JP2012064812A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ10では、半導体層11は外形がリング状であり、活性層12と、活性層12の両側に形成された第1および第2クラッド層14a、14bと、第1および第2クラッド層14a、14b上に形成された第1および第2コンタクト層15a、15bと、第1および第2クラッド層14a、14bの外周側壁および内周側壁が選択的に改質され、第1および第2クラッド層14a、14bの屈折率より低い屈折率を有する第1および第2改質層14c、14dを含んでいる。第1および第2電極17、19が、第1および第2コンタクト層15a、15bに電気的に接続されている。
【選択図】 図1
Description
次に、図8(b)に示すように、露出した第2コンタクト層15bの上面の内周部および半導体層11の内側を埋め込む絶縁膜18上に、円板状の第2電極19を形成する。
11 半導体層
12 活性層
13a 第1光閉じ込め層
13b 、第2光閉じ込め層
14a 第1クラッド層
14b 第2クラッド層
14c 第1改質層
14d 第2改質層
15a 第1コンタクト層
15b 第2コンタクト層
17、51 第1電極
19 第2電極
18、85 絶縁膜
20、44、71 半導体基板
21、61 光導波路
22 クラッド層
23 光強度分布
31 外周側壁
32 内周側壁
41、43 シリコン酸化膜
42 シリコン層
52、55 コンタクトメタル
53、56 ビア
54 金属ポスト
72 トランジスタ
73 トランジスタ層
74 層間絶縁膜
75 メタル配線層
82、82a、82b マスク材
83 凸部
84 凹部
111 中央部
14e 第3改質層
14f 第4改質層
112 第5改質層
Claims (13)
- 外形がリング状であり、活性層と、前記活性層の両側に形成された第1および第2クラッド層と、前記第1および第2クラッド層上に形成された第1および第2コンタクト層と、前記第1および第2クラッド層の外周側壁および内周側壁が選択的に改質され、前記第1および第2クラッド層の屈折率より低い屈折率を有する第1および第2改質層を含む半導体層と、
前記第1および第2コンタクト層に電気的に接続された第1および第2電極と、
を具備することを特徴とする半導体レーザ。 - 外形がリング状であり、活性層と、前記活性層の両側に形成された第1および第2クラッド層と、前記第1および第2クラッド層上に形成された第1および第2コンタクト層と、前記第1クラッド層の一方の側壁と前記第2クラッド層の他方の側壁が選択的に改質され、前記第1および第2クラッド層の屈折率より低い屈折率を有する第1および第2改質層を含む半導体層と、
前記第1および第2コンタクト層に電気的に接続された第1および第2電極と、
を具備することを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第1クラッド層の外周側壁が前記第1改質層に選択的に改質され、前記第2クラッド層の内周側壁が前記第2改質層に選択的に改質されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ。
- 前記第1クラッド層の内周側壁が前記第1改質層に選択的に改質され、前記第2クラッド層の外周側壁が前記第2改質層に選択的に改質されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ。
- 前記第1および第2改質層が、前記活性層を挟むようにオーバラップしていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ。
- 外形がディスク状であり、活性層と、前記活性層の両側に形成された第1および第2クラッド層と、前記第1および第2クラッド層上に形成された第1および第2コンタクト層と、前記第1および第2クラッド層の側壁が選択的に改質され、前記第1および第2クラッド層の屈折率より低い屈折率を有する第1および第2改質層を含む半導体層と、
前記第1および第2コンタクト層に電気的に接続された第1および第2電極と、
を具備することを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第1および第2クラッド層の中央部が、イオン注入により電気的な絶縁性を有する第3および第4改質層に改質されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体レーザ。
- 前記第1および第2改質層は、前記第1および第2クラッド層の側壁が選択的に酸化された層であることを特徴とする請求項1、2、6に記載の半導体レーザ。
- 前記第1および第2改質層は、電気的な絶縁性を有することを特徴とする請求項8に記載の半導体レーザ。
- 前記半導体層は、前記円形状の外周に沿って周回する光の共振器であり、前記共振器が基板上に設けられた光導波路と光学的に結合するように前記基板に搭載されていることを特徴とする請求項1、2、6に記載の半導体レーザ。
- 前記活性層は、井戸層と障壁層が交互に積層された多重量子井戸層であることを特徴とする請求項1、2、6に記載の半導体レーザ。
- 前記活性層と前記第1および第2クラッド層との間に、第1および第2光閉じ込め層が形成されていることを特徴とする請求項1、2、6に記載の半導体レーザ。
- 前記半導体層がリング状であり、前記第2電極がリング状の前記第2コンタクト層の一部と接続されていることを特徴とする請求項1、2、6に記載の半導体レーザ。
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