer to the exit surface ES. It may be arranged at a position closer to the first multilayer reflecting mirror 102 , which is farther from the exit surface ES than the second multilayer reflecting mirror 112 (for example, the lower half of the resonator).
  • the oxidized constricting layer 106, the tunnel junction 108, and the first active layer 104-1 are also positioned closer to the first multilayer reflector 102 than the second multilayer reflector 112 (for example, the lower half of the resonator). may be placed.
  • the surface-emitting laser 100-1 of Modification 1 is the same as the first embodiment, except that another oxidized constricting layer 106 is formed in place of the oxidized constricting layer 113 and that the stacking order is partially different in the laminate production process. It can be manufactured by a manufacturing method similar to the manufacturing method of the surface emitting laser 100 (see FIG. 1) of one embodiment.
  • the surface-emitting laser 100-3 of Modification 2 has an active layer and an oxidized constriction layer between the first and second multilayer reflectors 102 and 112 from the first multilayer reflector 102 side. It has the same configuration as the surface-emitting laser 100 (see FIG. 1) of the first embodiment, except that it has a plurality of (for example, two) laminated structures in which the tunnel junction and the tunnel junction are laminated in this order. More specifically, the surface emitting laser 100-3 has a first active layer 104-1, a first oxidized confinement layer 106-1 and a first tunnel junction 108-1 stacked in this order from the first multilayer reflector 102 side. and a first laminated structure.
  • the surface-emitting laser 100-3 has a second active layer 104-2, a second oxidized constriction layer 106-2, and a second tunnel junction 108- on the first laminated structure from the first multilayer reflector 102 side. 2 are laminated in this order to form a second laminated structure.
  • the first and second tunnel junctions 108-1, 108-2 have substantially the same configuration and function as the tunnel junction 108.
  • the surface emitting laser 100-3 has a third active layer 104-3 on the second laminated structure.
  • the plurality of active layers are three active layers (first to third active layers 104-1 to 104-3), and at least Two sets of two adjacent active layers (first and second active layers 104-1, 104-2, second and third active layers 104-2, 104-3)
  • a first tunnel junction 108-1 is disposed between the layers, first and second active layers 104-1, 104-2, and a second set of two adjacent active layers, the second and third active layers.
  • a second tunnel junction 108-2 is located between the active layers 104-2, 104-3.
  • the first active layer 104-1 which is one of the first and second active layers 104-1 and 104-2, which are two adjacent active layers in the first set, and the two adjacent active layers A first oxidized constriction layer 106-1 is located between the first tunnel junction 108-1 located between the layers first and second active layers 104-1, 104-2.
  • the second active layer 104-2 which is one of the second and third active layers 104-2 and 104-3, which are two adjacent active layers in the second set, and the two adjacent active layers A second oxidized constriction layer 106-2 is located between the second tunnel junction 108-2 located between the layers second and third active layers 104-2, 104-3.
  • the surface emitting laser 100-3 includes first, second and third active layers 104-1 to 104-3, and the first, second and third active layers 104-1 to 104-3 are laminated in this order.
  • a first tunnel junction 108-1 is arranged between the first and second active layers 104-1, 104-2
  • a second tunnel junction 108-1 is arranged between the second and third active layers 104-2, 104-3.
  • Junction 108-2 is located.
  • a first oxidized constricting layer 106-1 is disposed between the first active layer 104-1 and the first tunnel junction 108-1, and a second active layer 104-2 and the second tunnel junction 108-2 are connected.
  • a second oxidized constricting layer 106-2 is disposed therebetween.
  • the first active layer 104-1 is positioned farthest from the emission surface ES of the surface emitting laser 100-3 among the three active layers 104-1 to 104-3.
  • the active layer is placed in the vicinity of the downstream end of the current path of the .
  • the surface emitting laser 100-4 of Modification 3 has a tunnel junction and an oxidized constriction layer between the first and second multilayer reflectors 102 and 112 from the first multilayer reflector 102 side. and a plurality (for example, two) of laminated structures in which the active layers are laminated in this order, and instead of the oxidized constricting layer 113, another oxidized constricting layer 106 includes the first multilayer reflector 102 and the first active layer 104-. 1 and that the conductivity type is opposite, the configuration is similar to that of the surface emitting laser 100-3 (see FIG. 19) of the second modification.
  • the surface-emitting laser 100-4 has a configuration in which the surface-emitting laser 100-3 is turned upside down.
  • the conductivity type of the first multilayer film reflector 102 is p-type
  • the conductivity type of the second multilayer film reflector 112 is n-type
  • the anode electrode 116 is connected to the substrate 101.
  • the cathode electrode 117 is arranged on the top of the mesa
  • the n-type semiconductor layer 108b (the gray layer in FIG. 20) is located on the substrate 101 side of the p-type semiconductor layer 108a at each tunnel junction. are placed.
  • the surface emitting laser 100-4 has a first tunnel junction 108-1, a first oxidized constriction layer 106-1 and a second active layer 104-2 stacked in this order from the first multilayer reflector 102 side. and a first laminated structure. Further, the surface-emitting laser 100-4 has a second tunnel junction 108-2, a second oxidized constriction layer 106-2, and a third active layer 104-2 on the first laminated structure from the first multilayer reflector 102 side. 3 are laminated in this order to form a second laminated structure. Furthermore, the surface emitting laser 100-4 has a first active layer 104-1 under the first laminated structure.
  • the surface-emitting laser 100-4 even in the case of a multi-active layer having three active layers, it is possible to efficiently inject a current into each active layer and suppress a decrease in the luminous efficiency of the active layer.
  • the surface-emitting laser 100-4 is the same as the surface-emitting laser 100-3 of Modified Example 2, except that an oxidized constricting layer 106 is formed in place of the oxidized constricting layer 113 and that the order of lamination is different in the laminate production process. (See FIG. 19).
  • Modification 4 In the surface emitting laser 100-5 of Modification 4, as shown in FIG. It has the same configuration as the surface emitting laser 100 (see FIG. 1) of the first embodiment except that it has a plurality of (for example, three) laminated structures laminated in this order from the mirror 102 side. More specifically, the surface emitting laser 100-5 has a first active layer 104-1, a first oxidized confinement layer 106-1 and a first tunnel junction 108-1 stacked in this order from the first multilayer reflector 102 side. and a first laminated structure.
  • the surface-emitting laser 100-5 has a second active layer 104-2, a second oxidized constriction layer 106-2, and a second tunnel junction 108- on the first laminated structure from the first multilayer reflector 102 side. 2 are laminated in this order to form a second laminated structure. Furthermore, the surface-emitting laser 100-5 has a third active layer 104-3, a third oxidized constriction layer 106-3, and a third tunnel junction 108- on the second laminated structure from the first multilayer reflector 102 side. 3 are laminated in this order to form a third laminated structure. Third tunnel junction 108-3 has substantially the same configuration and function as tunnel junction 108. FIG.
  • the surface emitting laser 100-5 has a fourth active layer 104-4 on the third laminated structure. According to the surface-emitting laser 100-5, even in the case of a multi-active layer having four active layers, it is possible to efficiently inject a current into each active layer and suppress a decrease in the luminous efficiency of the active layer. According to the surface-emitting laser (derivative system of the surface-emitting laser 100) having four or more of the above laminated structures and the oxidized constricting layer 113, in the case of a multi-active layer having five or more active layers, However, current can be efficiently injected into each active layer, and a decrease in the luminous efficiency of the active layer can be suppressed.
  • a surface emitting laser having four or more of the above laminated structures can be manufactured by a similar manufacturing method (however, N ⁇ 4 in step S1-2-6 of FIG. 5).
  • the surface emitting laser 100-6 of Modification 5 has a tunnel junction, an oxidized constriction layer, and an active layer between the first and second multilayer reflectors 102 and 112, which form the first multilayer reflector.
  • the oxidized constricting layer 113 instead of the oxidized constricting layer 113, another oxidized constricting layer 106 includes the first multilayer reflector 102 and the first active layer 104-. 1 and that the conductivity type is opposite, the configuration is the same as that of the surface emitting laser 100-5 (see FIG. 21) of the fourth modification.
  • the surface emitting laser 100-6 has a configuration in which the surface emitting laser 100-5 is turned upside down.
  • the conductivity type of the first multilayer film reflector 102 is p-type
  • the conductivity type of the second multilayer film reflector 112 is n-type
  • the anode electrode 116 is connected to the substrate 101.
  • the cathode electrode 117 is arranged on the top of the mesa
  • the n-type semiconductor layer 108b (the gray layer in FIG. 22) is located on the substrate 101 side of the p-type semiconductor layer 108a at each tunnel junction. are placed.
  • the surface emitting laser 100-6 has a first tunnel junction 108-1, a first oxidized constriction layer 106-1 and a second active layer 104-2 stacked in this order from the first multilayer reflector 102 side. and a first laminated structure. Further, the surface-emitting laser 100-6 has a second tunnel junction 108-2, a second oxidized constriction layer 106-2, and a third active layer 104-2 on the first laminated structure from the first multilayer reflector 102 side. 3 are laminated in this order to form a second laminated structure.
  • the surface-emitting laser 100-6 has a third tunnel junction 108-3, a third oxidized constriction layer 106-3, and a fourth active layer 104- on the second laminated structure from the first multilayer reflector 102 side. 4 are laminated in this order to form a third laminated structure. Further, the surface emitting laser 100-6 has a first active layer 104-1 under the first laminated structure. According to the surface-emitting laser 100-6, even in the case of a multi-active layer having four active layers, it is possible to efficiently inject a current into each active layer and suppress a decrease in the luminous efficiency of the active layer.
  • the surface-emitting laser 100-6 is the same as the surface-emitting laser of Modification 3, except that another oxidized constricting layer 106 is formed in place of the oxidized constricting layer 113 and that the number of steps for lamination is increased in the laminate production process. It can be manufactured by a manufacturing method similar to that of 100-4 (see FIG. 20). A surface emitting laser having four or more of the above laminated structures can be manufactured by a similar manufacturing method.
  • a surface emitting laser 200 according to the second embodiment includes a second tunnel junction 108-2 and a third active layer 104- 3 are stacked in this order, the configuration is similar to that of the surface emitting laser 100 (see FIG. 1) of the first embodiment. That is, the surface emitting laser 200 has one tunnel junction/active layer pair on the second active layer 104-2.
  • the surface emitting laser 200 is similar to the surface emitting laser 100- of the modified example 2 in that no oxidized constricting layer is arranged between the second active layer 104-2 and the second tunnel junction 108-2. 3 (see FIG. 19).
  • a current having substantially the same current value as the current injected into the second active layer 104-2 is confined by the oxidized constricting layer 106 due to the tunneling effect of the first tunnel junction 108-1, and the first active layer 104-2 is confined. 1 is injected.
  • the first to third active layers 104-1, 104-2, and 104-3 emit light with substantially the same emission intensity, and the light is emitted between the first and second multilayer film reflectors 102 and 112, respectively.
  • the light reciprocates while being amplified in the active layer and satisfies the oscillation conditions, it is emitted as laser light from the top of the mesa M2.
  • FIG. 24 shows a procedure for manufacturing not only the surface-emitting laser 200 but also surface-emitting lasers derived from the surface-emitting laser 200 .
  • a plurality of surface-emitting laser arrays in which a plurality of surface-emitting lasers 200 are two-dimensionally arranged are simultaneously formed on a single wafer, which is the base material of the substrate 101, by a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus. Generate.
  • a plurality of integrated surface emitting laser arrays are separated by dicing to obtain a plurality of chip-shaped surface emitting laser arrays (surface emitting laser array chips).
  • a plurality of surface emitting lasers 200 are simultaneously generated on one wafer which is the base material of the substrate 101, and the plurality of surface emitting lasers 200 are separated by dicing. It is also possible to obtain a chip-shaped surface-emitting laser (surface-emitting laser chip).
  • the following series of steps are executed by the CPU of the semiconductor manufacturing equipment.
  • a laminate generation process 2 is performed.
  • the layers constituting the surface-emitting laser 200 are successively laminated in a growth chamber by a chemical vapor deposition (CVD) method, such as a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, to form a laminate L2. (see FIG. 32).
  • CVD chemical vapor deposition
  • MOCVD metal-organic chemical vapor deposition
  • the active layer 104-1, the selectively oxidized layer 106S, and the first tunnel junction 108 are formed on the first multilayer reflector 102, as described in detail below.
  • the second active layer 104-2, the second tunnel junction 108-2, and the third active layer 104-3 are laminated in this order from the first multilayer film reflector 102 side.
  • the second multilayer film reflector 112 including the selectively oxidized layer 113S inside is laminated on the structure to generate the laminated body L2 (see FIG. 32).
  • Laminate generation processing 2 (step S11 in FIG. 24) will be described below with reference to the flowchart in FIG.
  • Step S11-1 the first multilayer film reflector 102 is stacked on the substrate 101 (see FIG. 4).
  • Step S11-2 Resonator base material production step 2
  • a resonator base material forming step 2 is performed.
  • the resonator substrate production step 2 is a step of laminating each layer constituting the resonator on the first multilayer film reflector 102 to produce a resonator substrate that will become the resonator. . 26, 6, 7, and 27 to 31 (first lamination process diagram to seventh lamination process diagram), the resonator base material production process 2 will be described below.
  • the first active layer 104-1 is laminated on the first multilayer reflector 102 (see FIG. 6). More specifically, the first active layer 104-1 is laminated on the first multilayer reflector 102 with the first cladding layer 103 interposed therebetween.
  • the n-th selectively oxidized layer 106S-n is stacked on the n-th active layer 104-n (see FIG. 7). More specifically, the nth selectively oxidized layer 106S-n is laminated on the first active layer 104-1 with the spacer layer 105 interposed therebetween.
  • the first selectively oxidized layer 106S-1 is the selectively oxidized layer 106S.
  • the nth tunnel junction 108-n is stacked on the nth selectively oxidized layer 106S-n (see FIG. 27).
  • the p-type semiconductor layer 108a and the n-type semiconductor layer 108b constituting the n-th tunnel junction 108-n are laminated in this order on the n-th selectively oxidized layer 106S via the spacer layer 107. .
  • the n+1th active layer 104-(n+1) is laminated on the nth tunnel junction 108-n (see FIG. 28). More specifically, the n+1th active layer 104-(n+1) is stacked on the nth tunnel junction 108-n with the spacer layer 109 interposed therebetween.
  • step S11-2-6 it is determined whether or not n ⁇ N. If the determination here is affirmative, the process proceeds to step S11-2-7, and if the determination is negative, the process proceeds to step S11-2-8.
  • step S11-2-7 n is incremented. After step S11-2-7 is executed, the process returns to step S11-2-3 and the series of processes from S11-2-3 to S11-2-5 is executed again. As a result, a selectively oxidized layer, a tunnel junction and an active layer are further laminated in this order on the second active layer 104-2 to produce a resonator base material for manufacturing a derived system of the surface emitting laser 200. can be done.
  • step S11-2-8 1 is set to m.
  • the n+mth tunnel junction 108-(n+m) is stacked on the n+mth active layer 104-(n+m) (see FIG. 29). More specifically, the n+mth tunnel junction 108-(n+m) is stacked on the n+mth active layer 104-(n+m) with the spacer layer 109 interposed therebetween.
  • step S11-2-10 the n+m+1-th active layer 104-(n+m+1) is stacked on the n+m-th tunnel junction 108-(n+m) (see FIG. 30). More specifically, the n+m+1-th active layer 104-(n+m+1) is stacked on the n+m-th tunnel junction 108-(n+m) with the spacer layer 109 interposed therebetween.
  • step S11-2-11 it is determined whether or not m ⁇ M. If the determination here is affirmative, the process proceeds to step S11-2-12, and if the determination is negative, the process proceeds to step S11-2-13.
  • step S11-2-12 m is incremented. After step S11-2-12 is executed, the process returns to step S11-2-9, and the series of processes of S11-2-9 and S11-2-10 are executed again. As a result, a pair of a tunnel junction and an active layer can be laminated on the second active layer 104-2 to produce a cavity base material for manufacturing a derived system of the surface emitting laser 200.
  • FIG. 1
  • step S11-2-13 the second clad layer 111 is stacked on the n+m+1th active layer 104-(n+m+1) (see FIG. 31). This produces a resonator substrate.
  • step S11-2-13 the flow of the resonator base material forming step 2 shown in FIG. 26 ends.
  • step S11-3 the second multilayer reflector 112 is stacked on the resonator (see FIG. 32). More specifically, on the cladding layer 111 of the resonator, the second multilayer reflector 112 including the selectively oxidized layer 113S inside and the contact layer 114 are stacked in this order. As a result, a laminate (for example, laminate L2) is generated.
  • step S11-3 the flow of the laminate generation process 2 shown in FIG. 25 ends.
  • step S12 the laminate (eg, laminate L2) is etched to form a mesa (eg, mesa M1) (see FIG. 33--).
  • a resist pattern is formed by photolithography on the laminate L2 taken out from the growth chamber.
  • the laminate L2 is etched by, for example, RIE etching (reactive ion etching) until at least the side surface of the selectively oxidized layer 106S is exposed, thereby forming the mesa M2.
  • the etching here is performed, for example, until the side surface of the first cladding layer 103 is completely exposed (for example, until the etched bottom surface is positioned within the first multilayer film reflector 102). After that, the resist pattern is removed.
  • step S13 for example, the peripheral portions of the selectively oxidized layers 106S and 113S (see FIG. 33) are oxidized to form oxidized constricting layers 106 and 113 (see FIG. 34).
  • the mesa M2 is exposed to a steam atmosphere to oxidize (selectively oxidize) the layers 106S and 113S to be selectively oxidized from the side surfaces, thereby forming an oxidized constriction in which the non-oxidized region 106a is surrounded by the oxidized region 106b.
  • an oxidized constricting layer 113 is formed in which a region 113a to be oxidized is surrounded by an oxidized region 113b.
  • step S14 an insulating film 115 is formed (see FIG. 35). Specifically, for example, the insulating film 115 is formed over substantially the entire area of the laminate on which the mesa M2 is formed.
  • step S15 contact holes 115a are formed (see FIG. 36). Specifically, for example, a resist pattern is formed by photolithography on the insulating film 115 other than the insulating film 115 formed on the top of the mesa M2. Next, using this resist pattern as a mask, the insulating film 115 formed on the top of the mesa M2 is removed by etching using, for example, a hydrofluoric acid-based etchant. After that, the resist pattern is removed. As a result, a contact hole 115a is formed and the contact layer 114 is exposed.
  • step S16 the anode electrode 116 is formed (see FIG. 37). Specifically, for example, a Ti/Pt/Au film is formed on the contact layer 114 through the contact hole 115a by EB vapor deposition, and the resist and the Ti/Pt/Au on the resist are lifted off. Thus, an annular anode electrode 116 is formed in the contact hole 115a.
  • step S17 the cathode electrode 117 is formed (see FIG. 38). Specifically, after polishing the back surface (lower surface) of the substrate 101, for example, an AuGe/Ni/Au film is formed on the back surface. After step S17 is executed, the flow of FIG. 24 ends.
  • the oxidized constriction layer 106 reduces the current in the cavity. Current can be efficiently injected into the first active layer 104-1, which is the active layer located near the downstream end of the path (for example, the active layer farthest from the emission surface ES).
  • the surface emitting laser 200-1 of the modified example 1 is the same as the second embodiment except that it has two pairs of tunnel junction and active layer on the second active layer 104-2. It has a configuration similar to that of the surface emitting laser 200 (FIG. 23).
  • the surface emitting laser 200-1 has a structure in which a third tunnel junction 108-3 and a fourth active layer 104-4 are stacked in this order on a third active layer 104-3 in the cavity of the surface emitting laser 200. ing. More specifically, in the surface-emitting laser 200-1, the third tunnel junction 108-3 is stacked on the third active layer 104-3 via the spacer layer 109, and the spacer layer is stacked on the third tunnel junction 108-3.
  • a fourth active layer 104-4 is stacked with 109 interposed therebetween.
  • the surface-emitting laser 200-1 of Modification 1 can be located near the downstream end of the current path in the cavity due to the oxidized constricting layer 106, even if the active layer has four multi-active layers and the cavity length is long. Current can also be efficiently injected into the first active layer 104-1, which is the active layer (for example, the active layer farthest from the emission surface ES).
  • the surface emitting laser 200-2 of Modification 2 is provided with a first oxidized constricting layer 106-1 between the first active layer 104-1 and the first tunnel junction 108-1.
  • the surface emitting laser 200-1 (see FIG. 39).
  • the cavity is The current can be efficiently injected into the first active layer 104-1, which is the active layer located near the downstream end of the current path in the inside (for example, the active layer farthest from the emission surface ES), and the second oxidation A current can be efficiently injected into the second active layer 104-2 by the constriction layer 106-2.
  • the surface emitting laser 200-3 of Modification 3 is provided with a first oxidized constricting layer 106-1 between the first active layer 104-1 and the first tunnel junction 108-1.
  • the surface emitting laser 200-1 (see FIG. 39).
  • the cavity is The current can be efficiently injected into the first active layer 104-1, which is the active layer located near the downstream end of the current path in the inside (for example, the active layer farthest from the emission surface ES), and the second oxidation A current can be efficiently injected into the second active layer 104-2 by the constriction layer 106-2.
  • the provision of an oxidized constriction layer near the middle part in the vertical direction (height direction) of the cavity prevents the current from spreading near the middle part. It is effective in that it can be suppressed. Since the surface-emitting laser 200-3 needs to be provided with the second oxidized constricting layer 106-2, the manufacturing process for the surface-emitting laser 200-1 (see FIG. 39) of Modification 1 is followed, although the number of lamination steps increases accordingly. It can be manufactured by the manufacturing method.
  • the surface emitting laser 200-4 of Modification 4 is provided with a first oxidized constricting layer 106-1 between the first active layer 104-1 and the first tunnel junction 108-1.
  • the surface emitting laser 200 of the second embodiment Fig. 23.
  • the first and second oxidized constriction layers 106-1 and 106-2 allow the downstream current path in the cavity to be reduced.
  • the surface emitting laser 200-4 can be provided with the second oxidized constricting layer 106-2, the number of lamination steps increases accordingly, but the surface emitting laser 200-4 can be manufactured by a manufacturing method according to the manufacturing method of the surface emitting laser 200 of the second embodiment. can be done.
  • FIG. 43 is a plan view showing a surface emitting laser 2000 as a configuration example of a surface emitting laser to which the present technology can be applied.
  • 44A is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 43.
  • FIG. 44B is a cross-sectional view taken along the line YY of FIG. 43.
  • the substrate 2001 can be composed of a semiconductor such as GaAs, InGaAs, InP, InAsP, or the like.
  • a surface emitting laser 2000 includes a protected region 2002 (transmissive gray region in FIGS. 44A and 44B). As shown in FIG. 43, the protection area 2002 has a circular shape in a plan view, but may have another shape such as an elliptical shape or a polygonal shape, and is not limited to a specific shape.
  • Protected region 2002 includes a material that provides electrical isolation, for example an ion-implanted region.
  • the surface emitting laser 2000 includes a first electrode 2003 and a second electrode 2004, as shown in FIGS. 44A and 44B.
  • the first electrode 2003 has a ring shape with discontinuous portions (intermittent portions), that is, a split ring shape in plan view, but is not limited to a specific shape.
  • the second electrode 2004 is in contact with the substrate 2001 as shown in FIG. 44A or 44B.
  • the first electrode 2003 and the second electrode 2004 are composed of a conductive material such as Ti, Pt, Au, AuGeNi, PdGeAu.
  • the first electrode 2003 and the second electrode 2004 may have a single-layer structure or a laminated structure.
  • surface emitting laser 2000 includes a trench 2005 provided around protected region 2002 .
  • FIG. 43 shows, as an example, a structure in which six rectangular trenches 2005 are provided in plan view, but the number and shape in plan view are not limited to a specific one.
  • Trench 2005 is an opening for forming oxidized constricting layer 2006 (including oxidized region 2006a and non-oxidized region 2006b).
  • high-temperature steam is supplied through the trench 2005 to form an oxidized region 2006a of the oxidized constricting layer 2006.
  • oxidized region 2006a is Al 2 O 3 formed as a result of oxidation of an AlAs or AlGaAs layer.
  • Trench 2005 may be filled with an optional dielectric after the step of forming oxide constriction layer 2006 . In some cases, the surface is coated with a dielectric film.
  • the surface emitting laser 2000 includes a dielectric opening 2008 (contact hole) provided in the dielectric layer 2007 on the first electrode 2003 .
  • the dielectric layer 2007 may have a laminated structure as shown in FIGS. 44A and 44B, or may have a single layer structure.
  • Dielectric layer 2007 includes, for example, silicon oxide or silicon nitride.
  • dielectric opening 2008 is formed in the same shape as first electrode 2003 .
  • the shape of dielectric opening 2008 is not limited to the shape of first electrode 2003 and may be partially formed on first electrode 2003 .
  • the dielectric opening 2008 is filled with a conductive material (not shown), and the conductive material contacts the first electrode 2003 .
  • the surface emitting laser 2000 includes an optical aperture 2009 inside the first electrode 2003, as shown in FIGS. 44A and 44B.
  • Surface emitting laser 2000 emits light through optical aperture 2009 .
  • the oxidized region 2006a of the oxidized constricting layer 2006 functions as a current/light confinement region for confining current and light.
  • a non-oxidized region 2006b of the oxidized constricting layer 2006 is located below the optical aperture 2009 and functions as a current/light passing region for passing current and light.
  • the surface emitting laser 2000 includes a first multilayer reflector 2011 and a second multilayer reflector 2012 .
  • An example of the multilayer reflector is a semiconductor multilayer reflector, which is also called a distributed Bragg reflector.
  • the surface emitting laser 2000 includes an active layer 2013.
  • the active layer 2013 is arranged between the first multilayer reflector 2011 and the second multilayer reflector 2012 , confines injected carriers, and defines the emission wavelength of the surface emitting laser 2000 .
  • the surface emitting laser 2000 is a surface emitting surface emitting laser, but the surface emitting laser 2000 can also be a back emitting surface emitting laser.
  • the substantial diameter of the surface emitting laser 2000 of this configuration example is the diameter d of the virtual circle defined by the trench 2005. As shown in FIGS. 43 and 44A, the substantial diameter of the surface emitting laser 2000 of this configuration example is the diameter d of the virtual circle defined by the trench 2005. As shown in FIGS. 43 and 44A, the substantial diameter of the surface emitting laser 2000 of this configuration example is the diameter d of the virtual circle defined by the trench 2005. As shown in FIGS.
  • the surface emitting laser 2000 of this configuration example is manufactured by the following steps 1 to 8.
  • Step 1 On the surface of the substrate 2001, a first multilayer reflector 2011, an active layer 2013, a selectively oxidized layer to be the oxidized constricting layer 2006, and a second multilayer reflector 2012 are epitaxially grown.
  • Step 2 A first electrode 2003 is formed on the second multilayer reflective mirror 2012 using, for example, a lift-off method.
  • Step 3 A trench 2005 is formed by photolithography, for example.
  • An oxidized constricting layer 2006 is formed by exposing the side surface of the selectively oxidized layer and selectively oxidizing the selectively oxidized layer from the side surface.
  • Step 5 A protective region 2002 is formed by ion implantation or the like.
  • Step 6 A dielectric layer 2007 is formed by vapor deposition, sputtering, or the like.
  • Step 7) A dielectric opening 2008 is formed in the dielectric layer 2007 by photolithography, for example, to expose the contact of the first electrode 2003 .
  • Step 8) After polishing the back surface of the substrate 2001 to thin it, the second electrode 2004 is formed on the back surface of the substrate 2001 .
  • surface-emitting laser 2000 may include more layers, fewer layers, different layers, different structures, or different arrangements of layers than shown in FIGS. 43, 44A, and 44B.
  • the present technology can be applied to the surface emitting laser 2000 described above and its modification.
  • the n-type semiconductor layer of the tunnel junction may be a GaAs-based compound semiconductor, eg, a GaAs layer doped with Si at a high concentration (1 ⁇ 19 cm ⁇ 3 ) and having a thickness of 20 nm, for example.
  • the guide/barrier region of the active layer may be composed of a GaAsP-based compound semiconductor (eg, GaAsP 0.10 ).
  • the oxidized constricting layer 113 may not necessarily be provided in the surface emitting lasers of the above embodiments and modifications.
  • the contact layer 114 may not necessarily be provided in the surface emitting lasers of the above embodiments and modifications.
  • each spacer layer and each clad layer may be omitted as appropriate.
  • the active layer may have a single-layer structure.
  • the conductivity types (first and second conductivity types) may be interchanged.
  • both the first and second multilayer reflectors 102 and 112 are semiconductor multilayer reflectors, but are not limited to this.
  • the first multilayer reflector 102 may be a semiconductor multilayer reflector
  • the second multilayer reflector 112 may be a dielectric multilayer reflector.
  • a dielectric multilayer reflector is also a kind of distributed Bragg reflector.
  • the first multilayer reflector 102 may be a dielectric multilayer reflector
  • the second multilayer reflector 112 may be a semiconductor multilayer reflector.
  • both the first and second multilayer reflectors 102 and 112 may be dielectric multilayer reflectors.
  • a semiconductor multilayer reflector has little light absorption and is electrically conductive.
  • the semiconductor multilayer reflector 112 is suitable for the second multilayer reflector 112 located on the emission side (surface side) and on the current path from the anode electrode 116 to each active layer.
  • the dielectric multilayer reflector has very little light absorption.
  • the dielectric multilayer film reflector is suitable for the second multilayer film reflector 112 on the output side (surface side).
  • a surface-emitting surface-emitting laser that emits laser light from the top of the mesa has been described as an example. It is also applicable to a back emission type surface emitting laser. In this case, it is preferable to use a substrate that is transparent with respect to the oscillation wavelength, or to provide an opening serving as an emission port in the substrate.
  • the surface emitting laser 10 using an AlGaAs-based compound semiconductor has been described as an example, but the present technology can also be applied to a surface emitting laser using a GaN-based compound semiconductor, for example.
  • at least one of the first and second multilayer reflectors 102 and 112 may be a GaN-based semiconductor multilayer reflector, or at least one of the first and second multilayer reflectors 102 and 112 may be used.
  • a GaN-based dielectric multilayer film reflector may also be used.
  • Examples of the GaN-based compound semiconductor used for at least one of the first and second multilayer reflectors 102 and 112 include GaN/AlGaN.
  • the technology (the present technology) according to the present disclosure can be applied to various products (electronic devices).
  • the technology according to the present disclosure can be realized as a device mounted on any type of moving body such as automobiles, electric vehicles, hybrid electric vehicles, motorcycles, bicycles, personal mobility, airplanes, drones, ships, and robots. may
  • a surface-emitting laser according to the present technology can be applied, for example, as a light source for devices that form or display images using laser light (for example, laser printers, laser copiers, projectors, head-mounted displays, head-up displays, etc.).
  • FIG. 45 illustrates an example of a schematic configuration of a distance measuring device 1000 including a surface emitting laser 100 as an example of electronic equipment according to the present technology.
  • the distance measuring device 1000 measures the distance to the subject S by a TOF (Time Of Flight) method.
  • a distance measuring device 1000 includes a surface emitting laser 100 as a light source.
  • Distance measuring device 1000 includes surface emitting laser 100, light receiving device 120, lenses 119 and 130, signal processing section 140, control section 150, display section 160 and storage section 170, for example.
  • the light receiving device 120 detects the light reflected by the subject S.
  • the lens 119 is a lens for collimating the light emitted from the surface emitting laser 100, and is a collimating lens.
  • the lens 130 is a lens for condensing the light reflected by the subject S and guiding it to the light receiving device 120, and is a condensing lens.
  • the signal processing section 140 is a circuit for generating a signal corresponding to the difference between the signal input from the light receiving device 120 and the reference signal input from the control section 150 .
  • the control unit 150 includes, for example, a Time to Digital Converter (TDC).
  • the reference signal may be a signal input from the control section 150 or an output signal of a detection section that directly detects the output of the surface emitting laser 100 .
  • the control unit 150 is a processor that controls the surface emitting laser 100, the light receiving device 120, the signal processing unit 140, the display unit 160, and the storage unit 170, for example.
  • the control unit 150 is a circuit that measures the distance to the subject S based on the signal generated by the signal processing unit 140 .
  • the control unit 150 generates a video signal for displaying information about the distance to the subject S and outputs it to the display unit 160 .
  • the display unit 160 displays information about the distance to the subject S based on the video signal input from the control unit 150 .
  • the control unit 150 stores information about the distance to the subject S in the storage unit 170 .
  • any one of the surface emitting lasers 100-1 to 100-6, 200, and 200-1 to 4 can be applied to the distance measuring device 1000 instead of the surface emitting laser 100.
  • FIG. 9. Example of mounting a distance measuring device on a moving body>
  • FIG. 46 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • a vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • vehicle control system 12000 includes drive system control unit 12010 , body system control unit 12020 , vehicle exterior information detection unit 12030 , vehicle interior information detection unit 12040 , and integrated control unit 12050 .
  • integrated control unit 12050 As the functional configuration of the integrated control unit 12050, a microcomputer 12051, an audio/image output unit 12052, and an in-vehicle network I/F (interface) 12053 are illustrated.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the driving system control unit 12010 includes a driving force generator for generating driving force of the vehicle such as an internal combustion engine or a driving motor, a driving force transmission mechanism for transmitting the driving force to the wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a control device such as a steering mechanism to adjust and a brake device to generate braking force of the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operation of various devices equipped on the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as headlamps, back lamps, brake lamps, winkers or fog lamps.
  • the body system control unit 12020 can receive radio waves transmitted from a portable device that substitutes for a key or signals from various switches.
  • the body system control unit 12020 receives the input of these radio waves or signals and controls the door lock device, power window device, lamps, etc. of the vehicle.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 detects information outside the vehicle in which the vehicle control system 12000 is installed.
  • a distance measuring device 12031 is connected to the vehicle exterior information detection unit 12030 .
  • Distance measuring device 12031 includes distance measuring device 1000 described above.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the distance measuring device 12031 to measure the distance to an object (subject S) outside the vehicle, and acquires the distance data thus obtained.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 may perform object detection processing such as people, vehicles, obstacles, and signs based on the acquired distance data.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 is connected to, for example, a driver state detection section 12041 that detects the state of the driver.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that captures an image of the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 detects the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether the driver is dozing off.
  • the microcomputer 12051 calculates control target values for the driving force generator, the steering mechanism, or the braking device based on information on the inside and outside of the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, and controls the drive system control unit.
  • a control command can be output to 12010 .
  • the microcomputer 12051 realizes the functions of ADAS (Advanced Driver Assistance System) including collision avoidance or shock mitigation, follow-up driving based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance driving, vehicle collision warning, vehicle lane deviation warning, etc. Cooperative control can be performed for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) including collision avoidance or shock mitigation, follow-up driving based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance driving, vehicle collision warning, vehicle lane deviation warning, etc. Cooperative control can be performed for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) including collision avoidance or shock mitigation, follow-up driving based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance driving, vehicle collision warning
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generator, the steering mechanism, the braking device, etc. based on the information about the vehicle surroundings acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, so that the driver's Cooperative control can be performed for the purpose of autonomous driving, etc., in which vehicles autonomously travel without depending on operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12020 based on the information outside the vehicle acquired by the information detection unit 12030 outside the vehicle.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps according to the position of the preceding vehicle or the oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs coordinated control aimed at anti-glare such as switching from high beam to low beam. It can be carried out.
  • the audio/image output unit 12052 transmits at least one of audio and/or image output signals to an output device capable of visually or audibly notifying the passengers of the vehicle or the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062 and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include at least one of an on-board display and a head-up display, for example.
  • FIG. 47 is a diagram showing an example of the installation position of the distance measuring device 12031.
  • the vehicle 12100 has distance measuring devices 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 as the distance measuring device 12031.
  • the distance measuring devices 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided at positions such as the front nose, side mirrors, rear bumper, back door, and windshield of the vehicle 12100, for example.
  • a distance measuring device 12101 provided on the front nose and a distance measuring device 12105 provided on the upper part of the windshield inside the vehicle mainly acquire data in front of the vehicle 12100 .
  • Distance measuring devices 12102 and 12103 provided in the side mirrors mainly acquire side data of the vehicle 12100 .
  • a distance measuring device 12104 provided on the rear bumper or back door mainly acquires data behind the vehicle 12100 .
  • the forward data acquired by the distance measurement devices 12101 and 12105 are mainly used for detecting preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, and the like.
  • FIG. 47 shows an example of the detection ranges of the distance measuring devices 12101 to 12104.
  • a detection range 12111 indicates the detection range of the distance measuring device 12101 provided on the front nose
  • detection ranges 12112 and 12113 indicate the detection ranges of the distance measuring devices 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • a detection range 12114 indicates the detection range of the distance measuring device 12104 provided on the rear bumper or back door.
  • the microcomputer 12051 determines the distance to each three-dimensional object within the detection ranges 12111 to 12114 and changes in this distance over time (relative velocity to the vehicle 12100). ), the closest three-dimensional object on the course of the vehicle 12100, which is traveling at a predetermined speed (e.g., 0 km/h or more) in substantially the same direction as the vehicle 12100, is extracted as the preceding vehicle. can be done. Furthermore, the microcomputer 12051 can set the inter-vehicle distance to be secured in advance in front of the preceding vehicle, and can perform automatic braking control (including following stop control) and automatic acceleration control (including following start control). In this way, cooperative control can be performed for the purpose of automatic driving in which the vehicle autonomously travels without depending on the operation of the driver.
  • automatic braking control including following stop control
  • automatic acceleration control including following start control
  • the microcomputer 12051 based on the distance data obtained from the distance measuring devices 12101 to 12104, converts three-dimensional object data to other three-dimensional objects such as two-wheeled vehicles, ordinary vehicles, large vehicles, pedestrians, utility poles, etc. can be used for automatic avoidance of obstacles.
  • microcomputer 12051 distinguishes obstacles around vehicle 12100 into obstacles visible to the driver of vehicle 12100 and obstacles difficult to see. Then, the microcomputer 12051 judges the collision risk indicating the degree of danger of collision with each obstacle, and when the collision risk is equal to or higher than the set value and there is a possibility of collision, the obstacle is detected through the audio speaker 12061 and the display unit 12062. By outputting an alarm to the driver via the drive system control unit 12010 and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving assistance for collision avoidance can be performed.
  • this technique can also take the following structures.
  • first and second multilayer film reflectors a plurality of active layers stacked between the first and second multilayer reflectors; a tunnel junction disposed between two active layers adjacent in the stacking direction among the plurality of active layers; an oxidized constricting layer disposed between one of the two adjacent active layers and the tunnel junction; A surface-emitting laser.
  • the one active layer is arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is farther from the emission surface than the one closer to the emission surface of the surface-emitting laser, ( The surface emitting laser according to 1) or (2).
  • the one active layer is arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is closer to the emission surface than the one farther from the emission surface of the surface-emitting laser, ( The surface emitting laser according to 1) or (2).
  • the one active layer is arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer film reflectors, which is farther from the emission surface than the one closer to the emission surface of the surface-emitting laser, ( The surface emitting laser according to 1) or (5).
  • the one active layer is arranged at a position closer to the other of the first and second multilayer mirrors that is closer to the exit surface than to the other that is farther from the exit surface; (1) or ( 5) The surface emitting laser described in 5).
  • the plurality of active layers are at least three active layers;
  • the tunnel junction is disposed between two adjacent active layers of each set of at least two sets of two adjacent active layers among the plurality of active layers; between one active layer of at least one set of two adjacent active layers out of the at least two sets of two adjacent active layers and the tunnel junction disposed between the two adjacent active layers;
  • the surface emitting laser according to any one of (1) to (7), wherein the oxidized constricting layer is arranged.
  • said at least three active layers comprise first, second and third active layers, said first, second and third active layers being stacked in this order, said first and second active layers
  • a first tunnel junction, which is the tunnel junction, is arranged between the tunnel junction
  • a second tunnel junction, which is the tunnel junction is arranged between the second and third active layers, the first active layer and the first tunnel (8), wherein the oxidized constriction layer is arranged between the junction and/or between the second active layer and the second tunnel junction.
  • the tunnel junction has a layered structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are stacked, and the oxidized constricting layer is disposed on the p-type semiconductor layer side.
  • the surface emitting laser according to any one of (16).
  • the oscillation wavelength of the surface-emitting laser is ⁇
  • the one active layer, the tunnel junction, and the oxidized constricting layer are arranged within an optical thickness of 3 ⁇ /4, (1) to (17) ).
  • An electronic device comprising the surface emitting laser according to any one of (1) to (18).
  • a method of manufacturing a surface emitting laser comprising: (21) A surface emitting laser array comprising a plurality of surface emitting lasers according to any one of (1) to (20). (22) An electronic device comprising the surface emitting laser according to any one of (1) to (20). (23) An electronic device comprising the surface emitting laser array according to (21).

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Abstract

本技術は、発光効率の低下を抑制することができる面発光レーザを提供する。　本技術は、第１及び第２多層膜反射鏡と、前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に互いに積層された複数の活性層と、前記複数の活性層のうち積層方向に隣り合う２つの活性層の間に配置されたトンネルジャンクションと、前記隣り合う２つの活性層の一方の活性層と前記トンネルジャンクションとの間に配置された酸化狭窄層と、を備える、面発光レーザを提供する。本技術によれば、発光効率の低下を抑制可能な面発光レーザを提供できる。

Description

面発光レーザ、電子機器及び面発光レーザの製造方法
　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ、電子機器及び面発光レーザの製造方法に関する。
　従来、第１及び第２多層膜反射鏡の間に活性層が配置された面発光レーザが知られている。この面発光レーザの中には、第１及び第２多層膜反射鏡の間にトンネルジャンクション、活性層及び電流狭窄層がこの順に積層されたものがある（例えば特許文献１参照）。
特開２００６－３５１７９８号公報
　しかしながら、従来の面発光レーザでは、発光効率の低下を抑制することに関して改善の余地があった。
　そこで、本技術は、発光効率の低下を抑制することができる面発光レーザを提供することを主目的とする。
　本技術は、第１及び第２多層膜反射鏡と、
　前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に互いに積層された複数の活性層と、
　前記複数の活性層のうち積層方向に隣り合う２つの活性層の間に配置されたトンネルジャンクションと、
　前記隣り合う２つの活性層の一方の活性層と前記トンネルジャンクションとの間に配置された酸化狭窄層と、
　を備える、面発光レーザを提供する。
　前記一方の活性層は、前記隣り合う２つの活性層の他方の活性層よりも前記面発光レーザの出射面から遠い位置に配置されていてもよい。
　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から近い一方よりも前記出射面から遠い他方に近い位置に配置されていてもよい。
　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から遠い一方よりも前記出射面から近い他方に近い位置に配置されてもよい。
　前記一方の活性層は、前記隣り合う２つの活性層の他方の活性層よりも前記面発光レーザの出射面から近い位置に配置されていてもよい。
　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から近い一方よりも前記出射面から遠い他方に近い位置に配置されていてもよい。
　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から遠い一方よりも前記出射面から近い他方に近い位置に配置されていてもよい。
　前記複数の活性層は、少なくとも３つの活性層であり、前記複数の活性層のうち少なくとも２組の隣り合う２つの活性層の各組の隣り合う２つの活性層の間に前記トンネルジャンクションが配置され、前記少なくとも２組の隣り合う２つの活性層のうち少なくとも１組の隣り合う２つの活性層の一方の活性層と、該隣り合う２つの活性層の間に配置された前記トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されていてもよい。
　前記少なくとも３つの活性層は、第１、第２及び第３活性層を含み、前記第１、第２及び第３活性層は、この順に積層され、前記第１及び第２活性層の間に前記トンネルジャンクションである第1トンネルジャンクションが配置され、前記第２及び第３活性層の間に前記トンネルジャンクションである第２トンネルジャンクションが配置され、前記第１活性層と前記第1トンネルジャンクションとの間及び／又は前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されていてもよい。
　前記第１活性層は、前記複数の活性層の中で前記面発光レーザの出射面から最も遠い位置に配置された活性層であってもよい。
　前記第１活性層と前記第1トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層である第1酸化狭窄層が配置されていてもよい。
　前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層である第２酸化狭窄層が配置されていてもよい。
　前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されていなくてもよい。
　前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記面発光レーザの出射面に近い方の内部に別の酸化狭窄層が配置されていてもよい。
　前記酸化狭窄層及び前記別の酸化狭窄層は、いずれもＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる層を選択酸化して形成されていてもよい。
　前記酸化狭窄層及び前記別の酸化狭窄層は、Ａｌ組成及び／又は光学厚さが互いに異なっていてもよい。
　前記トンネルジャンクションは、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層が互いに積層された層構造を有し、前記酸化狭窄層は、前記ｐ型半導体層側に配置されていてもよい。
　前記面発光レーザの発振波長をλとすると、前記一方の活性層と前記トンネルジャンクションと前記酸化狭窄層とが光学厚さ３λ／４内に配置されていてもよい。
　本技術は、前記面発光レーザを備える電子機器も提供する。
　本技術は、第１多層膜反射鏡上に第１活性層、被選択酸化層、トンネルジャンクション及び第２活性層がこの順に積層された積層構造を含む構造体を積層し、該構造体上に少なくとも第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体を少なくとも前記被選択酸化層の側面が露出するまでエッチングしてメサを形成する工程と、
　前記被選択酸化層を側面側から選択的に酸化して酸化狭窄層を形成する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図２の第１工程（積層体生成処理１）を説明するためのフローチャートである。 図３の第１工程図である。 図３の第２工程（共振器基材生成工程１）を説明するためのフローチャートである。 図５の第１積層工程図である。 図５の第２積層工程図である。 図５の第３積層工程図である。 図５の第４積層工程図である。 図５の第５積層工程図である。 図３の第３工程図である。 図２の第２工程図である。 図２の第３工程図である。 図２の第４工程図である。 図２の第５工程図である。 図２の第６工程図である。 図２の第７工程図である。 本技術の第１実施形態の変形例１に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第１実施形態の変形例２に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第１実施形態の変形例３に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第１実施形態の変形例４に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第１実施形態の変形例５に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第２実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第２実施形態に係る面発光レーザの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図２４の第１工程（積層体生成処理２）を説明するためのフローチャートである。 図２５の第２工程（共振器基材生成工程２）を説明するためのフローチャートである。 図２６の第３積層工程図である。 図２６の第４積層工程図である。 図２６の第５積層工程図である。 図２６の第６積層工程図である。 図２６の第７積層工程図である。 図２５の第３工程図である。 図２４の第２工程図である。 図２４の第３工程図である。 図２４の第４工程図である。 図２４の第５工程図である。 図２４の第６工程図である。 図２４の第７工程図である。 本技術の第２実施形態の変形例１に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第２実施形態の変形例２に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第２実施形態の変形例３に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術の第２実施形態の変形例４に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。 本技術を適用し得る面発光レーザの構成例を示す平面図である。 図４４Ａは、図４３のＸ－Ｘ線断面図である。図４４Ｂは、図４３のＹ－Ｙ線断面図である。 本技術の各実施形態及びその変形例に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ、電子機器及び面発光レーザの製造方法が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ、電子機器及び面発光レーザの製造方法は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
　また、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ
（１）面発光レーザの構成
（２）面発光レーザの動作
（３）面発光レーザの製造方法
（４）面発光レーザ及びその製造方法の効果
２．本技術の第１実施形態の変形例１～５に係る面発光レーザ
３．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ
（１）面発光レーザの構成
（２）面発光レーザの動作
（３）面発光レーザの製造方法
（４）面発光レーザの効果
４．本技術の第２実施形態の変形例１～４に係る面発光レーザ
５．本技術を適用し得る面発光レーザの構成例
６．本技術の変形例
７．電子機器への応用例
８．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
９．距離測定装置を移動体に搭載した例
１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ
　　（１）面発光レーザの構成
　図１は、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１００の構成を示す断面図である。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。
　面発光レーザ１００は、一例として、図１に示すように、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２と、複数（例えば２つ）の活性層（例えば第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２）と、トンネルジャンクション１０８と、酸化狭窄層１０６とを備える。
　面発光レーザ１００の各構成要素は、一例として、基板１０１（半導体基板）上に形成されている。
　第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２は、一例として、基板１０１上に互いに積層されている。ここでは、第２多層膜反射鏡１１２が第１多層膜反射鏡１０２の上方に配置されている。
　第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に互いに積層されている。
　トンネルジャンクション１０８は、複数の活性層のうち積層方向（上下方向）に隣り合う２つの活性層である第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間に配置されている。
　酸化狭窄層１０６は、一例として、積層方向に隣り合う２つの活性層である第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の一方の活性層である第１活性層１０４－１とトンネルジャンクション１０８との間に配置されている。
　面発光レーザ１００では、一例として、基板１０１上に、第１多層膜反射鏡１０２、第１活性層１０４－１、酸化狭窄層１０６、トンネルジャンクション１０８、第２活性層１０４－２及び第２多層膜反射鏡１１２が基板１０１側（下側）からこの順に積層されている。
　ここでは、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２と、トンネルジャンクション１０８と、酸化狭窄層１０６とを含んで、共振器Ｒが構成される。すなわち、面発光レーザ１００は、共振器Ｒが第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に配置された共振器構造体を有する。
　基板１０１上には、一例として、第１多層膜反射鏡１０２の一部（上部）と、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２と、トンネルジャンクション１０８と、酸化狭窄層１０６と、第２多層膜反射鏡１１２とを含むメサＭ１が形成されている。メサＭ１は、共振器構造体（但し、第１多層膜反射鏡１０２の他部（下部）を除く）を構成している。メサＭ１の高さ方向は、積層方向に略一致する。メサＭ１は、例えば略円柱形状であるが、例えば略楕円柱形状、略角柱形状、略角錐台形状、略円錐台形状、略楕円錐台形状等の他の形状であってもよい。
　面発光レーザ１００は、一例として、メサＭ１の頂部の出射面ＥＳから光を出射する。すなわち、面発光レーザ１００は、一例として、表面出射型の面発光レーザである。
　第１活性層１０４－１は、隣り合う２つの活性層の他方の活性層１０４－２よりも面発光レーザ１００の出射面ＥＳから遠い位置に配置されている、
　第１活性層１０４－１は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち出射面ＥＳから近い一方である第２多層膜反射鏡１１２よりも出射面ＥＳから遠い他方である第１多層膜反射鏡１０２に近い位置に配置されている。第１活性層１０４－１は、例えば共振器Ｒの下半部に配置されている。より詳細には、第１活性層１０４－１は、例えば共振器Ｒ内の電流経路の下流端近傍に配置されている。
　第２活性層１０４－２は、第１多層膜反射鏡１０２よりも第２多層膜反射鏡１１２に近い位置に配置されている。第２活性層１０４－２は、例えば共振器Ｒの上半部に配置されている。より詳細には、第２活性層１０４－２は、例えば共振器Ｒ内の電流経路の上流端近傍に配置されている。
　酸化狭窄層１０６は、第２多層膜反射鏡１１２よりも第１多層膜反射鏡１０２に近い位置に配置されている。すなわち、酸化狭窄層１０６は、例えば共振器Ｒの下半部に配置されている。
［基板］
　基板１０１は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）の半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）である。基板１０１の裏面（下面）には、ｎ側電極であるカソード電極１１７が設けられている。
　カソード電極１１７は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　カソード電極１１７は、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる。
［第１多層膜反射鏡］
　第１多層膜反射鏡１０２は、一例として、基板１０１上に配置されている。
　第１多層膜反射鏡１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布型ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。
　詳述すると、第１多層膜反射鏡１０２は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１多層膜反射鏡１０２の各屈折率層は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
［第１活性層］
　第１活性層１０４－１は、一例として、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる第１クラッド層１０３を介して第１多層膜反射鏡１０２上に配置されている。なお、「クラッド層」は「スペーサ層」とも呼ばれる。
　第１活性層１０４－１は、一例として、ノンドープのＩｎＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＩｎ０．１０ＧａＡｓ）からなる活性領域と、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＡｌ０．１０ＧａＡｓ）からなるガイド・バリア領域（但し、積層方向の両端がガイド領域、積層方向の中間がバリア領域）とが交互に積層された積層構造を有している。ここでは、第１活性層１０４は、例えば２層のガイド領域、２層のバリア領域及び３層の活性領域を有している。
　各活性領域の厚さは、例えば７ｎｍとされている。積層方向の両端のガイド領域の厚さは、例えば１０ｎｍとされている。積層方向の中間のバリア領域の厚さは、例えば８ｎｍとされている。
　面発光レーザ１００は、第１活性層１０４－１が当該積層構造を有することにより、例えば９００ｎｍ帯を発振波長としたレーザ発振を行うことが可能である。
［酸化狭窄層］
　酸化狭窄層１０６は、一例として、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなるスペーサ層１０５を介して第１活性層１０４－１上に配置されている。なお、スペーサ層は「クラッド層」とも呼ばれる。
　酸化狭窄層１０６は、一例として、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等）からなる非酸化領域１０６ａと、その周囲を取り囲むＡｌＧａＡｓ系化合物半導体の酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域１０６ｂとを有する。酸化狭窄層１０６の基材（後述する被選択酸化層１０６Ｓ）としては、Ａｌ組成が９０％以上のＡｌＧａＡｓ膜を用いることが好ましい。
　面発光レーザ１００の発振波長をλとすると、第１活性層１０４－１とトンネルジャンクション１０８と酸化狭窄層１０６とが光学厚さ３λ／４内に配置されている。
　酸化狭窄層は「電流狭窄層」とも呼ばれる。
［トンネルジャンクション］
　トンネルジャンクション１０８は、一例として、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなるスペーサ層１０７を介して酸化狭窄層１０６上に配置されている。
　トンネルジャンクション１０８は、互いに積層されたｐ型半導体層１０８ａ及びｎ型半導体層１０８ｂを含む。ｐ型半導体層１０８ａは、一例として、ｎ型半導体層１０８ｂの基板１０１側（下側）に配置されている。より詳細には、ｐ型半導体層１０８ａは、一例として、酸化狭窄層１０６とｎ型半導体層１０８ｂとの間にｎ型半導体層１０８ｂと接するように配置されている。
（ｐ型半導体層）
　ｐ型半導体層１０８ａは、一例として、キャリア濃度が高いＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＧａＡｓ系化合物半導体又はＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる。ｐ型半導体層１０８ａのドーパント材料としては、例えばＣ、Ｚｎ、Ｍｇ等を用いることができる。ｐ型半導体層１０８ａとして、例えばＣ（炭素）が高濃度（例えば１ｘ１０２０ｃｍ－３）にドープされた厚さ１０ｎｍのＧａＡｓ層を用いることができる。
（ｎ型半導体層）
　ｎ型半導体層１０７ｂは、一例として、キャリア濃度が高いｎ型のＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＧａＡｓ系化合物半導体又はＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる。ｎ型半導体層１０８ｂのドーパント材料としては、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓｅ等を用いることができる。ｎ型半導体層１０８ｂとして、例えばＳｉ（シリコン）が高濃度（例えば５ｘ１０１９ｃｍ－３）にドープされた厚さ２０ｎｍのＧａＡｓ層を用いることができる。
［第２活性層］
　第２活性層１０４－２は、一例として、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなるスペーサ層１０９を介してトンネルジャンクション１０８上に配置されている。
　第２活性層１０４－２は、一例として、第１活性層１０４－１と同様の層構成を有する。すなわち、第２活性層１０４－２は、一例として、ノンドープのＩｎＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＩｎ０．１０ＧａＡｓ）からなる活性領域と、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＡｌ０．１０ＧａＡｓ）からなるガイド・バリア領域（但し、積層方向の両端がガイド領域、積層方向の中間がバリア領域）とが交互に積層された積層構造を有している。ここでは、第２活性層１０４－２は、例えば２層のガイド領域、２層のバリア領域及び３層の活性領域を有している。
　各活性領域の膜厚は、例えば７ｎｍとされている。積層方向の両端のガイド領域の膜厚は、例えば１０ｎｍとされている。積層方向の中間のバリア領域の膜厚は、例えば８ｎｍとされている。
　面発光レーザ１００は、第２活性層１０４－２が当該積層構造を有することにより、例えば９００ｎｍ帯を発振波長としたレーザ発振を行うことが可能である。
［第２多層膜反射鏡］
　第２多層膜反射鏡１１２は、一例として、ノンドープのＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる第２クラッド層１１１を介して第２活性層１０４－２上に配置されている。
　第２多層膜反射鏡１１２は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布型ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。
　詳述すると、第２多層膜反射鏡１１２は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２多層膜反射鏡１１２の各屈折率層は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。第２多層膜反射鏡１１２は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２よりも反射率が僅かに低く設定されている。
　第２多層膜反射鏡１１２の内部には、別の酸化狭窄層である酸化狭窄層１１３が配置されている。第２多層膜反射鏡１１２は、一例として、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち面発光レーザ１００の出射面ＥＳに近い方である。酸化狭窄層１１３は、一例として、第２導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等）からなる非酸化領域１１３ａと、その周囲を取り囲むＡｌＧａＡｓ系化合物半導体の酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域１１３ｂとを有する。酸化狭窄層１１３の基材（後述する被選択酸化層１１３Ｓ）としては、Ａｌ組成が９０％以上のＡｌＧａＡｓ膜を用いることが好ましい。
　酸化狭窄層１０６、１１３は、上述したように、一例として、いずれもＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる被選択酸化層を選択酸化して形成されている。酸化狭窄層１０６、１１３は、Ａｌ組成及び／又は光学厚さが互いに異なることが好ましい。酸化狭窄層１０６を含む共振器Ｒ内と酸化狭窄層１１３を含む第２多層膜反射鏡１１２内とでは、同一の酸化雰囲気中において基材（被選択酸化層）の酸化状況が異なるため、各酸化狭窄層において所望の酸化狭窄径を得るためには酸化レートを個別に設定する必要があるからである。酸化狭窄層１０６、１１３の酸化狭窄径は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。なお、被選択酸化層は、Ａｌ組成が大きいほど酸化レートが高くなる傾向にあり、光学厚さが厚いほど酸化レートが高くなる傾向にある。
　第２多層膜反射鏡１１２上には、一例として、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ層からなるコンタクト層１１４が配置されている。ここでは、一例として、コンタクト層１１４がメサＭ１の頂部を構成し、コンタクト層１１４の上面の中央部（周辺部を除く部分）が出射面ＥＳを構成している。
　メサＭ１は、コンタクト層１１４の上面の中央部を除いて絶縁膜１１５で覆われている。絶縁膜１１５は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。
　すなわち、メサＭ１の頂部（例えばコンタクト層１１４）上の絶縁膜１１５にはコンタクトホール１１５ａが形成されており、該コンタクトホール１１５ａ内にｐ側電極である環状のアノード電極１１６がメサＭ１の頂部（例えばコンタクト層１１４）に接触するように設けられている。アノード電極１１６は、一例として、積層方向から見て中心が酸化狭窄層１１３の中心に略一致するようにコンタクトホール１１５ａ内に配置されている。アノード電極１１６の内側がレーザ光の出射口となっている。
　アノード電極１１６は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　アノード電極１１６は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
（２）面発光レーザの動作
　図１に示す面発光レーザ１００では、アノード電極１１６とカソード電極１１７との間に電圧が印加されアノード電極１１６からメサＭ１を含む共振器構造体に電流が流入されると、該電流が酸化狭窄層１１３で狭窄されて第２活性層１０４－２に注入されるとともに、トンネルジャンクション１０８によるトンネル効果によりその注入された電流と略同一の電流値の電流が酸化狭窄層１０６で狭窄されて第１活性層１０４－１に注入される。これにより、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２が略同一の発光強度で発光し、それらの光が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間において各活性層で増幅されながら往復して発振条件を満たしたときに、メサＭ１の頂部からレーザ光として出射される。
（３）面発光レーザの製造方法
　以下、面発光レーザ１００の製造方法について、図２のフローチャート（ステップＳ１～Ｓ７）を参照して説明する。図２は、面発光レーザ１００のみならず面発光レーザ１００の派生系も製造可能な手順を示す。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ上に、複数の面発光レーザ１００が２次元配置された面発光レーザアレイを複数同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザアレイをダイシングにより分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を得る。なお、以下に説明する製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１００を複数同時に生成し、一連一体の複数の面発光レーザ１００をダイシングにより分離して、チップ状の面発光レーザ（面発光レーザチップ）を得ることも可能である。以下の一連の工程は、半導体製造装置のＣＰＵにより実行される。
＜ステップＳ１：積層体生成処理１＞
　最初のステップＳ１では、積層体生成処理１を実施する。積層体生成処理１では、一例として、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、成長室において面発光レーザ１００を構成する各層を順次積層して積層体Ｌ１（図１１参照）を生成する。具体的には、以下に詳述するように、例えば、第１多層膜反射鏡１０２上に第１活性層１０４－１、被選択酸化層１０６Ｓ、トンネルジャンクション１０８及び第２活性層１０４－２がこの順に積層された積層構造を含む構造体を積層し、該構造体上に被選択酸化層１１３Ｓを内部に含む第２多層膜反射鏡１１２を積層して積層体Ｌ１を生成する。
　以下、積層体生成処理１（図２のステップＳ１）について、図３のフローチャートを参照して説明する。
（ステップＳ１－１）
　ステップＳ１－１では、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２を積層する（図４参照）。
（ステップＳ１－２：共振器基材生成工程１）
　ステップＳ１－２では、共振器基材生成工程１を実施する。共振器基材生成工程１は、以下に詳述するように、第１多層膜反射鏡１０２上に共振器Ｒとなる共振器基材を生成する工程である。
　以下、共振器基材生成工程１について、図５のフローチャート、図６～図１０（第１積層工程図～第５積層工程図）を参照して説明する。
　ステップＳ１－２－１では、第１多層膜反射鏡１０２上に第１活性層１０４－１を積層する（図６参照）。より詳細には、第１多層膜反射鏡１０２上に第１クラッド層１０３を介して第１活性層１０４－１を積層する。
　ステップＳ１－２－２では、ｎに１をセットする。
　ステップＳ１－２－３では、第ｎ活性層１０４－ｎ上に第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ－ｎを積層する（図７参照）。より詳細には、第１活性層１０４－１上にスペーサ層１０５を介して第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ－ｎを積層する。ここで、第１被選択酸化層１０６Ｓ－１は、図７に示す被選択酸化層１０６Ｓである。
　ステップＳ１－２－４では、第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ－ｎ上に第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎを積層する（図８参照）。より詳細には、第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ上にスペーサ層１０７を介して、第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎを構成するｐ型半導体層１０８ａ及びｎ型半導体層１０８ｂをこの順に積層する。
　ステップＳ１－２－５では、第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎ上に第ｎ＋１活性層１０４－（ｎ＋１）を積層する（図９参照）。より詳細には、第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎ上にスペーサ層１０９を介して第ｎ＋１活性層１０４－（ｎ＋１）を積層する。
　ステップＳ１－２－６では、ｎ＜Ｎであるか否かを判断する。ここでの判断が肯定されるとステップＳ１－２－７に移行し、否定されるとステップＳ１－２－８に移行する。ここで、Ｎは、共振器内の酸化狭窄層の数を意味する。面発光レーザ１００の場合は、共振器内の酸化狭窄層の数が１つでありＮ＝１であるため、ｎ＝１のときにステップＳ１－２－６での判断が否定されステップＳ１－２－８に移行する。
　ステップＳ１－２－７では、ｎをインクリメントする。ステップＳ１－２－７が実行されると、ステップＳ１－２－３に戻り、Ｓ１－２－３～Ｓ１－２－５の一連の処理が再び実行される。これにより、第２活性層１０４－２上にさらに被選択酸化層、トンネルジャンクション及び活性層をこの順に積層して、面発光レーザ１００の派生系を製造するための共振器基材を生成することができる。
　ステップＳ１－２－８では、第ｎ＋１活性層１０４－（ｎ＋１）上に第２クラッド層１１１を積層する（図１０参照）。この結果、共振器となる共振器基材が生成される。
（ステップＳ１－３）
　ステップＳ１－３では、共振器基材上に第２多層膜反射鏡１１２を積層する（図１１参照）。より詳細には、共振器基材の第２クラッド層１１１上に、被選択酸化層１１３Ｓを内部に含む第２多層膜反射鏡１１２及びコンタクト層１１４をこの順に積層する。この結果、積層体（例えば積層体Ｌ１）が生成される。ステップＳ１－３が実行されると、積層体生成処理１が終了する。
＜ステップＳ２＞
　ステップＳ２では、積層体（例えば積層体Ｌ１）をエッチングしてメサ（例えばメサＭ１）を形成する（図１２参照）。
　具体的には、例えば、成長室から取り出した積層体Ｌ１上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、例えばＲＩＥエッチング（反応性イオンエッチング）により、積層体Ｌ１を少なくとも被選択酸化層１０６Ｓの側面が露出するまでエッチングして、メサＭ１を形成する。ここでのエッチングは、一例として、第１クラッド層１０３の側面が完全に露出するまで（例えばエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内に位置するまで）行う。その後、該レジストパターンを除去する。
＜ステップＳ３＞
　ステップＳ３では、被選択酸化層１０６Ｓ、１１３Ｓ（図１２参照）の周囲部を酸化して酸化狭窄層１０６、１１３を生成する（図１３参照）。
　具体的には、例えば、メサＭ１を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０６Ｓ、１１３Ｓを側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域１０６ａの周りが酸化領域１０６ｂで取り囲まれた酸化狭窄層１０６を形成するとともに、被酸化領域１１３ａの周りが酸化領域１１３ｂで取り囲まれた酸化狭窄層１１３を形成する。
＜ステップＳ４＞
　ステップＳ４では、絶縁膜１１５を形成する（図１４参照）。具体的には、例えば、メサＭ１が形成された積層体の略全域に絶縁膜１１５を成膜する。
＜ステップＳ５＞
　ステップＳ５では、コンタクトホール１１５ａを形成する（図１５参照）。具体的には、例えば、メサＭ１の頂部上に形成された絶縁膜１１５以外の絶縁膜１１５上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、メサＭ１の頂部上に形成された絶縁膜１１５を例えばフッ酸系のエッチャントを用いてエッチングにより除去する。その後、該レジストパターンを除去する。この結果、コンタクトホール１１５ａが形成され、コンタクト層１１４が露出する。
＜ステップＳ６＞
　ステップＳ６では、アノード電極１１６を形成する（図１６参照）。具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、コンタクトホール１１５ａを介してコンタクト層１１４上に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕをリフトオフすることにより、コンタクトホール１１５ａ内に環状のアノード電極１１６を形成する。
＜ステップＳ７＞
　ステップＳ７では、カソード電極１１７を形成する（図１７参照）。具体的には、基板１０１の裏面（下面）を研磨した後、該裏面に例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜を成膜する。ステップＳ７が実行されると、図２のフローは終了する。
（４）面発光レーザ及びその製造方法の効果
　本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１００は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２と、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に互いに積層された複数の活性層（例えば第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２）と、該複数の活性層のうち積層方向に隣り合う２つの活性層である第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間に配置されたトンネルジャンクション１０８と、隣り合う２つの活性層の一方の活性層である第１活性層１０４－１とトンネルジャンクション１０８との間に配置された酸化狭窄層１０６と、を備える、面発光レーザである。
　この場合、例えば、第２活性層１０４－２に注入されトンネルジャンクション１０８を介した電流は、酸化狭窄層１０６で狭窄されて第１活性層１０４－１に注入される。これにより、第１活性層１０４－１に効率良く電流を注入することができ、第１活性層１０４－１での発光効率の低下を抑制できる。
　結果として、第１実施形態の面発光レーザ１００によれば、発光効率の低下を抑制できる面発光レーザを提供できる。
　さらに、面発光レーザ１００によれば、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の各々で発生した光が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間を往復するときに酸化狭窄層１０６により光閉じ込め効果が増大するので、レーザ光（出射光）の出射角の制御範囲を拡大することもできる。
　上記一方の活性層（トンネルジャンクション１０８とで酸化狭窄層１０６を挟む活性層）である第１活性層１０４－１は、隣り合う２つの活性層の他方の活性層である第２活性層１０４－２よりも面発光レーザ１００の出射面ＥＳから遠い位置に配置されている。これにより、酸化狭窄層１０６を出射面ＥＳからより遠い位置（少なくともトンネルジャンクション１０８よりも出射面ＥＳから遠い位置）に配置することができ、該位置での電流狭窄効果を得ることができる。すなわち、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に設けられた共振器Ｒにおいて出射面ＥＳからより遠い位置（少なくとも酸化狭窄層１０６よりも出射面ＥＳから遠い位置）に配置された第１活性層１０４－１に注入される電流を狭窄することができ、第１活性層１０４－１への電流注入効率を向上することができる。
　なお、仮に共振器内に酸化狭窄層１０６が設けられていない場合には、例えば出射面ＥＳ側から共振器に供給された電流は、共振器内において広がりながら、第２活性層１０４－２、第１活性層１０４－１にこの順に注入されることになる。この場合、第１活性層１０４－１は第２活性層１０４－２よりも共振器内における電流経路の下流端側に位置するため、より広がった電流が注入されることになる。すなわち、第１活性層１０４－１の方が第２活性層１０４－２よりも電流注入効率に関して不利な位置にある。このため、第１活性層１０４－１に注入される電流を狭窄できることの意義は大きい。
　上記一方の活性層（トンネルジャンクション１０８とで酸化狭窄層１０６を挟む活性層）である第１活性層１０４－１は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち出射面ＥＳから近い一方である第２多層膜反射鏡１１２よりも出射面ＥＳから遠い他方である第１多層膜反射鏡１０２に近い位置（例えば共振器Ｒの下半部）に配置されている。これにより、酸化狭窄層１０６により、例えば共振器Ｒの下半部に配置される第１活性層１０４－１に注入される電流を効果的に狭窄することができる。
　なお、上記一方の活性層（トンネルジャンクション１０８とで酸化狭窄層１０６を挟む活性層）である第１活性層１０４－１は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち出射面ＥＳから遠い一方である第１多層膜反射鏡１０２よりも出射面ＥＳから近い他方である第２多層膜反射鏡１１２に近い位置（例えば共振器Ｒの上半部）に配置されていてもよい。この場合、酸化狭窄層１０６、トンネルジャンクション１０８及び第２活性層１０４－２も、第１多層膜反射鏡１０２よりも第２多層膜反射鏡１１２に近い位置（例えば共振器Ｒの上半部）に配置されてもよい。
　第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち面発光レーザ１００の出射面ＥＳに近い方の内部に酸化狭窄層１１３（別の酸化狭窄層）が配置されている。これにより、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２のうち出射面ＥＳにより近い位置（例えば共振器Ｒの上半部（詳しくは例えば共振器Ｒ内の電流経路の上流端近傍））に配置された第２活性層１０４－２に注入される電流を効果的に狭窄することができる。
　酸化狭窄層１０６、１１３は、いずれもＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる層を選択酸化して形成されていることが好ましい。
　酸化狭窄層１０６、１１３は、Ａｌ組成及び／又は光学厚さが互いに異なる。これにより、同一酸化雰囲気中（例えば同一水蒸気雰囲気中）で選択酸化処理を行う場合に酸化狭窄層１０６、１１３の各々の酸化狭窄径を所望の大きさに設定することができる。
　トンネルジャンクション１０８は、ｐ型半導体層１０８ａ及びｎ型半導体層１０８ｂが互いに積層された層構造を有し、酸化狭窄層１０６は、ｐ型半導体層１０８ａ側に配置されている。これにより、酸化狭窄層１０６を、ｎ型の多層膜反射鏡である第１多層膜反射鏡１０２により近い位置（より出射面ＥＳから遠い位置）に配置することができる。
　面発光レーザ１００の発振波長をλとすると、第１活性層１０４－１とトンネルジャンクション１０８と酸化狭窄層１０６とが光学厚さ３λ／４内に配置されている。この場合に、例えば共振器内において、第１活性層１０４－１を波長λの定在波の腹又はその近傍に配置し、且つ、トンネルジャンクション１０８及び酸化狭窄層１０６の各々を該定在波の節又はその近傍に配置することができる。これにより、該定在波の減衰を極力抑制することができ、ひいては面発光レーザ１００の出射光の出力低下を抑制できる。
　面発光レーザ１００の製造方法は、第１多層膜反射鏡１０２上に第１活性層１０４－１、被選択酸化層１０６Ｓ、トンネルジャンクション１０８及び第２活性層１０４－２がこの順に積層された積層構造を含む構造体を積層し、該構造体上に少なくとも第２多層膜反射鏡１１２を積層して積層体Ｌ１を生成する工程と、積層体Ｌ１を少なくとも被選択酸化層１０６Ｓの側面が露出するまでエッチングしてメサＭ１を形成する工程と、被選択酸化層１０６Ｓを側面側から選択的に酸化して酸化狭窄層１０６を形成する工程と、を含む、面発光レーザの製造方法である。
　これにより、発光効率の低下を抑制可能な屈折率ガイド型の面発光レーザ１００を製造することができる。
２．本技術の第１実施形態の変形例１～５に係る面発光レーザ
　以下、本技術の第１実施形態の変形例１～５に係る面発光レーザについて説明する。
（変形例１）
　変形例１の面発光レーザ１００－１は、図１８に示すように、酸化狭窄層１０６（第２酸化狭窄層１０６－２とする）が第２活性層１０４－２とトンネルジャンクション１０８との間に設けられている点、酸化狭窄層１１３に代えてもう１つの酸化狭窄層１０６（第１酸化狭窄層１０６－１とする）が第１多層膜反射鏡１０２と第１活性層１０４－１との間に設けられている点及び導電型が逆な点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１００（図１参照）と同様の構成を有する。面発光レーザ１００－４では、第１多層膜反射鏡１０２の導電型がｐ型であり、且つ、第２多層膜反射鏡１１２の導電型がｎ型であり、且つ、アノード電極１１６が基板１０１の裏面側に配置され、且つ、カソード電極１１７がメサの頂部に配置され、且つ、トンネルジャンクション１０８においてｎ型半導体層１０８ｂがｐ型半導体層１０８ａの基板１０１側に配置されている。
　面発光レーザ１００－１では、トンネルジャンクション１０８とで第２酸化狭窄層１０６－２を挟む活性層である第２活性層１０４－２は、第１活性層１０４－１よりも面発光レーザ１００の出射面ＥＳから近い位置に配置されている。これにより、第２酸化狭窄層１０６－２を出射面ＥＳからより近い位置（少なくともトンネルジャンクション１０８よりも出射面ＥＳから近い位置）に配置することができ、該位置での電流狭窄効果を得ることができる。すなわち、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に設けられた共振器において出射面ＥＳからより近い位置（少なくとも酸化狭窄層１０６よりも出射面ＥＳから近い位置、例えば共振器の上半部）での電流狭窄効果を得ることができ、第２活性層１０４－２への電流注入効率を向上することができる。
　面発光レーザ１００－１では、トンネルジャンクション１０８とで第２酸化狭窄層１０６－２を挟む活性層である第２活性層１０４－２は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち出射面ＥＳから遠い一方の多層膜反射鏡である第１多層膜反射鏡１０２よりも出射面ＥＳから近い他方の多層膜反射鏡である第２多層膜反射鏡１１２に近い位置に配置されている。
　面発光レーザ１００－１では、アノード電極１１６から流入された電流は、基板１０１及び第１多層膜反射鏡１０２を経て第１酸化狭窄層１０６－１で狭窄され第１活性層１０４－２に注入される。第１活性層１０４－１を介した電流は、トンネルジャンクション１０８を経て酸化狭窄層１０６－２により狭窄され第２活性層１０４－２に注入される。これにより、各活性層に効率良く電流を注入することができる。
　なお、トンネルジャンクション１０８とで酸化狭窄層１０６－２を挟む活性層である第２活性層１０４－２は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のうち出射面ＥＳから近い一方である第２多層膜反射鏡１１２よりも出射面ＥＳから遠い他方である第１多層膜反射鏡１０２に近い位置（例えば共振器の下半部）に配置されていてもよい。この場合、酸化狭窄層１０６、トンネルジャンクション１０８及び第１活性層１０４－１も、第２多層膜反射鏡１１２よりも第１多層膜反射鏡１０２に近い位置（例えば共振器の下半部）に配置されてもよい。
　変形例１の面発光レーザ１００－１は、積層体生成処理において、酸化狭窄層１１３に代えてもう１つの酸化狭窄層１０６が形成される点及び積層順が一部異なる点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１００（図１参照）の製造方法と同様の製造方法により製造できる。
（変形例２）
　変形例２の面発光レーザ１００－３は、図１９に示すように、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に、第１多層膜反射鏡１０２側から活性層、酸化狭窄層及びトンネルジャンクションがこの順に積層された積層構造を複数（例えば２つ）有する点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１００（図１参照）と同様の構成を有する。
　詳述すると、面発光レーザ１００－３は、第１多層膜反射鏡１０２側から第１活性層１０４－１、第１酸化狭窄層１０６－１及び第１トンネルジャンクション１０８－１がこの順に積層された第１積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－３は、該第１積層構造上に、第１多層膜反射鏡１０２側から第２活性層１０４－２、第２酸化狭窄層１０６－２及び第２トンネルジャンクション１０８－２がこの順に積層された第２積層構造を有する。第１及び第２トンネルジャンクション１０８－１、１０８－２は、トンネルジャンクション１０８と実質的に同一の構成及び機能を有する。さらに、面発光レーザ１００－３は、該第２積層構造上に第３活性層１０４－３を有する。
　すなわち、面発光レーザ１００－３では、複数の活性層は３つの活性層（第１～第３活性層１０４－１～１０４－３）であり、複数（例えば３つ）の活性層のうち少なくとも２組の隣り合う２つの活性層（第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２、第２及び第３活性層１０４－２、１０４－３）の１組目の隣り合う２つの活性層である第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間に第１トンネルジャンクション１０８－１が配置され、且つ、２組目の隣り合う２つの活性層である第２及び第３活性層１０４－２、１０４－３の間に第２トンネルジャンクション１０８－２が配置されている。さらに、１組目の隣り合う２つの活性層である第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の一方の活性層である第１活性層１０４－１と、該隣り合う２つの活性層である第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間に配置された第１トンネルジャンクション１０８－１との間に第１酸化狭窄層１０６－１が配置されている。さらに、２組目の隣り合う２つの活性層である第２及び第３活性層１０４－２、１０４－３の一方の活性層である第２活性層１０４－２と、該隣り合う２つの活性層である第２及び第３活性層１０４－２、１０４－３の間に配置された第２トンネルジャンクション１０８－２との間に第２酸化狭窄層１０６－２が配置されている。
　面発光レーザ１００－３は、第１、第２及び第３活性層１０４－１～１０４－３を含み、第１、第２及び第３活性層１０４－１～１０４－３は、この順に積層され、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間に第１トンネルジャンクション１０８－１が配置され、第２及び第３活性層１０４－２、１０４－３の間に第２トンネルジャンクション１０８－２が配置されている。さらに、第１活性層１０４－１と第１トンネルジャンクション１０８－１との間に第１酸化狭窄層１０６－１が配置され、第２活性層１０４－２と第２トンネルジャンクション１０８－２との間に第２酸化狭窄層１０６－２が配置されている。
　面発光レーザ１００－３では、第１活性層１０４－１は、３つの活性層１０４－１～１０４－３の中で面発光レーザ１００－３の出射面ＥＳから最も遠い位置（例えば共振器内の電流経路の下流端近傍）に配置された活性層である。
　面発光レーザ１００－３によれば、活性層の数が３つのマルチ活性層の場合でも、各活性層に効率良く電流を注入でき、該活性層の発光効率の低下を抑制できる。
　面発光レーザ１００－３は、面発光レーザ１００の派生系であり、図５のフローチャートの手順（但し、ステップＳ１－２－６においてＮ＝２とする）で製造することができる。
（変形例３）
　変形例３の面発光レーザ１００－４は、図２０に示すように、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に、第１多層膜反射鏡１０２側からトンネルジャンクション、酸化狭窄層及び活性層がこの順に積層された積層構造を複数（例えば２つ）有する点、酸化狭窄層１１３に代えてもう１つの酸化狭窄層１０６が第１多層膜反射鏡１０２と第１活性層１０４－１との間に設けられている点及び導電型が逆な点を除いて、変形例２の面発光レーザ１００－３（図１９参照）と同様の構成を有する。
　すなわち、面発光レーザ１００－４は、面発光レーザ１００－３を上下逆さにしたような構成を有する。面発光レーザ１００－４では、第１多層膜反射鏡１０２の導電型がｐ型であり、且つ、第２多層膜反射鏡１１２の導電型がｎ型であり、且つ、アノード電極１１６が基板１０１の裏面側に配置され、且つ、カソード電極１１７がメサの頂部に配置され、且つ、各トンネルジャンクションにおいてｎ型半導体層１０８ｂ（図２０において灰色の層）がｐ型半導体層１０８ａの基板１０１側に配置されている。
　詳述すると、面発光レーザ１００－４は、第１多層膜反射鏡１０２側から第１トンネルジャンクション１０８－１、第１酸化狭窄層１０６－１及び第２活性層１０４－２がこの順に積層された第１積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－４は、該第１積層構造上に、第１多層膜反射鏡１０２側から第２トンネルジャンクション１０８－２、第２酸化狭窄層１０６－２及び第３活性層１０４－３がこの順に積層された第２積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－４は、該第１積層構造下に第１活性層１０４－１を有する。
　面発光レーザ１００－４によれば、活性層の数が３つのマルチ活性層の場合でも、各活性層に効率良く電流を注入でき、該活性層の発光効率の低下を抑制できる。
　面発光レーザ１００－４は、積層体生成処理において、酸化狭窄層１１３に代えて酸化狭窄層１０６が形成される点及び積層順が異なる点を除いて、変形例２の面発光レーザ１００－３（図１９参照）の製造方法と同様の製造方法により製造できる。
（変形例４）
　変形例４の面発光レーザ１００－５は、図２１に示すように、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に、活性層、酸化狭窄層及びトンネルジャンクションが第１多層膜反射鏡１０２側からこの順に積層された積層構造を複数（例えば３つ）有する点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１００（図１参照）と同様の構成を有する。
　詳述すると、面発光レーザ１００－５は、第１多層膜反射鏡１０２側から第１活性層１０４－１、第１酸化狭窄層１０６－１及び第１トンネルジャンクション１０８－１がこの順に積層された第１積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－５は、該第１積層構造上に、第１多層膜反射鏡１０２側から第２活性層１０４－２、第２酸化狭窄層１０６－２及び第２トンネルジャンクション１０８－２がこの順に積層された第２積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－５は、該第２積層構造上に、第１多層膜反射鏡１０２側から第３活性層１０４－３、第３酸化狭窄層１０６－３及び第３トンネルジャンクション１０８－３がこの順に積層された第３積層構造を有する。第３トンネルジャンクション１０８－３は、トンネルジャンクション１０８と実質的に同一の構成及び機能を有する。さらに、面発光レーザ１００－５は、該第３積層構造上に第４活性層１０４－４を有する。
　面発光レーザ１００－５によれば、活性層の数が４つのマルチ活性層の場合でも、各活性層に効率良く電流を注入でき、該活性層の発光効率の低下を抑制できる。なお、上記積層構造を４つ以上有し、且つ、酸化狭窄層１１３を有する面発光レーザ（面発光レーザ１００の派生系）によれば、活性層の数が５つ以上のマルチ活性層の場合でも、各活性層に効率良く電流を注入でき、該活性層の発光効率の低下を抑制できる。
　面発光レーザ１００－５は、面発光レーザ１００の派生系であり、面発光レーザ図５のフローチャートの手順（但し、ステップＳ１－２－６においてＮ＝３とする）で製造することができる。なお、同様の製法（但し、図５のステップＳ１－２－６においてＮ≧４とする）により、上記積層構造を４つ以上有する面発光レーザを製造することができる。
（変形例５）
　変形例５の面発光レーザ１００－６は、図２２に示すように、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の間に、トンネルジャンクション、酸化狭窄層及び活性層が第１多層膜反射鏡１０２側からこの順に積層された積層構造を複数（例えば３つ）有する点、酸化狭窄層１１３に代えてもう１つの酸化狭窄層１０６が第１多層膜反射鏡１０２と第１活性層１０４－１との間に設けられている点及び導電型が逆な点を除いて、変形例４の面発光レーザ１００－５（図２１参照）と同様の構成を有する。すなわち、面発光レーザ１００－６は、面発光レーザ１００－５を上下逆さにしたような構成を有する。面発光レーザ１００－６では、第１多層膜反射鏡１０２の導電型がｐ型であり、且つ、第２多層膜反射鏡１１２の導電型がｎ型であり、且つ、アノード電極１１６が基板１０１の裏面側に配置され、且つ、カソード電極１１７がメサの頂部に配置され、且つ、各トンネルジャンクションにおいてｎ型半導体層１０８ｂ（図２２において灰色の層）がｐ型半導体層１０８ａの基板１０１側に配置されている。
　詳述すると、面発光レーザ１００－６は、第１多層膜反射鏡１０２側から第１トンネルジャンクション１０８－１、第１酸化狭窄層１０６－１及び第２活性層１０４－２がこの順に積層された第１積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－６は、該第１積層構造上に、第１多層膜反射鏡１０２側から第２トンネルジャンクション１０８－２、第２酸化狭窄層１０６－２及び第３活性層１０４－３がこの順に積層された第２積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－６は、該第２積層構造上に、第１多層膜反射鏡１０２側から第３トンネルジャンクション１０８－３、第３酸化狭窄層１０６－３及び第４活性層１０４－４がこの順に積層された第３積層構造を有する。さらに、面発光レーザ１００－６は、該第１積層構造下に第１活性層１０４－１を有する。
　面発光レーザ１００－６によれば、活性層の数が４つのマルチ活性層の場合でも、各活性層に効率良く電流を注入でき、該活性層の発光効率の低下を抑制できる。なお、上記積層構造を４つ以上有し、且つ、酸化狭窄層１１３を有する面発光レーザによれば、活性層の数が５つ以上のマルチ活性層の場合でも、各活性層に効率良く電流を注入でき、該活性層の発光効率の低下を抑制できる。
　面発光レーザ１００－６は、積層体生成処理において、酸化狭窄層１１３に代えてもう１つの酸化狭窄層１０６が形成される点及び積層工数が増える点を除いて、変形例３の面発光レーザ１００－４（図２０参照）の製造方法と同様の製造方法により製造できる。なお、同様の製法により、上記積層構造を４つ以上有する面発光レーザを製造することができる。
３．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ
　以下、本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ２００について説明する。
（１）面発光レーザの構成
　第２実施形態に係る面発光レーザ２００は、図２３に示すように、第２活性層１０４－２上に第２トンネルジャンクション１０８－２及び第３活性層１０４－３がこの順に積層されている点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１００（図１参照）と同様の構成を有する。すなわち、面発光レーザ２００は、第２活性層１０４－２上にトンネルジャンクションと活性層のペアを１つ有する。
　別の観点からすると、面発光レーザ２００は、第２活性層１０４－２と第２トンネルジャンクション１０８－２との間に酸化狭窄層が配置されていない点が変形例２の面発光レーザ１００－３（図１９参照）と異なる。
（２）面発光レーザの動作
　図２３に示す面発光レーザ２００では、アノード電極１１６とカソード電極１１７との間に電圧が印加されアノード電極１１６からメサＭ２を含む共振器構造体に電流が流入されると、該電流が酸化狭窄層１１３で狭窄されて第３活性層１０４－３に注入され、第２トンネルジャンクション１０８－２によるトンネル効果によりその注入された電流と略同一の電流値の電流が第２活性層１０４－２に注入され、第１トンネルジャンクション１０８－１によるトンネル効果によりその注入された電流と略同一の電流値の電流が酸化狭窄層１０６で狭窄されて第１活性層１０４－１に注入される。これにより、第１～第３活性層１０４－１、１０４－２、１０４－３が略同一の発光強度で発光し、それらの光が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２間において各活性層で増幅されながら往復して発振条件を満たしたときに、メサＭ２の頂部からレーザ光として出射される。
（３）面発光レーザの製造方法
　以下、面発光レーザ２００の製造方法について、図２４のフローチャート（ステップＳ１１～Ｓ１７）を参照して説明する。図２４は、面発光レーザ２００のみならず面発光レーザ２００の派生系の面発光レーザも製造可能な手順を示す。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ上に、複数の面発光レーザ２００が２次元配置された面発光レーザアレイを複数同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザアレイをダイシングにより分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を得る。なお、以下に説明する製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ２００を複数同時に生成し、一連一体の複数の面発光レーザ２００をダイシングにより分離して、チップ状の面発光レーザ（面発光レーザチップ）を得ることも可能である。以下の一連の工程は、半導体製造装置のＣＰＵにより実行される。
＜ステップＳ１１：積層体生成処理２＞
　最初のステップＳ１１では、積層体生成処理２を実施する。積層体生成処理２では、一例として、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、成長室において面発光レーザ２００を構成する各層を順次積層して積層体Ｌ２（図３２参照）を生成する。具体的には、面発光レーザ２００を製造する場合には、以下に詳述するように、第１多層膜反射鏡１０２上に活性層１０４－１、被選択酸化層１０６Ｓ、第１トンネルジャンクション１０８－１、第２活性層１０４－２、第２トンネルジャンクション１０８－２及び第３活性層１０４－３が第１多層膜反射鏡１０２側からこの順に積層された積層構造を含む構造体を積層し、該構造体上に被選択酸化層１１３Ｓを内部に含む第２多層膜反射鏡１１２を積層して積層体Ｌ２（図３２参照）を生成する。
　以下、積層体生成処理２（図２４のステップＳ１１）について、図２５のフローチャートを参照して説明する。
（ステップＳ１１－１）
　ステップＳ１１－１では、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２を積層する（図４参照）。
（ステップＳ１１－２：共振器基材生成工程２）
　ステップＳ１１－２では、共振器基材生成工程２を実施する。共振器基材生成工程２は、以下に詳述するように、第１多層膜反射鏡１０２上に共振器を構成する各層を積層して共振器となる共振器基材を生成する工程である。
　以下、共振器基材生成工程２について、図２６のフローチャート、図６、図７、図２７～図３１（第１積層工程図～第７積層工程図）を参照して説明する。
　最初のステップＳ１１－２－１では、第１多層膜反射鏡１０２上に第１活性層１０４－１を積層する（図６参照）。より詳細には、第１多層膜反射鏡１０２上に第１クラッド層１０３を介して第１活性層１０４－１を積層する。
　次のステップＳ１１－２－２では、ｎに１をセットする。
　次のステップＳ１１－２－３では、第ｎ活性層１０４－ｎ上に第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ－ｎを積層する（図７参照）。より詳細には、第１活性層１０４－１上にスペーサ層１０５を介して第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ－ｎを積層する。ここでは、第１被選択酸化層１０６Ｓ－１は、被選択酸化層１０６Ｓである。
　次のステップＳ１１－２－４では、第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ－ｎ上に第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎを積層する（図２７参照）。ここでは、より詳細には、第ｎ被選択酸化層１０６Ｓ上にスペーサ層１０７を介して、第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎを構成するｐ型半導体層１０８ａ及びｎ型半導体層１０８ｂをこの順に積層する。
　次のステップＳ１１－２－５では、第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎ上に第ｎ＋１活性層１０４－（ｎ＋１）を積層する（図２８参照）。より詳細には、第ｎトンネルジャンクション１０８－ｎ上にスペーサ層１０９を介して第ｎ＋１活性層１０４－（ｎ＋１）を積層する。
　次のステップＳ１１－２－６では、ｎ＜Ｎであるか否かを判断する。ここでの判断が肯定されるとステップＳ１１－２－７に移行し、否定されるとステップＳ１１－２－８に移行する。ここで、Ｎは、共振器内の酸化狭窄層の数を意味する。面発光レーザ２００の場合は、共振器内の酸化狭窄層の数が１つであるからＮ＝１であり、ｎ＝１のときにステップＳ１１－２－６での判断が否定され、ステップＳ１１－２－８に移行する。
　ステップＳ１１－２－７では、ｎをインクリメントする。ステップＳ１１－２－７が実行されると、ステップＳ１１－２－３に戻り、Ｓ１１－２－３～Ｓ１１－２－５の一連の処理が再び実行される。これにより、第２活性層１０４－２上にさらに被選択酸化層、トンネルジャンクション及び活性層をこの順に積層して、面発光レーザ２００の派生系を製造するための共振器基材を生成することができる。
　ステップＳ１１－２－８では、ｍに１をセットする。
　次のステップＳ１１－２－９では、第ｎ＋ｍ活性層１０４－（ｎ＋ｍ）上に第ｎ＋ｍトンネルジャンクション１０８－（ｎ＋ｍ）を積層する（図２９参照）。より詳細には、第ｎ＋ｍ活性層１０４－（ｎ＋ｍ）上にスペーサ層１０９を介して第ｎ＋ｍトンネルジャンクション１０８－（ｎ＋ｍ）を積層する。
　ステップＳ１１－２－１０では、第ｎ＋ｍトンネルジャンクション１０８－（ｎ＋ｍ）上に第ｎ＋ｍ＋１活性層１０４－（ｎ＋ｍ＋１）を積層する（図３０参照）。より詳細には、第ｎ＋ｍトンネルジャンクション１０８－（ｎ＋ｍ）上にスペーサ層１０９を介して第ｎ＋ｍ＋１活性層１０４－（ｎ＋ｍ＋１）を積層する。
　次のステップＳ１１－２－１１では、ｍ＜Ｍであるか否かを判断する。ここでの判断が肯定されるとステップＳ１１－２－１２に移行し、否定されるとステップＳ１１－２－１３に移行する。ここで、Ｍは、第２活性層１０４－２上におけるトンネルジャンクションと活性層のペアの数を意味する。面発光レーザ２００では、該ペア数が１つであるからＭ＝１となり、ｍ＝１のときにステップＳ１１－２－１１での判断が否定され、ステップＳ１１－２－１３に移行する。
　ステップＳ１１－２－１２では、ｍをインクリメントする。ステップＳ１１－２－１２が実行されると、ステップＳ１１－２－９に戻り、Ｓ１１－２－９及びＳ１１－２－１０の一連の処理が再び実行される。これにより、第２活性層１０４－２上にさらにトンネルジャンクションと活性層のペアを積層して、面発光レーザ２００の派生系を製造するための共振器基材を生成することができる。
　ステップＳ１１－２－１３では、第ｎ＋ｍ＋１活性層１０４－（ｎ＋ｍ＋１）上に第２クラッド層１１１を積層する（図３１参照）。これにより、共振器基材が生成される。ステップＳ１１－２－１３が実行されると、図２６に示す共振器基材生成工程２のフローが終了する。
（ステップＳ１１－３）
　ステップＳ１１－３では、共振器上に第２多層膜反射鏡１１２を積層する（図３２参照）。より詳細には、共振器のクラッド層１１１上に、被選択酸化層１１３Ｓを内部に含む第２多層膜反射鏡１１２及びコンタクト層１１４をこの順に積層する。この結果、積層体（例えば積層体Ｌ２）が生成される。ステップＳ１１－３が実行されると、図２５に示す積層体生成処理２のフローが終了する。
＜ステップＳ１２＞
　ステップＳ１２では、積層体（例えば積層体Ｌ２）をエッチングしてメサ（例えばメサＭ１）を形成する（図３３--参照）。
　具体的には、例えば、成長室から取り出した積層体Ｌ２上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、例えばＲＩＥエッチング（反応性イオンエッチング）により、積層体Ｌ２（図３２参照）を少なくとも被選択酸化層１０６Ｓの側面が露出するまでエッチングして、メサＭ２を形成する。ここでのエッチングは、一例として、第１クラッド層１０３の側面が完全に露出するまで（例えばエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内に位置するまで）行う。その後、該レジストパターンを除去する。
＜ステップＳ１３＞
　ステップＳ１３では、例えば、被選択酸化層１０６Ｓ、１１３Ｓ（図３３参照）の周囲部を酸化して酸化狭窄層１０６、１１３を生成する（図３４参照）。
　具体的には、例えば、メサＭ２を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０６Ｓ、１１３Ｓを側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域１０６ａの周りが酸化領域１０６ｂで取り囲まれた酸化狭窄層１０６を形成するとともに、被酸化領域１１３ａの周りが酸化領域１１３ｂで取り囲まれた酸化狭窄層１１３を形成する。
＜ステップＳ１４＞
　ステップＳ１４では、絶縁膜１１５を形成する（図３５参照）。具体的には、例えば、メサＭ２が形成された積層体の略全域に絶縁膜１１５を成膜する。
＜ステップＳ１５＞
　ステップＳ１５では、コンタクトホール１１５ａを形成する（図３６参照）。具体的には、例えば、メサＭ２の頂部上に形成された絶縁膜１１５以外の絶縁膜１１５上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、メサＭ２の頂部上に形成された絶縁膜１１５を例えばフッ酸系のエッチャントを用いてエッチングにより除去する。その後、該レジストパターンを除去する。この結果、コンタクトホール１１５ａが形成され、コンタクト層１１４が露出する。
＜ステップＳ１６＞
　ステップＳ１６では、アノード電極１１６を形成する（図３７参照）。具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、コンタクトホール１１５ａを介してコンタクト層１１４上に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕをリフトオフすることにより、コンタクトホール１１５ａ内に環状のアノード電極１１６を形成する。
＜ステップＳ１７＞
　ステップＳ１７では、カソード電極１１７を形成する（図３８参照）。具体的には、基板１０１の裏面（下面）を研磨した後、該裏面に例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜を成膜する。ステップＳ１７が実行されると、図２４のフローは終了する。
　　（４）面発光レーザの効果
　第２実施形態の面発光レーザ２００は、例えば活性層が３つのマルチ活性層を有し共振器長が長い場合でも、酸化狭窄層１０６により、共振器内の電流経路の下流端近傍に位置する活性層（例えば出射面ＥＳから最も遠い活性層）である第１活性層１０４－１に効率良く電流を注入することができる。
４．本技術の第２実施形態の変形例１～４に係る面発光レーザ
　以下、本技術の第２実施形態の変形例１～４に係る面発光レーザについて説明する。
（変形例１）
　変形例１の面発光レーザ２００－１は、図３９に示すように、第２活性層１０４－２上にトンネルジャンクションと活性層のペアを２つ有している点を除いて、第２実施形態の面発光レーザ２００（図２３）と同様の構成を有する。
　面発光レーザ２００－１は、面発光レーザ２００の共振器において第３活性層１０４－３上に第３トンネルジャンクション１０８－３及び第４活性層１０４－４がこの順に積層された構成を有している。
　詳述すると、面発光レーザ２００－１では、第３活性層１０４－３上にスペーサ層１０９を介して第３トンネルジャンクション１０８－３が積層され、該第３トンネルジャンクション１０８－３上にスペーサ層１０９を介して第４活性層１０４－４が積層されている。
　変形例１の面発光レーザ２００－１は、例えば活性層が４つのマルチ活性層を有し共振器長が長い場合でも、酸化狭窄層１０６により、共振器内の電流経路の下流端近傍に位置する活性層（例えば出射面ＥＳから最も遠い活性層）である第１活性層１０４－１にも効率良く電流を注入することができる。
　面発光レーザ２００－１は、面発光レーザ２００の派生系であり、図２６のフローチャートの手順で（但し、Ｎ＝１、Ｍ＝２とする）で製造することができる。
（変形例２）
　変形例２の面発光レーザ２００－２は、図４０に示すように、第１活性層１０４－１と第１トンネルジャンクション１０８－１との間に第１酸化狭窄層１０６－１が設けられ、且つ、第２活性層１０４－２と第２トンネルジャンクション１０８－２との間に第２酸化狭窄層１０６－２が設けられている点を除いて、変形例１の面発光レーザ２００－１（図３９参照）と同様の構成を有する。
　変形例２の面発光レーザ２００－２は、例えば活性層が４つのマルチ活性層を有し共振器長が長い場合でも、第１及び第２酸化狭窄層１０６－１、１０６－２により共振器内の電流経路の下流端近傍に位置する活性層（例えば出射面ＥＳから最も遠い活性層）である第１活性層１０４－１にも効率良く電流を注入することができ、且つ、第２酸化狭窄層１０６－２により第２活性層１０４－２にも効率良く電流を注入することができる。例えば共振器長が長い面発光レーザ２００－２のように、共振器の上下方向（高さ方向）の中間部付近に酸化狭窄層が設けられることは、該中間部付近での電流の広がりを抑えることができる点で有効である。
　面発光レーザ２００－２は、面発光レーザ２００の派生系であり、図２６のフローチャートの手順で（但し、Ｎ＝２、Ｍ＝１とする）で製造することができる。
（変形例３）
　変形例３の面発光レーザ２００－３は、図４１に示すように、第１活性層１０４－１と第１トンネルジャンクション１０８－１との間に第１酸化狭窄層１０６－１が設けられ、且つ、第２トンネルジャンクション１０８－１と第３活性層１０４－３との間に第２酸化狭窄層１０６－２が設けられている点を除いて、変形例１の面発光レーザ２００－１（図３９参照）と同様の構成を有する。
　変形例３の面発光レーザ２００－３は、例えば活性層が４つのマルチ活性層を有し共振器長が長い場合でも、第１及び第２酸化狭窄層１０６－１、１０６－２により共振器内の電流経路の下流端近傍に位置する活性層（例えば出射面ＥＳから最も遠い活性層）である第１活性層１０４－１にも効率良く電流を注入することができ、且つ、第２酸化狭窄層１０６－２により第２活性層１０４－２にも効率良く電流を注入することができる。例えば共振器長が長い面発光レーザ２００－３のように、共振器の上下方向（高さ方向）の中間部付近に酸化狭窄層が設けられることは、該中間部付近での電流の広がりを抑えることができる点で有効である。
　面発光レーザ２００－３は、第２酸化狭窄層１０６－２を設ける必要があるため、その分積層工数は増えるが、変形例１の面発光レーザ２００－１（図３９参照）の製法に準じた製法により製造することができる。
（変形例４）
　変形例４の面発光レーザ２００－４は、図４２に示すように、第１活性層１０４－１と第１トンネルジャンクション１０８－１との間に第１酸化狭窄層１０６－１が設けられ、且つ、第２トンネルジャンクション１０８－１と第３活性層１０４－３との間に第２酸化狭窄層１０６－２が設けられている点を除いて、第２実施形態の面発光レーザ２００（図２３参照）と同様の構成を有する。
　変形例４の面発光レーザ２００－４は、例えば活性層が３つのマルチ活性層を有する場合でも、第１及び第２酸化狭窄層１０６－１、１０６－２により共振器内の電流経路の下流端近傍に位置する活性層（例えば出射面ＥＳから最も遠い活性層）である第１活性層１０４－１にも効率良く電流を注入することができ、且つ、第２酸化狭窄層１０６－２により第２活性層１０４－２にも効率良く電流を注入することができる。
　面発光レーザ２００－４は、第２酸化狭窄層１０６－２を設ける必要があるため、その分積層工数は増えるが、第２実施形態の面発光レーザ２００の製法に準じた製法により製造することができる。
５．本技術を適用し得る面発光レーザの構成例
　図４３は、本技術を適用し得る面発光レーザの構成例である面発光レーザ２０００を示す平面図である。図４４Ａは、図４３のＸ－Ｘ線断面図である。図４４Ｂは、図４３のＹ－Ｙ線断面図である。
　面発光レーザ２０００の各構成要素は、基板２００１に積層されている。基板２００１は例えばＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓＰ等の半導体を含んで構成することができる。
　面発光レーザ２０００は、保護領域２００２（図４４Ａ及び図４４Ｂの透過性灰色領域）を含む。図４３に示すように、保護領域２００２は、平面視において円形状であるが、例えば楕円形状、多角形状等の別の形状であってもよく、特定の形状に限定されない。保護領域２００２は電気的な分離をもたらす材料を含み、例えばイオン注入された領域である。
　更に、面発光レーザ２０００は、図４４Ａ及び図４４Ｂに示すように、第１電極２００３と第２電極２００４とを含む。図４３に示すように、第１電極２００３は、平面視において、不連続箇所（断続箇所）を有するリング形状、すなわちスプリットリング形状であるが、特定の形状に限定されない。図４４Ａ又は図４４Ｂに示すように、第２電極２００４は、基板２００１に接触している。第１電極２００３及び第２電極２００４は、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ、ＰｄＧｅＡｕ等の導電材料を含んで構成される。第１電極２００３及び第２電極２００４は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。
　更に、面発光レーザ２０００は、保護領域２００２の周囲に設けられたトレンチ２００５を含む。図４３は、一例として平面視矩形のトレンチ２００５が６箇所に設けられた構造を示すが、その数や、平面視における形状は特定のものに限定されない。トレンチ２００５は酸化狭窄層２００６（酸化領域２００６ａ及び非酸化領域２００６ｂを含む）を形成するための開口である。面発光レーザ２０００の製造工程において、トレンチ２００５を介して高温水蒸気が供給されることで酸化狭窄層２００６の酸化領域２００６ａが形成される。例えば、酸化領域２００６ａはＡｌＡｓ又はＡｌＧａＡｓ層の酸化の結果として形成されるＡｌ２Ｏ３である。トレンチ２００５には酸化狭窄層２００６を形成する工程の後において、任意の誘電体が埋め込まれる場合もある。また、誘電体膜による表面被膜を行う場合もある。
　更に、面発光レーザ２０００は、第１電極２００３上の誘電体層２００７に設けられた誘電体開口２００８（コンタクトホール）を含む。誘電体層２００７は、図４４Ａ及び図４４Ｂに示すような積層構造を有していてもよいし、単層構造を有していてもよい。誘電体層２００７は、一例として酸化シリコンや窒化シリコンなどを含む。図４３に示すように、誘電体開口２００８は、第１電極２００３と同じ形状に形成されている。ただし、誘電体開口２００８の形状は第１電極２００３の形状には限定されず、第１電極２００３上に部分的に形成されていてもよい。誘電体開口２００８には不図示の導電材料が充填され、該導電材料が第１電極２００３と接触する。
　更に、図４４Ａ及び図４４Ｂに示すように、面発光レーザ２０００は第１電極２００３の内側に光学開口２００９を含む。面発光レーザ２０００は、光学開口２００９を介して光線を出射する。更に、面発光レーザ２０００は、酸化狭窄層２００６の酸化領域２００６ａが、電流及び光を閉じ込める電流・光閉じ込め領域として機能する。酸化狭窄層２００６の非酸化領域２００６ｂは、光学開口２００９の下方に位置し、電流及び光を通過させる電流・光通過領域として機能する。
　更に、面発光レーザ２０００は、第１多層反射鏡２０１１及び第２多層反射鏡２０１２を含む。多層反射鏡は一例として半導体多層反射鏡であり、分布型ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector）とも呼ばれる。
　更に、面発光レーザ２０００は、活性層２０１３を含む。活性層２０１３は、第１多層反射鏡２０１１と第２多層反射鏡２０１２との間に配置され、注入キャリアを閉じ込め、面発光レーザ２０００の発光波長を規定する。
　本構成例では、一例として、面発光レーザ２０００が表面出射型面発光レーザである場合を例にとって説明したが、面発光レーザ２０００は裏面出射型面発光レーザを構成することもできる。
　図４３及び図４４Ａに示すように、本構成例の面発光レーザ２０００の実質的な径はトレンチ２００５によって規定される仮想的な円の直径ｄである。
　本構成例の面発光レーザ２０００は、一例として、以下の工程１～８の手順で製造される。
（工程１）基板２００１の表面に第１多層反射鏡２０１１、活性層２０１３、酸化狭窄層２００６となる被選択酸化層、及び第２多層反射鏡２０１２をエピタキシャル成長させる。
（工程２）例えばリフトオフ法を用いて、第１電極２００３を第２多層反射鏡２０１２上に形成する。
（工程３）例えばフォトリソグラフィによりトレンチ２００５を形成する。
（工程４）被選択酸化層の側面を露出させ、該被選択酸化層を側面から選択酸化することにより酸化狭窄層２００６を形成する。
（工程５）保護領域２００２をイオン注入などによって形成する。
（工程６）誘電体層２００７を例えば蒸着、スパッタ等により成膜する。
（工程７）例えばフォトリソグラフィにより誘電体層２００７に誘電体開口２００８を形成して第１電極２００３の接点を露出させる。
（工程８）基板２００１の裏面を研磨して薄膜化した後、第２電極２００４を基板２００１の裏面に形成する。
　以上説明した面発光レーザ２０００を構成する層の層数、配置、厚さ、配置順、対称性等は一例であって適宜変更可能である。すなわち、面発光レーザ２０００は、図４３、図４４Ａ及び図４４Ｂに示すものより多数の層、少数の層、異なる層、異なる構造の層、又は異なる配置の層を含んでもよい。
　本技術は、以上説明した面発光レーザ２０００及びその変形例に適用することができる。
６．本技術の変形例
　本技術は、上記各実施形態及び各変形例に限定されることなく、種々の変形が可能である。
　例えば、トンネルジャンクションのｎ型半導体層を、ＧａＡｓ系化合物半導体、例えばＳｉが高濃度（１ｘ１９ｃｍ－３）でドープされた例えば厚さ２０ｎｍのＧａＡｓ層としてもよい。
　例えば、活性層のガイド・バリア領域を、ＧａＡｓＰ系化合物半導体（例えばＧａＡｓＰ０．１０）で構成してもよい。
　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザにおいて、酸化狭窄層１１３は、必ずしも設けられていなくてもよい。
　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザにおいて、コンタクト層１１４は、必ずしも設けられていなくてもよい。
　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザにおいて、各スペーサ層及び各クラッド層は、必要に応じて、適宜省略してもよい。
　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザにおいて、活性層は、単層構造であってもよい。
　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザにおいて、導電型（第１及び第２導電型）を入れ替えてもよい。
　上記各実施形態及び各変形例では、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のいずれも半導体多層膜反射鏡であるが、これに限らない。
　例えば、第１多層膜反射鏡１０２が半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２多層膜反射鏡１１２が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布ブラッグ反射鏡の一種である。
　例えば、第１多層膜反射鏡１０２が誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２多層膜反射鏡１１２が半導体多層膜反射鏡であってもよい。
　例えば、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２のいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
　半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、且つ、導電性を有する。この観点からは、半導体多層膜反射鏡は、出射側（表面側）にあり、且つ、アノード電極１１６から各活性層までの電流経路上にある第２多層膜反射鏡１１２に好適である。
　一方、誘電体多層膜反射鏡は、光吸収が極めて少ない。この観点からは、誘電体多層膜反射鏡は、出射側（表面側）にある第２多層膜反射鏡１１２に好適である。
　上記各実施形態及び各変形例では、メサ頂部からレーザ光を出射する表面出射型の面発光レーザを例にとって説明したが、本技術は、基板の裏面からレーザ光を出射する（基板の裏面を出射面とする）裏面出射型の面発光レーザにも適用可能である。
　この場合には、基板として発振波長に対して透明なものを用いるか、基板に出射口となる開口部を設けることが好ましい。
　上記各実施形態及び各変形例では、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体を用いた面発光レーザ１０を例にとって説明したが、本技術は、例えば、ＧａＮ系化合物半導体を用いた面発光レーザにも適用可能である。
　具体的には、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の少なくとも一方にＧａＮ系半導体多層膜反射鏡を用いてもよいし、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の少なくとも一方にＧａＮ系誘電体多層膜反射鏡を用いてもよい。
　第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１１２の少なくとも一方に用いられるＧａＮ系化合物半導体としては、例えばＧａＮ／ＡｌＧａＮ等が挙げられる。
　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。
７．電子機器への応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　本技術に係る面発光レーザは、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。
８．＜面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施形態及び各変形例に係る面発光レーザの適用例について説明する。
　図４５は、本技術に係る電子機器の一例としての、面発光レーザ１００を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１００を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１００、受光装置１２０、レンズ１１９、１３０、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。
　受光装置１２０は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１９は、面発光レーザ１００から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３０は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２０に導くためのレンズであり、集光レンズである。
　信号処理部１４０は、受光装置１２０から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１００の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ１００、受光装置１２０、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。
　本適用例において、面発光レーザ１００に代えて、上記面発光レーザ１００－１～１００－６、２００、２００－１～４のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。
９．＜距離測定装置を移動体に搭載した例＞
　図４６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図４７は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図４７では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。
　なお、図４７には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。
　本明細書中に記載した具体的な数値、形状、材料（組成を含む）等は、一例であって、これらに限定されるものではない。
　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１及び第２多層膜反射鏡と、
　前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に互いに積層された複数の活性層と、
　前記複数の活性層のうち積層方向に隣り合う２つの活性層の間に配置されたトンネルジャンクションと、
　前記隣り合う２つの活性層の一方の活性層と前記トンネルジャンクションとの間に配置された酸化狭窄層と、
　を備える、面発光レーザ。
（２）前記一方の活性層は、前記隣り合う２つの活性層の他方の活性層よりも前記面発光レーザの出射面から遠い位置に配置されている、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記面発光レーザの出射面から近い一方よりも前記出射面から遠い他方に近い位置に配置されている、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記面発光レーザの出射面から遠い一方よりも前記出射面から近い他方に近い位置に配置されている、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（５）前記一方の活性層は、前記隣り合う２つの活性層の他方の活性層よりも前記面発光レーザの出射面から近い位置に配置されている、（１）に記載の面発光レーザ。
（６）前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記面発光レーザの出射面から近い一方よりも前記出射面から遠い他方に近い位置に配置されている、（１）又は（５）に記載の面発光レーザ。
（７）前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から遠い一方よりも前記出射面から近い他方に近い位置に配置されている、（１）又は（５）に記載の面発光レーザ。
（８）前記複数の活性層は、少なくとも３つの活性層であり、
　前記複数の活性層のうち少なくとも２組の隣り合う２つの活性層の各組の隣り合う２つの活性層の間に前記トンネルジャンクションが配置され、
　前記少なくとも２組の隣り合う２つの活性層のうち少なくとも１組の隣り合う２つの活性層の一方の活性層と、該隣り合う２つの活性層の間に配置された前記トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されている、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記少なくとも３つの活性層は、第１、第２及び第３活性層を含み、前記第１、第２及び第３活性層は、この順に積層され、前記第１及び第２活性層の間に前記トンネルジャンクションである第１トンネルジャンクションが配置され、前記第２及び第３活性層の間に前記トンネルジャンクションである第２トンネルジャンクションが配置され、前記第１活性層と前記第１トンネルジャンクションとの間及び／又は前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されている、（８）に記載の面発光レーザ。
（１０）前記第１活性層は、前記複数の活性層の中で前記面発光レーザの出射面から最も遠い位置に配置された活性層である、（９）に記載の面発光レーザ。
（１１）前記第１活性層と前記第１トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層である第１酸化狭窄層が配置されている、（９）又は（１０）に記載の面発光レーザ。
（１２）前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層である第２酸化狭窄層が配置されている、（９）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されていない、（９）～（１１）に記載の面発光レーザ。
（１４）前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記面発光レーザの出射面に近い方の内部に別の酸化狭窄層が配置されている、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記酸化狭窄層及び前記別の酸化狭窄層は、いずれもＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる層を選択酸化して形成されている、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１６）前記酸化狭窄層及び前記別の酸化狭窄層は、Ａｌ組成及び／又は光学厚さが互いに異なる、（１４）又は（１５）に記載の面発光レーザ。
（１７）前記トンネルジャンクションは、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層が互いに積層された層構造を有し、前記酸化狭窄層は、前記ｐ型半導体層側に配置されている、（１）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１８）前記面発光レーザの発振波長をλとすると、前記一方の活性層と前記トンネルジャンクションと前記酸化狭窄層とが光学厚さ３λ／４内に配置されている、（１）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１９）（１）～（１８）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える電子機器。
（２０）第１多層膜反射鏡上に第１活性層、被選択酸化層、トンネルジャンクション及び第２活性層がこの順に積層された積層構造を含む構造体を積層し、該構造体上に第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体を少なくとも前記被選択酸化層の側面が露出するまでエッチングしてメサを形成する工程と、
　前記被選択酸化層を側面側から選択的に酸化して酸化狭窄層を形成する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
（２１）（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザを複数備える面発光レーザアレイ。
（２２）（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える電子機器。
（２３）（２１）に記載の面発光レーザアレイを備える電子機器。
　１００、１００－１～１００－６、２００、２００－１～２００－４：面発光レーザ、１０１：基板、１０２：第１多層膜反射鏡、１０４－１：第１活性層、１０４－２：第２活性層、１０４－３：第３活性層、１０６：酸化狭窄層、１０６－１：第１酸化狭窄層、１０６－２：第２酸化狭窄層、１０８：トンネルジャンクション、１０８－１：第１トンネルジャンクション、１０８－２：第２トンネルジャンクション、１０８ａ：ｐ型半導体層、１０８ｂ：ｎ型半導体層、１１２：第２多層膜反射鏡、１１３：酸化狭窄層（別の酸化狭窄層）。
 

Claims (20)

  1. 　第１及び第２多層膜反射鏡と、
    　前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に互いに積層された複数の活性層と、
    　前記複数の活性層のうち積層方向に隣り合う２つの活性層の間に配置されたトンネルジャンクションと、
    　前記隣り合う２つの活性層の一方の活性層と前記トンネルジャンクションとの間に配置された酸化狭窄層と、
    　を備える、面発光レーザ。
  2. 　前記一方の活性層は、前記隣り合う２つの活性層の他方の活性層よりも前記面発光レーザの出射面から遠い位置に配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
  3. 　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から近い一方よりも前記出射面から遠い他方に近い位置に配置されている、請求項２に記載の面発光レーザ。
  4. 　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から遠い一方よりも前記出射面から近い他方に近い位置に配置されている、請求項２に記載の面発光レーザ。
  5. 　前記一方の活性層は、前記隣り合う２つの活性層の他方の活性層よりも前記面発光レーザの出射面から近い位置に配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
  6. 　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から近い一方よりも前記出射面から遠い他方に近い位置に配置されている、請求項５に記載の面発光レーザ。
  7. 　前記一方の活性層は、前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記出射面から遠い一方よりも前記出射面から近い他方に近い位置に配置されている、請求項５に記載の面発光レーザ。
  8. 　前記複数の活性層は、少なくとも３つの活性層であり、
    　前記複数の活性層のうち少なくとも２組の隣り合う２つの活性層の各組の隣り合う２つの活性層の間に前記トンネルジャンクションが配置され、
    　前記少なくとも２組の隣り合う２つの活性層のうち少なくとも１組の隣り合う２つの活性層の一方の活性層と、該隣り合う２つの活性層の間に配置された前記トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
  9. 　前記少なくとも３つの活性層は、第１、第２及び第３活性層を含み、
    　前記第１、第２及び第３活性層は、この順に積層され、
    　前記第１及び第２活性層の間に前記トンネルジャンクションである第１トンネルジャンクションが配置され、
    　前記第２及び第３活性層の間に前記トンネルジャンクションである第２トンネルジャンクションが配置され、
    　前記第１活性層と前記第１トンネルジャンクションとの間及び／又は前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されている、請求項８に記載の面発光レーザ。
  10. 　前記第１活性層は、前記複数の活性層の中で前記面発光レーザの出射面から最も遠い位置に配置された活性層である、請求項９に記載の面発光レーザ。
  11. 　前記第１活性層と前記第１トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層である第１酸化狭窄層が配置されている、請求項１０に記載の面発光レーザ。
  12. 　前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層である第２酸化狭窄層が配置されている、請求項１１に記載の面発光レーザ。
  13. 　前記第２活性層と前記第２トンネルジャンクションとの間に前記酸化狭窄層が配置されていない、請求項１１に記載の面発光レーザ。
  14. 　前記第１及び第２多層膜反射鏡のうち前記面発光レーザの出射面に近い方の内部に別の酸化狭窄層が配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
  15. 　前記酸化狭窄層及び前記別の酸化狭窄層は、いずれもＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる層を選択酸化して形成されている、請求項１４に記載の面発光レーザ。
  16. 　前記酸化狭窄層及び前記別の酸化狭窄層は、Ａｌ組成及び／又は光学厚さが互いに異なる、請求項１５に記載の面発光レーザ。
  17. 　前記トンネルジャンクションは、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層が互いに積層された層構造を有し、
    　前記酸化狭窄層は、前記ｐ型半導体層側に配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
  18. 　前記面発光レーザの発振波長をλとすると、
    　前記一方の活性層と前記トンネルジャンクションと前記酸化狭窄層とが光学厚さ３λ／４内に配置されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
  19. 　請求項１に記載の面発光レーザを備える電子機器。
  20. 　第１多層膜反射鏡上に第１活性層、被選択酸化層、トンネルジャンクション及び第２活性層がこの順に積層された積層構造を含む構造体を積層し、該構造体上に少なくとも第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
    　前記積層体を少なくとも前記被選択酸化層の側面が露出するまでエッチングしてメサを形成する工程と、
    　前記被選択酸化層を側面側から選択的に酸化して酸化狭窄層を形成する工程と、
    　を含む、面発光レーザの製造方法。
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