JP2011222973A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と、前記基板上に、第1導電型半導体層12と、活性層14と、第2導電型半導体層16とが順に積層された半導体層と、前記第2導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジ18と、前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層20と、前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層24と、前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層22とを備え、前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対する法線方向から傾斜しており、前記導電性酸化物層の側面の傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向からの傾斜角度よりも大きい。
【選択図】図1
Description
また、半導体レーザ素子においては、導電性酸化物層は光吸収が少なく、屈折率が低いなどの利点があるため、発光層の屈折率よりも低い屈折率を有する導電性酸化物層を、リッジ形状を有する半導体層上に形成し、導電性電極及びクラッド層の両者の機能をもたせる層とする技術(特許文献1)が提案されている。
さらに、半導体層の積層体上にストライプ状の開口を有するブロック層を配置し、その開口内を含むブロック層上に導電性酸化物層を形成することにより、導電性電極及びクラッド層の両者の機能をもたせた、リッジ状の突出部を備えたクラッド層電極を配置する技術(特許文献2)が提案されている。
リッジの側面に誘電体層を形成する方法としては、リッジの底面領域から電極上に至る領域まで誘電体層を形成し、この誘電体層を、レジストを用いてエッチングすることにより、リッジ側面に誘電体層を残しながら、電極に接する箇所の誘電体層を除去する方法が挙げられる。
また、上述した誘電体層の形成方法では、リッジの側面のみに誘電体層を精度良く残すことが困難であった。
特に、特許文献1のような半導体レーザ素子では、導電性酸化物層と半導体層との側面が面一に形成されているために、導電性酸化物層と半導体層との界面でエッチングを精度良く止めることが困難であった。
従って、リッジの側面に誘電体層が被覆されていない領域が存在する場合には、適切な光閉じ込めができなくなり、また、リッジの側面に電極が接することによってリークが生じるなどの問題があった。
一方、導電性酸化物層の側面に誘電体層が残される場合には、電圧を上昇させ、半導体レーザ素子の性能を十分に発揮させることができないという課題があった。
基板と、
前記基板上に、第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層とが順に積層された半導体層と、
前記第2導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジと、
前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層と、
前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層と、
前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層と、を備え、
前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対して傾斜しており、
前記導電性酸化物層の側面の法線方向に対する傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向に対する傾斜角度よりも大きいことを特徴とする。
前記導電性酸化物層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも低い。
前記導電性酸化物層の高さをd1、前記リッジの高さをd2、前記導電性酸化物層の上面の幅をa1、前記導電性酸化物層の下面の幅をb1、前記リッジの上面の幅をa2、前記リッジ部の下面の幅をb2としたときに、d2/d1>(b2−a2)/(b1−a1)を満たす。
前記導電性酸化物層の高さをd1、前記上面の幅をa1としたときに、
d1は50Å以上であり、かつ、d1<a1を満たす。
前記リッジの高さd2が6000Å以下である。
前記半導体レーザ素子は窒化物半導体レーザ素子であり、前記窒化物半導体レーザ素子の発振波長は440nm以上である。
前記導電性酸化物層はITOである。
前記活性層はInを含んでおり、前記第2導電型半導体層はInxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、0≦x+y≦1)からなる層を有しており、前記導電性酸化物層と接する層はGaNである。
前記第2導電型半導体層にAlを含有する層を有しており、該Al含有層の膜厚は6000Å以下である。
(a)基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層を順次積層して半導体層を形成し、該半導体層上に所定形状のマスク層を形成した後、該マスク層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、
(b)少なくともリッジ底面領域からリッジ上の前記マスク層上に至る領域に第2のマスク層を形成する工程と、
(c)前記リッジ上の前記第2のマスク層の一部を除去して、該第2のマスク層から前記マスク層を露出させる工程と、
(d)前記リッジ上のマスク層を除去することによりリッジ上面を露出させる工程と、
(e)前記リッジ上面に、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が、前記法線方向に対する前記リッジ側面の傾斜角度よりも大きい導電性酸化物層を形成する工程と、
(f)前記第2のマスク層を除去する工程と、
(g)少なくとも前記リッジ底面領域からリッジ上の前記導電性酸化物層上に至る領域に誘電体層を形成する工程と、
(h)前記リッジの側面に前記誘電体層を残した状態で、前記導電性酸化物層の表面から前記誘電体層を除去して該表面を露出させる工程と、
(i)前記導電性酸化物層及び前記工程(h)により残された誘電体層の上部に金属層を形成する工程とを有することを特徴とするか、
(B)前記導電性酸化物層上に所定形状のマスク層を形成し、前記マスク層を用いてその側面が傾斜した前記導電性酸化物層をパターニングする工程、
(C)前記マスク層及び導電性酸化物層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去し、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が前記導電性酸化物層の前記法線方向に対する傾斜角度よりも小さいリッジを形成する工程と、
(D)前記マスク層を残存させたまま、前記リッジを含む前記第2導電型半導体層上に誘電体層を形成する工程と、
(E)前記マスク層を除去し、前記リッジ上の前記導電性酸化物層の表面を露出させる工程と、
(F)少なくとも前記導電性酸化物層上面及び前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の半導体レーザ素子1は、主として、基板と、半導体層と、導電性酸化物層による電極と、誘電体膜とを備えて形成される。このような半導体レーザ素子は、典型的には、図1に示すように、基板10上に、第1導電型半導体層12(例えば、n側半導体層)、活性層14、第2導電型半導体層16(例えば、p側半導体層)が順に積層されており、第2導電型半導体層16の上面に導電性酸化物層20が形成されている。
図1に示す半導体レーザ素子においては、第2導電型半導体層16の上面に、ストライプ状のリッジ18が形成されており、このリッジ18の上面のみで導電性酸化物層20が接続されている。つまり、導電性酸化物層20は、オーミック電極として機能している。
さらに、リッジ18の側面には、半導体層の屈折率よりも屈折率の低い誘電体層24が形成されている。また、導電性酸化物層20と、誘電体層24とを覆うように金属層22が形成されている。なお、図3は図1の一部拡大図である。
図2A及びBは、リッジ近傍部分の、ストライプ方向に垂直な断面図である。
図2Aに示すように、導電性酸化物層20の側面は、リッジの上面28に対して傾斜している。言い換えると、リッジ上面28に形成される導電性酸化物層20の断面形状は、リッジの中央部に平坦部となる上面30を有しており、その上面の両端からリッジ側面方向に向かって膜厚が低減する傾斜部32を有している。ここで、導電性酸化物層の上面30の幅(a1)は、1.8μm〜25.0μm程度が挙げられる。傾斜部32の長さは上面30の端部からリッジ上面の端部までの長さを意味する。傾斜部の長さは、リッジ下部の幅(b2)やリッジ上面28の幅(b1)によって適宜調整されるが、0.1μm〜3.0μmの範囲であることが好ましい。導電性酸化物層20の下面の幅をa2とする。
このように、導電性酸化物層20の角部が面取りされる形状とすることにより、角部において応力が集中することを緩和することができ、この上に接続される金属層22の剥がれを効果的に抑制することができる。加えて、金属層22と導電性酸化物層20との接触面積を増加させることができるため、金属層22と導電性酸化物層20との密着性をより向上させることができる。さらに、導電性酸化物層20の体積を減少させて、電気抵抗率を低減することが可能となり、金属層22との接触面積を増大させることも相俟って、動作電圧を低下させることができ、電力効率を顕著に向上させることができる。
ここで、図2Aにおいて、導電性酸化物層の側面の「角度」とは、リッジの上面28と、導電性酸化物層の側面32とのなす角度のことをいい、θ1で示す角度のことである。リッジ上面に対するリッジ18側面の「角度」とは、リッジの下面に相当する面と、リッジの側面とのなす角度のことをいい、θ2で示す角度のことである。
また、図2Bにおいて、導電性酸化物層の側面32の「傾斜角度」とは、リッジの上面28の法線方向に対する傾斜した導電性酸化物層の側面32の角度のことをいい、θ1’で示される。θ1+θ1’は常に90°の関係を意味する。リッジ側面の「傾斜角度」とは、リッジの上面の法線方向に対して傾斜したリッジ側面の角度のことをいい、θ2’で示される。θ2+θ2’は常に90°の関係を意味する。
また、θ1>θ2及びθ1’<θ2’の場合は、電流注入される幅a2に対して、屈折率差の幅b2が広くなりすぎ、閾値が高くなり効率が悪化する。
これにより、導電性酸化物層の表面(つまり、上面30及び側面34)を誘電体層24から安定して露出させることができ、導電性酸化物層の表面を、確実に金属層22に接続させることができる。その結果、上述したように、密着性や電力効率を向上させることができる。
d2/d1>(b2−a2)/(b1−a1)
ここで、d1は導電性酸化物層の高さであり、d2はリッジ18の高さである。
よって、この式を満たすように、導電性酸化物層及びリッジの幅及び高さを設定することが好ましい。
さらに、リッジの高さd2を0.6μm以下とすると、リッジにかかる応力を少なくすることができるため、より一層劈開性が向上する。リッジの高さd2と、導電性酸化物層の厚み(高さd1)の合計を2.0μm以下とすることがより好ましい。
このような状態の半導体層上に、導電性酸化物層を形成して応力を加えることにより、またリッジの高さを0.6μm以下とすることにより、半導体層にかかる応力を緩和していると考えられる。半導体層にかかる応力を緩和した状態で劈開することにより、半導体層の組成にかかわらず、つまり、半導体層がInを含有する場合であっても、段差の生じる割合を減少させることができる。その結果、閾値の上昇や発光出力の立ち上がりの傾き角η(スロープ効率)の低下やばらつきを小さくすることができる。
本明細書においてクラッド層とは、後述するように、活性層(井戸層と障壁層を含む)の上側と下側に位置するそれぞれの膜のうち、井戸層の屈折率より低く、膜厚は少なくとも100nm以上ある層のことを指す。これらは多層膜や超格子構造、またはGRIN構造であってもよい。このように活性層の上下に光屈折率の小さなクラッド層を設けることにより、光を活性層に閉じ込める機能をもつ。このクラッド層がないと、閾値電流が数倍増加し、ときには全くレーザ発振しない場合もある。
基板としては、サファイア、スピネル(MgA12O4)、炭化珪素、シリコン、ZnO、GaAs、窒化物基板(GaN、AlN等)であることが好ましい。また、基板の厚みは、例えば、50μmから10mm程度が挙げられる。ここで、窒化物基板は、MOVPE、MOCVD法(有機金属化学気相成長法)、HVPE法(ハライド気相成長法)等の気相成長法、超臨界流体中で結晶育成させる水熱合成法、高圧法、フラックス法、溶融法等により形成することができる。また、市販のものを用いてもよい。この基板は、例えば、第1主面及び/又は第2主面に0.03〜10°程度のオフ角を有する窒化物基板であることがより好ましい。また、単位面積当たりの転位数が1×107/cm2以下であればよい。
半導体層は、第1導電型半導体層12、活性層14及び第2導電型半導体層16からなる積層体によって構成される。
例えば、第1のn型半導体層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)によって形成することができ、好ましくはAlxGa1−xN(0≦x≦0.5)、さらに好ましくはAlxGa1−xN(0<x≦0.3)によって形成することができる。具体的な成長条件としては、反応炉内での成長温度を900℃以上で形成することが好ましい。また、第1のn型半導体層はクラッド層として機能させることができる。膜厚は0.5〜5μm程度が適当である。なお、後述するように、n型半導体層側に低屈折率の導電性酸化膜を設ける場合は、第1のn型半導体層は省略可能である。
第2のn型半導体層は、光ガイド層として機能させることができ、InxAlyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y≦1)によって形成することができる。膜厚は0.1〜5μmが適当である。第2のn型半導体層は省略可能である。
n型半導体層の層間に、単数又は複数の半導体層を追加形成してもよい。
第2のp型半導体層は、光ガイド層として機能させることができ、InxAlyGa1−x−yN(0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y≦1)によって形成することができる。第2のp型半導体層の膜厚もまた、特に限定されないが、例えば、3000Å〜8000Åである。
これらの半導体層にはInを混晶させてもよい。
また、第1のp型半導体層、第2のp型半導体層は省略可能である。
各層の膜厚は、3nm〜300nm程度が適当である。
p型半導体層の層間に、単数又は複数の半導体層を追加形成してもよい。
p側半導体層の総膜厚を700nm以下、さらにAl含有層の膜厚を600nm以下とすることにより、劈開性が向上し、劈開面の段差等を軽減することができる。
誘電体層24は、リッジ底面領域であるp側半導体層上面とリッジ側面の絶縁性を確保するとともに、p側半導体層に対する屈折率差を確保して、活性層からの光の漏れを制御し得る機能を有する。そのため、誘電体層24は、半導体層の屈折率よりも屈折率の低い材料によって形成することが適している。例えば、Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti及びこれらの酸化物(例えば、SiO2、Al2O3、Nb2O3、TiO2、Ta2O等)、窒化物(例えば、AlN、AlGaN、BN等)、フッ化物等の化合物が挙げられる。なかでも、ZrO2及びSiO2(屈折率:約1.45)が好ましい。
図1に示す半導体レーザ素子において、保護膜25は、リッジから離間した誘電体層24の上に積層されており、半導体層の上面から側面を被覆するように形成されている。誘電体層24と保護膜25とは、同じ材料でもよいし、異なる材料であってもよい。
本発明の半導体レーザ素子は、共振器端面であるフロント側端面及び/又はリア側端面に、例えば、絶縁性の保護膜や、窒化膜からなる保護膜が形成されている。誘電体層24と保護膜25は、絶縁性の材料からなるものであればよく、好ましくは半導体層よりも低屈折率の材料からなるものである。
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、図4の工程(a)〜工程(i)に示すように、まず、工程(a)において、基板上に、活性層を含む半導体層を形成する。ここでの半導体層は、基板上に、第1導電型半導体層12(n側半導体層)、活性層14及び第2導電型半導体層16(p側半導体層)をこの順に積層する。
マスク層の形成方法の1つを以下に開示するが、マスク層の形成方法としてはこれに限定されるものではない。
まず、半導体層上にマスク層34とレジスト層(図示しない)を順に形成する。このレジスト層を所定形状にパターニングし、さらにレジスト層をマスクとして用いてマスク層を同一形状にパターニングする。マスク層をパターニングした後、レジスト層を除去することにより所定形状のマスク層を形成することができる。ここで、マスク層の材料としては、SiO2、SiON、SiN等が挙げられる。このマスク層は他の公知のマスク材料で転用することが可能である。マスク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、100nm〜1000nm程度とすることが適しており、200nm〜600nm程度が好ましい。マスク層は、CVD法、スパッタ法、蒸着法等の公知の方法により形成することができる。
p側半導体層の一部を除去する方法は、特に限定されることなく、ウェットエッチング又はドライエッチングのいずれの方法を用いてもよい。具体的には、半導体層の材料を考慮して、マスク層との選択比が大きくなるエッチャントを選択して、除去することが好ましい。リッジの大きさは、マスク層の大きさにほぼ対応するが、その底面側の幅が広く上面に近づくにつれてストライプ幅が小さくなる順メサ形状、積層面に垂直な側面を有する形状であってもよいし、これらが組み合わされた形状でもよい。
θ1は、45°〜85°であることが好ましく、より好ましくは60°〜80°である。θ1’は、15°〜45°であることが好ましく、より好ましくは10°〜30°である。
この除去方法は、特に限定されるものではないが、エッチバック法によることが好ましい。
図5を用いて、誘電体層24を、リッジの側面及びリッジの底面領域40に残した状態で、導電性酸化物層20の表面から除去する方法の一例について説明する。
工程(g)によって、リッジ底面領域から導電性酸化物層の上面にかけて誘電体層24を形成した状態で、さらに、図5に示す工程(j)に示すように、誘電体層24を覆うように第3のマスク38を形成する。
金属層22は、いわゆるパッド電極として用いることができ、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、W等の金属からなる積層膜とすることが好ましい。具体的には、導電性酸化物層側からW−Pd−Au又はNi−Ti−Au、Ni−Pd−Auの順に形成した膜が挙げられる。パッド電極の膜厚は特に限定されないが、最終層のAuの膜厚を100nm程度以上とすることが好ましい。金属層22の形状は、特に限定されない。
さらに、共振器方向に分割することにより、半導体素子のチップを得ることができる。この分割は、任意の段階で分割補助溝を形成し、それを用いてスクライブすることなどによって形成することができる。
実施例1
この実施例の半導体レーザ素子は、図1に示すように、C面を成長面とするGaN基板10上に、n側半導体層12、活性層14及びp側半導体層16をこの順に積層した半導体層が形成されており、p側半導体層16の上面にはストライプ状のリッジ18が形成されている。
また、リッジ18上には、導電性酸化物層20が接続されている。この導電性酸化物層20には、リッジのストライプ方向に垂直な断面形状において、前記導電性酸化物層の側面が、前記リッジの上面に対して傾斜されており、導電性酸化物層の上面、側面及び誘電体層24を被覆するように、金属層22が形成されている。さらに、図示しないが、半導体層の共振器面には、Al2O3からなる誘電体膜が形成されている。
(リッジの形成)
まず、GaN基板10を準備する。次に、この基板10上に、n側半導体層12、活性層14及びp側半導体層16をこの順に積層した半導体層を形成する。
活性層14の井戸層の組成をIn0.20Ga0.80Nとし、発振波長を445nmとし、p型半導体層16は、第1のp型半導体層としてAlGaNを10nm、第2のp型半導体層としてAlGaNを0.5μm、第3のp型半導体層としてGaNを15nm積層させる。
その後、p側半導体層16のほぼ全面に、CVD装置により、マスク層34としてSiO2膜を500nmの膜厚で形成する。その後、RIE(反応性イオンエッチング)装置を用いたエッチングによりマスク層の幅を15.0μmにパターン形成する。ここでマスク層の幅を後述するリッジ幅とする。
次に、図4(e)に示すように、リッジ18上及び第2のマスク層36上に導電性酸化物層20を形成する。この導電性酸化物層は、第2のマスク層の開口部からリッジ上に形成されるため、開口部の直下であるリッジの中央部上には平坦面が形成され、その両外側には傾斜部32が形成される。この導電性酸化物層の材料としては、ITOをスパッタ装置を用いて形成する。
ここで、導電性酸化物層の上面の幅a1は、13.0μmであり、下面の幅b1は15.0μmである。また、導電性酸化物層の厚さd1は、400nmである。リッジの上面に対する側面の角度θ1は63°、傾斜角度θ1’は27°であり、θ1<θ2及びθ1’>θ2’の関係が満たされている。
次に、図4(g)に示すように、リッジ底面領域40からリッジ側面、導電性酸化物層の傾斜面、導電性酸化物層の上面を被覆する誘電体層24を形成する。この誘電体層は、スパッタ装置を用いてSiO2膜を膜厚200nmで形成する。
その後、図4(i)に示すように、導電性酸化物層20及び誘電体層24上にp側パッド電極として金属層22を形成する。また、基板10の裏面にn側電極26を形成する。半導体層のフロント側共振器面には、Al2O3からなる誘電体膜を形成する。また、半導体層のリア側共振器面には、ZrO2とSiO2からなる誘電体多層膜を形成する。以上により、半導体レーザ素子を形成することができる。
さらに、このような製造工程によると、誘電体層24を必要な箇所にのみ適切に精度良く形成することができるため、特性が安定した半導体レーザ素子を製造することができる。
実施例1において、活性層14の井戸層の組成をIn0.22Ga0.78Nとし、発振波長を510nmとし、リッジ幅を5μmとし、その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。長波長領域であってもクラックの発生を抑制することができる。その他は実施例1と同様の効果が得られる。
実施例1において、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。また、活性層14の井戸層の組成をIn0.05Ga0.95Nとし、発振波長を405nmとし、リッジ幅を1.5μmとし、その他は、実施例1と同様にして半導体レーザを作成する。実施例1と同様の効果が得られる。
実施例1において、θ1を76°、θ2を84°とし、その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1と同様の効果が得られる。
実施例1において、導電性酸化物層をIZOとし、その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。
実施例1において、基板の面方位を(20−21)面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。
実施例1において、第2のp型半導体層の組成をInGaNとGaNの超格子構造に変更する。また、活性層14の井戸層の組成をIn0.2Ga0.8Nとし、発振波長を473nmとし、リッジ幅を2.5μmとし、その他は、実施例1と同様にして半導体レーザを作成する。実施例1と同様の効果が得られる。
実施例1において、基板の面方位を(10−1-1)面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。
実施例1において、基板の面方位を(10−1−2)面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。
実施例1において、基板の面方位を(11−22)面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。
実施例1の半導体レーザ素子を、以下の製造方法によって形成する。
まず、図6(A)に示すように、実施例1の製造方法と同様に、GaN基板10上に、n側半導体層12、活性層14及びp側半導体層16をこの順に積層した半導体層50を形成する。
半導体層50の上に、導電性酸化物層51を形成する。この導電性酸化物層51としてITO膜を、スパッタ装置を用いて形成する。導電性酸化物層51の厚さd1(図2参照)は400nmである。
このマスク層52を用いて、導電性酸化物層51をエッチングする。ここでのエッチングは、例えば、エッチングガスとしてヨウ素を用いたRIE装置によって行なう。ここでパターニングされる導電性酸化物層51は、上述したマスク層52の減退、異方性エッチング等の作用により、その側面をテーパー状に形成することができる。つまり、導電性酸化物層51の上面の幅a1を、13.0μmとし、下面の幅b1を15.0μm、半導体層50の上面に対する側面の角度θ1は63°、傾斜角度θ1’は27°とすることができる。
このように、実施例1の製造方法とは異なる方法によっても、実施例1と同様の半導体レーザ素子を製造することができる。この半導体レーザ素子は、導電性酸化物層の半導体層と接する側の面積を広く確保した状態で導電性酸化物層の側面に傾斜を設けているため、電気抵抗率を低減させることができる。また、金属層54と導電性酸化物層51との接触面積を増大させることができ、動作電圧を低下させ、電力効率を顕著に向上させることができる。
さらに、このような製造工程によっても、誘電体層53を精度良く形成することができるため、安定した特性の半導体レーザ素子を製造することができる。
10 基板
12 第1導電型半導体層
14 活性層
16 第2導電型半導体層
18 リッジ
20、51 導電性酸化物層
22、54 金属層
24、53 誘電体層
30 上面
32 傾斜部
34、52 マスク層
36 第2のマスク層
38 第3のマスク層
40 リッジ底面領域
50 半導体層
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に、第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層とが順に積層された半導体層と、
前記第2導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジと、
前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層と、
前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層と、
前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層と、を備え、
前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対して傾斜しており、
前記導電性酸化物層の側面の法線方向に対する傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向に対する傾斜角度よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記導電性酸化物層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも低い請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記導電性酸化物層の高さをd1、前記リッジの高さをd2、前記導電性酸化物層の上面の幅をa1、前記導電性酸化物層の下面の幅をb1、前記リッジの上面の幅をa2、前記リッジ部の下面の幅をb2としたときに、d2/d1>(b2−a2)/(b1−a1)を満たす請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記導電性酸化物層の高さをd1、前記上面の幅をa1としたときに、
d1は50Å以上であり、かつ、d1<a1を満たす請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記リッジの高さd2が6000Å以下である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記半導体レーザ素子は窒化物半導体レーザ素子であり、前記窒化物半導体レーザ素子の発振波長は440nm以上である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記導電性酸化物層はITOである請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記活性層はInを含んでおり、前記第2導電型半導体層はInxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、0≦x+y≦1)からなる層を有しており、前記導電性酸化物層と接する層はGaNである請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記第2導電型半導体層にAlを含有する層を有しており、該Al含有層の膜厚は6000Å以下である請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- (a)基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層を順次積層して半導体層を形成し、該半導体層上に所定形状のマスク層を形成した後、該マスク層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、
(b)少なくともリッジ底面領域からリッジ上の前記マスク層上に至る領域に第2のマスク層を形成する工程と、
(c)前記リッジ上の前記第2のマスク層の一部を除去して、該第2のマスク層から前記マスク層を露出させる工程と、
(d)前記リッジ上のマスク層を除去することによりリッジ上面を露出させる工程と、
(e)前記リッジ上面に、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が、前記法線方向に対する前記リッジ側面の傾斜角度よりも大きい導電性酸化物層を形成する工程と、
(f)前記第2のマスク層を除去する工程と、
(g)少なくとも前記リッジ底面領域からリッジ上の前記導電性酸化物層上に至る領域に誘電体層を形成する工程と、
(h)前記リッジの側面に前記誘電体層を残した状態で、前記導電性酸化物層の表面から前記誘電体層を除去して該表面を露出させる工程と、
(i)前記導電性酸化物層及び前記工程(h)により残された誘電体層の上部に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - (A)基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層と、導電性酸化物層とを順次積層する工程と、
(B)前記導電性酸化物層上に所定形状のマスク層を形成し、前記マスク層を用いてその側面が傾斜した前記導電性酸化物層をパターニングする工程、
(C)前記マスク層及び導電性酸化物層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去し、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が前記導電性酸化物層の前記法線方向に対する傾斜角度よりも小さいリッジを形成する工程と、
(D)前記マスク層を残存させたまま、前記リッジを含む前記第2導電型半導体層上に誘電体層を形成する工程と、
(E)前記マスク層を除去し、前記リッジ上の前記導電性酸化物層の表面を露出させる工程と、
(F)少なくとも前記導電性酸化物層上面及び前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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