JPH09116223A - 面発光半導体レーザ製造方法 - Google Patents
面発光半導体レーザ製造方法Info
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- JPH09116223A JPH09116223A JP26958595A JP26958595A JPH09116223A JP H09116223 A JPH09116223 A JP H09116223A JP 26958595 A JP26958595 A JP 26958595A JP 26958595 A JP26958595 A JP 26958595A JP H09116223 A JPH09116223 A JP H09116223A
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- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接接着法を用いた電流狭窄構造を有する面
発光レーザを提供する。 【解決手段】 面発光レーザ製造方法は、第１の導電型
を有するＧａＡｓ基板１０上に第１の光反射鏡１１とし
てのエピタキシャル成長と、ＩｎＰ基板１７上にクラッ
ド層１４，活性層１５，第２の導電型を有するクラッド
層１６からなる積層構造と、第２の導電型を有するＧａ
Ａｓ基板１９に第２の光反射鏡１８としてのエピタキシ
ャル成長とをそれぞれ形成してなり、前記第１の光反射
鏡１１であるエピタキシャル成長に酸素を閉領域を残し
てイオン注入１２し、前記第１の反射鏡１１と前記Ｉｎ
Ｐ基板１７上の積層構造とを密着させ加熱・接着させ、
前記接着する工程を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基
板１７を除去し、前記ＩｎＰ基板１７が除去された前記
積層構造と前記第２の光反射鏡１８とを密着させ、加熱
・接着する工程からなる。
発光レーザを提供する。 【解決手段】 面発光レーザ製造方法は、第１の導電型
を有するＧａＡｓ基板１０上に第１の光反射鏡１１とし
てのエピタキシャル成長と、ＩｎＰ基板１７上にクラッ
ド層１４，活性層１５，第２の導電型を有するクラッド
層１６からなる積層構造と、第２の導電型を有するＧａ
Ａｓ基板１９に第２の光反射鏡１８としてのエピタキシ
ャル成長とをそれぞれ形成してなり、前記第１の光反射
鏡１１であるエピタキシャル成長に酸素を閉領域を残し
てイオン注入１２し、前記第１の反射鏡１１と前記Ｉｎ
Ｐ基板１７上の積層構造とを密着させ加熱・接着させ、
前記接着する工程を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基
板１７を除去し、前記ＩｎＰ基板１７が除去された前記
積層構造と前記第２の光反射鏡１８とを密着させ、加熱
・接着する工程からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、直接接着法を用
いた電流狭窄構造を有する面発光レーザの作製方法に関
するものである。
いた電流狭窄構造を有する面発光レーザの作製方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、長波長面発光レーザは二次元高密
度集積が可能なことから、光信号処理や光情報処理用の
発光光源としてのキーデバイスとしてその開発が非常に
望まれている。
度集積が可能なことから、光信号処理や光情報処理用の
発光光源としてのキーデバイスとしてその開発が非常に
望まれている。
【０００３】従来、この種の素子は、例えばAppl. Phy
s. lett. 66 1995 pp.1030 に開示されるように、ＤＢ
Ｒ部分と発光層とを貼り合わせた後、電流を微小領域の
活性層に効率良く注入するめの電流狭窄構造としてＩｎ
Ｐクラッド層の上部までポスト型にエッチングして形成
していた。
s. lett. 66 1995 pp.1030 に開示されるように、ＤＢ
Ｒ部分と発光層とを貼り合わせた後、電流を微小領域の
活性層に効率良く注入するめの電流狭窄構造としてＩｎ
Ｐクラッド層の上部までポスト型にエッチングして形成
していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の素
子において、エッチングを施し微小径のポスト型にした
場合には活性層の表面再結合等の影響による非発光過程
の増加を伴い、レーザ発振にいたる閾値電流の増加とい
う問題点があった。
子において、エッチングを施し微小径のポスト型にした
場合には活性層の表面再結合等の影響による非発光過程
の増加を伴い、レーザ発振にいたる閾値電流の増加とい
う問題点があった。
【０００５】また、直接接着後イオン注入により電流狭
窄構造を作製した場合、活性層にダメージを与えたり、
深い領域（例えば４μｍ）にイオン注入するため、加速
電圧の制限から注入するイオンが軽い原子量の元素に限
られ、高温動作時における信頼性等に問題点があった。
窄構造を作製した場合、活性層にダメージを与えたり、
深い領域（例えば４μｍ）にイオン注入するため、加速
電圧の制限から注入するイオンが軽い原子量の元素に限
られ、高温動作時における信頼性等に問題点があった。
【０００６】また、極微細構造を作製する際、半導体多
層膜の抵抗が著しく高くなり素子特性の劣化が問題とな
っていた。
層膜の抵抗が著しく高くなり素子特性の劣化が問題とな
っていた。
【０００７】また、電子回路との集積の際には、イオン
注入するイオン原子の種類が限られることから、エッチ
ングの深さが１０μｍ程度になり、段差構造におけるプ
ロセスの方法に様々な問題が生じ、最適な構造が作製し
にくいという問題点が生じていた。
注入するイオン原子の種類が限られることから、エッチ
ングの深さが１０μｍ程度になり、段差構造におけるプ
ロセスの方法に様々な問題が生じ、最適な構造が作製し
にくいという問題点が生じていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、電流狭窄構造
を反射鏡もしくはクラッド層の中に予め形成し、その後
直接接着により面発光半導体レーザを作製することを主
要な特徴とし、以下のような手段によって上述の課題を
解決するものである。
を反射鏡もしくはクラッド層の中に予め形成し、その後
直接接着により面発光半導体レーザを作製することを主
要な特徴とし、以下のような手段によって上述の課題を
解決するものである。
【０００９】＜第１の発明の態様＞本発明の第１の面発
光半導体レーザ製造方法は、第１の導電型を有するＧａ
Ａｓ基板上に、第１の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚
を有するＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜
（０≦ｘ１，ｘ２≦１）とを交互に積層し第１の光反射
鏡を形成する工程と、ＩｎＰ基板上に第１の導電型を有
するクラッド層と活性層と第２の導電型を有するクラッ
ド層とを具備する積層構造を、該第１の導電型を有する
クラッド層を該ＩｎＰ基板に対向して形成する工程と、
第２の導電型を有するＧａＡｓ基板に、第２の導電型及
び光学波長の1/4 の膜厚とを有するＡｌx13 Ｇａ1-x3Ａ
ｓ膜とＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦１）を
交互に積層し第２の光反射鏡を形成する工程と、前記第
１乃至は前記第２の光反射鏡にＡｌＧａＡｓを高抵抗化
するイオン種を閉領域を残して注入する工程と、前記第
１の反射鏡と前記ＩｎＰ基板上の積層構造とを密着させ
加熱することにより接着する工程と、前記接着する工程
を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基板を除去する工程
と、前記ＩｎＰ基板が除去された前記積層構造と前記第
２の光反射鏡とを密着させ、加熱・接着する工程とから
なることを特徴とする。
光半導体レーザ製造方法は、第１の導電型を有するＧａ
Ａｓ基板上に、第１の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚
を有するＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜
（０≦ｘ１，ｘ２≦１）とを交互に積層し第１の光反射
鏡を形成する工程と、ＩｎＰ基板上に第１の導電型を有
するクラッド層と活性層と第２の導電型を有するクラッ
ド層とを具備する積層構造を、該第１の導電型を有する
クラッド層を該ＩｎＰ基板に対向して形成する工程と、
第２の導電型を有するＧａＡｓ基板に、第２の導電型及
び光学波長の1/4 の膜厚とを有するＡｌx13 Ｇａ1-x3Ａ
ｓ膜とＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦１）を
交互に積層し第２の光反射鏡を形成する工程と、前記第
１乃至は前記第２の光反射鏡にＡｌＧａＡｓを高抵抗化
するイオン種を閉領域を残して注入する工程と、前記第
１の反射鏡と前記ＩｎＰ基板上の積層構造とを密着させ
加熱することにより接着する工程と、前記接着する工程
を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基板を除去する工程
と、前記ＩｎＰ基板が除去された前記積層構造と前記第
２の光反射鏡とを密着させ、加熱・接着する工程とから
なることを特徴とする。
【００１０】＜第２の発明の態様＞本発明の第２の面発
光半導体レーザ製造方法は、第１の導電型を有するＧａ
Ａｓ基板に第１の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有
するＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜（０
≦ｘ１，ｘ２≦１）を交互に積層し第１の光反射鏡を形
成する工程と、ＩｎＰ基板上に不純物をドーピングしな
い第１のクラッド層と活性層と不純物をドーピングしな
い第２のクラッド層を具備する積層構造を該第１のクラ
ッド層を該ＩｎＰ基板に対向させ形成する工程と、第２
の導電型を有するＧａＡｓ基板に第２の導電型及び光学
波長の1/4 の膜厚を有するＡｌx13 Ｇａ1-x3Ａｓ膜とＡ
ｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦１）を交互に積
層し第２の光反射鏡を形成する工程と、前記第２のクラ
ッド層内の閉領域を第２の導電型にする工程と、前記第
２の反射鏡と前記積層構造を密着させ加熱することによ
り接着する工程と、前記接着する工程を経た前記積層構
造から前記ＩｎＰ基板を除去する工程と、前記ＩｎＰ基
板を除去する工程を経た積層構造の前記第１のクラッド
層に位置し、前記第２のクラッド層の第２の導電型にし
た領域に向かい合う閉領域を第１の導電型にする工程
と、前記第１のクラッド層に位置する閉領域を第１の導
電型にした前記積層構造と前記第１の光反射鏡を密着さ
せ、加熱・接着する工程とからなることを特徴とする。
光半導体レーザ製造方法は、第１の導電型を有するＧａ
Ａｓ基板に第１の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有
するＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜（０
≦ｘ１，ｘ２≦１）を交互に積層し第１の光反射鏡を形
成する工程と、ＩｎＰ基板上に不純物をドーピングしな
い第１のクラッド層と活性層と不純物をドーピングしな
い第２のクラッド層を具備する積層構造を該第１のクラ
ッド層を該ＩｎＰ基板に対向させ形成する工程と、第２
の導電型を有するＧａＡｓ基板に第２の導電型及び光学
波長の1/4 の膜厚を有するＡｌx13 Ｇａ1-x3Ａｓ膜とＡ
ｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦１）を交互に積
層し第２の光反射鏡を形成する工程と、前記第２のクラ
ッド層内の閉領域を第２の導電型にする工程と、前記第
２の反射鏡と前記積層構造を密着させ加熱することによ
り接着する工程と、前記接着する工程を経た前記積層構
造から前記ＩｎＰ基板を除去する工程と、前記ＩｎＰ基
板を除去する工程を経た積層構造の前記第１のクラッド
層に位置し、前記第２のクラッド層の第２の導電型にし
た領域に向かい合う閉領域を第１の導電型にする工程
と、前記第１のクラッド層に位置する閉領域を第１の導
電型にした前記積層構造と前記第１の光反射鏡を密着さ
せ、加熱・接着する工程とからなることを特徴とする。
【００１１】＜第３の発明の態様＞本発明の第３の面発
光半導体レーザ製造方法は、上記面発光半導体レーザの
製造方法において、前記第１または第２の反射鏡と該反
射鏡が形成される前記ＧａＡｓ基板の間に、電子素子の
能動層を具備する層構造を形成する工程と、前記第１の
反射鏡と前記活性層を具備する前記積層構造を接着する
工程及び前記第２の反射鏡と前記活性層を具備する前記
積層構造を接着する工程の後に、該層構造の形成された
前記ＧａＡｓ基板を除去する工程と、前記ＧａＡｓ基板
を除去する前記工程の後に該層構造に電子素子を形成す
る工程とからなることを特徴とする。
光半導体レーザ製造方法は、上記面発光半導体レーザの
製造方法において、前記第１または第２の反射鏡と該反
射鏡が形成される前記ＧａＡｓ基板の間に、電子素子の
能動層を具備する層構造を形成する工程と、前記第１の
反射鏡と前記活性層を具備する前記積層構造を接着する
工程及び前記第２の反射鏡と前記活性層を具備する前記
積層構造を接着する工程の後に、該層構造の形成された
前記ＧａＡｓ基板を除去する工程と、前記ＧａＡｓ基板
を除去する前記工程の後に該層構造に電子素子を形成す
る工程とからなることを特徴とする。
【００１２】＜作用＞上述のような課題を解決するため
に本発明において、以下のように前述の問題点を解決し
ている。すなわち、活性層にイオン注入領域及びイオン
の通過領域が全く存在しないため、電流狭窄構造が活性
層へのダメージフリーの状態で形成できる。またイオン
注入の深さが極めて浅い領域となるため加速電圧を小さ
くでき、高温動作時でも安定な重い原子のイオンを注入
出来る。また極微細構造を作製する際、電気抵抗の高い
反射鏡である半導体多層膜中を広範囲な電流パスを持つ
ように作製することが容易で発熱の影響を抑えることが
可能となる。電子回路を集積する際には、イオン注入に
よって絶縁層を形成するだけでなく、ｐ型、ｎ型の様々
なイオン種を注入でき、広範囲な作製工程が可能となっ
た。
に本発明において、以下のように前述の問題点を解決し
ている。すなわち、活性層にイオン注入領域及びイオン
の通過領域が全く存在しないため、電流狭窄構造が活性
層へのダメージフリーの状態で形成できる。またイオン
注入の深さが極めて浅い領域となるため加速電圧を小さ
くでき、高温動作時でも安定な重い原子のイオンを注入
出来る。また極微細構造を作製する際、電気抵抗の高い
反射鏡である半導体多層膜中を広範囲な電流パスを持つ
ように作製することが容易で発熱の影響を抑えることが
可能となる。電子回路を集積する際には、イオン注入に
よって絶縁層を形成するだけでなく、ｐ型、ｎ型の様々
なイオン種を注入でき、広範囲な作製工程が可能となっ
た。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る面発光半導体
レーザの製造方法の実施の形態を説明する。
レーザの製造方法の実施の形態を説明する。
【００１４】（第１の実施の形態例）図１及び図２に本
発明の長波長面発光レーザの実施の形態例の製造方法の
工程手順を示す。これらの、図面に示すように、本実施
の形態例における長波長面発光レーザの製造方法は、以
下の工程により製造される。 第１の基板上に第１反射鏡を作製する工程 第１の導電型を有する第一ＧａＡｓ基板１０上に、第１
の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有するＡｌx1Ｇａ
1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜（０≦ｘ１，ｘ２≦
１）とを交互に積層し第一光反射鏡１１としてのエピタ
キシャル成長を形成する工程（図１（ａ）参照） 第３の基板上に積層構造を作製する工程 ＩｎＰ基板１７上に第１の導電型を有するクラッド層１
４と活性層１５と第２の導電型を有するクラッド層１６
とを具備する積層構造を、該第１の導電型を有するクラ
ッド層１４を該ＩｎＰ基板１７に対向させ形成する工程
（図１（ｂ）参照） 第２の基板上に第２反射鏡を作製する工程 第２の導電型を有するＧａＡｓ基板１９に、第２の導電
型及び光学波長の1/4 の膜厚とを有するＡｌx13 Ｇａ
1-x3Ａｓ膜とＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦
１）を交互に積層し第二光反射鏡１８としてのエピタキ
シャル成長を形成する工程（図１（ｃ）参照） イオン種を注入する工程 前記第１の光反射鏡であるエピタキシャル成長１８にＡ
ｌＧａＡｓを高抵抗化するイオン種としての酸素を閉領
域を残してイオン注入１２する工程 第１の基板の第１反射鏡側に第３基板の積層構造を対
向して密着させる工程 前記第１の反射鏡１１と前記ＩｎＰ基板１７上の積層構
造とを密着させ加熱することにより接着する工程（図２
（ａ）参照） 密着後の第３基板を除去する工程 前記接着する工程を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基
板１７を除去する工程 第１基板の第１反射鏡側に密着した積層構造に第２の
反射鏡を密着する工程 前記ＩｎＰ基板１７が除去された前記積層構造と前記第
２の光反射鏡１８とを密着させ、加熱・接着する工程
（図２（ｂ）参照）
発明の長波長面発光レーザの実施の形態例の製造方法の
工程手順を示す。これらの、図面に示すように、本実施
の形態例における長波長面発光レーザの製造方法は、以
下の工程により製造される。 第１の基板上に第１反射鏡を作製する工程 第１の導電型を有する第一ＧａＡｓ基板１０上に、第１
の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有するＡｌx1Ｇａ
1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜（０≦ｘ１，ｘ２≦
１）とを交互に積層し第一光反射鏡１１としてのエピタ
キシャル成長を形成する工程（図１（ａ）参照） 第３の基板上に積層構造を作製する工程 ＩｎＰ基板１７上に第１の導電型を有するクラッド層１
４と活性層１５と第２の導電型を有するクラッド層１６
とを具備する積層構造を、該第１の導電型を有するクラ
ッド層１４を該ＩｎＰ基板１７に対向させ形成する工程
（図１（ｂ）参照） 第２の基板上に第２反射鏡を作製する工程 第２の導電型を有するＧａＡｓ基板１９に、第２の導電
型及び光学波長の1/4 の膜厚とを有するＡｌx13 Ｇａ
1-x3Ａｓ膜とＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦
１）を交互に積層し第二光反射鏡１８としてのエピタキ
シャル成長を形成する工程（図１（ｃ）参照） イオン種を注入する工程 前記第１の光反射鏡であるエピタキシャル成長１８にＡ
ｌＧａＡｓを高抵抗化するイオン種としての酸素を閉領
域を残してイオン注入１２する工程 第１の基板の第１反射鏡側に第３基板の積層構造を対
向して密着させる工程 前記第１の反射鏡１１と前記ＩｎＰ基板１７上の積層構
造とを密着させ加熱することにより接着する工程（図２
（ａ）参照） 密着後の第３基板を除去する工程 前記接着する工程を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基
板１７を除去する工程 第１基板の第１反射鏡側に密着した積層構造に第２の
反射鏡を密着する工程 前記ＩｎＰ基板１７が除去された前記積層構造と前記第
２の光反射鏡１８とを密着させ、加熱・接着する工程
（図２（ｂ）参照）
【００１５】以下、本実施の形態例の詳細な製造工程を
説明する。
説明する。
【００１６】まず、図１（ａ）に示すように、第一反射
鏡１１として、第一基板であるＧａＡｓ基板１０上に、
ｎ型で３×１０18cm-3ドープしたＧａＡｓ層とＡｌＡｓ
層を交互に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタ
キシャル成長をする。また、図１（ｃ）に示すように、
第二反射鏡１８として、第二基板であるＧａＡｓ基板１
９上、にｐ型ドープしたＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互
に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタキシャル
成長１８をする。
鏡１１として、第一基板であるＧａＡｓ基板１０上に、
ｎ型で３×１０18cm-3ドープしたＧａＡｓ層とＡｌＡｓ
層を交互に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタ
キシャル成長をする。また、図１（ｃ）に示すように、
第二反射鏡１８として、第二基板であるＧａＡｓ基板１
９上、にｐ型ドープしたＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互
に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタキシャル
成長１８をする。
【００１７】次に、第一基板上の成長膜１１の上にレジ
ストで直径１０μｍのパターン形成した後、加速電圧８
０keV 、ドーズ量２×１０14cm-3で酸素のイオン注入１
２を行う。レジスト除去後、水素雰囲気中で４５０℃で
アニールする。
ストで直径１０μｍのパターン形成した後、加速電圧８
０keV 、ドーズ量２×１０14cm-3で酸素のイオン注入１
２を行う。レジスト除去後、水素雰囲気中で４５０℃で
アニールする。
【００１８】次に、図１（ｂ）に示すように、第三基板
であるＩｎＰ基板１７上に、ＩｎＰに格子整合したＩｎ
ＧａＡｓエッチングストップ層１３と、５×１０17cm-3
ｐ型ドープしたＩｎＰ第一クラッド層１４と、ノンドー
プでＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ組成），ＩｎＧａＡｓ
の交互に５．５対からなるＭＱＷ活性層１５と、５×１
０17cm-3でｎドープしたＩｎＰ第二クラッド層１６と
を、エッチングストップ層１３を除いた全層膜厚が光学
波長λの厚さになるように順次エピタキシャル成長す
る。
であるＩｎＰ基板１７上に、ＩｎＰに格子整合したＩｎ
ＧａＡｓエッチングストップ層１３と、５×１０17cm-3
ｐ型ドープしたＩｎＰ第一クラッド層１４と、ノンドー
プでＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ組成），ＩｎＧａＡｓ
の交互に５．５対からなるＭＱＷ活性層１５と、５×１
０17cm-3でｎドープしたＩｎＰ第二クラッド層１６と
を、エッチングストップ層１３を除いた全層膜厚が光学
波長λの厚さになるように順次エピタキシャル成長す
る。
【００１９】第一基板１０と第三基板１７との各々のエ
ピタキシャル成長膜の表面酸化膜をＨＦで取り除いた
後、水素雰囲気中で６００℃でアニールし直接接着をす
る（図２（ａ）参照）。
ピタキシャル成長膜の表面酸化膜をＨＦで取り除いた
後、水素雰囲気中で６００℃でアニールし直接接着をす
る（図２（ａ）参照）。
【００２０】次にＩｎＰ基板１７をＨＣｌとＨ3 ＰＯ4
でエッチングし取り除くと共に、ＩｎＧａＡｓエッチン
グストップ層１３を硫酸，過酸化水素水及び水で取り除
く。
でエッチングし取り除くと共に、ＩｎＧａＡｓエッチン
グストップ層１３を硫酸，過酸化水素水及び水で取り除
く。
【００２１】次に第二基板１９のエピタキシャル成長膜
の表面酸化膜をＨＦで取り除いた後、ｐ型であるＩｎＰ
第一クラッド層１４上に水素雰囲気中で６００℃でアニ
ールし直接接着をする。
の表面酸化膜をＨＦで取り除いた後、ｐ型であるＩｎＰ
第一クラッド層１４上に水素雰囲気中で６００℃でアニ
ールし直接接着をする。
【００２２】その後、アンモニア水と過酸化水溶液の混
合溶液で第二基板であるＧａＡｓ１９を取り除き、ＨＦ
水溶液で反射鏡の一部であるＡｌＡｓ層をエッチングす
る。
合溶液で第二基板であるＧａＡｓ１９を取り除き、ＨＦ
水溶液で反射鏡の一部であるＡｌＡｓ層をエッチングす
る。
【００２３】その後、素子間の電気的な分離のためＲＩ
ＢＥでエッチングを行う。
ＢＥでエッチングを行う。
【００２４】最後に上面にＡｕＺｎＮｉのｐ型電極をパ
ターン形成２１し、基板側に戻り光を少なくするために
ＡＲコート２２を蒸着させた後、パターニングを行いＡ
ｕＧｅＮｉ２２を蒸着する（図２（ｂ）参照）。
ターン形成２１し、基板側に戻り光を少なくするために
ＡＲコート２２を蒸着させた後、パターニングを行いＡ
ｕＧｅＮｉ２２を蒸着する（図２（ｂ）参照）。
【００２５】上記のようにして構成された長波長面発光
レーザにおいて、電流−光出力特性を測定したところ、
閾値電流４mAで発振波長１．５５μｍのレーザ発振が確
認された。また電流狭窄が抵抗の高いＤＢＲ層にないた
め、素子抵抗が閾値電流近傍で２０Ωと小さくなった。
レーザにおいて、電流−光出力特性を測定したところ、
閾値電流４mAで発振波長１．５５μｍのレーザ発振が確
認された。また電流狭窄が抵抗の高いＤＢＲ層にないた
め、素子抵抗が閾値電流近傍で２０Ωと小さくなった。
【００２６】尚、本実施例では反射鏡として半導体多層
膜を用いたが、どちらか一方を誘電体多層膜を使用して
も良い。また電流狭窄層として酸素のイオン注入を用い
たが、他の元素を使用しても同様な効果が得られること
は言うまでもない。
膜を用いたが、どちらか一方を誘電体多層膜を使用して
も良い。また電流狭窄層として酸素のイオン注入を用い
たが、他の元素を使用しても同様な効果が得られること
は言うまでもない。
【００２７】（第２の実施の形態例）図３に本発明の長
波長面発光レーザの実施例の製造方法の工程手順を示
す。第２の実施の形態例にかかる面発光レーザにおいて
も、基本的には、上述した第１の実施の形態例と同様の
工程によるものであるので、図面の一部を省略して説明
する。
波長面発光レーザの実施例の製造方法の工程手順を示
す。第２の実施の形態例にかかる面発光レーザにおいて
も、基本的には、上述した第１の実施の形態例と同様の
工程によるものであるので、図面の一部を省略して説明
する。
【００２８】まず、図３に示すように、第一反射鏡とし
て第一基板であるＧａＡｓ基板３０上にｎ型ＧａＡｓ層
とＡｌＡｓ層を交互に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３
０対エピタキシャル成長３０をする（図３（ａ））。
て第一基板であるＧａＡｓ基板３０上にｎ型ＧａＡｓ層
とＡｌＡｓ層を交互に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３
０対エピタキシャル成長３０をする（図３（ａ））。
【００２９】また、別途第二反射鏡として第二基板であ
るＧａＡｓ基板上にｐ型ＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互
に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタキシャル
成長をする。
るＧａＡｓ基板上にｐ型ＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互
に光学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタキシャル
成長をする。
【００３０】次に第三基板であるＩｎＰ基板３２上に、
ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層３６と、ＩｎＰ第一
クラッド層３５、ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ組成），
ＩｎＧａＡｓの交互に５．５対からなるＭＱＷ活性層３
４、ＩｎＰ第二クラッド層３３をエッチングストップ層
を除いた全層膜厚が光学波長λの厚さになるようにノン
ドープで順次エピタキシャル成長する。
ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層３６と、ＩｎＰ第一
クラッド層３５、ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ組成），
ＩｎＧａＡｓの交互に５．５対からなるＭＱＷ活性層３
４、ＩｎＰ第二クラッド層３３をエッチングストップ層
を除いた全層膜厚が光学波長λの厚さになるようにノン
ドープで順次エピタキシャル成長する。
【００３１】次に、第三基板上の成長膜の上にレジスト
で直径１０μｍのパターン形成した後、加速電圧１００
keV 、ドーズ量２×１０16cm-3でＳｉのイオン注入３７
ａをＩｎＰ第二クラッド層３３中に行う。レジスト除去
後、水素雰囲気中で４５０℃でアニールする。
で直径１０μｍのパターン形成した後、加速電圧１００
keV 、ドーズ量２×１０16cm-3でＳｉのイオン注入３７
ａをＩｎＰ第二クラッド層３３中に行う。レジスト除去
後、水素雰囲気中で４５０℃でアニールする。
【００３２】第一基板３０と第三基板３２の各々のエピ
タキシャル成長膜の表面酸化膜をＨＦで取り除いた後、
水素雰囲気中で６００℃でアニールし直接接着をする。
次にＩｎＰ基板をＨＣｌとＨ3 ＰＯ4 でエッチングし取
り除くと共に、ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層３６
を硫酸，過酸化水素水及び水で取り除く。
タキシャル成長膜の表面酸化膜をＨＦで取り除いた後、
水素雰囲気中で６００℃でアニールし直接接着をする。
次にＩｎＰ基板をＨＣｌとＨ3 ＰＯ4 でエッチングし取
り除くと共に、ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層３６
を硫酸，過酸化水素水及び水で取り除く。
【００３３】次にレジストで直径１０μｍのパターン形
成した後、加速電圧１００keV 、ドーズ量２×１０16cm
-3でＢｅのイオン注入３７ｂをＩｎＰ第一クラッド層３
５中に行う。レジスト除去後、水素雰囲気中で４５０℃
でアニールする。
成した後、加速電圧１００keV 、ドーズ量２×１０16cm
-3でＢｅのイオン注入３７ｂをＩｎＰ第一クラッド層３
５中に行う。レジスト除去後、水素雰囲気中で４５０℃
でアニールする。
【００３４】次に第二基板のエピタキシャル成長膜の表
面酸化膜をＨＦで取り除いた後、ＩｎＰ第一クラッド層
上に水素雰囲気中で６００℃でアニールし直接接着を
し、アンモニア水と過酸化水溶液の混合溶液で第二基板
であるＧａＡｓを取り除き、ＨＦ水溶液で反射鏡の一部
であるＡｌＡｓ層をエッチングする。
面酸化膜をＨＦで取り除いた後、ＩｎＰ第一クラッド層
上に水素雰囲気中で６００℃でアニールし直接接着を
し、アンモニア水と過酸化水溶液の混合溶液で第二基板
であるＧａＡｓを取り除き、ＨＦ水溶液で反射鏡の一部
であるＡｌＡｓ層をエッチングする。
【００３５】最後に、図３（ｂ）に示すように、上面に
ＡｕＺｎＮｉのｐ型電極をパターン３９ｂを形成し、基
板側に戻り光を少なくするためにＡＲコート３９を蒸着
させた後、パターニングを行い、ＡｕＧｅＮｉ３９ａを
蒸着する。最後に、素子間分離のためＲＩＢＥでＤＢＲ
層をエッチングする。
ＡｕＺｎＮｉのｐ型電極をパターン３９ｂを形成し、基
板側に戻り光を少なくするためにＡＲコート３９を蒸着
させた後、パターニングを行い、ＡｕＧｅＮｉ３９ａを
蒸着する。最後に、素子間分離のためＲＩＢＥでＤＢＲ
層をエッチングする。
【００３６】上記のようにして構成された長波長面発光
レーザにおいて電流−光出力特性を測定したところ、閾
値電流６mAでレーザ発振が確認された。
レーザにおいて電流−光出力特性を測定したところ、閾
値電流６mAでレーザ発振が確認された。
【００３７】尚、本実施例では反射鏡として半導体多層
膜を用いたが、どちらか一方を誘電体多層膜を使用して
も良い。また本実施例ではクラッド層にイオン注入をし
たが、半導体多層膜である反射鏡の一部をノンドープに
してその領域にイオン注入をしても同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。
膜を用いたが、どちらか一方を誘電体多層膜を使用して
も良い。また本実施例ではクラッド層にイオン注入をし
たが、半導体多層膜である反射鏡の一部をノンドープに
してその領域にイオン注入をしても同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。
【００３８】（第３の実施の形態例）図４に本発明の長
波長面発光レーザの実施例の製造方法の工程手順を示
す。
波長面発光レーザの実施例の製造方法の工程手順を示
す。
【００３９】第３の実施の形態例にかかる面発光レーザ
においても、基本的には、上述した第１の実施の形態例
と同様の工程によるものであるので、図面の一部を省略
して説明する。図４に示すように、第１の実施の形態例
と同様に操作して、第一反射鏡として第一基板であるＧ
ａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互に光
学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタキシャル成長
５０し、また第二反射鏡として第二基板であるＧａＡｓ
基板上にＩｎＧａＰエッチストップ層、Ｓｉドープした
ｎ+ ＧａＡｓコンタクト層４５と、ｎ- ＧａＡｓチャネ
ル層（能動層として働く）４６と、ノンドープ層のＧａ
Ａｓ層４７と、ＩｎＧａＰエッチストップ層、ｐ型ドー
プしたＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互に光学波長の1/4
の膜厚で交互に３０対順次エピタキシャル成長５１をす
る。
においても、基本的には、上述した第１の実施の形態例
と同様の工程によるものであるので、図面の一部を省略
して説明する。図４に示すように、第１の実施の形態例
と同様に操作して、第一反射鏡として第一基板であるＧ
ａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互に光
学波長の1/4 の膜厚で交互に３０対エピタキシャル成長
５０し、また第二反射鏡として第二基板であるＧａＡｓ
基板上にＩｎＧａＰエッチストップ層、Ｓｉドープした
ｎ+ ＧａＡｓコンタクト層４５と、ｎ- ＧａＡｓチャネ
ル層（能動層として働く）４６と、ノンドープ層のＧａ
Ａｓ層４７と、ＩｎＧａＰエッチストップ層、ｐ型ドー
プしたＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層を交互に光学波長の1/4
の膜厚で交互に３０対順次エピタキシャル成長５１をす
る。
【００４０】次に第一基板上の成長膜の上にレジストで
直径１０μｍのパターン形成した後、加速電圧８０keV
、ドーズ量２×１０14cm-3で酸素のイオン注入を行う
（図４（ａ）５２）。レジスト除去後、水素雰囲気中で
４５０℃でアニールする。
直径１０μｍのパターン形成した後、加速電圧８０keV
、ドーズ量２×１０14cm-3で酸素のイオン注入を行う
（図４（ａ）５２）。レジスト除去後、水素雰囲気中で
４５０℃でアニールする。
【００４１】次に第三基板であるＩｎＰ基板上に、Ｉｎ
Ｐに格子整合したＩｎＧａＡｓエッチングストップング
層、５×１０17cm-3ｐ型ドープしたＩｎＰ第一クラッド
層５４と、ノンドープでＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ組
成）、ＩｎＧａＡｓの交互に５．５対からなるＭＱＷ活
性層５３と、５×１０17cm-3でｎドープしたＩｎＰ第二
クラッド層５５とをエッチングストップ層を除いた全層
膜厚が光学波長λの厚さになるように順次エピタキシャ
ル成長する。
Ｐに格子整合したＩｎＧａＡｓエッチングストップング
層、５×１０17cm-3ｐ型ドープしたＩｎＰ第一クラッド
層５４と、ノンドープでＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ組
成）、ＩｎＧａＡｓの交互に５．５対からなるＭＱＷ活
性層５３と、５×１０17cm-3でｎドープしたＩｎＰ第二
クラッド層５５とをエッチングストップ層を除いた全層
膜厚が光学波長λの厚さになるように順次エピタキシャ
ル成長する。
【００４２】第一基板と第三基板のエピタキシャル成長
膜の表面酸化膜をＨＦで取り除いた後、水素雰囲気中で
６００℃でアニールし直接接着をする。次にＩｎＰ基板
をＨＣｌとＨ3 ＰＯ4 でエッチングし取り除く。
膜の表面酸化膜をＨＦで取り除いた後、水素雰囲気中で
６００℃でアニールし直接接着をする。次にＩｎＰ基板
をＨＣｌとＨ3 ＰＯ4 でエッチングし取り除く。
【００４３】次に第二基板のエピタキシャル成長膜の表
面酸化膜をＨＦで取り除いた後、ｐ型であるＩｎＰ第一
クラッド層上に水素雰囲気中で６００℃でアニールし直
接接着をする。
面酸化膜をＨＦで取り除いた後、ｐ型であるＩｎＰ第一
クラッド層上に水素雰囲気中で６００℃でアニールし直
接接着をする。
【００４４】その後、アンモニア水と過酸化水溶液の混
合溶液で第二基板であるＧａＡｓを取り除き、塩酸でＩ
ｎＧａＡｓＰエッチングストップ層を、ＨＦ水溶液で反
射鏡の一部であるＡｌＡｓ層をエッチングする。
合溶液で第二基板であるＧａＡｓを取り除き、塩酸でＩ
ｎＧａＡｓＰエッチングストップ層を、ＨＦ水溶液で反
射鏡の一部であるＡｌＡｓ層をエッチングする。
【００４５】その後、面発光レーザの形成部分のｎ+ Ｇ
ａＡｓコンタクト層４５と、ｎ- ＧａＡｓチャネル層４
６と、ノンドープ層のＧａＡｓ４７と、ＩｎＧａＰエッ
チストップ層をエッチングする。
ａＡｓコンタクト層４５と、ｎ- ＧａＡｓチャネル層４
６と、ノンドープ層のＧａＡｓ４７と、ＩｎＧａＰエッ
チストップ層をエッチングする。
【００４６】面発光レーザ部分には、ＡｕＺｎＮｉのｐ
型電極をパターン形成し、基板側に戻り光を少なくする
ためにＡＲコート４９を蒸着させた後、パターニングを
行い第一基板の裏面にＡｕＧｅＮｉ層４８を蒸着する。
型電極をパターン形成し、基板側に戻り光を少なくする
ためにＡＲコート４９を蒸着させた後、パターニングを
行い第一基板の裏面にＡｕＧｅＮｉ層４８を蒸着する。
【００４７】またＭＥＳＦＥＴを形成するためゲート部
分のｎ+ ＧａＡｓコンタクト層４５をエッチングし、ゲ
ート長、ゲート幅がそれぞれ３μｍ、２０μｍでＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ層４３を形成する。
分のｎ+ ＧａＡｓコンタクト層４５をエッチングし、ゲ
ート長、ゲート幅がそれぞれ３μｍ、２０μｍでＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ層４３を形成する。
【００４８】その後ソース、ドレインの電極をｎ+ コン
タクト層上に形成し、ソース電極と面発光レーザ部分の
ｐ電極をＣｒ／Ａｕ４１で接続する。
タクト層上に形成し、ソース電極と面発光レーザ部分の
ｐ電極をＣｒ／Ａｕ４１で接続する。
【００４９】上記のようにして構成されたＭＥＳＦＥＴ
と長波長面発光レーザを集積した例を図４に示す。
と長波長面発光レーザを集積した例を図４に示す。
【００５０】ドレイン電圧を８Ｖにした時のゲート電圧
−光出力特性を測定したところ、図５の様になり、ＭＥ
ＳＦＥＴによる面発光レーザの変調動作が確認された。
−光出力特性を測定したところ、図５の様になり、ＭＥ
ＳＦＥＴによる面発光レーザの変調動作が確認された。
【００５１】尚、本実施例では面発光レーザとＦＥＴを
集積したが、その他の電子デバイス、例えばＨＢＴ（ヘ
テロバイポーラトランジスタ）等と組み合わせても良
い。また面発光レーザの構造を実施例２としても同様の
効果が得られることは言うまでもない。
集積したが、その他の電子デバイス、例えばＨＢＴ（ヘ
テロバイポーラトランジスタ）等と組み合わせても良
い。また面発光レーザの構造を実施例２としても同様の
効果が得られることは言うまでもない。
【００５２】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて説明したよう
に、本発明の長波長帯面発光レーザによれば、電流狭窄
構造が活性層へのダメージフリーの状態で形成でき、イ
オン注入の深さが極めて浅い領域となるため加速電圧を
小さくでき、高温動作時でも安定な重い原子のイオンを
注入することが可能となる。
に、本発明の長波長帯面発光レーザによれば、電流狭窄
構造が活性層へのダメージフリーの状態で形成でき、イ
オン注入の深さが極めて浅い領域となるため加速電圧を
小さくでき、高温動作時でも安定な重い原子のイオンを
注入することが可能となる。
【００５３】また電子回路を集積する際には、イオン注
入によって絶縁層を形成するだけでなく、ｐ型、ｎ型の
様々なイオン種を注入でき、広範囲な作製工程が可能と
なり、異種基板同士の貼り合わせ技術と共にＯＥＩＣの
分野で広く応用することが出来る。
入によって絶縁層を形成するだけでなく、ｐ型、ｎ型の
様々なイオン種を注入でき、広範囲な作製工程が可能と
なり、異種基板同士の貼り合わせ技術と共にＯＥＩＣの
分野で広く応用することが出来る。
【図１】本発明の面発光レーザを構成する部分の３種類
の基板のエピ構成を示す。
の基板のエピ構成を示す。
【図２】実施例１に示した工程の一部分（ａ）と、本発
明による面発光レーザの構造図を示す（ｂ）。
明による面発光レーザの構造図を示す（ｂ）。
【図３】実施例２に示した本発明による面発光レーザの
作製工程（ａ）と、面発光レーザの断面構造図（ｂ）を
示す。
作製工程（ａ）と、面発光レーザの断面構造図（ｂ）を
示す。
【図４】実施例３に示した本発明に示したＦＥＴと面発
光レーザの集積した断面構造図を示す。
光レーザの集積した断面構造図を示す。
【図５】ゲート電圧−光出力特性図である。
１０ 第一ＧａＡｓ基板 １１ 第一光反射鏡 １２ 酸素イオン注入領域 １３ ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層 １４ ｐ型ＩｎＰクラッド層 １５ ＭＱＷ活性層 １６ ｎ型ＩｎＰクラッド層 １７ ＩｎＰ基板 １８ 第二光反射鏡 １９ ＧａＡｓ基板 ２１ ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ電極 ２２ ＡＲコート膜 ２３ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極 ３１ 第一反射鏡 ３２ ＩｎＰ基板 ３３ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ３４ ＭＱＷ活性層 ３５ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ３６ ＩｎＧａＡｓエッチングストップ層 ３７ａ Ｓｉイオン注入領域 ３７ｂ Ｂｅイオン注入領域 ３８ 第二反射鏡 ３９ ＡＲコート膜 ３９ａ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極 ３９ｂ ＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ電極 ４１ ＡｕＺｎＮｉ配線電極 ４２ ドレイン電極 ４３ Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕゲート電極 ４４ ソース電極 ４５ ｎ+ ＧａＡｓ層 ４６ ｎ- ＧａＡｓチャネル層 ４７ ｉ−ＧａＡｓ層 ４８ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極 ４９ ＡＲコート膜 ５０ 反射鏡部 ５１ 反射鏡部 ５２ イオン注入部 ５３ ＭＱＷ活性層 ５４ ＩｎＰクラッド層 ５５ ＩｎＰクラッド層
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の導電型を有するＧａＡｓ基板上
に、第１の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有するＡ
ｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜（０≦ｘ
１，ｘ２≦１）とを交互に積層し第１の光反射鏡を形成
する工程と、 ＩｎＰ基板上に第１の導電型を有するクラッド層と活性
層と第２の導電型を有するクラッド層とを具備する積層
構造を、該第１の導電型を有するクラッド層を該ＩｎＰ
基板に対向して形成する工程と、 第２の導電型を有するＧａＡｓ基板に、第２の導電型及
び光学波長の1/4 の膜厚とを有するＡｌx13 Ｇａ1-x3Ａ
ｓ膜とＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦１）を
交互に積層し第２の光反射鏡を形成する工程と、 前記第１乃至は前記第２の光反射鏡にＡｌＧａＡｓを高
抵抗化するイオン種を閉領域を残して注入する工程と、 前記第１の反射鏡と前記ＩｎＰ基板上の積層構造とを密
着させ加熱することにより接着する工程と、 前記接着する工程を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基
板を除去する工程と、 前記ＩｎＰ基板が除去された前記積層構造と前記第２の
光反射鏡とを密着させ、加熱・接着する工程とからなる
ことを特徴とする面発光半導体レーザ製造方法。 - 【請求項２】 第１の導電型を有するＧａＡｓ基板に第
１の導電型及び光学波長の1/4 の膜厚を有するＡｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓ膜とＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ膜（０≦ｘ１，ｘ２
≦１）を交互に積層し第１の光反射鏡を形成する工程
と、 ＩｎＰ基板上に不純物をドーピングしない第１のクラッ
ド層と活性層と不純物をドーピングしない第２のクラッ
ド層を具備する積層構造を該第１のクラッド層を該Ｉｎ
Ｐ基板に対向させ形成する工程と、 第２の導電型を有するＧａＡｓ基板に第２の導電型及び
光学波長の1/4 の膜厚を有するＡｌx13 Ｇａ1-x3Ａｓ膜
とＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ膜（０≦ｘ３，ｘ４≦１）を交互
に積層し第２の光反射鏡を形成する工程と、 前記第２のクラッド層内の閉領域を第２の導電型にする
工程と、 前記第２の反射鏡と前記積層構造を密着させ加熱するこ
とにより接着する工程と、 前記接着する工程を経た前記積層構造から前記ＩｎＰ基
板を除去する工程と、 前記ＩｎＰ基板を除去する工程を経た積層構造の前記第
１のクラッド層に位置し、前記第２のクラッド層の第２
の導電型にした領域に向かい合う閉領域を第１の導電型
にする工程と、 前記第１のクラッド層に位置する閉領域を第１の導電型
にした前記積層構造と前記第１の光反射鏡を密着させ、
加熱・接着する工程とからなることを特徴とする面発光
半導体レーザ製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２の面発光半導体レ
ーザの製造方法において、 前記第１または第２の反射鏡と該反射鏡が形成される前
記ＧａＡｓ基板の間に、電子素子の能動層を具備する層
構造を形成する工程と、 前記第１の反射鏡と前記活性層を具備する前記積層構造
を接着する工程及び前記第２の反射鏡と前記活性層を具
備する前記積層構造を接着する工程の後に、該層構造の
形成された前記ＧａＡｓ基板を除去する工程と、 前記ＧａＡｓ基板を除去する前記工程の後に該層構造に
電子素子を形成する工程とからなることを特徴とする面
発光半導体レーザ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26958595A JP3147328B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 面発光半導体レーザ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26958595A JP3147328B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 面発光半導体レーザ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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1995
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