WO2022201772A1

WO2022201772A1 - 面発光レーザ、光源装置、電子機器及び面発光レーザの製造方法

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Publication number: WO2022201772A1
Application number: PCT/JP2022/001116
Authority: WO
Inventors: 新一我妻; 雅人小川
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2021-03-23
Filing date: 2022-01-14
Publication date: 2022-09-29
Also published as: TW202304091A; US20240146024A1; DE112022001629T5; JPWO2022201772A1; CN116998074A

Abstract

光及び電流の閉じ込め効果を少なくとも２つのメサ構造間で異ならせることができ、且つ、生産性を向上させることができる面発光レーザを提供する。　本技術は、第１多層膜反射鏡と、第２多層膜反射鏡と、前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び／又は前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に配置された少なくとも１つの酸化狭窄層と、を含み、メサ構造を有する発光部を複数備え、前記複数の発光部の前記メサ構造は、高さ寸法が異なり、且つ、前記酸化狭窄層の数及び／又は前記活性層の数が異なる第１及び第２メサ構造を含む、面発光レーザを提供する。

Description

面発光レーザ、光源装置、電子機器及び面発光レーザの製造方法

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ、光源装置、電子機器及び面発光レーザの製造方法に関する。

　従来、酸化狭窄層を含むメサ構造を有する発光部を複数備える面発光レーザが知られている。このような面発光レーザの中には少なくとも２つのメサ構造間で酸化狭窄層の数が異なるものがある（例えば特許文献１参照）。この面発光レーザでは、光及び電流の閉じ込め効果を少なくとも２つのメサ構造間で異ならせることができる。

特開２０１９－６２１８８号公報

　しかしながら、従来の面発光レーザは、生産性を向上させる余地があった。

　そこで、本技術は、光及び電流の閉じ込め効果を少なくとも２つのメサ構造間で異ならせることができ、且つ、生産性を向上させることができる面発光レーザを提供することを主目的とする。

　本技術は、第１多層膜反射鏡と、
　第２多層膜反射鏡と、
　前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、
　前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び／又は前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に配置された少なくとも１つの酸化狭窄層と、
　を含み、メサ構造を有する発光部を複数備え、
　前記複数の発光部の前記メサ構造は、高さ寸法が異なり、且つ、前記酸化狭窄層の数及び／又は前記活性層の数が異なる第１及び第２メサ構造を含む、面発光レーザを提供する。ここで、本明細書中、酸化狭窄層の数は０も含む。本明細書中、活性層の数は０も含む。
　前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、且つ、前記酸化狭窄層の数が多くてもよい。
　前記第１メサ構造を有する前記発光部は、前記酸化狭窄層の材料となる層を少なくとも１つ含んでいてもよい。
　前記第２メサ構造は前記活性層を有し、前記第１メサ構造は前記活性層を有しなくてもよい。
　前記第１及び第２メサ構造のいずれも前記活性層を有していてもよい。
　前記第１及び第２メサ構造のいずれも前記活性層を有していなくてもよい。
　前記第２メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を複数有し、前記第１メサ構造は、前記一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有していてもよい。
　前記第２メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有し、前記第１メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有していてもよい。
　前記第１及び第２メサ構造は、前記酸化狭窄層の数が同じであり、前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも、高さ寸法が大きく、且つ、前記活性層の数が多くてもよい。
　前記第１及び第２メサ構造の各々は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有していてもよい。
　前記第１及び第２メサ構造の間にダミー領域を有していてもよい。
　前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔と、前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が異なっていてもよい。
　前記第２メサ構造は前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔よりも大きくてもよい。
　前記第２メサ構造は前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔以下であってもよい。
　本技術は、前記第２メサ構造が前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、且つ、前記酸化狭窄層の数が多い場合に、前記面発光レーザと、前記面発光レーザの第２メサ構造の頂部側に配置されたコリメータレンズと、前記面発光レーザの第１メサ構造の頂部側に配置された拡散板と、を備える、光源装置も提供する。
　本技術は、前記第１及び第２メサ構造の前記酸化狭窄層の数が同じであり、前記第２メサ構造が前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、前記第２メサ構造は前記活性層を有し、前記第１メサ構造は前記活性層を有しない場合に、前記面発光レーザと、前記面発光レーザの第２メサ構造の頂部側に配置されたコリメータレンズと、前記面発光レーザの第１メサ構造の頂部側に配置された拡散板と、を備える、光源装置も提供する。
　本技術は、前記面発光レーザを備える、電子機器も提供する。
　前記電子機器は、測距装置であってもよい。
　本発明は、基板上に第１多層膜反射鏡、少なくとも１つの活性層、複数の被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、前記被選択酸化層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、
　前記複数のメサの前記被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
　本発明は、基板上に第１多層膜反射鏡、少なくとも１つの活性層、少なくとも１つの被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、前記活性層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、
　前記複数のメサの前記被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。

本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの平面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法を説明するためのフローチャートである。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第３工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第４工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第５工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第６工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第７工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第８工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第９工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法を説明するためのフローチャートである。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第２工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第３工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第４工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第５工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第６工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第７工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第８工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第９工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第１０工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第１１工程を示す断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの製造方法の第１２工程を示す断面図である。本技術の第２実施形態に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の第３実施形態に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の第４実施形態に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の第５実施形態に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の第６実施形態に係る面発光レーザの一部の断面図である。本技術の変形例に係る面発光レーザの平面図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。本技術の第１実施形態に係る面発光レーザを備える光源装置の構成を示す断面図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ、光源装置、電子機器及び面発光レーザの製造方法の各々が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ、光源装置、電子機器及び面発光レーザの製造方法の各々は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ
２．本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザ
３．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ
４．本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ
５．本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ
６．本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ
７．本技術の第６実施形態に係る面発光レーザ
８．本技術の変形例
９．電子機器への応用例
１０．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
１１．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０について、図面を用いて説明する。
（全体構成）
　図１は、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０の一部の断面図（図２のＡ－Ａ線断面図）である。図２は、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０の平面図である。
　以下では、図２等に示すＸＹＺ３次元直交座標系を適宜用いて説明する。さらに、以下では、図１等の断面図において図２等の＋Ｚ方向に対応する方向を上方向とし、－Ｚ方向に対応する方向を下方向として説明する。

　面発光レーザ１０は、図１に示すように、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２、第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２クラッド層１０５、少なくとも１つの酸化狭窄層を内部に含む第２多層膜反射鏡１０６及びコンタクト層１０９がこの順に積層された積層構造を有している。当該積層構造における積層方向が図２等のＺ軸方向に一致する。
　面発光レーザ１０は、一例として、基板１０１の裏面（下面）側とは反対の表面（上面）側から光を出射する表面出射型の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。

　面発光レーザ１０は、メサ構造を有する発光部を複数備える。
　当該複数の発光部は、一例として、第１メサ構造ＭＳ１を有する第１発光部１００－１を複数含み、且つ、第２メサ構造ＭＳ２を有する第２発光部１００－２を複数含む。
　面発光レーザ１０は、さらに、一例として、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の間にダミー領域ＤＡ（非発光領域）を有する。
　面発光レーザ１０において、各第１発光部１００－１、各第２発光部１００－２、各ダミー領域ＤＡは、面内方向の異なる位置に位置している。ここでは、各ダミー領域ＤＡは、対応する第１及び第２発光部１００－１、１００－２の周辺に存在し、全体として一連一体になっている（図２参照）。

　各第２発光部１００－２は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２と、第２多層膜反射鏡１０６と、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０６の間に配置された活性層１０４と、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に配置された第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２とを含む。ここでは、第２酸化狭窄層１０８－２が第１酸化狭窄層１０８－１の上側に位置する。
　各第２発光部１００－２の第２メサ構造ＭＳ２は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６の上過半部（底部を除く部分）と、第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２と、コンタクト層１０９とを含んで構成される。

　各第１発光部１００－１は、第１多層膜反射鏡１０２と、第２多層膜反射鏡１０６と、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０６の間に配置された活性層１０４と、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に配置された被選択酸化層１０８Ｓ１及び第２酸化狭窄層１０８－２とを含む。被選択酸化層１０８Ｓ１第１酸化狭窄層１０８－１の材料となる層である。被選択酸化層１０８Ｓ１は、積層方向（Ｚ軸方向）に関して、第１酸化狭窄層１０８－１と略同一の位置にある。
　各第１発光部１００－１の第１メサ構造ＭＳ１は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６の上半部（下半部を除く部分）と、第２酸化狭窄層１０８－２と、コンタクト層１０９とを含んで構成される。

　以上の説明から分かるように、第１メサ構造ＭＳ１と第２メサ構造ＭＳ２とは、酸化狭窄層の数が異なる。第２メサ構造ＭＳ２は、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を２つ有し、第１メサ構造ＭＳ１は、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を１つ有している。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の高さ寸法は、互いに異なる。詳述すると、第２メサ構造ＭＳ２の高さ寸法Ｈ２は、第１メサ構造ＭＳ１の高さ寸法Ｈ１よりも大きい。ここで、メサ構造の高さ寸法とは、該メサ構造の底面から上面までの距離を意味する。
　より詳細には、第２メサ構造ＭＳ２の底面は、一例として、第１メサ構造ＭＳ１の底面よりも下側の位置にある。第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の上面は、一例として、コンタクト層１０９の上面である。結果として、Ｈ２＞Ｈ１となる。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の底面は、一例として、いずれも第２多層膜反射鏡１０６内に位置する。すなわち、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２は、一例として、いずれも活性層１０４を有しない。
　第１メサ構造ＭＳ１の底面は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６内における被選択酸化層１０８Ｓ１と第２酸化狭窄層１０８－２との間に位置する。
　第２メサ構造ＭＳ２の底面は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６内における第２クラッド層１０５と第１酸化狭窄層１０８－１との間に位置する。

　各ダミー領域ＤＡは、第２多層膜反射鏡１０６の上過半部（底部を除く部分）と、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に配置された被選択酸化層１０８Ｓ１及び第２酸化狭窄層１０８－２とを含む。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の間のダミー領域ＤＡの該第１メサ構造ＭＳ１側の高さ寸法はＨ１であり、該第２メサ構造ＭＳ２側の高さ寸法はＨ２である。すなわち、ダミー領域ＤＡは、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の高さ寸法の差（Ｈ２－Ｈ１）を調整する機能を有する。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の各々と、該第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の間のダミー領域ＤＡとの間隔は、互いに異なる。詳述すると、隣り合う第２メサ構造ＭＳ２とダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ２は、隣り合う第１メサ構造ＭＳ１とダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ１よりも大きい。

（基板）
　基板１０１は、一例として、第１導電型（例えばｎ側）のＧａＡｓ基板（例えばｎ－ＧａＡｓ基板）である。

（第１多層膜反射鏡）
　第１の多層膜反射鏡１０２は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１の多層膜反射鏡１０２の各屈折率層は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｎ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。

　基板１０１の裏面（下面）には、一例として、カソード電極１１２（ｎ側電極）が設けられている。カソード電極１１２は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　カソード電極１１２は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０３は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（ｎ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。「クラッド層」は「スペーサ層」とも呼ばれる。

（活性層）
　活性層１０４は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。
　活性層１０４は、第１及び第２クラッド層１０３、１０５とともに共振器を構成する。

（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０５は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体（ｐ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。「クラッド層」は「スペーサ層」とも呼ばれる。

（第２多層膜反射鏡）
　第２多層膜反射鏡１０６は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２多層膜反射鏡１０６の各屈折率層は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。第２多層膜反射鏡１０６の反射率は、第１多層膜反射鏡１０２の反射率よりも僅かに低い。

（酸化狭窄層）
　第１メサ構造ＭＳ１の第２多層膜反射鏡１０６の内部に第２酸化狭窄層１０８－２が配置されている。
　第２メサ構造ＭＳ２の第２多層膜反射鏡１０６の内部に第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２が配置されている。第２酸化狭窄層１０８－２は、第１酸化狭窄層１０８－１の上方に配置されている。
　第１酸化狭窄層１０８－１は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域１０８－１ａと、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）からなる酸化領域１０８－１ｂとを有する。非酸化領域１０８－１ａが電流・光通過領域であり、酸化領域１０８－１ｂが電流・光閉じ込め領域である。
　第２酸化狭窄層１０８－２は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域１０８－２ａと、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）からなる酸化領域１０８－２ｂとを有する。非酸化領域１０８－２ａが電流・光通過領域であり、酸化領域１０８－２ｂが電流・光閉じ込め領域である。

（コンタクト層）
　コンタクト層１０９は、例えば第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｐ－ＧａＡｓ）からなる。

　ここで、面発光レーザ１０は、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部の中央部を除いて、絶縁膜１１０で覆われている。絶縁膜１１０は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等からなる。

　各第１メサ構造ＭＳ１の頂部を覆う絶縁膜１１０には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨ１が形成されている。コンタクトホールＣＨ１内には、周回形状（例えばリング状）のアノード電極１１１が第１メサ構造ＭＳ１の第２のコンタクト層１０９に接するように配置されている。コンタクトホールＣＨ１における該アノード電極１１１の内側の領域が第１発光部１００－１の出射口である。

　各第２メサ構造ＭＳ２の頂部を覆う絶縁膜１１０には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨ２が形成されている。コンタクトホールＣＨ２内には、周回形状（例えばリング状）のアノード電極１１１が第２メサ構造ＭＳ２の第２のコンタクト層１０９に接するように配置されている。コンタクトホールＣＨ２における該アノード電極１１１の内側の領域が第２発光部１００－２の出射口である。

　アノード電極１１１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　アノード電極１１１は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。

　面発光レーザ１０では、一例として、図２に示すように、Ｙ軸方向に並ぶ複数の第１発光部１００－１を含む第１発光部列１００Ｌ１と、Ｙ軸方向に並ぶ複数の第２発光部１００－２を含む第２発光部列１００Ｌ２とがＹ軸方向にずれた状態でＸ軸方向に交互に並んでいる。すなわち、面発光レーザ１０では、全体として複数の発光部が千鳥状に配置されている。ここで、各発光部の出射方向は、＋Ｚ方向である。

　各第１発光部列１００Ｌ１の複数の第１発光部１００－１のアノード電極１１１は、共通の第１電極配線ＥＷ１（アノード配線）を介して互いに接続されている。各第１電極配線ＥＷ１は、第１電極パッドＥＰ１に接続されている。第１電極パッドＥＰ１は、レーザドライバの第１端子（＋端子）に接続されている。第１電極配線ＥＷ１は、例えばＡｕからなる。
　各第２発光部列１００Ｌ２の複数の第２発光部１００－２のアノード電極１１１は、第２電極配線ＥＷ２（アノード配線）を介して互いに接続されている。各第２電極配線ＥＷ２は、第２電極パッドＥＰ２に接続されている。第２電極パッドＥＰ２は、レーザドライバの第２端子（＋端子）に接続されている。第２電極配線ＥＷ２は、例えばＡｕからなる。
　各発光部のカソード電極１１２は、共通電極であり、レーザドライバの第３端子（－端子）に接続されている。
　レーザドライバは、第１及び第３端子の間と、第２及び第３端子の間とに独立に電圧を印加可能である。すなわち、レーザドライバにより、複数の第１発光部列１００Ｌ１を含む第１発光部列群と、複数の第２発光部列１００Ｌ２を含む第２発光部列群とのいずれかを選択的に駆動可能である。

　ここで、酸化狭窄層を２つ有する第２メサ構造ＭＳ２は、非酸化領域と酸化領域の等価屈折率差Δｎが比較的大きくなるため高次モード（マルチモード）の発生が抑えられ、シングルモードが得られやすくなる。このため、第２メサ構造ＭＳ２を有する第２発光部１００－２は、スポット光を生成するのに適している。
　一方、酸化狭窄層を１つ有する第１メサ構造ＭＳ１は、非酸化領域と酸化領域の等価屈折率差Δｎが比較的小さくなるため高次モード（マルチモード）が得られやすくなる。このため、第１メサ構造ＭＳ１を有する第１発光部１００－１は、拡散光を生成するのに適している。

（面発光レーザの動作）
　以下、面発光レーザ１０の動作について、図１及び図２を参照して説明する。
　面発光レーザ１０では、レーザドライバの第１端子から第１電極パッドＥＰ１を介して各第１発光部１００－１のアノード電極１１１に注入された電流は、コンタクト層１０９、第２多層膜反射鏡１０６の上部を経て第２酸化狭窄層１０８－２で狭窄され第２多層膜反射鏡１０６の下部及び第２クラッド層１０５を経て活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０６間を第２酸化狭窄層１０８－２で閉じ込められ且つ活性層１０４で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときにマルチモードが支配的なレーザ発振が起こり、第１発光部１００－１の出射口からレーザ光が出射される。活性層１０４を経た電流は、第１クラッド層１０３、第１多層膜反射鏡１０２及び基板１０１を経てカソード電極１１２に到達し、該カソード電極１１２からレーザドライバの第３端子に流出される。

　面発光レーザ１０では、レーザドライバの第２端子から第２電極パッドＥＰ２を介して第２発光部１００－２のアノード電極１１１に注入された電流は、コンタクト層１０９、第２多層膜反射鏡１０６の上部を経て第２酸化狭窄層１０８－２で狭窄され第２多層膜反射鏡１０６の中部を経て第１酸化狭窄層１０８－１で狭窄された後、第２多層膜反射鏡１０６の下部及び第２クラッド層１０５を経て活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０６間を第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２で閉じ込められ且つ活性層１０４で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときにシングルモードが支配的なレーザ発振が起こり、第２発光部１００－２の出射口からレーザ光が出射される。活性層１０４を経た電流は、第１クラッド層１０３、第１多層膜反射鏡１０２及び基板１０１を経てカソード電極１１２に到達し、該カソード電極１１２からレーザドライバの第３端子に流出される。

（面発光レーザの製造方法）
　以下、面発光レーザ１０の製造方法について、図３のフローチャート、図４～図１２の断面図（工程図）を参照して説明する。
　ここでは、一例として、半導体製造装置を用いる半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成した後、一連一体の複数の面発光レーザ１０をダイシングにより互いに分離して複数のチップ状の面発光レーザ１０を得る。

　最初のステップＳ１では、積層体Ｌを生成する。具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、図４に示すように、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２と、第１クラッド層１０３と、活性層１０４と、第２クラッド層１０５と、被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２を内部に含む第２の多層膜反射鏡１０６と、コンタクト層１０９とをこの順に積層して積層体Ｌを生成する。

　次のステップＳ２では、レジストパターンＲＰを形成する。具体的には、図５に示すように、積層体上に第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２とダミー領域ＤＡとを形成するためのレジストパターンＲＰを形成する。このレジストパターンＲＰでは、第１メサ構造ＭＳ１を形成するための部分と該第１メサ構造ＭＳ１に隣接するダミー領域ＤＡを形成するための部分との間隔がＳ１であり、第２メサ構造ＭＳ２を形成するための部分と該第２メサ構造ＭＳ２に隣接するダミー領域ＤＡを形成するための部分との間隔がＳ２（＞Ｓ１）である。

　次のステップＳ３では、第１及び第２メサＭ１、Ｍ２を形成する。具体的には、図６に示すように、レジストパターンＲＰをマスクとして積層体をドライエッチング又はウェットエッチングして、第１メサ構造ＭＳ１となる第１メサＭ１及び第２メサ構造ＭＳ２となる第２メサＭ２を形成する。ここでは、マイクロローディング効果を用いて、第１メサＭ１の底面（第１メサＭ１を形成するためのエッチング底面）が第２多層膜反射鏡１０６内における被選択酸化層１０８Ｓ１と被選択酸化層１０８Ｓ２との間に位置するように、且つ、第２メサＭ２の底面（第２メサＭ２を形成するためのエッチング底面）が第２多層膜反射鏡１０６内における第２クラッド層１０５と被選択酸化層１０８Ｓ２との間に位置するようにエッチングを行う。この結果、高さ寸法がＨ１の第１メサＭ１と高さ寸法がＨ２（＞Ｈ１）の第２メサ２とダミー領域ＤＡとが形成される。

　次のステップＳ４では、レジストパターンＲＰを除去する（図７参照）。

　次のステップＳ５では、酸化狭窄層を形成する。具体的には、図８に示すように、第１メサＭ１の被選択酸化層１０８Ｓ２（図７参照）と、第２メサＭ２の被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２（図７参照）の周囲部を酸化して第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２を形成する。詳述すると、第１及び第２メサＭ１、Ｍ２を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域の周りが酸化領域に取り囲まれた第１及び第２の酸化狭窄層１０８－１、１０８－２を形成する。この際、第１メサ構造ＭＳ１側の被選択酸化層１０８Ｓ１の周囲部も酸化される。結果として、第１メサＭ１が第１メサ構造ＭＳ１となり、第２メサＭ２が第２メサ構造ＭＳとなる。

　次のステップＳ６では、絶縁膜１１０を形成する。具体的には、図９に示すように、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２とダミー領域ＤＡとが形成された積層体上に絶縁膜１１０を成膜する。

　次のステップＳ７では、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する（図１０参照）。具体的には、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２とダミー領域ＤＡとが形成され絶縁膜１１０が成膜された積層体の絶縁膜１１０上に、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部の中央部以外の領域を覆うレジストパターンを生成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング又はウェットエッチングを行い、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部の中央部上の絶縁膜１１０を除去してコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。これにより、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部が露出する。

　次のステップＳ８では、アノード電極１１１を形成する（図１１参照）。具体的には、例えば、第１メサ構造ＭＳ１の頂部上のアノード電極１１１が形成されることとなる周回領域に囲まれた中央領域にレジストを塗布し、ＥＢ蒸着法により、第１メサ構造ＭＳ１の頂部上にコンタクトホールＣＨ１を介して電極材料を成膜するとともに第２メサ構造ＭＳ２の頂部上にコンタクトホールＣＨ２を介して電極材料を成膜し、レジスト及びレジスト上の該電極材料をリフトオフすることにより、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部上に周回形状（例えばリング状）のアノード電極１１１を形成する。

　最後のステップＳ９では、カソード電極１１２を形成する（図１２参照）。具体的には、基板１０１の裏面を研削し薄膜化した後、該裏面に電極材料を成膜することにより、カソード電極１１２を形成する。

　その後、アニール等の後処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０が形成される。
　次いで、電極パッドＥＰ１、ＥＰ２を形成する。
　次いで、各第１電極配線ＥＷ１が、対応する複数の第１発光部１００－１のアノード電極１１１に接触するように且つ第１電極パッドＥＰ１に接触するように例えばメッキ法を用いて形成される。さらに、各第２電極配線ＥＷ２が、対応する複数の第２発光部１００－２のアノード電極１１１に接触するように且つ第２電極パッドＥＰ２に接触するように例えばメッキ法を用いて形成される。この際、絶縁膜１１０のうち、各第１及び第２電極配線ＥＷ１、ＥＷ２が形成されることとなる箇所に、例えば、蒸着、スパッタ等を用いて、メッキの種となる下地層（例えばニッケルメッキ、クロムメッキ等）を形成しておくことが好ましい。第１及び第２電極配線ＥＷ１、ＥＷ２は、電圧降下を十分に防ぐことの可能な厚さ（例えば２μｍ程度）に形成される。その後、ダイシングにより、複数の面発光レーザ１０（ここでは第１及び第２電極パッドＥＰ１、ＥＰ２を含む）が互いに分離されて、複数のチップ状の面発光レーザ１０が得られる。

（面発光レーザ及びその製造方法の効果）
　以下に、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０及びその製造方法の効果について説明する。

　第１実施形態に係る面発光レーザ１０は、第１多層膜反射鏡１０２と、第２多層膜反射鏡１０６と、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０６の間に配置された活性層１０４と、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に配置された少なくとも１つの酸化狭窄層と、を含み、メサ構造を有する発光部を複数備える。当該複数の発光部のメサ構造は、高さ寸法が異なり、且つ、酸化狭窄層の数が異なる第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を含む。
　この場合、１回の結晶成長（例えばエピタキシャル成長）で第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を形成することができる。
　結果として、第１実施形態の面発光レーザ１０によれば、光及び電流の閉じ込め効果を少なくとも２つのメサ構造間で異ならせることができ、且つ、生産性を向上させることができる面発光レーザを提供することができる。

　一方、例えば特許文献１に記載の面発光レーザでは、酸化狭窄層の数が異なり、且つ、高さ寸法が同一の少なくとも２つのメサ構造を有している。この面発光レーザでは、１回の結晶成長では当該少なくとも２つのメサ構造を形成することができない。すなわち、この面発光レーザでは、各メサ構造の形成毎に結晶成長を行う必要があり、生産性を向上させる余地があった。

　第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも高さ寸法が大きく、且つ、酸化狭窄層の数が多い。これにより、第２メサ構造ＭＳ２の光及び電流の閉じ込め効果を第１メサ構造ＭＳ１の光及び電流の閉じ込め効果よりも大きくすることができる。

　第１メサ構造ＭＳ１を有する第１発光部１００－１は、第１酸化狭窄層１０８－１の材料となる層を少なくとも１つ含みうる。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２のいずれも活性層１０４を有しない。これにより、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を形成するときのエッチング深さを比較的浅くすることができ、エッチングに要する時間を短くすることができる。

　第２メサ構造ＭＳ２は、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を複数有し、第１メサ構造ＭＳ１は、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を１つ有する。これにより、層数が比較的少ない層構成により、上記効果を得ることができる。

　面発光レーザ１０は、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の間にダミー領域ＤＡを有する。これにより、ダミー領域ＤＡは、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の高さ寸法の差を調整することができる。すなわち、ダミー領域ＤＡにより、同一の積層構造の中で第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を各々の高さ寸法を維持させた状態で接続することができる。

　第１メサ構造ＭＳ１とダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ１と、第２メサ構造ＭＳ２とダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ２が異なる。詳述すると、第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも高さ寸法が大きく、第２メサ構造ＭＳとダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ２が第１メサ構造ＭＳ１と該ダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ１よりも大きい。これにより、例えばマイクロローディング効果を利用して１回のエッチングにより、第１メサ構造ＭＳ１となる第１メサＭ１及び第２メサ構造ＭＳ２となる第２メサＭ２を同時に生成することができる。

　第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法は、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２、活性層１０４、複数（例えば２つ）の被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２及び第２多層膜反射鏡１０６を積層して積層体Ｌを生成する工程と、積層体Ｌをエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、被選択酸化層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、該複数のメサの被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、を含む。

　この場合、１回の結晶成長（例えばエピタキシャル成長）で第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を形成することができる。
　この結果、光及び電流の閉じ込め効果を少なくとも２つのメサ構造間で異ならせることができる面発光レーザを効率良く製造することができる。

＜２．本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザ１０－１について、図面を用いて説明する。図１３は、変形例の面発光レーザ１０－１の断面図の一部（図２のＡ－Ａ線断面図に相当）である。
　変形例の面発光レーザ１０－１は、図１３に示すように、隣り合う第１メサ構造ＭＳ１とダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ１及び隣り合う第２メサ構造ＭＳ２とダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ２が同一の大きさＳである点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１０と同様の構成を有する。面発光レーザ１０－１は、第１実施形態の面発光レーザ１０と同様の効果を奏する。

（面発光レーザの製造方法）
　以下、面発光レーザ１０－１の製造方法について、図１４のフローチャート、図１５～図２５の断面図（工程図）を参照して説明する。
　ここでは、一例として、半導体製造装置を用いる半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０－１を同時に生成した後、一連一体の複数の面発光レーザ１０－１をダイシングにより互いに分離して複数のチップ状の面発光レーザ１０を得る。

　最初のステップＳ１１では、積層体Ｌを生成する。具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２と、第１クラッド層１０３と、活性層１０４と、第２クラッド層１０５と、被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２を内部に含む第２の多層膜反射鏡１０６と、コンタクト層１０９とをこの順に積層して積層体Ｌを生成する（図４参照）。

　次のステップＳ１２では、第１レジストパターンＲＰ１を形成する。具体的には、図１５に示すように、積層体Ｌ上に第１メサ構造ＭＳ１と該第１メサ構造ＭＳ１に隣接するダミー領域ＤＡとを形成するためのレジストパターンＲＰ１を形成する。このレジストパターンＲＰ１では、第１メサ構造ＭＳ１を形成するための部分と該第１メサ構造ＭＳ１に隣接するダミー領域ＤＡを形成するための部分との間隔Ｓ１がＳである。

　次のステップＳ１３では、第１メサＭ１を形成する。具体的には、図１６に示すように、レジストパターンＲＰ１をマスクとして積層体をドライエッチング又はウェットエッチングして、第１メサ構造ＭＳ１となる第１メサＭ１及びダミー領域ＤＡ形成する。ここでは、第１メサＭ１の底面（第１メサＭ１を形成するためのエッチング底面）が第２多層膜反射鏡１０６内における被選択酸化層１０８Ｓ１と被選択酸化層１０８Ｓ２との間に位置するように（第１メサＭ１の高さ寸法がＨ１となるように）エッチングを行う。この結果、高さ寸法がＨ１の第１メサＭ１とダミー領域ＤＡとが形成される。

　次のステップＳ１４では、第１レジストパターンＲＰ１を除去する（図１７参照）。

　次のステップＳ１５では、第２レジストパターンＲＰ２を形成する。具体的には、図１８に示すように、第１メサＭ１が形成された積層体上に第２メサ構造ＭＳ２と該第２メサ構造ＭＳ２に隣接するダミー領域ＤＡとを形成するためのレジストパターンＲＰ２を形成する。このレジストパターンＲＰ２では、第２メサ構造ＭＳ２を形成するための部分と該第２メサ構造ＭＳ２に隣接するダミー領域ＤＡを形成するための部分との間隔Ｓ２がＳである。

　次のステップＳ１６では、第２メサＭ２を形成する。具体的には、図１９に示すように、レジストパターンＲＰ２をマスクとして第１メサＭ１が形成された積層体をドライエッチング又はウェットエッチングして、第２メサ構造ＭＳ２となる第２メサＭ２及びダミー領域ＤＡ形成する。ここでは、第２メサＭ２の底面（第２メサＭ２を形成するためのエッチング底面）が第２多層膜反射鏡１０６内における第２クラッド層１０５と被選択酸化層１０８Ｓ１との間に位置するように（第２メサＭ２の高さ寸法がＨ２となるように）エッチングを行う。この結果、高さ寸法がＨ２の第２メサＭ２とダミー領域ＤＡとが形成される。

　次のステップＳ１７では、第２レジストパターンＲＰ２を除去する（図２０参照）。

　次のステップＳ１８では、酸化狭窄層を形成する。具体的には、図２１に示すように、第１メサＭ１の被選択酸化層１０８Ｓ２（図２０参照）と、第２メサＭ２の被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２（図２０参照）の周囲部を酸化して第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２を形成する。詳述すると、第１及び第２メサＭ１、Ｍ２を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０８Ｓ１、１０８Ｓ２を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域の周りが酸化領域に取り囲まれた第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２を形成する。この際、第１メサ構造ＭＳ１側の被選択酸化層１０８Ｓ１の周囲部も酸化される。結果として、第１メサＭ１が第１メサ構造ＭＳ１となり、第２メサＭ２が第２メサ構造ＭＳ２となる。

　次のステップＳ１９では、絶縁膜１１０を形成する。具体的には、図２２に示すように、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２とダミー領域ＤＡとが形成された積層体上に絶縁膜１１０を成膜する。

　次のステップＳ２０では、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する（図２３参照）。具体的には、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２とダミー領域ＤＡとが形成され絶縁膜１１０が成膜された積層体の絶縁膜１１０上に、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部の中央部以外の領域を覆うレジストパターンを生成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング又はウェットエッチングを行い、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部の中央部上の絶縁膜１１０を除去してコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。これにより、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部が露出する。

　次のステップＳ２１では、アノード電極１１１を形成する（図２４参照）。具体的には、例えば、第１メサ構造ＭＳ１の頂部上のアノード電極１１１が形成されることとなる周回領域に囲まれた中央領域にレジストを塗布し、ＥＢ蒸着法により、第１メサ構造ＭＳ１の頂部上にコンタクトホールＣＨ１を介して電極材料を成膜するとともに第２メサ構造ＭＳ２の頂部上にコンタクトホールＣＨ２を介して電極材料を成膜し、レジスト及びレジスト上の該電極材料をリフトオフすることにより、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の頂部上に周回形状（例えばリング状）のアノード電極１１１を形成する。

　最後のステップＳ２２では、カソード電極１１２を形成する（図２５参照）。具体的には、基板１０１の裏面を研削し薄膜化した後、該裏面に電極材料を成膜することにより、カソード電極１１２を形成する。

　その後、アニール等の後処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０－１が形成される。
　次いで、電極パッドＥＰ１、ＥＰ２を形成する。
　次いで、各第１電極配線ＥＷ１が、対応する複数の第１発光部１００－１のアノード電極１１１に接触するように且つ第１電極パッドＥＰ１に接触するように例えばメッキ法を用いて形成される。さらに、各第２電極配線ＥＷ２が、対応する複数の第２発光部１００－２のアノード電極１１１に接触するように且つ第１電極パッドＥＰ２に接触するように例えばメッキ法を用いて形成される。この際、絶縁膜１１０のうち、各第１及び第２電極配線ＥＷ１、ＥＷ２が形成されることとなる箇所に、例えば、蒸着、スパッタ等を用いて、メッキの種となる下地層（例えばニッケルメッキ、クロムメッキ等）を形成しておくことが好ましい。第１及び第２電極配線ＥＷ１、ＥＷ２は、電圧降下を十分に防ぐことの可能な厚さ（例えば２μｍ程度）に形成される。その後、ダイシングにより、複数の面発光レーザ１０－１（ここでは第１及び第２電極パッドＥＰ１、ＥＰ２を含む）が互いに分離され、複数のチップ状の面発光レーザ１０－１が得られる。

　以上説明した変形例の面発光レーザ１０－１の製造方法では、第１及び第２メサＭ１、Ｍ２を別々に形成するので、第１メサ構造ＭＳ１と該第１メサ構造ＭＳ１に隣接するダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ１と、第２メサ構造ＭＳ２と該第２メサ構造ＭＳ２に隣接するダミー領域ＤＡとの間隔Ｓ２との大小関係に関わらず、高さ寸法がＨ１の第１メサ構造ＭＳ１及び高さ寸法がＨ２（＞Ｈ１）の第２メサ構造ＭＳ２を形成することができる。すなわち、ここではＳ１＝Ｓ２＝Ｓとしているが、同様の製造方法により、Ｓ１＞Ｓ２として第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を形成することも可能であるし、Ｓ１＜Ｓ２として第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２を形成することも可能である。
　面発光レーザ１０－１の製造方法では、第１メサＭ１を形成した後、第２メサＭ２を形成しているが、第２メサＭ２を形成した後、第１メサＭ１を形成してもよい。

＜３．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ２０について、図面を用いて説明する。図２６は、第２実施形態の面発光レーザ２０の断面図の一部（図２のＡ－Ａ線断面図に相当）である。
　第２実施形態の面発光レーザ２０は、図２６に示すように、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２のいずれも活性層１０４を有する点及び第２メサ構造ＭＳ２において第１酸化狭窄層１０８－１が第１多層膜反射鏡１０２内に設けられている点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ２０の第１発光部２００－１は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６内に第２酸化狭窄層１０８－２を有し、第１多層膜反射鏡１０２内に被選択酸化層１０８Ｓ１を有する。
　第１発光部２００－１の第１メサ構造ＭＳ１は、一例として、活性層１０４に加えて、第１多層膜反射鏡１０２の上部と、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０５と、第２多層膜反射鏡１０６と、第２酸化狭窄層１０８－２と、コンタクト層１０９とを有する。
　第１発光部２００－１の第１メサ構造ＭＳ１の底面は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２内における被選択酸化層１０８Ｓ１と第１クラッド層１０３との間に位置する。

　面発光レーザ２０の第２発光部２００－２は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６内に第２酸化狭窄層１０８－２を有し、第１多層膜反射鏡１０２内に第１酸化狭窄層１０８－１を有する。
　第２発光部２００－２の第２メサ構造ＭＳ２は、一例として、活性層１０４に加えて、第１多層膜反射鏡１０２の上部と、第１酸化狭窄層１０８－１と、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０５と、第２多層膜反射鏡１０６と、第２酸化狭窄層１０８－２と、コンタクト層１０９とを有する。
　第２発光部２００－２の第２メサ構造ＭＳ２の底面は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２内における第１酸化狭窄層１０８－１と基板１０１との間に位置する。

　面発光レーザ２０は、第１実施形態の面発光レーザ１０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。
　なお、面発光レーザ２０では、Ｓ２＞Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１であるが、変形例として、Ｓ２＝Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることや、Ｓ２＜Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることも可能である。ただし、そのような場合には、第１実施形態の変形例の面発光レーザ１０－１の製造方法に準じた製造方法により製造する必要がある。

　以上説明した面発光レーザ２０でも、第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも高さ寸法が大きく（Ｈ２＞Ｈ１）、且つ、酸化狭窄層の数が多い。よって、面発光レーザ２０は、第１実施形態の面発光レーザ１０と同様の効果を奏する。

　さらに、面発光レーザ２０では、第２メサ構造ＭＳ２は、第１多層膜反射鏡１０２の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間及び第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を１つ有し、第１メサ構造ＭＳ１は、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を１つ有する。
　すなわち、面発光レーザ２０の第２発光部２００－２では、第２メサ構造ＭＳ２が活性層１０４を含むので、活性層１０４でのキャリアの横方向の広がりを抑制でき、ひいては高次モードの発生がより抑制されシングルモードがより得られやすくなる。

＜４．本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ３０について、図面を用いて説明する。図２７は、第３実施形態の面発光レーザ３０の断面図の一部（図２のＡ－Ａ線断面図に相当）である。
　第３実施形態の面発光レーザ３０は、図２７に示すように、第１及び第２メサ構造の酸化狭窄層の数が同じである点、及び第２メサ構造ＭＳ２の方が第１メサ構造ＭＳ１よりも活性層１０４の数（０も含む）が多い点（より詳細には、第１メサ構造ＭＳ１が活性層１０４を有しておらず、且つ、第２メサ構造ＭＳ２が活性層１０４を有している点）を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０でも、第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも高さ寸法が大きい（Ｈ２＞Ｈ１）。
　面発光レーザ３０では、一例として、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２のいずれも酸化狭窄層１０８を１つ有する。酸化狭窄層１０８は、第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２と実質的に同一の構成を有する
　面発光レーザ３０の第１発光部３００－１の第１メサ構造ＭＳ１の底面は、第２多層膜反射鏡１０６内における第２クラッド層１０５と酸化狭窄層１０８との間に位置する。
　面発光レーザ３０の第２発光部３００－２の第２メサ構造ＭＳ２の底面は、第１多層膜反射鏡１０２内における基板１０１と第１クラッド層１０３との間に位置する。
　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の各々は、第２多層膜反射鏡１０６の活性層１０４側の面とは反対側の面と活性層１０４との間に酸化狭窄層を１つ有する。

　面発光レーザ３０によれば、第１実施形態の面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の酸化狭窄層が単一なので、積層数を少なくできる。
　面発光レーザ３０の第２発光部３００－２では、第２メサ構造ＭＳ２が活性層１０４を含むので、活性層１０４でのキャリアの横方向の広がりを抑制でき、ひいては高次モードの発生がより抑制されシングルモードがより得られやすくなる。
　さらに、面発光レーザ３０の第１発光部３００－１では、第１メサ構造ＭＳ１が活性層１０４を含まないので、活性層１０４でのキャリアの横方向の広がりが抑制されず高次モードが発生しやすくなり、マルチモードが得られやすくなる。

　面発光レーザ３０は、第１実施形態の面発光レーザ１０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。
　面発光レーザ３０の製造方法は、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２、活性層１０４、少なくとも１つの被選択酸化層（例えば１つの被選択酸化層）及び第２多層膜反射鏡１０６を積層して積層体を生成する工程と、該積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、活性層の数（０も含む）が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、複数のメサの被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、を含む。
　なお、面発光レーザ３０では、Ｓ２＞Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１であるが、変形例として、Ｓ２＝Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることや、Ｓ２＜Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることも可能である。ただし、そのような場合には、第１実施形態の変形例の面発光レーザ１０－１の製造方法に準じた製造方法により製造する必要がある。

＜５．本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ４０について、図面を用いて説明する。図２８は、第４実施形態の面発光レーザ４０の断面図の一部（図２のＡ－Ａ線断面図に相当）である。
　第４実施形態の面発光レーザ４０は、図２８に示すように、第１メサ構造ＭＳ１の酸化狭窄層の数が１つであり、且つ、第２メサ構造ＭＳ２の酸化狭窄層の数が３つである点を除いて、第１実施形態の面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ４０の第２発光部４００－２の第２メサ構造ＭＳ２は、第２多層膜反射鏡１０６内に第１～第３酸化狭窄層１０８－１～１０８－３を有する。第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２の間に第３酸化狭窄層１０８－３が配置されている。第３酸化狭窄層１０８－３は、非酸化領域１０８－３ａと該非酸化領域１０８－３ａを取り囲む酸化領域１０８－３ｂを有する。第３酸化狭窄層１０８－３は、第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２と実質的に同一の構成を有する。

　第２発光部４００－２の第２メサ構造ＭＳ２の底面は、第２多層膜反射鏡１０６内における第２クラッド層１０５と第１酸化狭窄層１０８－１との間に位置する。

　面発光レーザ４０の第１発光部４００－１は、第２多層膜反射鏡１０６内に第１酸化狭窄層１０８－１の材料となる被選択酸化層１０８Ｓ１及び第３酸化狭窄層１０８－３の材料となる被選択酸化層１０８Ｓ３を有している。

　第１発光部４００－１の第１メサ構造ＭＳ１の底面は、第２多層膜反射鏡１０６内における被選択酸化層１０８Ｓ３と第２酸化狭窄層１０８－２との間に位置している。

　面発光レーザ４０は、第１実施形態の面発光レーザ１０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。
　なお、面発光レーザ４０では、Ｓ２＞Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１であるが、変形例として、Ｓ２＝Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることや、Ｓ２＜Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることも可能である。ただし、そのような場合には、第１実施形態の変形例の面発光レーザ１０－１の製造方法に準じた製造方法により製造する必要がある。

　面発光レーザ４０では、第２発光部４００－２の第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも高さ寸法が大きく、且つ、酸化狭窄層の数が３つであり、第１メサ構造ＭＳ１は、酸化狭窄層の数が１つである。これにより、第２メサ構造ＭＳ２の光及び電流の閉じ込め効果を第１メサ構造ＭＳ１の光及び電流の閉じ込め効果よりも一層大きくすることができる。
　すなわち、第２発光部４００－２の第２メサ構造ＭＳ２は、シングルモードがより一層得られやすいので、スポット光を発生させるのにより一層適している。

＜６．本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ５０について、図面を用いて説明する。図２９は、第５実施形態の面発光レーザ５０の断面図の一部（図２のＡ－Ａ線断面図に相当）である。
　第５実施形態の面発光レーザ５０は、図２９に示すように、第２メサ構造ＭＳ２が第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２の間に、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２とトンネルジャンクション層１０７とを有する点を除いて、第２実施形態の面発光レーザ２０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ５０の第１発光部５００－１は、第１多層膜反射鏡１０２と、第１多層膜反射鏡１０２内に配置された被選択酸化層１０８Ｓ１と、第１活性層１０４－１と、第１活性層１０４－１を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、トンネルジャンクション層１０７と、第２活性層１０４－２と、第２活性層１０４－２を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、第２多層膜反射鏡１０６と、第２多層膜反射鏡１０６内に配置された第２酸化狭窄層１０８－２と、コンタクト層１０９とを含む。第２活性層１０４－２は、第１活性層１０４－１の上側に位置する。

　トンネルジャンクション層１０７は、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間（より詳細には第１活性層１０４－１の直上の第２クラッド層１０５と第２活性層１０４－２の直下の第１クラッド層１０３との間）に配置されている。
　トンネルジャンクション層１０７は、不純物が高濃度でドープされたｐ型半導体領域上に不純物が高濃度でドープされたｎ型半導体領域が積層された層構造を有する。
　第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間にトンネルジャンクション層１０７が配置されることで、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の各々に略同一の大きさの電流を注入することができる。

　第１発光部５００－１の第１メサ構造ＭＳ１の底面は、一例として、第１活性層１０４－１と第２活性層１０４－２との間に位置する。

　面発光レーザ５０の第２発光部５００－２は、第１多層膜反射鏡１０２と、第１多層膜反射鏡１０２内に配置された第１酸化狭窄層１０８－１と、第１活性層１０４－１と、第１活性層１０４－１を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、トンネルジャンクション層１０７と、第２活性層１０４－２と、第２活性層１０４－２を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、第２多層膜反射鏡１０６と、第２多層膜反射鏡１０６内に配置された第２酸化狭窄層１０８－２と、コンタクト層１０９とを含む。第２活性層１０４－２は、第１活性層１０４－１の上側に位置する。

　第２発光部５００－２の第２メサ構造ＭＳ２の底面は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２内における基板１０１と第１酸化狭窄層１０８－１との間に位置する。

　面発光レーザ５０は、第１実施形態の面発光レーザ１０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。
　面発光レーザ５０の製造方法は、基板１０１上に第１多層膜反射鏡１０２、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２、２つの被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡１０６を積層して積層体を生成する工程と、該積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、活性層の数（０も含む）が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、複数のメサの被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、を含む。
　なお、面発光レーザ５０では、Ｓ２＞Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１であるが、変形例として、Ｓ２＝Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることや、Ｓ２＜Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることも可能である。ただし、そのような場合には、第１実施形態の変形例の面発光レーザ１０－１の製造方法に準じた製造方法により製造する必要がある。

　面発光レーザ５０では、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２は、高さ寸法が異なり、且つ、酸化狭窄層の数及び活性層の数が異なる。

　面発光レーザ５０では、第２メサ構造ＭＳ２は、１メサ構造ＭＳ１よりも、高さ寸法が大きく、且つ、酸化狭窄層の数が多く、且つ、活性層の数が多い。

　面発光レーザ５０では、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２のいずれも活性層１０４を有する。

　面発光レーザ５０によれば、第２実施形態の面発光レーザ２０と同様の効果を奏するとともに、第２メサ構造ＭＳ２が、第１及び第２の活性層１０４－１、１０４－２と、第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２とを有するので、各活性層においてキャリアの横方向の広がりをより一層抑制でき、シングルモードをより一層得られるやすくすることができる。

＜７．本技術の第６実施形態に係る面発光レーザ＞
　第６実施形態の面発光レーザ６０は、図３０に示すように、第２メサ構造ＭＳ２が第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２とトンネルジャンクション層１０７とを有する点を除いて、第３実施形態の面発光レーザ３０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０では、一例として、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２のいずれも酸化狭窄層１０８を１つ有する。酸化狭窄層１０８は、第１及び第２酸化狭窄層１０８－１、１０８－２と実質的に同一の構成を有する。

　面発光レーザ６０の第１発光部６００－１は、第１多層膜反射鏡１０２と、第１活性層１０４－１と、第１活性層１０４－１を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、トンネルジャンクション層１０７と、第２活性層１０４－２と、第２活性層１０４－２を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、第２多層膜反射鏡１０６と、第２多層膜反射鏡１０６内に配置された酸化狭窄層１０８と、コンタクト層１０９とを含む。第２活性層１０４－２は、第１活性層１０４－１の上側に位置する。

　第１発光部６００－１の第１メサ構造ＭＳ１の底面は、一例として、第２多層膜反射鏡１０６内における第２活性層１０４－２の直上の第２クラッド層１０５と酸化狭窄層１０８との間に位置する。

　面発光レーザ６０の第２発光部６００－２は、第１多層膜反射鏡１０２と、第１活性層１０４－１と、第１活性層１０４－１を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、トンネルジャンクション層１０７と、第２活性層１０４－２と、第２活性層１０４－２を挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０５と、第２多層膜反射鏡１０６と、第２多層膜反射鏡１０６内に配置された酸化狭窄層１０８と、コンタクト層１０９とを含む。第２活性層１０４－２は、第１活性層１０４－１の上側に位置する。

　第２発光部６００－２の第２メサ構造ＭＳ２の底面は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２内における基板１０１と第１活性層１０４－１の直下の第１クラッド層１０３との間に位置する。

　面発光レーザ６０は、第１実施形態の面発光レーザ１０の製造方法に準じた製造方法により製造することができる。
　なお、面発光レーザ６０では、Ｓ２＞Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１であるが、変形例として、Ｓ２＝Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることや、Ｓ２＜Ｓ１且つＨ２＞Ｈ１とすることも可能である。ただし、そのような場合には、第１実施形態の変形例の面発光レーザ１０－１の製造方法に準じた製造方法により製造する必要がある。

　面発光レーザ６０によれば、第３実施形態の面発光レーザ３０と同様の効果を奏するとともに、第２メサ構造ＭＳ２が、第１及び第２の活性層１０４－１、１０４－２及び酸化狭窄層１０８を有するので、各活性層においてキャリアの横方向の広がりをより抑制でき、シングルモードをより得られるやすくすることができる。

＜８．本技術の変形例＞
　以上説明した各実施形態及び各変形例の面発光レーザは、適宜変更可能である。

　上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザの第１及び第２発光部は、第１多層膜反射鏡１０２の活性層側の面とは反対側の面と活性層との間及び／又は第２多層膜反射鏡の活性層側の面とは反対側の面と活性層との間に配置された少なくとも１つの酸化狭窄層を含むことが好ましい。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の酸化狭窄層の数は、適宜変更可能である。
　例えば、第１メサ構造ＭＳ１の酸化狭窄層の数を０又は複数にしてもよい。
　例えば、第２メサ構造ＭＳ２の酸化狭窄層の数を４つ以上にしてもよい。
　いずれにしても、第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも酸化狭窄層の数が多いことが好ましい。

　第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の活性層の数は、適宜変更可能である。
　例えば、第１メサ構造ＭＳ１の活性層の数を２つ以上としてもよい。
　例えば、第２メサ構造ＭＳ２の活性層の数を３つ以上としてもよい。
　いずれにしても、第２メサ構造ＭＳ２は、第１メサ構造ＭＳ１よりも活性層の数が多いことが好ましい。
　複数の活性層を含むメサ構造は、隣り合う２つの活性層の間にトンネルジャンクション層を有することが好ましい。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザと導電型（ｐ型及びｎ型）が逆になる面発光レーザを提供することもできる。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザは、基板１０１の裏面側から光を出射する裏面出射型の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）にも適用可能である。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザにおいて、図３１に示すように、第１メサ構造ＭＳ１を有する第１発光部がＹ軸方向に複数並ぶ第１発光部列がＸ軸方向に複数並べて配置される第１発光部列群と、第２メサ構造ＭＳ２を有する第２発光部がＹ軸方向に複数並ぶ第２発光部列がＸ軸方向に複数並べて配置される第２発光部列群とがＸ軸方向の異なる領域に配置されてもよい。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザは、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２の２種類のメサ構造を有しているが、第１及び第２メサ構造ＭＳ１、ＭＳ２とは高さ寸法が異なり、酸化狭窄層の数及び／又は活性層の数が異なる少なくとも１種類のメサ構造を更に有していてもよい。このようなメサ構造として、例えば第１及び第２メサ構造の中間的な光及び電気の閉じ込め効果を有するものが挙げられる。
　例えば３種類以上のメサ構造を有する場合には、図２の例に倣って３種類の発光部列を交互に並べもよいし、図３１の例に倣って３種類の発光部列群を３つ以上の領域に別々に配置してもよい。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザは、コンタクト層１０９を有していなくてもよい。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザは、基板１０１と第１多層膜反射鏡１０２との間にバッファ層を有していてもよい。

　例えば、上記各実施形態及び各変形例の面発光レーザは、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０６の少なくとも一方が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。

　上記各実施形態及び変形例の面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　以上説明した各実施形態及び各変形例において、面発光レーザを構成する各構成要素の材質、導電型、厚み、幅、長さ、形状、大きさ、配置等は、面発光レーザとして機能する範囲内で適宜変更可能である。

９．電子機器への応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

１０．＜面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施形態及び各変形例に係る面発光レーザの適用例について説明する。

　図３２は、本技術に係る電子機器の一例としての、面発光レーザ１０を備えた距離測定装置１０００（測距装置）の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１０を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１０を含む光源装置８００、受光装置１２５、レンズ１３５、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。

　光源装置８００は、一例として、図３３に示すように、面発光レーザ１０に加えて、筐体８１０と、マイクロレンズアレイ８２０と、コリメータレンズ８３０と、拡散板としての回折光学素子８４０と、ドライバＩＣを有するレーザドライバとを含む。マイクロレンズアレイ８２０は、集光機能を有するレンズ部と集光機能を有しない平坦部とを有する。

　面発光レーザ１０の第１発光部１００－１から出射された光は、マイクロレンズアレイ８２０の平坦部をそのまま透過してコリメータレンズ８３０に入射し、該コリメータレンズ８３０で略平行光に変換され、回折光学素子８４０で分割されつつ（スポット数が増加されつつ）回折されスポット光ＳＰＬとして被検体Ｓに照射される。このように、第１発光部１００－１から出射された光は、指向性が高いため、測距距離を長距離化できる反面、トッド状の照射となるため分解能が低い。この場合には、コリメータレンズ８３０への入射位置によりスポットサイズ（スポット光ＳＰＬの径）が変化しにくいことが望まれる。第１発光部１００－１から出射された光は、横モードにおいてシングルモードが支配的となるので、スポットサイズが変化しにくく、測距距離の長距離化の用途に特に適する。

　面発光レーザ１０の第２発光部１００－２から出射された光は、マイクロレンズアレイ８２０のレンズ部を透過してコリメータレンズ８３０と回折光学素子８４０との間に集光され、回折光学素子８４０で分割されつつ（重なり合いつつ）回折され拡散光ＤＬとして被検体Ｓに照射される。このように、第２発光部１００－２から出射された光は、指向性が低いため、測距距離を長距離化できない反面、一様照射となるため分解能が高く測距精度を向上できる。この場合には、コリメータレンズ８３０に対してデフォーカスしやすいことが望まれる。第２発光部１００－２から出射された光は、横モードにおいてマルチモードが支配的となるので、デフォーカスしやすく、測距精度向上の用途に特に適する。

　図３２に戻り、受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１３５は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

　信号処理部１４０は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。

　制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１０の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。

　制御部１５０は、複数の第１発光部１００－１から成る第１発光部群を駆動するための第１発光信号及び複数の第２発光部１００－２から成る第２発光部群を駆動するための第２発光信号を異なるタイミングでレーザドライバに印加することにより、第１発光部群と第２発光部群とを異なるタイミングで発光させる。これにより、被検体Ｓに対して測距距離の長距離化のためのスポット光照射と測距精度の向上のための拡散光照射とを切り替えて行うことができる。

　制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ１０に代えて、上記面発光レーザ１０－１、２０、３０、４０、５０、６０のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。
１１．＜距離測定装置を移動体に搭載した例＞

　図３４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図３５は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図３５では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図３５には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１多層膜反射鏡と、
　第２多層膜反射鏡と、
　前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、
　前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び／又は前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に配置された少なくとも１つの酸化狭窄層と、
　を含み、メサ構造を有する発光部を複数備え、
　前記複数の発光部の前記メサ構造は、高さ寸法が異なり、且つ、前記酸化狭窄層の数及び／又は前記活性層の数が異なる第１及び第２メサ構造を含む、面発光レーザ。
（２）前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも、高さ寸法が大きく、且つ、前記酸化狭窄層の数が多い、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記第１メサ構造を有する前記発光部は、前記酸化狭窄層の材料となる層を少なくとも１つ含む、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記第２メサ構造は前記活性層を有し、前記第１メサ構造は前記活性層を有しない、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（５）前記第１及び第２メサ構造のいずれも前記活性層を有する、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（６）前記第１及び第２メサ構造のいずれも前記活性層を有しない、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（７）前記第２メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を複数有し、前記第１メサ構造は、前記一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有する、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（８）前記第２メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有し、前記第１メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有する、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記第１及び第２メサ構造は、前記酸化狭窄層の数が同じであり、前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも、高さ寸法が大きく、且つ、前記活性層の数が多い、（１）に記載の面発光レーザ。
（１０）前記第１及び第２メサ構造の各々は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有する、（９）に記載の面発光レーザ。
（１１）前記第１及び第２メサ構造の間にダミー領域を有する、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔と、前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が異なる、（１１）に記載の面発光レーザ。
（１３）前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔よりも大きい、（１１）又は（１２）に記載の面発光レーザ。
（１４）前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、
　前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔以下である、（１１）又は（１２）に記載の面発光レーザ。
（１５）（１）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光レーザと、
　前記面発光レーザの第１メサ構造の頂部側に配置された拡散板と、
　前記面発光レーザの第２メサ構造の頂部側に配置されたコリメータレンズと、
　を備える、光源装置。
（１６）（１）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える、電子機器。
（１７）前記電子機器は、測距装置である、（１６）に記載の電子機器。
（１８）基板上に第１多層膜反射鏡、少なくとも１つの活性層、複数の被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、前記被選択酸化層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、
　前記複数のメサの前記被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
（１９）基板上に第１多層膜反射鏡、少なくとも１つの活性層、少なくとも１つの被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、前記活性層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、
　前記複数のメサの前記被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。

　１０、１０－１、２０、３０、４０、５０、６０：面発光レーザ、１００－１、２００－１、３００－１、４００－１、５００－１、６００－１：第１発光部（第１メサ構造を有する発光部）、１００－２、２００－２、３００－２、４００－２、５００－２、６００－２（第２メサ構造を有する発光部）、１０１：基板、１０２：第１多層膜反射鏡、１０４：活性層、１０４－１第１活性層（活性層）、１０４－２：第２活性層（活性層）、１０６：第２多層膜反射鏡、１０８：酸化狭窄層、１０８－１：第１酸化狭窄層（酸化狭窄層）、１０８－２：第２酸化狭窄層（酸化狭窄層）、１０８－２：第３酸化狭窄層（酸化狭窄層）、１０８Ｓ１、１０８Ｓ２、１０８Ｓ３：被選択酸化層、８００：光源装置、８３０：コリメータレンズ、８４０：回折光学素子（拡散板）、ＭＳ１：第１メサ構造、ＭＳ２：第２メサ構造、ＤＡ：ダミー領域、Ｍ１：第１メサ、Ｍ２：第２メサ、Ｌ：積層体。

Claims

　第１多層膜反射鏡と、
　第２多層膜反射鏡と、
　前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された活性層と、
　前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び／又は前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に配置された少なくとも１つの酸化狭窄層と、
　を含み、メサ構造を有する発光部を複数備え、
　前記複数の発光部の前記メサ構造は、高さ寸法が異なり、且つ、前記酸化狭窄層の数及び／又は前記活性層の数が異なる第１及び第２メサ構造を含む、面発光レーザ。
　前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも、高さ寸法が大きく、且つ、前記酸化狭窄層の数が多い、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１メサ構造を有する前記発光部は、前記酸化狭窄層の材料となる層を少なくとも１つ含む、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記第２メサ構造は前記活性層を有し、前記第１メサ構造は前記活性層を有しない、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２メサ構造のいずれも前記活性層を有する、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２メサ構造のいずれも前記活性層を有しない、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記第２メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を複数有し、
　前記第１メサ構造は、前記一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有する、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記第２メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有し、
　前記第１メサ構造は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有する、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２メサ構造は、前記酸化狭窄層の数が同じであり、
　前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも、高さ寸法が大きく、且つ、前記活性層の数が多い、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２メサ構造の各々は、前記第１多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間及び前記第２多層膜反射鏡の前記活性層側の面とは反対側の面と前記活性層との間の一方に前記酸化狭窄層を少なくとも１つ有する、請求項９に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２メサ構造の間にダミー領域を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔と、前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が異なる、請求項１１に記載の面発光レーザ。
　前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、
　前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔よりも大きい、請求項１２に記載の面発光レーザ。
　前記第２メサ構造は、前記第１メサ構造よりも高さ寸法が大きく、
　前記第２メサ構造と前記ダミー領域との間隔が前記第１メサ構造と前記ダミー領域との間隔以下である、請求項１１に記載の面発光レーザ。
　請求項２に記載の面発光レーザと、
　前記面発光レーザの第１メサ構造の頂部側に配置された拡散板と、
　前記面発光レーザの第２メサ構造の頂部側に配置されたコリメータレンズと、
　を備える、光源装置。
　請求項９に記載の面発光レーザと、
　前記面発光レーザの第１メサ構造の頂部側に配置された拡散板と、
　前記面発光レーザの第２メサ構造の頂部側に配置されたコリメータレンズと、
　を備える、光源装置。
　請求項１に記載の面発光レーザを備える、電子機器。
　前記電子機器は、測距装置である、請求項１７に記載の電子機器。
　基板上に第１多層膜反射鏡、少なくとも１つの活性層、複数の被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、前記被選択酸化層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、
　前記複数のメサの前記被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
　基板上に第１多層膜反射鏡、少なくとも１つの活性層、少なくとも１つの被選択酸化層及び第２多層膜反射鏡を積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングして、高さ寸法が異なり、且つ、前記活性層の数が異なる第１及び第２メサを含む複数のメサを形成する工程と、
　前記複数のメサの前記被選択酸化層を側面から選択的に酸化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。