JP2009026886A - 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009026886A JP2009026886A JP2007187267A JP2007187267A JP2009026886A JP 2009026886 A JP2009026886 A JP 2009026886A JP 2007187267 A JP2007187267 A JP 2007187267A JP 2007187267 A JP2007187267 A JP 2007187267A JP 2009026886 A JP2009026886 A JP 2009026886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- semiconductor laser
- metal layer
- thick metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】リッジストライプ部を有する窒化物半導体レーザ素子であって、リッジストライプ部の上面上に厚さ500nm以上の厚膜金属層が形成されている窒化物半導体レーザ素子である。また、基板上に窒化物半導体層を順次積層することによって窒化物半導体層積層構造体を形成する工程と、窒化物半導体層積層構造体の上面の一部に厚さ500nm以上の厚膜金属層を形成する工程と、厚膜金属層の形成後に厚膜金属層をマスクとして窒化物半導体層積層構造体の少なくとも一部を除去することにより窒化物半導体層積層構造体の上面の一部にリッジストライプ部を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。
【選択図】図2
Description
図1に示す構成の実施例1の窒化物半導体レーザ素子を作製した。実施例1の窒化物半導体レーザ素子は、n型GaNからなる基板200上に、厚さ0.5μmのn型GaNからなるn型窒化物半導体バッファ層201、厚さ2μmのn型Al0.05Ga0.95Nからなるn型窒化物半導体下部クラッド層202、厚さ0.1μmのn型GaNからなるn型窒化物半導体ガイド層203、厚さ20nmのGaNからなる窒化物半導体下部隣接層204、窒化物半導体活性層205、厚さ50nmのGaNからなる窒化物半導体上部隣接層206、厚さ20nmのp型Al0.2Ga0.8Nからなるp型窒化物半導体層207、厚さ0.6μmのp型Al0.1Ga0.9Nからなるp型窒化物半導体上部クラッド層208および厚さ0.1μmのp型GaNからなるp型窒化物半導体コンタクト層209が順次積層された構成の窒化物半導体層積層構造体を有している。なお、基板200の裏面上にはn側電極220が形成されており、p型窒化物半導体コンタクト層209の表面上には厚膜電極層231が形成されている。
比較例1においては、リッジストライプ部の形成に誘電体からなるマスクを用い、頭出し法により絶縁膜のエッチングを行なうことを特徴としている。
比較例2においては、リッジストライプ部の形成にレジストからなるマスクを用い、リフトオフ法により絶縁膜のエッチングを行なうことを特徴としている。
Claims (12)
- リッジストライプ部を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジストライプ部の上面上に厚さ500nm以上の厚膜金属層が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層が前記リッジストライプ部の上面を構成する窒化物半導体層と接して形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層がパラジウムまたはニッケルを主成分とすることを特徴とする、請求項2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層と前記リッジストライプ部の上面を構成する窒化物半導体層との間に前記厚膜金属層よりも薄い第1の薄膜層が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第1の薄膜層がパラジウムまたはニッケルを主成分とすることを特徴とする、請求項4に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層が、金、銀、銅、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金またはニッケルを主成分とすることを特徴とする、請求項4または5に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層と前記第1の薄膜層との間に第2の薄膜層が形成されており、前記第2の薄膜層がモリブデン、タングステン、タンタル、チタン、ニッケル、ロジウム、プラチナ、窒化チタンまたは窒化タンタルを主成分とすることを特徴とする、請求項4から6のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層の上方に金、銀または銅を主成分とする金属膜が形成されていることを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記厚膜金属層の厚さが20μm以下であることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 基板上に窒化物半導体層を順次積層することによって窒化物半導体層積層構造体を形成する工程と、前記窒化物半導体層積層構造体の上面の一部に厚さ500nm以上の厚膜金属層を形成する工程と、前記厚膜金属層の形成後に前記厚膜金属層をマスクとして前記窒化物半導体層積層構造体の少なくとも一部を除去することにより窒化物半導体層積層構造体の上面の一部にリッジストライプ部を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記厚膜金属層を電解メッキ法により形成することを特徴とする、請求項10に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記厚膜金属層を無電解メッキ法により形成することを特徴とする、請求項10に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007187267A JP2009026886A (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007187267A JP2009026886A (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009026886A true JP2009026886A (ja) | 2009-02-05 |
Family
ID=40398436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007187267A Pending JP2009026886A (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009026886A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168471A (ja) * | 1998-12-15 | 2001-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2002208753A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2002305358A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法 |
JP2002305349A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ装置 |
JP2002335048A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-11-22 | Sony Corp | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2004047704A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品 |
JP2006093683A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 |
JP2007109843A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ製造方法及び半導体レーザ |
-
2007
- 2007-07-18 JP JP2007187267A patent/JP2009026886A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168471A (ja) * | 1998-12-15 | 2001-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2002208753A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2002305358A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法 |
JP2002305349A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ装置 |
JP2002335048A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-11-22 | Sony Corp | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2004047704A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品 |
JP2006093683A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 |
JP2007109843A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ製造方法及び半導体レーザ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4940987B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP6152848B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4272239B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2010074131A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2011119521A (ja) | 半導体レーザチップ、半導体レーザ装置および半導体レーザチップの製造方法 | |
US7456039B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor optical device | |
JP2008124438A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP6094632B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2011124442A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP4966283B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2007266575A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 | |
JP2007095758A (ja) | 半導体レーザ | |
JP5127644B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
JP4952184B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2005303272A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2005236301A (ja) | 半導体レーザデバイス | |
JP4752867B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2009212386A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP5347236B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP4383753B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 | |
JP5150581B2 (ja) | 発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法 | |
US20040096997A1 (en) | Method for manufacturing GaN compound semiconductor light emitting device | |
JP5391804B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2007311591A (ja) | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2007165448A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120405 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121218 |