WO2023145148A1

WO2023145148A1 - 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

Info

Publication number: WO2023145148A1
Application number: PCT/JP2022/038225
Authority: WO
Inventors: 博中島; 進佐藤; 弥樹博横関
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2022-01-28
Filing date: 2022-10-13
Publication date: 2023-08-03

Abstract

本技術は、反射鏡が有する多層膜反射鏡の材料系による欠点を反射鏡全体として補うことができる面発光レーザを提供する。　本技術に係る面発光レーザは、第１反射鏡（Ｒ１）を含む第１構造（ＳＴ１）と、第２反射鏡（Ｒ２）を含む第２構造（ＳＴ２）と、前記第１及び第２構造（ＳＴ１、ＳＴ２）の間に配置された活性層（２０４）と、を備え、前記第１反射鏡（Ｒ１）は、積層された第１及び第２多層膜反射鏡（１０２、２０２）を有し、前記第１多層膜反射鏡（１０２）は、第１材料系からなり、前記第２多層膜反射鏡（２０２）は、前記第１材料系とは異なる第２材料系からなる。本技術によれば、反射鏡が有する多層膜反射鏡の材料系による欠点を反射鏡全体として補うことができる面発光レーザを提供できる。

Description

面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法に関する。

　従来、活性層を含む中間構造と、該中間構造の材料系とは異種の材料系の多層膜反射鏡（例えば下部反射鏡）とが接合された面発光レーザが知られている（例えば特許文献１、非特許文献１参照）。

特開平１１－１８６６５３号公報 8 mW fundamental mode output of waferfused VCSELs emitting in the 1550-nm band

　従来の面発光レーザでは、多層膜反射鏡の材料系による利点及び欠点を有していた。

　そこで、本技術は、反射鏡が有する多層膜反射鏡の材料系による欠点を反射鏡全体として補うことができる面発光レーザを提供することを主目的とする。

　本技術は、第１反射鏡を含む第１構造と、
　第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第１反射鏡は、積層された第１及び第２多層膜反射鏡を有し、
　前記第１多層膜反射鏡は、第１材料系からなり、
　前記第２多層膜反射鏡は、前記第１材料系とは異なる第２材料系からなる、面発光レーザを提供する。
　前記第１及び第２多層膜反射鏡は、いずれも半導体多層膜反射鏡であってもよい。
　前記第１材料系は、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体であり、前記第２材料系は、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体であってもよい。
　前記第１材料系は、格子定数がＧａＡｓの格子定数の±０．２％の範囲内にあり、前記第２材料系は、格子定数がＩｎＰの格子定数の±０．２％の範囲内にあってもよい。
　前記第１多層膜反射鏡と前記活性層との間に前記第２多層膜反射鏡が配置されていてもよい。
　前記活性層は、ＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＡｓＰ系化合物半導体からなってもよい。
　前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有していてもよい。
　前記活性層の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
　前記第１構造は、前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された中間層を更に含み、前記中間層は、前記第１多層膜反射鏡側に配置された、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体からなる第１層と、前記第２多層膜反射鏡側に配置された、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体からなる第２層と、を有していてもよい。
　前記第１及び第２層は、互いに接合されていてもよい。
　前記第１構造は、前記第１反射鏡の前記活性層側とは反対側に配置された基板を更に含んでいてもよい。
　前記第１材料系は、ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_１－ＸＡｓ（０＜Ｘ≦１）であってもよい。
　前記第２材料系は、ＡｌＧａＩｎＡｓを含んでいてもよい。
　前記第２材料系は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓであってもよい。
　前記中間層の厚さは、３００ｎｍ以下であってもよい。
　前記第２多層膜反射鏡のペア数は、１以上２０以下であってもよい。
　前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
　前記第２反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなってもよい。
　本技術は、第１基板上に第１反射鏡の一部である第１多層膜反射鏡を含む第１半導体構造を積層する工程と、
　前記第１半導体構造と第２基板とを接合する工程と、
　前記第２基板上に前記第１反射鏡の他部である第２多層膜反射鏡及び活性層を前記第２基板側からこの順に含む第２半導体構造を形成する工程と、
　前記第２基板を薄膜化する工程と、
　前記第２半導体構造上に第２反射鏡を形成する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
　前記薄膜化する工程は、前記接合する工程と前記第２半導体構造を形成する工程との間に行われてもよい。
　本技術は、第１反射鏡を含む第１構造と、
　第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第２構造は、
　前記活性層と前記第２反射鏡との間に設けられた、メサ状の複数のトンネルジャンクション層と、
　前記複数のトンネルジャンクション層を覆う半導体層と、
　を含み、
　前記複数のトンネルジャンクション層は、光学的に分離されるように面内方向に離間して配置されている、面発光レーザも提供する。
　前記活性層は、前記複数のトンネルジャンクション層に個別に対応する複数の発光領域を有していてもよい。
　前記複数のトンネルジャンクション層のうち隣り合う２つのトンネルジャンクション層の間隔は、前記複数のトンネルジャンクション層の各々の径よりも大きくてもよい。
　前記間隔は、前記径の３倍以上であってもよい。
　前記複数のトンネルジャンクション層の配列ピッチは、４０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
　前記第２構造ＳＴ２には、前記半導体層の、前記活性層側とは反対側に電極が設けられていてもよい。
　前記電極は、前記複数のトンネルジャンクション層のいずれとも重なっていなくてもよい。
　前記電極は、前記複数のトンネルジャンクション層の少なくとも１つと重なっていてもよい。
　前記電極は、平面視において、前記複数のトンネルジャンクション層の各々の周辺に存在する部分を有する電極部を含んでいてもよい。
　前記部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層と該トンネルジャンクション層に隣接する前記トンネルジャンクション層との間に少なくとも一部が存在していてもよい。
　前記部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層を囲んでいてもよい。
　前記電極は、平面視において、前記複数のトンネルジャンクション層のうち少なくとも２つのトンネルジャンクション層を一緒に囲む電極部を含んでいてもよい。
　前記電極は、少なくとも一部が、前記半導体層と前記第２反射鏡との間に配置されていてもよい。
　前記第２反射鏡は、前記電極及び前記半導体層を覆っていてもよい。
　前記電極は、前記第２反射鏡の前記活性層側とは反対側に配置されていてもよい。
　前記第２反射鏡の一部が、前記電極を兼ねていてもよい。
　前記半導体層は、ＩｎＰからなっていてもよい。
　前記半導体層の厚さは、２００ｎｍ以上であってもよい。
　前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含んでいてもよい。
　前記誘電体多層膜反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなっていてもよい。
　前記第１反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含んでいてもよい。
　前記誘電体多層膜反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなっていてもよい。
　前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有していてもよい。
　前記活性層の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
　第１反射鏡の一部が、別の電極を兼ねてもよい。

比較例の面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例１に係る面発光レーザの断面図である。ＩｎＰ層の設計膜厚からのずれと発振波長の関係を示すグラフである。ＧａＡｓ層の設計膜厚からのずれと発振波長の関係を示すグラフである。ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲの総膜厚とウェハの反りの関係を示すグラフである。ウェハの面内方向の位置と反りの関係を示すグラフである。ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲ及びＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲの反射率とペア数の関係を示すグラフである。図２の面発光レーザの製造方法の第１例を説明するためのフローチャートである。図９Ａ及び図９Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図１０Ａ及び図１０Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図１１Ａ及び図１１Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図１４Ａ及び図１４Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図１５Ａ及び図１５Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第１例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第２例を説明するためのフローチャートである。図１７Ａ及び図１７Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図１８Ａ及び図１８Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図１９Ａ及び図１９Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２１Ａ及び図２１Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２２Ａ及び図２２Ｂは、図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。図２の面発光レーザの製造方法の第２例の工程毎の断面図である。本技術の第１実施形態に実施例２に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例３に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例４に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例１の変形例１に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例１の変形例２に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例２の変形例に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例３の変形例に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態に実施例４の変形例に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザの断面図である。ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲ及びＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲを含むハイブリッドＤＢＲにおいて、反射率９９．９％以上を得るために必要な各ＤＢＲのペア数を示す図である。本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザの断面図である。本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザの平面図である。図３７の面発光レーザのトンネルジャンクション層の径とギャップとの関係を説明するための図である。図３７のトンネルジャンクション層の配列ピッチと最高温度との関係を示すグラフである。図４１Ａは、トンネルジャンクション層の配列ピッチと最高温度の具体例１を示す図である。図４１Ｂは、トンネルジャンクション層の配列ピッチと最高温度の具体例２を示す図である。図４２Ａは、図３７の面発光レーザの排熱経路を示す図である。図４２Ｂは、従来の面発光レーザの排熱経路を示す図である。図３７の面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図４４Ａ及び図４４Ｂは、図３７の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図４５Ａ及び図４５Ｂは、図３７の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図４６Ａ及び図４６Ｂは、図３７の面発光レーザの製造方法の一例の工程毎の断面図である。図４７Ａ及び図４７Ｂは、図３７の面発光レーザの製造方法の第一例の工程毎の断面図である。図４８Ａは、本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザの平面図である。図４８Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザの断面図である。図４９Ａは、本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザの断面図である。図４９Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザの平面図である。図５０Ａは、本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザの断面図である。図５０Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザの平面図である。図５１Ａは、本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザの平面図である。図５１Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザの断面図である。図５２Ａは、本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザの平面図である。図５２Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザの断面図である。図５３Ａは、本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザの断面図である。図５３Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザの平面図である。図５４Ａは、本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザの平面図である。図５４Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザの断面図である。図５５Ａは、本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザの平面図である。図５５Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザの断面図である。図５６Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザの平面図である。図５６Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザの断面図である。図５７Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザの平面図である。図５７Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザの断面図である。図５８Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザの断面図である。図５８Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザの平面図である。図５９Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザの断面図である。図５９Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザの平面図である。図６０Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザの断面図である。図６０Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザの平面図である。図６１Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザの断面図である。図６１Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザの平面図である。図６２Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザの断面図である。図６２Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザの平面図である。図６３Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザの断面図である。図６３Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザの平面図である。図６４Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザの断面図である。図６４Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザの平面図である。本技術に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の第１実施形態の実施例１に係る面発光レーザ
２．本技術の第１実施形態の実施例２に係る面発光レーザ
３．本技術の第１実施形態の実施例３に係る面発光レーザ
４．本技術の第１実施形態の実施例４に係る面発光レーザ
５．本技術の第１実施形態の実施例１の変形例１に係る面発光レーザ
６．本技術の第１実施形態の実施例１の変形例２に係る面発光レーザ
７．本技術の第１実施形態の実施例２の変形例に係る面発光レーザ
８．本技術の第１実施形態の実施例３の変形例に係る面発光レーザ
９．本技術の第１実施形態の実施例４の変形例に係る面発光レーザ
１０．本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザ
１１．本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザ
１２．本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザ
１３．本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザ
１４．本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザ
１５．本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザ
１６．本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザ
１７．本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザ
１８．本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザ
１９．本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザ
２０．本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ
２１．本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ
２２．本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ
２３．本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ
２４．本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ
２５．本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ
２６．本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ
２７．本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ
２８．本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ
２９．本技術のその他の変形例
３０．電子機器への応用例
３１．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
３２．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜０．導入＞
　ところで、例えば顔認証等の３次元レーザセンシングにおいて、認証精度を上げるには、レーザ光源の光出力を高くすることが有効であるが、レーザ光は眼に対する損傷の可能性があるため、光出力を規定値以上には上げられないという制約がある。この規定値は損傷閾値と呼ばれ、レーザ光の波長が長くなるほど高くなる。損傷閾値は、１．４ｕｍ以上から大幅に上がることから、１．４μｍ以上の波長帯はアイセーフ帯と呼ばれる。したがって、次世代のセンシングの光源として、１．４μｍ以上の波長帯のレーザ光源が望まれている。

　レーザ光源の一種である半導体レーザには、大きく分けて、端面発光レーザ（ＬＤ）と、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）がある。ＶＣＳＥＬはＬＤと比べて安価で、アレイ化による高出力化が容易であることから、センシング等への応用により適している。

　１．４μｍ以上の波長で発振するＶＣＳＥＬの基板にはＩｎＰ基板が適している。しかし、ＩｎＰ基板では、例えばＧａＡｓ系ＶＣＳＥＬで用いられる、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなる分布ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＤＢＲ）のようなストップバンド幅が広く、且つ、熱伝導率が高く放熱性の良いＤＢＲを実現する材料が無いという問題がある。ＩｎＰ基板に格子整合する半導体ＤＢＲとしては、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰやＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓからなるＤＢＲが挙げられるが、どちらも屈折率差が小さくストップバンド幅が狭く、且つ、熱伝導率が低く放熱性が悪いという問題がある。

　この問題を解決する技術として、特許文献１及び非特許文献１に開示された技術が挙げられる。図１は、この技術を用いた比較例の面発光レーザ１０Ｃの断面図である。面発光レーザ１０Ｃでは、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ２（下部ＤＢＲ）が成膜されたＧａＡｓ基板１と、発光層４、トンネルジャンクション層６等が結晶成長されたＩｎＰ基板３とが張り合わせられている。これにより、ＩｎＰ基板３と格子整合する半導体ＤＢＲを下部ＤＢＲに用いる場合に比べて、下部ＤＢＲのストップバンド幅が広く、かつ、熱伝導率が高い面発光レーザを実現できる。しかし、面発光レーザ１０Ｃでは、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓからなるＤＢＲ２が持つ歪みによりＧａＡｓ基板１に反りが生じるために、張り合わせが難しく歩留まりが悪化するという問題がある。さらに、近年ではコスト低下を意図して基板の大口径化が進んだことにより、この問題は以前よりも顕著になってきている。なお、図１において、符号７は上部ＤＢＲ、符号８は絶縁膜、符号９はコンタクト層、符号１１はアノード配線、符号１２はカソード電極を示す。

　また、比較例の面発光レーザ１０Ｃでは、もう一つの問題がある。この技術では結晶成長した基板同士を貼り合わせる必要があるが、一般的に、結晶成長した基板の表面は結晶成炉内で発生するダスト等に起因してμｍオーダーの突起が多数発生する。これらの突起は張り合わせに悪い影響を及ぼすため、表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）などにより平坦化する必要がある。しかし、ＶＣＳＥＬでは共振器長が数波長以下と短いため、共振器長が発振波長に大きく影響する。すなわち、研磨工程によりウェハ面内で最表面層の膜厚むらが生じると発振波長がウェハ面内で均一でなくなるという問題もある。

　そこで、発明者らは、以上の問題のうち特に放熱性及び歩留まりにフォーカスして、少なくとも放熱性の低下及び歩留まりの低下を抑制することができる面発光レーザとして、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザを開発した。

　以下、本技術の第１実施形態に係る面発光レーザについて幾つかの実施例を挙げて詳細に説明する。

＜１．本技術の第１実施形態の実施例１に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第１実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０について説明する。
≪面発光レーザの構成≫
　図２は、本技術の第１実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０の断面図である。以下では、便宜上、図２等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。

（全体構成）
　面発光レーザ１０は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。面発光レーザ１０は、一例として、発振波長λが、例えば９００ｎｍ以上、さらには１．４μｍ以上の長波長帯のＶＣＳＥＬである。発振波長λは、特に１．２μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。面発光レーザ１０は、一例として、レーザドライバにより駆動される。

　面発光レーザ１０は、図２に示すように、一例として、第１反射鏡Ｒ１を含む第１構造ＳＴ１と、第２反射鏡Ｒ２を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された活性層２０４とを備える。一例として、第２反射鏡Ｒ２が出射側の反射鏡である。第１反射鏡Ｒ１は、下部反射鏡とも呼ばれる。第２反射鏡Ｒ２は、上部反射鏡とも呼ばれる。

　第１構造ＳＴ１は、さらに、一例として、第１反射鏡Ｒ１の活性層２０４側とは反対側に配置された基板１０１と、第１反射鏡Ｒ１と活性層２０４との間に配置された第１クラッド層２０３とを含む。基板１０１と第１反射鏡Ｒ１との間にはバッファー層が配置されることが好ましい。

　第１反射鏡Ｒ１は、一例として、積層された第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を有する。一例として、第１多層膜反射鏡１０２と活性層２０４との間に第２多層膜反射鏡２０２が配置されている。

　第１構造ＳＴ１は、さらに、一例として、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２の間に配置された中間層ＭＬを含む。

　第２構造ＳＴ２は、さらに、一例として、第２反射鏡Ｒ２と活性層２０４との間に配置された埋め込みトンネルジャンクションＢＴＪ（Ｂｕｒｉｅｄ　ｔｕｎｎｅｌ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を含む。以下、埋め込みトンネルジャンクションＢＴＪを適宜「ＢＴＪ」と略記する。

　第２構造ＳＴ２は、さらに、一例として、ＢＴＪと活性層２０４との間に配置された第２クラッド層２０５を含む。

　一例として、第１クラッド層２０３の一部（上部）と活性層２０４と第２クラッド層２０５とＢＴＪとを含んで、メサＭが構成されている。

　メサＭの頂部上（詳しくはＢＴＪ上）には、一例として、コンタクト層２０８が設けられている。メサＭの周辺の第１クラッド層２０３の上面及びメサＭの側面に沿って絶縁膜３０３が設けられている。絶縁膜３０３上には、コンタクト層２０８に一部が接するアノード配線３０５が設けられている。

　メサＭの周辺の第１クラッド層２０３上の絶縁膜３０３の一部が除去されており、その除去された箇所に第１クラッド層２０３に接するようにカソード電極３０６が設けられている。すなわち、面発光レーザ１０は、アノード配線３０５とカソード電極３０６とが同一面側に配置されたイントラキャビティ構造を有する。

（基板）
　基板１０１は、一例として、ＧａＡｓ基板である。該ＧａＡｓ基板は、アンドープが望ましいが、ドーピング濃度が５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］程度のｎ型としてもよい。この場合のドーパントは、例えばＳｉとすることができる。
（バッファー層）
　バッファー層は、一例として、ＧａＡｓ層である。該ＧａＡｓ層は、アンドープが望ましいが、ドーピング濃度が５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］程度のｎ型としてもよい。この場合のドーパントは、例えばＳｉとすることができる。

（第１及び第２多層膜反射鏡）
　第１多層膜反射鏡１０２は、第１材料系からなり、第２多層膜反射鏡２０２は、第１材料系とは異なる第２材料系からなる。すなわち、第１反射鏡Ｒ１は、異なる材料系の多層膜反射鏡が組み合わされたハイブリッド構造を有する。

　第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２は、一例として、いずれも半導体多層膜反射鏡（半導体ＤＢＲ）である。半導体多層膜反射鏡は、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（半導体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。ここでは、第１多層膜反射鏡１０２のペア数は、例えば２５ペアである。第２多層膜反射鏡２０２のペア数は、１以上２０以下であることが好ましい。ここでは、第２多層膜反射鏡２０２のペア数は、例えば１０ペアである。各多層膜反射鏡は、アンドープが望ましいが、ドーピング濃度が５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］程度のｎ型としてもよい。この場合のドーパントは、例えばＳｉとすることができる。

　第１多層膜反射鏡１０２を構成する第１材料系は、一例として、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体である。第１材料系は、一例として、格子定数がＧａＡｓの格子定数の±０．２％の範囲内にあることが好ましい。具体的には、第１材料系は、一例として、ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_１－ＸＡｓ（０＜Ｘ≦１）であることが好ましい。なお、第１材料系は、例えばＧａＩｎＰ／ＧａＡｓであってもよい。

　第２多層膜反射鏡２０２を構成する第２材料系は、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体である。第２材料系は、格子定数がＩｎＰの格子定数の±０．２％の範囲内にあることが好ましい。具体的には、第２材料系は、ＡｌＧａＩｎＡｓを含むことが好ましい。より具体的には、第２材料系は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓであることが好ましい。

（中間層）
　中間層ＭＬは、第１多層膜反射鏡１０２側に配置された、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体からなる第１層１０３（例えばＧａＡｓ層）と、第２多層膜反射鏡２０２側に配置された、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体からなる第２層２０１（例えばＩｎＰ層）とを有する。第１及び第２層１０３、２０１は、互いに接合されている。図２に、第１及び第２層１０３、２０１の接合界面ＢＩが示されている。中間層ＭＬの厚さ（総厚）は、３００ｎｍ以下であることが好ましい。第１層１０３としてのＧａＡｓ層は、アンドープが望ましいが、ドーピング濃度が５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］程度のｎ型としてもよい。この場合のドーパントは、例えばＳｉとすることができる。第２層２０１としてのＩｎＰ層は、アンドープが望ましいが、ドーピング濃度が５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］程度のｎ型としてもよい。この場合のドーパントには例えばＳｉを用いることができる。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層２０３は、例えばｎ－ＩｎＰ層からなる。該ｎ－ＩｎＰ層のドーパントには例えばＳｉを用いることができ、ドーピング濃度は例えば５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］とすることができる。

（活性層）
　活性層２０４は、一例として、ＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＡｓＰ系化合物半導体からなる。詳述すると、活性層２０４は、一例として、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する。ここでは、活性層２０４は、例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸層からなる。該ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸層は、発光波長が例えば１４５０ｎｍとなるように組成と膜厚が設計されるが、井戸層とバリア層に相反する歪を導入することが好ましい。この場合、歪の大きさは０．５％程度、井戸数は６とする。活性層２０４は、後述するトンネルジャンクション層２０６に対応する領域が発光領域となっている。活性層２０４の発光領域は、発熱部でもある。
（第２クラッド層）
　第２クラッド層２０５は、例えばｐ－ＩｎＰ層からなる。該ｐ－ＩｎＰ層のドーパントには例えばＭｇを用いることができ、ドーピング濃度は例えば５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］とすることができる。

（ＢＴＪ）
　ＢＴＪは、トンネルジャンクション層２０６及び埋め込み層２０７を含む。ＢＴＪは、前述のとおり活性層２０４の第２反射鏡Ｒ２側に配置されている。すなわち、ＢＴＪは、活性層２０４に対して、アノード配線３０５からカソード電極３０６へ至る電流経路の上流側に位置する。以下、トンネルジャンクション層２０６を適宜「ＴＪ層」と略記する。

　埋め込み層２０７は、例えばｎ－ＩｎＰ層からなる。該ｎ－ＩｎＰ層のドーパントとして例えばＳｉを用いることができ、ドーピング濃度は例えば５×１０^１７～１×１０^１８［ｃｍ^－３］とすることができる。

　トンネルジャンクション層２０６は、第２クラッド層２０５上にメサ状に設けられている。トンネルジャンクション層２０６は、周辺の埋め込み層２０７に比べて格段に低抵抗であり（キャリア伝導度が非常に高く）、電流通過領域となる。埋め込み層２０７のＴＪ層を取り囲む領域が電流狭窄領域となる。トンネルジャンクション層２０６は、発熱部でもある。トンネルジャンクション層２０６のメサ（ＴＪメサ）の直径は、例えば１０μｍである。

　トンネルジャンクション層２０６は、積層されたｐ型半導体領域２０６ａ及びｎ型半導体領域２０６ｂを含む。ここでは、ｎ型半導体領域２０６ｂの活性層２０４側（下側）にｐ型半導体領域２０６ａが配置されている。ｐ型半導体領域２０６ａは、例えばＣ（カーボン）が高濃度（例えば５×１０^１９［ｃｍ^－３］）でドープされたｐ型のＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体からなる。ｎ型半導体領域２０６ｂは、例えばＳｉ、Ｔｅ等が高濃度（例えば５×１０^１９［ｃｍ^－３］）でドープされたｎ型のＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体からなる。トンネルジャンクション層２０６の膜厚（総膜厚）は、一例として、１０～７０ｎｍ程度である。ここでは、ｐ型半導体領域２０６ａ及びｎ型半導体領域２０６ｂの膜厚は、いずれも例えば２０ｎｍである。

（コンタクト層）
　コンタクト層２０８は、一例として、内径１６μｍ、外径５０μｍのドーナツ状のｎ－ＩｎＧａＡｓ層である。該ｎ－ＩｎＧａＡｓのドーパントには例えばＳｉを用いることができ、ドーピング濃度は例えば２×１０^１９［ｃｍ^－３］とすることができる。
（第２反射鏡）
　第２反射鏡Ｒ２は、一例として、誘電体多層膜反射鏡（誘電体ＤＢＲ）である。誘電体多層膜反射鏡は、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（誘電体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２反射鏡Ｒ２は、第１反射鏡Ｒ１よりも反射率が僅かに低く設定されている。第２反射鏡Ｒ２は、例えばＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなることが好ましい。例えば、第２反射鏡Ｒ２としての誘電体多層膜反射鏡は、高屈折率層（例えばＴａ_２Ｏ_５層）と低屈折率層（例えばＳｉＯ_２層）とが交互に積層された構造を有する。ここでは、ペア数は、例えば７ペアである。

（絶縁膜３０３）
　絶縁膜３０３は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。

（アノード配線）
　アノード配線３０５は、コンタクト層２０８と接するリング状の部分を有する。アノード配線３０５は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。アノード配線３０５は、例えばレーザドライバの陽極（正極）に電気的に接続される。なお、アノード配線３０５のリング状の部分とコンタクト層２０８との間にリング状のアノード電極を設けてもよい。

（カソード電極）
　カソード電極３０６は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。カソード電極３０６は、例えばレーザドライバの陰極（負極）に電気的に接続される。

（発振波長への影響について）
　原理的に、ＶＣＳＥＬの発振波長は、共振器長と材料の等価屈折率によって決定される。そこで、例えば下部ＤＢＲを、ＧａＡｓ系ＤＢＲ（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓＤＢＲ等のＧａＡｓに格子整合するＤＢＲ）とその上に配置されたＩｎＰ系ＤＢＲ（例えばＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲ等のＩｎＰに格子整合するＤＢＲ）のハイブリッド構造とすることにより、実質的な共振器長は上部ＤＢＲとＩｎＰ系ＤＢＲとの距離となるため、実質的な共振器長を結晶成長工程で正確に制御することができる。すなわち、面発光レーザ１０において、第１反射鏡Ｒ１のうち実質的に第２反射鏡Ｒ２、活性層２０４等と共に共振器を構成するのは第２多層膜反射鏡２０２である。この場合に、中間層ＭＬの接合界面ＢＩに面する第１層１０３（例えばＧａＡｓ層）及び第２層２０１（例えばＩｎＰ層）の膜厚が発振波長λに与える影響は小さくなる。

　図３は、中間層ＭＬの第２層２０１に用いられるＩｎＰ層の設計膜厚からのずれ（Δｄ／ｄ、但し、ｄは設計膜厚、Δｄは設計膜厚からのずれ量）と発振波長λとの関係を示すグラフである。図３から、第２層２０１に用いられるＩｎＰ層の膜厚のずれに対する発振波長λの変動は、第２多層膜反射鏡２０２のペア数が多いほど小さくなることがわかる。例えばＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲのペア数が０の場合、すなわち、ＧａＡｓ/ＡｌＡｓＤＢＲのみの場合は、ＩｎＰ層の膜厚が設計膜厚から６％ずれると発振波長が５ｎｍ変化してしまう。これに対し、５ペア又は１０ペアのＩｎＰ系ＤＢＲを組み合わせることで、発振波長の膜厚ずれに対する依存性が小さくなる。詳しくは、５ペアのＩｎＰ系ＤＢＲを組み合わせることで、ＩｎＰ層の膜厚が設計膜厚から２０％ずれると発振波長が５ｎｍ変化する。１０ペアのＩｎＰ系ＤＢＲを組み合わせることで、ＩｎＰ層の膜厚が設計膜厚から４０％ずれると発振波長が５ｎｍ変化する。すなわち、第２多層膜反射鏡２０２のペア数が例えば１０ペアあればλの変動を十二分に抑制でき、５ペアでもλの変動に対して十分な抑制効果がある。なお、ＡｌＧａＩｎＡｓの熱伝導率が低いため、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲのペア数を増やしてＡｌＧａＩｎＡｓの全膜厚を厚くすると放熱性が悪化するが、１０ペア程度であれば大きな影響はなく、ＩｎＰ層の膜厚の設計マージンが広がる利点の方が大きい。

　図４は、中間層ＭＬの第１層１０３に用いられるＧａＡｓ層の設計膜厚からのずれ（Δｄ／ｄ、但し、ｄは設計膜厚、Δｄは設計膜厚からのずれ量）と発振波長λとの関係を示すグラフである。図４から、第１層１０３に用いられるＧａＡｓ層の膜厚のずれ量に対する発振波長λの変動も、第２多層膜反射鏡２０２のペア数が多いほど小さくなることがわかる。具体的には、第２多層膜反射鏡２０２のペア数が例えば１０ペアあればλの変動を十二分に抑制でき、５ペアでもλの変動に対して十分な抑制効果がある。

　以上より、発振波長の変化を抑制する観点からは、第２多層膜反射鏡２０２のペア数は、５以上であることがより好ましく、１０以上であることがより一層好ましい。放熱性の低下を抑制する観点からは、第２多層膜反射鏡２０２のペア数は、１０以下であることがより好ましい。

（接合不良低減について）
　図５は、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲの総膜厚とウェハの反りとの関係を示すグラフである。図６は、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲの面内方向（ＸＹ面内）の位置とウェハの反りとの関係を示すグラフである。例えば第１多層膜反射鏡１０２として用いられるＧａＡｓ系ＤＢＲ（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲ）では、ＡｌＡｓが、基板１０１として用いられるＧａＡｓ基板（ウェハ）に対して０．１２％だけ格子定数が大きいことから、結晶成長後のＧａＡｓ基板には反りが発生する。図５から分かるように、この反りはペア数が多いほど、すなわちＡｌＡｓの膜厚の合計が大きくなるほど増加するため、基板の張り合わせに不利である。図６から分かるように、この反りはウェハ中央に近づくほど大きくなるため、基板の貼り合わせに一層不利である。

　一方、例えば第２多層膜反射鏡２０２として用いられるＤＢＲ（例えばＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲ、ＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲ等）は、格子整合系であるためＩｎＰ基板（ウェハ）の反りはほとんど発生しない。

　そこで、ＧａＡｓ系ＤＢＲ（ＧａＡｓに格子整合するＤＢＲ）及びＩｎＰ系ＤＢＲ（ＩｎＰに格子整合するＤＢＲ）を組み合わせることで、所望の反射率を得るためのＧａＡｓ系ＤＢＲのペア数を少なくすることができ、ウェハの反りを低減できる。

（ハイブリッドＤＢＲの各ＤＢＲのペア数について）
　図７は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲ及びＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲの反射率とペア数の関係を示すグラフである。図７から分かるようにどちらのＤＢＲもペア数が増えるほど高い反射率が得られ、例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲであれば３０ペア、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲであれば４０ペアあれば１に近い反射率が得られる。

（補足説明）
　図３６は、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲ及びＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲを含むハイブリッドＤＢＲにおいて、反射率９９．９％以上を得るために必要な各ＤＢＲのペア数を示す図である。図３６から分かるように、ハイブリッドＤＢＲにおいて反射率９９．９％以上を得るためには、例えばＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲを１０ペアとした場合、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲは１９ペア以上必要となる。ＧａＡｓ／ＡｌＡｓＤＢＲ単独の場合は２４ペアが必要なので、それと比べると５ペア少なくなるため、ウェハの反りが低減される。ＡｌＧａＩｎＡｓの熱伝導率が低いため、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ・ＤＢＲのペア数を増やしてＡｌＧａＩｎＡｓの全膜厚を厚くすると放熱性が悪化するが、１０ペア程度であれば大きな影響はなく、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ・ＤＢＲの膜厚を小さくすることによる反り低減によってもたらされる、ウェハ面内の接合不良低減による生産性向上の利点の方が大きくなる。

（放熱性について）
　ＩｎＰ基板に格子整合する半導体ＤＢＲ（例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰやＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓからなるＤＢＲ）は、ＧａＡｓ系化合物半導体からなる半導体ＤＢＲ（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）よりも熱伝導率が低く、放熱性が悪い。面発光レーザ１０では、下部反射鏡である第１反射鏡Ｒ１がＩｎＰ系ＤＢＲ及びＧａＡｓ系ＤＢＲを組み合わせたハイブリッド構造を有するので、下部反射鏡がＩｎＰ系ＤＢＲのみで構成される場合に比べて、放熱性を向上することができる。

（ストップバンド幅について）
　ＩｎＰ基板に格子整合する半導体ＤＢＲ（例えばＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰやＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓからなるＤＢＲ）は、ＧａＡｓ系化合物半導体からなる半導体ＤＢＲ（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）よりも屈折率差が小さく、ストップバンド幅が狭い。面発光レーザ１０では、下部反射鏡である第１反射鏡Ｒ１がＩｎＰ系ＤＢＲ及びＧａＡｓ系ＤＢＲを組み合わせたハイブリッド構造を有するので、下部反射鏡がＩｎＰ系ＤＢＲのみで構成される場合に比べて、ストップバンド幅を広げることができる。

≪面発光レーザの動作≫
　面発光レーザ１０では、レーザドライバの陽極側からアノード配線３０５を介して流入された電流は、ＢＴＪで狭窄され、第２クラッド層２０５を経て活性層２０４に注入される。このとき、活性層２０４が発光し、その光が第１及び第２反射鏡Ｒ１、Ｒ２の間をＢＴＪで狭窄され且つ活性層２０４で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに第２反射鏡Ｒ２側からレーザ光として出射される。活性層２０４に注入された電流は、第１クラッド層２０３及びカソード電極３０６をこの順に介してレーザドライバの陰極側へ流出される。

　面発光レーザ１０の駆動時にトンネルジャンクション層２０６及び活性層２０４で発生した熱の一部は、第１クラッド層２０３を介して第２多層膜反射鏡２０２の側面から外部に放出され、他部は、第１クラッド層２０３及び第２多層膜反射鏡２０２を介して中間層ＭＬ及び第１多層膜反射鏡１０２に伝わり、中間層ＭＬの側面、第１多層膜反射鏡１０２の側面及び基板１０１を介して外部に放出される。この場合、例えば第１反射鏡Ｒ１がＩｎＰに格子整合する半導体多層膜反射鏡のみで構成されている場合に比べて、放熱性を向上することができる。

≪面発光レーザの製造方法の第１例≫
　以下、面発光レーザ１０の製造方法の第１例について、図８のフローチャート（ステップＳ１～Ｓ１３）、図９Ａ～図１５Ｂを参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０（面発光レーザチップ）を得る。

　最初のステップＳ１では、第１基板上にバッファー層、第１多層膜反射鏡１０２及び第１層１０３を積層する（図９Ａ参照）。具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気層成長法）により、第１基板としての基板１０１（ＧａＡｓ基板）上にバッファー層、第１多層膜反射鏡１０２（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓが２５ペア）及び第１層１０３（ＧａＡｓ層）をこの順に成長させる。

　次のステップＳ２では、第１層１０３に第２基板２０１Ｓを接合する（図９Ｂ参照）。具体的には、第２基板２０１Ｓとしてのｎ－ＩｎＰ基板に表面から例えば１００ｎｍの深さまでプロトンを注入し、プロトンが注入された側の表面を第１層１０３に接合する。この接合は、金属等を間に介さない半導体直接接合が好ましい。第１層１０３側の表面に結晶成長時に発生したダストなどがある場合には、ウェットエッチングや化学機械研磨などにより除去することが好ましい。

　次のステップＳ３では、第２基板２０１Ｓを薄膜化する（図１０Ａ参照）。具体的には、第２基板２０１Ｓを熱処理によりプロトン注入層で切断する。これにより、第１層１０３側に１００ｎｍのｎ－ＩｎＰ薄膜２０１ａが残る。

　次のステップＳ４では、第２多層膜反射鏡２０２、第１クラッド層２０３、活性層２０４、第２クラッド層２０５、トンネルジャンクション層２０６及びｎ－ＩｎＰ層２０７ａを積層する（図１０Ｂ参照）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法により、ステップＳ３で生成された積層体のｎ－ＩｎＰ薄膜２０１ａ（図１０Ｂでは不図示）上に、第２層２０１としてのｎ－ＩｎＰ層、第２多層膜反射鏡２０２（例えばｎ－ＩｎＰ／ｎ－ＡｌＧａＩｎＡｓが１０ペア）、第１クラッド層２０３としてのｎ－ＩｎＰ層、活性層２０４としてのＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸層、第２クラッド層２０５としてのｐ－ＩｎＰ層、トンネルジャンクション層２０６及びｎ－ＩｎＰ層２０７ａをこの順に成長させる。

　次のステップＳ５では、ＴＪメサを形成する（図１１Ａ参照）。具体的には、フォトリソグラフィーにより、トンネルジャンクション層２０６及びｎ－ＩｎＰ層２０７ａを含むＴＪメサ（直径が例えば１０μｍ）を形成する。エッチングはウェットエッチングで行い、最上層のｎ－ＩｎＰ層２０７ａは臭化水素と過酸化水素を含む混合溶液によりエッチングし、トンネルジャンクション層２０６は硫酸と過酸化水素を含む混合水溶液によりエッチングする。

　次のステップＳ６では、埋め込み層２０７及びコンタクト層２０８を積層する（図１１Ｂ参照）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法により、ステップＳ５で生成された積層体上に埋め込み層２０７としてのｎ－ＩｎＰ層及びコンタクト層２０８としてｎ－ＩｎＧａＡｓ層をこの順に積層する。この結果、埋め込み層２０７によりＴＪメサが埋め込まれ、埋め込み層２０７上にコンタクト層２０８が形成される。

　次のステップＳ７では、コンタクト層２０８を成形する（図１２Ａ参照）。具体的には、コンタクト層２０８を選択的にエッチングして例えば内径１６μｍ、外径５０μｍのドーナツ状に成形する。なお、ドーナツ状のコンタクト層２０８上に例えばリフトオフ法によりリング状のアノード電極を形成してもよい。

　次のステップＳ８では、メサを形成する（図１２Ｂ参照）。具体的には、フォトリソグラフィーにより、ドーナツ状のコンタクト層２０８の外径に合わせたメサを形成する。このときのエッチングは、ドライエッチングが好ましく、エッチング底面を例えば第１クラッド層２０３内に位置させる。

　次のステップＳ９では、カソード電極３０６を形成する（図１３参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、メサの周辺の第１クラッド層２０３上にカソード電極３０６を形成する。このときのカソード電極３０６の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行う。

　次のステップＳ１０では、絶縁膜３０３を成膜する（図１４Ａ参照）。具体的には、絶縁膜３０３を全面に成膜する。

　次のステップＳ１１では、絶縁膜３０３の一部を除去する（図１４Ｂ参照）。具体的には、絶縁膜３０３のメサの頂部を覆う部分及びカソード電極３０６を覆う部分を例えばドライエッチングにより除去する。この結果、メサの頂部及びカソード電極３０６が露出する。

　次のステップＳ１２では、アノード配線３０５を形成する（図１５Ａ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、メサの周辺及び側面に形成された絶縁膜３０３に沿って、コンタクト層２０８に一部（リング状の部分）が接触するアノード配線３０５を形成する。このときのアノード配線３０５の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行う。

　最後のステップＳ１３では、第２反射鏡Ｒ２を形成する（図１５Ｂ参照）。具体的には、先ず、ＳｉＯ_２／Ｔａ_２Ｏ_５からなる誘電体多層膜（ペア数が７ペア）を全面に成膜する。次いで、フォトリソグラフィーにより、メサの頂部上に形成された誘電体多層膜以外の誘電体多層膜を選択的に除去する。この結果、メサの頂部上に第２反射鏡Ｒ２が形成される。その後、面発光レーザ１０を個片化し、必要に応じてヒートシンク上に実装し、アノード配線３０５及びカソード電極３０６を例えばワイヤーボンディングによりレーザドライバの対応する端子に接続する。

≪面発光レーザの製造方法の第２例≫
　以下、面発光レーザ１０の製造方法の第２例について、図１６のフローチャート（ステップＳ２１～Ｓ３５）、図９Ａ、図１７Ａ～図２６を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０（面発光レーザチップ）を得る。

　最初のステップＳ２１では、第１積層体を生成する（図９Ａ参照）。具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気層成長法）により、第１基板としての基板１０１（ＧａＡｓ基板）上にバッファー層、第１多層膜反射鏡１０２（例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓが２５ペア）及び第１層１０３（ＧａＡｓ層）をこの順に成長させて第１積層体を生成する。

　次のステップＳ２２では、第２積層体を生成する（図１７Ａ参照）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法により、第２基板２０１Ｓとしてのｎ－ＩｎＰ基板上に第２多層膜反射鏡２０２（例えばｎ－ＩｎＰ／ｎ－ＡｌＧａＩｎＡｓが１０ペア）、第１クラッド層２０３としてのｎ－ＩｎＰ層、活性層２０４としてのＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸層、第２クラッド層２０５としてのｐ－ＩｎＰ層、トンネルジャンクション層２０６及びｎ－ＩｎＰ層２０７ａをこの順に成長させて第２積層体を生成する。

　次のステップＳ２３では、ＴＪメサを形成する（図１７Ｂ参照）。具体的には、フォトリソグラフィーにより、第２積層体にトンネルジャンクション層２０６及びｎ－ＩｎＰ層２０７ａを含むＴＪメサ（直径が例えば１０μｍ）を形成する。このときのエッチングはウェットエッチングで行い、最上層のｎ－ＩｎＰ層２０７ａは臭化水素と過酸化水素を含む混合溶液によりエッチングし、トンネルジャンクション層２０６は硫酸と過酸化水素を含む混合水溶液によりエッチングする。

　次のステップＳ２４では、埋め込み層２０７及びコンタクト層２０８を積層する（図１８Ａ参照）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法により、第２積層体上に埋め込み層２０７としてのｎ－ＩｎＰ層及びコンタクト層２０８としてｎ－ＩｎＧａＡｓ層をこの順に成長させる。この結果、埋め込み層２０７によりＴＪメサが埋め込まれ、埋め込み層２０７上にコンタクト層２０８が形成される。

　次のステップＳ２５では、コンタクト層２０８を成形する（図１８Ｂ参照）。具体的には、コンタクト層２０８を選択的にエッチングして例えば内径１６μｍ、外径５０μｍのドーナツ状に成形する。なお、ドーナツ状のコンタクト層２０８上に例えばリフトオフ法によりリング状のアノード電極を形成してもよい。

　次のステップＳ２６では、メサを形成する（図１９Ａ参照）。具体的には、フォトリソグラフィーにより、第２積層体にドーナツ状のコンタクト層２０８の外径に合わせたメサを形成する。このときのエッチングは、例えばドライエッチングにより行い、エッチング底面を例えば第１クラッド層２０３内に位置させる。

　次のステップＳ２７では、カソード電極３０６を形成する（図１９Ｂ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、第２積層体のメサの周辺の第１クラッド層２０３上にカソード電極３０６を形成する。このときのカソード電極３０６の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行う。

　次のステップＳ２８では、絶縁膜３０３を成膜する（図２０参照）。具体的には、絶縁膜３０３を第２積層体の全面に成膜する。

　次のステップＳ２９では、絶縁膜３０３の一部を除去する（図２１Ａ参照）。具体的には、絶縁膜３０３のメサの頂部を覆う部分及びカソード電極３０６を覆う部分を例えばドライエッチングにより除去する。この結果、メサの頂部及びカソード電極３０６が露出する。

　次のステップＳ３０では、アノード配線３０５を形成する（図２１Ｂ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、メサの周辺及び側面に形成された絶縁膜３０３に沿って、コンタクト層２０８に一部（リング状の部分）が接触するアノード配線３０５を形成する。このときのアノード配線３０５の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行う。

　次のステップＳ３１では、第２反射鏡Ｒ２を形成する（図２２Ａ参照）。具体的には、先ず、ＳｉＯ_２／Ｔａ_２Ｏ_５からなる誘電体多層膜（ペア数が７ペア）を第２積層体の全面に成膜する。次いで、フォトリソグラフィーにより、メサの頂部上に形成された誘電体多層膜以外の誘電体多層膜を選択的に除去する。この結果、メサの頂部上に第２反射鏡Ｒ２が形成される。

　次のステップＳ３２では、第２積層体に支持基板ＳＢを貼り付ける（図２２Ｂ参照）。具体的には、第２積層体のメサが形成された側の表面に例えばワックスＷを介して支持基板ＳＢを貼り付ける。

　次のステップＳ３３では、第２基板２０１Ｓを薄膜化する（図２３参照）。具体的には、例えばＣＭＰ装置を用いて、第２基板２０１Ｓの裏面（下面）を研磨して薄膜化する。この結果、第２層２０１としてのｎ－ＩｎＰ層が残存する。

　次のステップＳ３４では、第１及び第２積層体を接合する（図２４、図２５参照）。具体的には、第１積層体の第１層１０３としてのＧａＡｓ層と第２積層体の第２層２０１としてのｎ－ＩｎＰ層とを接合する。この接合は、金属等を間に介さない半導体直接接合が好ましい。第１層１０３側の表面に結晶成長時に発生したダストなどがある場合には、ウェットエッチングや化学機械研磨などにより除去することが好ましい。

　最後のステップＳ３５では、支持基板ＳＢを除去する（図２６参照）。具体的には、加熱によりワックスＷを溶解させて、支持基板ＳＢ及びワックスＷを除去する。その後、面発光レーザ１０を個片化し、必要に応じてヒートシンク上に実装し、アノード配線３０５及びカソード電極３０６を例えばワイヤーボンディングによりレーザドライバの対応する端子に接続する。

≪面発光レーザ及びその製造方法の効果≫
　本技術の第１実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０は、第１反射鏡Ｒ１を含む第１構造ＳＴ１と、第２反射鏡Ｒ２を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された活性層２０４と、を備え、第１反射鏡Ｒ１は、積層された第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を有し、第１多層膜反射鏡１０２は、第１材料系からなり、第２多層膜反射鏡２０２は、第１材料系とは異なる第２材料系からなる。

　面発光レーザ１０では、第１反射鏡Ｒ１が異なる材料系からなる第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を有しているため、第１反射鏡Ｒ１全体として一方の材料系による欠点（例えば放熱性が悪くなることや基板の反りが大きくなること）を他方の材料系により補うことができる。

　結果として、面発光レーザ１０によれば、第１反射鏡Ｒ１が有する第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２の材料系による欠点を第１反射鏡Ｒ１全体として補うことができる面発光レーザを実現できる。

　第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２は、いずれも半導体多層膜反射鏡であることが好ましい。これにより、第１反射鏡Ｒ１全体において高反射率及び導電性を確保することができる。この場合、例えばカソード電極３０６の設置の自由度が高い。

　第１材料系は、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体であり、第２材料系は、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体である。これにより、第１反射鏡Ｒ１において、第１材料系による基板の反りが大きくなる欠点を第２材料系の導入により補うことができ、且つ、第２材料系による放熱性が悪くなる欠点を第１材料系の導入により補うことができる。この結果、面発光レーザ１０では、少なくとも放熱性の低下及び歩留まりの低下を抑制することができる。

　補足すると、面発光レーザ１０は、第１反射鏡Ｒ１が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を含むので、第１反射鏡Ｒ１が例えばＧａＡｓに格子整合する半導体多層膜反射鏡のみで構成される場合に比べて、第１多層膜反射鏡１０２及び第１層１０３の反りを抑制できるため接合不良を抑制でき、ひいては歩留まりの低下を抑制できる。さらに、面発光レーザ１０は、第１反射鏡Ｒ１が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を含むので、第１反射鏡Ｒ１が例えばＩｎＰに格子整合する半導体多層膜反射鏡のみで構成される場合に比べて、放熱性の低下を抑制できる。

　第１材料系は、格子定数がＧａＡｓの格子定数の±０．２％の範囲内にあり、第２材料系は、格子定数がＩｎＰの格子定数の±０．２％の範囲内にあることが好ましい。

　第１多層膜反射鏡１０２と活性層２０４との間に第２多層膜反射鏡２０２が配置されている。これにより、第２多層膜反射鏡２０２を第２材料系からなる共振器（長波長帯の共振器）の実質的な下部反射鏡として機能させることができる。

　活性層２０４は、ＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＡｌＧａＩｎＡｓ）又はＧａＡｓＰ系化合物半導体（例えばＧａＩｎＡｓＰ）からなることが好ましい。これにより、発振波長λを長波長側（例えば９００ｎｍ帯以上）とすることができる。

　活性層２０４は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有することがより好ましい。

　活性層２０４の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。

　第１構造ＳＴ１は、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２の間に配置された中間層ＭＬを更に含み、中間層ＭＬは、第１多層膜反射鏡１０２側に配置された、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体からなる第１層１０３と、第２多層膜反射鏡２０２側に配置された、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体からなる第２層２０１と、を有する。これにより、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２の各々の表面を接合面としなくてよいため、各多層膜反射鏡の表面を良好に保つことができる。

　第１及び第２層１０３、２０１は、互いに接合されている。これにより、実質的な共振器内に接合界面を存在させる必要がなく、発振波長λの面内均一性の低下を抑制できる。

　第１構造ＳＴ１は、第１反射鏡Ｒ１の活性層２０４側とは反対側に配置された第１基板１０１（例えばＧａＡｓ基板）を更に含む。これにより、第１基板１０１上にＧａＡｓに格子整合する化合物半導体からなる第１多層膜反射鏡１０２をエピタキシャル成長させることができる。

　第１材料系は、ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_１－ＸＡｓ（０＜Ｘ≦１）であることが好ましい。これにより、第１基板１０１としてのＧａＡｓ基板上に第１多層膜反射鏡１０２をエピタキシャル成長させることができる。

　第２材料系は、ＡｌＧａＩｎＡｓを含むことが好ましい。これにより、第２層２０１（ＩｎＰ層）又は第２基板２０１Ｓ（ＩｎＰ基板）上に第２多層膜反射鏡２０２をエピタキシャル成長させることができる。

　第２材料系は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓであることが好ましい。

　中間層ＭＬの厚さは、３００ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、実質的に第１反射鏡Ｒ１の厚型化を抑制することができる。

　第２多層膜反射鏡２０２のペア数は、１以上２０以下であることが好ましい。これにより、基板の反りを低減させることができ、且つ、放熱性が悪化すること及び第１反射鏡Ｒ１のストップバンド幅が狭くなることを抑制することができる。

　第２反射鏡Ｒ２は、誘電体多層膜反射鏡である。これにより、少ないペア数で高反射率を得ることできるため、第２反射鏡Ｒ２の薄型化を図ることができる。

　第２反射鏡Ｒ２は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなることが好ましい。

　面発光レーザ１０の製造方法の第１例は、第１基板１０１上に第１反射鏡Ｒ１の一部である第１多層膜反射鏡１０２及び第１層１０３を含む第１半導体構造を積層する工程と、該第１半導体構造と第２基板２０１Ｓとを接合する工程と、第２基板２０１Ｓ上に第１反射鏡Ｒ１の他部である第２多層膜反射鏡２０２、活性層２０４及びトンネルジャンクション層２０６を第２基板２０１Ｓ側からこの順に含む第２半導体構造を形成する工程と、第２基板２０１Ｓを薄膜化する工程と、該第２半導体構造上に第２反射鏡Ｒ２を形成する工程とを含む。

　面発光レーザ１０の製造方法の第１例によれば、第１反射鏡Ｒ１が有する第１及び第２多層膜反射鏡の材料系による欠点を第１反射鏡Ｒ１全体として補うことができる面発光レーザ１０を少ない工数で製造することができる。

　上記薄膜化する工程は、上記接合する工程と上記第２半導体構造を形成する工程との間に行われることが好ましい。

　面発光レーザ１０の製造方法の第２例は、第１基板１０１上に第１反射鏡Ｒ１の一部である第１多層膜反射鏡１０２及び第１層１０３を含む第１積層体を生成する工程と、第２基板２０１Ｓ上に第１反射鏡Ｒ２の他部である第２多層膜反射鏡２０２、活性層２０４、トンネルジャンクション層２０６及び第２反射鏡Ｒ２をこの順に含む第２積層体を生成する工程と、第２基板２０１Ｓを薄膜化する工程と、第１及び第２積層体を接合する工程とを含む。

　面発光レーザ１０の製造方法の第２例によれば、第１反射鏡Ｒ１が有する第１及び第２多層膜反射鏡の材料系による欠点を第１反射鏡Ｒ１全体として補うことができる面発光レーザ１０を製造することができる。

　上記薄膜化する工程は、上記第２積層体を生成する工程と上記接合する工程との間に行われることが好ましい。

＜２．本技術の第１実施形態の実施例２に係る面発光レーザ＞
　図２７は、本技術の第１実施形態の実施例２に係る面発光レーザ２０の断面図である。面発光レーザ２０は、図２７に示すように、トンネルジャンクション層２０６が埋め込み型でない点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ２０では、トンネルジャンクション層２０６がメサ状ではなく幅広の平坦な層となっている。トンネルジャンクション層２０６の周辺部は、例えば環状のイオン注入領域ＩＩＡが形成され高抵抗化されている。すなわち、トンネルジャンクション層２０６は、低抵抗な中央部が電流通過領域となり、高抵抗な周辺部が電流狭窄領域となっている。イオン注入領域ＩＩＡの内径（電流狭窄径）は、例えば１０μｍである。イオン注入領域ＩＩＡのイオンには、例えばプロトン（Ｈ^＋）が用いられている。

　面発光レーザ２０では、第２反射鏡Ｒ２としての誘電体多層膜反射鏡のペア数が例えば８ペアである。

　面発光レーザ２０は、実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。但し、トンネルジャンクション層２０６上に埋め込み層２０７の一部（下部）を成長させた後、該一部の電流通過領域に対応する領域上にフォトリソグラフィーにより例えばＳｉＯ_２からなる保護膜を形成し、該保護膜をマスクとしてイオン注入を行う。その後、埋め込み層２０７の他部（上部）を再成長させる。

　面発光レーザ２０によれば、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることできる。

＜３．本技術の第１実施形態の実施例３に係る面発光レーザ＞
　図２８は、本技術の第１実施形態の実施例３に係る面発光レーザ３０の断面図である。面発光レーザ３０では、図２８に示すように、アノード配線３０５とカソード電極３０６とが異なる面側に配置されている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０では、アノード配線３０５、コンタクト層２０８、ＢＴＪ、第２クラッド層２０５を介して活性層２０４に注入された電流は、第１クラッド層２０３、第２多層膜反射鏡２０２、中間層ＭＬ、第１多層膜反射鏡１０２及び基板１０１を介してカソード電極３０６に到達する。

　面発光レーザ３０は、実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ３０によれば、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる。

＜４．本技術の第１実施形態の実施例４に係る面発光レーザ＞
　図２９は、本技術の第１実施形態の実施例４に係る面発光レーザ４０の断面図である。面発光レーザ４０では、図２９に示すように、ＢＴＪにおいて複数のトンネルジャンクション層２０６がアレイ状に配置されている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　活性層２０４は、複数のトンネルジャンクション層２０６に対応する複数の領域が発光領域となる。すなわち、面発光レーザ４０は、実質的に面発光レーザアレイを構成する。ここでは、一例として、複数（例えば３×３＝９）のトンネルジャンクション層２０６が面内方向（例えば図２９の紙面に平行な方向及び垂直な方向）に例えば５０μｍのピッチで２次元アレイ状に配置されている。

　面発光レーザ４０は、実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ４０によれば、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができるとともに、アレイ化により、複数のレーザ光を出射することが可能である。

＜５．本技術の第１実施形態の実施例１の変形例１に係る面発光レーザ＞

　図３０は、本技術の第１実施形態の実施例１の変形例１に係る面発光レーザ１０－１の断面図である。面発光レーザ１０－１では、図３０に示すように、メサＭの底面が中間層ＭＬの第２層２０１内に位置している点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－１は、実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－１によれば、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる。

＜６．本技術の第１実施形態の実施例１の変形例２に係る面発光レーザ＞

　図３１は、本技術の第１実施形態の実施例１の変形例２に係る面発光レーザ１０－２の断面図である。面発光レーザ１０－２では、図３１に示すように、メサＭの底面が基板１０１表面（上面）である点及びカソード電極３０６が基板１０１の裏面（下面）に設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１０－２は、実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１０－２によれば、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる。

　なお、実施例１の係る面発光レーザの変形例として、例えばメサＭの底面が第２多層膜反射鏡２０２内に位置するものや、中間層ＭＬの第１層１０３内に位置するものや、第１多層膜反射鏡１０２内に位置するものや、基板１０１内に位置するものも挙げられる。

＜７．本技術の第１実施形態の実施例２の変形例に係る面発光レーザ＞

　図３２は、本技術の第１実施形態の実施例２の変形例に係る面発光レーザ２０－１の断面図である。面発光レーザ２０－１では、メサＭが形成されていない点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ２０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ２０－１では、埋め込み層２０７に代えてベタ状のトンネルジャンクション層２０６上に第３クラッド層２０９（例えばｎ－ＩｎＰ層）が積層されている。第３クラッド層２０９の発光領域に対応する領域上に第２反射鏡Ｒ２が設けられている。第３クラッド層２０９の第２反射鏡Ｒ２の周辺領域上に例えばリング状のアノード電極３０４が第２反射鏡Ｒ２を取り囲むように設けられている。アノード電極３０４は、例えばアノード配線３０５の材料と同様の材料からなる。

　面発光レーザ２０－１は、実施例２に係る面発光レーザ２０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ２０－１によれば、メサＭを形成する必要がない分、製造プロセスを簡略化できる。

＜８．本技術の第１実施形態の実施例３の変形例に係る面発光レーザ＞

　図３３は、本技術の第１実施形態の実施例３の変形例に係る面発光レーザ３０－１の断面図である。面発光レーザ３０－１では、メサＭが形成されていない点を除いて、実施例３に係る面発光レーザ３０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ３０－１では、埋め込み層２０７に代えてベタ状のトンネルジャンクション層２０６上に第３クラッド層２０９（例えばｎ－ＩｎＰ層）が積層されている。第３クラッド層２０９の発光領域に対応する領域上に第２反射鏡Ｒ２が設けられている。第３クラッド層２０９の第２反射鏡Ｒ２の周辺領域上に例えばリング状のアノード電極３０４が第２反射鏡Ｒ２を取り囲むように設けられている。基板１０１の裏面（下面）にカソード電極３０６が設けられている。

　面発光レーザ３０－１は、実施例３に係る面発光レーザ３０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ３０－１によれば、メサＭを形成する必要がない分、製造プロセスを簡略化できる。

＜９．本技術の第１実施形態の実施例４の変形例に係る面発光レーザ＞
　図３４は、本技術の第１実施形態の実施例４の変形例に係る面発光レーザ４０－１の断面図である。面発光レーザ４０－１では、図３４に示すように、メサＭが形成されていない点を除いて、実施例４に係る面発光レーザ４０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ４０－１では、埋め込み層２０７の複数の発光領域に対応する複数の領域上に跨るように第２反射鏡Ｒ２が設けられている。埋め込み層２０７の第２反射鏡Ｒ２の周辺領域上に例えばリング状のアノード電極３０４が第２反射鏡Ｒ２を取り囲むように設けられている。基板１０１の裏面（下面）にカソード電極３０６が設けられている。

　面発光レーザ４０－１では、活性層２０４の発光領域を設定する複数（例えば５×５＝２５）のトンネルジャンクション層２０６が面内方向（例えば図３４の紙面に平行な方向及び垂直な方向）に２次元アレイ状に例えば５０μｍのピッチで配置されている。

　面発光レーザ４０－１は、実施例４に係る面発光レーザ４０の製造方法と概ね同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ４０－１によれば、メサＭを形成する必要がない分、製造プロセスを簡略化できる。

＜１０．本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザ＞
　図３５は、本技術の第１実施形態の変形例に係る面発光レーザ５０の断面図である。面発光レーザ５０では、図３５に示すように、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２の位置関係が実施例１に係る面発光レーザ１０とは逆である。

　面発光レーザ５０では、一例として、基板２００としてのＩｎＰ基板上に第２多層膜反射鏡２０２、第２層２０１、第１層１０３、第１多層膜反射鏡１０２、第１クラッド層１０４、活性層１０５、第２クラッド層１０６、酸化狭窄層１０７を内部に含む第２反射鏡Ｒ２及びコンタクト層１０８がこの順に積層されている。

　面発光レーザ５０では、一例として、第１クラッド層１０４の一部（上部）、活性層１０５、第２クラッド層１０６、酸化狭窄層１０７を含む第２反射鏡Ｒ２及びコンタクト層１０８を含んでメサＭが構成されている。

　第１クラッド層１０４は、ｎ型のＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｎ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。第２クラッド層１０６は、ｐ型のＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｐ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。

　活性層１０５は、ＧａＡｓ系化合物半導体（例えばＡｌＧａＡｓ）からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。

　酸化狭窄層１０７は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域１０７ａと、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）からなる酸化領域１０７ｂとを有する。酸化狭窄層１０７は、電流・光閉じ込め機能を有する。

　面発光レーザ５０の第２反射鏡Ｒ２は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２反射鏡Ｒ２の各屈折率層は、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系化合物半導体（例えばｐ－ＡｌＧａＡｓ）からなる。

　コンタクト層１０８は、第２反射鏡Ｒ２上に配置されている。コンタクト層１０８は、例えば第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

　面発光レーザ５０の製造方法は、ＩｎＰ基板に格子整合する化合物半導体からなる積層構造及びＧａＡｓ系化合物半導体からなる積層構造の作製方法が実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法とは逆である。

　面発光レーザ５０によれば、第１反射鏡Ｒ１が異なる材料系からなる第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を有しているため、第１反射鏡Ｒ１全体として一方の材料系による欠点（例えば放熱性が悪くなることや基板の反りが大きくなること）を他方の材料系により補うことができる。

　第１多層膜反射鏡１０２を構成する第１材料系は、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体であり、第２多層膜反射鏡２０２を構成する第２材料系は、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体である。これにより、第１反射鏡Ｒ１において、第１材料系による基板の反りが大きくなる欠点を第２材料系の導入により補うことができ、且つ、第２材料系による放熱性が悪くなる欠点を第１材料系の導入により補うことができる。この結果、面発光レーザ５０では、少なくとも放熱性の低下及び歩留まりの低下を抑制することができる。

　補足すると、面発光レーザ５０では、第１反射鏡Ｒ１が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を含むので、第１反射鏡Ｒ１が例えばＧａＡｓに格子整合する半導体多層膜反射鏡のみで構成される場合に比べて、第１多層膜反射鏡１０２及び第１層１０３の反りを抑制できるため接合不良を抑制でき、ひいては歩留まりの低下を抑制できる。さらに、面発光レーザ５０によれば、第１反射鏡Ｒ１が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を含むので、第１反射鏡Ｒ１が例えばＩｎＰに格子整合する半導体多層膜反射鏡のみで構成される場合に比べて、放熱性の低下を抑制できる。

　ところで、面発光レーザアレイは高出力を得るのに有利な構造である。例えば特開平２０１７－１６８７１５号には、一般的な面発光レーザアレイの一例が開示されている。この面発光レーザアレイは、酸化狭窄層を有するメサ状の発光部を複数有している。酸化狭窄層は、ＡｌＡｓ層がメサ側面から部分的に酸化されており、電流を狭窄する。酸化狭窄層は、酸化により屈折率も低下することから光を横方向に閉じ込める効果もある。

　しかし、この面発光レーザアレイでは、発光部がメサ状であるため、排熱性が低いことと、段差部に微小なクラックが形成され歩留まりと信頼性が悪化するという課題がある。また、１．４μｍ帯に好適なＩｎＰ系ＶＣＳＥＬではＡｌＡｓのような酸化しやすい材料がないため同じような手法で面発光レーザアレイを作製できないという課題もある。

　そこで、発明者らは、以上の課題のうち特に排熱性にフォーカスして、少なくとも排熱性の低下を抑制することができる高出力面発光レーザとして、本技術の第２実施形態に係る面発光レーザを開発した。

　以下、本技術の第２実施形態に係る面発光レーザについて幾つかの実施例を挙げて詳細に説明する。

＜１１．本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザ５１について説明する。

≪面発光レーザの構成≫
　図３７は、本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザ５１の断面図である。図３８は、本技術の第２実施形態の実施例１に係る面発光レーザ５１の平面図である。図３７は、図３８の３７－３７線断面図である。

　面発光レーザ５１は、図３７及び図３８に示すように、第１反射鏡Ｒ１を含む第１構造ＳＴ１と、第２反射鏡Ｒ２を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された活性層２０４とを備えている。すなわち、面発光レーザ５１は、活性層２０４が第１及び第２反射鏡Ｒ１、Ｒ２で挟まれた垂直共振器構造を有するＶＣＳＥＬである。面発光レーザ５１は、一例として、第２反射鏡Ｒ２を除いてＩｎＰ系（ＩｎＰに格子整合する材料系）からなる。

　活性層２０４は、一例として、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有する。活性層２０４の発光波長は、例えば１．２μｍ以上２μｍ以下である。

　第１反射鏡Ｒ１は、一例として、ｎ型の半導体多層膜反射鏡である。具体的には、第１反射鏡Ｒ２は、例えばＩｎＰ系ＤＢＲであり、ＡｌＧａＩｎＡｓを含むことが好ましい。より具体的には、第１反射鏡Ｒ２は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓのペア又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓのペアを含むことが好ましい。

　第２反射鏡Ｒ２は、一例として、誘電体多層膜反射鏡からなる。第２反射鏡Ｒ２は、例えばＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなることが好ましい。

　面発光レーザ５１では、一例として、第１反射鏡Ｒ１の反射率が第２反射鏡Ｒ２の反射率よりも幾分高く設定された表面出射型の面発光レーザであるが、第２反射鏡Ｒ２の反射率を第１反射鏡Ｒ１の反射率よりも幾分高く設定することにより裏面出射型の面発光レーザとすることもできる。

　第２構造ＳＴ２は、活性層２０４と第２反射鏡Ｒ２との間に設けられた、メサ状の複数（例えば８つ）のトンネルジャンクション層２０６（複数のＴＪメサ）と、複数のトンネルジャンクション層２０６を覆う半導体層である埋め込み層２０７（例えばｎ－ＩｎＰ層）とを含む。各トンネルジャンクション層２０６と埋め込み層２０７とにより、ＢＴＪが構成されている。埋め込み層２０７の厚さは、２００ｎｍ以上であることが好ましい。埋め込み層２０７の厚さは、例えば３００ｎｍとすることができる。

　第１構造ＳＴ１は、さらに、第１反射鏡Ｒ１の活性層２０４側とは反対側に配置された基板２００（例えばＩｎＰ基板）と、第１反射鏡Ｒ１と活性層２０４との間に配置された第１クラッド層２０３（例えばｎ－ＩｎＰ層）とを含む。

　第２構造ＳＴ２は、さらに、活性層２０４と複数のトンネルジャンクション層２０６との間に配置された第２クラッド層２０５（例えばｐ－ＩｎＰ層）とを含む。複数のトンネルジャンクション層２０６は、一例として、第２クラッド層２０５上にアレイ状（例えば行列状）に配置されている。各トンネルジャンクション層２０６は、側方及び上方から埋め込み層２０７（例えばｎ－ＩｎＰ層）により覆われている。

　第２構造ＳＴ２は、さらに、埋め込み層２０７の、活性層２０４側とは反対側に設けられたアノード電極３０７（電極）を含む。アノード電極３０７は、一例として、埋め込み層２０７の、複数のトンネルジャンクション層２０６のいずれとも重ならない領域上に設けられている。アノード電極３０７は、前述したアノード配線３０５と同様の材料からなる。

　アノード電極３０７は、少なくとも一部が、埋め込み層２０７と第２反射鏡Ｒ２との間に配置されている。詳述すると、第２反射鏡Ｒ２が、アノード電極３０７及び埋め込み層２０７を切れ目なく連続的に覆っている。

　面発光レーザ５１には、一例として、電極設置用の段差部２０３ａが設けられている。段差部２０３ａは、例えば、第１クラッド層２０３内に底面を有する。該底面上にカソード電極３０６が設置されている。カソード電極３０６は、レーザドライバの陰極に電気的に接続される。

　面発光レーザ５１には、一例として、素子分離用の段差部２００ａが設けられている。段差部２００ａは、基板２００内に底面を有する。

　複数のトンネルジャンクション層２０６（複数のＴＪメサ）は、光学的に分離されるように面内方向に離間して配置されている。活性層２０４は、複数のトンネルジャンクション層２０６に個別に対応する複数の発光領域（電流注入領域）を有する。すなわち、面発光レーザ５１は、実質的に、独立した複数の発光部を有する面発光レーザアレイを構成する。よって、面発光レーザ５１からは、横モードが基本モード又は高次モードのレーザ光が複数（トンネルジャンクション層２０６の数と同数）の個所から出射される。

　一方で、複数のトンネルジャンクション層（ＴＪメサ）を埋め込み層で埋め込んだＢＴＪ構造を有する従来の面発光レーザ（例えば特開２０１４－２０３８９４号）は、複数のトンネルジャンクション層が光学的に結合するように近接して配置され、活性層が実質的に単一の発光領域を有する。すなわち、当該面発光レーザは、実質的に単一の発光部を有する面発光レーザを構成する。よって、当該面発光レーザからは、横モードが基本モードのレーザ光が単一個所から出射される。

　このように、従来の面発光レーザ（例えば特開２０１４－２０３８９４号）では、隣接するＴＪメサ同士の間隔を狭くして光学的に結合させることを目的としているのに対して、面発光レーザ５１では、隣接するＴＪメサ同士の間隔を広げて光学的に分離することにより横モードをＴＪメサ毎に孤立化させる。

　面発光レーザ５１では、隣接するＴＪメサ間での熱干渉を抑制でき、長時間の連続した高出力レーザ発振が可能となる。さらに、面発光レーザ５１では、隣接するＴＪメサ間に対応する領域に電極を配置しても、実質的に光学的な損失がほとんど発生せず、光学特性に対する影響がほとんどない。一方、従来の面発光レーザ（例えば特開２０１４－２０３８９４号）では、隣接するＴＪメサ間で熱干渉を抑制できず、また隣接するＴＪメサ間に対応する領域に光学的に損失となる電極を配置することができない。

　図３９に示すように、複数のトンネルジャンクション層２０６のうち隣り合う２つのトンネルジャンクション層２０６の間隔ｄ_ｇａｐは、複数のトンネルジャンクション層２０６の各々の径ｄ_ＴＪよりも大きい。これにより、隣り合う２つのトンネルジャンクション層２０６を光学的に分離することが可能となるとともに、隣接するＴＪメサ間での熱干渉が抑制される。

　隣り合う２つのトンネルジャンクション層２０６の間隔ｄ_ｇａｐは、複数のトンネルジャンクション層２０６径ｄ_ＴＪの３倍以上であることが好ましく、４倍以上であることがより好ましく、５倍以上であることがより一層好ましい。これにより、隣接するＴＪメサ同士をより確実に光学的に分離することが可能となる。例えば、ｄ_ＴＪが１０μｍであるときに、ｄ_ｇａｐが３０μｍ以上であることが好ましく、４０μｍ以上であることがより好ましく、５０μｍ以上であることがより一層好ましい。

　図４０は、トンネルジャンクション層２０６の配列ピッチ（ｄ_ｇａｐ＋ｄ_ＴＪ）と最高温度Ｔｍａｘとの関係を示すグラフである。補足すると、図４０は、トンネルジャンクション層２０６の数（Ｎ_ｅｍｉｔｔｅｒ）が８、ｄ_ＴＪ（Φ）が１０μｍ、トンネルジャンクション層２０６に０．１Ｗの熱（Ｑｉｎ）が発生したときの、最低温度が２５℃（Ｔｂｏｔｔｏｍ、環境温度）の定常状態における最高温度を有限要素法により算出した結果を示す。図４０から、ピッチが４０μｍ未満の場合に、ピッチが小さくなるにつれて隣接するＴＪメサ間での熱干渉が急激に強くなり最高温度が急激に高くなる。逆に、ピッチが４０μｍ以上の場合に、ピッチが大きくなるにつれて隣接するＴＪメサ間での熱干渉が徐々に弱くなり最高温度が最低値（例えば４２℃）に漸近していくことがわかる。補足すると、最高温度は、ピッチが１００μｍ以上では略一定値（例えば４２℃）となる。

　図４１Ａは、トンネルジャンクション層２０６の配列ピッチと最高温度の具体例１を示す図である。図４１Ｂは、トンネルジャンクション層２０６の配列ピッチと最高温度の具体例２を示す図である。面発光レーザ５１では、図４１Ａに示すようにピッチが２０μｍのときに最高温度が５０．５℃となり、図４１Ｂに示すようにピッチが６０μｍのときに最高温度が４３．８℃となっている。

　以上より、熱干渉を効果的に抑制しつつ発光部を高密度配置する観点から、複数のトンネルジャンクション層２０６の配列ピッチは、４０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上９０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以上８０μｍ以下であることがより一層好ましい。

　アノード電極３０７は、一例として、電極部３０７ａ、パッド部３０７ｂ及び接続部３０７ｃを一体に有する。

　電極部３０７ａは、複数（例えば８つ）のトンネルジャンクション層２０６に対応する複数（例えば８つ）の開口部ＡＰを有する層状部からなる。電極部３０７ａは、平面視において、複数のトンネルジャンクション層２０６の各々の周辺に存在する部分を有する。該部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層２０６と該トンネルジャンクション層２０６に隣接するトンネルジャンクション層２０６との間に少なくとも一部（例えば一部）が存在する。該部分は、平面視において、対応するトンネルジャンクション層２０６を囲んでいる。

　以上のように、電極部３０７ａが、各トンネルジャンクション層２０６に対応する部分を有するので、隣接するＴＪメサ同士の間隔を広げても、複数のトンネルジャンクション層２０６を介して対応する複数の発光領域に均一に電流を注入することができ、動作電圧の上昇も抑制できる。

　パッド部３０７ｂは、接続部３０７ｃを介して電極部３０７ａと接続されている。パッド部３０７ｂは、レーザドライバの陽極に電気的に接続される。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ５１の動作について説明する。面発光レーザ５１では、レーザドライバの陽極側からアノード電極３０７を介して流入された電流が、各ＢＴＪで狭窄され、第２クラッド層２０５を経て、活性層２０４の該ＢＴＪに対応する発光領域に注入される。このとき、各発光領域が発光し、該発光領域からの光が第１及び第２反射鏡Ｒ１、Ｒ２の間を対応するＢＴＪで狭窄され且つ該発光領域で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに第２反射鏡Ｒ２側からレーザ光として出射される。各発光領域に注入された電流は、第１クラッド層２０３及びカソード電極３０６をこの順に介してレーザドライバの陰極側へ流出される。

　図４２Ａに示すように、面発光レーザ５１の駆動時にトンネルジャンクション層２０６で発生した熱の一部は、第２クラッド層２０５及び活性層２０４をこの順に介して基板２００側（下側）に排出され、他部は、埋め込み層２０７及び／又は第２反射鏡Ｒ２、第２クラッド層２０５及び活性層２０４をこの順に介して基板２００側（下側）に排出される。このように、面発光レーザ５１では、トンネルジャンクション層２０６近傍で発生した熱の排熱経路が多く存在するため、排熱性に優れ、素子の駆動時の温度上昇を十分に抑制できる。

　一方、図４２Ｂに示す従来の面発光レーザでは、駆動時に各メサの酸化狭窄層ＯＣＬ近傍で発生した熱は、第２クラッド層ＣＬ２の一部、活性層ＡＬ及び第１クラッド層ＣＬ１を介して基板側に排出される。このように、従来の面発光レーザでは、酸化狭窄層ＯＣＬで発生した熱の排熱経路が少ないため、排熱性に劣り、素子の駆動時の温度上昇を十分に抑制できない。

≪面発光レーザの製造方法の一例≫
　以下、面発光レーザ５１の製造方法の一例について、図４３のフローチャート等を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板２００の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ５１を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ５１を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ５１（面発光レーザチップ）を得る。

　最初のステップＳ４１では、積層体を生成する（図４４Ａ参照）。具体的には、例えばＭＯＣＶＤ法により、基板２００上に第１反射鏡Ｒ１、第１クラッド層２０３、活性層２０４、第２クラッド層２０５及びトンネルジャンクション層２０６をこの順に積層して積層体を生成する。

　次のステップＳ４２では、複数のＴＪメサを形成する（図４４Ｂ参照）。具体的には、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、積層体に複数のトンネルジャンクション層２０６（直径が例えば１０μｍ、ピッチが例えば５０μｍ）を形成する。

　次のステップＳ４３では、埋め込み層２０７を形成する（図４５Ａ参照）。具体的には、例えばＭＯＣＶＤ法により、複数のＴＪメサが形成された積層体上に埋め込み層２０７としてのｎ－ＩｎＰ層を成膜する。この結果、埋め込み層２０７によりＴＪメサが埋め込まれる。

　次のステップＳ４４では、段差を形成する（図４５Ｂ参照）。具体的には、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、電極設置用の段差部２０３ａと、素子分離用の段差部２００ａとを形成する。

　次のステップＳ４５では、アノード電極３０７及びカソード電極３０６を形成する（図４６Ａ参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、埋め込み層２０７上にアノード電極３０７を形成するとともに、段差部２０３ａの底面上にカソード電極３０６を形成する。このときの電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行う。

　次のステップＳ４６では、絶縁膜３０３を成膜する（図４６Ｂ参照）。具体的には、絶縁膜３０３を全面に成膜する。

　次のステップＳ４７では、絶縁膜３０３の一部を除去する（図４７Ａ参照）。具体的には、絶縁膜３０３のアノード電極３０７を覆う部分及びカソード電極３０６を覆う部分を例えばドライエッチングにより除去する。この結果、アノード電極３０７及びカソード電極３０６が露出する。

　最後のステップＳ４８では、第２反射鏡Ｒ２を形成する（図４７Ｂ参照）。具体的には、先ず、誘電体多層膜を全面に成膜する。次いで、フォトリソグラフィーにより、アノード電極３０７上及び埋め込み層２０７上に形成された誘電体多層膜以外の誘電体多層膜を選択的に除去する。この結果、第２反射鏡Ｒ２が形成される。その後、面発光レーザ５１を個片化し、必要に応じてヒートシンク上に実装し、アノード電極３０７及びカソード電極３０６を例えばワイヤーボンディングによりレーザドライバの対応する端子に接続する。

＜１２．本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザ５２について説明する。

　図４８Ａは、本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザ５２の平面図である。図４８Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例２に係る面発光レーザ５２の断面図である。図４８Ｂは、図４８Ａの４８Ｂ－４８Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ５２は、図４８Ａ及び図４８Ｂに示すように、アノード電極３０７の電極部３０７ａにおいて、平面視において、複数のトンネルジャンクション層２０６の各々の周辺に存在する部分であって、対応するトンネルジャンクション層２０６を囲んでいる略円環状の部分３０７ａ１が例えば直線状の連結部３０７ａ２を介して連結されている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ５２は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５２によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の効果を奏する。

＜１３．本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザ５３について説明する。

　図４９Ａは、本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザ５３の断面図である。図４９Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例３に係る面発光レーザ５３の平面図である。図４９Ａは、図４９Ｂの４９Ａ－４９Ａ線断面図である。

　面発光レーザ５３は、図４９Ａ及び図４９Ｂに示すように、第１構造ＳＴ１の基板１０１がＧａＡｓ基板、第１反射鏡Ｒ１がＧａＡｓ系半導体ＤＢＲであり、第１構造ＳＴ１の第１クラッド層２０３、第２構造ＳＴ２の活性層２０４、第２クラッド層２０５、トンネルジャンクション層２０６及び埋め込み層２０７がＩｎＰ系の化合物半導体からなる点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ５３は、第１反射鏡Ｒ１と第１クラッド層２０３との間に接合界面ＢＩを有する。

　面発光レーザ５３は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５３によれば、面発光レーザ５１と同様の効果を奏するとともに、基板１０１及び第１反射鏡Ｒ１にＩｎＰ系の材料よりも放熱性に有利なＧａＡｓ系の材料を用いているので、駆動時の素子の温度上昇を抑制することができる。

＜１４．本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザ５４について説明する。

　図５０Ａは、本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザ５４の断面図である。図５０Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例４に係る面発光レーザ５４の平面図である。図５０Ａは、図５０Ｂの５０Ａ－５０Ａ線断面図である。

　面発光レーザ５４は、図５０Ａ及び図５０Ｂに示すように、第２反射鏡Ｒ２が、ｎ型の半導体多層膜反射鏡である点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ５２と概ね同様の構成を有する。

　ここでは、第２反射鏡Ｒ２が、例えばＩｎＰ系半導体ＤＢＲであり、ＡｌＧａＩｎＡｓを含むことが好ましい。より具体的には、第１反射鏡Ｒ２は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓのペア又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓのペアを含むことが好ましい。

　面発光レーザ５４では、アノード電極３０７が第２反射鏡Ｒ２の活性層２０４側とは反対側の面（上面）上に設けられている。

　面発光レーザ５４は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５４によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の効果を奏する。

＜１５．本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザ５５について説明する。

　図５１Ａは、本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザ５５の平面図である。図５１Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例５に係る面発光レーザ５５の断面図である。図５１Ｂは、図５１Ａの５１Ｂ－５１Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ５５は、図５１Ａ及び図５１Ｂに示すように、電極部３０７ａの、平面視において各トンネルジャンクション層２０６の周辺に存在する部分３０７ａ１がスプリットリング形状（略Ｃ字形状）を有する点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ５２と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ５５は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５５によれば、実施例２に係る面発光レーザ５２と同様の効果を奏するとともに、電極部３０７ａの作製が比較的容易であり、歩留まりの向上が期待できる。

＜１６．本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザ５６について説明する。

　図５２Ａは、本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザ５６の平面図である。図５２Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例６に係る面発光レーザ５６の断面図である。図５２Ｂは、図５２Ａの５２Ｂ－５２Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ５６は、図５２Ａ及び図５２Ｂに示すように、電極部３０７ａが、平面視において、複数のトンネルジャンクション層２０６のうち少なくとも２つのトンネルジャンクション層２０６（例えば全てのトンネルジャンクション層２０６）を一緒に囲んでいる点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の構成を有する。

　ここでは、電極部３０７ａは、全てのトンネルジャンクション層２０６を一括して取り囲む枠状となっている。

　面発光レーザ５６は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５６によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏するとともに、電極部３０７ａの作製が極めて容易であり、歩留まりの向上が期待できる。

＜１７．本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザ５７について説明する。

　図５３Ａは、本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザ５７の断面図である。図５３Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例７に係る面発光レーザ５７の平面図である。図５３Ａは、図５３Ｂの５３Ａ－５３Ａ線断面図である。

　面発光レーザ５７は、図５３Ａ及び図５３Ｂに示すように、第２反射鏡Ｒ２としての誘電体多層膜反射鏡が、アノード電極３０７の各開口部ＡＰに対応する部分（各ＴＪメサに対応する部分）のみを有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の構成を有する。

　ここでは、第２反射鏡Ｒ２は、アノード電極３０７の各開口部ＡＰの周辺に段部を有していない。

　面発光レーザ５７は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５７によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏するとともに、第２反射鏡Ｒ２が、電極部３０７ａの各開口部ＡＰの周辺に段部を有していないので、クラックが入り難く、歩留まりの向上が期待できる。

＜１８．本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザ５８について説明する。

　図５４Ａは、本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザ５８の平面図である。図５４Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例８に係る面発光レーザ５８の断面図である。図５４Ｂは、図５４Ａの５４Ｂ－５４Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ５８は、図５４Ａ及び図５４Ｂに示すように、電極部３０７ａの各開口部ＡＰの形状が異なる点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ５８では、各開口部ＡＰは、平面視において、対応するトンネルジャンクション層２０６よりも大きい矩形状であるが、その他の形状であってもよい。

　面発光レーザ５８は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５８によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏する。

＜１９．本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザ５９について説明する。

　図５５Ａは、本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザ５９の平面図である。図５５Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例９に係る面発光レーザ５９の断面図である。図５５Ｂは、図５５Ａの５５Ｂ－５５Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ５９は、図５５Ａ及び図５５Ｂに示すように、電極部３０７ａが、平面視で一方向に配列された複数（例えば４つ）の開口部ＡＰを有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ５９では、各開口部ＡＰは、上記一方向と交差（例えば直交）する他方向に配列された複数（例えば２つ）のトンネルジャンクション層２０６に対応している。ここでは、各開口部ＡＰは、平面視において対応する複数のトンネルジャンクション層２０６を一緒に囲む矩形状であるが、その他の形状であってもよい。

　面発光レーザ５９は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ５９によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏する。

＜２０．本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ６０について説明する。

　図５６Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ６０の平面図である。図５６Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ６０の断面図である。図５６Ｂは、図５６Ａの５６Ｂ－５６Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ６０は、図５６Ａ及び図５６Ｂに示すように、電極部３０７ａが、平面視で一方向に配列された複数（例えば２つ）の開口部ＡＰを有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ６０では、各開口部ＡＰは、マトリクス状に配列された複数（例えば４つ）のトンネルジャンクション層２０６に対応している。ここでは、各開口部ＡＰは、平面視において対応する複数のトンネルジャンクション層２０６を一緒に囲む矩形状であるが、その他の形状であってもよい。

　面発光レーザ６０は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ６０によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏する。

＜２１．本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ６１について説明する。

　図５７Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ６１の平面図である。図５７Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ６１の断面図である。図５７Ｂは、図５７Ａの５７Ｂ－５７Ｂ線断面図である。

　面発光レーザ６１は、図５７Ａ及び図５７Ｂに示すように、電極部３０７ａが、平面視で一方向に配列された複数（例えば２つ）の開口部ＡＰを有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ６１では、各開口部ＡＰは、上記一方向に交差（例えば直交）する他方向に配列された複数（例えば４つ）のトンネルジャンクション層２０６に対応している。ここでは、各開口部ＡＰは、平面視において対応する複数のトンネルジャンクション層２０６を一緒に囲む矩形状であるが、その他の形状であってもよい。

　面発光レーザ６１は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ６１によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏する。

＜２２．本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ６２について説明する。

　図５８Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ６２の断面図である。図５８Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ６２の平面図である。図５８Ａは、図５８Ｂの５８Ａ－５８Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６２は、図５８Ａ及び図５８Ｂに示すように、第１反射鏡Ｒ１が誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２反射鏡Ｒ２が半導体多層膜反射鏡である点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の構成を有する。

　ここでは、第１反射鏡Ｒ１としての誘電体多層膜反射鏡が、実施例１に係る面発光レーザ５１の第２反射鏡Ｒ２としての誘電体多層膜反射鏡と同様の材料からなる。第２反射鏡Ｒ２としての半導体多層膜反射鏡が、実施例４に係る面発光レーザ５４の第２反射鏡Ｒ２としての半導体多層膜反射鏡と同様の材料からなる。

　面発光レーザ６２では、基板２００が薄膜化されており、放熱性の向上が期待できる。

　面発光レーザ６２は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ６２によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の効果を奏する。

＜２３．本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ６３について説明する。

　図５９Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ６３の断面図である。図５９Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ６３の平面図である。図５９Ａは、図５９Ｂの５９Ａ－５９Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６３は、図５９Ａ及び図５９Ｂに示すように、カソード電極３０６が基板２００の裏面（下面）に設けられている点を除いて、実施例１２に係る面発光レーザ６２と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ６３では、基板２００が例えばｎ型にドープされている。

　面発光レーザ６３は、表面出射型及び裏面出射型のいずれにも適用可能である。

　面発光レーザ６３によれば、実施例１に係る面発光レーザ６１と概ね同様の効果を奏する。

＜２４．本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ６４について説明する。

　図６０Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ６４の断面図である。図６０Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ６４の平面図である。図６０Ａは、図６０Ｂの６０Ａ－６０Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６４は、図６０Ａ及び図６０Ｂに示すように、第１反射鏡Ｒ１が、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲと金属反射鏡ＭＲとを含むハイブリッドミラーである点を除いて、実施例１２に係る面発光レーザ６２と同様の構成を有する。面発光レーザ６４は、表面出射型の面発光レーザである。

　第１反射鏡Ｒ１は、基板２００の裏面（下面）に設けられている。第１反射鏡Ｒ１では、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲ及び金属反射鏡ＭＲが基板２００側（上側）からこの順に積層されている。金属反射鏡ＭＲは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の少なくとも一種からなる単層膜又は多層膜からなる。

　面発光レーザ６４は、第１反射鏡Ｒ１の反射率が第２反射鏡Ｒ２の反射率よりも若干高く設定されており、基板２００の表面側（上側）へ光を出射する。

　面発光レーザ６４によれば、実施例１２に係る面発光レーザ６２と同様の効果を奏するとともに、金属反射鏡ＭＲによる放熱性の向上が期待できる。

＜２５．本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ６５について説明する。

　図６１Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ６５の断面図である。図６１Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ６５の平面図である。図６１Ａは、図６１Ｂの６１Ａ－６１Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６５は、図６１Ａ及び図６１Ｂに示すように、第１反射鏡Ｒ１が、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲと金属反射鏡ＭＲとを含むハイブリッドミラーであり、且つ、金属反射鏡ＭＲがカソード電極を兼ねる点を除いて、実施例１２に係る面発光レーザ６２と同様の構成を有する。面発光レーザ６５は、表面出射型の面発光レーザである。

　ここでは、第１反射鏡Ｒ１は、基板２００の裏面（下面）に設けられている。第１反射鏡Ｒ１では、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲが基板２００の裏面中央部に設けられ、且つ、金属反射鏡ＭＲが誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲを下方及び側方から覆うように基板２００の裏面周辺部に設けられている。金属反射鏡ＭＲは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の少なくとも一種からなる単層膜又は多層膜からなる。基板２００は、例えばｎ型にドープされている。

　面発光レーザ６５は、第１反射鏡Ｒ１の反射率が第２反射鏡Ｒ２の反射率よりも若干高く設定されており、基板２００の表面側（上側）へ光を出射する。

　面発光レーザ６５によれば、実施例１２に係る面発光レーザ６２と同様の効果を奏するとともに、金属反射鏡ＭＲによる一層の放熱性の向上が期待できる。

＜２６．本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ６６について説明する。

　図６２Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ６６の断面図である。図６２Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ６６の平面図である。図６２Ａは、図６２Ｂの６２Ａ－６２Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６６は、図６２Ａ及び図６２Ｂに示すように、アノード電極３０７が第２反射鏡Ｒ２上にベタ状に設けられている点（開口部を有していない点）を除いて、実施例４に係る面発光レーザ５４と同様の構成を有する。面発光レーザ６６は、裏面出射型の面発光レーザである。

　ここでは、電極部３０７ａは、複数のトンネルジャンクション層２０６のいずれにも重なるように第２反射鏡Ｒ２上にベタ状に設けられている。

　面発光レーザ６６では、第２反射鏡Ｒ２の反射率が第１反射鏡Ｒ１の反射率よりも若干高く設定されており、基板２００の裏面側（下側）へ光を出射する。

　面発光レーザ６６によれば、実施例４に係る面発光レーザ５４と同様の効果を奏するとともに、アノード電極３０７が開口部を有していない分、放熱性の向上が期待できる。

＜２７．本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ６７について説明する。

　図６３Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ６７の断面図である。図６３Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１７に係る面発光レーザ６７の平面図である。図６３Ａは、図６３Ｂの６３Ａ－６３Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６７は、図６３Ａ及び図６３Ｂに示すように、第２反射鏡Ｒ２が半導体多層膜反射鏡ＳＭＲ（例えばＩｎＰ系半導体ＤＢＲ）及び金属反射鏡ＭＲを含むハイブリッドミラーであり、且つ、第２反射鏡Ｒ２の一部がアノード電極の電極部を兼ねる点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ６７は、裏面出射型の面発光レーザである。

　ここでは、半導体多層膜反射鏡ＳＭＲ上に金属反射鏡ＭＲが積層されている。金属反射鏡ＭＲがアノード電極としても機能する。面発光レーザ６７では、金属反射鏡ＭＲを設けている分、半導体多層膜反射鏡ＳＭＲのペア数を減らすことができ、放熱性の点で有利である。

　金属反射鏡ＭＲは、複数のトンネルジャンクション層２０６のいずれにも重なるように半導体多層膜反射鏡ＳＭＲ上にベタ状に設けられている。

　面発光レーザ６７では、第２反射鏡Ｒ２の反射率が第１反射鏡Ｒ１の反射率よりも若干高く設定されており、基板２００の裏面側（下側）へ光を出射する。

　面発光レーザ６７によれば、実施例４に係る面発光レーザ５４と同様の効果を奏するとともに、半導体多層膜反射鏡ＳＭＲ上に金属反射鏡ＭＲを設けているので、放熱性の十分な向上が期待できる。

＜２８．本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ＞

　以下、本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ６８について説明する。

　図６４Ａは、本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ６８の断面図である。図６４Ｂは、本技術の第２実施形態の実施例１８に係る面発光レーザ６８の平面図である。図６４Ａは、図６４Ｂの６４Ａ－６４Ａ線断面図である。

　面発光レーザ６８は、第２反射鏡Ｒ２が誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲ及び金属反射鏡ＭＲを含むハイブリッドミラーである点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ５１と概ね同様の構成を有する。面発光レーザ６８は、裏面出射型の面発光レーザである。

　ここでは、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲ上に金属反射鏡ＭＲが積層されている。面発光レーザ６８では、金属反射鏡ＭＲを設けている分、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲのペア数を減らすことができ、放熱性の点で有利である。

　金属反射鏡ＭＲは、複数のトンネルジャンクション層２０６のいずれにも重なるように誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲ上にベタ状に設けられている。

　面発光レーザ６８では、第２反射鏡Ｒ２の反射率が第１反射鏡Ｒ１の反射率よりも若干高く設定されており、基板２００の裏面側（下側）へ光を出射する。

　面発光レーザ６８によれば、実施例１に係る面発光レーザ５１と同様の効果を奏するとともに、誘電体多層膜反射鏡ＤＭＲ上に金属反射鏡ＭＲが設けられているので、放熱性の向上が期待できる。

＜２９．本技術のその他の変形例＞
　本技術は、上記第１及び第２実施形態の各実施例や各変形例に限定されることなく、種々の変形が可能である。

　例えば、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２を構成する材料系（第１及び第２材料系）は、異なる材料系であればよく、上記第１実施形態の各実施例及び各変形例のものに限定されない。

　例えば、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２は、異なる材料系からなる誘電体多層膜反射鏡であってもよい。

　例えば、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、２０２の一方が半導体多層膜反射鏡であり、且つ、他方が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。

　例えば、上記第１実施形態の各実施例及び各変形例では、表面出射型の面発光レーザを例にとって説明したが、本技術に係る面発光レーザは、裏面出射型の面発光レーザを構成することも可能である。

　例えば、アノード配線３０５に接するコンタクト層２０８、１０８は、必須ではない。

　例えば、カソード電極３０６に接するコンタクト層を有していてもよい。

　例えば、第２反射鏡Ｒ２は、誘電体多層膜反射鏡に限らず、半導体多層膜反射鏡であってもよい。

　例えば、面発光レーザが、複数のトンネルジャンクション層２０６（ＴＪメサ）を有する場合に、複数のトンネルジャンクション層２０６の配列は、マトリクス配列に限らず、要は、一次元配列及び／又は２次元配列であればよい。いずれの配列の場合でも、その配列に応じて、アノード電極３０７の電極部３０７ａのレイアウトを適正なレイアウトに設定することが好ましい。トンネルジャンクション層２０６の数も適宜変更可能である。

　上記各実施例及び各変形例の面発光レーザにおいて、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の導電型（ｐ型及びｎ型）を入れ替えてもよい。

　上記各実施例及び各変形例の面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　上記各実施例及び各変形例において、面発光レーザを構成する各構成要素の材質、導電型、厚み、幅、長さ、形状、大きさ、配置等は、面発光レーザとして機能する範囲内で適宜変更可能である。

＜３０．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体や、低消費電力機器（例えばスマートフォン、スマートウォッチ、タブレット、マウス等）に搭載される装置として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光レーザは、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜３１．面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施例及び各変形例に係る面発光レーザの適用例について説明する。

　図６５は、電子機器の一例としての、面発光レーザ１０を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１０を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、レンズ１１５、１３５、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。

　受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１５は、面発光レーザ１０から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３５は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

　信号処理部１４０は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１０の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ１０に代えて、上記面発光レーザ１０－１、１０－２、２０、２０－１、３０－１、４０、４０－１、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６８、６８のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。
＜３２．距離測定装置を移動体に搭載した例＞

　図６６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図６６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図６６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図６７は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図６７では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図６７には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１反射鏡を含む第１構造と、
　第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第１反射鏡は、積層された第１及び第２多層膜反射鏡を有し、
　前記第１多層膜反射鏡は、第１材料系からなり、
　前記第２多層膜反射鏡は、前記第１材料系とは異なる第２材料系からなる、面発光レーザ。
（２）前記第１及び第２多層膜反射鏡は、いずれも半導体多層膜反射鏡である、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記第１材料系は、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体であり、前記第２材料系は、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体である、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記第１材料系は、格子定数がＧａＡｓの格子定数の±０．２％の範囲内にあり、前記第２材料系は、格子定数がＩｎＰの格子定数の±０．２％の範囲内にある、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（５）前記第１多層膜反射鏡と前記活性層との間に前記第２多層膜反射鏡が配置されている、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（６）前記活性層は、ＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＡｓＰ系化合物半導体からなる、（１）～（５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（７）前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有する、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（８）前記活性層の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下である、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記第１構造は、前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された中間層を更に含み、前記中間層は、前記第１多層膜反射鏡側に配置された、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体からなる第１層と、前記第２多層膜反射鏡側に配置された、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体からなる第２層と、を有する、（１）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記第１及び第２層は、互いに接合されている、（９）に記載の面発光レーザ。
（１１）前記第１構造は、前記第１反射鏡の前記活性層側とは反対側に配置された基板を更に含む、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記第１材料系は、ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_１－ＸＡｓ（０＜Ｘ≦１）である、（１）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記第２材料系は、ＡｌＧａＩｎＡｓを含む、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）前記第２材料系は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓである、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記中間層の厚さは、３００ｎｍ以下である、（９）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１６）前記第２多層膜反射鏡のペア数は、１以上２０以下である、（１）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１７）前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡である、（１）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１８）前記第２反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなる、（１）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１９）第１基板上に第１反射鏡の一部である第１多層膜反射鏡を含む第１半導体構造を積層する工程と、
　前記第１半導体構造と第２基板とを接合する工程と、
　前記第２基板上に前記第１反射鏡の他部である第２多層膜反射鏡及び活性層を前記第２基板側からこの順に含む第２半導体構造を形成する工程と、
　前記第２半導体構造上に第２反射鏡を形成する工程と、
　前記第２基板を薄膜化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
（２０）前記薄膜化する工程は、前記接合する工程と前記第２半導体構造を形成する工程との間に行われる、（１９）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２１）第１基板上に第１反射鏡の一部である第１多層膜反射鏡及び第１層を含む第１積層体を生成する工程と、
　第２基板上に前記第１反射鏡の他部である第２多層膜反射鏡、活性層及び第２反射鏡をこの順に含む第２積層体を生成する工程と、
　前記第１及び第２積層体を接合する工程と、
　前記第２基板を薄膜化する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
（２２）前記薄膜化する工程は、前記第２積層体を生成する工程と前記接合する工程との間に行われる、（２１）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２３）第１反射鏡を含む第１構造と、
　第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第２構造は、
　前記活性層と前記第２反射鏡との間に設けられた、メサ状の複数のトンネルジャンクション層と、
　前記複数のトンネルジャンクション層を覆う半導体層と、
　を含み、
　前記複数のトンネルジャンクション層は、光学的に分離されるように面内方向に離間して配置されている、面発光レーザ。
（２４）前記活性層は、前記複数のトンネルジャンクション層に個別に対応する複数の発光領域を有する、（２３）に記載の面発光レーザ。
（２５）前記複数のトンネルジャンクション層のうち隣り合う２つのトンネルジャンクション層の間隔は、前記複数のトンネルジャンクション層の各々の径よりも大きい、（２３）及び（２４）に記載の面発光レーザ。
（２６）前記間隔は、前記径の３倍以上である、（２５）に記載の面発光レーザ。
（２７）前記複数のトンネルジャンクション層の配列ピッチは、４０μｍ以上１００μｍ以下である、（２３）～（２６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２８）前記第２構造には、前記半導体層の前記活性層側とは反対側に電極が設けられている、（２３）～（２７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２９）前記電極は、前記複数のトンネルジャンクション層のいずれとも重なっていない、（２８）に記載の面発光レーザ。
（３０）前記電極は、前記複数のトンネルジャンクション層の少なくとも１つと重なっている、（２８）に記載の面発光レーザ。
（３１）前記電極は、平面視において、前記複数のトンネルジャンクション層の各々の周辺に存在する部分を有する電極部を含む、（２８）～（３０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３２）前記部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層と該トンネルジャンクション層に隣接する前記トンネルジャンクション層との間に少なくとも一部が存在する、（３１）に記載の面発光レーザ。
（３３）
　前記部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層を囲んでいる、（３１）又は（３２）に記載の面発光レーザ。
（３４）前記電極は、平面視において、前記複数のトンネルジャンクション層のうち少なくとも２つのトンネルジャンクション層を一緒に囲む電極部を含む、（２８）～（３３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３５）前記電極は、少なくとも一部が、前記半導体層と前記第２反射鏡との間に配置されている、（２８）～（３４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３６）前記第２反射鏡は、前記電極及び前記半導体層を覆っている、（２８）～（３５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３７）前記電極は、前記第２反射鏡の前記活性層側とは反対側に配置されている、（２８）～（３６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３８）前記第２反射鏡の一部が、前記電極を兼ねる、（２８）～（３７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３９）前記半導体層は、ＩｎＰからなる、（２３）～（３８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（４０）前記半導体層の厚さは、２００ｎｍ以上である、（２３）～（３９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（４１）前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含む、（２３）～（４０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（４２）前記誘電体多層膜反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなる、（４１）に記載の面発光レーザ。
（４３）前記第１反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含む、（２３）～（４２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（４４）前記誘電体多層膜反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなる、（４３）に記載の面発光レーザ。
（４５）前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有する、（２３）～（４４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（４６）前記活性層の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下である、（２３）～（４５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（４７）第１反射鏡の一部が、別の電極を兼ねる、（２３）～（４６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。

　１０、１０－１、１０－２、２０、２０－１、３０、３０－１、４０、４０－１、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６８、６８：面発光レーザ、１０１、２００：基板、１０２：第１多層膜反射鏡、１０３：第１層、２０１：第２層、２０２：第２多層膜反射鏡、２０４：活性層、２０６：トンネルジャンクション層、２０７：埋め込み層（半導体層）、３０７：アノード電極（電極）、３０７ａ：電極部、３０７ａ１：部分、ＳＴ１：第１構造、ＳＴ２：第２構造、Ｒ１：第１反射鏡、Ｒ２：第２反射鏡、ＭＬ：中間層。

Claims

　第１反射鏡を含む第１構造と、
　第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第１反射鏡は、積層された第１及び第２多層膜反射鏡を有し、
　前記第１多層膜反射鏡は、第１材料系からなり、
　前記第２多層膜反射鏡は、前記第１材料系とは異なる第２材料系からなる、面発光レーザ。
　前記第１及び第２多層膜反射鏡は、いずれも半導体多層膜反射鏡である、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１材料系は、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体であり、
　前記第２材料系は、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体である、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１材料系は、格子定数がＧａＡｓの格子定数の±０．２％の範囲内にあり、
　前記第２材料系は、格子定数がＩｎＰの格子定数の±０．２％の範囲内にある、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１多層膜反射鏡と前記活性層との間に前記第２多層膜反射鏡が配置されている、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記活性層は、ＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＡｓＰ系化合物半導体からなる、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有する、請求項５に記載の面発光レーザ。
　前記活性層の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下である、請求項６に記載の面発光レーザ。
　前記第１構造は、前記第１及び第２多層膜反射鏡の間に配置された中間層を更に含み、
　前記中間層は、
　前記第１多層膜反射鏡側に配置された、ＧａＡｓに格子整合する化合物半導体からなる第１層と、
　前記第２多層膜反射鏡側に配置された、ＩｎＰに格子整合する化合物半導体からなる第２層と、
　を有する、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２層は、互いに接合されている、請求項９に記載の面発光レーザ。
　前記第１構造は、前記第１反射鏡の前記活性層側とは反対側に配置された基板を更に含む、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記第１材料系は、ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_１－ＸＡｓ（０＜Ｘ≦１）である、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第２材料系は、ＡｌＧａＩｎＡｓを含む、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第２材料系は、ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＡｌＩｎＡｓ／ＡｌＧａＩｎＡｓである、請求項１３に記載の面発光レーザ。
　前記中間層の厚さは、３００ｎｍ以下である、請求項９に記載の面発光レーザ。
　前記第２多層膜反射鏡のペア数は、１以上２０以下である、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡である、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第２反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなる、請求項１に記載の面発光レーザ。
　第１基板上に第１反射鏡の一部である第１多層膜反射鏡を含む第１半導体構造を積層する工程と、
　前記第１半導体構造と第２基板とを接合する工程と、
　前記第２基板上に前記第１反射鏡の他部である第２多層膜反射鏡及び活性層を前記第２基板側からこの順に含む第２半導体構造を形成する工程と、
　前記第２基板を薄膜化する工程と、
　前記第２半導体構造上に第２反射鏡を形成する工程と、
　を含む、面発光レーザの製造方法。
　前記薄膜化する工程は、前記接合する工程と前記第２半導体構造を形成する工程との間に行われる、請求項１９に記載の面発光レーザの製造方法。
　第１反射鏡を含む第１構造と、
　第２反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を備え、
　前記第２構造は、
　前記活性層と前記第２反射鏡との間に設けられた、メサ状の複数のトンネルジャンクション層と、
　前記複数のトンネルジャンクション層を覆う半導体層と、
　を含み、
　前記複数のトンネルジャンクション層は、光学的に分離されるように面内方向に離間して配置されている、面発光レーザ。
　前記活性層は、前記複数のトンネルジャンクション層に個別に対応する複数の発光領域を有する、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記複数のトンネルジャンクション層のうち隣り合う２つのトンネルジャンクション層の間隔は、前記複数のトンネルジャンクション層の各々の径よりも大きい、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記間隔は、前記径の３倍以上である、請求項２３に記載の面発光レーザ。
　前記複数のトンネルジャンクション層の配列ピッチは、４０μｍ以上１００μｍ以下である、請求項２３に記載の面発光レーザ。
　前記第２構造には、前記半導体層の前記活性層側とは反対側に電極が設けられている、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、前記複数のトンネルジャンクション層のいずれとも重なっていない、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、前記複数のトンネルジャンクション層の少なくとも１つと重なっている、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、平面視において、前記複数のトンネルジャンクション層の各々の周辺に存在する部分を有する電極部を含む、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層と該トンネルジャンクション層に隣接する前記トンネルジャンクション層との間に少なくとも一部が存在する、請求項２９に記載の面発光レーザ。
　前記部分は、平面視において、対応する前記トンネルジャンクション層を囲んでいる、請求項２９に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、平面視において、前記複数のトンネルジャンクション層のうち少なくとも２つのトンネルジャンクション層を一緒に囲む電極部を含む、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、少なくとも一部が、前記半導体層と前記第２反射鏡との間に配置されている、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記第２反射鏡は、前記電極及び前記半導体層を覆っている、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、前記第２反射鏡の前記活性層側とは反対側に配置されている、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記第２反射鏡の一部が、前記電極を兼ねる、請求項２６に記載の面発光レーザ。
　前記半導体層は、ＩｎＰからなる、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記半導体層の厚さは、２００ｎｍ以上である、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記第２反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含む、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記誘電体多層膜反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなる、請求項３９に記載の面発光レーザ。
　前記第１反射鏡は、誘電体多層膜反射鏡を含む、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記誘電体多層膜反射鏡は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、ＭｇＦ_２及びＣａＦ_２の少なくとも一種を含む材料からなる、請求項４１に記載の面発光レーザ。
　前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓＰからなる量子井戸構造を有する、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　前記活性層の発光波長は、１．２μｍ以上２μｍ以下である、請求項２１に記載の面発光レーザ。
　第１反射鏡の一部が、別の電極を兼ねる、請求項２６に記載の面発光レーザ。