JPH10145002A - 窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法 - Google Patents
窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法Info
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- JPH10145002A JPH10145002A JP30425996A JP30425996A JPH10145002A JP H10145002 A JPH10145002 A JP H10145002A JP 30425996 A JP30425996 A JP 30425996A JP 30425996 A JP30425996 A JP 30425996A JP H10145002 A JPH10145002 A JP H10145002A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の
閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることによ
り、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実
現する。 【構成】 ｎ型窒化物半導体層を成長させた後、そのｎ
型窒化物半導体層の表面に微細な凹凸を設けるか、成長
後の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が形成される
ようにｎ型窒化物半導体層を成長させ、その後その凹凸
が設けられたｎ型窒化物半導体層に接して、量子構造を
有し、かつインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性
層を成長させることにより、レーザ素子の閾値が低下し
て、長時間連続発振可能となる。
閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることによ
り、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実
現する。 【構成】 ｎ型窒化物半導体層を成長させた後、そのｎ
型窒化物半導体層の表面に微細な凹凸を設けるか、成長
後の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が形成される
ようにｎ型窒化物半導体層を成長させ、その後その凹凸
が設けられたｎ型窒化物半導体層に接して、量子構造を
有し、かつインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性
層を成長させることにより、レーザ素子の閾値が低下し
て、長時間連続発振可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＥＤ（発光ダイオー
ド）、ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子、あるい
は太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化
物半導体（Ｉｎ XＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋
Y≦１）よりなる素子と、その素子を構成する窒化物半
導体の成長方法に関する。
ド）、ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子、あるい
は太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化
物半導体（Ｉｎ XＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋
Y≦１）よりなる素子と、その素子を構成する窒化物半
導体の成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体は高輝度青色ＬＥＤ、純緑
色ＬＥＤの材料として、フルカラーＬＥＤディスプレ
イ、交通信号等で最近実用化されたばかりである。これ
らのＬＥＤはｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体
層との間に、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Single-Quant
um- Well）を有するＩｎＧａＮよりなる活性層を有する
ダブルへテロ構造を有している。青色、緑色等の波長は
ＩｎＧａＮ活性層のＩｎ組成比を増減することで決定さ
れている。
色ＬＥＤの材料として、フルカラーＬＥＤディスプレ
イ、交通信号等で最近実用化されたばかりである。これ
らのＬＥＤはｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体
層との間に、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Single-Quant
um- Well）を有するＩｎＧａＮよりなる活性層を有する
ダブルへテロ構造を有している。青色、緑色等の波長は
ＩｎＧａＮ活性層のＩｎ組成比を増減することで決定さ
れている。
【０００３】また、本出願人は、最近この材料を用いて
パルス電流において、室温での４１０ｎｍのレーザ発振
を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys. Vol35 (1996)
pp.L74-76）。図１に発表したレーザ素子の構造を示
す。このレーザ素子はサファイア基板の上にＧａＮバッ
ファ層、ｎ−ＧａＮ、ｎ−Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ、ｎ−Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎ、ｎ−ＧａＮ、ＩｎＧａＮよりなる多重
量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi-Quantum-Well）の活性
層、ｐ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ、ｐ−ＧａＮ、ｐ−Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ｎ、ｐ−ＧａＮが順に積層されてなる電極スト
ライプ型のレーザ素子であり。最上層のｐ型ＧａＮには
ストライプ状のｐ電極、エッチングにより露出されたバ
ッファ層の上のｎ−ＧａＮには同じくストライプ状のｎ
電極が形成されている。このレーザ素子はパルス電流
（パルス幅２μｓ、パルス周期２ｍｓ）において、閾値
電流６１０ｍＡ、閾値電流密度８．７ｋＡ／cm2、閾値
電圧２１Ｖと、閾値での電流、電圧がかなり高い。室温
連続発振させるためには、この閾値電流、電圧が下がる
ような、さらに発光効率の高い素子を実現する必要があ
る。
パルス電流において、室温での４１０ｎｍのレーザ発振
を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys. Vol35 (1996)
pp.L74-76）。図１に発表したレーザ素子の構造を示
す。このレーザ素子はサファイア基板の上にＧａＮバッ
ファ層、ｎ−ＧａＮ、ｎ−Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ、ｎ−Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎ、ｎ−ＧａＮ、ＩｎＧａＮよりなる多重
量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi-Quantum-Well）の活性
層、ｐ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ、ｐ−ＧａＮ、ｐ−Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ｎ、ｐ−ＧａＮが順に積層されてなる電極スト
ライプ型のレーザ素子であり。最上層のｐ型ＧａＮには
ストライプ状のｐ電極、エッチングにより露出されたバ
ッファ層の上のｎ−ＧａＮには同じくストライプ状のｎ
電極が形成されている。このレーザ素子はパルス電流
（パルス幅２μｓ、パルス周期２ｍｓ）において、閾値
電流６１０ｍＡ、閾値電流密度８．７ｋＡ／cm2、閾値
電圧２１Ｖと、閾値での電流、電圧がかなり高い。室温
連続発振させるためには、この閾値電流、電圧が下がる
ような、さらに発光効率の高い素子を実現する必要があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように窒化物半導
体ではＬＥＤが実用化域に入っており、益々の光度向
上、長寿命が望まれ、ＬＤでは早期室温での連続発振が
望まれている。そのためには素子自体の構造を改良し
て、窒化物半導体デバイスの特性を向上させる必要があ
る。そのためには最も過酷な条件で使用されるレーザ素
子の閾値を低下させて、レーザ素子を連続発振させるこ
とが、最もわかりやすい。従って本発明の目的とすると
ころは、主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾
値を低下させて室温で長時間連続発振させることによ
り、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実
現することにある。これを実現することにより、同時に
ＬＥＤの発光効率を向上させ、太陽電池、光センサー等
の受光素子の効率も向上させることができる。そのため
に本発明では、新規な窒化物半導体素子の構造と、その
素子を構成する窒化物半導体の成長方法とを提供する。
体ではＬＥＤが実用化域に入っており、益々の光度向
上、長寿命が望まれ、ＬＤでは早期室温での連続発振が
望まれている。そのためには素子自体の構造を改良し
て、窒化物半導体デバイスの特性を向上させる必要があ
る。そのためには最も過酷な条件で使用されるレーザ素
子の閾値を低下させて、レーザ素子を連続発振させるこ
とが、最もわかりやすい。従って本発明の目的とすると
ころは、主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾
値を低下させて室温で長時間連続発振させることによ
り、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実
現することにある。これを実現することにより、同時に
ＬＥＤの発光効率を向上させ、太陽電池、光センサー等
の受光素子の効率も向上させることができる。そのため
に本発明では、新規な窒化物半導体素子の構造と、その
素子を構成する窒化物半導体の成長方法とを提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体素
子は、ｎ型窒化物半導体層（以下、ｎ型層という。）と
ｐ型窒化物半導体層（以下、ｐ型層という。）との間
に、量子構造を有する活性層が形成されてなる窒化物半
導体素子において、前記活性層は表面に微細な凹凸が設
けられたｎ型層に接して形成されていることを特徴とす
る。なお量子構造とは、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Si
ngle-quantum-Well）、ＭＱＷ、量子ドット、量子箱
等、窒化物半導体の量子効果が現れるような、単一膜厚
が非常に薄い膜厚で形成された活性層を意味し、具体的
には例えばＳＱＷであれば膜厚が７０オングストローム
以下、さらに好ましくは５０オングストローム以下の単
一井戸層よりなる活性層を意味し、ＭＱＷであれば、障
壁層が１５０オングストローム以下、さらに好ましくは
１００オングストローム以下の膜厚で形成され、障壁層
と前記井戸層とを複数積層してなる活性層を意味する。
量子箱、量子ドットとは、活性層の膜厚の薄い井戸層及
び／又は障壁層の一部が相分離してインジウムの多いイ
ンジウムリッチ領域と、インジウムの少ないインジウム
プアー領域とを形成しており、インジウムリッチ領域と
インジウムプアー領域とが平面上で規則的に並んだよう
な状態になって量子箱を形成している状態を指す。ある
いはＩｎリッチ領域と、Ｉｎプアー領域によって生じる
井戸層の厚さが面内で不均一であり、面内方向において
キャリアが閉じこめられるようになっているものも、こ
こでは含んで量子ドット若しくは量子箱というが、量子
箱、量子ドットについては後に詳説する。
子は、ｎ型窒化物半導体層（以下、ｎ型層という。）と
ｐ型窒化物半導体層（以下、ｐ型層という。）との間
に、量子構造を有する活性層が形成されてなる窒化物半
導体素子において、前記活性層は表面に微細な凹凸が設
けられたｎ型層に接して形成されていることを特徴とす
る。なお量子構造とは、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Si
ngle-quantum-Well）、ＭＱＷ、量子ドット、量子箱
等、窒化物半導体の量子効果が現れるような、単一膜厚
が非常に薄い膜厚で形成された活性層を意味し、具体的
には例えばＳＱＷであれば膜厚が７０オングストローム
以下、さらに好ましくは５０オングストローム以下の単
一井戸層よりなる活性層を意味し、ＭＱＷであれば、障
壁層が１５０オングストローム以下、さらに好ましくは
１００オングストローム以下の膜厚で形成され、障壁層
と前記井戸層とを複数積層してなる活性層を意味する。
量子箱、量子ドットとは、活性層の膜厚の薄い井戸層及
び／又は障壁層の一部が相分離してインジウムの多いイ
ンジウムリッチ領域と、インジウムの少ないインジウム
プアー領域とを形成しており、インジウムリッチ領域と
インジウムプアー領域とが平面上で規則的に並んだよう
な状態になって量子箱を形成している状態を指す。ある
いはＩｎリッチ領域と、Ｉｎプアー領域によって生じる
井戸層の厚さが面内で不均一であり、面内方向において
キャリアが閉じこめられるようになっているものも、こ
こでは含んで量子ドット若しくは量子箱というが、量子
箱、量子ドットについては後に詳説する。
【０００６】本発明の半導体素子において、活性層に接
して形成されているｎ型層の凹凸の平均段差が１０オン
グストローム〜１００オングストロームの範囲内にある
ことを特徴とする。なお凹凸の平均段差は、その窒化物
半導体層の表面荒さを測定することによって決定でき
る。
して形成されているｎ型層の凹凸の平均段差が１０オン
グストローム〜１００オングストロームの範囲内にある
ことを特徴とする。なお凹凸の平均段差は、その窒化物
半導体層の表面荒さを測定することによって決定でき
る。
【０００７】本発明の窒化物半導体の成長方法は２種類
の態様からなり、その第１の態様は、ｎ型層を成長させ
た後、そのｎ型層の表面に微細な凹凸を設ける工程と、
その凹凸が設けられたｎ型層に接して、量子構造を有
し、かつインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層
を成長させる工程とを備えることを特徴とする。
の態様からなり、その第１の態様は、ｎ型層を成長させ
た後、そのｎ型層の表面に微細な凹凸を設ける工程と、
その凹凸が設けられたｎ型層に接して、量子構造を有
し、かつインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層
を成長させる工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】本発明の成長方法の第２の態様は、成長後
の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が形成されるよ
うにｎ型層を成長させる工程と、凹凸が設けられたｎ型
窒化物半導体層に接して、量子構造を有し、かつインジ
ウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を成長させる工
程とを備えることを特徴とする。
の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が形成されるよ
うにｎ型層を成長させる工程と、凹凸が設けられたｎ型
窒化物半導体層に接して、量子構造を有し、かつインジ
ウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を成長させる工
程とを備えることを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明の成長方法の第１の態様及
び第２の態様において、前記凹凸の平均段差が１０オン
グストローム〜１００オングストロームの範囲内にある
ことを特徴とする。
び第２の態様において、前記凹凸の平均段差が１０オン
グストローム〜１００オングストロームの範囲内にある
ことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】図２に本発明の窒化物半導体素子
の活性層付近の構造を拡大して示す模式的な断面図を示
す。本発明の窒化物半導体素子は活性層が形成されるｎ
型層表面に微細な凹凸が設けられている。このｎ型層の
上に量子構造を有する活性層を成長させると、活性層の
表面にも凹凸が発生する。量子構造を構成する活性層の
単一井戸層の膜厚は７０オングストローム以下と非常に
薄い。このような単一膜厚が非常に薄い層を、凹凸のあ
るｎ型層の表面に成長させると、活性層はその性質を受
け継いで凹凸が発生する、さらにその凹凸により活性層
に組成の不均一が生じやすい傾向にある。つまり、ｎ型
層の凹凸の上に活性層を成長させると、活性層（井戸
層）に注入されたキャリアは、面内方向でｎ型層、ｐ型
層との層のバンドギャップ差により、キャリアが横方向
に閉じこめられたような形となり量子箱、若しくは量子
ドット構造と同一となり、出力が大幅に向上する。
の活性層付近の構造を拡大して示す模式的な断面図を示
す。本発明の窒化物半導体素子は活性層が形成されるｎ
型層表面に微細な凹凸が設けられている。このｎ型層の
上に量子構造を有する活性層を成長させると、活性層の
表面にも凹凸が発生する。量子構造を構成する活性層の
単一井戸層の膜厚は７０オングストローム以下と非常に
薄い。このような単一膜厚が非常に薄い層を、凹凸のあ
るｎ型層の表面に成長させると、活性層はその性質を受
け継いで凹凸が発生する、さらにその凹凸により活性層
に組成の不均一が生じやすい傾向にある。つまり、ｎ型
層の凹凸の上に活性層を成長させると、活性層（井戸
層）に注入されたキャリアは、面内方向でｎ型層、ｐ型
層との層のバンドギャップ差により、キャリアが横方向
に閉じこめられたような形となり量子箱、若しくは量子
ドット構造と同一となり、出力が大幅に向上する。
【００１１】図２ではキャリアを○印でもって示して、
そのキャリアが活性層の横方向に存在するｎ型層で閉じ
こめられた状態を示している。このようにｎ型層に凹凸
ができると、Ｉｎを含む活性層はＩｎの組成不均一が起
こりやすくなり、Ｉｎ含有量が少ないＩｎプアー領域
と、Ｉｎ含有量が多いＩｎリッチ領域ができやすくなる
傾向にある。あるいはＩｎを含む活性層をｎ型層の上に
成長させると、例えばＩｎＧａＮは成長時に相分離を起
こしやすく、相分離が起きたときにＩｎＧａＮ活性層の
膜厚が不均一になる傾向にある。このため、たとえ下の
ｎ型層の凹凸が小さくても、このＩｎＧａＮの相分離に
よる凹凸により、さらに活性層の凹凸が大きくなる傾向
にある。このため活性層にできた量子ドット、あるいは
量子箱は凹凸によるキャリアの閉じこめ効果と、Ｉｎ組
成分離による２つの効果よりなる。しかも、前記のよう
に、このＩｎＧａＮ凹凸領域にはＩｎリッチ領域とプア
ー領域とができている。即ち、少なくとも一つの井戸層
を有する活性層の面内において、インジウム組成が不均
一であることは、単一井戸層の面方向においてバンドギ
ャップの異なるＩｎＧａＮ領域（Ｉｎリッチ領域、Ｉｎ
プア領域）が存在し、さらに面内方向において、凹凸に
よって起こる横方向のキャリアの閉じこめが存在するこ
とを意味する。従って、活性層に注入されたキャリア
は、Ｉｎリッチ領域、あるいは凹凸による横方向の閉じ
こめを受ける。これは三次元的にキャリアが閉じこめら
れた効果に相当する。つまり活性層が量子箱、量子ドッ
ト効果に相当するのである。
そのキャリアが活性層の横方向に存在するｎ型層で閉じ
こめられた状態を示している。このようにｎ型層に凹凸
ができると、Ｉｎを含む活性層はＩｎの組成不均一が起
こりやすくなり、Ｉｎ含有量が少ないＩｎプアー領域
と、Ｉｎ含有量が多いＩｎリッチ領域ができやすくなる
傾向にある。あるいはＩｎを含む活性層をｎ型層の上に
成長させると、例えばＩｎＧａＮは成長時に相分離を起
こしやすく、相分離が起きたときにＩｎＧａＮ活性層の
膜厚が不均一になる傾向にある。このため、たとえ下の
ｎ型層の凹凸が小さくても、このＩｎＧａＮの相分離に
よる凹凸により、さらに活性層の凹凸が大きくなる傾向
にある。このため活性層にできた量子ドット、あるいは
量子箱は凹凸によるキャリアの閉じこめ効果と、Ｉｎ組
成分離による２つの効果よりなる。しかも、前記のよう
に、このＩｎＧａＮ凹凸領域にはＩｎリッチ領域とプア
ー領域とができている。即ち、少なくとも一つの井戸層
を有する活性層の面内において、インジウム組成が不均
一であることは、単一井戸層の面方向においてバンドギ
ャップの異なるＩｎＧａＮ領域（Ｉｎリッチ領域、Ｉｎ
プア領域）が存在し、さらに面内方向において、凹凸に
よって起こる横方向のキャリアの閉じこめが存在するこ
とを意味する。従って、活性層に注入されたキャリア
は、Ｉｎリッチ領域、あるいは凹凸による横方向の閉じ
こめを受ける。これは三次元的にキャリアが閉じこめら
れた効果に相当する。つまり活性層が量子箱、量子ドッ
ト効果に相当するのである。
【００１２】さらに、量子ドット効果の他に、活性層に
注入された電子キャリアと正孔キャリアとが井戸層のＩ
ｎリッチ領域、または凹凸によるキャリアの横方向の閉
じこめを受け、三次元的に局在化して、局在エキシトン
あるいはバイエキシトンを形成し、レーザの閾値を低下
させる助けとなると共に出力を向上させているのかも知
れない。Ｉｎリッチ領域にはプアー領域に比較して多く
のキャリアが存在し、電子キャリアと正孔キャリアとが
局在してエキシトンに基づく発光、又はバイエキシトン
に基づく発光をする。即ち、Ｉｎリッチ領域は量子ドッ
ト又は量子箱を構成する。従って、凹凸のあるｎ型層の
表面に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子構造の活性層
が、量子ドット若しくは量子箱を構成しやすくなるため
に、出力が大幅に向上すると推察される。従って、活性
層を単一量子井戸構造（ＳＱＷ:Single quantum wel
l）、多重量子井戸構造（ＭＱＷ:Multi quantum well）
のような量子井戸構造で構成する場合、少なくともＩｎ
含む窒化物半導体よりなる井戸層を有することが必要で
あり、単一井戸層の好ましい膜厚は７０オングストロー
ム以下、さらに好ましくは５０オングストローム以下の
膜厚に調整する。ＭＱＷの場合、障壁層は井戸層よりも
バンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体層で構
成し、膜厚は１５０オングストローム以下、さらに好ま
しくは１００オングストローム以下に調整する。
注入された電子キャリアと正孔キャリアとが井戸層のＩ
ｎリッチ領域、または凹凸によるキャリアの横方向の閉
じこめを受け、三次元的に局在化して、局在エキシトン
あるいはバイエキシトンを形成し、レーザの閾値を低下
させる助けとなると共に出力を向上させているのかも知
れない。Ｉｎリッチ領域にはプアー領域に比較して多く
のキャリアが存在し、電子キャリアと正孔キャリアとが
局在してエキシトンに基づく発光、又はバイエキシトン
に基づく発光をする。即ち、Ｉｎリッチ領域は量子ドッ
ト又は量子箱を構成する。従って、凹凸のあるｎ型層の
表面に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子構造の活性層
が、量子ドット若しくは量子箱を構成しやすくなるため
に、出力が大幅に向上すると推察される。従って、活性
層を単一量子井戸構造（ＳＱＷ:Single quantum wel
l）、多重量子井戸構造（ＭＱＷ:Multi quantum well）
のような量子井戸構造で構成する場合、少なくともＩｎ
含む窒化物半導体よりなる井戸層を有することが必要で
あり、単一井戸層の好ましい膜厚は７０オングストロー
ム以下、さらに好ましくは５０オングストローム以下の
膜厚に調整する。ＭＱＷの場合、障壁層は井戸層よりも
バンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体層で構
成し、膜厚は１５０オングストローム以下、さらに好ま
しくは１００オングストローム以下に調整する。
【００１３】以上述べたような活性層の効果が最も顕著
に現れるｎ型層表面の凹凸段差は１０オングストローム
以上、１００オングストローム以下、さらに好ましくは
１０オングストローム以上、６０オングストローム以
下、最も好ましくは１０オングストローム以上、４０オ
ングストローム以下である。１０オングストロームより
も小さいと、量子ドットの基底エネルギー準位がバリア
ー層のエネルギーバリアをエネルギー的にオーバーフロ
ーし、前記量子ドット、量子箱の効果が現れにくい傾向
にある。また１００オングストロームよりも大きいと、
活性層の結晶性が悪くなって、発光出力が低下する傾向
にある。
に現れるｎ型層表面の凹凸段差は１０オングストローム
以上、１００オングストローム以下、さらに好ましくは
１０オングストローム以上、６０オングストローム以
下、最も好ましくは１０オングストローム以上、４０オ
ングストローム以下である。１０オングストロームより
も小さいと、量子ドットの基底エネルギー準位がバリア
ー層のエネルギーバリアをエネルギー的にオーバーフロ
ーし、前記量子ドット、量子箱の効果が現れにくい傾向
にある。また１００オングストロームよりも大きいと、
活性層の結晶性が悪くなって、発光出力が低下する傾向
にある。
【００１４】さらにまた、このような活性層に、凹凸が
形成されたｎ型層と同一種類のｎ型不純物をドープする
と、レーザ素子では閾値電流がさらに低下する。活性層
に、ｎ型不純物をドープすると、伝導帯と価電子帯との
間に、さらに不純物レベルのエネルギー準位が形成され
る。そのため電子キャリアはより深い不純物レベルのエ
ネルギー準位に落ち、そこで電子キャリアと正孔キャリ
アとが再結合してより小さなエネルギーｈν’を放出す
る。このことは電子キャリアがよりいっそう局在化し、
このいっそう局在化して形成されたエキシトンの効果に
より窒化物半導体素子、特にレーザ素子の閾値が低下す
るものと推測される。また活性層とｎ型層も同じ不純物
が含まれているので、互いの層間で不純物が拡散して
も、悪影響を及ぼすことがない。ｎ型不純物としては、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等、周期律表第４Ａ族、第４Ｂ族、第
６Ａ族及び第６Ｂ族より選択される少なくとも一種の元
素が挙げられるが、特に好ましくはＳｉを用いる。
形成されたｎ型層と同一種類のｎ型不純物をドープする
と、レーザ素子では閾値電流がさらに低下する。活性層
に、ｎ型不純物をドープすると、伝導帯と価電子帯との
間に、さらに不純物レベルのエネルギー準位が形成され
る。そのため電子キャリアはより深い不純物レベルのエ
ネルギー準位に落ち、そこで電子キャリアと正孔キャリ
アとが再結合してより小さなエネルギーｈν’を放出す
る。このことは電子キャリアがよりいっそう局在化し、
このいっそう局在化して形成されたエキシトンの効果に
より窒化物半導体素子、特にレーザ素子の閾値が低下す
るものと推測される。また活性層とｎ型層も同じ不純物
が含まれているので、互いの層間で不純物が拡散して
も、悪影響を及ぼすことがない。ｎ型不純物としては、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等、周期律表第４Ａ族、第４Ｂ族、第
６Ａ族及び第６Ｂ族より選択される少なくとも一種の元
素が挙げられるが、特に好ましくはＳｉを用いる。
【００１５】本発明の成長方法の第１の態様において、
ｎ型層を成長させた後、そのｎ型層の表面に微細な凹凸
を設けるには、例えば以下の方法がある。
ｎ型層を成長させた後、そのｎ型層の表面に微細な凹凸
を設けるには、例えば以下の方法がある。
【００１６】第１はｎ型層表面をエッチングする手段で
ある。エッチングには大きく分けてドライエッチング
と、ウエットエッチングとがあるが、好ましくはドライ
エッチングを用いる。ドライエッチングには、反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチ
ング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロトロン共鳴エッチング
（ＥＣＲ）、イオンミリング、光励起エッチング等の装
置が挙げられる。いずれもエッチング室内にガスを導入
して、そのガスを活性化させて、窒化物半導体をエッチ
ングする装置であり、ガスの種類を適宜選択することに
より、表面荒さを調整することができる。例えばＲＩＥ
であれば、活性Ｓｉと活性Ｃｌとを含む雰囲気で窒化物
半導体をエッチングできる。ウエットエッチングであれ
ば、例えばリン酸と硫酸の混酸を用いることができる。
ある。エッチングには大きく分けてドライエッチング
と、ウエットエッチングとがあるが、好ましくはドライ
エッチングを用いる。ドライエッチングには、反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチ
ング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロトロン共鳴エッチング
（ＥＣＲ）、イオンミリング、光励起エッチング等の装
置が挙げられる。いずれもエッチング室内にガスを導入
して、そのガスを活性化させて、窒化物半導体をエッチ
ングする装置であり、ガスの種類を適宜選択することに
より、表面荒さを調整することができる。例えばＲＩＥ
であれば、活性Ｓｉと活性Ｃｌとを含む雰囲気で窒化物
半導体をエッチングできる。ウエットエッチングであれ
ば、例えばリン酸と硫酸の混酸を用いることができる。
【００１７】第２はｎ型層表面を研磨（ラッピング、ポ
リシング）する手段である。研磨剤としては例えばダイ
ヤモンド、ＳｉＣ、ＷＣ等がある。研磨時の研磨剤の粒
度、研磨圧力等を適宜調整して、ｎ型層の表面に微細な
凹凸を設ける。
リシング）する手段である。研磨剤としては例えばダイ
ヤモンド、ＳｉＣ、ＷＣ等がある。研磨時の研磨剤の粒
度、研磨圧力等を適宜調整して、ｎ型層の表面に微細な
凹凸を設ける。
【００１８】また、本発明の成長方法の第２の態様にお
いて、成長後の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が
形成されるようにｎ型層を成長させるには、例えば以下
の方法で成長させることができる。
いて、成長後の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が
形成されるようにｎ型層を成長させるには、例えば以下
の方法で成長させることができる。
【００１９】まず第１に、ｎ型層成長終了直前に、その
ｎ型層にｎ型不純物を多量にドープして、最後に不純物
を多量に含むｎ型層を成長させる方法がある。不純物を
多量に含む層の膜厚は特に限定するものではないが、１
０００オングストローム以下となるように調整すること
が望ましい。１０００オングストロームよりも不純物を
多くドープした層を形成すると、ｎ型層自体の結晶性が
悪くなりすぎて、結晶性の良い活性層を成長させること
が難しくなる傾向にある。ｎ型不純物の好ましいドープ
量は１×１０18／cm3以上、さらに好ましくは１×１０
19／cm3以上、最も好ましくは１×１０20／cm3以上に調
整する。
ｎ型層にｎ型不純物を多量にドープして、最後に不純物
を多量に含むｎ型層を成長させる方法がある。不純物を
多量に含む層の膜厚は特に限定するものではないが、１
０００オングストローム以下となるように調整すること
が望ましい。１０００オングストロームよりも不純物を
多くドープした層を形成すると、ｎ型層自体の結晶性が
悪くなりすぎて、結晶性の良い活性層を成長させること
が難しくなる傾向にある。ｎ型不純物の好ましいドープ
量は１×１０18／cm3以上、さらに好ましくは１×１０
19／cm3以上、最も好ましくは１×１０20／cm3以上に調
整する。
【００２０】次に第２に、ｎ型層成長終了直前に、ｎ型
層結晶の成長速度を早くして、今まで成長させてきたｎ
型層よりも、故意に結晶性を悪くする方法がある。この
方法によると、成長速度を早める層の膜厚も特に限定す
るものではないが、１０オングストローム以上、１００
０オングストローム以下に調整することが望ましい。成
長速度としては、結晶成長方法によっても異なるが、例
えばＭＯＶＰＥ法では今まで成長させてきた結晶の成長
速度に比較して、１．５倍〜１０倍の成長速度で成長さ
せる。
層結晶の成長速度を早くして、今まで成長させてきたｎ
型層よりも、故意に結晶性を悪くする方法がある。この
方法によると、成長速度を早める層の膜厚も特に限定す
るものではないが、１０オングストローム以上、１００
０オングストローム以下に調整することが望ましい。成
長速度としては、結晶成長方法によっても異なるが、例
えばＭＯＶＰＥ法では今まで成長させてきた結晶の成長
速度に比較して、１．５倍〜１０倍の成長速度で成長さ
せる。
【００２１】窒化物半導体を成長させるには、例えば有
機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、分子線気相成長法
（ＭＢＥ）、有機金属分子線気相成長法（ＭＯＭＢ
Ｅ）、ハライド気相成長法（ＨＤＶＰＥ）法等、従来提
案されている窒化物半導体の成長方法を用いることがで
きる。
機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、分子線気相成長法
（ＭＢＥ）、有機金属分子線気相成長法（ＭＯＭＢ
Ｅ）、ハライド気相成長法（ＨＤＶＰＥ）法等、従来提
案されている窒化物半導体の成長方法を用いることがで
きる。
【００２２】
【実施例】以下、ＭＯＶＰＥ法により本発明の素子に係
る、窒化物半導体よりなるレーザ素子を作製する工程
を、図面を参照しながら詳説する。
る、窒化物半導体よりなるレーザ素子を作製する工程
を、図面を参照しながら詳説する。
【００２３】［実施例１］図３は本発明の一実施例によ
るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、レー
ザ光の共振方向に対して垂直な方向で素子を切断した際
の図を示している。
るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、レー
ザ光の共振方向に対して垂直な方向で素子を切断した際
の図を示している。
【００２４】サファイア（Ｃ面）よりなる基板１を反応
容器内にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水
素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇さ
せ、基板のクリーニングを行う。基板１にはサファイア
Ｃ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その
他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性の基板を
用いることができる。絶縁性基板では、得られるレーザ
素子は同一面側にｎ電極と、ｐ電極が形成された構造と
なる。絶縁性基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含
む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基
板を用い、上下にある窒化物半導体層にｎ電極と、ｐ電
極を設ける構造とすることもできるし、絶縁性基板のよ
うに同一面側の窒化物半導体層にｎ、ｐ両電極を形成す
ることもできる。
容器内にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水
素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇さ
せ、基板のクリーニングを行う。基板１にはサファイア
Ｃ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その
他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性の基板を
用いることができる。絶縁性基板では、得られるレーザ
素子は同一面側にｎ電極と、ｐ電極が形成された構造と
なる。絶縁性基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含
む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基
板を用い、上下にある窒化物半導体層にｎ電極と、ｐ電
極を設ける構造とすることもできるし、絶縁性基板のよ
うに同一面側の窒化物半導体層にｎ、ｐ両電極を形成す
ることもできる。
【００２５】続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリ
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）とを用い、基板１上にＧａＮよりなるバ
ッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長さ
せる。バッファ層はＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等が、
９００℃以下の温度で、膜厚数十オングストローム〜数
百オングストロームで形成できる。このバッファ層は基
板と窒化物半導体との格子定数不正を緩和するために形
成されるが、窒化物半導体の成長方法、基板の種類等に
よっては省略することも可能である。
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）とを用い、基板１上にＧａＮよりなるバ
ッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長さ
せる。バッファ層はＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等が、
９００℃以下の温度で、膜厚数十オングストローム〜数
百オングストロームで形成できる。このバッファ層は基
板と窒化物半導体との格子定数不正を緩和するために形
成されるが、窒化物半導体の成長方法、基板の種類等に
よっては省略することも可能である。
【００２６】バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、
温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になった
ら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物
ガスにシランガスを用い、ｎ型コンタクト層３として、
Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＳｉドープｎ型Ｇａ
Ｎ層を、８００オングストローム／minの速さで、５μ
ｍ成長させる。ｎ型コンタクト層はＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することが
でき、特にＧａＮ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉ若しく
はＧｅをドープしたＧａＮで構成することにより、キャ
リア濃度の高いｎ型層が得られ、またｎ電極と好ましい
オーミック接触が得られる。ｎ電極の材料としてはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ等の金属若しく
は合金が好ましいオーミックが得られる。
温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になった
ら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物
ガスにシランガスを用い、ｎ型コンタクト層３として、
Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＳｉドープｎ型Ｇａ
Ｎ層を、８００オングストローム／minの速さで、５μ
ｍ成長させる。ｎ型コンタクト層はＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することが
でき、特にＧａＮ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉ若しく
はＧｅをドープしたＧａＮで構成することにより、キャ
リア濃度の高いｎ型層が得られ、またｎ電極と好ましい
オーミック接触が得られる。ｎ電極の材料としてはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ等の金属若しく
は合金が好ましいオーミックが得られる。
【００２７】次に、温度を８００℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、同じく８００オン
グストローム／minの成長速度で、Ｓｉを８×１０18／c
m3ドープしたＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラ
ック防止層４を５００オングストロームの膜厚で成長さ
せる。このクラック防止層４はＩｎを含むｎ型の窒化物
半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長させることによ
り、次に成長させるＡｌを含むｎ型クラッド層５を厚膜
で成長させることが可能となり、非常に好ましい。ＬＤ
の場合は、光閉じ込め層となる層を、好ましくは０．１
μｍ以上の膜厚で成長させる必要がある。従来ではＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮ層の上に直接、厚膜のＡｌＧａＮを成長
させると、後から成長させたＡｌＧａＮにクラックが入
るので素子作製が困難であったが、このクラック防止層
４が、次に成長させるＡｌを含むｎ型クラッド層５にク
ラックが入るのを防止することができる。なおこのクラ
ック防止層は１００オングストローム以上、０．５μｍ
以下の膜厚で成長させることが好ましい。１００オング
ストロームよりも薄いと前記のようにクラック防止とし
て作用しにくく、０．５μｍよりも厚いと、結晶自体が
黒変する傾向にある。なお、このクラック防止層４は成
長方法、成長装置等の条件によっては省略することもで
きるがＬＤを作製する場合には成長させる方が望まし
い。このクラック防止層４はｎ型コンタクト層３内に成
長させても良い。
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、同じく８００オン
グストローム／minの成長速度で、Ｓｉを８×１０18／c
m3ドープしたＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラ
ック防止層４を５００オングストロームの膜厚で成長さ
せる。このクラック防止層４はＩｎを含むｎ型の窒化物
半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長させることによ
り、次に成長させるＡｌを含むｎ型クラッド層５を厚膜
で成長させることが可能となり、非常に好ましい。ＬＤ
の場合は、光閉じ込め層となる層を、好ましくは０．１
μｍ以上の膜厚で成長させる必要がある。従来ではＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮ層の上に直接、厚膜のＡｌＧａＮを成長
させると、後から成長させたＡｌＧａＮにクラックが入
るので素子作製が困難であったが、このクラック防止層
４が、次に成長させるＡｌを含むｎ型クラッド層５にク
ラックが入るのを防止することができる。なおこのクラ
ック防止層は１００オングストローム以上、０．５μｍ
以下の膜厚で成長させることが好ましい。１００オング
ストロームよりも薄いと前記のようにクラック防止とし
て作用しにくく、０．５μｍよりも厚いと、結晶自体が
黒変する傾向にある。なお、このクラック防止層４は成
長方法、成長装置等の条件によっては省略することもで
きるがＬＤを作製する場合には成長させる方が望まし
い。このクラック防止層４はｎ型コンタクト層３内に成
長させても良い。
【００２８】次に温度を１０３０℃にして、原料ガスに
ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、ＮＨ3、
ＳｉＨ4を用い、同じく８００オングストローム／minの
成長速度で、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＳｉド
ープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層５を
０．５μｍの膜厚で成長させる。この第１のｎ型クラッ
ド層５はキャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層として
作用し、上記のようにＡｌを含む窒化物半導体、好まし
くはＡｌＧａＮを成長させることが望ましく、１００オ
ングストローム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５
００オングストローム以上、１μｍ以下で成長させるこ
とにより、結晶性の良いキャリア閉じ込め層が形成でき
る。
ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、ＮＨ3、
ＳｉＨ4を用い、同じく８００オングストローム／minの
成長速度で、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＳｉド
ープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層５を
０．５μｍの膜厚で成長させる。この第１のｎ型クラッ
ド層５はキャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層として
作用し、上記のようにＡｌを含む窒化物半導体、好まし
くはＡｌＧａＮを成長させることが望ましく、１００オ
ングストローム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５
００オングストローム以上、１μｍ以下で成長させるこ
とにより、結晶性の良いキャリア閉じ込め層が形成でき
る。
【００２９】続いて、１０３０℃、Ｓｉを８×１０18／
cm3ドープしたＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガ
イド層６を、同じく８００オングストローム／minの成
長速度で、０．２μｍ成長させる。このｎ型光ガイド層
６は、活性層の光ガイド層として作用し、ＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＮを成長させることが望ましく、通常１００オング
ストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングス
トローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましい。
cm3ドープしたＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガ
イド層６を、同じく８００オングストローム／minの成
長速度で、０．２μｍ成長させる。このｎ型光ガイド層
６は、活性層の光ガイド層として作用し、ＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＮを成長させることが望ましく、通常１００オング
ストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングス
トローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましい。
【００３０】光ガイド層６成長後、反応容器内の温度を
室温に戻してから、ウェーハを取り出し、ＲＩＥ装置に
移送する。ついでＲＩＥ装置にて、Ｃｌ2とＳｉＣｌ4ガ
スを用い、ｎ型光ガイド層６の表面全体をわずかにエッ
チングする。エッチング終了後、原子間力電子顕微鏡で
ｎ型光ガイド層の表面を観察したところ、およそ３０オ
ングストロームの表面荒さが測定できた。
室温に戻してから、ウェーハを取り出し、ＲＩＥ装置に
移送する。ついでＲＩＥ装置にて、Ｃｌ2とＳｉＣｌ4ガ
スを用い、ｎ型光ガイド層６の表面全体をわずかにエッ
チングする。エッチング終了後、原子間力電子顕微鏡で
ｎ型光ガイド層の表面を観察したところ、およそ３０オ
ングストロームの表面荒さが測定できた。
【００３１】エッチング後、再度ウェーハを反応容器に
移送し、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シラ
ンガスを用いて活性層７を成長させる。活性層７は温度
を８００℃に保持して、まずＳｉを８×１０18／cm3で
ドープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オン
グストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比
を変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０18／cm
3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０
オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回
繰り返し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造の
活性層７を成長させる。活性層のｎ型不純物は本実施例
のように井戸層、障壁層両方にドープしても良く、また
いずれか一方にドープしてもよい。
移送し、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シラ
ンガスを用いて活性層７を成長させる。活性層７は温度
を８００℃に保持して、まずＳｉを８×１０18／cm3で
ドープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オン
グストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比
を変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０18／cm
3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０
オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回
繰り返し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造の
活性層７を成長させる。活性層のｎ型不純物は本実施例
のように井戸層、障壁層両方にドープしても良く、また
いずれか一方にドープしてもよい。
【００３２】次に、温度を１０５０℃に上げ、ＴＭＧ、
ＴＭＡ、ＮＨ3、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグ
ネシウム）を用い、活性層よりもバンドギャップエネル
ギーが大きい、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりな
るｐ型キャップ層８を３００オングストロームの膜厚で
成長させる。このｐ型キャップ層８はｐ型としたが、膜
厚が薄いため、ｎ型不純物をドープしてキャリアが補償
されたｉ型としても良く、最も好ましくはｐ型とする。
ｐ型キャップ層８の膜厚は０．１μｍ以下、さらに好ま
しくは５００オングストローム以下、最も好ましくは３
００オングストローム以下に調整する。０．１μｍより
厚い膜厚で成長させると、ｐ型キャップ層８中にクラッ
クが入りやすくなり、結晶性の良い窒化物半導体層が成
長しにくいからである。またキャリアがこのエネルギー
バリアをトンネル効果により通過できなくなる。また、
Ａｌの組成比が大きいＡｌＧａＮ程薄く形成するとＬＤ
素子は発振しやすくなる。例えば、Y値が０．２以上の
ＡｌYＧａ1-YＮであれば５００オングストローム以下に
調整することが望ましい。ｐ型キャップ層８の膜厚の下
限は特に限定しないが、１０オングストローム以上の膜
厚で形成することが望ましい。
ＴＭＡ、ＮＨ3、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグ
ネシウム）を用い、活性層よりもバンドギャップエネル
ギーが大きい、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりな
るｐ型キャップ層８を３００オングストロームの膜厚で
成長させる。このｐ型キャップ層８はｐ型としたが、膜
厚が薄いため、ｎ型不純物をドープしてキャリアが補償
されたｉ型としても良く、最も好ましくはｐ型とする。
ｐ型キャップ層８の膜厚は０．１μｍ以下、さらに好ま
しくは５００オングストローム以下、最も好ましくは３
００オングストローム以下に調整する。０．１μｍより
厚い膜厚で成長させると、ｐ型キャップ層８中にクラッ
クが入りやすくなり、結晶性の良い窒化物半導体層が成
長しにくいからである。またキャリアがこのエネルギー
バリアをトンネル効果により通過できなくなる。また、
Ａｌの組成比が大きいＡｌＧａＮ程薄く形成するとＬＤ
素子は発振しやすくなる。例えば、Y値が０．２以上の
ＡｌYＧａ1-YＮであれば５００オングストローム以下に
調整することが望ましい。ｐ型キャップ層８の膜厚の下
限は特に限定しないが、１０オングストローム以上の膜
厚で形成することが望ましい。
【００３３】続いて１０５０℃で、バンドギャップエネ
ルギーがｐ型キャップ層８よりも小さい、Ｍｇドープｐ
型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層９を０．２μｍの膜厚
で成長させる。この層は、活性層の光ガイド層として作
用し、ｎ型光ガイド層６と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで
成長させることが望ましい。また、この層はｐ型クラッ
ド層１０を成長させる際のバッファ層としても作用し、
１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２
００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させること
により、好ましい光ガイド層として作用する。
ルギーがｐ型キャップ層８よりも小さい、Ｍｇドープｐ
型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層９を０．２μｍの膜厚
で成長させる。この層は、活性層の光ガイド層として作
用し、ｎ型光ガイド層６と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで
成長させることが望ましい。また、この層はｐ型クラッ
ド層１０を成長させる際のバッファ層としても作用し、
１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２
００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させること
により、好ましい光ガイド層として作用する。
【００３４】続いて１０５０℃で、バンドギャップエネ
ルギーがｐ型光ガイド層９よりも大きい、Ｍｇドープｐ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層１０を０．
５μｍの膜厚で成長させる。この層はｎ型クラッド層５
と同じく、キャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層とし
て作用し、Ａｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌＧ
ａＮを成長させることが望ましく、１００オングストロ
ーム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５００オング
ストローム以上、１μｍ以下で成長させることにより、
結晶性の良いキャリア閉じ込め層が形成できる。
ルギーがｐ型光ガイド層９よりも大きい、Ｍｇドープｐ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層１０を０．
５μｍの膜厚で成長させる。この層はｎ型クラッド層５
と同じく、キャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層とし
て作用し、Ａｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌＧ
ａＮを成長させることが望ましく、１００オングストロ
ーム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５００オング
ストローム以上、１μｍ以下で成長させることにより、
結晶性の良いキャリア閉じ込め層が形成できる。
【００３５】本実施例のようにＩｎＧａＮよりなる井戸
層を有する量子構造の活性層７の場合、その活性層７に
接して、膜厚０．１μｍ以下のＡｌを含むｐ型キャップ
層８を設け、そのｐ型キャップ層８よりも活性層から離
れた位置に、ｐ型キャップ層８よりもバッドギャップエ
ネルギーが小さいｐ型光ガイド層９を設け、そのｐ型光
ガイド層９よりも活性層から離れた位置に、ｐ型光ガイ
ド層９よりもバンドギャップが大きいＡｌを含む窒化物
半導体よりなるｐ型クラッド層１０を設けることは非常
に好ましい。しかもｐ型キャップ層８の膜厚を０．１μ
ｍ以下と薄く設定してあるため、キャリアのバリアとし
て作用することはなく、ｐ層から注入された正孔が、ト
ンネル効果によりｐ型キャップ層８を通り抜けることが
できて、活性層で効率よく再結合し、ＬＤの出力が向上
する。つまり、注入されたキャリアは、ｐ型キャップ層
８のバンドギャップエネルギーが大きいため、半導体素
子の温度が上昇しても、あるいは注入電流密度が増えて
も、キャリアは活性層をオーバーフローせず、ｐ型キャ
ップ層８で阻止されるため、キャリアが活性層に貯ま
り、効率よく発光することが可能となる。従って、半導
体素子が温度上昇しても発光効率が低下することが少な
いので、閾値電流の低いＬＤを実現することができる。
なお、本発明においては、ＬＤを作成する場合に活性層
７から上の層は、窒化物半導体で発振しやすい最も好ま
しい構成を示したが、本発明では活性層から上のｐ型層
の構成は特に規定するものではない。
層を有する量子構造の活性層７の場合、その活性層７に
接して、膜厚０．１μｍ以下のＡｌを含むｐ型キャップ
層８を設け、そのｐ型キャップ層８よりも活性層から離
れた位置に、ｐ型キャップ層８よりもバッドギャップエ
ネルギーが小さいｐ型光ガイド層９を設け、そのｐ型光
ガイド層９よりも活性層から離れた位置に、ｐ型光ガイ
ド層９よりもバンドギャップが大きいＡｌを含む窒化物
半導体よりなるｐ型クラッド層１０を設けることは非常
に好ましい。しかもｐ型キャップ層８の膜厚を０．１μ
ｍ以下と薄く設定してあるため、キャリアのバリアとし
て作用することはなく、ｐ層から注入された正孔が、ト
ンネル効果によりｐ型キャップ層８を通り抜けることが
できて、活性層で効率よく再結合し、ＬＤの出力が向上
する。つまり、注入されたキャリアは、ｐ型キャップ層
８のバンドギャップエネルギーが大きいため、半導体素
子の温度が上昇しても、あるいは注入電流密度が増えて
も、キャリアは活性層をオーバーフローせず、ｐ型キャ
ップ層８で阻止されるため、キャリアが活性層に貯ま
り、効率よく発光することが可能となる。従って、半導
体素子が温度上昇しても発光効率が低下することが少な
いので、閾値電流の低いＬＤを実現することができる。
なお、本発明においては、ＬＤを作成する場合に活性層
７から上の層は、窒化物半導体で発振しやすい最も好ま
しい構成を示したが、本発明では活性層から上のｐ型層
の構成は特に規定するものではない。
【００３６】最後に、ｐ型クラッド層１０の上に、１０
５０℃でＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１１を０．５μｍの膜厚で成長させる。ｐ型コンタク
ト層１１はｐ型のＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦
Y、X＋Y≦１）で構成することができ、好ましくはＭｇ
をドープしたＧａＮとすれば、ｐ電極２１と最も好まし
いオーミック接触が得られる。なお、ｐ型コンタクト層
と好ましいオーミックが得られるｐ電極の材料として
は、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ｎｉ／Ａｕ等を挙げることがで
きる。
５０℃でＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１１を０．５μｍの膜厚で成長させる。ｐ型コンタク
ト層１１はｐ型のＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦
Y、X＋Y≦１）で構成することができ、好ましくはＭｇ
をドープしたＧａＮとすれば、ｐ電極２１と最も好まし
いオーミック接触が得られる。なお、ｐ型コンタクト層
と好ましいオーミックが得られるｐ電極の材料として
は、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ｎｉ／Ａｕ等を挙げることがで
きる。
【００３７】反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。
【００３８】アニーリング後、ウェーハを反応容器から
取り出し、図３に示すように、ＲＩＥ装置でにより最上
層のｐ型コンタクト層１１と、ｐ型クラッド層１０とを
エッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ
形状とする。このように、活性層よりも上部にあるｐ型
層をストライプ状のリッジ形状とすることにより、活性
層の発光がストライプリッジの下に集中するようになっ
て閾値が低下する。特に活性層よりも上にあるＡｌを含
むｐ型窒化物半導体層以上の層をリッジ形状とすること
が好ましい。リッジ形成後、リッジ表面にマスクを形成
し、図３に示すように、ストライプ状のリッジに対して
左右対称にして、ｎ型コンタクト層３の表面を露出させ
る。
取り出し、図３に示すように、ＲＩＥ装置でにより最上
層のｐ型コンタクト層１１と、ｐ型クラッド層１０とを
エッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ
形状とする。このように、活性層よりも上部にあるｐ型
層をストライプ状のリッジ形状とすることにより、活性
層の発光がストライプリッジの下に集中するようになっ
て閾値が低下する。特に活性層よりも上にあるＡｌを含
むｐ型窒化物半導体層以上の層をリッジ形状とすること
が好ましい。リッジ形成後、リッジ表面にマスクを形成
し、図３に示すように、ストライプ状のリッジに対して
左右対称にして、ｎ型コンタクト層３の表面を露出させ
る。
【００３９】次にｐ型コンタクト層１１の表面にＮｉと
Ａｕよりなるｐ電極２１をストライプ状に形成する。一
方、ＴｉとＡｌよりなるｎ電極２２をストライプ状のｎ
型コンタクト層３のほぼ全面に形成する。なおほぼ全面
とは８０％以上の面積をいう。
Ａｕよりなるｐ電極２１をストライプ状に形成する。一
方、ＴｉとＡｌよりなるｎ電極２２をストライプ状のｎ
型コンタクト層３のほぼ全面に形成する。なおほぼ全面
とは８０％以上の面積をいう。
【００４０】次に、図３に示すように、ｎ電極２２とｐ
電極２１との間に露出した窒化物半導体層の表面にＳｉ
Ｏ2よりなる絶縁膜３０を形成し、この絶縁膜３０を介
してｐ電極２１と電気的に接続したパッド電極２３を形
成する。このパッド電極２３は実質的なｐ電極２１の表
面積を広げて、ｐ電極側をワイヤーボンディングできる
ようにする作用がある。
電極２１との間に露出した窒化物半導体層の表面にＳｉ
Ｏ2よりなる絶縁膜３０を形成し、この絶縁膜３０を介
してｐ電極２１と電気的に接続したパッド電極２３を形
成する。このパッド電極２３は実質的なｐ電極２１の表
面積を広げて、ｐ電極側をワイヤーボンディングできる
ようにする作用がある。
【００４１】以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形
成したウェーハを研磨装置に移送し、ダイヤモンド研磨
剤を用いて、窒化物半導体を形成していない側のサファ
イア基板１をラッピングし、基板の厚さを５０μｍとす
る。ラッピング後、さらに細かい研磨剤で１μｍポリシ
ングして基板表面を鏡面状とする。
成したウェーハを研磨装置に移送し、ダイヤモンド研磨
剤を用いて、窒化物半導体を形成していない側のサファ
イア基板１をラッピングし、基板の厚さを５０μｍとす
る。ラッピング後、さらに細かい研磨剤で１μｍポリシ
ングして基板表面を鏡面状とする。
【００４２】基板研磨後、研磨面側をスクライブして、
ストライプ状の電極に垂直な方向でバー状に劈開し、劈
開面に共振器を作製する。なお劈開面はサファイア基板
の上に成長した窒化物半導体面の
ストライプ状の電極に垂直な方向でバー状に劈開し、劈
開面に共振器を作製する。なお劈開面はサファイア基板
の上に成長した窒化物半導体面の
【外１】 面とする。外１面とは窒化物半導体を正六角柱の六方晶
系で近似した場合に、その六角柱の側面に相当する四角
形の面（Ｍ面）に相当する面である。この他、ＲＩＥ等
のドライエッチング手段により端面をエッチングして共
振器を作製することもできる。またこの他、劈開面を鏡
面研磨して作成することも可能である。
系で近似した場合に、その六角柱の側面に相当する四角
形の面（Ｍ面）に相当する面である。この他、ＲＩＥ等
のドライエッチング手段により端面をエッチングして共
振器を作製することもできる。またこの他、劈開面を鏡
面研磨して作成することも可能である。
【００４３】劈開後、共振器面にＳｉＯ2とＴｉＯ2より
なる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向
で、バーを切断してレーザチップとした。次にチップを
フェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した状
態）でヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤ
ーボンディングして、室温でレーザ発振を試みたとこ
ろ、室温において、閾値電流密度１．５ｋＡ／cm2、閾
値電圧６Ｖで、発振波長４０５ｎｍの連続発振が確認さ
れ、３日間の連続発振を確認した。
なる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向
で、バーを切断してレーザチップとした。次にチップを
フェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した状
態）でヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤ
ーボンディングして、室温でレーザ発振を試みたとこ
ろ、室温において、閾値電流密度１．５ｋＡ／cm2、閾
値電圧６Ｖで、発振波長４０５ｎｍの連続発振が確認さ
れ、３日間の連続発振を確認した。
【００４４】［実施例２］実施例１において、ｎ型光ガ
イド層６成長後、ｎ型光ガイド層６の表面をダイヤモン
ド粉を含む研磨剤を用いて、わずかにポリシングする。
ポリシング後に同様にして、ｎ型光ガイド層の表面を観
察すると、およそ５０オングストロームの表面荒さが観
測できた。その後は実施例１と同様にして活性層、ｐ型
層等を成長させて同じくレーザ素子としたところ、閾値
電流密度１．５ｋＡ／cm2、閾値電圧６Ｖにおいて、２
日間の連続発振を確認した。これは凹凸段差が大きくな
ったことにより寿命がやや低下したものと推察される。
イド層６成長後、ｎ型光ガイド層６の表面をダイヤモン
ド粉を含む研磨剤を用いて、わずかにポリシングする。
ポリシング後に同様にして、ｎ型光ガイド層の表面を観
察すると、およそ５０オングストロームの表面荒さが観
測できた。その後は実施例１と同様にして活性層、ｐ型
層等を成長させて同じくレーザ素子としたところ、閾値
電流密度１．５ｋＡ／cm2、閾値電圧６Ｖにおいて、２
日間の連続発振を確認した。これは凹凸段差が大きくな
ったことにより寿命がやや低下したものと推察される。
【００４５】［実施例３］実施例１においてｎ型光ガイ
ド層６を成長させる工程を次のように行う。即ち温度を
１０３０℃に保持して、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープ
したＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層６
を、同じく８００オングストローム／minの成長速度
で、０．１６μｍ成長させる。０．１６μｍ成長したと
同時に、ＴＭＧガス、アンモニアガスを止めずに、シラ
ンガスのみの流量を多くして、光ガイド層を連続して３
０秒間成長させ、最後の４００オングストローム分の膜
厚の光ガイド層をＳｉを高濃度でドープする。この最後
の４００オングストローム分のｎ型光ガイド層のＳｉ濃
度は１×１０21／cm3であった。成長後、ウェーハを反
応容器から取り出し、実施例と同様にして表面荒さを測
定したところ、４０オングストロームであった。後は実
施例１と同様にして、このｎ型光ガイド層の上に、活性
層、ｐ型層を成長させレーザ素子を作製したところ、実
施例１とほぼ同等の特性を有するレーザ素子が作製でき
た。
ド層６を成長させる工程を次のように行う。即ち温度を
１０３０℃に保持して、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープ
したＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層６
を、同じく８００オングストローム／minの成長速度
で、０．１６μｍ成長させる。０．１６μｍ成長したと
同時に、ＴＭＧガス、アンモニアガスを止めずに、シラ
ンガスのみの流量を多くして、光ガイド層を連続して３
０秒間成長させ、最後の４００オングストローム分の膜
厚の光ガイド層をＳｉを高濃度でドープする。この最後
の４００オングストローム分のｎ型光ガイド層のＳｉ濃
度は１×１０21／cm3であった。成長後、ウェーハを反
応容器から取り出し、実施例と同様にして表面荒さを測
定したところ、４０オングストロームであった。後は実
施例１と同様にして、このｎ型光ガイド層の上に、活性
層、ｐ型層を成長させレーザ素子を作製したところ、実
施例１とほぼ同等の特性を有するレーザ素子が作製でき
た。
【００４６】［実施例４］実施例１においてｎ型光ガイ
ド層６を成長させる工程を次のように行う。即ち温度を
１０３０℃に保持して、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープ
したＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層６
を、同じく８００オングストローム／minの成長速度
で、０．１６μｍ成長させ、０．１６μｍ成長したと同
時に、原料ガスの流量を倍にして、１６００オングスト
ローム／minの成長速度で、光ガイド層を連続して１５
秒間成長させ、最後の４００オングストローム分の膜厚
の光ガイド層を倍の成長速度で成長させる。成長後、ウ
ェーハを反応容器から取り出し、実施例と同様にして表
面荒さを測定したところ、３０オングストロームであっ
た。後は実施例１と同様にして、このｎ型光ガイド層の
上に、活性層、ｐ型層を成長させレーザ素子を作製した
ところ、実施例１とほぼ同等の特性を有するレーザ素子
が作製できた。
ド層６を成長させる工程を次のように行う。即ち温度を
１０３０℃に保持して、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープ
したＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層６
を、同じく８００オングストローム／minの成長速度
で、０．１６μｍ成長させ、０．１６μｍ成長したと同
時に、原料ガスの流量を倍にして、１６００オングスト
ローム／minの成長速度で、光ガイド層を連続して１５
秒間成長させ、最後の４００オングストローム分の膜厚
の光ガイド層を倍の成長速度で成長させる。成長後、ウ
ェーハを反応容器から取り出し、実施例と同様にして表
面荒さを測定したところ、３０オングストロームであっ
た。後は実施例１と同様にして、このｎ型光ガイド層の
上に、活性層、ｐ型層を成長させレーザ素子を作製した
ところ、実施例１とほぼ同等の特性を有するレーザ素子
が作製できた。
【００４７】以上、実施例３、４ではｎ型光ガイド層を
成長させた後、その表面荒さを測定するために、ウェー
ハを反応容器から取り出しているが、実際のレーザ素子
は反応容器から取り出さずに、基板の上に窒化物半導体
層を連続してｐ型コンタクト層まで成長させている。
成長させた後、その表面荒さを測定するために、ウェー
ハを反応容器から取り出しているが、実際のレーザ素子
は反応容器から取り出さずに、基板の上に窒化物半導体
層を連続してｐ型コンタクト層まで成長させている。
【００４８】［実施例４］実施例１において、エッチン
グレートを変えて、ｎ型光ガイド層６の表面荒さを１０
０オングストロームとする他は同様にしてレーザ素子を
得たところ、同じく閾値電流密度１．５ｋＡ／cm2、閾
値電圧６Ｖで１時間の連続発振を確認した。
グレートを変えて、ｎ型光ガイド層６の表面荒さを１０
０オングストロームとする他は同様にしてレーザ素子を
得たところ、同じく閾値電流密度１．５ｋＡ／cm2、閾
値電圧６Ｖで１時間の連続発振を確認した。
【００４９】［実施例５］実施例２において、研磨剤を
変えて、ｎ型光ガイド層６の表面荒さを１５０オングス
トロームとする他は同様にしてレーザ素子を得たとこ
ろ、連続発振は確認できなかったが、パルス幅２００μ
ｓ、パルス周期２ｍｓのパルス電流において１００日間
の発振を確認した。
変えて、ｎ型光ガイド層６の表面荒さを１５０オングス
トロームとする他は同様にしてレーザ素子を得たとこ
ろ、連続発振は確認できなかったが、パルス幅２００μ
ｓ、パルス周期２ｍｓのパルス電流において１００日間
の発振を確認した。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化物半
導体素子は微細な凹凸を有するｎ型層に接して、量子構
造を有する活性層を成長させることにより素子の出力が
格段に向上する。これはインジウムを含む活性層が量子
ドット構造、量子箱構造になりやすいためと推察され
る。従って、高出力で、長寿命なレーザ素子を実現でき
る。レーザ素子が改善されたことにより、レーザ素子よ
りも緩やかな条件で使用されるＬＥＤ素子はさらに信頼
性もよくなる。また、本発明の技術は、ＬＥＤ、ＬＤの
ような発光デバイスだけではなく、トランジスタ、ＦＥ
Ｔ、ＭＯＳ等の窒化物半導体をを用いた全ての電子デバ
イスに適用できることはいうまでもない。
導体素子は微細な凹凸を有するｎ型層に接して、量子構
造を有する活性層を成長させることにより素子の出力が
格段に向上する。これはインジウムを含む活性層が量子
ドット構造、量子箱構造になりやすいためと推察され
る。従って、高出力で、長寿命なレーザ素子を実現でき
る。レーザ素子が改善されたことにより、レーザ素子よ
りも緩やかな条件で使用されるＬＥＤ素子はさらに信頼
性もよくなる。また、本発明の技術は、ＬＥＤ、ＬＤの
ような発光デバイスだけではなく、トランジスタ、ＦＥ
Ｔ、ＭＯＳ等の窒化物半導体をを用いた全ての電子デバ
イスに適用できることはいうまでもない。
【図１】 従来のレーザ素子の一構造を示す模式断面
図。
図。
【図２】 本発明に係る窒化物半導体素子の活性層付近
の構造を示す模式断面図。
の構造を示す模式断面図。
【図３】 本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を
示す模式断面図。
示す模式断面図。
１・・・サファイア基板 ２・・・バッファ層 ３・・・ｎ型コンタクト層 ４・・・クラック防止層 ５・・・ｎ型クラッド層 ６・・・ｎ型光ガイド層 ７・・・活性層 ８・・・ｐ型キャップ層 ９・・・ｐ型光ガイド層 １０・・・ｐ型クラッド層 １１・・・ｐ型コンタクト層 ２１・・・ｐ電極 ２２・・・ｎ電極 ２３・・・パッド電極 ３０・・・絶縁膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体
層との間に、量子構造を有する活性層が形成されてなる
窒化物半導体素子において、前記活性層は表面に微細な
凹凸が設けられたｎ型窒化物半導体層に接して形成され
ていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 【請求項２】 前記ｎ型窒化物半導体層の表面の凹凸の
平均段差が１０オングストローム〜１００オングストロ
ームの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の
窒化物半導体素子。 - 【請求項３】 ｎ型窒化物半導体層を成長させた後、そ
のｎ型窒化物半導体層の表面に微細な凹凸を設ける工程
と、その凹凸が設けられたｎ型窒化物半導体層に接し
て、量子構造を有し、かつインジウムを含む窒化物半導
体よりなる活性層を成長させる工程とを備えることを特
徴とする窒化物半導体の成長方法。 - 【請求項４】 成長後の窒化物半導体層の最表面に微細
な凹凸が形成されるようにｎ型窒化物半導体層を成長さ
せる工程と、凹凸が設けられたｎ型窒化物半導体層に接
して、量子構造を有し、かつインジウムを含む窒化物半
導体よりなる活性層を成長させる工程とを備えることを
特徴とする窒化物半導体の成長方法。 - 【請求項５】 前記ｎ型窒化物半導体層表面の凹凸の平
均段差が１０オングストローム〜１００オングストロー
ムの範囲内にあることを特徴とする請求項３または４に
記載の窒化物半導体の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30425996A JP3424465B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30425996A JP3424465B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002156016A Division JP2003046203A (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 窒化物半導体の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10145002A true JPH10145002A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3424465B2 JP3424465B2 (ja) | 2003-07-07 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30425996A Expired - Fee Related JP3424465B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP30425996A patent/JP3424465B2/ja not_active Expired - Fee Related
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