JP2008300802A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型GaN基板101の一面上にn型クラッド層102、活性層103、p型クラッド層104、およびp型コンタクト層105が形成され、p型コンタクト層105の上面にp型オーミック電極106が形成されている。青紫色半導体レーザ素子100の上面側では、p型クラッド層104、p型コンタクト層105およびp型オーミック電極106からなるリッジ部Riが形成されている。リッジ部Riの両側におけるp型クラッド層104上の一定幅の領域には、リッジ部Riの側面およびp型クラッド層104の平坦面とリッジ部Riの側面上およびp型クラッド層104の平坦面上に形成されるSiO2膜107により取り囲まれたエアブロック層EBが形成されている。
【選択図】図2
Description
本実施の形態においては、半導体レーザ素子の一例として、波長約400nmのレーザ光を出射する半導体レーザ素子(以下、青紫色半導体レーザ素子と略記する)およびその製造方法を説明する。
図1および図2は、第1の実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子の製造方法を説明するための模式的工程図である。
(2−a)
本実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子100おいては、リッジ部Riの両側におけるp型クラッド層104上の一定幅の領域にエアブロック層EBが形成されている。それにより、リッジ部Riの両側の活性層103の領域における実効屈折率はエアブロック層EBの屈折率およびリッジ部Riの両側におけるp型クラッド層104の厚み(以下、クラッド層残厚と呼ぶ)CTの影響を受ける。
また、上記のように、リッジ部Riの両側におけるp型クラッド層104の平坦部上の一定幅の領域にエアブロック層EBを形成することにより、クラッド層残厚CTを大きくすることができる。
リッジ部Riに直交する方向におけるエアブロック層EBの幅WLは、青紫色半導体レーザ素子100から出射されるレーザ光の波長よりも大きくなるように設定することが好ましい。これにより、エアブロック層EBによる光の閉じ込め効果を十分に得ることができる。
(3−a)
上記青紫色半導体レーザ素子100おいては、n型GaN基板101の代わりに、α−SiC基板、GaAs基板、GaP基板、InP基板、Si基板、サファイア基板、スピネル基板、またはLiAlO3基板等の異種基板を用いてもよい。なお、結晶性に優れたAlGaInN系の半導体層を得るためには、Ga(ガリウム)、Al(アルミニウム)、In(インジウム)、Tl(タリウム)およびB(ホウ素)のうち少なくとも一つを含む13族元素の窒化物からなる窒化物系半導体基板を用いることが好ましい。
上記の活性層103は、井戸層および障壁層が積層されたMQW構造を有するが、単層構造を有してもよいし、SQW(単一量子井戸)構造を有してもよい。
n型クラッド層102は、活性層103のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する。
p型クラッド層104は、活性層103のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する。
n型クラッド層102、活性層103、p型クラッド層104およびp型コンタクト層105には、Ga、Al、In、TlおよびBのうち少なくとも一つを含む13族元素の窒化物を用いることができる。具体的には、各層の材料として、AlN、InN、BN、TlN、GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaNまたはこれらの混晶からなる窒化物系半導体を用いることができる。あるいは、窒化物系半導体の代わりにAlGaAs系、GaInAs系、AlGaInP系、AlGaInNAs系、AlGaSb系、AlGaInAsP系、MgZnSSe系、またはZnO系の半導体を用いてもよい。
本実施の形態では、Ge膜301の上面に絶縁膜としてSiO2膜302を形成する旨、ならびにGe膜303およびp型クラッド層104の上面に絶縁膜としてSiO2膜107を形成する旨を説明したが、絶縁膜としては、SiO2膜302,107に代えて、Si、Ti、Al、Ta(タンタル)、Zr(ジルコニウム)、Hf(ハフニウム)またはNb(ニオブ)等の酸化物膜を用いてもよいし、Si、TiまたはAl等の窒化物膜を用いてもよい。
上記では、エアブロック層EBを形成するための膜としてGe膜303を用いたが、Ge膜303に代えて、絶縁膜との間で選択的なケミカルエッチングが可能な他の材料からなる膜を用いてもよい。このような膜としては、例えば金属材料であるNi(ニッケル)、Zn(亜鉛)、Al、In、Sn、またはこれらの金属元素を含む化合物を用いることができる。さらに、Znの酸化物を用いることもできるし、有機物からなる材料を用いることもできる。
Ge膜303の除去は、ケミカルエッチングに代えて、Cl2(塩素)系ガス等を用いたドライエッチングにより行ってもよいし、サーマルエッチングにより行ってもよい。
本実施の形態においても、半導体レーザ素子の一例として、青紫色半導体レーザ素子およびその製造方法を説明する。以下では、第1の実施の形態における青紫色半導体レーザ素子およびその製造方法と異なる点のみを説明する。
図3は、第2の実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子の製造方法を説明するための模式的工程図である。
(2−a)
本実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子200においても、第1の実施の形態と同様に、リッジ部Riの両側におけるp型クラッド層104上の一定幅の領域にエアブロック層EBが形成されている。それにより、高出力化を妨げることなくレーザ光の水平広がり角を容易かつ十分に均一化することができる。
上記の例では、リッジ部Riの両側の平坦部上でそれぞれ約1.5μmの幅でGe膜303が除去され、約1.5μmの幅WLを有するエアブロック層EBが形成される。
本実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子200の各構成要素にも、第1の実施の形態において説明した変形例を適用することができる。
本実施の形態においても、半導体レーザ素子の一例として、青紫色半導体レーザ素子およびその製造方法を説明する。以下では、第1の実施の形態における青紫色半導体レーザ素子およびその製造方法と異なる点のみを説明する。
図4(a)は第3の実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子の上面図、図4(b)は図4(a)のZ−Z線断面図、図4(c)はワイヤボンドが行われた青紫色半導体レーザ素子300を示す上面図である。
(2−a)
本実施の形態では、エアブロック層EBの両端部が、共振器端面よりもそれぞれ距離L内側に位置する。
上述のように、パッド電極108の突出部分Tは、ワイヤボンディングのための領域として用いられる。それにより、ワイヤボンディングをエアブロック層EBが形成されていない領域で行うことができる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
101 n型GaN基板
102 n型クラッド層
103 活性層
104 p型クラッド層
105 p型コンタクト層
106 p型オーミック電極
107 SiO2膜
108 パッド電極
EB エアブロック層
L エアブロック層の端部と共振器端面との間の距離
Ri リッジ部
T パッド電極の突出部分
WL エアブロック層の幅
WR ワイヤ
Claims (7)
- 活性層と、
前記活性層上に形成される平坦部とその平坦部上の中央部に形成されるストライプ状のリッジ部とを有するクラッド層と、
前記リッジ部の両側面および前記平坦部を覆うように形成される絶縁層とを備え、
前記リッジ部の両側における前記絶縁層と前記平坦部との間の領域に空隙が形成されたことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記空隙は、前記リッジ部の両側面から所定の幅の領域に形成され、
前記所定の幅は、前記活性層から出射されるレーザ光の波長よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。 - 前記活性層は共振器を構成し、
前記空隙は、前記リッジ部と平行な方向において、前記共振器の端面から所定の距離内側の位置に至る領域を除いて形成されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体レーザ素子。 - 前記リッジ部を通して前記活性層に電流を供給するための電極をさらに備え、
前記電極は、前記空隙の領域の上方を除く前記絶縁層上の領域に延びる端子部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体レーザ素子。 - 活性層を形成する工程と、
前記活性層上にクラッド層を形成する工程と、
ストライプ状の領域を除いて前記クラッド層を所定深さまで除去することにより平坦部とその平坦部上のリッジ部とを形成する工程と、
前記リッジ部の側面および前記平坦部上を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記リッジ部の両側における前記絶縁層と前記平坦部との間の領域に空隙を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程は、
前記リッジ部の両側における平坦部上にエッチングにより除去可能な除去層を形成する工程と、
前記リッジ部の側面および前記除去層上に前記絶縁層を形成する工程とを含み、
前記空隙を形成する工程は、
エッチングにより前記除去層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項5記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記除去層を除去する工程は、前記リッジ部の両側における前記絶縁層と前記除去層との界面にエッチング液を浸透させることにより前記除去層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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