JP2007150269A - 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジの側面から、該リッジの両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを有するように第1の保護膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子。
【選択図】図1
Description
通常、リッジ導波路構造を用いるレーザ素子では、水平横モードを安定化させるためには、横モードの光閉じ込めを制御性及び再現性よく行わなければならず、そのために、屈折率の低い保護膜を埋込膜として用いることが知られている。
また、第2の第2導電型クラッド層及び第2導電型キャップ層からなるリッジと、リッジ頭頂部以外のリッジ側面に形成された誘電体膜と、リッジを覆う電極金属層とからなるレーザ素子において、リッジの上側面部分であって、誘電体膜又は電極金属層と続いて形成される厚膜電極との間に空洞を有するものが提案されている(例えば、特許文献2)。
また、水平横モードの光閉じ込めは、リッジ両側の半導体層に形成される保護膜の膜厚や密着状態に影響を受けるため制御が困難であった。
例えば、図6(a)に示したように、2つの主面を有する基板10上に、窒化物半導体層として、n型半導体層11、活性層12、p型半導体層13がこの順に形成されている。窒化物半導体の表面にはリッジ14が形成されており、リッジ14の側面から、窒化物半導体層の表面にわたってエアギャップ15が配置するように、窒化物半導体層の表面に第1の保護膜16が形成されている。リッジ14上面にはp電極17が、基板10の下面にはn電極20が、それぞれ形成されている。なお、図1に示したように、基板の上面にp電極17及びn電極20が形成されていてもよい。
窒化物半導体層は、n型半導体層とp型半導体層に光の導波路を構成する光ガイド層を有することで、活性層を挟んだ分離光閉じ込め型構造であるSCH(Separate Confinement Heterostructure)構造とすることが好ましい。但し、本発明は、これらの構造に限定されるものではない。
この基板としては、例えば、第1主面及び/又は第2主面に0°以上10°以下のオフ角を有する窒化物半導体基板とする。その膜厚は50μm以上10mm以下、好ましくは100μm以上1000μm以下である。窒化物半導体基板は、MOCVD法、HVPE法、MBE法等の気相成長法、超臨界流体中で結晶育成させる水熱合成法、高圧法、フラックス法、溶融法等により形成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。
窒化物半導体層は、n型半導体層、活性層、p型半導体層を、この順に、例えば、MOCVD法により、減圧〜大気圧の条件で成長させる。なお、n型半導体層、p型半導体層は、単一膜構造、多層膜構造又は組成比が互いに異なる2層からなる超格子構造としてもよい。
次いで、窒化物半導体層上に第1のマスクパターンを形成して、第1のマスクパターンを用いてエッチングすることによりリッジを形成する。
その後、第1のマスクパターンを利用して、窒化物半導体層をエッチングすることにより、例えば、ストライプ状のリッジを形成する。エッチングは、RIE法を用い、Cl2、CCl4、SiCl4及び/又はBCl3等のような塩素系のガスを用いることが適している。その際の条件の一例として、Cl2ガス流量5〜100sccm、SiCl4ガス流量10〜300sccm程度でエッチングすることが好ましい。また、エッチングの際の基板温度は、特に限定されないが、低温(例えば、60〜200℃程度)とすることが好ましい。
続いて、第1のマスクパターン、第2のマスクパターン、リッジ形成後に露出している窒化物半導体層上に、第1の保護膜を形成する。第1の保護膜の形成方法は、当該分野で公知の方法によって形成することができる。第1の保護膜の膜厚としては、100〜5000Å程度の膜厚で形成されるものが好ましい。例えば、ZrO2からなる第1の保護膜を形成する場合、マグネトロンスパッタ装置でZrターゲットを用いてArガス流量5〜200sccm、O2ガス流量1〜50sccm程度で形成することが好ましい。なお、第1の保護膜は、所定の大きさごとに、例えば、図7に示すように、窒化物半導体レーザ素子ごとにパターン形成することが好ましい(図7中、16参照)。
任意に、p電極の上にパッド電極を形成してもよい。パッド電極は、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、W等の金属からなる積層体とすることが好ましい。具体的には、パッド電極は、p電極側からW−Pd−Au又はNi−Ti−Auの順に形成する。パッド電極の膜厚は特に限定されないが、最終層のAuの膜厚を1000Å以上とすることが好ましい。
以下に、本発明の窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
上述した製造方法により、窒化物半導体レーザ素子を形成した。
得られた窒化物半導体レーザ素子は、図1に示したように、GaN基板10上に、n型半導体層11として、第1のn型半導体層(Si:8×1017/cm3〜3×1018/cm3ドープ、Al0.02Ga0.98N、膜厚3.5μm)、第2のn型半導体層(Si:2×1018/cm3〜1×1019/cm3ドープ、In0.06Ga0.94N、膜厚:0.15μm)、第3のn型半導体層(アンドープAl0.038Ga0.962N(25Å)とSi:8×1017/cm3〜3×1018/cm3ドープGaN(25Å)との総膜厚1.2μmの超格子層)、第4のn型半導体層(アンドープGaN、膜厚:0.17μm)が形成されている。
さらに、このエアギャップ15を被覆するように、膜厚550ÅのZrO2からなる第1の保護膜16が形成されている。
この窒化物半導体レーザ素子は、以下の製造方法によって形成した。
続いて、図2(d)に示すように、ECR装置を用いて、第1のマスクパターン21、露出した窒化物半導体層13及びレジスト膜23上に、Arガス20sccm、O2ガス8sccm、マイクロ波500W、RFパワー500W以上で、SiO2からなる膜22を500Åを形成する。
このようにして得られた窒化物半導体レーザ素子について、特性評価を行った。
なお、エアギャップを有する素子(6個の平均)の実効屈折率差Δnは、0.007であった。
図3から、エアギャップを有する素子が、エアギャップのない素子に比較して、光閉じ込めが強くなっていることがわかる。つまり、エアギャップを有することにより、閾値電流が5〜10mA程度低下しており、Etaが0.1〜0.2程度向上していることがわかる。
実施例2の窒化物半導体レーザ素子は、第2のマスクを形成する方法以外は、実施例1と同様にして形成する。
第2のマスクの形成方法としては、リッジ14を形成する際の基板温度を低温(70℃以下)に保つことにより、図2(b)に示すように、リッジ14を形成するとともに、図2(e')に示すように、リッジ14の両側にエッチング生成物を第2のマスクパターン22として堆積させる。
実施例2において得られた窒化物半導体レーザ素子は、実施例1と同程度の特性が得られる。
実施例3の半導体レーザ素子は、実施例1と同様の製造方法により形成する。
得られた窒化物半導体レーザ素子は、図6(a)に示すように、GaN基板10上に、n型半導体層11として、第1のn型半導体層(Si:1×1018/cm3〜1×1019/cm3ドープ、Al0.03Ga0.97N、膜厚2μm)、第2のn型半導体層(アンドープGaN、膜厚:0.19μm)が形成されている。
さらに、このエアギャップ15を被覆するように、膜厚1000ÅのZrOからなる第1の保護膜16が形成されている。
窒化物半導体基板10の裏面には、V(100Å)−Pt(2000Å)−Au(3000Å)からなるn電極20が形成されている。
実施例3において得られた窒化物半導体レーザ素子は、実施例1と同程度の特性が得られる。
実施例4の窒化物半導体レーザ素子は、実施例3の窒化物半導体レーザ素子と同様の構造をしており、その製造方法は、実施例2と同様にして形成する。
実施例4において得られた窒化物半導体レーザ素子は、実施例1と同程度の特性が得られる。
11 n型半導体層
12 活性層
13 p型半導体層
14 リッジ
15 エアギャップ
16 第1の保護膜
17 p電極
18 第2の保護膜
19 pパッド電極
20 n電極
21 第1のマスクパターン
22 SiO2からなる膜
22a 第2のマスクパターン
AA 共振面
Claims (13)
- 基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、
前記リッジ側面から、該リッジ両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを有するように第1の保護膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、
前記リッジの両側の窒化物半導体層の表面上にエアギャップを介して第1の保護膜と電極とが順に形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - エアギャップは、リッジ側面にストライプ状に存在する請求項1又は2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- エアギャップは、その高さh1がリッジの高さh2に対して1/50以上1未満である請求項1〜3のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- エアギャップは、リッジのストライプ方向と垂直な断面積S1が0.0001〜1μm2である請求項1〜4のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 第1の保護膜は、窒化物半導体層よりも屈折率が小さい請求項1〜5のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 電極は、窒化物半導体層及び第1の保護膜上に形成されてなる請求項1〜6のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- さらに、第1の保護膜上に第2の保護膜を有する請求項1〜7のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 基板上に窒化物半導体層を形成し、
該窒化物半導体層上に第1のマスクパターンを形成して、該第1のマスクパターンを用いてエッチングすることによりリッジを形成し、
前記リッジの両側に第2のマスクパターンを形成し、
前記第1のマスクパターン、第2のマスクパターン、リッジ形成後に露出している窒化物半導体層上に、第1の保護膜を形成し、
前記第1のマスクパターン上に存在する第1の保護膜と、前記第1のマスクパターンと、第2のマスクパターンとを除去することにより、前記リッジの側面から、リッジの両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを形成することを含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 第1のマスクパターンは、第2のマスクパターンよりも膜厚が厚い請求項9に記載の製造方法。
- 第2のマスクパターンは、第1のマスクパターン上にも形成する請求項9又は10に記載の製造方法。
- 第2のマスクパターンを、第1のマスクパターンと同一材料によって形成する請求項9〜11のいずれか1つに記載の製造方法。
- 第2のマスクパターンを、リッジ形成の際のエッチング生成物によって形成する請求項9に記載の製造方法。
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