JP2010114430A - 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents

窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】製造プロセスに起因して電極層の表面に変質層が形成されるのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子100は、InGaNからなるMQW活性層22上に形成されたp型コンタクト層24と、p型コンタクト層24のMQW活性層22とは反対側の表面上に形成され、Pt電極層31とPd電極層32とPt電極層33とを含み、平面的に見てストライプ形状を有するp側オーミック電極25とを備える。そして、Pt電極層33の厚みは、Pt電極層31の厚みの10倍以上30倍以下である。
【選択図】図1

Description

本発明は、窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法に関し、特に、窒化物系半導体層と電極層とを備えた窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法に関する。
近年、窒化物系半導体レーザ素子は、次世代DVDに対応する光ディスク用ピックアップ装置の光源や各種ディスプレイ装置の光源としての開発が盛んに行われている。特に、窒化物系半導体レーザ素子の動作電圧の低減を図るために、半導体素子に形成される電極のコンタクト抵抗を低減することが要求される。この際、窒化物系半導体では、p型半導体のキャリア濃度が低いため、良好なオーミック性が得られるp側電極を形成するのは困難であった。
そこで、従来、電極材料としてPd系の材料を用いることにより良好なオーミック性を有するp側電極層が形成された窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
上記特許文献1には、窒化物系半導体からなるp側半導体層上にPt電極層およびPd系電極層がこの順に積層されたp側電極層を備えた窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法が開示されている。この窒化物系半導体レーザ素子では、p側半導体層に接触するPt層によってp側電極層とp側半導体層との付着力を向上させる一方、Pd系電極層によってp側電極層が低いコンタクト抵抗を得ることが可能なように構成されている。また、この窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは、p側半導体層上に所定の幅を有するようにPt電極層およびPd系電極層をこの順に積層した後、Pd系電極層をマスクとしてPd系電極層側からp側半導体層に向かって所定の領域をエッチングすることにより、p側半導体層に所定の幅を有するリッジストライプを形成している。その後、プラズマCVD法を用いてp側半導体層(p側電極層の部分を含む)上にSiO膜を形成するとともに、p側電極層に対応する領域のSiO膜を選択的に除去してPd系電極層の上面を露出させている。そして、最後に、露出したPd系電極層上にパッド電極を形成している。
特開2002−305358号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法では、パッド電極に接するPd系電極層の表面が変質しやすい傾向があると考えられる。具体的には、リッジストライプ形成後の製造プロセスにおいて、たとえばドライエッチングなどを用いてp側電極層上のSiO膜を選択的に除去してPd系電極層の上面を露出させる場合には、フルオロカーボン系(C−F系)ガスおよびOガスを用いたエッチング処理やレジストアッシング処理の際に、炭素原子(C)や酸素原子(O)がPd系電極層の表面に衝突するのに起因して、Pd系電極層の表面にCの変質層やPd酸化膜などの変質層が形成される場合が生じる。このため、上記特許文献1に記載の窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法では、p側電極層の表面に変質層が形成されやすいという問題点がある。特に、製造プロセスにおいて形成された変質層がp側電極層のオーミック性(コンタクト抵抗)を悪化させるため、半導体レーザ素子の動作電圧が増大するという不具合が生じる。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、製造プロセスに起因して電極層の表面に変質層が形成されるのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層上に形成された窒化物系半導体層と、窒化物系半導体層の活性層とは反対側の表面上に形成され、Ptからなる第1金属層と、第1金属層の表面上に形成されたPdからなる第2金属層と、第2金属層の表面上に形成されたPtからなる第3金属層とを含み、平面的に見て所定の形状を有する電極層とを備え、第3金属層の厚みは、第1金属層の厚みの10倍以上30倍以下である。
この発明の第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子では、上記のように、Pdからなる第2金属層の表面上に形成されたPtからなる第3金属層を含む電極層を備えることによって、電極層の最表面がPtからなる第3金属層により形成されるので、たとえばPd層を最表面とする電極層を備えた半導体レーザ素子と比較して、パッド電極などに接するPtからなる第3金属層の表面は、製造プロセスにおいて変質しにくい。特に、Ptからなる第3金属層を最表面として電極層を形成した後に、たとえばC−F系ガスを用いたドライエッチングやOガスを用いたアッシングによりPtからなる第3金属層の上面を露出させる場合においても、PtはPdなどよりもエッチングガスに対して化学的に反応しにくい性質を有するので、Ptからなる第3金属層の表面における変質層(Pt酸化膜などの副生成物)の発生を抑制することができる。この結果、半導体レーザ素子の製造プロセスに起因して、電極層の表面に変質層が形成されるのを抑制することができる。
また、Pdからなる第2金属層の表面上にPtからなる第3金属層を形成することによって、電極層をマスクとしてドライエッチングなどを行い窒化物系半導体層にリッジストライプを形成する際、最表面のPtからなる第3金属層により、エッチング処理時に飛散する電極材料がエッチングで形成された電極層側面に付着するのが抑制される。これにより、最表面にPtからなる第3金属層が形成されていない場合などの電極材料の付着量が顕著に多い場合と比較して、エッチングの進行とともにPtやPdからなるp側電極層の幅が広がるのが抑制される。これにより、窒化物系半導体層に、マスクの幅と略同じ幅を有するリッジストライプを形成することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、第1金属層は、窒化物系半導体層の表面を部分的に覆うように形成され、第2金属層は、第1金属層の表面と、第1金属層により覆われていない窒化物系半導体層の表面とを覆うように形成されている。このように構成すれば、第2金属層には、第1金属層の表面を覆う部分と窒化物系半導体層の表面を覆う部分とが形成されるので、窒化物系半導体層側における第2金属層の表面積を増やすことができる分、窒化物系半導体層の表面に対する電極層の密着性を向上させることができる。
この場合、好ましくは、第1金属層は、Ptが島状に分布した状態、または、Ptが網状となった状態に形成されている。このように構成すれば、Pdからなる第2金属層を、島状または網状となったPtからなる第1金属層の表面を覆うとともに、島状または網状となった第1金属層と第1金属層から露出する窒化物系半導体層との隙間に入り込んで窒化物系半導体層の表面を覆うので、第2金属層の表面積を容易に増加させることができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、第1金属層は、約1nm以上約2nm以下の範囲の厚みを有する。このように構成すれば、Ptからなる第1金属層を、容易かつ確実に島状または網状の状態で窒化物系半導体層の表面上に形成することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、第1金属層の厚みは、第2金属層の厚みよりも小さい。このように構成すれば、Ptを用いた第1金属層によって電極層と窒化物系半導体層との付着力を維持しつつ、Pdを用いた第2金属層によって良好なオーミック性を有する電極層を形成することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、第2金属層は、約5nm以上約20nm以下の範囲の厚みを有する。このように構成すれば、第2金属層の厚みが上記範囲内であることにより、第1金属層と窒化物系半導体層との付着力を維持することと、第2金属層による良好なオーミック性を有することとが両立する電極層を容易に形成することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、第2金属層の厚みは、第3金属層の厚みよりも小さい。このように構成すれば、電極層をマスクとしてドライエッチングなどを行い窒化物系半導体層にリッジストライプを形成する際、エッチング処理によって飛散する電極材料をより抑制することができる。これにより、所望のリッジ幅を有するリッジストライプを形成することができる。
この場合、好ましくは、第3金属層は、約10nm以上約30nm以下の範囲の厚みを有する。このように構成すれば、第3金属層の厚みが上記範囲内であることにより、エッチング処理の際の電極材料の飛散量を適切な範囲内に抑制することができるので、窒化物系半導体層に所望のリッジ幅を有するリッジストライプを容易に形成することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、所定の形状は、電極層の下方に形成される活性層の電流通路の平面的に見た形状と略同じ形状である。このように構成すれば、電極層(第1金属層)が有する幅で注入された電流を、電流通路が有する平面的な形状の略全ての領域にわたって活性層に供給することができる。また、電流通路が第1金属層と略同じ幅を有して形成されるので、レーザ素子の共振器方向に沿った電流通路の抵抗値がばらつくのを抑制することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、所定の形状は、電極層の下方に形成される光導波路の平面的に見た形状と略同じ形状である。このように構成すれば、活性層周辺に形成される光導波路の大きさ(断面形状)が、電極層の延びる方向に沿って実質的に一様になるので、安定したレーザ光を出射することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、窒化物系半導体層の活性層とは反対側の表面側に形成され、かつ、平面的に見て、所定の形状と略同じ形状を有するように電極層の下方に形成されたリッジをさらに備え、Ptからなる第1金属層は、リッジ上に形成されている。このように構成すれば、Ptからなる第1金属層によって電極層の窒化物系半導体層に対する付着力が向上されるので、電極層が窒化物系半導体層から剥れにくくなる。これにより、電流を電極層からリッジを介して活性層に確実に供給することができる。
この場合、好ましくは、第1金属層の窒化物系半導体層側の幅は、第3金属層の窒化物系半導体層と反対側の幅よりも広い。このように構成すれば、下部の窒化物系半導体層に接触する第1金属層の幅が、上層側に積層される第2金属層や第3金属層の幅よりも広い分、第1金属層を介して窒化物系半導体層の表面上に確実に付着する電極層を形成することができる。
上記第1金属層がリッジ上に形成される構成において、好ましくは、電極層は、リッジの延びる方向に沿って延びる側面を含み、側面は、第3金属層から第1金属層に向かって電極層の幅が広がるように傾斜している。このように構成すれば、下部の窒化物系半導体層に接触する第1金属層の幅が、上層側に積層される第2金属層や第3金属層の幅よりも広い分、第1金属層を介して窒化物系半導体層からなるリッジに容易に電流を供給することができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、電極層は、オーミック電極である。このように構成すれば、表面に変質層が形成されるのが抑制された電極層をオーミック電極として有効に用いることができるので、レーザ素子を駆動するための電流を、オーミック電極を介して活性層に確実に供給することができる。
この場合、好ましくは、第3金属層の第2金属層とは反対側に形成されたパッド電極をさらに備え、パッド電極は、第3金属層の表面に接触している。このように構成すれば、製造プロセスによって変質しにくいPtからなる第3金属層とパッド電極とのオーミック抵抗値が低減されるので、レーザ素子の電気的な特性を安定化させることができる。
上記パッド電極をさらに備える構成において、好ましくは、パッド電極は、Auを含む。このように構成すれば、Ptからなる第3金属層とAuを含むパッド電極とのオーミック抵抗値を確実に低減させることができる。
上記第1の局面による窒化物系半導体レーザ素子において、好ましくは、窒化物系半導体層は、p型半導体層を含み、電極層は、p側電極である。このように構成すれば、オーミック抵抗値が低減された電極層をレーザ素子に電流を注入するためのp側電極として用いるので、レーザ素子の低電圧化ならびに高出力化を行うことができる。
この発明の第2の局面による窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、窒化物系半導体からなる活性層上に窒化物系半導体層を形成する工程と、窒化物系半導体層の活性層とは反対側の表面上に、Ptからなる第1金属層と、Pdからなる第2金属層と、第1金属層の厚みの10倍以上30倍以下の厚みを有するPtからなる第3金属層と、第1マスク層とをこの順に積層して、平面的に見て所定の形状を有した状態に形成する工程と、第1マスク層、第3金属層、第2金属層および第1金属層をマスクとして、窒化物系半導体層をエッチングすることにより、窒化物系半導体層に所定の形状のリッジを形成する工程とを備える。
この発明の第2の局面による窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、上記のように、窒化物系半導体層の表面上に、Ptからなる第1金属層とPdからなる第2金属層とPtからなる第3金属層と第1マスク層とをこの順に積層して、平面的に見て所定の形状を有した状態に形成する工程と、第1マスク層、第3金属層、第2金属層および第1金属層をマスクとして、窒化物系半導体層をエッチングすることにより所定の形状のリッジを形成する工程とを備えることによって、リッジ上にはPtからなる第3金属層が最表面となる電極層が形成されるので、たとえばPd層を最表面とする電極層を備えた半導体レーザ素子と比較して、パッド電極などに接するPtからなる第3金属層の表面は、製造プロセスにおいて変質しにくい。特に、Ptからなる第3金属層を最表面として電極層を形成した後に、たとえばC−F系ガスを用いたドライエッチングやOガスを用いたアッシングによりPtからなる第3金属層の上面を露出させる場合においても、PtはPdなどよりもエッチングガスに対して化学的に反応しにくい性質を有するので、Ptからなる第3金属層の表面における変質層(Pt酸化膜などの副生成物)の発生を抑制することができる。この結果、半導体レーザ素子の製造プロセスに起因して、電極層の表面に変質層が形成されるのを抑制することができる。
上記第2の局面による窒化物系半導体レーザ素子の製造方法において、好ましくは、第1金属層と第2金属層と第3金属層と第1マスク層とをこの順に積層して、平面的に見て所定の形状を有した状態に形成する工程は、第1マスク層をマスクとして、第3金属層、第2金属層および第1金属層をエッチングすることにより、第1金属層、第2金属層および第3金属層が平面的に見て所定の形状を有した状態に形成する工程を含む。このように構成すれば、下部の窒化物系半導体層に接触する第1金属層の幅が、上層側に積層される第2金属層や第3金属層の幅よりも広い分、窒化物系半導体層の表面上に確実に付着する電極層を形成することができる。
上記第2の局面による窒化物系半導体レーザ素子の製造方法において、好ましくは、窒化物系半導体層の表面上、および、所定の形状を有する状態に形成された第3金属層、第2金属層および第1金属層の表面上に絶縁膜からなる電流ブロック層を形成する工程と、電流ブロック層の少なくともリッジの上方に位置する部分に対応するように開口部を有する第2マスク層を形成する工程と、第2マスク層をマスクとして開口部から露出する部分の電流ブロック層を除去することにより、第3金属層の表面を露出させる工程と、第2マスク層を除去する工程とをさらに備える。このように構成すれば、プラズマCVD法などによって電流ブロック層を形成する際や、ドライエッチングにより開口部から露出する部分の電流ブロック層を除去する際や、第2マスク層を除去する際、最表面の第3金属層にPtを用いているので、電極層の表面に変質層が形成されるのを容易に抑制することができる。
上記第2の局面による窒化物系半導体レーザ素子の製造方法において、好ましくは、第3金属層の表面を露出させる工程は、第2マスク層の開口部から露出する部分の電流ブロック層をドライエッチングすることにより、Ptからなる第3金属層の表面を露出させる工程を含む。このように構成すれば、Ptからなる第3金属層は、エッチング処理時に飛散する電極材料の飛散量が少なく、変質層の形成も少ないので、第3金属層の表面上にパッド電極などを形成した場合にも、第3金属層とパッド電極とのオーミック抵抗値を低減させることができる。
本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の詳細構造を示した拡大断面図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを説明するための図である。 本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを用いて形成した半導体レーザ素子のリッジ近傍の素子断面構造を走査型電子顕微鏡を用いて観察した顕微鏡写真である。 従来の半導体レーザ素子の製造プロセスを用いて形成した半導体レーザ素子のリッジ近傍の素子断面構造を走査型電子顕微鏡を用いて観察した顕微鏡写真である。 本発明の第1金属層(Pt層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験2の結果を示した図である。 本発明の第2金属層(Pd層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験3の結果を示した図である。 本発明の第2金属層(Pd層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験3の結果を示した図である。 ドライエッチング時にp側電極層から飛散する電極材料がp側電極層の側面に付着する様子を模式的に示した図である。 本発明の第3金属層(Pt層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験4の結果を示した図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
まず、図1および図2を参照して、本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子100の構造について説明する。
本実施形態による窒化物系半導体レーザ素子100では、図1に示すように、n型GaN基板11上に、AlGaNからなるバッファ層20が形成されている。バッファ層20上に、n型AlGaNからなるn型クラッド層21、InGaNからなる障壁層(図示せず)とInGaNからなる井戸層(図示せず)とが交互に積層されたMQW活性層22、および、AlInGaNからなるとともに凸部23aおよび平坦部23bを有するp型クラッド層23が形成されている。p型クラッド層23の凸部23a上には、InGaNからなるp型コンタクト層24が形成されている。また、p型クラッド層23の凸部23aおよびp型コンタクト層24によって、リッジ30が形成されている。また、リッジ30は、共振器方向と直交する素子の幅方向(B方向)に約1.5μmの幅を有するとともに共振器方向(A方向)に沿ってストライプ状に延びるように形成されている。このリッジ30により、リッジ30の下部のMQW活性層22周辺に光導波路が形成される。なお、GaN、AlGaN、InGaNおよびAlInGaNは、それぞれ、本発明の「窒化物系半導体」の一例である。また、MQW活性層22は、本発明の「活性層」の一例であり、p型クラッド層23およびp型コンタクト層24は、それぞれ、本発明の「窒化物系半導体層」の一例である。
また、p型コンタクト層24上に、p側オーミック電極25が形成されている。なお、p側オーミック電極25は、本発明の「電極層」の一例である。
ここで、本実施形態では、図1に示すように、p側オーミック電極25は、p型コンタクト層24から近い順に、約1nmの厚みを有するPt電極層31と、約5nmの厚みを有するPd電極層32と、約10nmの厚みを有するPt電極層33とが積層されて構成されている。したがって、Pt電極層33は、Pt電極層31の厚みの略10倍の厚みを有している。また、p側オーミック電極25は、リッジ30のB方向の幅と略同じ幅を有するように凸部23aの上方に形成されている。なお、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33は、それぞれ、本発明の「第1金属層」、「第2金属層」および「第3金属層」の一例である。
なお、Pt電極層31が約1nmの厚みを有する場合、図2においてp側オーミック電極25の断面を微視的に示すように、Pt電極層31は、Ptがp型コンタクト層24の表面上に島状に分布した状態に形成されている。また、Ptが島状に分布することによりPt電極層31は完全な連続膜とはなっていない。また、隣接するPtの島同志の一部が繋がった部分も存在するので、Pt電極層31は、部分的にp型コンタクト層24上を平面的に網状に広がるように形成されている。なお、Pt電極層31の厚みは、約1nm以上約2nm以下の範囲に形成されるのが好ましい。
また、図2に示すように、p型コンタクト層24とp側オーミック電極25との界面では、島状に分布したPt電極層31に加えてPt電極層31を覆うPd電極層32も、Pt電極層31が接触していないp型コンタクト層24の表面に部分的に接触するように構成されている。したがって、p側オーミック電極25は、島状に分布したPt電極層31とPd電極層32の一部とが共にp型コンタクト層24の表面に接触するように形成されている。なお、Pd電極層32の厚みは、約5nm以上約20nm以下の範囲に形成されるのが好ましく、Pd電極層32の厚みをPt電極層31の厚みよりも大きく形成するのが好ましい。
また、Pt電極層33の厚みは、約10nm以上約30nm以下の範囲に形成されるのが好ましい。本実施形態では、Pt電極層33の厚み(約10nm)は、Pt電極層31の厚み(約1nm)の略10倍の厚みを有している。
また、本実施形態では、図1および図2に示すように、p側オーミック電極25は、共振器方向に沿って延びる一対の側面25a(図1参照)が、Pt電極層33からPt電極層31に向かって電極層のB方向の幅が広がる方向にそれぞれ傾斜して形成されている。すなわち、p側オーミック電極25は、リッジ30から上方(C2方向)に向かってB方向の幅が若干先細りする形状を有している。また、リッジ30(図1参照)は、p側オーミック電極25の最下層のPt電極層31のB方向の幅と略同じ幅を有した状態で共振器方向(A方向)に沿って延びるように形成されている。
また、p型クラッド層23の平坦部の上面と、リッジ30の側面のp型クラッド層23の凸部23aおよびp型コンタクト層24と、p側オーミック電極25の側面とを覆うように、SiOからなる電流ブロック層26が形成されている。また、p側オーミック電極25の上面に接触するように、約10nmの厚みを有するTi層、約100nmの厚みを有するPd層および約300nmの厚みを有するAu層からなるp側パッド電極27が形成されている。また、n型GaN基板11の下面上に、n型GaN基板11から近い順に、約1nmの厚みを有するSi層、約6nmの厚みを有するAl層、約2nmの厚みを有するSi層、約6nmの厚みを有するPd層および約300nmの厚みを有するAu層からなるn側電極28が形成されている。
また、窒化物系半導体レーザ素子100は、図1に示すように、共振器方向の両端部に、n型GaN基板11の主表面に対して略垂直な一対の共振器端面101が形成されている。また、一対の共振器端面101には、製造プロセスにおける端面コート処理により、AlN膜やAl膜などからなる誘電体多層膜(図示せず)が形成されている。ここで、誘電体多層膜は、GaN、AlN、BN、Al、SiO、ZrO、Ta、Nb、La、SiN、AlONおよびMgFや、これらの混成比の異なる材料であるTiやNbなどからなる多層膜を用いることができる。
また、窒化物系半導体レーザ素子100において、n型クラッド層21とMQW活性層22との間に、光ガイド層やキャリアブロック層などが形成されていてもよい。また、n型クラッド層21のMQW活性層22と反対側にコンタクト層などが形成されていてもよい。また、MQW活性層22とp型クラッド層23との間に、光ガイド層やキャリアブロック層などが形成されていてもよい。また、MQW活性層22は、単層または単一量子井戸構造などであってもよい。
次に、図1〜図10を参照して、本発明の一実施形態による窒化物系半導体レーザ素子100の製造プロセスについて説明する。
まず、図3に示すように、MOCVD法を用いて、n型GaN基板11上に、バッファ層20、n型クラッド層21、MQW活性層22、p型クラッド層23、p型コンタクト層24を順次積層する。その後、p型コンタクト層24上に、真空蒸着法を用いて、p側オーミック電極25を形成する。
この際、本実施形態では、図2に示すように、p型コンタクト層24から近い順に、約1nmの厚みを有するPt電極層31と、約5nmの厚みを有するPd電極層32と、約10nmの厚みを有するPt電極層33とを積層してp側オーミック電極25を形成する。これにより、C2方向の最表面がPtからなるp側オーミック電極25が形成される。
その後、図3に示すように、プラズマCVD法などを用いて、p側オーミック電極25の表面上に、SiOからなるマスク40を形成する。その後、フォトリソグラフィを用いて、マスク40上に、A方向にストライプ状に延びるとともにB方向に幅が約1.5μmのレジストパターン41を形成する。
その後、図4に示すように、まず、レジストパターン41をマスクとしてマスク40をドライエッチングすることにより、B方向の幅がレジストパターン41と略同じ幅を有するようにマスク40がパターニングされる。そして、パターニングされたマスク40をマスクとして、p側オーミック電極25のPt電極層33、Pd電極層32およびPt電極層31を、CHFガスなどによる異方性ドライエッチングを用いて上層から下層に向かってC1方向にエッチングする。この際、まず、Pt電極層33のエッチングに伴ってレジストパターン41およびマスク40の側面に、保護膜45が形成される。ここで、保護膜45は、CHFガスやCFガスなどのフルオロカーボンガスによって生成される主にCFからなるフルオロカーボン系の物質や、エッチングの際に電極層から飛散する電極材料の付着物(主にPtやPdからなる物質)などを含んだ膜である。したがって、この保護膜45がPt電極層33のエッチング面(一対の側面25a)にも形成されながらPt電極層33がC1方向にエッチングされるので、図4に示すように、Pt電極層33のエッチング面(一対の側面25a)がC方向に対して斜めに傾斜して形成される。また、エッチングの進行とともに、エッチング面に保護膜45が形成され続ける。これにより、Pd電極層32およびPt電極層31においてもPt電極層33のエッチング面を引き継いで側面25aが徐々に形成される。したがって、図6に示すように、エッチングにより形成されたp側オーミック電極25は、断面的に見て、Pt電極層33からPt電極層31に向かって(上方から下方に向かって)金属層のB方向の幅が広がる形状に形成される。そして、ドライエッチングがp型コンタクト層24の上面(C2側)まで達した時点で、エッチングを終了する。なお、図6では、図示の関係上、側面25aに形成される保護膜45(図5参照)を省略している。その後、有機溶剤による洗浄によりレジストパターン41と保護膜45とを除去する。なお、パターニングされたマスク40は、本発明の「第1マスク層」の一例である。
その後、図7に示すように、パターニングされたマスク40とp側オーミック電極25とをマスクとして、p型コンタクト層24およびp型クラッド層23をClガスなどによる異方性ドライエッチングにより、平坦部23bおよび約500nmの突出高さを有する凸部23aからなるp型クラッド層23を形成する。この際、p型コンタクト層24およびp型クラッド層23は、Pt電極層31のB方向の幅と略同じ幅を有してC2方向にエッチングされる。これにより、p側オーミック電極25のうちの最下層のPt電極層31のB方向の幅と略同じ幅(約1.5μm)を有するリッジ30(凸部23a)が形成される。
その後、図8に示すように、ウェットエッチングによりリッジ30上に残されたマスク40(図7参照)が除去される。そして、プラズマCVD法などを用いて、p型クラッド層23の平坦部と、リッジ30の側面と、p側オーミック電極25の側面25aおよび上面(C2側)とを連続して覆うように電流ブロック層26を形成する。続いて、フォトリソグラフィを用いて、電流ブロック層26の所定領域上を覆うレジストパターン42を形成する。ここで、レジストパターン42は、p側オーミック電極25(リッジ30)が形成された領域の上方にストライプ状の開口部42aが形成されるようにパターニングされる。なお、レジストパターン42は、本発明の「第2マスク層」の一例である。
その後、図9に示すように、レジストパターン42をマスクとして、CHFガスやCFガスなどによる異方性ドライエッチングを用いてエッチングすることによって、開口部42aに対応する領域の電流ブロック層26を除去する。これにより、p側オーミック電極25のPt電極層33の上面が露出する。
その後、図10に示すように、Oガスを用いたアッシング処理を行うことによりレジストパターン42(図9参照)を除去する。その後、フォトリソグラフィと真空蒸着法を用いて、Pt電極層33の上面と電流ブロック層26の上面とを覆うとともにA方向(図1参照)に延びるp側パッド電極27を形成する。なお、p側パッド電極27は、リッジ30から近い順に、Ti層、Pd層およびAu層を積層して形成される。
その後、図10に示すように、n型GaN基板11が所定の厚みを有するようにn型GaN基板11の下面を研磨し、研磨による変質層などをドライエッチングなどにより除去した後、n型GaN基板11の下面上にn側電極28を形成する。なお、n側電極28は、n型GaN基板11から近い順に、Si層、Al層、Si層、Pd層およびAu層を積層して形成される。
最後に、約800μmの共振器長を有するようにウェハをB方向に沿ってバー状に劈開するとともに、破線800の位置で共振器方向(A方向(図1参照))に沿って素子分割(チップ化)を行う。これにより、図1に示した窒化物系半導体レーザ素子100が多数形成される。
本実施形態では、上記のように、Pd電極層32の表面上に形成されたPt電極層33を含むp側オーミック電極25を備えることによって、p側オーミック電極25の最表面がPt電極層33により形成されるので、Pd層を最表面とする電極層を備えた半導体レーザ素子と比較して、p側パッド電極27に接するPt電極層33の表面は、製造プロセスにおいて変質しにくくなる。特に、Pt電極層33を最表面としてp側オーミック電極25を形成した後に、シラン(SiH)ガスを用いたプラズマCVD法により電流ブロック層26を形成する際、Pdはシリサイド化されやすい一方、Ptはシリサイド化されにくい性質を有する。また、CFガスなどによる異方性ドライエッチングにより電流ブロック層26の一部領域を除去してPt電極層33の上面を露出させる場合においても、PtはPdなどよりもエッチングガスに対して化学的に反応しにくい性質を有するので、Pt電極層33の表面における変質層の発生を抑制することができる。また、その後の製造プロセスにおいて、Oガスを用いたアッシング処理を行うことによりレジストパターン42を除去する際も、PtはOガスとの反応性が低いので、Pt電極層33の表面に変質層が発生するのが抑制される。この結果、窒化物系半導体レーザ素子100の製造プロセスに起因して、p側オーミック電極25の表面に変質層が形成されるのを抑制することができる。
また、本実施形態では、Pd電極層32の表面上にPt電極層33を形成することによって、p側オーミック電極25をマスクとして異方性ドライエッチングなどを行いp型クラッド層23およびp型コンタクト層24にリッジ30を形成する際、最表面にPt電極層33を配置することによりPd電極層32を薄膜化することができるので、エッチング時にp側オーミック電極25の側壁に付着する電極材料の量を抑制することができる。この結果、最表面がPdからなる電極層である場合と比較して、エッチングの進行と共にp側オーミック電極25の幅(B方向)が顕著に太くなるのを抑制することができる。
また、本実施形態では、Pt電極層31を、Ptが島状に分布した状態、または、Ptが網状となった状態に形成することによって、Pd電極層32が、島状または網状となったPt電極層31の表面に接触して覆うとともに、島状または網状となったPt電極層31とPt電極層31から露出するp型コンタクト層24との隙間に入り込んでp型コンタクト層24の表面に接触して覆うので、Pd電極層32の表面積を容易に増加させることができる。また、Pd電極層32のp型コンタクト層24との接触面積が増加するので、p型コンタクト層24の表面に対するp側オーミック電極25の密着性を確実に向上させることができる。これにより、p側オーミック電極25を形成する際の温度よりも高い温度条件下で半導体素子層に所定の製造プロセスを順次施す場合にも、p側オーミック電極25の膜剥れを抑制することができる。これによっても、オーミック接触特性の劣化を抑制することができる。
また、本実施形態では、島状または網状のPt電極層31の厚みを、約1nm以上約2nm以下の範囲とすることによって、Pt電極層31を、容易かつ確実に島状または網状の状態でp型コンタクト層24の表面上に形成することができる。
また、本実施形態では、Pt電極層31の厚み(約1nm)を、Pd電極層32の厚み(約5nm)よりも小さく形成することによって、Ptを用いたPt電極層31によってp側オーミック電極25とp型コンタクト層24との付着力を維持しつつ、Pdを用いたPd電極層32によって良好なオーミック性を有するp側オーミック電極25を容易に形成することができる。
また、本実施形態では、Pt電極層31を、約1nm以上約2nm以下の範囲の厚みを有するとともに、Pd電極層32を、約5nm以上約20nm以下の範囲の厚みを有するように構成することによって、各電極層の厚みが上記範囲内であることにより、Pt電極層31とp型コンタクト層24との付着力を維持することと、Pd電極層32による良好なオーミック性を有することとが両立するp側オーミック電極25を容易に形成することができる。
また、本実施形態では、Pd電極層32の厚み(約5nm)を、Pt電極層33の厚み(約10nm)よりも小さく形成することによって、p側オーミック電極25をマスクとして異方性ドライエッチングなどを行いp型クラッド層23およびp型コンタクト層24にリッジ30を形成する際、エッチング処理によって飛散する電極材料(p側オーミック電極25の側面への電極材料の付着量)をより抑制することができる。これにより、所望のリッジ幅を有するリッジ30を形成することができる。
また、本実施形態では、Pd電極層32を、約5nm以上約20nm以下の範囲の厚みを有するとともに、Pt電極層33を、約10nm以上約30nm以下の範囲の厚みを有するように構成することによって、各電極層の厚みが上記範囲内であることにより、エッチング処理の際の電極材料の飛散量(保護膜45の量(厚み))を適切な範囲内に抑制することができるので、窒化物系半導体層に所望のリッジ幅を有するリッジストライプを容易に形成することができる。
また、本実施形態では、p側オーミック電極25におけるPt電極層31のB方向の幅と略同じ幅を有するようにリッジ30を形成するとともに、Pt電極層31をリッジ30のp型コンタクト層24に接触させてp側オーミック電極25を形成することによって、Pt電極層31によってp側オーミック電極25のp型コンタクト層24に対する付着力が向上されるので、p側オーミック電極25がp型コンタクト層24から剥れにくくなる。これにより、電流をp側オーミック電極25からリッジ30を介してMQW活性層22に確実に供給することができる。また、リッジ30がPt電極層31と共振器方向に沿って略同じ幅を有して形成されるので、p側オーミック電極25(Pt電極層31)が有する幅で注入された電流を、窒化物系半導体レーザ素子100の共振器方向に沿った略全ての領域にわたってMQW活性層22に供給することができる。
また、本実施形態では、リッジ30がPt電極層31と共振器方向に沿って略同じ幅を有して形成されることによって、窒化物系半導体レーザ素子100の共振器方向に沿った電流通路の抵抗値がばらつくのを抑制することができる。さらには、MQW活性層22周辺に形成される光導波路の大きさ(断面形状)が、p側オーミック電極25の延びる方向(共振器方向)に沿って実質的に一様になるので、窒化物系半導体レーザ素子100から安定したレーザ光を出射することができる。
また、本実施形態では、Pt電極層31のp型コンタクト層24と接触する側の幅(図10に示すB方向の幅)を、Pt電極層33のp側パッド電極27と接触する側の幅よりも広く構成することによって、Pt電極層31の幅が、上層側に積層されるPd電極層32やPt電極層33の幅よりも広い分、Pt電極層31を介してp型コンタクト層24の表面上に確実に付着するp側オーミック電極25を形成することができる。
また、本実施形態では、製造プロセスにおいてエッチングにより形成されたp側オーミック電極25の側面が、Pt電極層33からPt電極層31に向かって電極層の幅が広がるように傾斜することによって、下部のp型コンタクト層24に接触するPt電極層31の幅が、上層側に積層されるPd電極層32やPt電極層33の幅よりも広い分、Pt電極層31を介してリッジ30に容易に電流を供給することができる。
また、本実施形態では、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33によってp側オーミック電極25を形成することによって、表面に変質層が形成されるのが抑制されたp側オーミック電極25を有効に用いることができるので、窒化物系半導体レーザ素子100を駆動するための電流を、p側オーミック電極25を介してMQW活性層22に確実に供給することができる。
また、本実施形態では、Auを含むp側パッド電極27を、Pt電極層33の表面に接触して形成することによって、製造プロセスによって変質しにくいPtからなるPt電極層33とp側パッド電極27とのオーミック抵抗値が確実に低減されるので、窒化物系半導体レーザ素子100の電気的な特性を安定化させることができる。
また、本実施形態では、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33によってp側オーミック電極25を形成することによって、オーミック抵抗値が低減されたp側オーミック電極25をレーザ素子に電流を注入するためのp側電極として用いるので、窒化物系半導体レーザ素子100の低電圧化ならびに高出力化を行うことができる。
また、本実施形態の製造プロセスでは、レジストパターン42の開口部42aから露出する部分の電流ブロック層26をドライエッチングすることにより、Pt電極層33の表面を露出させることによって、Pt電極層33は、エッチング処理時に飛散する電極材料(主にPtを主成分とする付着物)が少ないので、Pt電極層33の表面上にp側パッド電極27を形成した場合にも、Pt電極層33とp側パッド電極27とのオーミック抵抗値を低減させることができる。
なお、上記実施形態では、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33の厚みを、それぞれ、約1nm、約5nmおよび約10nmとなるようにしてp側オーミック電極25を構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、以下に示す本実施形態の第1変形例および第2変形例のように構成してもよい。
たとえば、本実施形態の第1変形例として、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33の厚みが、それぞれ、約1.5nm、約10nmおよび約30nmとなるようにp側オーミック電極25を構成してもよい。なお、Pt電極層31が約1.5nmの厚みを有する場合も、図2に示すように、Pt電極層31は、Ptがp型コンタクト層24の表面上に島状に分布した状態に形成され、その一部はp型コンタクト層24上を平面的に網状に広がるように形成される。この第1変形例のように構成しても、Pt電極層33の表面は、製造プロセスにおいて変質しにくいので、p側オーミック電極25の表面に変質層が形成されるのが抑制される。
また、本実施形態の第2変形例として、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33の厚みが、それぞれ、約1nm、約15nmおよび約30nmとなるようにp側オーミック電極25を構成してもよい。この第2変形例のように構成しても、Pt電極層33の表面は、製造プロセスにおいて変質しにくいので、p側オーミック電極25の表面に変質層が形成されるのが抑制される。
[確認実験]
以下、上記実施形態の効果を確認するために行った実施例と比較例とによる確認実験1、および、本発明の電極層を構成する各金属層(第1金属層、第2金属層および第3金属層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験2〜4について説明する。
まず、図11および図12を参照して、上記実施形態の効果を確認するために行った実施例と比較例とによる確認実験1について説明する。なお、図11は、上記実施形態による窒化物系半導体レーザ素子100の製造プロセスを用いて形成した半導体レーザ素子のリッジ近傍の素子断面構造をSEMにより観察した顕微鏡写真であり、図12は、従来の半導体レーザ素子の製造プロセスを用いて形成した半導体レーザ素子のリッジ近傍の素子断面構造をSEMにより観察した顕微鏡写真である。
この確認実験1では、上記実施形態の製造プロセスと同様の製造プロセスを用いて上記実施形態に対応する実施例による窒化物系半導体レーザ素子を作製した。また、従来の半導体レーザ素子の製造プロセスを用いて、上記実施例に対する比較例による窒化物系半導体レーザ素子を作製した。すなわち、この比較例では、窒化物系半導体からなるp側半導体層上にPt電極層およびPd電極層をこの順に積層してPd系電極層を最表面とするオーミック電極層を形成した後に、上記実施形態と同様の製造プロセスを用いてリッジを形成した。
作製されたレーザ素子を観察した結果、まず、図12に示す比較例では、窒化物系半導体層にリッジ(凸部)が形成される一方、リッジの上面の端部近傍から下部の窒化物系半導体層にかけて異常なエッチング形状を有しているのが確認された。リッジが異常な形状を有する理由としては、製造プロセスにおいて、まず、ドライエッチングを用いてオーミック電極をストライプ状にパターニングする際に、最表面にPd電極層が配置されていることに起因して、Pd電極層のエッチング面(両側面)にエッチングに伴う微細な溝や穴(マイクロトレンチ)が部分的に形成されてしまうと考えられる。ここで、Pd電極層のエッチング面にはCHFガスなどによって生成されるフルオロカーボン系の物質や電極材料の飛散物質(主にPtやPd)による保護膜が形成されるが、Pdはエッチングに伴う微細な溝や穴(マイクロトレンチ)を生じさせやすい金属材料であるので、上記保護膜によってエッチング面が効果的に保護されない。その後、ストライプ状のオーミック電極をマスクとして半導体層をエッチングしてリッジを形成する際に、半導体層のみならず副次的に形成された上記Pd電極層の微細な溝(マイクロトレンチ)も同時にエッチングされてしまう。この結果、オーミック電極の表面から半導体層(p型クラッド層)に向かってオーミック電極を貫通する溝や穴部が形成されるため、リッジが部分的に異常な形状を有して形成されてしまうと考えられる。
これに対して図11に示す実施例では、窒化物系半導体層に形成されるリッジ(凸部)は、上記比較例に確認された異常な形状を有していないのが確認された。すなわち、オーミック電極層の最表面に、中間層であるPd電極層(厚み:5nm)の5倍の厚み(25nm)を有するPt電極層を形成した状態でオーミック電極層に対するドライエッチングを行った場合、最表面にPd電極層よりも微細な溝(マイクロトレンチ)などが生じにくいPtからなる金属材料が厚く堆積されているので、エッチングの際にPt電極層などにマイクロトレンチを生じることなくオーミック電極が形成できたと考えられる。この結果、マイクロトレンチのないオーミック電極をマスクとして半導体層をエッチングするので、エッチングによって形成されるリッジにも異常な形状が形成されなかったと考えられる。
上記の確認実験1の結果から、本発明による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスを用いて半導体レーザ素子を形成した場合、レーザ素子として適切な形状を有するオーミック電極およびリッジを形成することが可能であることが確認できた。
次に、図1および図13を参照して、本発明の第1金属層(Pt層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験2について説明する。
確認実験2では、図1に示した実施形態に対応する窒化物系半導体レーザ素子100と同様の素子構造を有する窒化物系半導体レーザ素子を作製した。この際、窒化物系半導体レーザ素子のp型コンタクト層に接する第1金属層(Pt層)の厚みを0.5nm〜4.5nmまで0.5nm毎に変化させたp側電極層(図1のp側オーミック電極25)を有する窒化物系半導体レーザ素子をそれぞれ作製した(サンプル数:n=9)。そして、各々の窒化物系半導体レーザ素子の動作電圧を調べた。
実験の結果、図13に示すように、p型コンタクト層に接する第1金属層(Pt層31)の厚みが1nm付近の場合、窒化物系半導体レーザ素子の動作電圧が最も低くなる(5.5V)のが確認された。また、第1金属層の厚みが2nm以下においても比較的低い6V以下の動作電圧が得られた。一方、第1金属層の厚みが2nmを超えた付近から、動作電圧が上昇する傾向にあるのが確認された。また、第1金属層の厚みを0.5nmに形成した場合は、金属膜形成時の膜の厚みを適切に制御できず、均一な厚みを有する第1金属層を形成することができなかった。したがって、この確認実験2では、第1金属層(Pt層)の厚みを1nm以上2nm以下に形成するのが好ましいことが分かった。
次に、図1および図14〜図16を参照して、本発明の第2金属層(Pd層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験3について説明する。
確認実験3では、上記確認実験2と同様の素子構造を有する窒化物系半導体レーザ素子を作製した。この際、第1金属層(Pt層)上の第2金属層(Pd層)の厚みを2nm〜30nmまで変化させたp側電極層(図1のp側オーミック電極25)を有する窒化物系半導体レーザ素子をそれぞれ作製した(サンプル数:n=7)。そして、各々の窒化物系半導体レーザ素子の第2金属層のコンタクト抵抗値を調べた。なお、第1金属層(Pt層)および第3金属層(Pt層)の厚みは、それぞれ、1nmおよび10nmの一定値として形成した。また、各々の窒化物系半導体レーザ素子を作製する製造プロセスにおいて、p側電極層をマスクとして異方性ドライエッチングによりリッジを形成する際の、p側電極層から飛散する電極材料の付着量(p側電極層近傍の側面に付着したフルオロカーボン系の物質や、主にPtとPdとからなる電極材料の飛散物からなる膜(保護膜)の横方向の幅)を調べた。なお、エッチング処理に伴ってp側電極層から飛散する電極材料(保護膜)は、図16に示すような状態でエッチングの進行と共にp側電極層近傍(リッジ)の側面に付着するのが確認された。なお、図16では、Pdがp側電極層近傍の側面に付着した部分の横方向の幅をW1およびW2で示している。また、確認実験3では、1.3μmの幅を有するようにp側電極層上のマスクをパターニングした状態で異方性ドライエッチングを行った。
まず、第2金属層の厚みに対するコンタクト抵抗値の測定結果は、図14に示すように、第2金属層の厚みが2nm程度の場合、コンタクト抵抗値は8×10−3Ωcmであったのに対し、第2金属層の厚みが5nm以上30nm以下の範囲では、コンタクト抵抗値は3×10−3Ωcm以上4×10−3Ωcm以下の範囲に抑えられた。
また、第2金属層の厚みに対するドライエッチング時のPdの付着量の測定結果(測定は5点のみ)は、図15に示すように、第2金属層の厚みが5nm以上15nm以下の範囲では、付着物の横方向の幅(W1+W2)は30nm以下であった。これに対し、第2金属層の厚みが20nm以上30nm以下の範囲では、付着物の横方向の幅(W1+W2)は50nm〜100nmの範囲まで顕著に増加した。なお、電極材料の付着量が100nm(図16に図示するW1+W2)では、リッジの幅(1.3μm)に対して無視できないほどの大きさになるので、第2金属層の厚みを30nm未満に抑えることが必要であると考えられる。特に、電極材料の付着量(W1+W2)を50nm以下に抑えるためには、第2金属層の厚みを20nm以下に抑えて形成することが必要である。
次に、図1、図15および図17を参照して、本発明の第3金属層(Pt層)の厚みの最適値を調べるために行った確認実験4について説明する。
確認実験4では、上記確認実験2および3と同様の素子構造を有する窒化物系半導体レーザ素子を作製した。この際、p側電極層(図1のp側オーミック電極25)の最上面である第3金属層の厚みを10nm〜40nmまで10nm毎に変化させて積層した後に、電極層をマスクとして異方性ドライエッチングによりリッジをそれぞれ形成した(サンプル数:n=4)。そして、上記確認実験3と同様に、p側電極層から飛散する電極材料などの付着量(p側電極層近傍の側面に付着した部分の横方向の幅)を調べた。なお、第1金属層および第2金属層の厚みは、それぞれ、1nmおよび5nmの一定値として形成した。
実験の結果、図17に示すように、第3金属層の厚みの増加に伴って、付着した電極材料の横方向の幅(W1+W2)も増加する傾向にあることが確認された。なお、図15に示す上記確認実験3の結果を考慮した場合、ドライエッチングによるリッジ形成時の電極材料の付着量(付着物の横方向の幅(W1+W2))を目標値として50nm以下に抑えるためには、第2金属層の厚みを5nm以上20nm以下に形成するのが好ましいと考えられる。また、この場合、電極材料の付着量(図17参照)は15nm以下にする必要がある。したがって、図17より、第3金属層の厚みを10nm以上30nm以下の範囲で形成することが必要であると考えられる。
なお、上記確認実験2〜4の結果に基づき、ドライエッチング時の電極材料の付着量(図16の幅W1+W2)を50nm以下に抑えるためには、第3金属層(Pt層)の形成条件(形成する厚み)に応じて第2金属層(Pd層)の厚みを次のように定めるのが好ましい。第1に、第3金属層(Pt層)の厚みを10nm程度とする場合、第2金属層(Pd層)の厚みを5nm以上20nm以下で形成されるべきと考える。第2に、第3金属層(Pt層)の厚みを20nm程度とする場合、第2金属層(Pd層)の厚みを5nm以上15nm以下で形成されるべきと考える。第3に、第3金属層(Pt層)の厚みを30nm程度とする場合、第2金属層(Pd層)の厚みを5nm以上16nm以下で形成されるべきと考える。また、上記3通りのいずれの場合においても、第1金属層(Pt層)の厚みは1nm以上2nm以下に形成されるのが好ましい。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態およびその変形例において、Pt電極層31、Pd電極層32およびPt電極層33の厚みを個々に組み合わせてp側オーミック電極25を構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、上記実施形態およびその変形例において示した厚み以外の厚みを有するように各電極層31、32および33を積層してp側オーミック電極25を形成してもよい。なお、Pt電極層33の厚みは、Pt電極層31の厚みの10倍以上30倍以下となるように形成される。
また、上記実施形態およびその変形例では、Pd電極層32の厚みをPt電極層33の厚みよりも小さくなるように形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、Pd電極層32の厚みをPt電極層33の厚みと略同じか、またはPt電極層33の厚みよりも若干大きくなるように形成してもよい。
また、上記実施形態およびその変形例では、Pt電極層31をp型コンタクト層24の表面上に島状に形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、Pt電極層31を略均一な厚みを有する層状に形成してもよい。
また、上記実施形態およびその変形例では、Pt電極層31に接するようにPd電極層32を積層した例について示したが、本発明はこれに限らず、Pt電極層31(第1金属層)とPd電極層32(第2金属層)との間に、Tiからなる電極層を挿入してもよい。特に、この場合、Tiからなる電極層の厚みは約0.5nm以上約2nm以下であるのが好ましい。
また、上記実施形態およびその変形例における製造プロセスでは、レジストパターン41をマスクとしてマスク40およびp側オーミック電極25をパターニングした後、レジストパターン41を除去し、その後、パターニングされたマスク40およびp側オーミック電極25をマスクとしてリッジ30を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、マスク40およびp側オーミック電極25をパターニングした後、レジストパターン41を除去せず、レジストパターン41、マスク40およびp側オーミック電極25をマスクとしてリッジ30を形成してもよい。この変形例の場合、レジストパターン41およびマスク40の両方が、本発明の「第1マスク層」となる。あるいは、本発明はこれに限らず、マスク40を形成せずp側オーミック電極25上に直接レジストパターン41を形成して、レジストパターン41をマスクとしてp側オーミック電極25のパターニングを行うとともに、レジストパターン41を除去せず、レジストパターン41およびp側オーミック電極25をマスクとしてリッジ30を形成してもよい。この変形例の場合、レジストパターン41のみが、本発明の「第1マスク層」となる。
また、上記実施形態およびその変形例における製造プロセスでは、所定の形状のレジストパターン41をマスクとしてマスク40およびp側オーミック電極25をパターニングしたが、本発明はこれに限らず、窒化物系半導体層上に、略リッジ30の幅の開口部を有するレジストパターンを形成した後、開口部から露出する窒化物系半導体層の部分に電極層とマスク層とをこの順に積層し、その後、レジストパターンを除去するというリフトオフ工程を用いて形成してもよい。これにより、その後、窒化物系半導体層に形成されるリッジ30と略同じ幅を有する電極層およびマスク層を、窒化物系半導体層上に形成することができる。
また、上記実施形態およびその変形例では、n型GaN基板11(成長用基板)上に窒化物系半導体を積層して窒化物系半導体レーザ素子100を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、n型GaN基板11上に窒化物系半導体を積層して窒化物系半導体レーザ素子のウェハを形成した後、ウェハのp側パッド電極27側を接合面としてGeなどからなる支持基板に接合するとともに、n型GaN基板11を除去する貼り替え工程による窒化物系半導体レーザ素子を形成してもよい。
また、上記実施形態およびその変形例では、1つのリッジ30を有する窒化物系半導体レーザ素子100を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、窒化物系半導体層に2つ以上のリッジを形成することにより、2つ以上の発光部を有する窒化物系半導体レーザ素子を形成してもよい。
また、上記実施形態およびその変形例では、n型GaN基板11上に1つのリッジ30を有する窒化物系半導体レーザ素子100を形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、n型GaN基板11上に、所定の間隔を隔てて互いに隣接するように窒化物系半導体層を形成するとともに、各々の窒化物系半導体層にリッジを設けたモノリシック型の多波長半導体レーザ素子(たとえば、青色レーザ素子および緑色レーザ素子からなる2波長半導体レーザ素子など)を形成してもよい。
22 MQW活性層(活性層)
23 p型クラッド層(窒化物系半導体層)
24 p型コンタクト層(窒化物系半導体層)
25 p側オーミック電極(電極層)
26 電流ブロック層
30 リッジ
31 Pt電極層(第1金属層)
32 Pd電極層(第2金属層)
33 Pt電極層(第3金属層)
40 マスク(第1マスク層)
42 レジストパターン(第2マスク層)
42a 開口部

Claims (6)

  1. 窒化物系半導体からなる活性層上に形成された窒化物系半導体層と、
    前記窒化物系半導体層の前記活性層とは反対側の表面上に形成され、Ptからなる第1金属層と、前記第1金属層の表面上に形成されたPdからなる第2金属層と、前記第2金属層の表面上に形成されたPtからなる第3金属層とを含み、平面的に見て所定の形状を有する電極層とを備え、
    前記第3金属層の厚みは、前記第1金属層の厚みの10倍以上30倍以下である、窒化物系半導体レーザ素子。
  2. 前記第1金属層の厚みは、前記第2金属層の厚みよりも小さい、請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
  3. 前記第2金属層の厚みは、前記第3金属層の厚みよりも小さい、請求項1または2に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
  4. 前記窒化物系半導体層の前記活性層とは反対側の表面側に形成され、かつ、平面的に見て、前記電極層の前記所定の形状と略同じ形状を有するように前記電極層の下方に形成されたリッジをさらに備え、
    前記Ptからなる第1金属層は、前記リッジ上に形成されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
  5. 窒化物系半導体からなる活性層上に窒化物系半導体層を形成する工程と、
    前記窒化物系半導体層の前記活性層とは反対側の表面上に、Ptからなる第1金属層と、Pdからなる第2金属層と、前記第1金属層の厚みの10倍以上30倍以下の厚みを有するPtからなる第3金属層と、第1マスク層とをこの順に積層して、平面的に見て所定の形状を有した状態に形成する工程と、
    前記所定の形状を有する状態に形成された第1マスク層、前記第3金属層、前記第2金属層および前記第1金属層をマスクとして、前記窒化物系半導体層の所定の領域をエッチングすることにより、前記窒化物系半導体層に前記所定の形状のリッジを形成する工程とを備える、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法。
  6. 前記窒化物系半導体層の表面上、および、前記所定の形状を有する状態に形成された前記第3金属層、前記第2金属層および前記第1金属層の表面上に絶縁膜からなる電流ブロック層を形成する工程と、
    前記電流ブロック層の少なくとも前記リッジの上方に位置する部分に対応するように開口部を有する第2マスク層を形成する工程と、
    前記第2マスク層をマスクとして前記開口部から露出する部分の前記電流ブロック層を除去することにより、前記第3金属層の表面を露出させる工程と、
    前記第2マスク層を除去する工程とをさらに備える、請求項5に記載の窒化物系半導体レーザ素子の製造方法。
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