WO2023248654A1 - 面発光レーザ及び測距装置 - Google Patents

Abstract

構造的な不良の発生を抑制しつつ所望の特性を得ることができる面発光レーザを提供すること。　本技術に係る面発光レーザは、互いに積層された基板及び第１反射鏡を含む第１構造と、前記第１構造の前記第１反射鏡側に配置された、第２反射鏡を含む第２構造と、前記第１及び第２構造の間に配置された、活性層を含む中間構造と、を含む共振器を備え、前記基板は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなり、前記第１反射鏡及び前記中間構造は、異なる材料系からなる。本技術によれば、構造的な不良の発生を抑制しつつ所望の特性を得ることができる面発光レーザを提供することができる。

Description

面発光レーザ及び測距装置

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ及び測距装置に関する。

　従来、基板に垂直な方向に光を出射する垂直共振器型の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が知られている。

　従来の面発光レーザの中には、下部反射鏡、活性層及び上部反射鏡を含む共振器が基板上に設けられた面発光レーザがある（例えば特許文献１参照）。

　従来の面発光レーザの中には、異なる複数の材料系からなる共振器が基板上に設けられ所望の特性（例えばアイセーフ帯の発振波長、高反射率及び高放熱性を兼ね備る特性）を得ることが可能な面発光レーザがある（例えば特許文献２参照）。

特開２００５－１５９０７１号公報 特開平１１－１８６６５３号公報

　例えば特許文献１に記載の面発光レーザでは、共振器が単一の材料系からなるため、上記所望の特性を得ることが困難であった。

　例えば特許文献２に記載の面発光レーザでは、基板及び共振器の変形による構造的な不良（例えば接合不良等）の発生を抑制することに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、構造的な不良の発生を抑制しつつ所望の特性を得ることができる面発光レーザを提供することを主目的とする。

　本技術は、互いに積層された基板及び第１反射鏡を含む第１構造と、
　前記第１構造の前記第１反射鏡側に配置された、第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された、活性層を含む中間構造と、
　を含む共振器を備え、
　前記基板は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなり、
　前記第１反射鏡及び前記中間構造は、異なる材料系からなる、面発光レーザを提供する。
　前記第１反射鏡は、ＧａＡｓに格子整合する材料系からなり、前記中間構造は、ＩｎＰに格子整合する材料系からなっていてもよい。
　前記基板は、Ｇｅからなってもよい。
　前記第１構造と前記中間構造とが接合されていてもよい。
　前記第１構造と前記中間構造との間に接合層が形成されていてもよい。
　前記中間構造は、前記活性層と積層されたトンネルジャンクション層を含み、前記中間構造に少なくとも電流を狭窄する狭窄部が設けられ、前記狭窄部は、前記中間構造の厚さ方向の少なくとも一部の周辺部に存在する高抵抗領域又は絶縁領域であってもよい。
　前記狭窄部は、イオン注入領域であってもよい。
　前記狭窄部は、少なくとも前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記高抵抗領域又は前記絶縁領域であってもよい。
　前記トンネルジャンクション層は、メサ状であり、前記狭窄部は、前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記高抵抗領域であってもよい。
　前記狭窄部は、前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記絶縁領域であってもよい。
　前記トンネルジャンクション層は、周辺に前記絶縁領域が存在するＩｎＡｌＡｓ層を有していてもよい。
　前記絶縁領域は、酸化領域であってもよい。
　前記絶縁領域は、空隙であってもよい。
　前記活性層は、量子ドット活性層であってもよい。
　前記狭窄部は、周回状であり、前記基板は、前記狭窄部により取り囲まれた領域に対応する位置に貫通孔を有し、前記基板の裏面側に光を出射してもよい。
　前記トンネルジャンクション層は、前記活性層の前記基板側とは反対側に配置されていてもよい。
　前記トンネルジャンクション層は、前記活性層の前記基板側に配置されていてもよい。　前記中間構造は、互いに積層された複数の半導体構造を含み、前記複数の半導体構造の各々は、前記活性層及び前記トンネルジャンクション層を有していてもよい。
　前記中間構造に前記狭窄部が面内方向に複数設けられていてもよい。
　本技術は、前記面発光レーザと、
　前記面発光レーザの基板に設けられた受光素子と、
　を備える、測距装置も提供する。

本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１実施形態に係る面発光レーザの平面図である。 図１の面発光レーザの製造方法の第１例を説明するためのフローチャートである。 図４Ａ～図４Ｃは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。 図１の面発光レーザの製造方法の第２例を説明するためのフローチャートである。 図１５Ａ～図１５Ｃは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 図２２Ａ及び図２２Ｂは、図１の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。 本技術の第２実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第３実施形態の実施例１に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第３実施形態の実施例２に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第３実施形態の実施例３に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第４実施形態の実施例１に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第４実施形態の実施例２に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第４実施形態の実施例３に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第５実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第６実施形態の実施例１に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第６実施形態の実施例２に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第６実施形態の実施例３に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第７実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第８実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第９実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第９実施形態に係る面発光レーザの平面図である。 本技術の第１０実施形態に係る測距装置の断面図である。 本技術の第１１実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１２実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１３実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１４実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１５実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１６実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 本技術の第１７実施形態に係る面発光レーザの断面図である。 Ｇｅの格子定数について説明するための図である。 本技術に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ及び測距装置が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ及び測距装置は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ
２．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ
３．本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ
４．本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ
５．本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ
６．本技術の第６実施形態に係る面発光レーザ
７．本技術の第７実施形態に係る面発光レーザ
８．本技術の第８実施形態に係る面発光レーザ
９．本技術の第９実施形態に係る面発光レーザ
１０．本技術の第１０実施形態に係る測距装置
１１．本技術の第１１実施形態に係る面発光レーザ
１２．本技術の第１２実施形態に係る面発光レーザ
１３．本技術の第１３実施形態に係る面発光レーザ
１４．本技術の第１４実施形態に係る面発光レーザ
１５．本技術の第１５実施形態に係る面発光レーザ
１６．本技術の第１６実施形態に係る面発光レーザ
１７．本技術の第１７実施形態に係る面発光レーザ
１８．本技術の変形例
１９．電子機器への応用例
２０．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
２１．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜０．導入＞
　一般的にＩｎＰ系ＶＣＳＥＬでは、高反射率及び高熱伝導性（高放熱性）を持つ半導体ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を構成することが困難なため、ＩｎＰ系とは異なる材料系（例えばＧａＡｓ系）からなる基板（例えばＧａＡｓ基板）上に半導体ＤＢＲ（例えばＧａＡｓ系半導体ＤＢＲ）を成長し、該半導体ＤＢＲとＩｎＰ系材料とを接合する技術が知られている。しかし、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ系半導体ＤＢＲを形成すると、ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ系半導体ＤＢＲが大きく反り、ＧａＡｓ系半導体ＤＢＲとＩｎＰ系材料との接合が阻害されるおそれがある。よって、この接合技術は、構造的な不良（例えば接合不良等）による歩留まりの低下が懸念されるため、実用化には至っていない。

　一方、誘電体ＤＢＲを用いるＩｎＰ系ＶＣＳＥＬが実用化されているものの、誘電体材料の熱伝導性（放熱性）が悪いため、高温動作が難しいという問題がある。

　そこで、発明者らは、鋭意検討の末、構造的な不良の発生を抑制しつつ所望の特性（例えばアイセーフ帯の発振波長、高反射率及び高放熱性を兼ね備える特性）を得ることができる面発光レーザとして、本技術に係る面発光レーザを開発した。

　以下、本技術に係る面発光レーザについて幾つかの実施形態を挙げて詳細に説明する。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。

＜１．本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０について説明する。
≪面発光レーザの構成≫
［全体構成］
　図１は、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０の断面図である。図２は、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０の平面図である。面発光レーザ１０は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。面発光レーザ１０は、一例として、発振波長λが例えば９００ｎｍ以上、さらには１．４μｍ以上の長波長帯（アイセーフ帯）のＶＣＳＥＬを構成することができる。発振波長λは、アイセーフ帯のうち特に１．２μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。面発光レーザ１０は、一例として、レーザドライバにより駆動される。

　面発光レーザ１０は、図１及び図２に示すように、一例として、互いに積層された基板１０１及び第１反射鏡１０２を含む第１構造ＳＴ１と、第１構造ＳＴ１の第１反射鏡１０２側に配置された、第２反射鏡１０８を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された、活性層１０４を含む中間構造ＩＳＴとを含む共振器Ｒを備える。一例として、第２反射鏡１０８が出射側の反射鏡である。第１反射鏡１０２は、下部反射鏡とも呼ばれる。第２反射鏡１０８は、上部反射鏡とも呼ばれる。以下では、基板１０１、第１反射鏡１０２等が積層された方向を「積層方向」とも呼ぶ。

　中間構造ＩＳＴは、さらに、一例として、活性層１０４と積層されたトンネルジャンクション層１０６と、活性層１０４の第１構造ＳＴ１側（下側）に配置された第１クラッド層１０３と、活性層１０４とトンネルジャンクション層１０６との間に配置された第２クラッド層１０５と、トンネルジャンクション層１０６の周辺に設けられた第３クラッド層１０７とを含む。トンネルジャンクション層１０６は、一例として、活性層１０４の基板１０１側とは反対側に配置されている。

　一例として、第１構造ＳＴ１と中間構造ＩＳＴとが接合されている。一例として、第１構造ＳＴ１の第１反射鏡１０２と中間構造ＩＳＴの第１クラッド層１０３との間に接合層が形成されていてもよい。

　中間構造ＩＳＴは、一例として、活性層１０４、第２クラッド層１０５、トンネルジャンクション層１０６及び第３クラッド層１０７を含むメサＭを第１クラッド層１０３上に有する。メサＭの少なくとも側面が絶縁膜１０９で覆われている。

　一例として、メサＭの頂部の中央部上（第３クラッド層１０７の上面の中央部上）に第２反射鏡１０８が設けられている。メサＭの頂部の周辺部上（第３クラッド層１０７の上面の、第２反射鏡１０８の周辺の領域上）に周回状（例えばリング状）のアノード電極１１０が第２反射鏡１０８を取り囲むように設けられている。

　一例として、第１クラッド層１０３の上面にカソード電極１１１が絶縁膜１０９を介してメサＭの側面側に設けられている。すなわち、面発光レーザ１０は、アノード電極１１０とカソード電極１１１とが共振器Ｒの同一面側に配置されたイントラキャビティ構造を有する。

　中間構造ＩＳＴに少なくとも電流を狭窄する狭窄部が設けられている。該狭窄部は、中間構造ＩＳＴの厚さ方向（積層方向）の少なくとも一部の周辺部に存在する高抵抗領域又は絶縁領域である。詳述すると、該狭窄部は、トンネルジャンクション層１０６の周辺に存在する高抵抗領域又は絶縁領域である。より詳細には、トンネルジャンクション層１０６は第２クラッド層１０５上にメサ状に設けられ、狭窄部はトンネルジャンクション層１０６の周辺に存在する高抵抗領域である。ここでは、第３クラッド層１０７はトンネルジャンクション層１０６の周辺を埋め込む埋め込み層であり、第３クラッド層１０７の、トンネルジャンクション層１０６を取り囲む領域であってトンネルジャンクション層１０６よりも高抵抗な領域が狭窄部として機能する。すなわち、トンネルジャンクション層１０６及び第３クラッド層１０７により、ＢＴＪ（埋め込みトンネルジャンクション）が構成されている。以下では、トンネルジャンクション層１０６を「ＴＪメサ」とも呼ぶ。ＢＴＪでは、ＴＪメサを取り囲む狭窄部（高抵抗領域）がＴＪメサよりも高抵抗であることにより電流狭窄部として機能する。ＢＴＪでは、ＴＪメサを取り囲む狭窄部は、ＴＪメサよりも低屈折率であれば光狭窄部としても機能する。

［第１構造］
（基板）
　基板１０１は、一例として、格子定数がＧａＡｓの格子定数（５．６５３）よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数（５．６６１）よりも小さい材料からなる。詳述すると、基板１０１は、例えばＧｅ（格子定数：５．６５８）からなる（図４６参照）。基板１０１は、アンドープが望ましいが、例えばｎ型にドープされてもよい。この場合のドーパント（ｎ型不純物）は、例えばＶ族元素（例えばＡｓ、Ｓｂ等）とすることができる。Ｇｅ基板は、低欠陥であり、且つ、大口径サイズのウェハを製造できるため、信頼性向上及びコスト低減に寄与する。

（第１反射鏡）
　第１反射鏡１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡（半導体ＤＢＲ）である。半導体多層膜反射鏡は、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（半導体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。ここでは、第１反射鏡１０２としての半導体多層膜反射鏡は、アンドープが望ましいが、例えばｎ型にドープされてもよい。この場合のドーパント（ｎ型不純物）は、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｔｅ等とすることができる。

　第１反射鏡１０２は、一例として、ＧａＡｓに格子整合する材料系である第１材料系（ＧａＡｓ系）の半導体多層膜ＤＢＲである。第１材料系（ＧａＡｓ系）は、格子定数がＧａＡｓの格子定数の±０．２％の範囲内の材料系と定義することもできる。ＧａＡｓ系半導体ＤＢＲは、例えばＩｎＰ系半導体ＤＢＲに比べて、同じペア数において、高反射率及び高熱伝導性を得ることができる。第１材料系（ＧａＡｓ系）として、例えばＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ／Ａｌ_ｙＧａ_１－ｙＡｓ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、ｘ＜ｙ）を用いることができる（図４６参照）。ここでは、第１反射鏡１０２は、例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓで構成されている。

　第１構造ＳＴ１では、基板１０１を構成するＧｅの格子定数（５．６５８）が、第１反射鏡１０２の高屈折率層（例えばＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ）の格子定数以上、且つ、第１反射鏡１０２の低屈折率層（例えばＡｌ_ｙＧａ_１－ｙＡｓ）の格子定数以下となることが好ましい（図４６参照）。すなわち、高屈折率層（例えばＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ）の格子定数がＧｅの格子定数未満であり、且つ、低屈折率層（例えばＡｌ_ｙＧａ_１－ｙＡｓ）の格子定数がＧｅの格子定数超であることが好ましい。これにより、基板１０１上に交互に積層される高屈折率層（例えばＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ）及び低屈折率層（例えばＡｌ_ｙＧａ_１－ｙＡｓ）に互いに相殺される歪み（引っ張り歪み及び圧縮歪み）が生じ、歪補償の関係が成立するからである。よって、Ａｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓの格子定数がＧｅの格子定数未満となるようにｘの値が設定され、且つ、Ａｌ_ｙＧａ_１－ｙＡｓの格子定数がＧｅの格子定数超となるようにｙの値が設定されることが好ましい。

　第１構造ＳＴ１は、基板１０１と第２反射鏡１０２との間にバッファー層を有していてもよい。

［中間構造］
　中間構造ＩＳＴは、一例として、第１反射鏡１０２とは異なる材料系からなる。中間構造ＩＳＴは、ＩｎＰに格子整合する材料系である第２材料系（ＩｎＰ系）からなる。第２材料系（ＩｎＰ系）は、格子定数がＩｎＰの格子定数の±０．２％の範囲内にある材料系と定義することもできる。第２材料系（ＩｎＰ系）は、一例として、ＩｎＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等を含む。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０３は、例えばｎ－ＩｎＰ層からなる。該ｎ－ＩｎＰ層のドーパントには例えばＳｉを用いることができる。

（活性層）
　活性層１０４は、一例として、ＩｎＰ系化合物半導体からなる。詳述すると、活性層１０４は、一例として、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する。ここでは、活性層１０４は、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸層からなる。該ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸層は、発光波長が例えば１４００ｎｍよりも長いアイセーフ帯の範囲に入るように組成と膜厚が設計されるが、井戸層とバリア層に相反する歪を導入することが好ましい。この場合、例えば歪の大きさは１％前後、井戸数は４～８とすることができる。活性層１０４は、トンネルジャンクション層１０６に対応する領域が発光領域となっている。活性層１０４の発光領域は、発熱部でもある。
（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０５は、例えばｐ－ＩｎＰ層からなる。該ｐ－ＩｎＰ層のドーパントには例えばＭｇを用いることができる。

（ＢＴＪ）
　ＢＴＪは、前述のとおりトンネルジャンクション層１０６及び第３クラッド層１０７を含む。ＢＴＪは、前述のとおり活性層１０４の第２反射鏡１０８側に配置されている。すなわち、ＢＴＪは、活性層１０４に対して、アノード電極１１０からカソード電極１１１へ至る電流経路の上流側に位置する。

　第３クラッド層１０７は、例えばｎ－ＩｎＰ層からなる。該ｎ－ＩｎＰ層のドーパントとして例えばＳｉを用いることができる。

　トンネルジャンクション層１０６（ＴＪメサ）は、周辺の第３クラッド層１０７に比べて格段に低抵抗であり（キャリア伝導度が非常に高く）、電流通過領域となる。前述のとおり、第３クラッド層１０７のＴＪメサを取り囲む領域が狭窄部である。トンネルジャンクション層１０６は、発熱部でもある。トンネルジャンクション層１０６のメサ（ＴＪメサ）の直径は、例えば数μｍ～数十μｍである。

　トンネルジャンクション層１０６は、互いに積層されたｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂを含む。ここでは、ｎ型半導体領域１０６ｂの活性層１０４側（下側）にｐ型半導体領域１０６ａが配置されている。ｐ型半導体領域１０６ａは、例えばＣ（カーボン）が高濃度でドープされたｐ型のＡｌＩｎＡｓ（ｐ－ＡｌＩｎＡｓ）からなる。ｎ型半導体領域１０６ｂは、例えばＳｉ、Ｔｅ等が高濃度でドープされたｎ型のＩｎＰ（ｎ－ＩｎＰ）からなる。なお、ｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂは、一方がＡｌＩｎＡｓからなり且つ他方がＩｎＰからなってもよいし、双方がＡｌＩｎＡｓ又はＩｎＰからなってもよい。

［第２構造］
（第２反射鏡）
　第２反射鏡１０８は、一例として、中間構造ＩＳＴとは異なる材料系からなる。第２反射鏡１０８は、一例として、誘電体多層膜反射鏡（誘電体ＤＢＲ）である。誘電体多層膜反射鏡は、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（誘電体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２反射鏡１０８は、例えばＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、ａ－Ｓｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなることが好ましい。第２反射鏡１０８としての誘電体多層膜反射鏡は、例えばＳｉＯ_２／ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ａ－Ｓｉ／Ｔａ_２Ｏ_５で構成されてもよい。第２反射鏡１０８は、第１反射鏡１０２よりも反射率が僅かに低く設定されている。すなわち、面発光レーザ１０は、表面側（第２反射鏡１０８側）に出射光ＥＬとしてのレーザ光を出射する表面出射型の面発光レーザ１０である。

（絶縁膜）
　絶縁膜１０９は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。

（アノード電極）
　アノード電極１１０は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。アノード電極１１０は、例えばレーザドライバの陽極（正極）に電気的に接続される。なお、アノード電極１１０と第３クラッド層１０７との間に第３クラッド層１０７よりも低抵抗なコンタクト層（電流注入層）を配置してもよい。

（カソード電極）
　カソード電極１１１は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。カソード電極１１１は、例えばレーザドライバの陰極（負極）に電気的に接続される。

≪面発光レーザの動作≫
　面発光レーザ１０では、レーザドライバの陽極側からアノード電極１１０を介して流入された電流は、ＢＴＪで狭窄され、第２クラッド層１０５を経て活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０８の間をＢＴＪで狭窄され且つ活性層１０４で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに第２反射鏡１０８側（表面側）からレーザ光（出射光ＥＬ）として出射される。活性層１０４に注入された電流は、第１クラッド層１０３及びカソード電極１１１をこの順に介してレーザドライバの陰極側へ流出される。

　面発光レーザ１０の駆動時にトンネルジャンクション層１０６及び活性層１０４で発生した熱の一部は、第１クラッド層１０３を介して第１反射鏡１０２に伝わる。第１反射鏡１０２に伝わった熱は、一部が第１反射鏡１０２の側面から外部に放出され、他部が第１基板１０１に伝わり基板１０１から外部に放出される。この場合、仮に第１反射鏡１０２がＩｎＰ系半導体多層膜反射鏡で構成されている場合に比べて、放熱性を向上することができる。

≪面発光レーザの製造方法の第１例≫
　以下、面発光レーザ１０の製造方法の第１例について、図３のフローチャート等を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０（面発光レーザチップ）を得る。

　最初のステップＳ１では、第１積層体Ｌ１（第１構造ＳＴ１）を生成する（図４Ａ参照）。具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気層成長法）により、基板１０１（例えばＧｅ基板）上に第１反射鏡１０２（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）をエピタキシャル成長させて第１積層体Ｌ１を生成する。このとき、第１積層体Ｌ１において、基板１０１を構成するＧｅの格子定数が、第１反射鏡１０２を構成するＧａＡｓ及びＡｌＡｓの格子定数の間の大きさであるため、歪補償となり応力が緩和される。この結果、基板１０１及び第１反射鏡１０２の反りがほとんど又は全く発生しない。

　次のステップＳ２では、第２積層体Ｌ２を生成する（図４Ｂ参照）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法により、成長基板ＧＳ（例えばｎ－ＩｎＰ基板）上にエッチングストップ層ＥＳＬ（例えばＩｎＧａＡｓ層）、第１クラッド層１０３（例えばｎ－ＩｎＰ層）、活性層１０４、第２クラッド層１０５（例えばｐ－ＩｎＰ層）及びトンネルジャンクション層１０６をこの順にエピタキシャル成長させて第２積層体Ｌ２を生成する。

　次のステップＳ３では、ＴＪメサを形成する。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、第２積層体Ｌ２のトンネルジャンクション層１０６側の表面の、ＴＪメサが形成されることとなる箇所を覆うレジストパターンＲＰを形成する（図４Ｃ参照）。次いで、レジストパターンＲＰをマスクとして、塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングによりトンネルジャンクション層１０６をエッチングしてＴＪメサを形成する（図５Ａ参照）。この際、トンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂ（例えばｎ－ＩｎＰ層）をエッチングするためのエッチャントとして、例えばＨＣｌ、Ｈ_３ＰＯ_４、ＣＨ_３ＣＯＯＨ、Ｈ_２Ｏ等の混合液を用いることができる。ｐ型半導体領域１０６ａ（例えばｐ－ＡｌＩｎＡｓ層）をエッチングするためのエッチャントとして、例えばＨ_３ＰＯ_４、Ｈ₂Ｏ₂、Ｈ_２Ｏ等の混合液を用いることができる。次いで、有機系溶剤を用いたウェットエッチングや、Ｏ_２、ＣＦ４、Ｈ_２等のガスを用いたドライエッチングにより、レジストパターンＲＰを除去する（図５Ｂ参照）。

　次のステップＳ４では、埋め込み層としての第３クラッド層１０７を形成する（図６Ａ参照）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法により、ＴＪメサが形成された第２積層体上（第２クラッド層１０５上）に埋め込み層としての第３クラッド層１０７（例えばｎ－ＩｎＰ層）を再成長させる。この結果、第３クラッド層１０７によりＴＪメサが埋め込まれる。

　次のステップＳ５は、メサＭを形成する。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、第２積層体の第３クラッド層１０７の、メサＭが形成されることとなる箇所を覆う酸化膜（例えばＳｉＯ_２膜）からなるハードマスクＨＭを形成する（図６Ｂ参照）。この際、ハードマスクＨＭとしての酸化膜の成膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により行われ、該酸化膜のパターニングは、レジストパターンをマスクとした、フッ酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングにより行われる。次いで、ハードマスクＨＭをマスクとして、Ｃｌ系ガスを用いたドライエッチングにより、第２積層体をエッチングしてメサＭを形成する（図７Ａ参照）。この際、例えばＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、Ａｒ、Ｏ_２等の混合ガスが用いられる。ここでのエッチングは、少なくとも第１クラッド層１０３が露出するまで行われるが、エッチングストップ層ＥＳＬによりオーバーエッチングを抑制できる。その後、該酸化膜をフッ酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングにより除去する（図７Ｂ参照）。

　次のステップＳ６では、絶縁膜１０９を成膜する（図８Ａ参照）。具体的には、絶縁膜１０９を第２積層体の全面に成膜する。

　次のステップＳ７では、絶縁膜１０９の一部を除去する（図８Ｂ参照）。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、絶縁膜１０９のメサＭの頂部を覆う部分及び第１クラッド層１０３の上面のメサＭの周辺の領域を覆う部分以外の部分を覆うレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、第２積層体を例えばＣＦ４ガスを用いたドライエッチングによりエッチングすることにより、メサＭの頂部及び第１クラッド層１０３の上面のメサＭの周辺の領域を露出させる。

　次のステップＳ８では、アノード電極１１０及びカソード電極１１１を形成する（図９Ａ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、メサＭの頂部の周辺部上に周回状（例えばリング状）のアノード電極１１０を形成するとともに、第１クラッド層１０３の上面のメサＭの周辺の領域上にカソード電極１１１を形成する。このときのアノード電極１１０及びカソード電極１１１の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行われる。

　次のステップＳ９では、第２反射鏡１０８を形成する（図９Ｂ参照）。具体的には、先ず、第２反射鏡１０８の材料となる誘電体多層膜を第２積層体の全面に成膜する。次いで、フォトリソグラフィーにより、メサＭの頂部の中央部を覆う誘電体多層膜上にレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、誘電体多層膜をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングする。この結果、メサＭの頂部の中央部上に第２反射鏡１０８が形成される。なお、第２反射鏡１０８は、例えばリフトオフにより形成することも可能である。

　次のステップＳ１０では、第２積層体に支持基板ＳＢを貼り付ける（図１０参照）。具体的には、第２積層体のメサＭが形成された側の表面に例えばワックスＷを介して支持基板ＳＢを貼り付ける。なお、支持基板ＳＢの貼付けにワックスＷに代えて、樹脂やテープを用いてもよい。

　次のステップＳ１１では、成長基板ＧＳ及びエッチングストップ層ＥＳＬを除去する（図１１参照）。具体的には、成長基板ＧＳの裏面をグラインダーやＣＭＰ装置で研磨して成長基板ＧＳを薄膜化した後、塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングにより、薄膜化された成長基板ＧＳ及びエッチングストップ層ＥＳＬを除去する。この結果、第２積層体の第１クラッド層１０３（ｎ－ＩｎＰ層）が露出する。

　次のステップＳ１２では、第１及び第２積層体を接合する（図１２参照、図１３Ａ参照）。具体的には、第１積層体の第１反射鏡１０２側の表面と第２積層体の第１クラッド層１０３側の表面とを向かい合わせに例えば常温接合、プラズマ接合、熱圧着等により接合する。接合によって得られた接合体ＪＢ（図１３Ａ参照）では、元々第１積層体に反りがほとんど又は全く発生していないため、接合界面が良好な状態となる。なお、第１積層体の第１反射鏡１０２側の表面に結晶成長時に発生したダストなどがある場合には、接合前にウェットエッチングや化学機械研磨などにより除去することが好ましい。

　最後のステップＳ１３では、支持基板ＳＢを除去する（図１３Ｂ参照）。具体的には、加熱によりワックスＷを溶融させて、支持基板ＳＢ及びワックスＷを除去する。その後、洗浄し、面発光レーザ１０を個片化し、該面発光レーザ１０のアノード電極１１０及びカソード電極１１１を例えばワイヤーボンディングによりレーザドライバの対応する端子に接続する。

≪面発光レーザの製造方法の第２例≫
　以下、面発光レーザ１０の製造方法の第２例について、図１４のフローチャート等を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０（面発光レーザチップ）を得る。

　最初のステップＳ２１では、第１積層体Ｌ１を生成する（図１５Ａ参照）。具体的には、基板１０１上に第１反射鏡１０２を積層する。より具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気層成長法）により、第１基板としての基板１０１（Ｇｅ基板）上に第１反射鏡１０２の材料であるＧａＡｓ系の化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。

　次のステップＳ２２では、第１積層体Ｌ１と第２基板１０３ＧＳ（例えばｎ－ＩｎＰ基板）とを接合する（図１５Ｂ、図１５Ｃ参照）。具体的には、第１積層体Ｌ１の第１反射鏡１０２側の表面と第２基板１０３ＧＳの一面とを向かい合わせに例えば常温接合、プラズマ接合、熱圧着等により接合する。接合によって得られた接合体ＪＢでは、元々第１積層体Ｌ１に反りがほとんど又は全く発生していないため、接合界面が良好な状態となる。なお、第１積層体の第１反射鏡１０２側の表面に結晶成長時に発生したダストなどがある場合には、接合前にウェットエッチングや化学機械研磨などにより除去することが好ましい。

　次のステップＳ２３では、第２基板１０３ＧＳを一部残して除去する（図１６Ａ参照）。具体的には、接合体ＪＢの第２基板１０３ＧＳ側の表面をグラインダーやＣＭＰ装置で研磨して第２基板１０３ＧＳを薄膜化する。

　次のステップＳ２４では、第２積層体Ｌ２を生成する（図１６Ｂ参照）。具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気層成長法）により、接合体ＪＢの第２基板１０３ＧＳ（成長基板）上に第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２クラッド層１０５、トンネルジャンクション層１０６をこの順にエピタキシャル成長させる。

　次のステップＳ２５では、ＴＪメサを形成する。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、第２積層体Ｌ２のトンネルジャンクション層１０６側の表面の、ＴＪメサが形成されることとなる箇所を覆うレジストパターンＲＰを形成する（図１７Ａ参照）。次いで、レジストパターンＲＰをマスクとして、塩酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングによりトンネルジャンクション層１０６をエッチングしてＴＪメサを形成する（図１７Ｂ参照）。この際、トンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂ（例えばｎ－ＩｎＰ層）をエッチングするためのエッチャントとして、例えばＨＣｌ、Ｈ_３ＰＯ_４、ＣＨ_３ＣＯＯＨ、Ｈ_２Ｏ等の混合液を用いることができる。ｐ型半導体領域１０６ａ（例えばｐ－ＡｌＩｎＡｓ層）をエッチングするためのエッチャントとして、例えばＨ_３ＰＯ_４、Ｈ₂Ｏ₂、Ｈ_２Ｏ等の混合液を用いることができる。次いで、有機系溶剤を用いたウェットエッチングや、Ｏ_２、ＣＦ４、Ｈ_２等のガスを用いたドライエッチングにより、レジストパターンＲＰを除去する（図１８Ａ参照）。

　次のステップＳ２６では、埋め込み層としての第３クラッド層１０７を形成する（図１８Ｂ参照）。具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法により、ＴＪメサが形成された第２積層体上（第２クラッド層１０５上）に埋め込み層としての第３クラッド層１０７（例えばｎ－ＩｎＰ層）を再成長させる。この結果、第３クラッド層１０７によりＴＪメサが埋め込まれる。

　次のステップＳ２７では、メサＭを形成する。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、第２積層体の第３クラッド層１０７の、メサＭが形成されることとなる箇所を覆う酸化膜（例えばＳｉＯ_２膜）からなるハードマスクＨＭを形成する（図１９Ａ参照）。この際、ハードマスクＨＭとしての酸化膜の成膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により行われ、該酸化膜のパターニングは、レジストパターンをマスクとした、フッ酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングにより行われる。次いで、ハードマスクＨＭをマスクとして、Ｃｌ系ガスを用いたドライエッチングにより、第２積層体をエッチングしてメサＭを形成する（図１９Ｂ参照）。この際、例えばＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、Ａｒ、Ｏ_２等の混合ガスが用いられる。ここでのエッチングは、少なくとも第１クラッド層１０３が露出するまで行われる。その後、該酸化膜をフッ酸系のエッチャントを用いたウェットエッチングにより除去する（図２０Ａ参照）。

　次のステップＳ２８では、絶縁膜１０９を成膜する（図２０Ｂ参照）。具体的には、絶縁膜１０９を第２積層体の全面に成膜する。

　次のステップＳ２９では、絶縁膜１０９の一部を除去する（図２１Ａ参照）。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、絶縁膜１０９のメサＭの頂部を覆う部分及び第１クラッド層１０３の上面のメサＭの周辺の領域を覆う部分以外の部分を覆うレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、第２積層体を例えばＣＦ４ガスを用いたドライエッチングによりエッチングすることにより、メサＭの頂部及び第１クラッド層１０３の上面のメサＭの周辺の領域を露出させる。

　次のステップＳ３０では、アノード電極１１０及びカソード電極１１１を形成する（図２１Ｂ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、メサＭの頂部の周辺部上に周回状（例えばリング状）のアノード電極１１０を形成するとともに、第１クラッド層１０３の上面のメサＭの周辺の領域上にカソード電極１１１を形成する。このときのアノード電極１１０及びカソード電極１１１の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行われる。

　次のステップＳ３１では、第２反射鏡１０８を形成する。具体的には、先ず、第２反射鏡１０８の材料となる誘電体多層膜を第２積層体の全面に成膜する（図２２Ａ参照）。次いで、フォトリソグラフィーにより、メサＭの頂部の中央部を覆う誘電体多層膜上にレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、誘電体多層膜をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングする（図２２Ｂ参照）。この結果、メサＭの頂部の中央部上に第２反射鏡１０８が形成される。なお、第２反射鏡１０８は、例えばリフトオフにより形成することも可能である。

≪面発光レーザ及びその製造方法の効果≫
　本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ１０は、互いに積層された基板１０１及び第１反射鏡１０２を含む第１構造ＳＴ１と、該第１構造ＳＴ１の第１反射鏡１０２側に配置された、第２反射鏡１０８を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された、活性層１０４を含む中間構造ＩＳＴとを含む共振器を備え、基板１０１は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなり、第１反射鏡１０２及び中間構造ＩＳＴは、異なる材料系からなる。

　この場合、例えば第１反射鏡１０２の材料系にＧａＡｓ系を用いても、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ系半導体ＤＢＲを設ける場合に比べて、基板１０１及び第１反射鏡１０２の反りを格段に少なくすることが可能である。さらに、例えば中間構造ＩＳＴの材料系にＧａＡｓ系とは異なる材料系であるＩｎＰ系を用いることが可能である。補足すると、例えばＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長したＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡の応力は、Ｇｅ基板上にエピタキシャル成長したＧａＡｓ系ＤＢＲの応力に比べて１桁大きく、ＧａＡｓ基板の裏面に反り矯正膜が必要となる。

　結果として、第１実施形態に係る面発光レーザ１０によれば、共振器Ｒに構造的な不良の発生を抑制しつつ所望の特性（例えばアイセーフ帯の発振波長、高反射率及び高放熱性を兼ね備える特性等）を得ることが可能な面発光レーザを提供することができる。より具体的には、面発光レーザ１０によれば、高温動作が可能であり、歩留まり及び信頼性を向上でき、アイセーフ帯におけるレーザ発振が可能な、高効率且つ高出力の面発光レーザを実現することができる。

　第１反射鏡１０２は、ＧａＡｓに格子整合する材料系からなり、中間構造ＩＳＴは、ＩｎＰに格子整合する材料系からなることが好ましい。これにより、高温動作、歩留まり向上及び信頼性向上、アイセーフ帯におけるレーザ発振、高効率及び高出力をより確実に実現することができる。

　基板１０１は、Ｇｅからなることが好ましい。これにより、歩留まりを確実に向上することができ、且つ、製造コストを低減できる。

　第１構造ＳＴ１と中間構造ＩＳＴとが接合されていてもよい。これにより、異なる材料系で構成される共振器を容易に実現することができる。

　第１構造ＳＴ１と中間構造ＩＳＴとの間に接合層が形成されていてもよい。

　中間構造ＩＳＴは、活性層１０４と積層されたトンネルジャンクション層１０６を含み、中間構造ＩＳＴに少なくとも電流を狭窄する狭窄部が設けられ、該狭窄部は、中間構造ＩＳＴの厚さ方向の少なくとも一部の周辺部に存在する高抵抗領域又は絶縁領域でありうる。これにより、活性層１０４に効率良く電流を注入することができる。さらに、狭窄部に光狭窄機能を持たせることも可能である。

　狭窄部を、トンネルジャンクション層１０６の周辺に存在する高抵抗領域又は絶縁領域とすることができる。

　トンネルジャンクション層１０６がメサ状である場合には、狭窄部をトンネルジャンクション層の周辺に存在する高抵抗領域とすることができる。

　トンネルジャンクション層１０６を、活性層１０４の基板１０１側とは反対側に配置することができる。

　第２反射鏡１０８及び中間構造ＩＳＴは、異なる材料系からなってもよい。これにより、第２反射鏡１０８に中間構造ＩＳＴの材料系に制約されない特性（例えば反射率、放熱性等）を持たせることができる。

　第２反射鏡１０８は、誘電体多層膜反射鏡を含んでいてもよい。この場合、高反射率を得つつ、面発光レーザ１０の薄型化に寄与する。

　面発光レーザ１０の製造方法の第１例は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなる基板１０１（第１基板）上に第１材料系からなる第１反射鏡１０２を積層して第１積層体Ｌ１を生成する工程と、成長基板ＧＳ（第２基板）上に第２材料系からなる、活性層１０４を含む中間構造ＩＳＴ（積層構造）と、第２反射鏡１０８とをこの順に形成して第２積層体Ｌ２を生成する工程と、第２積層体Ｌ２から少なくとも成長基板ＧＳを除去する工程と、第１積層体Ｌ１の第１反射鏡１０２側の表面と第２積層体Ｌ２の積層構造側の表面とを向かい合わせに接合する工程と、を含む。

　これにより、面発光レーザ１０を比較的容易に製造することができる。

　面発光レーザ１０の製造方法の第２例は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなる基板１０１（第１基板）上に第１材料系からなる第１反射鏡１０２を積層して第１積層体Ｌ１を生成する工程と、第１積層体Ｌ１の第１反射鏡１０２側の表面と第２基板１０３ＧＳの一面とを向かい合わせに接合して接合体ＪＢを生成する工程と、接合体ＪＢから第２基板１０３ＧＳの一部を除去する工程と、接合体ＪＢの第２基板１０３ＧＳの他部上に第２材料系からなる積層構造及び第２反射鏡１０２をこの順に形成して第２積層体Ｌ２を生成する工程と、を含む。

　これにより、面発光レーザ１０をより少ない工数で比較的容易に製造することができる。

＜２．本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ＞
　図２３は、本技術の第２実施形態に係る面発光レーザ２０の断面図である。面発光レーザ２０は、図２３に示すように、狭窄部としてＢＴＪに代えてイオン注入領域ＩＩＡが設けられている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ２０では、狭窄部は、少なくともトンネルジャンクション層１０６の周辺に存在する高抵抗領域としてのイオン注入領域ＩＩＡである。イオン注入領域ＩＩＡは、少なくともトンネルジャンクション層１０６の中央部を取り囲む周回状（例えば環状）の領域である。ここでは、トンネルジャンクション層１０６は、低抵抗な中央部が電流通過領域として機能し、イオン注入領域ＩＩＡが形成された高抵抗な周辺部が電流狭窄領域として機能する。イオン注入領域ＩＩＡの内径（電流狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。イオン注入領域ＩＩＡのイオン種としては、例えばＨ、Ｈｅ、Ｏ、Ｂ等のイオンが用いられている。

　ここでは、イオン注入領域ＩＩＡは、第３クラッド層１０７、トンネルジャンクション層１０６及び第２クラッド層１０５の周辺部に形成されているが、これに限らず、要は、少なくともトンネルジャンクション層１０６の周辺部に形成されていればよい。

　面発光レーザ２０は、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。但し、面発光レーザ２０の製造方法では、イオン注入を行う必要があるものの、ＴＪメサ形成及び埋め込み再成長を行う必要がないため、製造プロセスが簡略化され、製造コストを削減できる。イオン注入は、メサＭの形成前、形成後のいずれに行われてもよい。

　面発光レーザ２０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の効果を得ることでき、且つ、製造コストを削減できる面発光レーザを提供できる。

＜３．本技術の第３実施形態に係る面発光レーザ＞
（実施例１）
　図２４は、本技術の第３実施形態の実施例１に係る面発光レーザ３０－１の断面図である。面発光レーザ３０－１は、図２４に示すように、狭窄部としてイオン注入領域ＩＩＡに代えて酸化領域が設けられている点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０－１では、狭窄部は、トンネルジャンクション層１０６の周辺に存在する絶縁領域としての酸化領域である。詳述すると、面発光レーザ３０－２では、トンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａとしてのｐ－ＩｎＡｌＡｓ層の周辺に絶縁領域としての酸化領域１０６ａ２が存在する。酸化領域１０６ａ２は、ｐ－ＩｎＡｌＡｓ層の非酸化領域１０６ａ１を取り囲むように周回状（例えば環状）に設けられている。酸化領域１０６ａ２は、ｐ－ＩｎＡｌＡｓ層が側面から選択的に酸化されることにより生成された酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）を含む。狭窄部としての酸化領域１０６ａ２は、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、非酸化領域１０６ａ１との屈折率差による光狭窄機能を持つ。酸化領域１０６ａ２の内径（狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。

（実施例２）
　図２５は、本技術の第３実施形態の実施例２に係る面発光レーザ３０－２の断面図である。面発光レーザ３０－２は、図２５に示すように、狭窄部としての酸化領域がトンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂに設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ３０－１と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０－２では、トンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂがｎ－ＩｎＡｌＡｓ層からなる。面発光レーザ３０－２では、狭窄部は、トンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂ（ｎ－ＩｎＡｌＡｓ層）の周辺に存在する絶縁領域としての酸化領域１０６ｂ２である。酸化領域１０６ｂ２は、ｎ－ＩｎＡｌＡｓ層の非酸化領域１０６ｂ１を取り囲むように周回状（例えば環状）に設けられている。酸化領域１０６ｂ２は、ｎ－ＩｎＡｌＡｓ層が側面から選択的に酸化されることより生成された酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）を含む。狭窄部としての酸化領域１０６ｂ２は、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、非酸化領域１０６ｂ１との屈折率差による光狭窄機能を持つ。酸化領域１０６ｂ２の内径（狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。

（実施例３）
　図２６は、本技術の第３実施形態の実施例３に係る面発光レーザ３０－３の断面図である。面発光レーザ３０－３は、図２６に示すように、狭窄部としての酸化領域がトンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂのいずれにも設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ３０－１と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０－３では、トンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａがｐ－ＩｎＡｌＡｓ層からなり、ｎ型半導体領域１０６ｂがｎ－ＩｎＡｌＡｓ層からなる。面発光レーザ３０－３では、狭窄部は、トンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａ（ｐ－ＩｎＡｌＡｓ層）の周辺に存在する絶縁領域としての酸化領域１０６ａ２及びｎ型半導体領域１０６ｂ（ｎ－ＩｎＡｌＡｓ層）の周辺に存在する絶縁領域としての酸化領域１０６ｂ２を含む。酸化領域１０６ａ２は、ｐ－ＩｎＡｌＡｓ層の非酸化領域１０６ａ１を取り囲むように周回状（例えば環状）に設けられている。酸化領域１０６ｂ２は、ｎ－ＩｎＡｌＡｓ層の非酸化領域１０６ｂ１を取り囲むように周回状（例えば環状）に設けられている。酸化領域１０６ａ２は、ｐ－ＩｎＡｌＡｓ層が側面から選択的に酸化されることにより生成された酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）を含む。酸化領域１０６ｂ２は、ｎ－ＩｎＡｌＡｓ層が側面から選択的に酸化されることにより生成された酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）を含む。狭窄部の酸化領域１０６ａ２は、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、非酸化領域１０６ａ１との屈折率差による光狭窄機能を持つ。酸化領域１０６ａ２の内径（狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。狭窄部の酸化領域１０６ｂ２は、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、非酸化領域１０６ｂ１との屈折率差による光狭窄機能を持つ。酸化領域１０６ｂ２の内径（狭窄径）は、酸化領域１０６ａ２の内径と略同一（例えば数μｍ～数十μｍ）である。

　以上説明した第３実施形態の実施例１～３に係る面発光レーザ３０－１～３０－３は、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。但し、面発光レーザ３０－１～３０－３の製造方法では、酸化工程を行う必要があるものの、ＴＪメサ形成及び埋め込み再成長を行う必要がないため、製造プロセスが簡略化され、製造コストを削減できる。酸化工程は、メサＭの形成後に行うことができる。

　面発光レーザ３０－１～３０－３によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の効果を得ることでき、且つ、製造コストを削減できる面発光レーザを提供できる。

＜４．本技術の第４実施形態に係る面発光レーザ＞
（実施例１）
　図２７は、本技術の第４実施形態の実施例１に係る面発光レーザ４０－１の断面図である。面発光レーザ４０－１は、図２７に示すように、狭窄部として酸化領域に代えて空隙Ｖ（エアギャップ）が設けられている点を除いて、第３実施形態の実施例１に係る面発光レーザ３０－１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ４０－１では、トンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａを取り囲む周回状の空隙Ｖが設けられている。狭窄部としての空隙Ｖは、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、ｐ型半導体領域１０６ａとの屈折率差による光狭窄機能を持つ。空隙Ｖの内径（狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。

（実施例２）
　図２８は、本技術の第４実施形態の実施例２に係る面発光レーザ４０－２の断面図である。面発光レーザ４０－２は、図２８に示すように、狭窄部として空隙Ｖ（エアギャップ）がトンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂの周辺に設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ４０－１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ４０－２では、トンネルジャンクション層１０６のｎ型半導体領域１０６ｂを取り囲む周回状の空隙Ｖが設けられている。狭窄部としての空隙Ｖは、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、ｎ型半導体領域１０６ｂとの屈折率差による光狭窄機能を持つ。空隙Ｖの内径（狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。

（実施例３）
　図２９は、本技術の第４実施形態の実施例３に係る面発光レーザ４０－３の断面図である。面発光レーザ４０－３は、図２９に示すように、狭窄部として空隙Ｖ（エアギャップ）がトンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂの双方の周辺に設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ４０－１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ４０－３では、トンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂを取り囲む周回状の空隙Ｖが設けられている。狭窄部としての空隙Ｖは、絶縁性による電流狭窄機能を持ち、且つ、ｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂとの屈折率差による光狭窄機能を持つ。空隙Ｖの内径（狭窄径）は、例えば数μｍ～数十μｍである。

　以上説明した第４実施形態の実施例１～３に係る面発光レーザ４０－１～４０－３は、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。但し、面発光レーザ４０－１～４０－３の製造方法では、トンネルジャンクション層１０６のｐ型半導体領域１０６ａ及びｎ型半導体領域１０６ｂの少なくとも一方をメサ状に形成した後、空隙Ｖが形成されるように第３クラッド層１０７を成長させる必要がある。この際、空隙Ｖは、トンネルジャンクション層１０６の厚さ方向の少なくとも一部を取り囲むように周回状に形成されればよい。

　面発光レーザ４０－１～４０－３によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の効果を得ることが可能な面発光レーザを提供できる。

＜５．本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ＞
　図３０は、本技術の第５実施形態に係る面発光レーザ５０の断面図である。面発光レーザ５０は、図３０に示すように、活性層１０４が量子ドット（例えばＩｎＡｓ）を有する量子ドット活性層である点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。面発光レーザ５０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、低しきい値化を実現できる面発光レーザを提供できる。

＜６．本技術の第６実施形態に係る面発光レーザ＞
（実施例１）
　図３１は、本技術の第６実施形態の実施例１に係る面発光レーザ６０－１の断面図である。面発光レーザ６０－１は、図３１に示すように、基板１０１が狭窄部としての第３クラッド層１０７により取り囲まれた領域（トンネルジャンクション層１０６）に対応する位置に貫通孔ＴＨを有し、基板１０１の裏面側に光を出射する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ６０－１では、貫通孔ＴＨが設けられることにより放熱性が向上している。

　面発光レーザ６０－１では、第２反射鏡１０８が誘電体多層膜反射鏡１０８ａ及び金属反射鏡１０８ｂを含むハイブリッドミラーである。金属反射鏡１０８ｂは、誘電体多層膜反射鏡１０８ａを覆うように設けられた金属材料ＭＭの、誘電体多層膜反射鏡１０８ａ上に積層された一部である。金属材料ＭＭの他部がアノード電極１１０として機能する。金属材料ＭＭは、アノード電極１１０の材料（例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等の多層構造）で構成されてもよいし、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等からなる単層構造で構成されてもよい。金属材料ＭＭは、放熱部としても機能する。

　面発光レーザ６０－１では、第２反射鏡１０８の反射率が第１反射鏡１０２の反射率よりも僅かに大きく設定されている。

　面発光レーザ６０－１は、基板１０１に貫通孔ＴＨを形成する点と、金属材料ＭＭをメサＭ及び誘電体多層膜反射鏡１０８ａを覆うように形成する点とを除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ６０－１によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、より高効率及び高出力でより高温動作に適した裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

　なお、面発光レーザ６０－１において、金属材料ＭＭに代えてアノード電極１１０のみが設けられてもよい（例えば図１参照）。

（実施例２）
　図３２は、本技術の第６実施形態の実施例２に係る面発光レーザ６０－２の断面図である。面発光レーザ６０－２は、図３２に示すように、基板１０１に設けられた貫通孔ＴＨに金属反射鏡１０２ｂが設けられ、且つ、基板１０１の表面側に光を出射する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ６０－１と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ６０－２では、第１反射鏡１０２が半導体多層膜反射鏡１０２ａ（例えばＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡）及び金属反射鏡１０２ｂを含むハイブリッドミラーである。金属反射鏡１０２ｂは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等を含む単層構造又は多層構造を有する。金属反射鏡１０２ｂは、放熱部としても機能する。

　面発光レーザ６０－２は、基板１０１に貫通孔ＴＨを形成し、該貫通孔ＴＨに金属反射鏡１０２ｂを形成する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ６０－２によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、より高効率及び高出力でより高温動作に適した表面出射型の面発光レーザを提供できる。

（実施例３）
　図３３は、本技術の第６実施形態の実施例３に係る面発光レーザ６０－３の断面図である。面発光レーザ６０－３は、図３３に示すように、基板１０１に設けられた貫通孔ＴＨ及び基板１０１の裏面に金属反射鏡１０２ｂが設けられている点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ６０－２と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ６０－３では、半導体多層膜反射鏡１０２ａ（例えばＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡）と共にハイブリッドミラーを構成する金属反射鏡１０２ｂは、一部が貫通孔ＴＨに入り込んだ状態で基板１０１の裏面に設けられている。すなわち、面発光レーザ６０－３では、第１反射鏡１０２の一部及び放熱部を兼ねる金属反射鏡１０２ｂが大型化されている。金属反射鏡１０２ｂは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等を含む単層構造又は多層構造を有する。

　面発光レーザ６０－３は、基板１０１に貫通孔ＴＨを形成し、該貫通孔ＴＨ及び基板１０１の裏面に金属反射鏡１０２ｂを形成する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ６０－３によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、より高効率及び高出力でより一層高温動作に適した表面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜７．本技術の第７実施形態に係る面発光レーザ＞
　図３４は、本技術の第７実施形態に係る面発光レーザ７０の断面図である。面発光レーザ７０は、図３４に示すように、中間構造ＩＳＴが上下逆さまの構成を有している点及びアノード電極１１０及びカソード電極１１１の位置関係が逆である点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ７０では、トンネルジャンクション層１０６が、活性層１０４の基板１０１側に配置されている。詳述すると、面発光レーザ７０では、第１構造ＳＴ１上に第３クラッド層１０７、トンネルジャンクション層１０６、第２クラッド層１０５、活性層１０４及び第１クラッド層１０３がこの順に積層されている。

　面発光レーザ７０では、トンネルジャンクション層１０６においてｐ型半導体領域１０６ａがｎ型半導体領域１０６ｂの活性層１０４側（上側）に配置されている。面発光レーザ７０では、アノード電極１１０が第３クラッド層１０７の上面の、メサＭの周辺の領域上に設けられ、カソード電極１１１がメサＭの頂部に第２反射鏡１０８を取り囲むように周回状（例えば環状）に設けられている。

　面発光レーザ７０では、イオン注入領域ＩＩＡが、少なくとも、第１クラッド層１０３の活性層１０４側とは反対側の表層及び第３クラッド層１０７の活性層１０４側とは反対側の表層には設けられていない。この場合、アノード電極１１０からカソード電極１１１へ至る電流パス上にイオン注入領域ＩＩＡが存在しないため、活性層１０４への電流注入効率を高めることできる。このように、面発光レーザ７０では、イオン注入領域ＩＩＡの形成位置の適正化が図られている。

　面発光レーザ７０は、中間構造ＩＳＴを逆エピで形成するときに、第１クラッド層１０３又は第３クラッド層１０７の一部を成長した後、イオン注入を行い、残部を再成長する点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。なお、第２実施形態に係る面発光レーザ２０の製造に、面発光レーザ７０の製法で実施されるイオン注入後、再成長する手法を導入することにより、イオン注入領域ＩＩＡの形成位置の適正化を図ることができる。

　面発光レーザ７０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、より高効率な表面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜８．本技術の第８実施形態に係る面発光レーザ＞
　図３５は、本技術の第８実施形態に係る面発光レーザ８０の断面図である。面発光レーザ８０は、図３５に示すように、中間構造ＩＳＴが互いに積層された複数（例えば２つ）の半導体構造を含み、該複数の半導体構造の各々が活性層及びトンネルジャンクション層を有する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ８０では、中間構造ＩＳＴが、第１構造ＳＴ１上に配置された、第１活性層１０４－１及び第１トンネルジャンクション層１０６－１を含む第１半導体構造と、該第１半導体構造上に配置された、第２活性層１０４－２及び第２トンネルジャンクション層１０６－２を含む第２半導体構造とを有する。

　第１半導体構造では、第１クラッド層１０３－１（例えばｎ－ＩｎＰ層）、第１活性層１０４－１、第２クラッド層１０５－１（例えばｐ－ＩｎＰ層）、第１トンネルジャンクション層１０６－１及び第３クラッド層１０７－１（例えばｎ－ＩｎＰ層）が第１構造ＳＴ１側からこの順に積層されている。第２半導体構造では、第３クラッド層１０７－１（例えばｎ－ＩｎＰ層）、第２活性層１０４－２、第２クラッド層１０５－２（例えばｐ－ＩｎＰ層）、第２トンネルジャンクション層１０６－２及び第３クラッド層１０７－２（例えばｎ－ＩｎＰ層）が第１半導体構造側からこの順に積層されている。なお、第３クラッド層１０７－１は、第１及び第２半導体構造で共有されている。

　面発光レーザ８０では、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２の間に第１トンネルジャンクション層１０６－１が配置されるため、第１及び第２活性層１０４－１、１０４－２に略同一の大きさの電流を流すことができる。

　第１トンネルジャンクション層１０６－１は、ブロードの平坦状である。第２トンネルジャンクション層１０６－２は、メサ状であり、埋め込み層としての第３クラッド層１０７－２と共にＢＴＪを構成する。

　面発光レーザ８０は、第１及び第２半導体構造を積層する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ８０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、マルチ活性層による更なる高出力化が可能な表面出射型の面発光レーザを提供できる。

　なお、面発光レーザ８０と同様の手法により、活性層が３つ以上積層されたマルチ活性層の高出力面発光レーザを実現することも可能である。

＜９．本技術の第９実施形態に係る面発光レーザ＞
　図３６は、本技術の第９実施形態に係る面発光レーザ９０の断面図である。図３７は、本技術の第８実施形態に係る面発光レーザ９０の平面図である。面発光レーザ９０は、図３６及び図３７に示すように、中間構造ＩＳＴに狭窄部が面内方向に複数設けられている点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ９０では、中間構造ＩＳＴにメサ状のトンネルジャンクション層１０６（ＴＪメサ）及び該ＴＪメサを取り囲む狭窄部（第３クラッド層１０７の一部）の組が面内方向に複数設けられている。

　面発光レーザ９０では、第１反射鏡１０２は、複数のＴＪメサに共通に対応して設けられている。第２反射鏡１０８は、複数のＴＪメサに個別に対応する複数の反射領域を有する。活性層１０４の、各ＴＪメサに対応する領域が発光領域となる。ここでは、アノード電極１１０及びカソード電極１１１のいずれも複数の発光領域に共通に設けられている。

　面発光レーザ９０は、複数のＴＪメサを形成する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ９０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる、マルチ発光部を有する表面出射型の面発光レーザ（実質的に面発光レーザアレイ）を提供できる。

　なお、例えばアノード電極１１０が発光領域毎の互いに絶縁された電極領域を有することにより、各発光部を独立駆動することも可能である。

＜１０．本技術の第１０実施形態に係る測距装置＞
　図３８は、本技術の第１０実施形態に係る測距装置１００の断面図である。測距装置１００は、図３８に示すように、第９実施形態に係る面発光レーザ９０と概ね同様の構成を有する面発光レーザと、該面発光レーザの基板１０１に設けられた受光素子１１５とを備える。

　測距装置１００の面発光レーザの基板１０１は、一例として、レーザドライバ及び受光回路を含むＩＣが形成されたＧｅ基板である。該受光回路は、例えばＡ／Ｄ変換器、ＴＯＦ（Time Of Flight）演算部等を含む。

　受光素子１１５は、一例として基板１０１の表面の、面発光レーザの周辺の領域に形成された穴部に受光面が露出した状態で設けられている。受光素子１１５は、一例として、長波長感度を持つ（アイセーフ帯に感度を持つ）ＳｉＧｅを材料とするＡＰＤ（アバランシェ・フォトダイオード）である。

　測距装置１００は、基板１０１にＩＣ及び受光素子１１５を形成する点を除いて、第９実施形態に係る面発光レーザ９０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　測距装置１００によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏する発光部を複数有する面発光レーザアレイと、長波長感度を持つ受光素子１１５とを含む、高性能のアイセーフＴＯＦモジュールを提供できる。

＜１１．本技術の第１１実施形態に係る面発光レーザ＞
　図３９は、本技術の第１１実施形態に係る面発光レーザ１２０の断面図である。面発光レーザ１２０は、図３９に示すように、第２反射鏡１０８が半導体多層膜反射鏡である点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１２０では、第２反射鏡１０８及び中間構造ＩＳＴが、異なる材料系からなる。具体的には、面発光レーザ１２０では、第２反射鏡１０８がＧａＡｓ系の材料からなり、中間構造ＩＳＴがＩｎＰ系の材料からなる。

　面発光レーザ１２０では、第１及び第２反射鏡１０２、１０８は、同一の材料系からなる。具体的には、面発光レーザ１２０では、第１及び第２反射鏡１０２、１０８は、いずれもＧａＡｓに格子整合する材料系（ＧａＡｓ系）からなる。詳しくは、第１及び第２反射鏡１０２、１０８は、いずれもＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡である。第２反射鏡１０８は、アノード電極１１０の内径側に配置されている。第２反射鏡１０８としてのＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡は、例えばアンドープのｉ型であってもよいし、ｐ型にドープされていてもよい。第２構造ＳＴ２の第２反射鏡１０８と中間構造ＩＳＴの第３クラッド層１０７とが接合されている。第２反射鏡１０８と第３クラッド層１０７との間に接合層が形成されていてもよい。

　面発光レーザ１２０は、第２反射鏡１０８と第３クラッド層１０７とを接合する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１２０では、第２反射鏡１０８にＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡を用いているので、誘電体多層膜反射鏡を用いる場合に比べて、放熱性を向上できる。

　面発光レーザ１２０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果が得られ、且つ、より高温動作に適した表面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜１２．本技術の第１２実施形態に係る面発光レーザ＞
　図４０は、本技術の第１２実施形態に係る面発光レーザ１３０の断面図である。面発光レーザ１３０は、図４０に示すように、第２反射鏡１０８としてのＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡上にアノード電極１１０が設けられている点を除いて、第１１実施形態に係る面発光レーザ１２０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１３０では、第２反射鏡１０８としてのＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡が例えばｐ型にドープされている。これにより、アノード電極１１０から第２反射鏡１０８を介して中間構造ＩＳＴに電流を流すことができる。

　面発光レーザ１３０は、第２反射鏡１０８と第３クラッド層１０７とを接合する点及び第２反射鏡１０８上にアノード電極１１０を形成する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１３０では、第２反射鏡１０８にＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡を用いているので、誘電体多層膜反射鏡を用いる場合に比べて、放熱性を向上できる。

　面発光レーザ１３０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果が得られ、且つ、より高温動作に適した表面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜１３．本技術の第１３実施形態に係る面発光レーザ＞
　図４１は、本技術の第１３実施形態に係る面発光レーザ１４０の断面図である。面発光レーザ１４０は、図４１に示すように、メサＭの底面が第１反射鏡１０２の上面に一致する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１４０では、第１反射鏡１０２としてのＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡がｎ型にドーピングされ、第１反射鏡１０２上にカソード電極１１１が設けられている。

　面発光レーザ１４０は、メサＭ形成時に第１クラッド層１０３もエッチングする点及び第１反射鏡１０２上にカソード電極１１１を設ける点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１４０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることが可能な面発光レーザを提供できる。

＜１４．本技術の第１４実施形態に係る面発光レーザ＞
　図４２は、本技術の第１４実施形態に係る面発光レーザ１５０の断面図である。面発光レーザ１５０は、図４２に示すように、メサレス構造及び裏面電極構造を有する点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１５０では、基板１０１及び第１反射鏡１０２がｎ型にドープされ、基板１０１の裏面にカソード電極１１１がベタ状に設けられている。

　面発光レーザ１５０は、メサ形成工程が不要な点及び基板１０１の裏面にカソード電極１１１を設ける点を除いて、第１実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１５０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることが可能な、裏面電極型のメサレス構造を有する表面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜１５．本技術の第１５実施形態に係る面発光レーザ＞
　図４３は、本技術の第１５実施形態に係る面発光レーザ１６０の断面図である。面発光レーザ１６０は、図４３に示すように、メサレス構造を有する点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１６０では、中間構造ＩＳＴの周辺部に複数のトレンチＴＲ（溝）が形成されている。ここでは、各トレンチＴＲの底面は、第１クラッド層１０３の上面であり、該底面上にカソード電極１１１が設けられている。なお、トレンチＴＲの代わりにビア（穴）を設けてもよい。また、カソード電極１１１が設けられる、トレンチＴＲの底面を第１クラッド層１０３内に位置させてもよい。また、第１反射鏡１０２が導電性を有する場合、トレンチＴＲの底面を第１反射鏡１０２の上面としてもよいし、第１反射鏡１０２内に位置させてもよい。また、例えば基板１０１及び第１反射鏡１０２が導電性を有する場合、トレンチＴＲの底面を基板１０１の上面としてもよいし、基板１０１内に位置させてもよい。

　中間構造ＩＳＴには、発光部を取り囲むイオン注入領域ＩＩＡが設けられている。イオン注入領域ＩＩＡは、一例として、平面視で略同心円状に複数（例えば２つ）設けられている。イオン注入領域ＩＩＡは、カソード電極１１１と、中間構造ＩＳＴの第１クラッド層１０３以外の部分とを略絶縁する機能と、電流狭窄機能とを併有する。アノード電極１１０は、第３クラッド層１０７の上面の、イオン注入領域ＩＩＡの内側の領域上に設けられている。

　面発光レーザ１６０は、トレンチＴＲを形成し、該トレンチＴＲの底面にカソード電極１１１を設ける点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１６０によれば、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の効果を得ることが可能な、メサレス構造を持つ表面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜１６．本技術の第１６実施形態に係る面発光レーザ＞
　図４４は、本技術の第１６実施形態に係る面発光レーザ１７０の断面図である。面発光レーザ１７０は、図４４に示すように、裏面出射型である点を除いて、第１５実施形態に係る面発光レーザ１６０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１７０では、基板１０１の、発光部に対応する位置に貫通孔ＴＨが設けられている。面発光レーザ１７０は、一部がカソード電極１１１に接し、他部がトレンチＴＲの側面と第３クラッド層１０７の上面の貫通孔ＴＨの周辺の領域とに設けられたパッドメタル１１６を有する。面発光レーザ１７０は、さらに、一部がパッドメタル１１６上に設けられ、他部が第３クラッド層１０７上に露出するメッキメタル１１７を有する。

　第２反射鏡１０８は、第１反射鏡１０２よりも反射率が僅かに高く設定されている。

　面発光レーザ１７０は、アノード電極１１０及びカソード電極１１１が第３クラッド層１０７上に露出しているため、レーザドライバにフリップチップ（ジャンクションダウン）で実装するのに適している。

　面発光レーザ１７０は、トレンチＴＲにパッドメタル１１６及びメッキメタル１１７を形成する点及び基板１０１に貫通孔ＴＨを形成する点を除いて、第１５実施形態に係る面発光レーザ１６０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１７０によれば、第１実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることが可能であり、レーザドライバにフリップチップ実装しやすい、メサレス構造を持つ裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜１７．本技術の第１７実施形態に係る面発光レーザ＞
　図４５は、本技術の第１７実施形態に係る面発光レーザ１８０の断面図である。面発光レーザ１８０は、図４５に示すように、メサＭの底面が第１反射鏡１０２の上面に一致する点及びイオン注入領域ＩＩＡが少なくとも第３クラッド層１０７の上層に設けられていない点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１８０では、第１反射鏡１０２としてのＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡がｎ型にドーピングされ、第１反射鏡１０２上にカソード電極１１１が設けられている。

　面発光レーザ１８０では、イオン注入領域ＩＩＡが、少なくとも第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２クラッド層１０５及びトンネルジャンクション層１０６に跨って設けられている。

　面発光レーザ１８０は、メサＭ形成時に第１クラッド層１０３もエッチングする点及び第１反射鏡１０２上にカソード電極１１１を設ける点及び第１クラッド層１０３側からイオン注入を行う点を除いて、第２実施形態に係る面発光レーザ２０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１８０によれば、第２実施形態に係る面発光レーザ２０と同様の効果を得ることが可能であり、より高効率且つ高出力の面発光レーザを提供できる。

＜１８．本技術の変形例＞
　本技術は、上記各実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。

　例えば基板１０１の材料は、Ｇｅに限定されず、要は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料であればよい。

　例えば、中間構造ＩＳＴにＩｎＰ系の材料に代えて、ＧａＮ系の材料（ＧａＮに格子整合する材料系）を用いてもよい。

　上記各実施形態の面発光レーザにおいて、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の導電型（ｐ型及びｎ型）を入れ替えてもよい。この場合に、基板１０１としてのＧｅ基板は、アンドープであってもよいし、ｐ型にドープされていてもよい。Ｇｅ基板にドープされるｐ型不純物としては、ＩＩＩ族元素（例えばＧａ等）が挙げられる。第１反射鏡１０２又は第２反射鏡１０８がｐ型のＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡である場合には、ドーパント（ｐ型不純物）として、例えばＭｇ、Ｃ、Ｚｎ等を用いることができる。

　上記各実施形態の面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　上記各実施形態において、面発光レーザや測距装置を構成する各構成要素の材質、導電型、厚み、幅、長さ、形状、大きさ、配置等は、面発光レーザや測距装置として機能する範囲内で適宜変更可能である。

＜１９．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体や、低消費電力デバイス（例えばスマートフォン、タブレット、マウス等）に搭載される装置として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光レーザは、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜２０．面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施形態に係る面発光レーザの適用例について説明する。

　図４７は、電子機器の一例としての、面発光レーザ１０を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１０を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、レンズ１１９、１３５、信号処理部１４５、制御部１５５、表示部１６５および記憶部１７５を備えている。

　受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１９は、面発光レーザ１０から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３５は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

　信号処理部１４５は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５５から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５５は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５５から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１０の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５５は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、信号処理部１４５、表示部１６５および記憶部１７５を制御するプロセッサである。制御部１５５は、信号処理部１４５で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５５は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６５に出力する。表示部１６５は、制御部１５５から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５５は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７５に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ１０に代えて、上記面発光レーザ１０、２０、３０－１、３０－２、３０－３、４０－１、４０－２、４０－３、５０、６０－１、６０－２、６０－３、７０、８０、９０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、測距装置１００のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。
＜２１．距離測定装置を移動体に搭載した例＞

　図４８は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４８に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４８の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図４９は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図４９では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図４９には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）互いに積層された基板及び第１反射鏡を含む第１構造と、
　前記第１構造の前記第１反射鏡側に配置された、第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された、活性層を含む中間構造と、
　を含む共振器を備え、
　前記基板は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなり、
　前記第１反射鏡及び前記中間構造は、異なる材料系からなる、面発光レーザ。
（２）前記第１反射鏡は、ＧａＡｓに格子整合する材料系からなり、前記中間構造は、ＩｎＰに格子整合する材料系からなる、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記基板は、Ｇｅからなる、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記第１構造と前記中間構造とが接合されている、（１）～（３）のいずれか１つに記載に記載の面発光レーザ。
（５）前記第１構造と前記中間構造との間に接合層が形成されている、（４）に記載の面発光レーザ。
（６）前記中間構造は、前記活性層と積層されたトンネルジャンクション層を含み、前記中間構造に少なくとも電流を狭窄する狭窄部が設けられ、前記狭窄部は、前記中間構造の厚さ方向の少なくとも一部の周辺部に存在する高抵抗領域又は絶縁領域である、（１）～（５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（７）前記狭窄部は、イオン注入領域である、（６）に記載の面発光レーザ。
（８）前記狭窄部は、少なくとも前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記高抵抗領域又は前記絶縁領域である、（６）又は（７）に記載の面発光レーザ。
（９）前記トンネルジャンクション層は、メサ状であり、前記狭窄部は、前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記高抵抗領域である、（６）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記狭窄部は、前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記絶縁領域である、（６）～（９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１１）前記トンネルジャンクション層は、周辺に前記絶縁領域が存在するＩｎＡｌＡｓ層を有する、（６）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記絶縁領域は、酸化領域である、（６）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記絶縁領域は、空隙である、（６）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）前記活性層は、量子ドット活性層である、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記狭窄部は、周回状であり、前記基板は、前記狭窄部により取り囲まれた領域に対応する位置に貫通孔を有し、前記基板の裏面側に光を出射する、（６）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１６）前記トンネルジャンクション層は、前記活性層の前記基板側とは反対側に配置されている、（６）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１７）前記トンネルジャンクション層は、前記活性層の前記基板側に配置されている、（６）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１８）前記中間構造は、互いに積層された複数の半導体構造を含み、前記複数の半導体構造の各々は、前記活性層及び前記トンネルジャンクション層を有する、（６）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１９）前記中間構造に前記狭窄部が面内方向に複数設けられている、（６）～（１８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２０）（１）～（１９）のいずれか１つに記載の面発光レーザと、
　前記面発光レーザの基板に設けられた受光素子と、
　を備える、測距装置。
（２１）前記受光素子は、少なくともＳｉＧｅを含む材料からなる、（２０）に記載の測距装置。
（２２）前記第２反射鏡及び前記中間構造は、異なる材料系からなる、（１）～（２１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２３）前記第１及び第２反射鏡は、同一の材料系からなる、（１）～（２２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２４）前記第２反射鏡は、ＧａＡｓに格子整合する材料系からなる、（１）～（２３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２５）前記第２構造と前記中間構造とが接合されている、（１）～（２４）のいずれか１つに記載に記載の面発光レーザ。
（２６）前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含む、（１）～（２５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２７）格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなる第１基板上に第１材料系からなる第１反射鏡を積層して第１積層体を生成する工程と、
　第２基板上に第２材料系からなる、活性層を含む積層構造と、第２反射鏡とをこの順に形成して第２積層体を生成する工程と、
　前記第２積層体から少なくとも前記第２基板を除去する工程と、
　前記第１積層体の前記第１反射鏡側の表面と前記第２積層体の前記積層構造側の表面とを向かい合わせに接合する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
（２８）格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなる第１基板上に第１材料系からなる第１反射鏡を積層して第１積層体を生成する工程と、
　前記第１積層体の前記第１反射鏡側の表面と第２基板の一面とを向かい合わせに接合して接合体を生成する工程と、
　前記接合体から前記第２基板の一部を除去する工程と、
　前記接合体の前記第２基板の他部上に第２材料系からなる積層構造及び第２反射鏡をこの順に形成して第２積層体を生成する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。

　１０、２０、３０－１、３０－２、３０－３、４０、４０－１、４０－２、４０－３、５０、６０－１、６０－２、６０－３、７０、８０、９０、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０：面発光レーザ
　１００：測距装置
　１０１：基板
　１０２：第１反射鏡
　１０４：活性層
　１０６：トンネルジャンクション層
　１０６ａ２：酸化領域（狭窄部）
　１０６ｂ２：酸化領域（狭窄部）
　１０７：第３クラッド層（狭窄部）
　１０８：第２反射鏡
　ＳＴ１：第１構造
　ＳＴ２：第２構造
　ＩＳＴ：中間構造
　Ｒ：共振器
　ＩＩＡ：イオン注入領域（狭窄部）
　Ｖ：空隙（狭窄部） 

Claims (20)

1. 　互いに積層された基板及び第１反射鏡を含む第１構造と、
   　前記第１構造の前記第１反射鏡側に配置された、第２反射鏡を含む第２構造と、
   　前記第１及び第２構造の間に配置された、活性層を含む中間構造と、
   　を含む共振器を備え、
   　前記基板は、格子定数がＧａＡｓの格子定数よりも大きく、且つ、ＡｌＡｓの格子定数よりも小さい材料からなり、
   　前記第１反射鏡及び前記中間構造は、異なる材料系からなる、面発光レーザ。
2. 　前記第１反射鏡は、ＧａＡｓに格子整合する材料系からなり、
   　前記中間構造は、ＩｎＰに格子整合する材料系からなる、請求項１に記載の面発光レーザ。
3. 　前記基板は、Ｇｅからなる、請求項１に記載の面発光レーザ。
4. 　前記第１構造と前記中間構造とが接合されている、請求項１に記載に記載の面発光レーザ。
5. 　前記第１構造と前記中間構造との間に接合層が形成されている、請求項４に記載の面発光レーザ。
6. 　前記中間構造は、前記活性層と積層されたトンネルジャンクション層を含み、
   　前記中間構造に少なくとも電流を狭窄する狭窄部が設けられ、
   　前記狭窄部は、前記中間構造の厚さ方向の少なくとも一部の周辺部に存在する高抵抗領域又は絶縁領域である、請求項１に記載の面発光レーザ。
7. 　前記狭窄部は、イオン注入領域である、請求項６に記載の面発光レーザ。
8. 　前記狭窄部は、少なくとも前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記高抵抗領域又は前記絶縁領域である、請求項６に記載の面発光レーザ。
9. 　前記トンネルジャンクション層は、メサ状であり、
   　前記狭窄部は、前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記高抵抗領域である、請求項８に記載の面発光レーザ。
10. 　前記狭窄部は、前記トンネルジャンクション層の周辺に存在する前記絶縁領域である、請求項８に記載の面発光レーザ。
11. 　前記トンネルジャンクション層は、周辺に前記絶縁領域が存在するＩｎＡｌＡｓ層を有する、請求項８に記載の面発光レーザ。
12. 　前記絶縁領域は、酸化領域である、請求項１０に記載の面発光レーザ。
13. 　前記絶縁領域は、空隙である、請求項１０に記載の面発光レーザ。
14. 　前記活性層は、量子ドット活性層である、請求項１に記載の面発光レーザ。
15. 　前記狭窄部は、周回状であり、
    　前記基板は、前記狭窄部により取り囲まれた領域に対応する位置に貫通孔を有し、
    　前記基板の裏面側に光を出射する、請求項６に記載の面発光レーザ。
16. 　前記トンネルジャンクション層は、前記活性層の前記基板側とは反対側に配置されている、請求項６に記載の面発光レーザ。
17. 　前記トンネルジャンクション層は、前記活性層の前記基板側に配置されている、請求項６に記載の面発光レーザ。
18. 　前記中間構造は、互いに積層された複数の半導体構造を含み、
    　前記複数の半導体構造の各々は、前記活性層及び前記トンネルジャンクション層を有する、請求項６に記載の面発光レーザ。
19. 　前記中間構造に前記狭窄部が面内方向に複数設けられている、請求項６に記載の面発光レーザ。
20. 　請求項１に記載の面発光レーザと、
    　前記面発光レーザの基板に設けられた受光素子と、
    　を備える、測距装置。