JP2005167118A - 窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リッジストライプ型窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、リッジの上面と同じ幅を有し、リッジの上面の全体を覆う第一の上部電極層と、リッジの上面に、その幅がリッジの上面のそれよりも狭い開口部を有するところの第一の誘電体層と、第一の上部電極層よりも広い幅を有し、第一の上部電極層の全体を覆う第二の上部電極層を設ける製造方法を採用する事により、水平遠視野像の対称性をくずれにくくする。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第一の実施形態による窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す模式的断面図である。サファイア等の基板上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層、p型窒化ガリウム系化合物半導体層を順次積層して得られた窒化ガリウム系化合物半導体積層構造100の表面に、図1(a)のごとく、電子ビーム蒸着法により厚さ150Å(1Å=10-10m)のPdよりなる第一の上部電極層10を形成する。
図2は、本発明の第二の実施形態による窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す模式的断面図である。
図3は、本発明の第三の実施形態による窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す模式的断面図である。
図4は、本発明の第四の実施形態による窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す模式的断面図である。
20、21、22、23 第二の上部電極層
32、33 中間電極層
18 上部電極層
100、200、300、400、500 窒化ガリウム系半導体積層構造
60 ストライプ形成用フォトレジストマスク
70 開口部形成用フォトレジストマスク
40、41、42、43 第一の誘電体層
51、52、53 第二の誘電体層
48 誘電体層
80、81、82、83、88 開口部
90、91、92、93、98 リッジストライプ
Claims (6)
- 窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にストライプ状のリッジを有するリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法において、
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面に第一の上部電極層を設ける工程と、
第一の上部電極層の上面にストライプ状のマスク層を設ける工程と、
前記マスク層を用いた選択的エッチングにより第一の上部電極層の一部を除去する工程と、
さらに前記マスク層を用いた選択的エッチングにより窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の一部を除去して、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にリッジを形成する工程と、
前記マスク層を除去する工程と、
第一の上部電極層の上面と窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面に誘電体層を設ける工程と、
誘電体層のうちのリッジの上方の部位に開口部を設けて、第一の上部電極層を開口部より露出させる工程と、
誘電体層の開口部から露出した第一の上部電極層の上面と誘電体層の上面に第二の上部電極層を設ける工程と
を含むことを特徴とするリッジストライプ型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法。 - 窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にストライプ状のリッジを有するリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法において、
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面に第一の上部電極層を設ける第一の工程と、
第一の上部電極層の上面にストライプ状のマスク層を設ける第二の工程と、
前記マスク層を用いた選択的エッチングにより第一の上部電極層の一部を除去する第三の工程と、
さらに前記マスク層を用いた選択的エッチングにより窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の一部を除去して、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にリッジを形成する第四の工程と、
前記マスク層の上面と窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面に第一の誘電体層を設ける第五の工程と、
前記マスク層と第一の誘電体層のうちの前記マスク層上の部位とをリフトオフ法により除去して開口部を設け、第一の上部電極層を開口部より露出させる第六の工程と、
第一の誘電体層の開口部より露出した第一の上部電極層の上面と第一の誘電体層の上面に第二の誘電体層を設ける第七の工程と、
第二の誘電体層のうちのリッジの上方の部位に開口部を設けて、第一の上部電極層を開口部より露出させる第八の工程と、
第二の誘電体層の開口部より露出した第一の上部電極層の上面と第二の誘電体層の上面に第二の上部電極層を設ける第九の工程と
を含むことを特徴とするリッジストライプ型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法。 - 第八の工程と第九の工程との間に、第二の誘電体層の開口部より露出した第一の上部電極層の上面全体を覆う中間電極層を設ける工程を含み、
第九の工程において中間電極層の上面と第二の誘電体層の上面に第二の上部電極層を設ける
ことを特徴とする請求項2に記載のリッジストライプ型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法。 - 窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にストライプ状のリッジを有するリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法において、
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面に第一の上部電極層を設ける工程と、
第一の上部電極層の上面にストライプ状のマスク層を設ける工程と、
前記マスク層をマスクとする選択的エッチングにより第一の上部電極層の一部を除去する工程と、
さらに前記マスク層をマスクとする選択的エッチングにより窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の一部を除去して、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にリッジを形成する工程と、
前記マスク層の上面と窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面に第一の誘電体層を設ける工程と、
前記マスク層と第一の誘電体層のうちの前記マスク層上の部位とをリフトオフ法により除去して第一の誘電体層に開口部を設け、第一の上部電極層を開口部より露出させる工程と、
第一の誘電体層の開口部より露出した第一の上部電極層の上面全体に中間電極層を設ける工程と、
中間電極層の上面と第一の誘電体層の上面に第二の誘電体層を設ける工程と、
第二の誘電体層のうちの中間電極層上の部位に開口部を設けて、中間電極層を開口部より露出させる工程と、
第二の誘電体層の開口部より露出した中間電極層の上面と第二の誘電体層の上面に第二の上部電極層を設ける工程と
を含むことを特徴とするリッジストライプ型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法。 - 窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にストライプ状のリッジを有するリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、
リッジの上面と同じ幅を有し、リッジの上面の全体を覆う第一の上部電極層と、
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面のうちの第一の上部電極層に覆われていない部分を覆う第一の誘電体層と、
リッジの上面よりも幅が狭くリッジの上方に位置する開口部を有し、第一の上部電極層と第一の誘電体層を覆って、第一の上部電極層の一部を開口部より露出させる第二の誘電体層と、
第一の上部電極層よりも広い幅を有し、第二の誘電体層の開口部より露出した第一の上部電極層の全体を覆う中間電極層と、
中間電極層を覆う第二の上部電極層
を順に積層して得られる構造を備えることを特徴とするリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザ。 - 窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部にストライプ状のリッジを有するリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、
リッジの上面と同じ幅を有し、リッジの上面の全体を覆う第一の上部電極層と、
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上面のうちの第一の上部電極層に覆われていない部分を覆う第一の誘電体層と、
第一の上部電極層よりも広い幅を有し、第一の上部電極層の全体を覆う中間電極層と、
中間電極層よりも幅の狭い開口部を有し、中間電極層を覆ってその一部を開口部より露出させる第二の誘電体層と、
第二の誘電体層の開口部よりも広い幅を有し、第二の誘電体層の開口部より露出した中間電極層を覆う第二の上部電極層
を順に積層して得られる構造を備えることを特徴とするリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザ。
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