WO2023132139A1

WO2023132139A1 - 面発光レーザ

Info

Publication number: WO2023132139A1
Application number: PCT/JP2022/042793
Authority: WO
Inventors: 弥樹博横関; 由朗滝口; 博中島; 知雅渡邊; 治典塩見
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2022-01-07
Filing date: 2022-11-18
Publication date: 2023-07-13

Abstract

放熱性を向上することができる面発光レーザを提供する。　本技術に係る面発光レーザは、半導体多層膜反射鏡と、反射鏡と、前記半導体多層膜反射鏡と前記反射鏡との間に配置された活性層と、前記半導体多層膜反射鏡の前記活性層側とは反対側の面である裏面に設けられ、又は、前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部若しくは周辺に他部が設けられた金属膜と、を備える。本技術によれば、放熱性を向上することができる面発光レーザを提供できる。

Description

面発光レーザ

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザに関する。

　従来、活性層の上部反射鏡側とは反対側（下部反射鏡側）に放熱性が高い材料を用いた面発光レーザが知られている（例えば特許文献１、非特許文献１参照）。

特開２０１５－２８９９５号公報 Robert Shau, Markus Ortsiefer, Juergen Rosskopf, Gerhard Boehm, Christian Lauer, Markus Maute, Markus-Christian Amann, "Long-wavelength InP-based VCSELs with buried tunnel junction: properties and applications," Proc. SPIE 5364, Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers VIII, (16 June 2004); doi: 10.1117/12.538668

　しかしながら、従来の面発光レーザでは、放熱性を向上することに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、放熱性を向上することができる面発光レーザを提供することを主目的とする。

　本技術は、半導体多層膜反射鏡と、
　反射鏡と、
　前記半導体多層膜反射鏡と前記反射鏡との間に配置された活性層と、
　前記半導体多層膜反射鏡の前記活性層側とは反対側の面である裏面に設けられ、又は、前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部及び／又は周辺に他部が設けられた金属膜と、
　を備える、面発光レーザを提供する。
　前記半導体多層膜反射鏡では、非混晶層と混晶層とが交互に積層されていてもよい。
　前記非混晶層はＩｎＰ層であり、前記混晶層はＡｌＧａＩｎＡｓ層であってもよい。
　前記金属膜は、前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部及び／又は周辺に他部が設けられ、前記金属膜の前記他部が、前記半導体多層膜反射鏡の側面に接していてもよい。
　前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面に穴が設けられ、前記金属膜の前記他部が、前記穴に入り込んでいてもよい。
　前記金属膜の前記他部が、前記穴の内面に接していてもよい。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡を貫通していてもよい。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡を貫通していなくてもよい。
　前記穴の少なくとも一部は、側面視でテーパ形状又は逆テーパ形状であってもよい。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡の、前記活性層の発光領域に対応する領域の周辺に設けられていてもよい。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡の前記領域を取り囲むように少なくとも１つ設けられていてもよい。
　前記穴は、複数設けられていてもよい。
　前記活性層に電流を注入するための第１及び第２の電極が、前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面側とは反対側に設けられていてもよい。
　前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面は、一の前記非混晶層の一面であってもよい。
　前記一の非混晶層の厚さが、前記半導体多層膜反射鏡の他の非混晶層の厚さと異なっていてもよい。
　前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかからなってもよい。
　前記金属膜は、互いに異なる種類の金属からなる複数の金属層が積層された積層構造を有していてもよい。
　前記面発光レーザの発振波長をλとしたとき、前記半導体多層膜反射鏡の一部の前記非混晶層の光学厚さは、（ｍ＋２）λ／４（ｍ＞１）であってもよい。
　前記金属膜と基板とが別の金属膜を介して接合されていてもよい。
　前記反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡であってもよい。

図１Ａは、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザの断面図である。図１Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザの金属膜の平面図である。複数種の材料の熱伝導率を示す表である。複数種の金属の、光の波長と反射率との関係を示すグラフである。図１Ａの面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図５Ａ及び図５Ｂは、図１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図６Ａ及び図６Ｂは、図１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図７Ａ及び図７Ｂは、図１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、図１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図１０Ａは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザの断面図である。図１０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図１０Ａの面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１０Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１０Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図１４Ａ及び図１４Ｂは、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザの断面図（その１及びその２）である。本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図１６Ａは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザの断面図である。図１６Ｂは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図１７Ａ及び図１７Ｂは、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザの断面図（その１及びその２）である。本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図１９Ａは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザの断面図である。図１９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図２０Ａは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザの断面図である。図２０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図２１Ａは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザの断面図である。図２１Ｂは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図２１Ａの面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図２３Ａ及び図２３Ｂは、図２１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図２４Ａ及び図２４Ｂは、図２１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図２５Ａ及び図２５Ｂは、図２１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図２６Ａ及び図２６Ｂは、図２１Ａの面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図である。図２７Ａは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザの断面図である。図２７Ｂは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図２８Ａの面発光レーザの効果を説明するための図である。図２９Ａは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザの断面図である。図２９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３０Ａは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザの断面図である。図３０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３１Ａは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザの断面図である。図３１Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３２Ａは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザの断面図である。図３２Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３３Ａは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザの断面図である。図３３Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザの金属膜の一部が周辺に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３４Ａは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザの断面図である。図３４Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３５Ａは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザの断面図である。図３５Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３６Ａは、本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザの断面図である。図３６Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３７Ａは、本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザの断面図である。図３７Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザの金属膜の一部が周辺に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３８Ａは、本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザの断面図である。図３８Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図３９Ａは、本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザの断面図である。図３９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザの金属膜の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。図１Ａの面発光レーザがアレイ状に複数配置された面発光レーザアレイの断面図である。図１０Ａの面発光レーザがアレイ状に複数配置された面発光レーザアレイの断面図である。本技術に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザが複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザは、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ
２．本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ
３．本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ
４．本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ
５．本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ
６．本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ
７．本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ
８．本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ
９．本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ
１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ
１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ
１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ
１３．本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ
１４．本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ
１５．本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ
１６．本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ
１７．本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ
１８．本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ
１９．本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザ
２０．本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザ
２１．本技術の変形例
２２．電子機器への応用例
２３．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
２４．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜０．導入＞
　近年、３Ｄセンシングや顔認証を目的とした赤外面発光レーザの開発が進んでいる。現在は９４０ｎｍ帯がメインとして使われているが、今後、さらなる長波長化が望まれている。特に、１．４μｍ帯は、眼への損傷閾値が大幅に上がるアイセーフ帯であることに加え、太陽光のバックグラウンドが低いためにノイズを低く抑えられるというメリットがある。一方で、１．３μｍ以上の長波長に適したＩｎＰ系面発光レーザは、放熱性の良好なエピＤＢＲが形成しにくいことや、ＤＢＲを構成する材料の屈折率差が小さくストップバンド幅が狭く、温度による特性変動や歩留まり低下など大きな問題がある。

　そこで、発明者らは、放熱性に優れた面発光レーザとして、本技術に係る面発光レーザを開発した。本技術に係る面発光レーザは、実効的なストップバンド幅を広くすることも可能である。本技術に係る面発光レーザは、さらに、量産性にも優れており、様々な技術分野への応用が期待される。

　以下、本技術の一実施形態に係る面発光レーザについて幾つかの実施例を挙げて詳細に説明する。

＜１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０－１について説明する。
≪面発光レーザの構成≫
　図１Ａは、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０－１の断面図である。図１Ｂは、面発光レーザ１０－１の金属膜１０２の平面図である。以下では、便宜上、図１Ａ等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。

　面発光レーザ１０－１は、図１Ａに示すように、第１反射鏡及び第２反射鏡で活性層１０５を含む半導体構造を挟んだ共振器を有する垂直共振器型面発光レーザである。面発光レーザ１０－１は、一例として、ＩｎＰ系面発光レーザである。面発光レーザ１０－１は、発振波長λが例えば９００ｎｍ以上である。面発光レーザ１０－１は、一例として、レーザドライバにより駆動される。

　面発光レーザ１０－１は、一例として、第１反射鏡の一部を構成する半導体多層膜反射鏡１０３と、第２反射鏡としての反射鏡１１０と、半導体多層膜反射鏡１０３と反射鏡１１０との間に配置された活性層１０５と、半導体多層膜反射鏡１０３の活性層１０５側（上側）とは反対側（下側）の面である裏面ＢＳに設けられた、第１反射鏡の他部を構成する金属膜１０２とを備える。

　面発光レーザ１０－１は、さらに、一例として、金属膜１０２の半導体多層膜反射鏡１０３側とは反対側の面に接合された基板１０１を備える。

　面発光レーザ１０－１は、さらに、一例として、半導体多層膜反射鏡１０３と活性層１０５との間に配置された第１クラッド層１０４を備える。

　面発光レーザ１０－１は、さらに、一例として、活性層１０５と反射鏡１１０との間に配置された第２クラッド層１０６を備える。

　面発光レーザ１０－１は、さらに、一例として、第２クラッド層１０６上に配置されたトンネルジャンクション層１０７を備える。

　面発光レーザ１０－１は、さらに、一例として、第２クラッド層１０６と反射鏡１１０との間に設けられトンネルジャンクション層１０７の周辺を埋め込む埋め込み層１０８を備える。トンネルジャンクション層１０７及び埋め込み層１０８を含んでＢＴＪ（埋込トンネルジャンクション）が構成される。

　面発光レーザ１０－１は、さらに、一例として、埋め込み層１０８上の反射鏡１１０の周辺に設けられたアノード電極１０９を備える。

　金属膜１０２は、一例として、カソード電極としても機能する。

（基板）
　基板１０１は、半導体基板（例えばシリコン基板）、半絶縁性基板、絶縁基板等のいずれの基板であってもよい。基板１０１は、熱伝導性が高い（放熱性が高い）材料からなることが好ましい。基板１０１は、面発光レーザ１０－１の共振器を保持する保持基板である。

（第１及び第２クラッド層）
　第１クラッド層１０４は、例えばｎ－ＩｎＰ層からなる。第２クラッド層１０６は、例えばｐ－ＩｎＰからなる。

（ＢＴＪ）
　ＢＴＪは、前述のように、トンネルジャンクション層１０７及び埋め込み層１０８を含む。ＢＴＪは、活性層１０５のアノード電極１０９側に配置されている。すなわち、ＢＴＪは、活性層１０５に対して、アノード電極１０９からカソード電極（金属膜１０２）へ至る電流経路の上流側に位置する。

　埋め込み層１０８は、一例として、ＩｎＰ系化合物半導体（例えばｎ－ＩｎＰ層）からなる。

　トンネルジャンクション層１０７は、第２クラッド層１０６上にメサ状に設けられている。トンネルジャンクション層１０７は、周辺の埋め込み層１０８に比べて格段に低抵抗であり（キャリア伝導度が非常に高く）、電流通過領域となる。トンネルジャンクション層１０７は、発熱部でもある。

　トンネルジャンクション層１０７は、積層されたｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む。ここでは、ｎ型半導体領域の活性層１０５側（下側）にｐ型半導体領域が配置されている。ｐ型半導体領域は、例えばＣ（カーボン）が高濃度でドープされたｐ型のＡｌＩｎＧａＡｓ系化合物半導体からなる。ｎ型半導体領域は、例えばＳｉ、Ｔｅ等が高濃度でドープされたｎ型のＡｌＩｎＧａＡｓ系化合物半導体からなる。トンネルジャンクション層１０７の膜厚は、一例として、３０～７０ｎｍ（例えば５０ｎｍ）程度である。

（活性層）
　活性層１０５は、一例として、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する。なお、活性層１０５は、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む単一量子井戸構造（ＱＷ構造）を有していてもよい。活性層１０５は、トンネルジャンクション層１０７に対応する領域が発光領域となっている。活性層１０５の発光領域は、発熱部でもある。

（第２反射鏡）
　第２反射鏡としての反射鏡１１０は、一例として、誘電体多層膜反射鏡（誘電体ＤＢＲ）であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（誘電体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。例えば、反射鏡１１０としての誘電体多層膜反射鏡は、高屈折率層（例えばＴａ_２Ｏ_５層）と低屈折率層（例えばＳｉＯ_２層）とが交互に積層された構造を有する。第２反射鏡としての反射鏡１１０は、半導体多層膜反射鏡１０３及び金属膜１０２で構成される第１反射鏡よりも反射率が僅かに低く設定されている。すなわち、第２反射鏡としての反射鏡１１０が出射側の反射鏡である。なお、反射鏡１１０は、例えば半導体多層膜反射鏡等の、誘電体多層膜反射鏡以外の多層膜反射鏡であってもよい。

（アノード電極）
　アノード電極１０９は、一例として、埋め込み層１０８上に反射鏡１１０を取り囲むように枠状（例えば環状）に設けられている。アノード電極１０９は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。アノード電極１０９は、例えばレーザドライバの陽極（正極）に電気的に接続される。

（第１反射鏡：半導体多層膜反射鏡及び金属膜）
　第１反射鏡は、半導体多層膜反射鏡１０３及び金属膜１０２で構成されるハイブリッドミラーである。

　半導体多層膜反射鏡１０３（半導体ＤＢＲ）では、一例として、非混晶層１０３ａと混晶層１０３ｂとが交互に積層されている。すなわち、半導体多層膜反射鏡１０３は、非混晶層１０３ａと混晶層１０３ｂのペアを有している。当該ペアのペア数は、１０ペア以上５０ペア以下であることが好ましく、１５ペア以上２５ペア以下であることがより好ましい。非混晶層１０３ａ及び混晶層１０３ｂの光学厚さは、一例として、いずれも発振波長λの１／４（λ／４）とされている。半導体多層膜反射鏡１０３は、ドープ及びノンドープのいずれであってもよい。

　非混晶層１０３ａは例えばＩｎＰ層であり、混晶層１０３ｂは例えばＡｌＧａＩｎＡｓ層である。非混晶であるＩｎＰの熱伝導率は、４元混晶であるＡｌＧａＩｎＡｓの熱伝導率の１０倍程度である。すなわち、半導体多層膜反射鏡１０３は、混晶層のペア（例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ）を有する半導体多層膜反射鏡よりも放熱性に優れる。

　半導体多層膜反射鏡１０３の活性層１０５から最も遠い層（最下層）は、非混晶層１０３ａであるＩｎＰ層であることが好ましい。すなわち、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳは、一の非混晶層１０３ａの一面であることが好ましい。

　半導体多層膜反射鏡１０３のペア数は、第１反射鏡に半導体多層膜反射鏡を単体で用いる場合（通常）よりも、少なく（例えば半分以下に）設定されている。すなわち、半導体多層膜反射鏡１０３は、通常よりも薄型である。

　金属膜１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳにベタ状に設けられている（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。図１Ｂにおける白い円形の破線は、金属膜１０２の発光領域に対応する領域を示す。

　金属膜１０２は、半導体多層膜反射鏡１０３とともに第１反射鏡を構成し、且つ、カソード電極を構成するとともに、活性層１０５の発光領域及びトンネルジャンクション層１０７で発生し半導体多層膜反射鏡１０３を経た熱を外部へ放出する放熱部を構成する。図１Ａにおける白い矢印は、主な熱の移動を示す。熱は、主に発熱部から金属膜１０２に向けて放射状に移動することがわかる。カソード電極としての金属膜１０２は、例えばレーザドライバの陰極（負極）に電気的に接続される。

　なお、金属膜１０２とは別にカソード電極を設けてもよい。この場合、アノード電極及びカソード電極を活性層を挟む位置に（上下に）配置してもよいし、同一面上（イントラキャビティ）に配置してもよい。

　金属膜１０２は、一例として、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかからなることが好ましい。Ａｕ、Ａｇ、Ａｌは、図３から分かるように、特に長波長側の広波長帯域で安定して高反射率を得ることができるからである。

　ここで、ハイブリッドミラーである第１反射鏡の特性について説明する。通常金属膜には若干の光吸収があり、金属膜を単体でＶＣＳＥＬの反射鏡として用いることはできない。しかし、金属膜とＤＢＲとを組み合わせることでＤＢＲのペア数を減らしながら良好な反射率特性を実現することができる。

　実際に、５０ペアのＤＢＲのみの反射率（前者）と、２５ペアのＤＢＲと金属膜を組み合わせたときの反射率（後者）を測定した結果を比較すると、後者では、前者とのＤＢＲのペア数の差による反射率差を金属膜の反射率で補填することができ、前者と同等の高反射率を得ることができることがわかった。

　ここで注目すべき点は、ＩｎＰ系半導体ＤＢＲと金属膜を組み合わせることで、全体の反射率が上がり実効的なストップバンド幅が広がることである。誘電体ＤＢＲやＡｌＧａＡｓ系ＤＢＲではストップバンド幅を広くできるが、ＩｎＰ系（例えばＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓのペアを有する）ＤＢＲでは材料の屈折率差が本質的に付けられないため、ストップバンド幅が狭く、且つ、ＤＢＲのペア数を多くする必要があった。つまり、ＩｎＰ系半導体ＤＢＲに金属膜を付けることにより、ＩｎＰ系半導体ＤＢＲのペア数を減らし、放熱性を改善できることは、ＩｎＰ系ＶＣＳＥＬにとって大きなメリットになる。

　ＩｎＰ系ＶＣＳＥＬにおいて、Ｇｔｈ（反射率特性を定量的に示す数値であって小さいほど反射率特性が良いことを示す数値）とＩｎＰ系ＤＢＲのペア数との関係を求めた結果、ＩｎＰ系ＤＢＲの裏面にＡｕ等の高い反射率を持つ金属からなる金属膜を付けることで、ＤＢＲのペア数を大幅に減らし、良好な反射率特性を実現できることがわかった。特に、例えばＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓのペアを有するＤＢＲに金属膜を付けることで放熱性と反射率特性の両方を向上できることがわかった。

　なお、ＩｎＰ系半導体ＤＢＲの金属膜を付けた面は光を出射することができないため、第１反射鏡を出射側の反射鏡とすることができない。しかし、出射側にＩｎＰ系ＤＢＲを単体で用いた場合にはストップバンド幅が狭くなることが懸念される。そこで、出射側のＤＢＲである第２反射鏡には、材料の屈折率差が十分付けられ且つ広いストップバンド幅を持つ誘電体ＤＢＲを用いることが好ましい。誘電体ＤＢＲを出射側に用いることで光学特性及び歩留まりに優れたデバイスを実現できる。

≪面発光レーザの動作≫
　面発光レーザ１０－１では、レーザドライバの陽極側からアノード電極１０９を介して流入された電流は、ＢＴＪで狭窄され、第２クラッド層１０６を経て活性層１０５に注入される。このとき、活性層１０５が発光し、その光が第１及び第２反射鏡の間をＢＴＪで狭窄され且つ活性層１０５で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに第１反射鏡１１０側からレーザ光として出射される。活性層１０５に注入された電流は、第１クラッド層１０４、半導体多層膜反射鏡１０３及びカソード電極（金属膜１０２）をこの順に介してレーザドライバの陰極側へ流出される。

　面発光レーザ１０－１の駆動時にトンネルジャンクション層１０７及び活性層１０５で発生した熱の多くは、比較的速やかに半導体多層膜反射鏡１０３を経て金属膜１０２に達し、金属膜１０２の側面及び基板１０１から外部へ放出される。また、発生した熱の残りは、半導体多層膜反射鏡１０３の側面（主に各ＩｎＰ層の側面）から外部へ放出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　以下、面発光レーザ１０－１の製造方法について、図４のフローチャート（ステップＳ１～Ｓ９）、図５Ａ～図９を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０－１を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０－１を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０－１（面発光レーザチップ）を得る。面発光レーザ１０－１は、一例として、半導体製造装置により、図４のフローチャートの手順で製造される。

　最初のステップＳ１では、積層体を生成する（図５Ａ参照）。具体的には、一例として、有機金属気層成長法（ＭＯＣＶＤ法）又は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により、成長室において成長基板ＧＳ（例えばＩｎＰ基板）上にエッチングストップ層（例えばＩｎＧａＡｓＰ層、ＡｌＧａＩｎＡｓ層等）、半導体多層膜反射鏡１０３、第１クラッド層１０４、活性層１０５、第２クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７及び埋め込み層１０８をこの順に積層して積層体を生成する。

　次のステップＳ２では、アノード電極１０９を形成する（図５Ｂ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、埋め込み層１０８上にトンネルジャンクション層１０７に対応する領域を囲む枠状（例えば環状）のアノード電極１０９を形成する。

　次のステップＳ３では、誘電体多層膜ＤＭＦを成膜する（図６Ａ参照）。具体的には、アノード電極１０９が形成された積層体の全面に反射鏡１１０の材料である誘電体多層膜ＤＭＦを成膜する。

　次のステップＳ４では、コンタクトホールを形成する（図６Ｂ参照）。具体的には、誘電体多層膜ＤＭＦのアノード電極１０９を覆う部分をドライエッチングにより除去してコンタクトホールを形成し、アノード電極１０９を露出させる。この結果、反射鏡１１０が形成される。

　次のステップＳ５では、支持基板ＳＢ（仮貼基板）を貼り付ける（図７Ａ参照）。具体的には、積層体のアノード電極１０９及び反射鏡１１０側の表面に例えば樹脂からなる接着剤層ＡＬを介して支持基板ＳＢ（例えばサファイア基板）を貼り付ける。

　次のステップＳ６では、成長基板ＧＳを除去する（図７Ｂ参照）。具体的には、先ず、成長基板ＧＳ（図７Ａ参照）の裏面をバックグラインダで粗削りし、残存した部分をウェットエッチングで除去する。この際、エッチングストップ層でエッチングを停止させることができ、成長基板ＧＳのみを除去することができる。次いで、エッチングストップ層を別のエッチャントにより除去して半導体多層膜反射鏡１０３の裏面（例えばＩｎＰ層の一面）を露出させる。

　次のステップＳ７では、金属膜１０２を形成する（図８Ａ参照）。具体的には、先ず、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に例えばＡｕ薄膜を蒸着により形成し、該Ａｕ薄膜をシードとしてＡｕメッキをして厚膜化する。次いで、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置によりＡｕ厚膜を研磨して平坦化する。

　次のステップＳ８では、保持基板としての基板１０１を貼り付ける（図８Ｂ参照）。具体的には、金属膜１０２に例えば半田、Ａｇペースト（導電性接着剤）等を介して基板１０１を貼り付ける。なお、金属１０２と基板１０１との接合方法は、上記手法に限定されない。

　最後のステップＳ９では、支持基板ＳＢを除去する（図９参照）。具体的には、加熱により接着剤層ＡＬを溶解させ、支持基板ＳＢ及び接着剤層ＡＬを除去する。その後、アニール等の処理を施した後、ダイシングによりチップ状の複数の面発光レーザ１０－１（面発光レーザチップ）に分離する。

≪面発光レーザの効果≫
　本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０－１は、半導体多層膜反射鏡１０３と、反射鏡１１０と、半導体多層膜反射鏡１０３と反射鏡１１０との間に配置された活性層１０５と、半導体多層膜反射鏡１０３の活性層側１０５とは反対側の面である裏面ＢＳに設けられた金属膜１０２とを備える。

　この場合、活性層１０５で発生した熱は、半導体多層膜反射鏡１０３、金属膜１０２をこの順に介して外部へ放出される。

　結果として、面発光レーザ１０－１によれば、放熱性を向上することができる面発光レーザを提供することができる。

　半導体多層膜反射鏡１０３では、非混晶層１０３ａと混晶層１０３ｂとが交互に積層されている。これにより、例えば半導体多層膜反射鏡が混晶層のみで構成される場合よりも放熱性を向上できる。

　非混晶層１０３ａはＩｎＰ層であり、混晶層１０３ｂはＡｌＧａＩｎＡｓ層である。これにより、例えば発振波長が長波長側（例えば９００ｎｍ以上）のＩｎＰ系面発光レーザの半導体多層膜反射鏡において放熱性を向上できる。

　補足すると、ＩｎＰ系の半導体ＤＢＲを構成する材料としては、ＡｌＧａＩｎＡｓやＩｎＧａＡｓＰなどの混晶系材料がある。しかし、この混晶系材料は熱伝導率が通常のＩｎＰ系材料（非混晶系材料）よりも１桁低くなる（図２参照）。つまり、混晶系材料のみを多層に繰り返し成膜するＤＢＲでは、熱伝導率が低い材料が多くなるため、電流狭窄部及び活性層で発生した熱が外部に放熱されにくくなる。面発光レーザ１０－１では、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓという一方の材料の熱伝導率が高く且つペア数の少ない半導体多層膜反射鏡１０３と金属膜１０２とで第１反射鏡を構成することにより、高反射率及び高放熱性を両立することができる。放熱性の向上は、温度による特性変動が特に問題となっているＩｎＰ系面発光レーザの温度特性が改善されることを意味し、高出力化にもつながる。

　また、ＤＢＲのペア数を増やすことで反射率を高めることは可能である。これはΔｎ（ペアの屈折率差）が小さいＩｎＰ系の半導体ＤＢＲでも同じである。しかし、Δｎが小さい材料ではストップバンド幅を広くすることはできない。ＩｎＰ系材料ではストップバンド幅が狭いため、結晶成長で膜厚のばらつきがあるとストップバンドが変化してしまい、歩留まりが大きく低下してしまう。これは、特に基板が大きいほど深刻な問題となる。また、レーザ動作時の温度が変化した場合においても、ストップバンド幅が狭いと発光特性が温度により大きく変動することになる。つまり、ストップバンド幅が広いことは、ＩｎＰ系ＶＣＳＥＬにとって非常に大きなメリットとなる。ＩｎＰ系ＤＢＲと金属膜を組み合わせることで、実効的なストップバンド幅を広くすることが可能となる。これは、温度特性及び歩留まりの改善に有効である。

　面発光レーザ１０－１では、実効的なストップバンド幅を広げられるため、ＤＢＲの膜厚ばらつきによる歩留まり低下を抑制できるようになる。また、金属、Ａｇペースト等を接合に用いた場合、エピの直接接合等を行う場合よりもボイドの発生等を抑えられるために歩留まりが向上する。また、例えば半導体多層膜反射鏡１０３に対してＡｌＧａＡｓ系の半導体ＤＢＲ及び半導体基板からなる半導体構造を直接接合する場合よりも、保持基板としてＳｉ基板やガラス基板等の安価な基板を用いることができるためコストを下げることも可能である。

　半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳは、一の非混晶層１０３ａの一面である。これにより、半導体多層膜反射鏡１０３と金属膜１０２との間での熱伝導性を向上でき、放熱性をより向上できる。

　金属膜１０２は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかからなることが好ましい。この場合、発振波長が長波長側（例えば９００ｎｍ以上）である面発光レーザ１０－１において高反射率を得ることができる点で有効である。

　反射鏡１１０は、誘電体多層膜反射鏡である。これにより、反射鏡１１０のストップバンド幅を広くすることができ、且つ、少ないペア数で高反射率を得ることができる。

　埋め込み層１０８は、例えばＩｎＰ層からなる。この場合、Ｉｎは、マイグレーションしやすい性質を持つので、埋め込み層１０８の成長時の平坦性向上に寄与する。これにより、埋め込み層１０８と反射鏡１１０との接合界面を良好にすることができる。一方、仮に埋め込み層１０８に混晶系材料を用いる場合には、組成ずれが生じたり、マイグレーションしにくいことより平坦性を向上できない恐れがある。

　上述したように非混晶系材料であるＩｎＰは、混晶系材料に比べて、熱伝導率が高い。このため、埋め込み層１０８の材料にＩｎＰを用いることにより、例えば混晶系材料を用いる場合に比べて、発熱部としてのトンネルジャンクション層１０７の周辺を埋め込む埋め込み層１０８から外部への直接的な放熱性を向上することができる。

＜２．本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザについて説明する。

≪面発光レーザの構成≫
　図１０Ａは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ１０－２の断面図である。図１０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ１０－２の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡１０３の平面図である。

　面発光レーザ１０－２は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、金属膜１０２が、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳを含む仮想面ＶＳの活性層１０５側とは反対側に一部である第１部分１０２ａが設けられ、且つ、半導体多層膜反射鏡１０３の内部に他部である第２部分１０２ｂが設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０－１と同様の構成を有する。

　詳述すると、面発光レーザ１０－２では、金属膜１０２が、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳに設けられた第１部分１０２ａと、半導体多層膜反射鏡１０３の内部に設けられた第２部分１０２ｂとを有する。

　第１部分１０２ａは、一例として、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳにベタ状に設けられている。第２部分１０２ｂは、半導体多層膜反射鏡１０３の、活性層１０５の発光領域に対応する領域を取り囲むように例えば筒状に設けられている。第２部分１０２ｂは、半導体多層膜反射鏡１０３の側面（ＩｎＰ層及びＡｌＧａＩｎＡｓ層の側面）に接している。

　より詳細には、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に穴Ｈが設けられ、金属膜１０２の他部である第２部分１０２ｂが穴Ｈに入り込んでいる。第２部分１０２ｂは、穴Ｈの内面（ＩｎＰ層及びＡｌＧａＩｎＡｓ層の側面）に接している。

　穴Ｈは、一例として半導体多層膜反射鏡１０３の厚さ方向（積層方向）に延びる筒状である。穴Ｈは、半導体多層膜反射鏡１０３を貫通している。

　穴Ｈは、半導体多層膜反射鏡１０３の、活性層１０５の発光領域に対応する領域の周辺に設けられている。より詳細には、穴Ｈは、半導体多層膜反射鏡１０３の、活性層１０５の発光領域に対応する領域を取り囲むように少なくとも１つ（例えば１つ）設けられている。

　ところで、半導体多層膜反射鏡１０３のＩｎＰ層は、熱伝導率が高いが、放熱性の悪い（熱伝導率の低い）ＡｌＧａＩｎＡｓ層と積層されている。つまり、半導体多層膜反射鏡１０３において、熱は縦方向（上下方向）に伝わりにくく、横方向に伝わりやすくなっている。そこで、面発光レーザ１０－２では、この特性を生かすべく、半導体多層膜反射鏡１０３の発光領域に対応する領域を取り囲む領域を放熱性の良い（熱伝導率の高い）金属膜１０２の他部である第２部分１０２ｂで置き換えた構造を有している。この構造では、半導体多層膜反射鏡１０３のＩｎＰ層の側面が金属膜１０２の第２部分１０２ｂに接しているため、該側面から金属膜１０２へ効率良く熱を伝えることができる。ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体ＤＢＲとＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体ＤＢＲの両方に対して、面発光レーザ１０－２の構造を適用して放熱性のシミュレーショをしてみると、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体ＤＢＲに面発光レーザ１０－２の構造を適用した方が、格段に放熱性が向上することがわかった。

　面発光レーザ１０－２は、実施例１に係る面発光レーザ１０－１と同様の動作を行う。ここで、図１０中の白い矢印は、熱の流れを示す。面発光レーザ１０－２の動作時に発熱部（活性層１０５及びトンネルジャンクション層１０７）で発生した熱の多くは、半導体多層膜反射鏡１０３のＩｎＰ層内を金属膜１０２の第２部分１０２ｂに向かって横向きに流れた後、該第２部分１０２ｂに沿って金属膜１０２の第１部分１０２ａに向かって縦向きに流れる。発熱部で発生した熱の残りは、発熱部から第１部分１０２ａに向かって半導体多層膜反射鏡１０３の各層を横切りながら縦方向に流れる。第１部分１０２ａに流れた熱は、第１部分１０２ａの側面及び基板１０１を介して外部へ放出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　以下、面発光レーザ１０－２の製造方法について、図１１のフローチャート（ステップＳ１１～Ｓ２０）、図５Ａ～図７Ｂ、図１２Ａ～図１３Ｂを参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０－２を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０－２を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０－２（面発光レーザチップ）を得る。面発光レーザ１０－２は、一例として、半導体製造装置により、図１１のフローチャートの手順で製造される。

　最初のステップＳ１１では、積層体を生成する（図５Ａ参照）。具体的には、一例として、有機金属気層成長法（ＭＯＣＶＤ法）又は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により、成長室において成長基板ＧＳ（例えばＩｎＰ基板）上にエッチングストップ層（例えばＩｎＧａＡｓＰ層、ＡｌＧａＩｎＡｓ層等）、半導体多層膜反射鏡１０３、第１クラッド層１０４、活性層１０５、第２クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７及び埋め込み層１０８をこの順に積層して積層体を生成する。

　次のステップＳ１２では、アノード電極１０９を形成する（図５Ｂ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、埋め込み層１０８に該埋め込み層１０８のトンネルジャンクション層１０７に対応する領域を囲む枠状（例えば環状）のアノード電極１０９を形成する。

　次のステップＳ１３では、誘電体多層膜ＤＭＦを成膜する（図６Ａ参照）。具体的には、アノード電極１０９が形成された積層体の全面に反射鏡１１０の材料である誘電体多層膜ＤＭＦを成膜する。

　次のステップＳ１４では、コンタクトホールを形成する（図６Ｂ参照）。具体的には、誘電体多層膜ＤＭＦのアノード電極１０９を覆う部分をドライエッチングにより除去してコンタクトホールを形成し、アノード電極１０９を露出させる。この結果、反射鏡１１０が形成される。

　次のステップＳ１５では、支持基板ＳＢ（仮貼基板）を貼り付ける（図７Ａ参照）。具体的には、積層体のアノード電極１０９及び反射鏡１１０側の表面に例えば樹脂からなる接着剤層ＡＬを介して支持基板ＳＢを貼り付ける。

　次のステップＳ１６では、成長基板ＧＳを除去する（図７Ｂ参照）。具体的には、先ず、成長基板ＧＳ（図７Ａ参照）の裏面をバックグラインダで粗削りし、残存した部分をウェットエッチングで除去する。この際、エッチングストップ層でエッチングを停止させることができ、成長基板ＧＳのみを除去することができる。次いで、エッチングストップ層を別のエッチャントにより除去して半導体多層膜反射鏡１０３の裏面（例えばＩｎＰ層の一面）を露出させる。

　次のステップＳ１７では、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に穴Ｈを形成する（図１２Ａ参照）。具体的には、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面の穴Ｈが形成される部分以外の部分を覆うレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして半導体多層膜反射鏡１０３を例えばドライエッチングによりエッチングして穴Ｈを形成する。このときのエッチング深さは、第１クラッド層１０４が露出するまでとする。この結果、半導体多層膜反射鏡１０３を貫通する穴Ｈが形成される。

　次のステップＳ１８では、金属膜１０２を形成する（図１２Ｂ参照）。具体的には、先ず、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面及び穴Ｈ内に例えばＡｕ薄膜を蒸着により形成し、該Ａｕ薄膜をシードとしてＡｕメッキをして厚膜化することにより、穴ＨをＡｕ厚膜の一部で埋め込むとともに半導体多層膜反射鏡１０３の裏面にＡｕ厚膜の他部をベタ状に形成する。次いで、ＣＭＰ装置によりＡｕ厚膜の他部を研磨して平坦化する。

　次のステップＳ１９では、保持基板としての基板１０１を貼り付ける（図１３Ａ参照）。具体的には、金属膜１０２に例えばＡｇペースト（導電性接着剤）等を介して基板１０１を貼り付ける。

　最後のステップＳ２０では、支持基板ＳＢを除去する（図１３Ｂ参照）。具体的には、加熱により接着剤層ＡＬを溶解させ、支持基板ＳＢ及び接着剤層ＡＬを除去する。その後、アニール等の処理を施した後、ダイシングによりチップ状の複数の面発光レーザ１０－１（面発光レーザチップ）に分離する。

≪面発光レーザの効果≫
　面発光レーザ１０－２では、金属膜１０２は、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳを含む仮想面ＶＳの活性層１０５側とは反対側に一部である第１部分１０２ａが設けられ且つ半導体多層膜反射鏡１０３の内部に他部である第２部分１０２ｂが設けられている。これにより、放熱性をより向上できる。

　金属膜１０２は、半導体多層膜反射鏡１０３の内部に設けられた第２部分１０２ｂが半導体多層膜反射鏡１０３の側面に接している。これにより、放熱性を格段に向上できる。

　半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳに穴Ｈが設けられ、金属膜１０２の第２部分１０２ｂが穴Ｈに入り込んでいる。これにより、簡易な構成により放熱性を格段に向上できる。

　金属膜１０２の第２部分１０２ｂが、穴Ｈの内面に接している。これにより、放熱性を格段に向上できる。

　穴Ｈは、半導体多層膜反射鏡１０３を貫通している。これにより、発熱部である活性層１０５等の近くまで金属膜１０２の第２部分１０２ｂを延在させることができ、ひいては放熱性をより向上できる。

　穴Ｈは、半導体多層膜反射鏡１０３の、活性層１０５の発光領域に対応する領域の周辺に設けられている。これにより、金属膜１０２の第２部分１０２ｂをレーザ発振に影響しない位置に設けることができる。

　穴Ｈは、半導体多層膜反射鏡１０３の領域を取り囲むように少なくとも１つ（例えば１つ）設けられている。これにより、発熱部である活性層１０５等から放出される熱を金属膜１０２の第２部分１０２ｂを介して効率良く半導体多層膜反射鏡１０３の裏面ＢＳ側に伝えることができる。

＜３．本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザについて説明する。

≪面発光レーザの構成≫
　図１４Ａ及び図１４Ｂは、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ１０－３の断面図（その１及びその２）である。図１５は、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ１０－３の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡１０３の平面図である。より詳細には、図１４Ａは、面発光レーザ１０－３を図１５のＰ－Ｐ線断面を含む平面で切断したときの断面図である。図１４Ｂは、面発光レーザ１０－３を図１５のＱ－Ｑ線断面を含む平面で切断したときの断面図である。

　面発光レーザ１０－３では、図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１５に示すように、穴Ｈが、半導体多層膜反射鏡１０３の、活性層１０５の発光領域に対応する領域を取り囲むように複数（例えば４つ）設けられている点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　複数（例えば４つ）の穴Ｈ（例えばＨ１～Ｈ４）は、半導体多層膜反射鏡１０３の発光領域に対応する領域の四方を取り囲むように配置されている。各穴Ｈは、一例として、横断面形状が矩形である。一例として、複数の穴Ｈ１～Ｈ４の容積の合計は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の穴Ｈの容積よりも小さい。

　複数の穴Ｈ（Ｈ１～Ｈ４）には、金属膜１０２の複数の第２部分１０２ｂ（１０２ｂ１～１０２ｂ４）が個別に設けられている。

　面発光レーザ１０－３は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－３によれば、実施例２に係る面発光レーザ１０－２に比べて、半導体多層膜反射鏡１０３内の金属膜の体積が小さいので放熱性は劣るものの、半導体多層膜反射鏡１０３の機械的強度の低下を抑制することができる。よって、面発光レーザ１０－３は、より堅牢性が必要となる場合に有効である。

＜４．本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザについて説明する。

≪面発光レーザの構成≫
　図１６Ａは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ１０－４の断面図である。図１６Ｂは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ１０－４の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－４は、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、穴Ｈの少なくとも一部（例えば全体）が側面視でテーパ形状（活性層１０５から離れるほど幅が広くなる形状）である点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－４は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－４によれば、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の効果を奏するとともに、穴Ｈが側面視でテーパ形状なので、半導体多層膜反射鏡１０３の内部の側面（穴Ｈの内面）と金属膜１０２の第２部分１０２ｂとの接触面積を大きくすることができ、両者間での熱伝導性をより向上できる。また、金属膜１０２の形成時に金属膜１０２の第２部分１０２ｂを半導体多層膜反射鏡１０３の内部の側面により接触させやすくなる。

＜５．本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザについて説明する。

≪面発光レーザの構成≫
　図１７Ａ及び図１７Ｂは、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ１０－５の断面図（その１及びその２）である。図１８は、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ１０－５の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡１０３の平面図である。より詳細には、図１７Ａは、面発光レーザ１０－５を図１８のＰ－Ｐ線断面を含む平面で切断したときの断面図である。図１７Ｂは、面発光レーザ１０－５を図１８のＱ－Ｑ線断面を含む平面で切断したときの断面図である。

　面発光レーザ１０－５では、図１７Ａ、図１７Ｂ及び図１８に示すように、各穴Ｈ及び該穴Ｈ内に設けられた、金属膜１０２の第２部分１０２ｂの横断面形状が異なる点を除いて、実施例３に係る面発光レーザ１０－３と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－５では、各穴Ｈ及び該穴Ｈ内に設けられた第２部分１０２ｂの横断面形状が略円形である。

　面発光レーザ１０－５は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－５によれば、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の効果を奏するとともに、穴Ｈにエッジ部分等の金属膜が付きにくい部分がないため、金属膜を穴Ｈの内面に確実に接触させて成膜することができる。

　なお、穴Ｈ及び第２部分１０２ｂの横断面形状は、例えば楕円、多角形等の他の形状であってもよい。

＜６．本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザについて説明する。

　図１９Ａは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ１０－６の断面図である。図１９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ１０－６の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡１０３の平面図である。

　面発光レーザ１０－６では、図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、活性層１０５に電流を注入するための第１及び第２の電極（アノード電極及びカソード電極）が半導体多層膜反射鏡１０３の裏面側とは反対側に設けられている点、すなわち所謂イントラキャビティ構造を有している点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－６では、一例として、貫通電極１１１が埋め込み層１０８、第２クラッド層１０６及び活性層１０５を貫通し、一端が第１クラッド層１０４に接触し、他端が埋め込み層１０８から上方に突き出ている。

　すなわち、面発光レーザ１０－６では、金属膜１０２に代えて貫通電極１１１をカソード電極（第２電極）として用いる。このため、金属膜１０２に代えて貫通電極１１１がレーザドライバの陰極（負極）に接続される。面発光レーザ１０－６では、一例として、第１電極としてのアノード電極１０９と第２電極としての貫通電極１１１（カソード電極）とが反射鏡１１０を挟む位置に配置される。なお、半導体多層膜反射鏡１０３の金属膜１０２と接触する部分をアンドープにして非導電にしてもよい。

　面発光レーザ１０－６は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法で製造することができる。

＜７．本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザについて説明する。図２０Ａは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ１０－７の断面図である。図２０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ１０－７の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－７では、図２０Ａ及び図２０Ｂに示すように、穴Ｈが半導体多層膜反射鏡１０３を貫通していない点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－７は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－７によれば、実施例２に係る面発光レーザ１０－２に比べて、放熱性は劣るものの、穴Ｈの深さが浅い分、穴Ｈを形成するためのエッチング時間を短縮できる。また、穴Ｈが半導体多層膜反射鏡１０３を貫通しなくていいため、エッチング底面の制御も比較的ラフでよい。なお、穴Ｈの深さは特に限定されないが、半導体多層膜反射鏡１０３の少なくとも１つのＩｎＰ層の側面が金属膜１０２の第２部分１０２ｂに接する深さとすることが好ましい。ＩｎＰ層の横方向へ熱を逃がす作用を利用するためである。

＜８．本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザについて説明する。図２１Ａは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ１０－８の断面図である。図２１Ｂは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ１０－８の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　実施例８に係る面発光レーザ１０－８では、図２１Ａ及び図２１Ｂに示すように、第１及び第２反射鏡が入れ替わっている点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－８では、第１反射鏡が反射鏡１１０で構成され、且つ、第２反射鏡が半導体多層膜反射鏡１０３及び金属膜１０２で構成されている。

　面発光レーザ１０－８では、埋め込み層１０８の活性層１０５側とは反対側（上側）に半導体多層膜反射鏡１０３、金属膜１０２及び基板１０１が配置され、第１クラッド層１０４の活性層１０５側とは反対側（下側）に反射鏡１１０及びアノード電極１０９が配置されている。

　以下、面発光レーザ１０－８の製造方法について、図２２のフローチャート（ステップＳ２１～Ｓ２８）、図２３Ａ～図２６Ｂを参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０－８を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０－８を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０－８（面発光レーザチップ）を得る。面発光レーザ１０－８は、一例として、半導体製造装置により、図２２のフローチャートの手順で製造される。

　最初のステップＳ２１では、積層体を生成する（図２３Ａ参照）。具体的には、一例として、有機金属気層成長法（ＭＯＣＶＤ法）又は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により、成長室において成長基板ＧＳ（例えばＩｎＰ基板）上にエッチングストップ層（例えばＩｎＧａＡｓＰ層、ＡｌＧａＩｎＡｓ層等）、第１クラッド層１０４、活性層１０５、第２クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７、埋め込み層１０８及び半導体多層膜反射鏡１０３をこの順に積層して積層体を生成する。

　次のステップＳ２２では、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に穴Ｈを形成する（図２３Ｂ参照）。具体的には、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面の穴Ｈが形成される部分以外の部分を覆うレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして半導体多層膜反射鏡１０３を例えばドライエッチングによりエッチングして穴Ｈを形成する。このときのエッチング深さは、埋め込み層１０８が露出するまでとする。この結果、半導体多層膜反射鏡１０３を貫通する穴Ｈが形成される。

　次のステップＳ２３では、金属膜１０２を形成する（図２４Ａ参照）。具体的には、先ず、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面及び穴Ｈ内に例えばＡｕ薄膜を蒸着により形成し、該Ａｕ薄膜をシードとしてＡｕメッキをして厚膜化することにより、穴ＨをＡｕ厚膜の一部で埋め込むとともに半導体多層膜反射鏡１０３の裏面にＡｕ厚膜の他部をベタ状に形成する。次いで、ＣＭＰ装置によりＡｕ厚膜の他部を研磨して平坦化する。

　次のステップＳ２４では、保持基板としての基板１０１を貼り付ける（図２４Ｂ参照）。具体的には、金属膜１０２に例えばＡｇペースト（導電性接着剤）等を介して基板１０１を貼り付ける。

　次のステップＳ２５では、成長基板ＧＳを除去する（図２５Ａ参照）。具体的には、先ず、成長基板ＧＳ（図２４Ｂ参照）の裏面をバックグラインダで粗削りし、残存した部分をウェットエッチングで除去する。この際、エッチングストップ層でエッチングを停止させることができ、成長基板ＧＳのみを除去することができる。次いで、エッチングストップ層を別のエッチャントにより除去して第１クラッド層１０４を露出させる。

　次のステップＳ２６では、アノード電極１０９を形成する（図２５Ｂ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、第１クラッド層１０４にトンネルジャンクション層１０７に対応する領域を囲む枠状（例えば環状）のアノード電極１０９を形成する。

　次のステップＳ２７では、誘電体多層膜ＤＭＦを成膜する（図２６Ａ参照）。具体的には、アノード電極１０９が形成された積層体の全面に反射鏡１１０の材料である誘電体多層膜ＤＭＦを成膜する。

　次のステップＳ２８では、コンタクトホールを形成する（図２６Ｂ参照）。具体的には、誘電体多層膜ＤＭＦのアノード電極１０９を覆う部分を例えばドライエッチングにより除去してコンタクトホールを形成し、アノード電極１０９を露出させる。この結果、反射鏡１１０が形成される。

　以上説明した面発光レーザ１０－８の製造方法では、支持基板ＳＢを貼り付ける工程（仮貼工程）及び支持基板ＳＢを除去する工程を行わなくてよいため、製造工数を削減することができる。

＜９．本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ１０－９について説明する。図２７Ａは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ１０－９の断面図である。図２７Ｂは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ１０－９の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－９では、図２７Ａ及び図２７Ｂに示すように、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面を一面とする一の非混晶層１０３ａ（活性層１０５から最も遠い非混晶層１０３ａ）の厚さが、半導体多層膜反射鏡１０３の他の非混晶層１０３ａの厚さと異なる点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　ところで、エピＤＢＲと金属膜とでは反射特性が大きく異なるため、エピＤＢＲと金属膜との界面では位相にズレが生じる。それが原因となり、エピＤＢＲの反射率特性にズレが生じて対称性が崩れてしまう（図２８上図参照）。ストップバンド幅が狭いエピＤＢＲでは非対称性を改善し、良好な反射率特性を得ることは重要である。この位相ズレは、エピＤＢＲの最も裏面側の層（最終ＩｎＰ層）の膜厚を調整することで改善できる（図２８下図参照）。

　面発光レーザ１０－９では、一例として、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面を一面とする非混晶層１０３ａの厚さを他の非混晶層１０３ａの厚さよりも薄くしている。

　面発光レーザ１０－９は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－９によれば、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の効果を奏するとともに、エピＤＢＲである半導体多層膜反射鏡１０３の対称性の優れた反射特性を得ることができる。

＜１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ１０－１０について説明する。図２９Ａは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ１０－１０の断面図である。図２９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ１０－１０の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１０では、金属膜１０２の材料が所望の波長に対する反射率が高く、且つ、熱伝導率が高いものである点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　金属膜１０２の材料としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等が挙げられる。これらの材料はＩｎＰ系ＶＣＳＥＬのターゲットである１３００ｎｍ帯より長い波長の光に対して９０％以上の高い反射率特性を持ち、且つ、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・ｋ以上の高い熱伝導率を有する。また、これらの材料は、半導体プロセスで使われることがある材料である点でも有用性が高い。

　面発光レーザ１０－１０は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と同様の製法により製造することができる。

＜１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ１０－１１について説明する。図３０Ａは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ１０－１１の断面図である。図３０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ１０－１１の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１１では、図３０Ａ及び図３０Ｂに示すように、金属膜１０２は、互いに異なる種類の金属からなる複数（例えば２つ）の金属層１０２Ａ、１０２Ｂが積層された積層構造を有する点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　ところで、金属の種類によって反射率と熱伝導率が異なる。また、Ａｇ等は酸化しやすく扱いにくいという問題がある。そこで、面発光レーザ１０－１１では、例えば反射率の高いＡｇ、比較的反射率が高く安定性に優れているＡｕ等を半導体多層膜反射鏡１０３に接する第１金属層１０２Ａに用い、高い熱伝導率を持ち、且つ、メッキ等で厚膜化が容易なＣｕを第１金属層１０２Ａ上に設けられる第２金属層１０２Ｂとすることができる。

　このように、金属膜１０２を互いに異なる種類の金属からなる複数の金属層の積層構造とすることにより、各金属層を適した配置で用いることができ、高反射率及び高放熱性を両立することができる。特に、Ａｇについては、反射率も熱伝導率も良好ではあるが酸化による劣化が起こりやすいため、積層構造において半導体多層膜反射鏡１０３により近い側に配置される層に用いることが有効である。

　面発光レーザ１０－１１は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

＜１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ１０－１２について説明する。図３１Ａは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ１０－１２の断面図である。図３１Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ１０－１２の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１２では、図３１Ａ及び図３１Ｂに示すように、半導体多層膜反射鏡１０３の一部の非混晶層１０３ａの光学厚さが（ｍ＋２）λ／４（ｍ＞１）である点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。但し、λは、面発光レーザ１０－１２の発振波長である。

　ところで、実施例２に係る面発光レーザ１０－２は、半導体多層膜反射鏡１０３の非混晶層であるＩｎＰ層を介して効率良く金属膜１０２に放熱させる構造を有している。この構造のメリットをより生かすために、半導体多層膜反射鏡１０３の一部（少なくとも１つ）のＩｎＰ層の厚さを厚くすることが有効である。但し、反射特性を悪化させないためには、該ＩｎＰ層の光学厚さを（ｍ＋２）／４λ（ｍ＞１）にする必要がある。なお、半導体多層膜反射鏡１０３の他部のＩｎＰ層及びＡｌＧａＩｎＡｓ層の光学厚さは例えばλ／４に設定されている。

　面発光レーザ１０－１２では、一例として、半導体多層膜反射鏡１０３の、活性層１０５から最も近い非混晶層１０３ａであるＩｎＰ層の光学厚さが３／４λに設定されている。これにより、反射特性を悪化させることなく、放熱性をより向上することができる。

　なお、どのＩｎＰ層をどの程度厚膜化するかや、厚膜化するＩｎＰ層の数は、適宜変更可能である。発熱部に近いＩｎＰ層ほど厚膜化したときの放熱効果が大きくなる。また、厚膜化するＩｎＰ層の数が多いほど放熱効果が大きくなる。一方で、ＩｎＰ層を厚膜化することにより反射率特性が悪化する傾向にあるため、放熱性と反射率特性のバランスとる必要がある。具体的には、半導体多層膜反射鏡１０３において３／４λの光学厚さのＩｎＰ層を３層以下とすることが望ましい。

　面発光レーザ１０－１２は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

＜１３．本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ１０－１３について説明する。図３２Ａは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ１０－１３の断面図である。図３２Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ１０－１３の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１３では、図３２Ａ及び図３２Ｂに示すように、金属膜１０２と基板１０１とが別の金属膜１００を介して接合されている点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　金属膜１００は、例えば金属膜１０２と同種の金属（例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等）からなる。金属膜１０２と金属膜１００とは、金属接合により直接接合されている。なお、金属膜１０２と金属膜１００とは、異種の金属からなってもよい。

　基板１０１は、特に限定されないが、より熱伝導率が高く安価である基板（例えばシリコン基板）であることが好ましい。

＜１４．本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ１０－１４について説明する。図３３Ａは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ１０－１４の断面図である。図３３Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ１０－１４の金属膜１０２の一部が周辺に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１４は、図３３Ａ及び図３３Ｂに示すように、半導体多層膜反射鏡１０３が活性層１０５の発光領域に対応する領域のみを有し、半導体多層膜反射鏡１０３の側面側及び裏面側に金属膜１０２が設けられている点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１４は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－１４によれば、半導体多層膜反射鏡１０３の剛性が多少犠牲になるが、半導体多層膜反射鏡１０３の、発光領域に対応する領域以外の全ての領域を金属膜で置き換えた構造を有するので（金属膜１０２の体積が非常に大きいので）、放熱性を格段に向上することができる。

＜１５．本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ１０－１５について説明する。図３４Ａは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ１０－１５の断面図である。図３４Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ１０－１５の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１５では、図３４Ａ及び図３４Ｂに示すように、金属膜１０２の第１及び第２部分１０２ａ、１０２ｂが異種の金属からなる点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１５では、例えば、第１部分１０２ａにＣｕ、Ａｌ等を用い、第２部分１０２ａにＡｕ、Ａｇ等を用いてもよい。

　面発光レーザ１０－１５は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－１５によれば、実施例１１に係る面発光レーザ１０－１１と同様の効果を奏する。

＜１６．本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６について説明する。図３５Ａは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６の断面図である。図３５Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１６では、図３５Ａ及び図３５Ｂに示すように、金属膜１０２が全体として筒状であり、半導体多層膜反射鏡１０３及び基板１０１を貫通するように設けられている点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－１２と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１６では、半導体多層膜反射鏡１０３のみで第１反射鏡を構成しているため必然的にペア数を多くせざるを得ず、且つ、ストップバンド幅を広くすることも期待できないが、金属膜１０２が半導体多層膜反射鏡１０３及び基板１０１を貫通しているので、発熱部としての活性層１０５及びトンネルジャンクション層１０７からの熱を金属膜１０２を介して直接的に基板１０１外（外部）に放出でき、放熱性に優れる点で有効である。また、面発光レーザ１０－１６では、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に金属膜が設けられていないため、例えば基板１０１の裏面（下面）を出射面とすることもできる。但し、この場合、基板１０１に発振波長λに対して透明な基板を用いる必要がある。

　面発光レーザ１０－１６は、図１１のフローチャートのステップＳ１１～Ｓ１７を実行した後、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に基板１０１を貼り付け、フォトリソグラフィーにより該基板１０１の穴Ｈに対応する位置に貫通孔ＴＨを形成し、穴Ｈ及び貫通孔ＴＨに金属膜１０２を埋め込むことにより製造することができる。

＜１７．本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ１０－１７について説明する。図３６Ａは、本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ１０－１７の断面図である。図３６Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ１０－１７の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１７では、図３６Ａ及び図３６Ｂに示すように、金属膜１０２が基板１０１の裏面（下面）にも設けられている点を除いて、実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１７は、金属膜１０２を基板１０１の裏面にも成膜することを除いて、実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－１７によれば、実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６に比べて、金属膜１０２の外部に露出する部分の面積が大きいため、放熱性をより向上できる。

＜１８．本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ１０－１８について説明する。図３７Ａは、本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ１０－１８の断面図である。図３７Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ１０－１８の金属膜１０２の一部が周辺に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１８では、図３７Ａ及び図３７Ｂに示すように、半導体多層膜反射鏡１０３及び基板１０１の活性層１０５の発光領域に対応する領域の周辺の領域が金属膜１０２で置き換わっている点を除いて、実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１８は、面発光レーザ１０－１６の製造方法と概ね同様の製法で製造できる。

　面発光レーザ１０－１８は、実施例１６に係る面発光レーザ１０－１６に比べて、金属膜１０２の半導体多層膜反射鏡１０３の側面側及び基板１０１の側面側の外部に露出する部分の体積が大きいため、放熱性をより向上できる。また、面発光レーザ１０－１８では、半導体多層膜反射鏡１０３の裏面に金属膜が設けられていないため、例えば基板１０１の裏面（下面）を出射面とすることもできる。但し、この場合、基板１０１に発振波長λに対して透明な基板を用いる必要がある。

＜１９．本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザ１０－１９について説明する。図３８Ａは、本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザ１０－１９の断面図である。図３８Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１９に係る面発光レーザ１０－１９の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－１９は、図３８Ａ及び図３８Ｂに示すように、金属膜１０２の第２部分１０２ｂが側面視で逆テーパ形状（活性層１０５から離れるほど幅が狭くなる形状）である点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１９は、実施例２に係る面発光レーザ１０－２の製造方法と同様の製法により製造できる。

　面発光レーザ１０－１９によれば、半導体多層膜反射鏡１０３の側面（穴Ｈの内面）と金属膜１０２の第２部分１０２ｂとの接触面積を大きくでき、且つ、金属膜１０２が発熱部に近い部分ほど中央寄りとなる形状（逆テーパ形状）を有するので、放熱性をより向上できる。

＜２０．本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザ＞
　以下、本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザ１０－２０について説明する。図３９Ａは、本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザ１０－２０の断面図である。図３９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例２０に係る面発光レーザ１０－２０の金属膜１０２の一部が内部に設けられた半導体多層膜反射鏡の平面図である。

　面発光レーザ１０－２０は、図３９Ａ及び図３９に示すように、金属膜１０２が、基板１０１の第２部分１０２ｂに対応する位置を貫通する第３部分１０２ｃを有する点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ１０－２と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－２０は、図１１のフローチャートのステップＳ１～Ｓ１９を実行し、基板１０１の第２部分１０２ｂに対応する位置に貫通孔ＴＨを形成し、該貫通孔ＴＨに第３部分１０２ｃをとなる金属材料（第１及び第２部分１０２ａ、１０２ｃの金属材料と同種又は異種の金属材料）を埋め込み、図１１のステップＳ２０を実行することにより製造することができる。

　面発光レーザ１０－２０によれば、金属膜１０２の外部に露出す部分の面積が大きいので、放熱性をより向上できる。

＜２１．本技術の変形例＞
　本技術は、上記各実施例に限定されることなく、種々の変形が可能である。

　例えば、図４０に示すように、実施例１に係る面発光レーザ１０－１がアレイ状に複数配置された面発光レーザアレイを構成することもできる。当該面発光レーザアレイは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０－１を含む面発光レーザアレイを複数同時に生成した後、一連一体の複数の面発光レーザアレイをダイシングにより、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）に分離することにより得られる。

　例えば、図４１に示すように、実施例２に係る面発光レーザ１０－２がアレイ状に複数配置された面発光レーザアレイを構成することもできる。当該面発光レーザアレイも、図３５の面発光レーザアレイの製造方法と同様の製法により製造できる。

　同様に、実施例３～２０のいずれかに係る面発光レーザがアレイ状に複数配置された面発光レーザアレイを構成することもできる。

　上記各実施例に係る面発光レーザでは、半導体多層膜反射鏡１０３が、非混晶層と混晶層のペアを有しているが、混晶層と混晶層のペア（例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ）を有していてもよい。すなわち、本技術に係る面発光レーザは、ＩｎＰ系化合物半導体からなる半導体多層膜反射鏡を有するＩｎＰ系ＶＣＳＥＬ全般に適用することができ、優れた効果（高反射率及び高放熱性）を発揮する。

　例えば、活性層１０５にＱＤ活性層（量子ドット活性層）を用いてもよい。

　上記各実施例に係る面発光レーザは、基板１０１を有していなくてもよい。

　上記各実施例の面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　上記各実施例において、面発光レーザを構成する各構成要素の材質、導電型、厚み、幅、長さ、形状、大きさ、配置等は、面発光レーザとして機能する範囲内で適宜変更可能である。

＜２２．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光レーザは、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜２３．面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施例に係る面発光レーザの適用例について説明する。

　図４３は、電子機器の一例としての、面発光レーザ１０－１を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１０－１を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１０－１、受光装置１２５、レンズ１１５、１３５、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。

　受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１５は、面発光レーザ１０－１から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３５は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

　信号処理部１４０は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１０－１の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ１０－１、受光装置１２５、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ１０－１に代えて、上記面発光レーザ１０－１～１０－２０のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。

＜２４．距離測定装置を移動体に搭載した例＞
　図４４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図４５は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図４５では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図４５には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）半導体多層膜反射鏡と、
　反射鏡と、
　前記半導体多層膜反射鏡と前記反射鏡との間に配置された活性層と、
　前記半導体多層膜反射鏡の前記活性層側とは反対側の面である裏面に設けられ、又は、
　前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部及び／又は周辺に他部が設けられた金属膜と、
　を備える、面発光レーザ。
（２）前記半導体多層膜反射鏡では、非混晶層と混晶層とが交互に積層されている、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記非混晶層はＩｎＰ層であり、前記混晶層はＡｌＧａＩｎＡｓ層である、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記金属膜は、前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部及び／又は周辺に他部が設けられ、前記金属膜の前記他部が、前記半導体多層膜反射鏡の側面に接している、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（５）前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面に穴が設けられ、前記金属膜の前記他部が、前記穴に入り込んでいる、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（６）前記金属膜の前記他部が、前記穴の内面に接している、（５）に記載の面発光レーザ。
（７）前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡を貫通している、（５）又は（６）に記載の面発光レーザ。
（８）前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡を貫通していない、（５）又は（６）に記載の面発光レーザ。
（９）前記穴の少なくとも一部は、側面視でテーパ形状又は逆テーパ形状である、（５）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡の、前記活性層の発光領域に対応する領域の周辺に設けられている、（５）～（９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１１）前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡の前記領域を取り囲むように少なくとも１つ設けられている、（１０）に記載の面発光レーザ。
（１２）前記穴は、複数設けられている、（５）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記活性層に電流を注入するための第１及び第２の電極が、前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面側とは反対側に設けられている、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面は、一の前記非混晶層の一面である、（２）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記一の非混晶層の厚さが、前記半導体多層膜反射鏡の他の非混晶層の厚さと異なる、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１６）前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかからなる、（１）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１７）前記金属膜は、互いに異なる種類の金属からなる複数の金属層が積層された積層構造を有する、（１）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１８）前記面発光レーザの発振波長をλとしたとき、前記半導体多層膜反射鏡の一部の前記非混晶層の光学厚さは、（ｍ＋２）λ／４（ｍ＞１）である、（２）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１９）前記金属膜と基板とが別の金属膜を介して接合されている、（１）～（１８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２０）前記反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡である、（１）～（１９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２１）前記半導体多層膜反射鏡と前記反射鏡との間に、前記活性層の発光領域を設定するトンネルジャンクション層を備える、（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２２）前記金属膜に接合された基板を更に備える、（１）～（２１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２３）（１）～（２２）のいずれか１つに記載の面発光レーザを複数備える面発光レーザアレイ。
（２４）（１）～（２２）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える、電子機器。
（２５）基板上に半導体多層膜反射鏡、活性層及び反射鏡を前記基板側からこの順に含む構造を形成する工程と、
　前記構造の前記反射鏡側の表面に支持基板を接合する工程と、
　前記基板を除去する工程と、
　前記半導体多層膜反射鏡の前記活性層側とは反対側の面である裏面に金属膜を形成する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
（２６）前記除去する工程と前記形成する工程との間に前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面に穴を形成する工程を含み、
　前記形成する工程では、前記穴を前記金属膜の一部で埋め込む、（２５）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２７）前記金属膜に保持基板を接合する工程と、前記支持基板を除去する工程と、を更に含む、（２５）又は（２６）に記載の面発光レーザの製造方法。
　

　１０－１～１０－２０：面発光レーザ、１００：別の金属膜、１０１：基板、１０２：金属膜、１０２ａ：第１部分（金属膜の一部）、１０２ｂ：第２部分（金属膜の他部）、１０３：半導体多層膜反射鏡、１０３ａ：非混晶層、１０３ｂ：混晶層、１０５：活性層、１０９：アノード電極（第１電極）、１１０：反射鏡、１１１：貫通電極（第２電極）、Ｈ、Ｈ１～Ｈ４：穴。

Claims

　半導体多層膜反射鏡と、
　反射鏡と、
　前記半導体多層膜反射鏡と前記反射鏡との間に配置された活性層と、
　前記半導体多層膜反射鏡の前記活性層側とは反対側の面である裏面に設けられ、又は、
　前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部及び／又は周辺に他部が設けられた金属膜と、
　を備える、面発光レーザ。
　前記半導体多層膜反射鏡では、非混晶層と混晶層とが交互に積層されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記非混晶層はＩｎＰ層であり、前記混晶層はＡｌＧａＩｎＡｓ層である、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記金属膜は、前記裏面を含む仮想面の前記活性層側とは反対側に一部が設けられ且つ前記半導体多層膜反射鏡の内部及び／又は周辺に他部が設けられ、
　前記金属膜の前記他部が、前記半導体多層膜反射鏡の側面に接している、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面に穴が設けられ、
　前記金属膜の前記他部が、前記穴に入り込んでいる、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記金属膜の前記他部が、前記穴の内面に接している、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡を貫通している、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡を貫通していない、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記穴の少なくとも一部は、側面視でテーパ形状又は逆テーパ形状である、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡の、前記活性層の発光領域に対応する領域の周辺に設けられている、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記穴は、前記半導体多層膜反射鏡の前記領域を取り囲むように少なくとも１つ設けられている、請求項１０に記載の面発光レーザ。
　前記穴は、複数設けられている、請求項１１に記載の面発光レーザ。
　前記活性層に電流を注入するための第１及び第２の電極が、前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面側とは反対側に設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記半導体多層膜反射鏡の前記裏面は、一の前記非混晶層の一面である、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記一の非混晶層の厚さが、前記半導体多層膜反射鏡の他の非混晶層の厚さと異なる、請求項１４に記載の面発光レーザ。
　前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかからなる、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記金属膜は、互いに異なる種類の金属からなる複数の金属層が積層された積層構造を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記面発光レーザの発振波長をλとしたとき、前記半導体多層膜反射鏡の一部の前記非混晶層の光学厚さは、（ｍ＋２）λ／４（ｍ＞１）である、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記金属膜と基板とが別の金属膜を介して接合されている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡である、請求項１に記載の面発光レーザ。