JP2002208753A

JP2002208753A - 半導体発光素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002208753A
Application number: JP2001004343A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Yamaguchi; 勤山口; Nobuhiko Hayashi; 伸彦林; Kiyoshi Ota; 潔太田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2001-01-12
Filing date: 2001-01-12
Publication date: 2002-07-26
Anticipated expiration: 2021-01-12
Also published as: JP3605040B2

Abstract

(57)【要約】【課題】コンタクト抵抗を低減することが可能な半導体
発光素子を提供する。【解決手段】リッジ部の少なくとも上面の全域を露出さ
せる開口部９ａを有する絶縁膜９と、リッジ部の側面に
は接触せずに、リッジ部の露出された上面に接触するよ
うに形成されたｐ型電極１０とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
およびその製造方法に関し、特に、リッジ部を有する半
導体発光素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、青色レーザなどに用いられる半導
体発光素子として、リッジ部を有する半導体発光素子が
知られている。図１９は、従来の半導体発光素子の構造
を示した断面図である。

【０００３】まず、図１９を参照して、従来の半導体発
光素子の構造について説明する。この従来の半導体発光
素子では、サファイア基板１０１上に、ＡｌＧａＮバッ
ファ層１０２、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３、ｎ型Ａ
ｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１０４、ｎ型ＧａＮガ
イド層１２４、活性層１０５、および、ｐ型ＧａＮガイ
ド層１０６が順次形成されている。ｐ型ＧａＮガイド層
１０６上には、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層
１０７が形成されている。ｐ型クラッド層１０７は、凸
状の上面を有し、ｐ型クラッド層１０７の凸状部分上に
は、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８が形成されている。
このｐ型クラッド層１０７の凸状部分およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層１０８によって、リッジ部（うね状の突出
部）が構成されている。ｐ型クラッド層１０７上および
ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の上面の一部上には、Ｓ
ｉＯ₂膜からなる絶縁膜１０９が形成されている。この
絶縁膜１０９には、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の上
面の一部を露出させるストライプ状の開口部１０９ａが
設けられている。そして、その開口部１０９ａを介して
ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の上面の一部に接触する
ように、ｐ型電極１１５が形成されている。ＳｉＯ₂膜
からなる絶縁膜１０９およびｐ型電極１１５上には、絶
縁膜１０９およびｐ型電極１１５を覆うように、パッド
電極１１６ａが形成されている。

【０００４】また、絶縁膜１０９からｎ型ＧａＮコンタ
クト層１０３までの一部領域が除去されており、そのｎ
型ＧａＮコンタクト層１０３の露出した表面に、ｎ型電
極１１２が形成されている。さらに、このｎ型電極１１
２上にもパッド電極１１６ｂが形成されている。

【０００５】上記のような構造を有する従来の半導体発
光素子の電流経路としては、パッド電極１１６ａから、
ｐ型電極１１５、リッジ部を構成するｐ型ＧａＮコンタ
クト層１０８およびｐ型クラッド層１０７を経て、ｐ型
ＧａＮガイド層１０６、活性層１０５、ｎ型ＧａＮガイ
ド層１２４、ｎ型クラッド層１０４、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層１０３、ｎ型電極１１２、パッド電極１１６ｂへ
と電流が流れる。これにより、リッジ部下方に位置する
活性層１０５の領域において、レーザ光を発生させるこ
とができる。

【０００６】図２０〜図２５は、図１９に示した従来の
半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図
である。次に、図１９〜図２５を参照して、従来の半導
体発光素子の製造プロセスについて説明する。

【０００７】まず、図２０に示すように、サファイア基
板１０１上に、ＡｌＧａＮバッファ層１０２、ｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１０３、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型ク
ラッド層１０４、ｎ型ＧａＮガイド層１２４、活性層１
０５、ｐ型ＧａＮガイド層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮから
なるｐ型クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮコンタクト
層１０８を連続的に成長させる。その後、ｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１０８上の所定領域にストライプ状のレジス
ト１１０を形成する。

【０００８】次に、図２１に示すように、レジスト１１
０をマスクとして、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８およ
びｐ型クラッド層１０７をドライエッチングすることに
より、ストライプ状のリッジ部を形成する。

【０００９】ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８上のレジス
ト１１０を除去した後、図２２に示すように、ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１０８およびｐ型クラッド層１０７を覆
うように、ＳｉＯ₂からなる絶縁膜１０９を堆積する。
そして、絶縁膜１０９上の所定領域に、レジスト１１３
を形成する。

【００１０】そして、レジスト１１３をマスクとしてウ
ェットエッチングすることにより、絶縁膜１０９に、図
２３に示されるようなストライプ状の開口部１０９ａを
形成する。レジスト１１３を除去した後、絶縁膜１０９
上のｐ型電極１１５が形成される領域以外の領域に、レ
ジスト１１４を形成する。このレジスト１１４を形成し
た状態で、開口部１０９ａによって露出されたｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１０８の表面を洗浄する。

【００１１】次に、図２４に示すように、ｐ型電極１１
５をレジスト１１３上、絶縁膜１０９上、および、開口
部１０９ａ内に露出したｐ型ＧａＮコンタクト層１０８
上に堆積する。

【００１２】この後、レジスト１１３を除去することに
より、図２５に示されるような、パターニングされたｐ
型電極１１５を形成する。このようなリフトオフ法を用
いて、開口部１０９ａを介してｐ型ＧａＮコンタクト層
１０８に電気的に接続するｐ型電極１１５が形成され
る。

【００１３】最後に、図１９に示したように、絶縁膜１
０９からｎ型ＧａＮコンタクト層１０３までの領域の一
部をエッチングにより除去した後、露出されたｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１０３の表面上に、ｎ型電極１１２を形
成する。そして、ｐ型電極１１５上およびｎ型電極１１
２上に、パッド電極１１６ａおよび１１６ｂを形成す
る。

【００１４】このようにして、図１９に示した従来の半
導体発光素子が完成される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１９
に示した従来の半導体発光素子の構造では、絶縁膜１０
９の開口部１０９ａは、リッジ部（ｐ型ＧａＮコンタク
ト層１０８）の上面上の一部分のみを露出するように形
成されている。このため、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０
８とｐ型電極１１５とは、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０
８上面の一部上でのみ接触している。その結果、従来で
は、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８とｐ型電極１１５と
のコンタクト面積が小さくなるので、コンタクト抵抗が
大きくなるという問題点があった。

【００１６】また、図１９に示した従来の半導体発光素
子の構造では、発熱源である活性層１０５からの放熱
は、ｐ型ＧａＮガイド層１０６、ｐ型クラッド層１０
７、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８、ｐ型電極１１５お
よびパッド電極１１６ａを介して行われる。この場合、
従来では、上記のように、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０
８とｐ型電極１１５とのコンタクト面積が小さいため、
発熱源である活性層１０５からの放熱を十分に行うこと
は困難であった。

【００１７】また、従来の半導体発光素子の製造プロセ
スでは、上記のように、絶縁膜１０９に開口部１０９ａ
を形成した後、リフトオフ法を用いてｐ型電極１１５を
形成していた。この場合、絶縁膜１０９に開口部１０９
ａを形成した後、絶縁膜１０９上にレジスト１１４を形
成した状態で、開口部１０９ａ内に露出したｐ型ＧａＮ
コンタクト層１０８の表面を洗浄する必要がある。この
状態で硫酸およびフッ酸などの洗浄力の強い薬品を用い
て、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の表面を洗浄する
と、ＳｉＯ₂からなる絶縁膜１０９またはレジスト１１
４が損傷するという不都合が生じる。このため、従来で
は、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の表面は、洗浄力の
弱い薬品を用いて洗浄する必要があった。したがって、
従来では、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の表面の酸化
膜や汚染物を十分に洗浄することは困難であった。その
結果、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の表面の酸化や汚
染に起因して、ｐ型電極１１５とｐ型ＧａＮコンタクト
層１０８とのコンタクト特性が悪化するので、良好なオ
ーミックコンタクトを得るのが困難であるという問題点
があった。

【００１８】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の一つの目的は、
コンタクト抵抗を低減することが可能な半導体発光素子
およびその製造方法を提供することである。

【００１９】この発明のもう一つの目的は、上記の半導
体発光素子およびその製造方法において、活性層からの
放熱性を向上させることである。

【００２０】この発明のさらにもう一つの目的は、上記
の半導体発光素子およびその製造方法において、良好な
オーミックコンタクトを得ることである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】この発明の一の局面によ
る半導体発光素子は、活性層と活性層上に形成されたリ
ッジ部とを有する半導体層と、半導体層を覆うように形
成されるとともに、リッジ部の少なくとも上面の全域を
露出させる開口部を有する絶縁膜と、リッジ部の側面に
は接触せずに、リッジ部の露出された上面に接触するよ
うに形成された電極層とを備えている。この一の局面に
よる半導体発光素子では、このように、絶縁膜の開口部
によりその全域が露出されたリッジ部の上面に接触する
ように、電極層を設けることによって、リッジ部の上面
の一部上に接触するように電極層を設ける場合に比べ
て、リッジ部と電極層とのコンタクト面積を大きくする
ことができる。その結果、コンタクト抵抗を低減するこ
とができる。

【００２２】上記一の局面による半導体発光素子におい
て、好ましくは、電極層は、耐エッチング性を有するオ
ーミック電極材料を含む。このように構成すれば、リッ
ジ部を形成する際に電極層をエッチングマスクとして用
いることができるので、電極層をエッチングマスクとし
てリッジ部をエッチングにより形成すれば、リッジ部の
上面のほぼ全面に接触する電極層を容易に形成すること
ができる。これにより、リッジ部の上面の一部上に電極
層を形成する場合に比べて、リッジ部と電極層とのコン
タクト面積を大きくすることができる。その結果、コン
タクト抵抗を容易に低減することができる。

【００２３】また、上記の場合、電極層の上面および側
面に形成されるパッド電極をさらに備えるようにしても
よい。このように、電極層の上面のみならず側面にもパ
ッド電極を形成するようにすれば、電極層とパッド電極
との接触面積が増加する。この電極層とパッド電極との
接触面積の増加と、上記したリッジ部と電極層とのコン
タクト面積の増加とによって、発熱源である活性層から
の放熱性を向上させることができる。

【００２４】この発明の他の局面による半導体発光素子
の製造方法は、活性層を含む半導体層上に、電極となる
層を含むエッチングマスク層を形成する工程と、そのエ
ッチングマスク層をマスクとして、半導体層をエッチン
グすることによって、半導体層にリッジ部を形成する工
程とを備えている。

【００２５】この他の局面による半導体発光素子の製造
方法では、上記のように、電極となる層を含むエッチン
グマスク層をマスクとして、半導体層をエッチングして
リッジ部を形成することによって、リッジ部の上面のほ
ぼ全面に接触する電極となる層が形成されるので、リッ
ジ部の上面の一部上に接触する電極層を形成する場合に
比べて、リッジ部と電極層とのコンタクト面積を大きく
することができる。その結果、コンタクト抵抗を低減す
ることが可能な半導体発光素子を容易に形成することが
できる。また、十分な洗浄が可能な半導体層上に、電極
となる層を含むエッチングマスク層を形成した後は、リ
ッジ部の上面が露出することがないので、後の工程にお
いて、リッジ部の表面が酸化されたり、汚染されたりす
るのを有効に防止することができる。これにより、リッ
ジ部の表面の酸化や汚染に起因して電極となる層とリッ
ジ部とのコンタクト特性が悪化するのを防止することが
できる。その結果、電極となる層とリッジ部との良好な
オーミックコンタクトを得ることができる。また、電極
となる層を含むエッチングマスク層をマスクとして、半
導体層をエッチングしてリッジ部を形成することによっ
て、電極となる層をリッジ部の上面上に自己整合的に形
成することができる。

【００２６】上記他の局面による半導体発光素子の製造
方法において、好ましくは、電極となる層を含むエッチ
ングマスク層は、耐エッチング性を有するオーミック電
極材料を含む。このように構成すれば、リッジ部を形成
する際に用いたエッチングマスク層をそのまま電極層と
して用いることができるので、リッジ部の上面のほぼ全
面に接触する電極層を簡単な製造プロセスで形成するこ
とができる。

【００２７】上記他の局面による半導体発光素子の製造
方法において、好ましくは、電極となる層を含むエッチ
ングマスク層は、オーミック電極材料からなる下層と、
耐エッチング材料からなる上層とを含む。このように構
成することによって、エッチングマスク層をマスクとし
てエッチングした後に、上層を除去すれば、下層のオー
ミック電極材料のみからなる電極層を容易に形成するこ
とができる。また、この製造方法では、下層に耐エッチ
ング性を持たせる必要がないので、下層を構成するオー
ミック電極材料を選択する際に電極特性のみを考慮して
選択することができる。これにより、電極特性に優れた
電極層を形成することができる。

【００２８】上記の場合、好ましくは、オーミック電極
材料からなる下層は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＰｄおよびＡ
ｕからなるグループより選択される少なくとも１つの材
料からなる層を含み、耐エッチング材料からなる上層
は、Ｎｉ、Ｔｉ、絶縁膜およびレジストからなるグルー
プより選択される少なくとも１つの材料からなる層を含
む。このように構成すれば、容易に、低抵抗で、かつ、
熱伝導性に優れた下層からなる電極層を得ることができ
る。なお、この場合、リッジ部を形成する工程の後、耐
エッチング材料からなる上層を除去する工程をさらに備
えていてもよい。このように構成すれば、オーミック電
極材料の下層のみからなる電極層を容易に形成すること
ができる。

【００２９】上記他の局面による半導体発光素子の製造
方法において、好ましくは、半導体層および電極となる
層を覆うように絶縁膜を形成した後、絶縁膜上に表面が
平坦化されたレジストを形成する工程と、レジストおよ
び絶縁膜をエッチングすることによって、絶縁膜に、電
極層を露出させる開口部を形成する工程とをさらに備え
る。このように構成すれば、電極に自己整合的に絶縁膜
の開口部を形成することができる。

【００３０】

【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図面に基
づいて説明する。

【００３１】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態による半導体発光素子の構造を示した断面図であ
る。

【００３２】まず、図１を参照して、第１実施形態によ
る半導体発光素子の構造について説明する。この第１実
施形態では、サファイア基板１上に、ＡｌＧａＮバッフ
ァ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ｎ型ＡｌＧａＮか
らなるｎ型クラッド層４、ｎ型ＧａＮガイド層１４、活
性層５、および、ｐ型ＧａＮガイド層６が順次形成され
ている。ｐ型ＧａＮガイド層６上には、凸状の上面を有
するｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層７が形成さ
れている。ｐ型クラッド層７の凸状部分上には、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８が形成されている。このｐ型クラッ
ド層７の凸状部分およびｐ型ＧａＮコンタクト層８によ
って、リッジ部が構成されている。

【００３３】ここで、第１実施形態では、リッジ部を構
成するｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＮコンタクト層
８の側面と、リッジ部以外のｐ型クラッド層７の上面と
を覆うように、約２００ｎｍの厚みを有するＳｉＯ₂か
らなる絶縁膜９が形成されている。この絶縁膜９は、ｐ
型ＧａＮコンタクト層８の上面の全域を露出させる開口
部９ａを有するように形成されている。

【００３４】また、第１実施形態では、ｐ型ＧａＮコン
タクト層８上には、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面の
ほぼ全面に接触するように、約５００ｎｍの厚みを有す
るｐ型電極１０が形成されている。このｐ型電極１０
は、リッジ部の側面には接触せずに、リッジ部のｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８の上面のみに接触するように形成さ
れている。また、ｐ型電極１０は、オーミック電極材料
であるニッケル（Ｎｉ）からなるとともに、リッジ部と
のオーミックコンタクトをとるために設けられている。
なお、ｐ型電極１０は、本発明の「電極層」の一例であ
る。

【００３５】ｐ型電極１０の上面および側面と、絶縁膜
９の上面および側面とを覆うように、パッド電極１１ａ
が形成されている。このパッド電極１１ａは、約１００
ｎｍの厚みを有するチタン（Ｔｉ）、約１００ｎｍの厚
みを有する白金（Ｐｔ）および約３００ｎｍの厚みを有
する金（Ａｕ）が積層された構造を有する。従って、パ
ッド電極１１ａは、約５００ｎｍの厚みを有する。この
パッド電極１１ａは、外部からｐ型電極１０に電気を供
給するために設けられている。

【００３６】また、絶縁膜９からｎ型ＧａＮコンタクト
層３までの一部領域が除去されており、そのｎ型ＧａＮ
コンタクト層３の露出した表面上に、ｎ型電極１２が形
成されている。さらに、このｎ型電極１２上にもパッド
電極１１ｂが形成されている。このパッド電極１１ｂ
は、外部からｎ型電極１２に電気を供給するために設け
られている。

【００３７】上記のような構造を有する第１実施形態の
半導体発光素子の電流経路としては、パッド電極１１ａ
から、ｐ型電極１０、リッジ部を構成するｐ型ＧａＮコ
ンタクト層８およびｐ型クラッド層７を経て、ｐ型Ｇａ
Ｎガイド層６、活性層５、ｎ型ＧａＮガイド層１４、ｎ
型クラッド層４、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ｎ型電極
１２、パッド電極１１ｂへと電流が流れる。これによ
り、リッジ部の下方に位置する活性層５の領域におい
て、レーザ光を発生させることができる。

【００３８】また、上記した第１実施形態の半導体発光
素子において、発熱源である活性層５からの放熱は、ｐ
型ＧａＮガイド層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型ＧａＮコ
ンタクト層８、ｐ型電極１０およびパッド電極１１ａを
介して行われる。

【００３９】第１実施形態では、上記のように、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面に接触するよう
に、ｐ型電極１０を形成することによって、従来のｐ型
ＧａＮコンタクト層１０８（図１９参照）の上面の一部
上のみに接触するｐ型電極１１５を形成する場合に比べ
て、ｐ型ＧａＮコンタクト層８とｐ型電極１０とのコン
タクト面積を大きくすることができる。その結果、コン
タクト抵抗を低減することができる。

【００４０】また、第１実施形態では、上記のように、
ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面に接触する
ようにｐ型電極１０を形成するとともに、ｐ型電極１０
の上面および側面の絶縁膜９を除去することにより、パ
ッド電極１１ａをｐ型電極１０の上面および側面を覆う
ように形成する。これによって、ｐ型ＧａＮコンタクト
層８とｐ型電極１０とのコンタクト面積を大きくするこ
とができるとともに、ｐ型電極１０とパッド電極１１ａ
との接触面積を大きくすることができる。それによっ
て、リッジ部からｐ型電極１０への放熱、および、ｐ型
電極１０からパッド電極１１ａへの放熱を良好に行うこ
とができる。その結果、発熱源である活性層５からの放
熱性を向上させることができる。

【００４１】図２〜図６は、図１に示した第１実施形態
による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための
断面図である。次に、図１〜図６を参照して、第１実施
形態の半導体発光素子の製造プロセスについて説明す
る。

【００４２】まず、図２に示すように、サファイア基板
１上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）などの結
晶成長法を用いて、ＡｌＧａＮバッファ層２、ｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層３、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッ
ド層４、ｎ型ＧａＮガイド層１４、活性層５、ｐ型Ｇａ
Ｎからなるｐ型ＧａＮガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＮから
なるｐ型クラッド層７、および、ｐ型ＧａＮコンタクト
層８を順次連続的に形成する。

【００４３】次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面
を、硫酸と過酸化水素水との混合液で洗浄した後、さら
に、希釈フッ酸溶液で洗浄する。そして、その洗浄した
ｐ型ＧａＮコンタクト層８上に、オーミック電極材料で
あるとともに、耐エッチング性を有するＮｉ層（図示せ
ず）を約５００ｎｍの厚みで堆積させる。そのＮｉ層上
にレジストパターン（図示せず）を形成し、これをマス
クとしてリン酸系のエッチング液を用いてウェットエッ
チングすることにより、図２に示されるような、幅約２
μｍのストライプ状のＮｉからなるｐ型電極１０を形成
する。この後、レジストを除去する。

【００４４】次に、図３に示すように、ｐ型電極１０を
マスクとして、ｐ型ＧａＮコンタクト層８およびｐ型ク
ラッド層７を２００ｎｍ〜６００ｎｍの厚み分だけドラ
イエッチングする。これにより、ｐ型クラッド層７の凸
状部分とｐ型ＧａＮコンタクト層８とからなるリッジ部
が形成される。

【００４５】次に、図４に示すように、プラズマＣＶＤ
法などを用いて、ｐ型クラッド層７、ｐ型ＧａＮコンタ
クト層８およびｐ型電極１０を覆うように、ＳｉＯ₂か
らなる絶縁膜９を約２００ｎｍの厚みで形成する。そし
て、絶縁膜９上に、絶縁膜９の全体を埋め込むように、
平坦化レジスト１３を塗布する。

【００４６】この後、図５に示すように、ＣＦ₄系のエ
ッチングガスを用いるＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏ
ｎＥｔｃｈｉｎｇ）法によって、平坦化レジスト１３
および絶縁膜９を、絶縁膜９の上面がｐ型電極１０の底
面高さに到達するまで除去する。このようにして、絶縁
膜９に、ｐ型電極１０の上面および側面を露出させる開
口部９ａが自己整合的に形成される。この後、平坦化レ
ジスト１３を除去することによって、図６に示されるよ
うな構造となる。

【００４７】最後に、図１に示したように、絶縁膜９か
らｎ型ＧａＮコンタクト層３に至るまでの一部の領域を
エッチングにより除去することによって、ｎ型ＧａＮコ
ンタクト層３の表面の一部を露出させる。そのｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層３の露出した表面上に、ｎ型電極１２を
形成する。そして、絶縁膜９上およびｐ型電極１０上
と、ｎ型電極１２上とに、ＥＢ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＢ
ｅａｍ）法を用いて、パッド電極１１ａおよび１１ｂを
形成する。このパッド電極１１ａおよび１１ｂは、約１
００ｎｍの厚みを有するＴｉ、約１００ｎｍの厚みを有
するＰｔおよび約３００ｎｍの厚みを有するＡｕからな
る積層構造を有するように形成する。

【００４８】このようにして、図１に示した第１実施形
態による半導体発光素子が完成される。

【００４９】第１実施形態の製造プロセスでは、上記の
ように、ｐ型電極材料であるとともに、耐エッチング性
を有するＮｉをマスクとして、ｐ型クラッド層７および
ｐ型ＧａＮコンタクト層８をエッチングしてリッジ部を
形成することによって、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上
面のほぼ全面に接触するように、ｐ型電極１０を形成す
ることができる。それによって、従来のｐ型ＧａＮコン
タクト層１０８（図１９参照）の上面の一部上のみに接
触するｐ型電極１１５を形成する場合に比べて、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８とｐ型電極１０とのコンタクト面積
を大きくすることができる。その結果、コンタクト抵抗
を低減することが可能な半導体発光素子を容易に形成す
ることができる。

【００５０】また、第１実施形態の製造プロセスでは、
上記のように、ｐ型電極材料であるとともに、耐エッチ
ング性を有するＮｉを、ｐ型クラッド層７およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８をエッチングするためのエッチング
マスクとして用いた後に、そのままｐ型電極１０として
用いることができるので、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の
上面のほぼ全面に接触するｐ型電極１０を簡単な製造プ
ロセスで形成することができる。

【００５１】また、第１実施形態の製造プロセスでは、
上記のように、硫酸と過酸化水素との混合液および希釈
フッ酸溶液を用いて十分に洗浄したｐ型ＧａＮコンタク
ト層８の上面上に、ｐ型電極１０の材料であるＮｉから
なるエッチングマスクを形成した後は、ｐ型ＧａＮコン
タクト層８の上面が露出することがない。それによっ
て、後の工程において、絶縁膜９に開口部９ａを形成す
る場合にも、洗浄したｐ型ＧａＮコンタクト層８の表面
が酸化されたり、汚染されたりすることがない。これに
より、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の表面の酸化や汚染に
起因してｐ型ＧａＮコンタクト層８とｐ型電極１０との
コンタクト特性が悪化するのを有効に防止することがで
きる。その結果、ｐ型ＧａＮコンタクト層８とｐ型電極
１０との良好なオーミックコンタクトを得ることが可能
な半導体発光素子を容易に形成することができる。

【００５２】また、第１実施形態の製造プロセスでは、
ｐ型電極材料であるＮｉをマスクとして、ｐ型クラッド
層７およびｐ型ＧａＮコンタクト層８をドライエッチン
グしてリッジ部を形成することによって、ｐ型電極１０
をリッジ部の上面上に自己整合的に形成することができ
る。

【００５３】また、第１実施形態の製造プロセスでは、
上記のように、ｐ型電極１０を約５００ｎｍの大きい厚
みで形成することによって、ｐ型電極１０の上面の高さ
が高くなる。これにより、ｐ型電極１０を覆う平坦化レ
ジスト１３を形成した場合に、リッジ部以外の領域上に
形成された平坦化レジスト１３の厚みを厚く形成するこ
とができる。それにより、リッジ部以外の領域上に位置
する平坦化レジスト１３の厚みが薄い場合のように、エ
ッチングによってリッジ部以外の領域上に位置する平坦
化レジスト１３が除去されて、リッジ部以外の領域上に
位置する絶縁膜９が除去されるという不都合を防止する
ことができる。つまり、第１実施形態の製造プロセスで
は、ｐ型電極１０の厚みを大きくすることによって、平
坦化レジスト１３を用いる絶縁膜開口プロセスを容易に
行うことができる。

【００５４】（第２実施形態）図７は、本発明の第２実
施形態による半導体発光素子を示した断面図である。

【００５５】図７を参照して、第２実施形態による半導
体発光素子の構造について説明する。この第２実施形態
では、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子と同
様に、リッジ部を構成するｐ型クラッド層７およびｐ型
ＧａＮコンタクト層８の側面と、リッジ部以外のｐ型ク
ラッド層７の上面とを覆うように、約２００ｎｍの厚み
を有するＳｉＯ₂からなる絶縁膜９が形成されている。
この絶縁膜９は、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面の全
域を露出させる開口部９ａを有するように形成されてい
る。

【００５６】また、第２実施形態では、図１に示した第
１実施形態の約５００ｎｍの厚みを有するＮｉからなる
ｐ型電極１０の代わりに、約２０ｎｍの厚みを有するＰ
ｄおよび約５０ｎｍの厚みを有するＡｕの積層膜からな
るｐ型電極２０を用いる。このｐ型電極２０は、第１実
施形態と同様、リッジ部の側面には接触せずに、リッジ
部のｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面に接触
するように形成されている。また、オーミック電極材料
であるＰｄは、ｐ型ＧａＮコンタクト層８に対して低い
コンタクト抵抗率を示し、Ａｕは、第１実施形態のＮｉ
に比べて低抵抗率であるとともに、高い熱伝導率を有す
る。なお、ｐ型電極２０は、本発明の「電極層」の一例
である。この第２実施形態のその他の構造は、図１に示
した第１実施形態の構造とほぼ同様である。

【００５７】この第２実施形態では、第１実施形態と異
なり、ｐ型電極２０を、Ｎｉに比べて低コンタクト抵抗
のオーミック電極材料であるＰｄ、および、低抵抗率で
高い熱伝導率を有するＡｕを用いて形成することによっ
て、第１実施形態に比べてさらにコンタクト抵抗を低減
することができるとともに、活性層５からの放熱性を向
上させることができる。

【００５８】また、第２実施形態では、上記第１実施形
態と同様、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面
に接触するようにｐ型電極２０を形成するとともに、パ
ッド電極１１ａをｐ型電極２０の上面および側面を覆う
ように形成することによって、ｐ型ＧａＮコンタクト層
８とｐ型電極２０とのコンタクト面積を大きくすること
ができるとともに、ｐ型電極２０とパッド電極１１ａと
の接触面積を大きくすることができる。それによって、
第１実施形態と同様、リッジ部からｐ型電極２０への放
熱、および、ｐ型電極２０からパッド電極１１ａへの放
熱を良好に行うことができる。その結果、発熱源である
活性層５からの放熱性を向上させることができる。

【００５９】また、第２実施形態では、上記第１実施形
態と同様、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面
に接触するように、ｐ型電極２０を形成することによっ
て、従来のｐ型ＧａＮコンタクト層１０８（図１９参
照）の上面の一部上のみに接触するｐ型電極１１５を形
成する場合に比べて、ｐ型ＧａＮコンタクト層８とｐ型
電極２０とのコンタクト面積を大きくすることができ
る。その結果、コンタクト抵抗を低減することができ
る。

【００６０】図８〜図１２は、図７に示した第２実施形
態の半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断
面図である。以下、図７〜図１２を参照して、第２実施
形態の半導体発光素子の製造プロセスについて説明す
る。

【００６１】まず、図８に示すように、サファイア基板
１上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）などの結
晶成長法を用いて、ＡｌＧａＮバッファ層２、ｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層３、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッ
ド層４、ｎ型ＧａＮガイド層１４、活性層５、ｐ型Ｇａ
Ｎからなるｐ型ＧａＮガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＮから
なるｐ型クラッド層７、および、ｐ型ＧａＮコンタクト
層８を順次連続的に形成する。

【００６２】次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面
を、硫酸と過酸化水素水との混合液で洗浄した後、さら
に、希釈フッ酸溶液で洗浄する。そして、その洗浄した
ｐ型ＧａＮコンタクト層８上の全面に、ＰｄおよびＡｕ
の積層膜（図示せず）を形成する。このＰｄおよびＡｕ
の積層膜は、Ｐｄを約２０ｎｍの厚みで堆積した後、Ａ
ｕを約５０ｎｍの厚みで堆積することによって形成す
る。このＰｄおよびＡｕの積層膜の所定領域上に、レジ
スト２１を形成し、このレジスト２１をマスクとして、
ＣＦ₄系のエッチングガスを用いるＲＩＥ法によって、
ＰｄおよびＡｕの積層膜をエッチングする。それによっ
て、幅約２μｍのストライプ状のＰｄおよびＡｕの積層
膜からなるｐ型電極２０を形成する。

【００６３】次に、図９に示すように、レジスト２１お
よびｐ型電極２０からなるエッチングマスク層をマスク
として、ｐ型ＧａＮコンタクト層８およびｐ型クラッド
層７を２００ｎｍ〜６００ｎｍの厚み分だけドライエッ
チングする。これにより、ｐ型クラッド層７の凸状部分
とｐ型ＧａＮコンタクト層８とからなるリッジ部が形成
される。

【００６４】次に、図１０に示すように、ＥＢ法などを
用いて、ｐ型クラッド層７、ｐ型ＧａＮコンタクト層
８、ｐ型電極２０およびレジスト２１を覆うように、Ｓ
ｉＯ₂からなる絶縁膜９を約２００ｎｍの厚みで形成す
る。そして、絶縁膜９上に、絶縁膜９の全体を埋め込む
ように平坦化レジスト１３を塗布する。

【００６５】この後、図１１に示すように、ＣＦ₄系の
エッチングガスを用いるＲＩＥ法によって、平坦化レジ
スト１３および絶縁膜９を、絶縁膜９の上面がｐ型電極
２０の底面高さに到達するまで除去する。このようにし
て、絶縁膜９に、ｐ型電極２０の側面を露出させる開口
部９ａが自己整合的に形成される。この後、平坦化レジ
スト１３およびレジスト２１を除去する。これにより、
図１２に示すように、ｐ型電極２０の上面が露出され
る。

【００６６】最後に、図７に示したように、絶縁膜９か
らｎ型ＧａＮコンタクト層３に至るまでの一部の領域を
エッチングにより除去することによって、ｎ型ＧａＮコ
ンタクト層３の表面の一部を露出させる。そのｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層３の露出した表面上に、ｎ型電極１２を
形成する。そして、絶縁膜９上およびｐ型電極２０を覆
うとともに、ｎ型電極１２上に、ＥＢ法を用いて、パッ
ド電極１１ａおよび１１ｂを形成する。このパッド電極
１１ａおよび１１ｂは、約１００ｎｍの厚みを有するＴ
ｉ、約１００ｎｍの厚みを有するＰｔおよび約３００ｎ
ｍの厚みを有するＡｕからなる積層構造を有するように
形成する。

【００６７】このようにして、図７に示した第２実施形
態による半導体発光素子が完成される。

【００６８】上記した第２実施形態の製造プロセスで
は、第１実施形態と異なり、ｐ型クラッド層７およびｐ
型ＧａＮコンタクト層８をエッチングする際のエッチン
グマスクとして、レジスト２１およびｐ型電極２０から
なるエッチングマスク層を用いる。このようなエッチン
グマスク層をマスクとしてエッチングした後に、エッチ
ングマスク層の上層のレジスト２１を除去することによ
って、下層のＰｄおよびＡｕからなるｐ型電極２０を容
易に形成することができる。また、この第２実施形態の
製造プロセスでは、エッチングマスク層の下層（ｐ型電
極２０）に耐エッチング性を持たせる必要がないので、
下層（ｐ型電極２０）を構成するオーミック電極材料を
選択する際に、電極特性のみを考慮して選択することが
できる。その結果、電極特性に優れたｐ型電極２０を形
成することができる。

【００６９】また、第２実施形態の製造プロセスでは、
上記のように、レジスト２１およびｐ型電極２０からな
るエッチングマスク層をマスクとして、ｐ型クラッド層
７およびｐ型ＧａＮコンタクト層８をエッチングしてリ
ッジ部を形成することによって、第１実施形態と同様、
ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面に接触する
ように、ｐ型電極２０を形成することができる。それに
よって、従来のｐ型ＧａＮコンタクト層１０８（図１９
参照）の上面の一部上のみに接触するｐ型電極１１５を
形成する場合に比べて、ｐ型ＧａＮコンタクト層８とｐ
型電極２０とのコンタクト面積を大きくすることができ
る。その結果、コンタクト抵抗を低減することが可能な
半導体発光素子を容易に形成することができる。

【００７０】また、第２実施形態の製造プロセスでは、
上記のように、硫酸と過酸化水素との混合液および希釈
フッ酸溶液を用いて十分に洗浄したｐ型ＧａＮコンタク
ト層８の上面上に、ｐ型電極２０の材料であるＰｄおよ
びＡｕからなる積層膜を形成した後は、ｐ型ＧａＮコン
タクト層８の上面が露出することがない。それによっ
て、第１実施形態と同様、後の工程において、絶縁膜９
に開口部９ａを形成する場合にも、洗浄したｐ型ＧａＮ
コンタクト層８の表面が酸化されたり、汚染されたりす
ることがない。その結果、ｐ型ＧａＮコンタクト層８と
ｐ型電極２０との良好なオーミックコンタクトを得るこ
とが可能な半導体発光素子を容易に形成することができ
る。

【００７１】また、第２実施形態の製造プロセスでは、
レジスト２１およびｐ型電極２０からなるエッチングマ
スク層をマスクとして、ｐ型クラッド層７およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８をエッチングしてリッジ部を形成す
ることによって、第１実施形態と同様、ｐ型電極２０を
リッジ部の上面上に自己整合的に形成することができ
る。

【００７２】（第３実施形態）図１３は、本発明の第３
実施形態による半導体発光素子を示した断面図である。

【００７３】図１３を参照して、第３実施形態による半
導体発光素子の構造について説明する。この第３実施形
態では、第１および第２実施形態の半導体発光素子と同
様に、リッジ部を構成するｐ型クラッド層７およびｐ型
ＧａＮコンタクト層８の側面と、リッジ部以外のｐ型ク
ラッド層７の上面とを覆うように、約２００ｎｍの厚み
を有するＳｉＯ₂からなる絶縁膜９が形成されている。
この絶縁膜９は、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面の全
域を露出させる開口部９ａを有するように形成されてい
る。

【００７４】また、第３実施形態では、ＰｄおよびＡｕ
からなるｐ型電極２０の上面のほぼ全面に、約５００ｎ
ｍの厚みを有するＮｉからなるｐ型電極３０が形成され
ている。このｐ型電極２０および３０によって、ｐ型電
極層３１が構成されている。つまり、第３実施形態で
は、第２実施形態のＰｄおよびＡｕからなるｐ型電極上
に、第１実施形態のＮｉからなるｐ型電極を形成した構
造を有する。なお、ｐ型電極層３１は、本発明の「電極
層」の一例である。この第３実施形態のその他の構造
は、図１に示した第１実施形態および図７に示した第２
実施形態の構造とほぼ同様である。

【００７５】第３実施形態では、第１および第２実施形
態と同様、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面
に接触するように、ｐ型電極層３１を形成することによ
って、従来のｐ型ＧａＮコンタクト層１０８（図１９参
照）の上面の一部上のみに接触するｐ型電極１１５を形
成する場合に比べて、ｐ型ＧａＮコンタクト層８とｐ型
電極層３１とのコンタクト面積を大きくすることができ
る。その結果、コンタクト抵抗を低減することができ
る。

【００７６】また、第３実施形態では、第１および第２
実施形態と同様、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面のほ
ぼ全面に接触するようにｐ型電極層３１を形成するとと
もに、パッド電極１１ａをｐ型電極層３１の上面および
側面を覆うように形成することによって、ｐ型ＧａＮコ
ンタクト層８とｐ型電極層３１とのコンタクト面積を大
きくすることができるとともに、ｐ型電極層３１とパッ
ド電極１１ａとの接触面積を大きくすることができる。
それによって、第１および第２実施形態と同様、リッジ
部からｐ型電極層３１への放熱、および、ｐ型電極層３
１からパッド電極１１ａへの放熱を良好に行うことがで
きる。その結果、発熱源である活性層５からの放熱性を
向上させることができる。

【００７７】図１４〜図１８は、図１３に示した第３実
施形態の半導体発光素子の製造プロセスを説明するため
の断面図である。以下、図１３〜図１８を参照して、第
３実施形態の半導体発光素子の製造プロセスについて説
明する。

【００７８】まず、図１４に示すように、サファイア基
板１上に、ＡｌＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層３、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層４、
ｎ型ＧａＮガイド層１４、活性層５、ｐ型ＧａＮからな
るｐ型ＧａＮガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型
クラッド層７、および、ｐ型ＧａＮコンタクト層８を順
次連続的に形成する。

【００７９】次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面
を、硫酸と過酸化水素水との混合液で洗浄した後、さら
に、希釈フッ酸溶液で洗浄する。そして、その洗浄した
ｐ型ＧａＮコンタクト層８上の全面に、ＰｄおよびＡｕ
の積層膜（図示せず）を形成する。このＰｄおよびＡｕ
の積層膜は、Ｐｄを約２０ｎｍの厚みで堆積した後、Ａ
ｕを約５０ｎｍの厚みで堆積することによって形成す
る。このＰｄおよびＡｕの積層膜上に、Ｎｉ層（図示せ
ず）を約５００ｎｍの厚みで堆積する。このＮｉ層上の
所定領域にレジスト（図示せず）を形成し、これをマス
クとしてリン酸系のエッチング液を用いてウェットエッ
チングすることにより、幅約２μｍのストライプ状のＮ
ｉからなるｐ型電極３０を形成する。この後、レジスト
を除去する。

【００８０】Ｎｉからなるｐ型電極３０をマスクとし
て、ＣＦ₄系のエッチングガスを用いるＲＩＥ法によっ
て、ＰｄおよびＡｕの積層膜をエッチングする。それに
よって、幅約２μｍのストライプ状のＰｄおよびＡｕの
積層膜からなるｐ型電極２０を形成する。このようにし
て、図１４に示すような、ｐ型電極２０および３０から
なるｐ型電極層３１を形成する。

【００８１】次に、図１５に示すように、ｐ型電極層３
１からなるエッチングマスク層をマスクとして、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８およびｐ型クラッド層７を２００ｎ
ｍ〜６００ｎｍの厚み分だけエッチングする。これによ
り、ｐ型クラッド層７の凸状部分とｐ型ＧａＮコンタク
ト層８とからなるリッジ部が形成される。

【００８２】次に、図１６に示すように、Ｎｉからなる
ｐ型電極３０を残したまま、プラズマＣＶＤ法などを用
いて、ｐ型クラッド層７、ｐ型ＧａＮコンタクト層８お
よびｐ型電極層３１を覆うように、ＳｉＯ₂からなる絶
縁膜９を約２００ｎｍの厚みで形成する。そして、絶縁
膜９上に、絶縁膜９全体を埋め込むように平坦化レジス
ト１３を塗布する。

【００８３】この後、図１７に示すように、ＣＦ₄系の
エッチングガスを用いるＲＩＥ法によって、平坦化レジ
スト１３および絶縁膜９を、絶縁膜９の上面がｐ型電極
２０の底面高さに到達するまで除去する。このようにし
て、絶縁膜９に、ｐ型電極層３１の上面および側面を露
出させる開口部９ａが自己整合的に形成される。この
後、平坦化レジスト１３を除去することによって、図１
８に示されるような構造となる。

【００８４】最後に、図１３に示したように、絶縁膜９
からｎ型ＧａＮコンタクト層３に至るまでの一部の領域
をエッチングにより除去することによって、ｎ型ＧａＮ
コンタクト層３の表面の一部を露出させる。そのｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層３の露出した表面上に、ｎ型電極１２
を形成する。そして、絶縁膜９上およびｐ型電極層３１
を覆うとともに、ｎ型電極１２上に、ＥＢ法を用いて、
パッド電極１１ａおよび１１ｂを形成する。このパッド
電極１１ａおよび１１ｂは、約１００ｎｍの厚みを有す
るＴｉ、約１００ｎｍの厚みを有するＰｔおよび約３０
０ｎｍの厚みを有するＡｕからなる積層構造を有するよ
うに形成する。

【００８５】このようにして、図１３に示した第３実施
形態による半導体発光素子が完成される。

【００８６】上記した第３実施形態の製造プロセスで
は、第２実施形態と異なり、ｐ型クラッド層７およびｐ
型ＧａＮコンタクト層８をエッチングする際のエッチン
グマスク層の上層を、オーミック電極材料であるＮｉか
らなるｐ型電極３０を用いて形成する。それによって、
ｐ型電極層３１をエッチングマスク層としてエッチング
した後に、エッチングマスク層の上層のｐ型電極３０を
除去する必要がない。それによって、エッチングマスク
層の上層を除去する工程が不要となる。その結果、製造
プロセスを簡略化することができる。

【００８７】また、第３実施形態の製造プロセスでは、
上記のように、ｐ型電極層３１からなるエッチングマス
ク層をマスクとして、ｐ型クラッド層７およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層８をエッチングしてリッジ部を形成する
ことによって、第１および第２実施形態と同様、ｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層８の上面のほぼ全面に接触するよう
に、ｐ型電極層３１を形成することができる。その結
果、コンタクト抵抗を低減することが可能な半導体発光
素子を容易に形成することができる。

【００８８】また、第３実施形態の製造プロセスでは、
上記したように、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＮコ
ンタクト層８をエッチングする際に、ｐ型電極２０およ
び３０からなるｐ型電極層３１をエッチングマスク層と
して用いる。このように、耐エッチング性を有するｐ型
電極３０を、エッチングマスク層の上層として用いるこ
とによって、下層のｐ型電極２０に耐エッチング性を持
たせる必要がない。それによって、第２実施形態と同
様、下層を構成するオーミック電極材料を選択する際
に、電極特性のみを考慮して選択することができる。そ
の結果、電極特性に優れたｐ型電極２０を形成すること
ができる。

【００８９】また、第３実施形態の製造プロセスでは、
第１および第２実施形態と同様、硫酸と過酸化水素との
混合液および希釈フッ酸溶液を用いて十分に洗浄したｐ
型ＧａＮコンタクト層８の上面上に、ｐ型電極２０の材
料であるＰｄおよびＡｕからなる積層膜を形成した後
は、ｐ型ＧａＮコンタクト層８の上面が露出することが
ない。その結果、第１および第２実施形態と同様、ｐ型
ＧａＮコンタクト層８とｐ型電極２０との良好なオーミ
ックコンタクトを得ることが可能な半導体発光素子を容
易に形成することができる。

【００９０】また、第３実施形態の製造プロセスでは、
ｐ型電極層３１からなるエッチングマスク層をマスクと
して、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＮコンタクト層
８をエッチングしてリッジ部を形成することによって、
第１および第２実施形態と同様、ｐ型電極層３１をリッ
ジ部の上面上に自己整合的に形成することができる。

【００９１】また、第３実施形態の製造プロセスでは、
ｐ型電極３０を約５００ｎｍの大きい厚みで形成するこ
とによって、ｐ型電極３０の上面の高さが高くなる。こ
れにより、ｐ型電極層３１を覆う平坦化レジスト１３を
形成した場合に、リッジ部以外の領域上に形成された平
坦化レジスト１３の厚みを厚く形成することができる。
それにより、リッジ部以外の領域上に位置する平坦化レ
ジスト１３の厚みが薄い場合のように、エッチングによ
ってリッジ部以外の領域上に位置する平坦化レジスト１
３が除去されて、リッジ部以外の領域上に位置する絶縁
膜９が除去されるという不都合を防止することができ
る。つまり、第３実施形態の製造プロセスでは、ｐ型電
極３０の厚みを大きくすることによって、平坦化レジス
ト１３を用いる絶縁膜開口プロセスを容易に行うことが
できる。

【００９２】なお、今回開示された実施形態は、すべて
の点で例示であって、制限的なものではないと考えられ
るべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説
明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許
請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更
が含まれる。

【００９３】たとえば、上記第１〜第３実施形態では、
絶縁膜９をＲＩＥ法を用いてエッチングする際に、絶縁
膜９の上面がｐ型電極の底面高さに到達するまで除去し
たが、本発明はこれに限らず、絶縁膜９の上面が、ｐ型
電極の上面の高さより低く、リッジ部を形成するｐ型ク
ラッド層７の下面より高い領域の範囲内にある構造であ
れば、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

【００９４】また、第１実施形態では、ｐ型電極１０を
Ｎｉによって形成したが、本発明はこれに限らず、オー
ミック電極材料であるとともに耐エッチング性を有する
材料であれば、他の材料を用いても、同様の効果を得る
ことができる。たとえば、Ｔｉなどを用いてもよい。

【００９５】また、第２および第３実施形態では、エッ
チングマスク層の下層としてのｐ型電極２０をＰｄおよ
びＡｕを用いて形成したが、本発明はこれに限らず、Ｔ
ｉまたはＰｔなどのオーミック電極材料を用いて形成し
ても、同様の効果を得ることができる。また、エッチン
グマスク層の下層として、Ｎｉを用いてもよい。

【００９６】また、第２または第３実施形態では、ｐ型
電極２０、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層８をエッチングする際に、エッチングマスク層の上
層としてレジスト２１またはＮｉを用いたが、本発明は
これに限らず、ＳｉＯ₂などの絶縁膜またはＴｉなどの
耐エッチング性を有する材料を用いてもよい。

【００９７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、コンタ
クト抵抗を低減することが可能な半導体発光素子および
その製造方法を提供することができる。また、活性層か
らの放熱性を向上させることができるとともに、良好な
オーミックコンタクトを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態による半導体発光素子を
示した断面図である。

【図２】図１に示した第１実施形態の半導体発光素子の
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図３】図１に示した第１実施形態の半導体発光素子の
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図４】図１に示した第１実施形態の半導体発光素子の
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図５】図１に示した第１実施形態の半導体発光素子の
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図６】図１に示した第１実施形態の半導体発光素子の
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図７】本発明の第２実施形態による半導体発光素子を
示した断面図である。

【図８】図７に示した第２実施形態による半導体発光素
子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図９】図７に示した第２実施形態による半導体発光素
子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１０】図７に示した第２実施形態による半導体発光
素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１１】図７に示した第２実施形態による半導体発光
素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１２】図７に示した第２実施形態による半導体発光
素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１３】本発明の第３実施形態による半導体発光素子
を示した断面図である。

【図１４】図１３に示した第３実施形態による半導体発
光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１５】図１３に示した第３実施形態による半導体発
光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１６】図１３に示した第３実施形態による半導体発
光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１７】図１３に示した第３実施形態による半導体発
光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１８】図１３に示した第３実施形態による半導体発
光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１９】従来の半導体発光素子を示した断面図であ
る。

【図２０】図１９に示した従来の半導体発光素子の製造
プロセスを説明するための断面図である。

【図２１】図１９に示した従来の半導体発光素子の製造
プロセスを説明するための断面図である。

【図２２】図１９に示した従来の半導体発光素子の製造
プロセスを説明するための断面図である。

【図２３】図１９に示した従来の半導体発光素子の製造
プロセスを説明するための断面図である。

【図２４】図１９に示した従来の半導体発光素子の製造
プロセスを説明するための断面図である。

【図２５】図１９に示した従来の半導体発光素子の製造
プロセスを説明するための断面図である。

【符号の説明】

５活性層（半導体層）７ｐ型クラッド層（半導体層）８ｐ型コンタクト層（半導体層）９絶縁膜９ａ開口部１０ｐ型電極（電極層）１１ａ、１１ｂパッド電極１３平坦化レジスト２０ｐ型電極（電極層）２１レジスト３０ｐ型電極（電極層）３１ｐ型電極層（電極層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者太田潔大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA45 AA55 CA07 CB07 CB22 CB23 DA05 DA24 EA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】活性層と前記活性層上に形成されたリッジ
部とを有する半導体層と、前記半導体層を覆うように形成されるとともに、前記リ
ッジ部の少なくとも上面の全域を露出させる開口部を有
する絶縁膜と、前記リッジ部の側面には接触せずに、前記リッジ部の露
出された上面に接触するように形成された電極層とを備
えた、半導体発光素子。
【請求項２】前記電極層は、耐エッチング性を有するオ
ーミック電極材料を含む、請求項１に記載の半導体発光
素子。
【請求項３】前記電極層の上面および側面に形成される
パッド電極をさらに備える、請求項１または２に記載の
半導体発光素子。
【請求項４】活性層を有する半導体層上に、電極となる
層を含むエッチングマスク層を形成する工程と、前記エッチングマスク層をマスクとして、前記半導体層
をエッチングすることによって、前記半導体層にリッジ
部を形成する工程とを備えた、半導体発光素子の製造方
法。
【請求項５】前記電極となる層を含むエッチングマスク
層は、耐エッチング性を有するオーミック電極材料を含
む、請求項４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】前記電極となる層を含むエッチングマスク
層は、オーミック電極材料からなる下層と、耐エッチン
グ材料からなる上層とを含む、請求項４に記載の半導体
発光素子の製造方法。
【請求項７】前記オーミック電極材料からなる下層は、
Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｕからなるグループよ
り選択される少なくとも１つの材料からなる層を含み、前記耐エッチング材料からなる上層は、Ｎｉ、Ｔｉ、絶
縁膜およびレジストからなるグループより選択される少
なくとも１つの材料からなる層を含む、請求項６に記載
の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】前記リッジ部を形成する工程の後、前記耐
エッチング材料からなる上層を除去する工程をさらに備
える、請求項６または７に記載の半導体発光素子の製造
方法。
【請求項９】前記半導体層および前記電極となる層を覆
うように絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜上に表面が平
坦化されたレジストを形成する工程と、前記レジストおよび前記絶縁膜をエッチングすることに
よって、前記絶縁膜に、前記電極層を露出させる開口部
を形成する工程とをさらに備える、請求項４〜８のいず
れか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。