JPH11224972A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH11224972A JPH11224972A JP10337197A JP33719798A JPH11224972A JP H11224972 A JPH11224972 A JP H11224972A JP 10337197 A JP10337197 A JP 10337197A JP 33719798 A JP33719798 A JP 33719798A JP H11224972 A JPH11224972 A JP H11224972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- nitride semiconductor
- grown
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化物半導体よりなる発光素子の新規な構造
を提供することにより、発光出力を高めて半導体レーザ
を実現する。 【構成】 ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、
第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を
有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第
三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダ
ブルへテロ構造を有する。
を提供することにより、発光出力を高めて半導体レーザ
を実現する。 【構成】 ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、
第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を
有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第
三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダ
ブルへテロ構造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）等に使用される窒化物
半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y
≦１）よりなる発光素子に関する。
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）等に使用される窒化物
半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y
≦１）よりなる発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦
Y、X＋Y≦１）で示される窒化物半導体はＭＯＶＰＥ
（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線ビーム気相成
長法）、ＨＤＶＰＥ（ハライド気相成長法）等の気相成
長法を用いて基板上にエピタキシャル成長されている。
またこの半導体材料は直接遷移型の広ワイドギャップ半
導体であるため、紫外から赤色までの発光素子の材料と
して知られており、最近この材料で高輝度な青色ＬＥ
Ｄ、緑色ＬＥＤが実現され、次の目標としてレーザダイ
オード（ＬＤ）の実現が望まれている。
Y、X＋Y≦１）で示される窒化物半導体はＭＯＶＰＥ
（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線ビーム気相成
長法）、ＨＤＶＰＥ（ハライド気相成長法）等の気相成
長法を用いて基板上にエピタキシャル成長されている。
またこの半導体材料は直接遷移型の広ワイドギャップ半
導体であるため、紫外から赤色までの発光素子の材料と
して知られており、最近この材料で高輝度な青色ＬＥ
Ｄ、緑色ＬＥＤが実現され、次の目標としてレーザダイ
オード（ＬＤ）の実現が望まれている。
【０００３】窒化物半導体を用いた発光素子として、例
えば特開平６−２１５１１号公報にＬＥＤ素子が示され
ている。この公報ではＩｎＧａＮよりなる膜厚１００オ
ングストロームの井戸層と、ＧａＮよりなる膜厚１００
オングストローム障壁層とを積層した多重量子井戸構造
の活性層を備えるＬＥＤ素子が示されている。
えば特開平６−２１５１１号公報にＬＥＤ素子が示され
ている。この公報ではＩｎＧａＮよりなる膜厚１００オ
ングストロームの井戸層と、ＧａＮよりなる膜厚１００
オングストローム障壁層とを積層した多重量子井戸構造
の活性層を備えるＬＥＤ素子が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記公報によると、Ｉ
ｎＧａＮとＧａＮよりなる多重量子井戸構造の活性層を
ＧａＮと、ＡｌＧａＮよりなるクラッド層で挟んだ分離
閉じ込め型のダブルへテロ構造を有するＬＥＤ素子が示
されている。活性層を多重量子井戸構造とすることによ
り、発光出力に優れたＬＥＤ素子を得ることができる。
しかしながら、ＬＤではＬＥＤよりも、さらに発光出力
を高める必要がある。従って本発明はこのような事情を
鑑みて成されたものであって、その目的とするところ
は、窒化物半導体よりなる発光素子の新規な構造を提供
することにより、発光出力を高めて半導体レーザを実現
することにある。
ｎＧａＮとＧａＮよりなる多重量子井戸構造の活性層を
ＧａＮと、ＡｌＧａＮよりなるクラッド層で挟んだ分離
閉じ込め型のダブルへテロ構造を有するＬＥＤ素子が示
されている。活性層を多重量子井戸構造とすることによ
り、発光出力に優れたＬＥＤ素子を得ることができる。
しかしながら、ＬＤではＬＥＤよりも、さらに発光出力
を高める必要がある。従って本発明はこのような事情を
鑑みて成されたものであって、その目的とするところ
は、窒化物半導体よりなる発光素子の新規な構造を提供
することにより、発光出力を高めて半導体レーザを実現
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、ｎ
型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層
と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層
とが積層され、ダブルへテロ構造を有することを特徴と
する。また、本発明の発光素子は、多重量子井戸構造を
有する活性層の上に、第一のｐ型層と、第二のｐ型層
と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層さ
れ、ダブルへテロ構造を有することを特徴とする。さら
にまた、本発明の発光素子は、ｎ型コンタクト層の上
に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層
と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層
と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト
層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有することを
特徴とする。
型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層
と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層
とが積層され、ダブルへテロ構造を有することを特徴と
する。また、本発明の発光素子は、多重量子井戸構造を
有する活性層の上に、第一のｐ型層と、第二のｐ型層
と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層さ
れ、ダブルへテロ構造を有することを特徴とする。さら
にまた、本発明の発光素子は、ｎ型コンタクト層の上
に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層
と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層
と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト
層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有することを
特徴とする。
【０００６】本発明において、前記ｎ型コンタクト層が
ＧａＮからなり、前記第一のｎ型層がＩｎを含むｎ型の
窒化物半導体からなり、前記第二のｎ型層がＡｌを含む
ｎ型の窒化物半導体からなり、前記第三のｎ型層がＧａ
Ｎ若しくはＩｎを含む窒化物半導体からなることが望ま
しく、また前記第一のｐ型層がＡｌを含むｐ型窒化物半
導体からなり、前記第二のｐ型層がＧａＮ若しくはＩｎ
を含むｐ型窒化物半導体からなり、前記第三のｐ型層が
Ａｌを含むｐ型窒化物半導体からなり、前記ｐ型コンタ
クト層がＧａＮからなることが望ましい。また、多重量
子井戸構造を有する活性層では、井戸層の膜厚が７０オ
ングストローム以下であり、障壁層の膜厚が１５０オン
グストローム以下であることが望ましい。
ＧａＮからなり、前記第一のｎ型層がＩｎを含むｎ型の
窒化物半導体からなり、前記第二のｎ型層がＡｌを含む
ｎ型の窒化物半導体からなり、前記第三のｎ型層がＧａ
Ｎ若しくはＩｎを含む窒化物半導体からなることが望ま
しく、また前記第一のｐ型層がＡｌを含むｐ型窒化物半
導体からなり、前記第二のｐ型層がＧａＮ若しくはＩｎ
を含むｐ型窒化物半導体からなり、前記第三のｐ型層が
Ａｌを含むｐ型窒化物半導体からなり、前記ｐ型コンタ
クト層がＧａＮからなることが望ましい。また、多重量
子井戸構造を有する活性層では、井戸層の膜厚が７０オ
ングストローム以下であり、障壁層の膜厚が１５０オン
グストローム以下であることが望ましい。
【０００７】さらに、本発明の発光素子は、前記第二の
ｎ型層が光閉じ込め層であり、前記第三のｎ型層が光ガ
イド層であり、前記第二のｐ型層が光ガイド層であり、
前記第三のｐ型層が光閉じ込め層であることが望まし
い。
ｎ型層が光閉じ込め層であり、前記第三のｎ型層が光ガ
イド層であり、前記第二のｐ型層が光ガイド層であり、
前記第三のｐ型層が光閉じ込め層であることが望まし
い。
【０００８】本発明の発光素子において、多重量子井戸
構造（ＭＱＷ：Multi-quantum-well）を構成するＩｎを
含む窒化物半導体よりなる井戸層には、三元混晶のＩｎ
XＧａ1-XＮ（０＜X≦１）が好ましく、また障壁層も同
様に三元混晶のＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）が好まし
い。三元混晶のＩｎＧａＮは四元混晶のものに比べて結
晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上する。ま
た障壁層は井戸層よりもバンドギャップエネルギーを大
きくして、井戸＋障壁＋井戸＋・・・＋障壁＋井戸層と
なるように積層して多重量子井戸構造を構成する。この
ように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭＱＷとすると、
量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間での高出
力なＬＤを実現することができる。
構造（ＭＱＷ：Multi-quantum-well）を構成するＩｎを
含む窒化物半導体よりなる井戸層には、三元混晶のＩｎ
XＧａ1-XＮ（０＜X≦１）が好ましく、また障壁層も同
様に三元混晶のＩｎYＧａ1-YＮ（０＜Y＜１）が好まし
い。三元混晶のＩｎＧａＮは四元混晶のものに比べて結
晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上する。ま
た障壁層は井戸層よりもバンドギャップエネルギーを大
きくして、井戸＋障壁＋井戸＋・・・＋障壁＋井戸層と
なるように積層して多重量子井戸構造を構成する。この
ように活性層をＩｎＧａＮを積層したＭＱＷとすると、
量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間での高出
力なＬＤを実現することができる。
【０００９】ＬＤを実現する場合、活性層の膜厚、つま
り井戸層と障壁層を積層した活性層の総膜厚は２００オ
ングストローム以上に調整することが好ましい。２００
オングストロームよりも薄いと、十分に出力が上がら
ず、レーザ発振しにくい傾向にある。また活性層の膜厚
も厚すぎると出力が低下する傾向にあり、０．５μｍ以
下に調整することが望ましい。
り井戸層と障壁層を積層した活性層の総膜厚は２００オ
ングストローム以上に調整することが好ましい。２００
オングストロームよりも薄いと、十分に出力が上がら
ず、レーザ発振しにくい傾向にある。また活性層の膜厚
も厚すぎると出力が低下する傾向にあり、０．５μｍ以
下に調整することが望ましい。
【００１０】さらに井戸層の膜厚は７０オングストロー
ム以下、さらに望ましくは５０オングストローム以下に
調整することが好ましい。図２は井戸層の膜厚と発光出
力との関係を示す図であり、発光出力はＬＥＤ素子につ
いて示している。出力に関してはＬＤでも同様のことが
云える。これはこの膜厚がＩｎＧａＮ井戸層の臨界膜厚
以下であることを示している。ＩｎＧａＮでは電子のボ
ーア半径が約３０オングストロームであり、このためＩ
ｎＧａＮの量子効果が７０オングストローム以下で現れ
る。
ム以下、さらに望ましくは５０オングストローム以下に
調整することが好ましい。図２は井戸層の膜厚と発光出
力との関係を示す図であり、発光出力はＬＥＤ素子につ
いて示している。出力に関してはＬＤでも同様のことが
云える。これはこの膜厚がＩｎＧａＮ井戸層の臨界膜厚
以下であることを示している。ＩｎＧａＮでは電子のボ
ーア半径が約３０オングストロームであり、このためＩ
ｎＧａＮの量子効果が７０オングストローム以下で現れ
る。
【００１１】また障壁層の厚さも１５０オングストロー
ム以下、さらに望ましくは１００オングストローム以下
の厚さに調整することが望ましい。図３は障壁層と膜厚
と発光出力との関係を示す図であり、発光出力は図２と
同様に、ＬＥＤ素子について示すものであるが、ＬＤに
関しても同様のことが云える。
ム以下、さらに望ましくは１００オングストローム以下
の厚さに調整することが望ましい。図３は障壁層と膜厚
と発光出力との関係を示す図であり、発光出力は図２と
同様に、ＬＥＤ素子について示すものであるが、ＬＤに
関しても同様のことが云える。
【００１２】次に本発明の発光素子では活性層に接して
少なくともＡｌを含むｐ型の窒化物半導体、好ましくは
三元混晶若しくは二元混晶のＡｌZＧａ1-ZＮ（０＜Z≦
１）よりなるｐ型クラッド層が形成されていることが望
ましい。さらにこのＡｌＧａＮは１μｍ以下、さらに好
ましくは１０オングストローム以上、０．５μｍ以下に
調整する。このｐ型クラッド層を活性層に接して形成す
ることにより、素子の出力が格段に向上する。逆に活性
層に接するクラッド層をＧａＮとすると素子の出力が約
１／３に低下してしまう。これはＡｌＧａＮがＧａＮに
比べてｐ型になりやすく、またｐ型クラッド層成長時
に、ＩｎＧａＮが分解するのを抑える作用があるためと
推察されるが、詳しいことは不明である。またｐ型クラ
ッド層の膜厚は１μｍよりも厚いと、クラッド層自体に
クラックが入りやすくなり素子作製が困難となる傾向に
あるからである。
少なくともＡｌを含むｐ型の窒化物半導体、好ましくは
三元混晶若しくは二元混晶のＡｌZＧａ1-ZＮ（０＜Z≦
１）よりなるｐ型クラッド層が形成されていることが望
ましい。さらにこのＡｌＧａＮは１μｍ以下、さらに好
ましくは１０オングストローム以上、０．５μｍ以下に
調整する。このｐ型クラッド層を活性層に接して形成す
ることにより、素子の出力が格段に向上する。逆に活性
層に接するクラッド層をＧａＮとすると素子の出力が約
１／３に低下してしまう。これはＡｌＧａＮがＧａＮに
比べてｐ型になりやすく、またｐ型クラッド層成長時
に、ＩｎＧａＮが分解するのを抑える作用があるためと
推察されるが、詳しいことは不明である。またｐ型クラ
ッド層の膜厚は１μｍよりも厚いと、クラッド層自体に
クラックが入りやすくなり素子作製が困難となる傾向に
あるからである。
【００１３】
【作用】特に活性層について述べると、本発明の発光素
子は、先にも述べたように好ましくは、ＩｎＧａＮより
なる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップの大きいＩ
ｎＧａＮよりなる障壁層を積層した多重量子井戸構造で
ある。特開平６−２１５１１号とは障壁層がＧａＮであ
る。これは薄膜の井戸層と障壁層とを積層したＭＱＷで
は、各層に係るストレスが違う。井戸層の上にＩｎＧａ
Ｎよりなる障壁層を積層すると、ＩｎＧａＮよりなる障
壁層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ結晶に比べて結晶が柔らか
い。そのためクラッド層のＡｌＧａＮの厚さを厚くでき
るのでレーザ発振が実現できる。一方、障壁層をＧａＮ
とすると、活性層の上にＡｌＧａＮよりなるクラッド層
を成長させると、そのクラッド層にクラックが発生しや
すい傾向にある。
子は、先にも述べたように好ましくは、ＩｎＧａＮより
なる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップの大きいＩ
ｎＧａＮよりなる障壁層を積層した多重量子井戸構造で
ある。特開平６−２１５１１号とは障壁層がＧａＮであ
る。これは薄膜の井戸層と障壁層とを積層したＭＱＷで
は、各層に係るストレスが違う。井戸層の上にＩｎＧａ
Ｎよりなる障壁層を積層すると、ＩｎＧａＮよりなる障
壁層はＧａＮ、ＡｌＧａＮ結晶に比べて結晶が柔らか
い。そのためクラッド層のＡｌＧａＮの厚さを厚くでき
るのでレーザ発振が実現できる。一方、障壁層をＧａＮ
とすると、活性層の上にＡｌＧａＮよりなるクラッド層
を成長させると、そのクラッド層にクラックが発生しや
すい傾向にある。
【００１４】さらにＩｎＧａＮとＧａＮとでは結晶の成
長温度が異なる。例えばＭＯＶＰＥ法ではＩｎＧａＮは
６００℃〜８００℃で成長させるのに対して、ＧａＮは
８００より高い温度で成長させる。従って、ＩｎＧａＮ
よりなる井戸層を成長させた後、ＧａＮよりなる障壁層
を成長させようとすれば、成長温度を上げてやる必要が
ある。成長温度を上げると、先に成長させたＩｎＧａＮ
井戸層が分解してしまうので結晶性の良い井戸層を得る
ことは難しい。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロ
ームしかなく、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製
するのが困難となる。それに対し本発明では、障壁層も
ＩｎＧａＮであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成
長できる。従って、先に形成した井戸層が分解すること
がないので結晶性の良いＭＱＷを形成することができ
る。
長温度が異なる。例えばＭＯＶＰＥ法ではＩｎＧａＮは
６００℃〜８００℃で成長させるのに対して、ＧａＮは
８００より高い温度で成長させる。従って、ＩｎＧａＮ
よりなる井戸層を成長させた後、ＧａＮよりなる障壁層
を成長させようとすれば、成長温度を上げてやる必要が
ある。成長温度を上げると、先に成長させたＩｎＧａＮ
井戸層が分解してしまうので結晶性の良い井戸層を得る
ことは難しい。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロ
ームしかなく、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製
するのが困難となる。それに対し本発明では、障壁層も
ＩｎＧａＮであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成
長できる。従って、先に形成した井戸層が分解すること
がないので結晶性の良いＭＱＷを形成することができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、ＭＯＶＰＥ法によりＬＤ素子を作成す
る方法を述べるが、本発明の発光素子はＭＯＶＰＥ法だ
けではなく、例えばＭＢＥ、ＨＤＶＰＥ等の他の知られ
ている窒化物半導体の気相成長法を用いて成長させるこ
とができ、またＬＤだけでなくＬＥＤにも適用可能であ
る。
る方法を述べるが、本発明の発光素子はＭＯＶＰＥ法だ
けではなく、例えばＭＢＥ、ＨＤＶＰＥ等の他の知られ
ている窒化物半導体の気相成長法を用いて成長させるこ
とができ、またＬＤだけでなくＬＥＤにも適用可能であ
る。
【００１６】［実施例１］よく洗浄されたサファイア基
板１（０００１面）をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設
置した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）
と、アンモニアを用い、温度５００℃でサファイア基板
の表面にＧａＮよりなるバッファ層２を２００オングス
トロームの膜厚で成長させた。
板１（０００１面）をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設
置した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）
と、アンモニアを用い、温度５００℃でサファイア基板
の表面にＧａＮよりなるバッファ層２を２００オングス
トロームの膜厚で成長させた。
【００１７】このバッファ層は基板と窒化物半導体との
格子不整合を緩和する作用があり、他にＡｌＮ、ＡｌＧ
ａＮ等を成長させることも可能である。また基板にはサ
ファイアの他にスピネル１１１面（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、Ｓ
ｉＣ、ＭｇＯ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の単結晶よりなる従来よ
り知られている基板が用いられる。このバッファ層を成
長させることにより、基板の上に成長させるｎ型窒化物
半導体の結晶性が良くなることが知られているが、成長
方法、基板の種類等によりバッファ層が成長されない場
合もある。
格子不整合を緩和する作用があり、他にＡｌＮ、ＡｌＧ
ａＮ等を成長させることも可能である。また基板にはサ
ファイアの他にスピネル１１１面（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、Ｓ
ｉＣ、ＭｇＯ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の単結晶よりなる従来よ
り知られている基板が用いられる。このバッファ層を成
長させることにより、基板の上に成長させるｎ型窒化物
半導体の結晶性が良くなることが知られているが、成長
方法、基板の種類等によりバッファ層が成長されない場
合もある。
【００１８】続いて温度を１０５０℃に上げ、原料ガス
にＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ
4（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなる
ｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させた。ｎ型
コンタクト層３はＧａＮとすることによりキャリア濃度
の高い層が得られ、電極材料と好ましいオーミック接触
が得られる。
にＴＭＧ、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ
4（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなる
ｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させた。ｎ型
コンタクト層３はＧａＮとすることによりキャリア濃度
の高い層が得られ、電極材料と好ましいオーミック接触
が得られる。
【００１９】次に温度を７５０℃まで下げ、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなる第一のｎ型層４を５００オングスト
ロームの膜厚で成長させた。
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなる第一のｎ型層４を５００オングスト
ロームの膜厚で成長させた。
【００２０】この第一のｎ型層４はＩｎを含むｎ型の窒
化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長させることに
より、次に成長させるＡｌを含む窒化物半導体を厚膜で
成長させることが可能となる。ＬＤの場合は、光閉じ込
め層、光ガイド層となる層を、例えば０．１μｍ以上の
膜厚で成長させる必要がある。従来ではＧａＮ、ＡｌＧ
ａＮ層の上に直接厚膜のＡｌＧａＮを成長させると、後
から成長させたＡｌＧａＮにクラックが入るので素子作
製が困難であったが、第一のｎ型層がバッファ層として
作用する。つまり、この層がバッファ層となり次に成長
させるＡｌを含む窒化物半導体層にクラックが入るのを
防止することができる。しかも次に成長させるＡｌを含
む窒化物半導体層を厚膜で成長させても膜質良く成長で
きる。なお第一のｎ型層は１００オングストローム以
上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが好まし
い。１００オングストロームよりも薄いと前記のように
バッファ層として作用しにくく、０．５μｍよりも厚い
と、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、この第一の
ｎ型層４は省略することもできる。
化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長させることに
より、次に成長させるＡｌを含む窒化物半導体を厚膜で
成長させることが可能となる。ＬＤの場合は、光閉じ込
め層、光ガイド層となる層を、例えば０．１μｍ以上の
膜厚で成長させる必要がある。従来ではＧａＮ、ＡｌＧ
ａＮ層の上に直接厚膜のＡｌＧａＮを成長させると、後
から成長させたＡｌＧａＮにクラックが入るので素子作
製が困難であったが、第一のｎ型層がバッファ層として
作用する。つまり、この層がバッファ層となり次に成長
させるＡｌを含む窒化物半導体層にクラックが入るのを
防止することができる。しかも次に成長させるＡｌを含
む窒化物半導体層を厚膜で成長させても膜質良く成長で
きる。なお第一のｎ型層は１００オングストローム以
上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが好まし
い。１００オングストロームよりも薄いと前記のように
バッファ層として作用しにくく、０．５μｍよりも厚い
と、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、この第一の
ｎ型層４は省略することもできる。
【００２１】次に、温度を１０５０℃にして、原料ガス
にＴＥＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモ
ニア、不純物ガスにシランガスを用いて、Ｓｉドープｎ
型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第二のｎ型層５を０．５μ
ｍの膜厚で成長させた。この第二のｎ型層はＬＤの場合
光閉じ込め層として作用し、通常０．１μｍ〜１μｍの
膜厚で成長させることが望ましい。
にＴＥＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモ
ニア、不純物ガスにシランガスを用いて、Ｓｉドープｎ
型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる第二のｎ型層５を０．５μ
ｍの膜厚で成長させた。この第二のｎ型層はＬＤの場合
光閉じ込め層として作用し、通常０．１μｍ〜１μｍの
膜厚で成長させることが望ましい。
【００２２】続いて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、
不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ
よりなる第三のｎ型層６を５００オングストロームの膜
厚で成長させた。この第三のｎ型層６はＬＤの場合、光
ガイド層として作用し、通常１００オングストローム〜
１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、ＧａＮの他
にＩｎＧａＮ等のＩｎを含むｎ型窒化物半導体で成長さ
せることもでき、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることに
より次の活性層を量子井戸構造とすることが可能にな
る。
不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ
よりなる第三のｎ型層６を５００オングストロームの膜
厚で成長させた。この第三のｎ型層６はＬＤの場合、光
ガイド層として作用し、通常１００オングストローム〜
１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、ＧａＮの他
にＩｎＧａＮ等のＩｎを含むｎ型窒化物半導体で成長さ
せることもでき、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることに
より次の活性層を量子井戸構造とすることが可能にな
る。
【００２３】次に原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニ
アを用いて活性層７を成長させた。活性層７は温度を７
５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度
で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１
３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μ
ｍの膜厚の多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長さ
せた。井戸層の好ましい膜厚は１００オングストローム
以下、障壁層は１５０オングストローム以下の膜厚で成
長することにより、井戸層、障壁層が弾性的に変形して
結晶欠陥が少なくなり、素子の出力が飛躍的に向上する
ので、レーザ発振が可能となる。さらに井戸層はＩｎＧ
ａＮ等のＩｎＧａＮを含む窒化物半導体、障壁層はＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ等で構成することが望ましく、特に井戸
層、障壁層ともＩｎＧａＮとすると、成長温度が一定に
保持できるので生産技術上非常に好ましい。
アを用いて活性層７を成長させた。活性層７は温度を７
５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度
で、ノンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１
３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μ
ｍの膜厚の多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長さ
せた。井戸層の好ましい膜厚は１００オングストローム
以下、障壁層は１５０オングストローム以下の膜厚で成
長することにより、井戸層、障壁層が弾性的に変形して
結晶欠陥が少なくなり、素子の出力が飛躍的に向上する
ので、レーザ発振が可能となる。さらに井戸層はＩｎＧ
ａＮ等のＩｎＧａＮを含む窒化物半導体、障壁層はＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ等で構成することが望ましく、特に井戸
層、障壁層ともＩｎＧａＮとすると、成長温度が一定に
保持できるので生産技術上非常に好ましい。
【００２４】活性層７成長後、温度を１０５０℃にして
ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源と
してＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）
を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第一
のｐ型層８を１００オングストロームの膜厚で成長させ
た。この第一のｐ型層８は１μｍ以下、さらに好ましく
は０．１μｍ以下の膜厚で成長させることにより、Ｉｎ
ＧａＮよりなる活性層が分解するのを防止するキャップ
層としての作用があり、また活性層の上にＡｌを含むｐ
型窒化物半導体よりなる第一のｐ型層８を成長させるこ
とにより、発光出力が向上する。またｐ型窒化物半導体
層はＺｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｂｅ、Ｃ等のアクセプタ
ー不純物を成長中にドープすることにより得られるが、
その中でもＭｇが最も好ましいｐ型特性を示す。さら
に、アクセプター不純物をドープした後、不活性ガス雰
囲気中で４００℃以上のアニーリングを行うとさらに好
ましいｐ型が得られる。
ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源と
してＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）
を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第一
のｐ型層８を１００オングストロームの膜厚で成長させ
た。この第一のｐ型層８は１μｍ以下、さらに好ましく
は０．１μｍ以下の膜厚で成長させることにより、Ｉｎ
ＧａＮよりなる活性層が分解するのを防止するキャップ
層としての作用があり、また活性層の上にＡｌを含むｐ
型窒化物半導体よりなる第一のｐ型層８を成長させるこ
とにより、発光出力が向上する。またｐ型窒化物半導体
層はＺｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｂｅ、Ｃ等のアクセプタ
ー不純物を成長中にドープすることにより得られるが、
その中でもＭｇが最も好ましいｐ型特性を示す。さら
に、アクセプター不純物をドープした後、不活性ガス雰
囲気中で４００℃以上のアニーリングを行うとさらに好
ましいｐ型が得られる。
【００２５】次に温度を１０５０℃に保持しながら、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮよりなる第二のｐ型層９を５００オングストローム
の膜厚で成長させた。この第二のｐ型層９はＬＤの場
合、光ガイド層として作用し、通常１００オングストロ
ーム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、Ｇａ
Ｎの他にＩｎＧａＮ等のＩｎを含むｐ型窒化物半導体で
成長させることもでき、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとする
ことにより次のＡｌを含む第三のｐ型層１０を結晶性良
く成長できる。
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮよりなる第二のｐ型層９を５００オングストローム
の膜厚で成長させた。この第二のｐ型層９はＬＤの場
合、光ガイド層として作用し、通常１００オングストロ
ーム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、Ｇａ
Ｎの他にＩｎＧａＮ等のＩｎを含むｐ型窒化物半導体で
成長させることもでき、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとする
ことにより次のＡｌを含む第三のｐ型層１０を結晶性良
く成長できる。
【００２６】続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃ
ｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる
第三のｐ型層１０を０．５μｍの膜厚で成長させた。こ
の第三のｐ型層１０はＬＤの場合、光閉じ込め層として
作用し、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが
望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含むｐ型窒化物半
導体とすることにより、好ましく光閉じ込め層として作
用する。
ｐ2Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる
第三のｐ型層１０を０．５μｍの膜厚で成長させた。こ
の第三のｐ型層１０はＬＤの場合、光閉じ込め層として
作用し、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが
望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含むｐ型窒化物半
導体とすることにより、好ましく光閉じ込め層として作
用する。
【００２７】続いて、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ
を用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１１を０．５μｍの膜厚で成長させた。このｐ型コン
タクト層はＭｇを含むＧａＮとすると、最もキャリア濃
度の高いｐ型層が得られて、正電極の材料と良好なオー
ミック接触が得られる。
を用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層１１を０．５μｍの膜厚で成長させた。このｐ型コン
タクト層はＭｇを含むＧａＮとすると、最もキャリア濃
度の高いｐ型層が得られて、正電極の材料と良好なオー
ミック接触が得られる。
【００２８】以上のようにして窒化物半導体を積層した
ウェーハを反応容器から取り出し、図１に示すように最
上層のｐ型コンタクト層１１より選択エッチングを行
い、ｎ型コンタクト層３の表面を露出させ、露出したｎ
型コンタクト層３と、ｐ型コンタクト層１１の表面にそ
れぞれストライプ状の電極を形成した後、ストライプ状
の電極に直交する方向から、さらにエッチングを行い垂
直なエッチング端面を形成して、そのエッチング面に常
法に従って反射鏡を形成して共振面とした。共振面側か
ら見たレーザ素子の断面図が図１に示す断面図である。
このレーザ素子をヒートシンクに設置し、ＬＤとしたと
ころ、非常に優れた結晶が積層できていたため、常温に
おいて、しきい値電流密度４．０ｋＡ／cm2で発光波長
４１０ｎｍ、半値幅２ｎｍのレーザ発振を示した。
ウェーハを反応容器から取り出し、図１に示すように最
上層のｐ型コンタクト層１１より選択エッチングを行
い、ｎ型コンタクト層３の表面を露出させ、露出したｎ
型コンタクト層３と、ｐ型コンタクト層１１の表面にそ
れぞれストライプ状の電極を形成した後、ストライプ状
の電極に直交する方向から、さらにエッチングを行い垂
直なエッチング端面を形成して、そのエッチング面に常
法に従って反射鏡を形成して共振面とした。共振面側か
ら見たレーザ素子の断面図が図１に示す断面図である。
このレーザ素子をヒートシンクに設置し、ＬＤとしたと
ころ、非常に優れた結晶が積層できていたため、常温に
おいて、しきい値電流密度４．０ｋＡ／cm2で発光波長
４１０ｎｍ、半値幅２ｎｍのレーザ発振を示した。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の発光素子
は、好ましくＩｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層
と、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる障壁層とを積層し
たＭＱＷの活性層を有しているため、発光素子の出力が
向上してレーザダイオードが実現できた。これは膜質の
良い活性層が成長できていることによる。このように本
発明の新規な構造により、短波長ＬＤが実現できたこと
により、書き込み光源、読みとり光源としての容量が従
来に比べて飛躍的に向上し、その産業上の利用価値は非
常に大きい。
は、好ましくＩｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層
と、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる障壁層とを積層し
たＭＱＷの活性層を有しているため、発光素子の出力が
向上してレーザダイオードが実現できた。これは膜質の
良い活性層が成長できていることによる。このように本
発明の新規な構造により、短波長ＬＤが実現できたこと
により、書き込み光源、読みとり光源としての容量が従
来に比べて飛躍的に向上し、その産業上の利用価値は非
常に大きい。
【図１】 本発明の一実施例に係るＬＤの構造を示す模
式断面図。
式断面図。
【図２】 本発明の一実施例に係る素子の活性層の井戸
層と発光出力との関係を示す図。
層と発光出力との関係を示す図。
【図３】 本発明の一実施例に係る素子の活性層の障壁
層と発光出力との関係を示す図。
層と発光出力との関係を示す図。
１・・・基板 ２・・・ＧａＮバッファ層 ３・・・ｎ型ＧａＮ（ｎ型コンタクト層） ４・・・ｎ型ＩｎＧａＮ（第一のｎ型層） ５・・・ｎ型ＡｌＧａＮ（第二のｎ型層） ６・・・ｎ型ＧａＮ（第三のｎ型層） ７・・・活性層 ８・・・ｐ型ＡｌＧａＮ（第一のｐ型層） ９・・・ｐ型ＧａＮ（第二のｐ型層） １０・・・ｐ型ＡｌＧａＮ（第三のｐ型層） １１・・・ｐ型ＧａＮ（ｐ型コンタクト層）
Claims (7)
- 【請求項１】 窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる発光素子
であって、ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、
第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を
有する活性層とが積層され、ダブルへテロ構造を有する
窒化物半導体発光素子。 - 【請求項２】 窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる発光素子
であって、多重量子井戸構造を有する活性層の上に、第
一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型
コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有
する窒化物半導体発光素子。 - 【請求項３】 窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる発光素子
であって、ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、
第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を
有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第
三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダ
ブルへテロ構造を有する窒化物半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記ｎ型コンタクト層がＧａＮからな
り、前記第一のｎ型層がＩｎを含むｎ型の窒化物半導体
からなり、前記第二のｎ型層がＡｌを含むｎ型の窒化物
半導体からなり、前記第三のｎ型層がＧａＮ若しくはＩ
ｎを含む窒化物半導体からなる請求項１または３に記載
の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記第一のｐ型層がＡｌを含むｐ型窒化
物半導体からなり、前記第二のｐ型層がＧａＮ若しくは
Ｉｎを含むｐ型窒化物半導体からなり、前記第三のｐ型
層がＡｌを含むｐ型窒化物半導体からなり、前記ｐ型コ
ンタクト層がＧａＮからなる請求項２または３に記載の
窒化物半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記第二のｎ型層が光閉じ込め層であ
り、前記第三のｎ型層が光ガイド層である請求項１、
３、４の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項７】 前記第二のｐ型層が光ガイド層であり、
前記第三のｐ型層が光閉じ込め層である請求項２、３、
５の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33719798A JP3371830B2 (ja) | 1995-11-24 | 1998-11-27 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30527995A JP3235440B2 (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法 |
| JP33719798A JP3371830B2 (ja) | 1995-11-24 | 1998-11-27 | 窒化物半導体発光素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30528195A Division JP2900990B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-24 | 窒化物半導体発光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002170623A Division JP3867625B2 (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224972A true JPH11224972A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3371830B2 JP3371830B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=26564233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33719798A Expired - Fee Related JP3371830B2 (ja) | 1995-11-24 | 1998-11-27 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3371830B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005034301A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| EP2161764A2 (en) | 2008-08-26 | 2010-03-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for Producing Nitride Semiconductor Optical Device and Epitaxial Wafer |
| US7692182B2 (en) | 2001-05-30 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US8344398B2 (en) | 2007-01-19 | 2013-01-01 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
| US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
| US8679876B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
| US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP33719798A patent/JP3371830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| US7312474B2 (en) | 2001-05-30 | 2007-12-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based superlattice structures |
| US9112083B2 (en) | 2001-05-30 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| US7692182B2 (en) | 2001-05-30 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US8044384B2 (en) | 2001-05-30 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US9054253B2 (en) | 2001-05-30 | 2015-06-09 | Cree, Inc. | Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure |
| US8227268B2 (en) | 2001-05-30 | 2012-07-24 | Cree, Inc. | Methods of fabricating group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| WO2005034301A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| US8981340B2 (en) | 2003-09-25 | 2015-03-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and production method thereof |
| US8679876B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
| US8344398B2 (en) | 2007-01-19 | 2013-01-01 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
| US9041139B2 (en) | 2007-01-19 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
| US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
| US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
| US8183071B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer |
| EP2161764A2 (en) | 2008-08-26 | 2010-03-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for Producing Nitride Semiconductor Optical Device and Epitaxial Wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3371830B2 (ja) | 2003-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100902109B1 (ko) | 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자 | |
| JP2956489B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 | |
| EP1014455B1 (en) | Nitride semiconductor device | |
| EP2383846B1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP3646649B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP2900990B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| US6462354B1 (en) | Semiconductor device and semiconductor light emitting device | |
| JPH11220173A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH10145000A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP3087829B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP3446660B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP4291960B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2891348B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH10145002A (ja) | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法 | |
| JP3275810B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3366188B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JPH11191639A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2002084038A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3371830B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP4423969B2 (ja) | 窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH077182A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP3235440B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JP3888036B2 (ja) | ｎ型窒化物半導体の成長方法 | |
| JP2003283057A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3772651B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |