JPH11191639A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
窒化物半導体素子Info
- Publication number
- JPH11191639A JPH11191639A JP17662398A JP17662398A JPH11191639A JP H11191639 A JPH11191639 A JP H11191639A JP 17662398 A JP17662398 A JP 17662398A JP 17662398 A JP17662398 A JP 17662398A JP H11191639 A JPH11191639 A JP H11191639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- semiconductor layer
- doped
- type impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオード、レーザダイオード等の窒化
物半導体素子の出力を向上させると共に、順方向電圧、
閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板と活性層の間に、基板側から順に、
アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導
体層よりも少ない第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物
を含み超格子構造よりなるｎ導電型の第２の窒化物半導
体層と、アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒
化物半導体層よりも少ない第３の窒化物半導体層を形成
し、第２の窒化物半導体層にｎ電極を形成した。
物半導体素子の出力を向上させると共に、順方向電圧、
閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板と活性層の間に、基板側から順に、
アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導
体層よりも少ない第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物
を含み超格子構造よりなるｎ導電型の第２の窒化物半導
体層と、アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒
化物半導体層よりも少ない第３の窒化物半導体層を形成
し、第２の窒化物半導体層にｎ電極を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード素
子、レーザダイオード素子等の発光素子、太陽電池、光
センサ等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデ
バイス等の電子デバイスに用いられる窒化物半導体（Ｉ
ｎXＡｌYＧａ1‐X‐YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦
１）よりなる素子に関する。
子、レーザダイオード素子等の発光素子、太陽電池、光
センサ等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデ
バイス等の電子デバイスに用いられる窒化物半導体（Ｉ
ｎXＡｌYＧａ1‐X‐YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦
１）よりなる素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体は高輝度純緑色発光ＬＥ
Ｄ、青色ＬＥＤとして、既にフルカラーＬＥＤディスプ
レイ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光
源で実用化されている。これらのＬＥＤ素子は基本的
に、サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層と、
ＳｉドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層と、単一量
子井戸構造のＩｎＧａＮ、あるいはＩｎＧａＮを有する
多重量子井戸構造の活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮよ
りなるｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ
側コンタクト層とが順に積層された構造を有しており、
２０ｍＡにおいて、発光波長４５０ｎｍの青色ＬＥＤで
５ｍＷ、外部量子効率９．１％、５２０ｎｍの緑色ＬＥ
Ｄで３ｍＷ、外部量子効率６．３％と非常に優れた特性
を示す。
Ｄ、青色ＬＥＤとして、既にフルカラーＬＥＤディスプ
レイ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光
源で実用化されている。これらのＬＥＤ素子は基本的
に、サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層と、
ＳｉドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層と、単一量
子井戸構造のＩｎＧａＮ、あるいはＩｎＧａＮを有する
多重量子井戸構造の活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮよ
りなるｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ
側コンタクト層とが順に積層された構造を有しており、
２０ｍＡにおいて、発光波長４５０ｎｍの青色ＬＥＤで
５ｍＷ、外部量子効率９．１％、５２０ｎｍの緑色ＬＥ
Ｄで３ｍＷ、外部量子効率６．３％と非常に優れた特性
を示す。
【０００３】また、本出願人はこの材料を用いてパルス
電流下、室温での４１０ｎｍの発振を世界で初めて発表
した（例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３５
（１９９６）Ｌ７４、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．３５（１９９６）Ｌ２１７等）。このレーザ素子
は、ＩｎＧａＮを用いた多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍ
ｕｌｔｉ‐Ｑｕａｎｔｕｍ‐Ｗｅｌｌ）の活性層を有す
るダブルヘテロ構造を有し、パルス幅２μｓ、パルス周
期２ｍｓの条件で、閾値電流６１０ｍＡ、閾値電流密度
８．７ｋＡ／ｃｍ2、４１０ｎｍの発振を示す。また、
本出願人は室温での連続発振にも初めて成功し、発表し
た。（例えば、日経エレクトロニクス１９９６年１２月
２日号技術速報、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９
（１９９６）３０３４−、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．６９（１９９６）４０５６‐等）、このレーザ素子
は２０℃において、閾値電流密度３．６ｋＡ／ｃｍ2、
閾値電圧５．５Ｖ、１．５ｍＷ出力において、２７時間
の連続発振を示す。
電流下、室温での４１０ｎｍの発振を世界で初めて発表
した（例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３５
（１９９６）Ｌ７４、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．３５（１９９６）Ｌ２１７等）。このレーザ素子
は、ＩｎＧａＮを用いた多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍ
ｕｌｔｉ‐Ｑｕａｎｔｕｍ‐Ｗｅｌｌ）の活性層を有す
るダブルヘテロ構造を有し、パルス幅２μｓ、パルス周
期２ｍｓの条件で、閾値電流６１０ｍＡ、閾値電流密度
８．７ｋＡ／ｃｍ2、４１０ｎｍの発振を示す。また、
本出願人は室温での連続発振にも初めて成功し、発表し
た。（例えば、日経エレクトロニクス１９９６年１２月
２日号技術速報、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９
（１９９６）３０３４−、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．６９（１９９６）４０５６‐等）、このレーザ素子
は２０℃において、閾値電流密度３．６ｋＡ／ｃｍ2、
閾値電圧５．５Ｖ、１．５ｍＷ出力において、２７時間
の連続発振を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように窒化物半導
体はＬＥＤで既に実用化され、ＬＤでは数十時間ながら
連続発振にまで至っているが、ＬＥＤを例えば照明用光
源、直射日光の当たる屋外ディスプレイ等に使用するた
めにはさらに出力の向上が求められている。またＬＤで
は閾値を低下させて長寿命にし、光ピックアップ、ＤＶ
Ｄ等の光源に実用化するためには、よりいっそうの改良
が必要である。また前記ＬＥＤ素子は２０ｍＡにおいて
Ｖｆが３．６Ｖ近くある。Ｖｆをさらに下げることによ
り、素子の発熱量が少なくなって、信頼性が向上する。
またレーザ素子では閾値における電圧を低下させること
は、素子の寿命を向上させる上で非常に重要である。本
発明はこのような事情を鑑みて成されたものであって、
その目的とするところは、主としてＬＥＤ、ＬＤ等の窒
化物半導体素子の出力を向上させると共に、Ｖｆ、閾値
電圧を低下させて素子の信頼性を向上させることにあ
る。
体はＬＥＤで既に実用化され、ＬＤでは数十時間ながら
連続発振にまで至っているが、ＬＥＤを例えば照明用光
源、直射日光の当たる屋外ディスプレイ等に使用するた
めにはさらに出力の向上が求められている。またＬＤで
は閾値を低下させて長寿命にし、光ピックアップ、ＤＶ
Ｄ等の光源に実用化するためには、よりいっそうの改良
が必要である。また前記ＬＥＤ素子は２０ｍＡにおいて
Ｖｆが３．６Ｖ近くある。Ｖｆをさらに下げることによ
り、素子の発熱量が少なくなって、信頼性が向上する。
またレーザ素子では閾値における電圧を低下させること
は、素子の寿命を向上させる上で非常に重要である。本
発明はこのような事情を鑑みて成されたものであって、
その目的とするところは、主としてＬＥＤ、ＬＤ等の窒
化物半導体素子の出力を向上させると共に、Ｖｆ、閾値
電圧を低下させて素子の信頼性を向上させることにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体素
子は、基板と活性層の間に、基板側から順に、アンドー
プ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導体層より
も少ない第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を含み超
格子構造よりなるｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、
アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導
体層よりも少ない第３の窒化物半導体層を有し、前記第
２の窒化物半導体層にｎ電極が形成されてなることを特
徴とする。なお超格子構造とは膜厚１００オングストロ
ーム以下、さらに好ましくは７０オングストローム以
下、最も好ましくは５０オングストローム以下の窒化物
半導体層を多層膜構造に積層した構造を指すものとす
る。また、本明細書にいう超格子構造又は超格子層は、
互いに組成の異なる層が積層された多層膜、及び互いに
同一の組成を有し互いにｎ型不純物のドープ量が異なる
層が積層された多層膜の双方を含むものである。さら
に、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の窒化物半導体層とは
意図的に不純物をドープしない窒化物半導体層を指し、
例えば、原料に含まれる不純物の混入、反応装置内のコ
ンタミネーションによる不純物の混入、および意図的に
不純物をドープした他の層からの意図しない拡散により
不純物が混入した層も本発明ではアンドープと定義する
（実質的なアンドープ）。
子は、基板と活性層の間に、基板側から順に、アンドー
プ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導体層より
も少ない第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を含み超
格子構造よりなるｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、
アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導
体層よりも少ない第３の窒化物半導体層を有し、前記第
２の窒化物半導体層にｎ電極が形成されてなることを特
徴とする。なお超格子構造とは膜厚１００オングストロ
ーム以下、さらに好ましくは７０オングストローム以
下、最も好ましくは５０オングストローム以下の窒化物
半導体層を多層膜構造に積層した構造を指すものとす
る。また、本明細書にいう超格子構造又は超格子層は、
互いに組成の異なる層が積層された多層膜、及び互いに
同一の組成を有し互いにｎ型不純物のドープ量が異なる
層が積層された多層膜の双方を含むものである。さら
に、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の窒化物半導体層とは
意図的に不純物をドープしない窒化物半導体層を指し、
例えば、原料に含まれる不純物の混入、反応装置内のコ
ンタミネーションによる不純物の混入、および意図的に
不純物をドープした他の層からの意図しない拡散により
不純物が混入した層も本発明ではアンドープと定義する
（実質的なアンドープ）。
【０００６】また本発明の窒化物半導体素子では、基板
と前記第１の窒化物半導体層との間に、第１の窒化物半
導体層よりも低温で成長されるバッファ層を有していて
も良い。バッファ層は例えばＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ等を４００℃〜９００℃において、０．５μｍ以下の
膜厚で成長させることができ、基板と窒化物半導体との
格子不整合を緩和、あるいは第１の窒化物半導体層を結
晶性よく成長させるための下地層として作用する。
と前記第１の窒化物半導体層との間に、第１の窒化物半
導体層よりも低温で成長されるバッファ層を有していて
も良い。バッファ層は例えばＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ等を４００℃〜９００℃において、０．５μｍ以下の
膜厚で成長させることができ、基板と窒化物半導体との
格子不整合を緩和、あるいは第１の窒化物半導体層を結
晶性よく成長させるための下地層として作用する。
【０００７】第２の窒化物半導体層は、互いにバンドギ
ャップエネルギーが異なる２種類の窒化物半導体層を積
層することにより構成することができ、その２種類の窒
化物半導体層の間には別の窒化物半導体層を形成して積
層するようにしてもよい。この場合、該２種類の窒化物
半導体層において、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でド
ープされていることが好ましい。以下、超格子層を構成
する窒化物半導体層の互いの不純物濃度が異なることを
変調ドープという。
ャップエネルギーが異なる２種類の窒化物半導体層を積
層することにより構成することができ、その２種類の窒
化物半導体層の間には別の窒化物半導体層を形成して積
層するようにしてもよい。この場合、該２種類の窒化物
半導体層において、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でド
ープされていることが好ましい。以下、超格子層を構成
する窒化物半導体層の互いの不純物濃度が異なることを
変調ドープという。
【０００８】また、第２の窒化物半導体層を、互いにバ
ンドギャップエネルギーの異なる２種類の層を積層して
形成する場合、ｎ型不純物はバンドギャップエネルギー
が大きい方の層に多くドープしてもよいし、バンドギャ
ップエネルギーが小さい方の層に多くドープしてもよ
い。
ンドギャップエネルギーの異なる２種類の層を積層して
形成する場合、ｎ型不純物はバンドギャップエネルギー
が大きい方の層に多くドープしてもよいし、バンドギャ
ップエネルギーが小さい方の層に多くドープしてもよ
い。
【０００９】また、第２の窒化物半導体層を、互いにバ
ンドギャップエネルギーの異なる２種類の層を積層して
形成する場合、一方の層は不純物をドープしない状態、
つまりアンドープとすることが好ましい。この場合、ｎ
型不純物はバンドギャップエネルギーが大きい方の層に
ドープするようにしても良いし、バンドギャップエネル
ギーが小さい方の層にドープするようにしてもよい。
ンドギャップエネルギーの異なる２種類の層を積層して
形成する場合、一方の層は不純物をドープしない状態、
つまりアンドープとすることが好ましい。この場合、ｎ
型不純物はバンドギャップエネルギーが大きい方の層に
ドープするようにしても良いし、バンドギャップエネル
ギーが小さい方の層にドープするようにしてもよい。
【００１０】さらに、本発明において、前記第２の窒化
物半導体層は、ｎ型不純物濃度が互いに異なる他は互い
に同一組成を有する２種類の窒化物半導体層を積層して
構成するようにしてもよい。この場合、前記２種類の窒
化物半導体層のうち一方は、ｎ型不純物がドープされて
いないアンドープ層とすることが好ましい。
物半導体層は、ｎ型不純物濃度が互いに異なる他は互い
に同一組成を有する２種類の窒化物半導体層を積層して
構成するようにしてもよい。この場合、前記２種類の窒
化物半導体層のうち一方は、ｎ型不純物がドープされて
いないアンドープ層とすることが好ましい。
【００１１】さらにまた、本発明の窒化物半導体素子で
は、第３の窒化物半導体層がアンドープであり、その膜
厚が０．１μｍ以下であることが好ましい。より好まし
くは、第３の窒化物半導体層の膜厚は５００オングスト
ローム以下とし、さらに好ましくは２００オングストロ
ーム以下に調整する。この第３の窒化物半導体層の膜厚
の下限は特に限定しないが１０オングストローム以上に
調整することが望ましい。第３の窒化物半導体層が超格
子構造でないアンドープ単層である場合、抵抗率が通常
１×１０-1Ω・ｃｍ以上と高いため、この層を０．１μ
ｍよりも厚い膜厚で成長させると、逆にＶｆが低下しに
くい傾向にある。また、この第３の窒化物半導体層をア
ンドープとすると窒化物半導体層の結晶性が良くなるた
めに、その上部に成長させる活性層の結晶性も良くな
り、出力が向上する。
は、第３の窒化物半導体層がアンドープであり、その膜
厚が０．１μｍ以下であることが好ましい。より好まし
くは、第３の窒化物半導体層の膜厚は５００オングスト
ローム以下とし、さらに好ましくは２００オングストロ
ーム以下に調整する。この第３の窒化物半導体層の膜厚
の下限は特に限定しないが１０オングストローム以上に
調整することが望ましい。第３の窒化物半導体層が超格
子構造でないアンドープ単層である場合、抵抗率が通常
１×１０-1Ω・ｃｍ以上と高いため、この層を０．１μ
ｍよりも厚い膜厚で成長させると、逆にＶｆが低下しに
くい傾向にある。また、この第３の窒化物半導体層をア
ンドープとすると窒化物半導体層の結晶性が良くなるた
めに、その上部に成長させる活性層の結晶性も良くな
り、出力が向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の発光素子では活性層と基
板との間に少なくとも３層構造を有する窒化物半導体層
を有している。まず第１の窒化物半導体層はｎ型不純物
を含む第２の窒化物半導体層を結晶性よく成長させるた
めにアンドープ、若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化
物半導体層より少なくしている。この第１の窒化物半導
体層はアンドープが最も好ましいが、第２の窒化物半導
体層が超格子構造であるために、ｎ型不純物を第２の窒
化物半導体層よりも少なくドープしても良い。ｎ型不純
物としては第４族元素が挙げられるが、好ましくはＳｉ
若しくはＧｅ、さらに好ましくはＳｉを用いる。
板との間に少なくとも３層構造を有する窒化物半導体層
を有している。まず第１の窒化物半導体層はｎ型不純物
を含む第２の窒化物半導体層を結晶性よく成長させるた
めにアンドープ、若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化
物半導体層より少なくしている。この第１の窒化物半導
体層はアンドープが最も好ましいが、第２の窒化物半導
体層が超格子構造であるために、ｎ型不純物を第２の窒
化物半導体層よりも少なくドープしても良い。ｎ型不純
物としては第４族元素が挙げられるが、好ましくはＳｉ
若しくはＧｅ、さらに好ましくはＳｉを用いる。
【００１３】次に第２の窒化物半導体層はｎ型不純物を
含む超格子構造のｎ型窒化物半導体としている。超格子
構造とすると、その超格子層を構成する窒化物半導体層
の各膜厚が弾性臨界膜厚以下となるために、結晶欠陥の
非常に少ない窒化物半導体が成長できる。さらに、この
超格子層で基板から第１の窒化物半導体層を通って発生
している結晶欠陥をある程度止めることができるため、
超格子層の上に成長させる第３の窒化物半導体層の結晶
性を良くすることができる。さらに特筆すべき作用とし
てはＨＥＭＴに類似した効果がある。
含む超格子構造のｎ型窒化物半導体としている。超格子
構造とすると、その超格子層を構成する窒化物半導体層
の各膜厚が弾性臨界膜厚以下となるために、結晶欠陥の
非常に少ない窒化物半導体が成長できる。さらに、この
超格子層で基板から第１の窒化物半導体層を通って発生
している結晶欠陥をある程度止めることができるため、
超格子層の上に成長させる第３の窒化物半導体層の結晶
性を良くすることができる。さらに特筆すべき作用とし
てはＨＥＭＴに類似した効果がある。
【００１４】更に第２の窒化物半導体層は、バンドギャ
ップエネルギーの大きな窒化物半導体層と、このバンド
ギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層よりもバン
ドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とが積層
されて、互いに不純物濃度が異なる超格子構造を有して
いることが好ましい。超格子層を構成するバンドギャッ
プエネルギーの大きな窒化物半導体層、バンドギャップ
エネルギーの小さな窒化物半導体層の膜厚は１００オン
グストローム以下、さらに好ましくは７０オングストロ
ーム以下、最も好ましくは１０〜４０オングストローム
の膜厚に調整する。１１００オングストロームよりも厚
いと、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体
層及びバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体
層が弾性歪み限界以上の膜厚となり、膜中に微少なクラ
ック、あるいは結晶欠陥が入りやすい傾向にある。バン
ドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層、バンド
ギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層の膜厚の下
限は特に限定せず、１原子層以上であればよいが、前記
のように１０オングストローム以上が最も好ましい。さ
らにバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層
は少なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌ
XＧａ1-XＮ（０＜Ｘ≦１）を成長させる方が望ましい。
一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体
はバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体より
もバンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体であ
ればどのようなものでも良いが、好ましくはＡｌYＧａ
1-YＮ（０≦Ｙ＜１、Ｘ＞Ｙ）、ＩｎZＧａ1-ZＮ（０≦
Ｚ＜１）のような２元混晶、３元混晶の窒化物半導体が
成長させやすく、また結晶性の良いものが得られやす
い。その中でも特に好ましくはバンドギャップエネルギ
ーの大きな窒化物半導体は実質的にＩｎ、Ｇａを含まな
いＡｌXＧａ1-XＮ（０＜Ｘ＜１）とし、バンドギャップ
エネルギーの小さな窒化物半導体は実質的にＡｌを含ま
ないＩｎZＧａ1-ZＮ（０≦Ｚ＜１）とし、中でも結晶性
に優れた超格子を得る目的で、Ａｌ混晶比（Ｙ値）０．
３以下のＡｌXＧａ1-XＮ（０＜Ｘ≦０．３）と、ＧａＮ
の組み合わせが最も好ましい。
ップエネルギーの大きな窒化物半導体層と、このバンド
ギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層よりもバン
ドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とが積層
されて、互いに不純物濃度が異なる超格子構造を有して
いることが好ましい。超格子層を構成するバンドギャッ
プエネルギーの大きな窒化物半導体層、バンドギャップ
エネルギーの小さな窒化物半導体層の膜厚は１００オン
グストローム以下、さらに好ましくは７０オングストロ
ーム以下、最も好ましくは１０〜４０オングストローム
の膜厚に調整する。１１００オングストロームよりも厚
いと、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体
層及びバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体
層が弾性歪み限界以上の膜厚となり、膜中に微少なクラ
ック、あるいは結晶欠陥が入りやすい傾向にある。バン
ドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層、バンド
ギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層の膜厚の下
限は特に限定せず、１原子層以上であればよいが、前記
のように１０オングストローム以上が最も好ましい。さ
らにバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層
は少なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌ
XＧａ1-XＮ（０＜Ｘ≦１）を成長させる方が望ましい。
一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体
はバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体より
もバンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体であ
ればどのようなものでも良いが、好ましくはＡｌYＧａ
1-YＮ（０≦Ｙ＜１、Ｘ＞Ｙ）、ＩｎZＧａ1-ZＮ（０≦
Ｚ＜１）のような２元混晶、３元混晶の窒化物半導体が
成長させやすく、また結晶性の良いものが得られやす
い。その中でも特に好ましくはバンドギャップエネルギ
ーの大きな窒化物半導体は実質的にＩｎ、Ｇａを含まな
いＡｌXＧａ1-XＮ（０＜Ｘ＜１）とし、バンドギャップ
エネルギーの小さな窒化物半導体は実質的にＡｌを含ま
ないＩｎZＧａ1-ZＮ（０≦Ｚ＜１）とし、中でも結晶性
に優れた超格子を得る目的で、Ａｌ混晶比（Ｙ値）０．
３以下のＡｌXＧａ1-XＮ（０＜Ｘ≦０．３）と、ＧａＮ
の組み合わせが最も好ましい。
【００１５】第２の窒化物半導体層が、光閉じ込め層、
及びキャリア閉じ込め層としてクラッド層を形成する場
合、活性層の井戸層よりもバンドギャップエネルギーの
大きい窒化物半導体を成長させる必要がある。バンドギ
ャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とは、即ちＡ
ｌ混晶比の高い窒化物半導体である。従来ではＡｌ混晶
比の高い窒化物半導体を厚膜で成長させると、クラック
が入りやすくなるため、結晶成長が非常に難しかった。
しかしながら本発明のように超格子層にすると、超格子
層を構成する単一層をＡｌ混晶比の多少高い層として
も、弾性臨界膜厚以下の膜厚で成長させているのでクラ
ックが入りにくい。そのため、Ａｌ混晶比の高い層を結
晶性良く成長できることにより、光閉じ込め、キャリア
閉じ込め効果が高くなり、レーザ素子では閾値電圧、Ｌ
ＥＤ素子ではＶｆ（順方向電圧）を低下させることがで
きる。
及びキャリア閉じ込め層としてクラッド層を形成する場
合、活性層の井戸層よりもバンドギャップエネルギーの
大きい窒化物半導体を成長させる必要がある。バンドギ
ャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とは、即ちＡ
ｌ混晶比の高い窒化物半導体である。従来ではＡｌ混晶
比の高い窒化物半導体を厚膜で成長させると、クラック
が入りやすくなるため、結晶成長が非常に難しかった。
しかしながら本発明のように超格子層にすると、超格子
層を構成する単一層をＡｌ混晶比の多少高い層として
も、弾性臨界膜厚以下の膜厚で成長させているのでクラ
ックが入りにくい。そのため、Ａｌ混晶比の高い層を結
晶性良く成長できることにより、光閉じ込め、キャリア
閉じ込め効果が高くなり、レーザ素子では閾値電圧、Ｌ
ＥＤ素子ではＶｆ（順方向電圧）を低下させることがで
きる。
【００１６】さらに、この第２の窒化物半導体層のバン
ドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とバンド
ギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とのｎ型不
純物濃度が異なることが好ましい。これはいわゆる変調
ドープと呼ばれるもので、一方の層のｎ型不純物濃度を
小さく、好ましくは不純物をドープしない状態（アンド
ープ）として、もう一方を高濃度にドープすると、閾値
電圧、Ｖｆ等を低下させることができる。これは不純物
濃度の低い層を超格子層中に存在させることにより、そ
の層の移動度が大きくなり、また不純物濃度が高濃度の
層も同時に存在することにより、キャリア濃度が高いま
まで超格子層が形成できることによる。つまり、不純物
濃度が低い移動度の高い層と、不純物濃度が高いキャリ
ア濃度が大きい層とが同時に存在することにより、キャ
リア濃度が大きく、移動度も大きい層がクラッド層とな
るために、閾値電圧、Ｖｆが低下すると推察される。
ドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とバンド
ギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とのｎ型不
純物濃度が異なることが好ましい。これはいわゆる変調
ドープと呼ばれるもので、一方の層のｎ型不純物濃度を
小さく、好ましくは不純物をドープしない状態（アンド
ープ）として、もう一方を高濃度にドープすると、閾値
電圧、Ｖｆ等を低下させることができる。これは不純物
濃度の低い層を超格子層中に存在させることにより、そ
の層の移動度が大きくなり、また不純物濃度が高濃度の
層も同時に存在することにより、キャリア濃度が高いま
まで超格子層が形成できることによる。つまり、不純物
濃度が低い移動度の高い層と、不純物濃度が高いキャリ
ア濃度が大きい層とが同時に存在することにより、キャ
リア濃度が大きく、移動度も大きい層がクラッド層とな
るために、閾値電圧、Ｖｆが低下すると推察される。
【００１７】バンドギャップエネルギーの大きな窒化物
半導体層に高濃度に不純物をドープした場合、この変調
ドープにより高不純物濃度層と、低不純物濃度層との間
に２次元電子ガスができ、この２次元電子ガスの影響に
より抵抗率が低下すると推察される。例えば、ｎ型不純
物がドープされたバンドギャップの大きい窒化物半導体
層と、バンドギャップが小さいアンドープの窒化物半導
体層とを積層した超格子層では、ｎ型不純物を添加した
層と、アンドープの層とのへテロ接合界面で、障壁層側
が空乏化し、バンドギャップの小さい層側の厚さ前後の
界面に電子（２次元電子ガス）が蓄積する。この２次元
電子ガスがバンドギャップの小さい側にできるので、電
子が走行するときに不純物による散乱を受けないため、
超格子の電子の移動度が高くなり、抵抗率が低下する。
なおｐ側の変調ドープも同様に２次元正孔ガスの影響に
よると推察される。またｐ層の場合、ＡｌＧａＮはＧａ
Ｎに比較して抵抗率が高い。そこでＡｌＧａＮの方にｐ
型不純物を多くドープすることにより抵抗率が低下する
ために、超格子層の実質的な抵抗率が低下するので素子
を作製した場合に、閾値が低下する傾向にあると推察さ
れる。
半導体層に高濃度に不純物をドープした場合、この変調
ドープにより高不純物濃度層と、低不純物濃度層との間
に２次元電子ガスができ、この２次元電子ガスの影響に
より抵抗率が低下すると推察される。例えば、ｎ型不純
物がドープされたバンドギャップの大きい窒化物半導体
層と、バンドギャップが小さいアンドープの窒化物半導
体層とを積層した超格子層では、ｎ型不純物を添加した
層と、アンドープの層とのへテロ接合界面で、障壁層側
が空乏化し、バンドギャップの小さい層側の厚さ前後の
界面に電子（２次元電子ガス）が蓄積する。この２次元
電子ガスがバンドギャップの小さい側にできるので、電
子が走行するときに不純物による散乱を受けないため、
超格子の電子の移動度が高くなり、抵抗率が低下する。
なおｐ側の変調ドープも同様に２次元正孔ガスの影響に
よると推察される。またｐ層の場合、ＡｌＧａＮはＧａ
Ｎに比較して抵抗率が高い。そこでＡｌＧａＮの方にｐ
型不純物を多くドープすることにより抵抗率が低下する
ために、超格子層の実質的な抵抗率が低下するので素子
を作製した場合に、閾値が低下する傾向にあると推察さ
れる。
【００１８】一方、バンドギャップエネルギーの小さな
窒化物半導体層に高濃度に不純物をドープした場合、以
下のような作用があると推察される。例えばＡｌＧａＮ
層とＧａＮ層にＭｇを同量でドープした場合、ＡｌＧａ
Ｎ層ではＭｇのアクセプタ準位の深さが大きく、活性化
率が小さい。一方、ＧａＮ層のアクセプタ準位の深さは
ＡｌＧａＮ層に比べて浅く、Ｍｇの活性化率は高い。例
えばＭｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしてもＧａＮでは
１×１０18／ｃｍ3程度のキャリア濃度であるのに対
し、ＡｌＧａＮでは１×１０17／ｃｍ3程度のキャリア
濃度しか得られない。そこで、本発明ではＡｌＧａＮ／
ＧａＮとで超格子とし、高キャリア濃度が得られるＧａ
Ｎ層の方に多く不純物をドープすることにより、高キャ
リア濃度の超格子が得られるものである。しかも超格子
としているため、トンネル効果でキャリアは不純物濃度
の少ないＡｌＧａＮ層を移動するため、実質的にキャリ
アはＡｌＧａＮ層の作用は受けず、ＡｌＧａＮ層はバン
ドギャップエネルギーの高いクラッド層として作用す
る。従って、バンドギャップエネルギーの小さな方の窒
化物半導体層に不純物を多くドープしても、レーザ素
子、ＬＥＤ素子の閾値を低下させる上で非常に効果的で
ある。なおこの説明はｐ型層側に超格子を形成する例に
ついて説明したが、ｎ層側に超格子を形成する場合にお
いても、同様の効果がある。
窒化物半導体層に高濃度に不純物をドープした場合、以
下のような作用があると推察される。例えばＡｌＧａＮ
層とＧａＮ層にＭｇを同量でドープした場合、ＡｌＧａ
Ｎ層ではＭｇのアクセプタ準位の深さが大きく、活性化
率が小さい。一方、ＧａＮ層のアクセプタ準位の深さは
ＡｌＧａＮ層に比べて浅く、Ｍｇの活性化率は高い。例
えばＭｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしてもＧａＮでは
１×１０18／ｃｍ3程度のキャリア濃度であるのに対
し、ＡｌＧａＮでは１×１０17／ｃｍ3程度のキャリア
濃度しか得られない。そこで、本発明ではＡｌＧａＮ／
ＧａＮとで超格子とし、高キャリア濃度が得られるＧａ
Ｎ層の方に多く不純物をドープすることにより、高キャ
リア濃度の超格子が得られるものである。しかも超格子
としているため、トンネル効果でキャリアは不純物濃度
の少ないＡｌＧａＮ層を移動するため、実質的にキャリ
アはＡｌＧａＮ層の作用は受けず、ＡｌＧａＮ層はバン
ドギャップエネルギーの高いクラッド層として作用す
る。従って、バンドギャップエネルギーの小さな方の窒
化物半導体層に不純物を多くドープしても、レーザ素
子、ＬＥＤ素子の閾値を低下させる上で非常に効果的で
ある。なおこの説明はｐ型層側に超格子を形成する例に
ついて説明したが、ｎ層側に超格子を形成する場合にお
いても、同様の効果がある。
【００１９】バンドギャップエネルギーが大きい窒化物
半導体層にｎ型不純物を多くドープする場合、バンドギ
ャップエネルギーの大きな窒化物半導体層への好ましい
ドープ量としては、１×１０17／ｃｍ3〜１×１０20／
ｃｍ3、さらに好ましくは１×１０18／ｃｍ3〜５×１０
19／ｃｍ3の範囲に調整する。１×１０17／ｃｍ3よりも
少ないと、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半
導体層との差が少なくなって、キャリア濃度の大きい層
が得られにくい傾向にあり、また１×１０20／ｃｍ3よ
りも多いと、素子自体のリーク電流が多くなりやすい傾
向にある。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒
化物半導体層のｎ型不純物濃度はバンドギャップエネル
ギーの大きな窒化物半導体層よりも少なければ良く、好
ましくは１／１０以上少ない方が望ましい。最も好まし
くはアンドープとすると最も移動度の高い層が得られる
が、膜厚が薄いため、バンドギャップエネルギーの大き
な窒化物半導体側から拡散してくるｎ型不純物があり、
その量は１×１０19／ｃｍ3以下が望ましい。ｎ型不純
物としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏ等の周期律表第IV
Ｂ族、VIＢ族元素を選択し、好ましくはＳｉ、Ｇｅ、Ｓ
をｎ型不純物とする。この作用は、バンドギャップエネ
ルギーが大きい窒化物半導体層にｎ型不純物を少なくド
ープして、バンドギャップエネルギーが小さい窒化物半
導体層にｎ型不純物を多くドープする場合も同様であ
る。以上、超格子層に不純物を好ましく変調ドープする
場合について述べたが、バンドギャップエネルギーが大
きい窒化物半導体層とバンドギャップエネルギーが小さ
い窒化物半導体層との不純物濃度を等しくすることもで
きる。
半導体層にｎ型不純物を多くドープする場合、バンドギ
ャップエネルギーの大きな窒化物半導体層への好ましい
ドープ量としては、１×１０17／ｃｍ3〜１×１０20／
ｃｍ3、さらに好ましくは１×１０18／ｃｍ3〜５×１０
19／ｃｍ3の範囲に調整する。１×１０17／ｃｍ3よりも
少ないと、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半
導体層との差が少なくなって、キャリア濃度の大きい層
が得られにくい傾向にあり、また１×１０20／ｃｍ3よ
りも多いと、素子自体のリーク電流が多くなりやすい傾
向にある。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒
化物半導体層のｎ型不純物濃度はバンドギャップエネル
ギーの大きな窒化物半導体層よりも少なければ良く、好
ましくは１／１０以上少ない方が望ましい。最も好まし
くはアンドープとすると最も移動度の高い層が得られる
が、膜厚が薄いため、バンドギャップエネルギーの大き
な窒化物半導体側から拡散してくるｎ型不純物があり、
その量は１×１０19／ｃｍ3以下が望ましい。ｎ型不純
物としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏ等の周期律表第IV
Ｂ族、VIＢ族元素を選択し、好ましくはＳｉ、Ｇｅ、Ｓ
をｎ型不純物とする。この作用は、バンドギャップエネ
ルギーが大きい窒化物半導体層にｎ型不純物を少なくド
ープして、バンドギャップエネルギーが小さい窒化物半
導体層にｎ型不純物を多くドープする場合も同様であ
る。以上、超格子層に不純物を好ましく変調ドープする
場合について述べたが、バンドギャップエネルギーが大
きい窒化物半導体層とバンドギャップエネルギーが小さ
い窒化物半導体層との不純物濃度を等しくすることもで
きる。
【００２０】さらにまた超格子を構成する窒化物半導体
層において、不純物が高濃度にドープされる層は、厚さ
方向に対し、半導体層中心部近傍の不純物濃度が大き
く、両端部近傍の不純物濃度が小さい（好ましくはアン
ドープ）とすることが望ましい。具体的に説明すると、
例えばｎ型不純物としてＳｉをドープしたＡｌＧａＮ
と、アンドープのＧａＮ層とで超格子層を形成した場
合、ＡｌＧａＮはＳｉをドープしているのでドナーとし
て電子を伝導帯に出すが、電子はポテンシャルの低いＧ
ａＮの伝導帯に落ちる。ＧａＮ結晶中にはドナー不純物
をドープしていないので、不純物によるキャリアの散乱
を受けない。そのため電子は容易にＧａＮ結晶中を動く
ことができ、実質的な電子の移動度が高くなる。これは
前述した２次元電子ガスの効果と類似しており、電子横
方向の実質的な移動度が高くなり、抵抗率が小さくな
る。さらに、バンドギャップエネルギーの大きいＡｌＧ
ａＮの中心領域にｎ型不純物を高濃度にドープすると効
果はさらに大きくなる。即ちＧａＮ中を移動する電子に
よっては、ＡｌＧａＮ中に含まれるｎ型不純物イオン
（この場合Ｓｉ）の散乱を多少とも受ける。しかしＡｌ
ＧａＮ層の厚さ方向に対して両端部をアンドープとする
とＳｉの散乱を受けにくくなるので、さらにアンドープ
ＧａＮ層の移動度が向上するのである。また、作用は若
干異なるが、ｐ層側に超格子を構成した場合も類似した
効果があり、バンドギャップエネルギーの大きい窒化物
半導体層の中心領域に、ｐ型不純物を多くドープし、両
端部を少なくするか、あるいはアンドープとすることが
望ましい。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒
化物半導体層にｎ型不純物を多くドープした層を、前記
不純物濃度の構成とすることもできるが、バンドギャッ
プエネルギーの小さな方に不純物を多くドープした超格
子では、その効果は少ない傾向にある。
層において、不純物が高濃度にドープされる層は、厚さ
方向に対し、半導体層中心部近傍の不純物濃度が大き
く、両端部近傍の不純物濃度が小さい（好ましくはアン
ドープ）とすることが望ましい。具体的に説明すると、
例えばｎ型不純物としてＳｉをドープしたＡｌＧａＮ
と、アンドープのＧａＮ層とで超格子層を形成した場
合、ＡｌＧａＮはＳｉをドープしているのでドナーとし
て電子を伝導帯に出すが、電子はポテンシャルの低いＧ
ａＮの伝導帯に落ちる。ＧａＮ結晶中にはドナー不純物
をドープしていないので、不純物によるキャリアの散乱
を受けない。そのため電子は容易にＧａＮ結晶中を動く
ことができ、実質的な電子の移動度が高くなる。これは
前述した２次元電子ガスの効果と類似しており、電子横
方向の実質的な移動度が高くなり、抵抗率が小さくな
る。さらに、バンドギャップエネルギーの大きいＡｌＧ
ａＮの中心領域にｎ型不純物を高濃度にドープすると効
果はさらに大きくなる。即ちＧａＮ中を移動する電子に
よっては、ＡｌＧａＮ中に含まれるｎ型不純物イオン
（この場合Ｓｉ）の散乱を多少とも受ける。しかしＡｌ
ＧａＮ層の厚さ方向に対して両端部をアンドープとする
とＳｉの散乱を受けにくくなるので、さらにアンドープ
ＧａＮ層の移動度が向上するのである。また、作用は若
干異なるが、ｐ層側に超格子を構成した場合も類似した
効果があり、バンドギャップエネルギーの大きい窒化物
半導体層の中心領域に、ｐ型不純物を多くドープし、両
端部を少なくするか、あるいはアンドープとすることが
望ましい。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒
化物半導体層にｎ型不純物を多くドープした層を、前記
不純物濃度の構成とすることもできるが、バンドギャッ
プエネルギーの小さな方に不純物を多くドープした超格
子では、その効果は少ない傾向にある。
【００２１】また本発明の素子では第３の窒化物半導体
層もアンドープ、若しくはｎ型不純濃度が第２の窒化物
半導体層よりも少ない層とする。この層のｎ型不純物濃
度を少なくするのは、超格子層の最上層の上に直接不純
物を多く含む第３の窒化物半導体層を成長させると、そ
の層の結晶性が悪くなる傾向があるので、第３の窒化物
半導体層を結晶性良く成長させるためにｎ型不純物濃度
を少なくし、最も好ましくはアンドープとする。第３の
窒化物半導体層の組成は特に問うものではないが、Ｉｎ
XＧａ1-XＮ（０≦Ｘ≦１）、好ましくは、ＩｎXＧａ1-X
Ｎ（０＜Ｘ≦０．５）を成長させることにより、第３の
窒化物半導体の上に成長させる層のバッファ層として作
用して、第３の窒化物半導体層から上の層を成長させや
すくする。さらにアンドープ単層のような抵抗率の比較
的高い層を活性層と第２の窒化物半導体層との間に介在
させることにより、素子のリーク電流を防止し、逆方向
の耐圧を高くすることができる。
層もアンドープ、若しくはｎ型不純濃度が第２の窒化物
半導体層よりも少ない層とする。この層のｎ型不純物濃
度を少なくするのは、超格子層の最上層の上に直接不純
物を多く含む第３の窒化物半導体層を成長させると、そ
の層の結晶性が悪くなる傾向があるので、第３の窒化物
半導体層を結晶性良く成長させるためにｎ型不純物濃度
を少なくし、最も好ましくはアンドープとする。第３の
窒化物半導体層の組成は特に問うものではないが、Ｉｎ
XＧａ1-XＮ（０≦Ｘ≦１）、好ましくは、ＩｎXＧａ1-X
Ｎ（０＜Ｘ≦０．５）を成長させることにより、第３の
窒化物半導体の上に成長させる層のバッファ層として作
用して、第３の窒化物半導体層から上の層を成長させや
すくする。さらにアンドープ単層のような抵抗率の比較
的高い層を活性層と第２の窒化物半導体層との間に介在
させることにより、素子のリーク電流を防止し、逆方向
の耐圧を高くすることができる。
【００２２】
【実施例】［実施例１］図１は本発明の一実施例に係る
ＬＥＤ素子の構造を示す模式的な断面図であり、以下こ
の図を元に、本発明の素子の製造方法について述べる。
ＬＥＤ素子の構造を示す模式的な断面図であり、以下こ
の図を元に、本発明の素子の製造方法について述べる。
【００２３】サファイア（Ｃ面）よりなる基板１を反応
容器内にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水
素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇さ
せ、基板のクリーニングを行う。基板１にはサファイア
Ｃ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その
他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性の基板の
他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、Ｚｎ
Ｏ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることがで
きる。
容器内にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水
素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇さ
せ、基板のクリーニングを行う。基板１にはサファイア
Ｃ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その
他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性の基板の
他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、Ｚｎ
Ｏ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることがで
きる。
【００２４】（バッファ層２）続いて、温度を５１０℃
まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア
とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上に
ＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロー
ムの膜厚で成長させる。
まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア
とＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上に
ＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロー
ムの膜厚で成長させる。
【００２５】（第１の窒化物半導体層３）バッファ層２
成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇
させる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭ
Ｇ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮよりなる
第１の窒化物半導体層３を５μｍの膜厚で成長させる。
第１の窒化物半導体層はバッファ層よりも高温、例えば
９００℃〜１１００℃で成長させ、ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、
その組成は特に問うものではないが、好ましくはＧａ
Ｎ、Ｘ値が０．２以下のＡｌXＧａ1-XＮとすると結晶欠
陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。また膜厚は
特に問うものではなく、バッファ層よりも厚膜で成長さ
せ、通常０．１μｍ以上の膜厚で成長させる。この層は
アンドープ層としたため真性半導体に近く、抵抗率は
０．２Ω・ｃｍよりも大きいが、Ｓｉ、Ｇｅ等のｎ型不
純物を第２の窒化物半導体層よりも少なくドープして抵
抗率を低下させた層としても良い。
成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇
させる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭ
Ｇ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮよりなる
第１の窒化物半導体層３を５μｍの膜厚で成長させる。
第１の窒化物半導体層はバッファ層よりも高温、例えば
９００℃〜１１００℃で成長させ、ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、
その組成は特に問うものではないが、好ましくはＧａ
Ｎ、Ｘ値が０．２以下のＡｌXＧａ1-XＮとすると結晶欠
陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。また膜厚は
特に問うものではなく、バッファ層よりも厚膜で成長さ
せ、通常０．１μｍ以上の膜厚で成長させる。この層は
アンドープ層としたため真性半導体に近く、抵抗率は
０．２Ω・ｃｍよりも大きいが、Ｓｉ、Ｇｅ等のｎ型不
純物を第２の窒化物半導体層よりも少なくドープして抵
抗率を低下させた層としても良い。
【００２６】（第２の窒化物半導体層４）続いて１０５
０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧ
ａＮ層を２０オングストロームの膜厚で成長させ、続い
て同温度にて、ＴＭＡを追加しアンドープＡｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎ層を５オングストローム成長させ、続いてシラン
ガスを追加しＳｉを１×１０19／ｃｍ3ドープしたＡｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ層を１０オングストロームの膜厚で成長さ
せ、そしてＳｉを止めてアンドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
を５オングストロームの膜厚で成長させる。このように
して、２０オングストロームのアンドープＧａＮ層から
なるＡ層と、両端にアンドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を５
オングストロームずつ有し、中央部にＳｉドープＡｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ層を有する２０オングストロームのＢ層と
からなるペアを成長させる。そしてペアを２５０層積層
して１μｍ厚として、超格子構造よりなる第２の窒化物
半導体層４を成長させる。
０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧ
ａＮ層を２０オングストロームの膜厚で成長させ、続い
て同温度にて、ＴＭＡを追加しアンドープＡｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎ層を５オングストローム成長させ、続いてシラン
ガスを追加しＳｉを１×１０19／ｃｍ3ドープしたＡｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ層を１０オングストロームの膜厚で成長さ
せ、そしてＳｉを止めてアンドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
を５オングストロームの膜厚で成長させる。このように
して、２０オングストロームのアンドープＧａＮ層から
なるＡ層と、両端にアンドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を５
オングストロームずつ有し、中央部にＳｉドープＡｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ層を有する２０オングストロームのＢ層と
からなるペアを成長させる。そしてペアを２５０層積層
して１μｍ厚として、超格子構造よりなる第２の窒化物
半導体層４を成長させる。
【００２７】（第３の窒化物半導体層５）次にシランガ
スのみを止め、１０５０℃で同様にしてアンドープＧａ
Ｎよりなる第３の窒化物半導体層５を１００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。この第３の窒化物半導体層
５もＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ
≦１）で構成でき、その組成は特に問うものではない
が、好ましくはＧａＮ、Ｘ値が０．２以下のＡｌXＧａ
1-XＮ、またはＹ値が０．１以下のＩｎYＧａ1-YＮとす
ると結晶欠陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。
ＩｎＧａＮを成長させると、その上にＡｌを含む窒化物
半導体を成長させる場合に、Ａｌを含む窒化物半導体層
にクラックが入るのを防止することができる。
スのみを止め、１０５０℃で同様にしてアンドープＧａ
Ｎよりなる第３の窒化物半導体層５を１００オングスト
ロームの膜厚で成長させる。この第３の窒化物半導体層
５もＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ
≦１）で構成でき、その組成は特に問うものではない
が、好ましくはＧａＮ、Ｘ値が０．２以下のＡｌXＧａ
1-XＮ、またはＹ値が０．１以下のＩｎYＧａ1-YＮとす
ると結晶欠陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。
ＩｎＧａＮを成長させると、その上にＡｌを含む窒化物
半導体を成長させる場合に、Ａｌを含む窒化物半導体層
にクラックが入るのを防止することができる。
【００２８】（活性層６）次に、温度を８００℃にし
て、キャリアガスを窒素に切り替え、ＴＭＧ、ＴＭＩ
（トリメチルインジウム）、アンモニアを用いアンドー
プＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ層を３０オングストロームの膜厚で
成長させて単一量子井戸構造を有する活性層６を成長さ
せる。なおこの層はＩｎＧａＮよりなる井戸層を有する
多重量子井戸構造としても良い。
て、キャリアガスを窒素に切り替え、ＴＭＧ、ＴＭＩ
（トリメチルインジウム）、アンモニアを用いアンドー
プＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎ層を３０オングストロームの膜厚で
成長させて単一量子井戸構造を有する活性層６を成長さ
せる。なおこの層はＩｎＧａＮよりなる井戸層を有する
多重量子井戸構造としても良い。
【００２９】（ｐ側クラッド層７）次に、温度を１０５
０℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ
（シクロベンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを
１×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよ
りなるｐ側クラッド層７を０．１μｍの膜厚で成長させ
る。この層はキャリア閉じ込め層として作用し、Ａｌを
含む窒化物半導体、好ましくはＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Ｙ
＜１）を成長させることが望ましく、結晶性の良い層を
成長させるためにはＹ値が０．３以下のＡｌYＧａ1-YＮ
層を０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが望まし
い。また、ｐ側クラッド層７が超格子層であってもよ
く、ｐ側層に超格子層があるとより閾値が低下し好まし
い。ｐ側層において超格子層となりうる層は特に限定さ
れない。
０℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ
（シクロベンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを
１×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよ
りなるｐ側クラッド層７を０．１μｍの膜厚で成長させ
る。この層はキャリア閉じ込め層として作用し、Ａｌを
含む窒化物半導体、好ましくはＡｌYＧａ1-YＮ（０＜Ｙ
＜１）を成長させることが望ましく、結晶性の良い層を
成長させるためにはＹ値が０．３以下のＡｌYＧａ1-YＮ
層を０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが望まし
い。また、ｐ側クラッド層７が超格子層であってもよ
く、ｐ側層に超格子層があるとより閾値が低下し好まし
い。ｐ側層において超格子層となりうる層は特に限定さ
れない。
【００３０】（ｐ側コンタクト層８）続いて１０５０℃
で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇを用い、Ｍｇを１
×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コ
ンタクト層８を０．１μｍの膜厚で成長させる。ｐ側コ
ンタクト層８もＩｎXＡｌYＧａl-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦
Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、その組成は特に問うもの
ではないが、好ましくはＧａＮとすると結晶欠陥の少な
い窒化物半導体層が得られやすく、またｐ電極材料と好
ましいオーミック接触が得られやすい。
で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇを用い、Ｍｇを１
×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コ
ンタクト層８を０．１μｍの膜厚で成長させる。ｐ側コ
ンタクト層８もＩｎXＡｌYＧａl-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦
Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、その組成は特に問うもの
ではないが、好ましくはＧａＮとすると結晶欠陥の少な
い窒化物半導体層が得られやすく、またｐ電極材料と好
ましいオーミック接触が得られやすい。
【００３１】反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。
【００３２】アニーリング後、ウェーハを反応容器から
取り出し、最上層のｐ側コンタクト層８の表面に所定の
形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）装置でｐ側コンタクト層側からエッチングを行い、
図１に示すように第２の窒化物半導体層４の表面を露出
させる。
取り出し、最上層のｐ側コンタクト層８の表面に所定の
形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）装置でｐ側コンタクト層側からエッチングを行い、
図１に示すように第２の窒化物半導体層４の表面を露出
させる。
【００３３】エッチング後、最上層にあるｐ側コンタク
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉと
Ａｕを含む透光性のｐ電極９と、そのｐ電極９の上にボ
ンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１０を０．５
μｍの膜厚で形成する。一方エッチングにより露出させ
た第２の窒化物半導体層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ
電極１１を形成する。最後にｐ電極９の表面を保護する
ためにＳｉＯ２よりなる絶縁膜１２を図１に示すように
形成した後、ウェーハをスクライブにより分離して３５
０μｍ角のＬＥＤ素子とする。
ト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉと
Ａｕを含む透光性のｐ電極９と、そのｐ電極９の上にボ
ンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１０を０．５
μｍの膜厚で形成する。一方エッチングにより露出させ
た第２の窒化物半導体層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ
電極１１を形成する。最後にｐ電極９の表面を保護する
ためにＳｉＯ２よりなる絶縁膜１２を図１に示すように
形成した後、ウェーハをスクライブにより分離して３５
０μｍ角のＬＥＤ素子とする。
【００３４】このＬＥＤ素子は順方向電圧２０ｍＡにお
いて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し、サファイア基板
上にＧａＮよりなるバッファ層と、ＳｉドープＧａＮよ
りなるｎ側コンタクト層と、単一量子井戸構造のＩｎＧ
ａＮよりなる活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮよりなる
ｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ側コン
タクト層とが順に積層された従来の緑色発光ＬＥＤに比
較して、２０ｍＡにおけるＶｆを０．２〜０．４Ｖ低下
させ、出力を４０％〜５０％向上させることができた。
また、静電耐圧も従来のＬＥＤ素子に比較して５倍以上
であった。
いて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し、サファイア基板
上にＧａＮよりなるバッファ層と、ＳｉドープＧａＮよ
りなるｎ側コンタクト層と、単一量子井戸構造のＩｎＧ
ａＮよりなる活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮよりなる
ｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ側コン
タクト層とが順に積層された従来の緑色発光ＬＥＤに比
較して、２０ｍＡにおけるＶｆを０．２〜０．４Ｖ低下
させ、出力を４０％〜５０％向上させることができた。
また、静電耐圧も従来のＬＥＤ素子に比較して５倍以上
であった。
【００３５】［実施例２］実施例１において第１の窒化
物半導体層３を成長させる際に、Ｓｉを１×１０ 17／ｃ
ｍ3ドープしたＧａＮを３μｍの膜厚で成長させ、さら
に第３の窒化物半導体層５を成長させる際にＳｉを１×
１０17／ｃｍ3ドープしたＧａＮとする他は実施例１と
同様にしてＬＥＤ素子を作製したところ、実施例１のも
のに比較して出力でおよそ１０％程低下したが、Ｖｆ、
静電耐圧はほぼ同一の特性を有するＬＥＤが得られた。
物半導体層３を成長させる際に、Ｓｉを１×１０ 17／ｃ
ｍ3ドープしたＧａＮを３μｍの膜厚で成長させ、さら
に第３の窒化物半導体層５を成長させる際にＳｉを１×
１０17／ｃｍ3ドープしたＧａＮとする他は実施例１と
同様にしてＬＥＤ素子を作製したところ、実施例１のも
のに比較して出力でおよそ１０％程低下したが、Ｖｆ、
静電耐圧はほぼ同一の特性を有するＬＥＤが得られた。
【００３６】［実施例３］実施例１において第２の窒化
物半導体層４を成長させる際に、アンドープＧａＮ層よ
りなるＡ層を４０オングストロームと、Ｓｉを１×１０
18／ｃｍ3均一にドープしたＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層Ｂ層を
６０オングストロームとを３００層ずつ交互に積層し
て、総膜厚３μｍの超格子構造とする他は同様にしてＬ
ＥＤ素子を得たところ、実施例２とほぼ同等の特性を有
するＬＥＤ素子が得られた。
物半導体層４を成長させる際に、アンドープＧａＮ層よ
りなるＡ層を４０オングストロームと、Ｓｉを１×１０
18／ｃｍ3均一にドープしたＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層Ｂ層を
６０オングストロームとを３００層ずつ交互に積層し
て、総膜厚３μｍの超格子構造とする他は同様にしてＬ
ＥＤ素子を得たところ、実施例２とほぼ同等の特性を有
するＬＥＤ素子が得られた。
【００３７】［実施例４］図２は本発明の他の実施例に
係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、レ
ーザの共振面に平行な方向で素子を切断した際の図を示
している。以下、この図を元に実施例４について説明す
る。
係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、レ
ーザの共振面に平行な方向で素子を切断した際の図を示
している。以下、この図を元に実施例４について説明す
る。
【００３８】実施例１と同様にして、サファイア（Ｃ
面）よりなる基板２０の上に、２００オングストローム
のＧａＮよりなるバッファ層２１、５μｍのアンドープ
ＧａＮよりなる第１の窒化物半導体層２２、２０オング
ストロームのアンドープＧａＮ層Ａ層と、両端部近傍
（５オングストローム）がアンドープ、中央部（１０オ
ングストローム）がＳｉドープのＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎより
なるＢ層とが積層されて総膜厚３μｍの超格子構造より
なる第２の窒化物半導体層２３（第２の窒化物半導体層
４の構成は実施例１と同一である。）を成長させる。
面）よりなる基板２０の上に、２００オングストローム
のＧａＮよりなるバッファ層２１、５μｍのアンドープ
ＧａＮよりなる第１の窒化物半導体層２２、２０オング
ストロームのアンドープＧａＮ層Ａ層と、両端部近傍
（５オングストローム）がアンドープ、中央部（１０オ
ングストローム）がＳｉドープのＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎより
なるＢ層とが積層されて総膜厚３μｍの超格子構造より
なる第２の窒化物半導体層２３（第２の窒化物半導体層
４の構成は実施例１と同一である。）を成長させる。
【００３９】なお、サファイア基板の他、基板にはサフ
ァイアのような窒化物半導体と異なる材料よりなる基板
の上に第１のＧａＮ層を成長させ、その第１のＧａＮ層
の上に、ＳｉＯ2等、窒化物半導体が表面に成長しにく
い保護膜を部分的に形成し、さらにその保護膜を介し
て、前記第１のＧａＮ層の上に第２のＧａＮを成長さ
せ、ＳｉＯ2の上に第２のＧａＮ層を横方向に成長させ
て、横方向で第２のＧａＮ層が繋がって第２のＧａＮ層
を基板とした窒化物半導体基板を用いることが窒化物半
導体の結晶性を良くする上で非常に好ましい。この窒化
物半導体基板を基板とする場合にはバッファ層を特に成
長させる必要はない。
ァイアのような窒化物半導体と異なる材料よりなる基板
の上に第１のＧａＮ層を成長させ、その第１のＧａＮ層
の上に、ＳｉＯ2等、窒化物半導体が表面に成長しにく
い保護膜を部分的に形成し、さらにその保護膜を介し
て、前記第１のＧａＮ層の上に第２のＧａＮを成長さ
せ、ＳｉＯ2の上に第２のＧａＮ層を横方向に成長させ
て、横方向で第２のＧａＮ層が繋がって第２のＧａＮ層
を基板とした窒化物半導体基板を用いることが窒化物半
導体の結晶性を良くする上で非常に好ましい。この窒化
物半導体基板を基板とする場合にはバッファ層を特に成
長させる必要はない。
【００４０】（第３の窒化物半導体層２４）次に温度を
８００℃にしてＴＭＩ、ＴＭＧ、アンモニアを用いアン
ドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなる第３の窒化物半導体
層を５００オングストロームの膜厚で成長させる。
８００℃にしてＴＭＩ、ＴＭＧ、アンモニアを用いアン
ドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなる第３の窒化物半導体
層を５００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４１】（ｎ側クラッド層２５）次に、１０５０℃
にして、Ｓｉを１×１０l9／ｃｍ3ドープしたｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ層、２０オングストロームと、アンドープ
（ｕｎｄｏｐｅ）ＧａＮ層、２０オングストロームとを
交互に２００層積層してなる総膜厚０．８μｍの超格子
構造とする。ｎ側クラッド層２５４はキャリア閉じ込め
層、及び光閉じ込め層として作用し、Ａｌを含む窒化物
半導体、好ましくはＡｌＧａＮを含む超格子層とするこ
とが望ましく、超格子層全体の膜厚を１００オングスト
ローム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５００オン
グストローム以上、２μｍ以下で成長させることが望ま
しい。さらにまた、このｎ側クラッド層の中央部の不純
物濃度を大きくして、両端部の不純物濃度を小さくする
こともできる。
にして、Ｓｉを１×１０l9／ｃｍ3ドープしたｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ層、２０オングストロームと、アンドープ
（ｕｎｄｏｐｅ）ＧａＮ層、２０オングストロームとを
交互に２００層積層してなる総膜厚０．８μｍの超格子
構造とする。ｎ側クラッド層２５４はキャリア閉じ込め
層、及び光閉じ込め層として作用し、Ａｌを含む窒化物
半導体、好ましくはＡｌＧａＮを含む超格子層とするこ
とが望ましく、超格子層全体の膜厚を１００オングスト
ローム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５００オン
グストローム以上、２μｍ以下で成長させることが望ま
しい。さらにまた、このｎ側クラッド層の中央部の不純
物濃度を大きくして、両端部の不純物濃度を小さくする
こともできる。
【００４２】（ｎ側光ガイド層２６）続いて、Ｓｉを５
×１０17／ｃｍ3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ側光
ガイド層２６を０．１μｍの膜厚で成長させる。このｎ
側光ガイド層２６は、活性層の光ガイド層として作用
し、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを成長させることが望ましく、
通常１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましく
は２００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させる
ことが望ましい。このｎ側光ガイド層５は通常はＳｉ、
Ｇｅ等のｎ型不純物をドープしてｎ型の導電型とする
が、特にアンドープにすることもできる。
×１０17／ｃｍ3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ側光
ガイド層２６を０．１μｍの膜厚で成長させる。このｎ
側光ガイド層２６は、活性層の光ガイド層として作用
し、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを成長させることが望ましく、
通常１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましく
は２００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させる
ことが望ましい。このｎ側光ガイド層５は通常はＳｉ、
Ｇｅ等のｎ型不純物をドープしてｎ型の導電型とする
が、特にアンドープにすることもできる。
【００４３】（活性層２７）次に、８００℃で、アンド
ープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層、２５オングス
トロームと、アンドープＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障
壁層、５０オングストロームを交互に積層してなる総膜
厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱ
Ｗ）の活性層２７を成長させる。
ープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層、２５オングス
トロームと、アンドープＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障
壁層、５０オングストロームを交互に積層してなる総膜
厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱ
Ｗ）の活性層２７を成長させる。
【００４４】（ｐ側キャップ層２８）次に、１０５０℃
でバンドギャップエネルギーがｐ側光ガイド層８よりも
大きく、かつ活性層６よりも大きい、Ｍｇを１×１０20
／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0 .3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ側
キャップ層２８を３００オングストロームの膜厚で成長
させる。このｐ側キャップ層２８はｐ型不純物をドープ
した層としたが、膜厚が薄いため、ｎ型不純物をドープ
してキャリアが補償されたｉ型、若しくはアンドープと
しても良く、最も好ましくはｐ型不純物をドープした層
とする。ｐ側キャップ層２８の膜厚は０．１μｍ以下、
さらに好ましくは５００オングストローム以下、最も好
ましくは３００オングストローム以下に調整する。０．
１μｍより厚い膜厚で成長させると、ｐ型キャップ層２
８中にクラックが入りやすくなり、結晶性の良い窒化物
半導体層が成長しにくいからである。Ａｌの組成比が大
きいＡｌＧａＮ程薄く形成するとＬＤ素子は発振しやす
くなる。例えば、Ｙ値が０．２以上のＡｌYＧａl-YＮで
あれば５００オングストローム以下に調整することが望
ましい。ｐ側キャップ層７６の膜厚の下限は特に限定し
ないが、１０オングストローム以上の膜厚で形成するこ
とが望ましい。
でバンドギャップエネルギーがｐ側光ガイド層８よりも
大きく、かつ活性層６よりも大きい、Ｍｇを１×１０20
／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0 .3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ側
キャップ層２８を３００オングストロームの膜厚で成長
させる。このｐ側キャップ層２８はｐ型不純物をドープ
した層としたが、膜厚が薄いため、ｎ型不純物をドープ
してキャリアが補償されたｉ型、若しくはアンドープと
しても良く、最も好ましくはｐ型不純物をドープした層
とする。ｐ側キャップ層２８の膜厚は０．１μｍ以下、
さらに好ましくは５００オングストローム以下、最も好
ましくは３００オングストローム以下に調整する。０．
１μｍより厚い膜厚で成長させると、ｐ型キャップ層２
８中にクラックが入りやすくなり、結晶性の良い窒化物
半導体層が成長しにくいからである。Ａｌの組成比が大
きいＡｌＧａＮ程薄く形成するとＬＤ素子は発振しやす
くなる。例えば、Ｙ値が０．２以上のＡｌYＧａl-YＮで
あれば５００オングストローム以下に調整することが望
ましい。ｐ側キャップ層７６の膜厚の下限は特に限定し
ないが、１０オングストローム以上の膜厚で形成するこ
とが望ましい。
【００４５】（ｐ側光ガイド層２９）次に、バンドギャ
ップエネルギーがｐ側キャップ層２８より小さい、Ｍｇ
を１×１０19／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ
側光ガイド層２９を０．１μｍの膜厚で成長させる。こ
の層は、活性層の光ガイド層として作用し、ｎ側光ガイ
ド層２６と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで成長させること
が望ましい。また、この層はｐ側クラッド層３０を成長
させる際のバッファ層としても作用し、１００オングス
トローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングスト
ローム〜１μｍの膜厚で成長させることにより、好まし
い光ガイド層として作用する。このｐ側光ガイド層は通
常はＭｇ等のｐ型不純物をドープしてｐ型の導電型とす
るが、特に不純物をドープしなくても良い。
ップエネルギーがｐ側キャップ層２８より小さい、Ｍｇ
を１×１０19／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ
側光ガイド層２９を０．１μｍの膜厚で成長させる。こ
の層は、活性層の光ガイド層として作用し、ｎ側光ガイ
ド層２６と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで成長させること
が望ましい。また、この層はｐ側クラッド層３０を成長
させる際のバッファ層としても作用し、１００オングス
トローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングスト
ローム〜１μｍの膜厚で成長させることにより、好まし
い光ガイド層として作用する。このｐ側光ガイド層は通
常はＭｇ等のｐ型不純物をドープしてｐ型の導電型とす
るが、特に不純物をドープしなくても良い。
【００４６】（ｐ側クラッド層３０）次に、Ｍｇを１×
１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、２
０オングストロームと、Ｍｇを１×１０19／ｃｍ3ドー
プしたｐ型ＧａＮ層、２０オングストロームとを交互に
積層してなる総膜厚０．８μｍの超格子層よりなるｐ側
クラッド層３０を成長させる。この層はｎ側クラッド層
２５と同じくキャリア閉じ込め層として作用し、超格子
構造とすることによりｐ型層側の抵抗率を低下させるた
めの層として作用する。このｐ側クラッド層３０の膜厚
も特に限定しないが、１００オングストローム以上、２
μｍ以下、さらに好ましくは５００オングストローム以
上、１μｍ以下で成長させることが望ましい。このｐ側
クラッド層の中央部の不純物濃度を大きくして、両端部
の不純物濃度を小さくすることもできる。
１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、２
０オングストロームと、Ｍｇを１×１０19／ｃｍ3ドー
プしたｐ型ＧａＮ層、２０オングストロームとを交互に
積層してなる総膜厚０．８μｍの超格子層よりなるｐ側
クラッド層３０を成長させる。この層はｎ側クラッド層
２５と同じくキャリア閉じ込め層として作用し、超格子
構造とすることによりｐ型層側の抵抗率を低下させるた
めの層として作用する。このｐ側クラッド層３０の膜厚
も特に限定しないが、１００オングストローム以上、２
μｍ以下、さらに好ましくは５００オングストローム以
上、１μｍ以下で成長させることが望ましい。このｐ側
クラッド層の中央部の不純物濃度を大きくして、両端部
の不純物濃度を小さくすることもできる。
【００４７】（ｐ側コンタクト層３１）最後に、Ｍｇを
２×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側
コンタクト層１０を１５０オングストロームの膜厚で成
長させる。ｐ側コンタクト層は５００オングストローム
以下、さらに好ましくは４００オングストローム以下、
２０オングストローム以上に膜厚を調整すると、ｐ層抵
抗が小さくなるため閾値における電圧を低下させる上で
有利である。
２×１０20／ｃｍ3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側
コンタクト層１０を１５０オングストロームの膜厚で成
長させる。ｐ側コンタクト層は５００オングストローム
以下、さらに好ましくは４００オングストローム以下、
２０オングストローム以上に膜厚を調整すると、ｐ層抵
抗が小さくなるため閾値における電圧を低下させる上で
有利である。
【００４８】反応終了後、反応容器内において、ウェー
ハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ
層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを
反応容器から取り出し、図２に示すように、ＲＩＥ装置
により最上層のｐ側コンタクト層３１と、ｐ側クラッド
層３０とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有
するリッジ形状とする。
ハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ
層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを
反応容器から取り出し、図２に示すように、ＲＩＥ装置
により最上層のｐ側コンタクト層３１と、ｐ側クラッド
層３０とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有
するリッジ形状とする。
【００４９】リッジ形成後、図２に示すように、リッジ
ストライプを中心として、そのリッジストライプの両側
に露出したｐ側クラッド層３０をエッチングして、ｎ電
極１１を形成する第２の窒化物半導体層２３の表面を露
出させる、なお露出面は不純物濃度の大きい超格子層と
する。
ストライプを中心として、そのリッジストライプの両側
に露出したｐ側クラッド層３０をエッチングして、ｎ電
極１１を形成する第２の窒化物半導体層２３の表面を露
出させる、なお露出面は不純物濃度の大きい超格子層と
する。
【００５０】次にリッジ表面の全面にＮｉ／Ａｕよりな
るｐ電極３２を形成する。次に、図２に示すようにｐ電
極３２を除くｐ側クラッド層３０、ｐ側コンタクト層３
１の表面にＳｉＯ2よりなる絶縁膜３５を形成し、この
絶縁膜３５を介してｐ電極３２と電気的に接続したｐパ
ッド電極３３を形成する。一方先ほど露出させたｎ側コ
ンタクト層４の表面にはＷとＡｌよりなるｎ電極３４を
形成する。
るｐ電極３２を形成する。次に、図２に示すようにｐ電
極３２を除くｐ側クラッド層３０、ｐ側コンタクト層３
１の表面にＳｉＯ2よりなる絶縁膜３５を形成し、この
絶縁膜３５を介してｐ電極３２と電気的に接続したｐパ
ッド電極３３を形成する。一方先ほど露出させたｎ側コ
ンタクト層４の表面にはＷとＡｌよりなるｎ電極３４を
形成する。
【００５１】電極形成後、ウェーハのサファイア基板の
裏面を研磨して５０μｍ程度の厚さにした後、サファイ
アのＭ面でウェーハを劈開して、その劈開面を共振面と
したバーを作製する。一方、ストライプ状の電極と平行
な位置でバーをスクライブで分離してレーザ素子を作製
する。そのレーザ素子形状が図２である。なおこのレー
ザ素子を室温でレーザ発振させたところ、従来の３７時
間連続発振した窒化物半導体レーザ素子に比較して、閾
値電流密度は２．０ｋＡ／ｃｍ2近くにまで低下し、閾
値電圧も４Ｖ近くになり、寿命は５００時間以上に向上
した。
裏面を研磨して５０μｍ程度の厚さにした後、サファイ
アのＭ面でウェーハを劈開して、その劈開面を共振面と
したバーを作製する。一方、ストライプ状の電極と平行
な位置でバーをスクライブで分離してレーザ素子を作製
する。そのレーザ素子形状が図２である。なおこのレー
ザ素子を室温でレーザ発振させたところ、従来の３７時
間連続発振した窒化物半導体レーザ素子に比較して、閾
値電流密度は２．０ｋＡ／ｃｍ2近くにまで低下し、閾
値電圧も４Ｖ近くになり、寿命は５００時間以上に向上
した。
【００５２】［実施例５］実施例１において、第２の窒
化物半導体層４成長時に、Ｓｉを１×１０19／ｃｍ3ド
ープしたＧａＮ層を２０オングストロームと、アンドー
プのＡｌ0.10Ｇａ0 .90Ｎ層を２０オングストローム成長
させて、このペアを２５０回成長させ、総膜厚１．０μ
ｍ（１００００オングストローム）の超格子構造よりな
る第２の窒化物半導体層４を成長させる他は実施例１と
同様にして行ったところ、実施例１とほぼ同様に良好な
結果が得られた。
化物半導体層４成長時に、Ｓｉを１×１０19／ｃｍ3ド
ープしたＧａＮ層を２０オングストロームと、アンドー
プのＡｌ0.10Ｇａ0 .90Ｎ層を２０オングストローム成長
させて、このペアを２５０回成長させ、総膜厚１．０μ
ｍ（１００００オングストローム）の超格子構造よりな
る第２の窒化物半導体層４を成長させる他は実施例１と
同様にして行ったところ、実施例１とほぼ同様に良好な
結果が得られた。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化物半
導体素子では、アンドープ若しくは不純物濃度の小さい
第１の窒化物半導体層と、不純物濃度の大きい超格子層
よりなる第２の窒化物半導体層と、アンドープ若しくは
不純物濃度の小さい第３の窒化物半導体層とを積層して
いることにより、Ｖｆの低いＬＥＤ、低閾値のレーザ素
子が得られる。しかも第２の窒化物半導体層の抵抗率が
小さいため、ｎ電極と第２の窒化物半導体層とで、容易
にオーミック接触が得られ、Ｖｆ等が低下する。また本
明細書ではＬＥＤ、レーザ素子について説明したが、本
発明は受光素子、太陽電池の他、窒化物半導体の出力を
用いたパワーデバイス等、窒化物半導体を用いたあらゆ
る素子に適用することができる。
導体素子では、アンドープ若しくは不純物濃度の小さい
第１の窒化物半導体層と、不純物濃度の大きい超格子層
よりなる第２の窒化物半導体層と、アンドープ若しくは
不純物濃度の小さい第３の窒化物半導体層とを積層して
いることにより、Ｖｆの低いＬＥＤ、低閾値のレーザ素
子が得られる。しかも第２の窒化物半導体層の抵抗率が
小さいため、ｎ電極と第２の窒化物半導体層とで、容易
にオーミック接触が得られ、Ｖｆ等が低下する。また本
明細書ではＬＥＤ、レーザ素子について説明したが、本
発明は受光素子、太陽電池の他、窒化物半導体の出力を
用いたパワーデバイス等、窒化物半導体を用いたあらゆ
る素子に適用することができる。
【図１】本発明の一実施例に係るＬＥＤ素子の構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
【図２】本発明の他の実施例に係るＬＤ素子の構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
１・・・基板、 ２・・・バッファ層、 ３、２２・・・第１の窒化物半導体層、 ４、２３・・・第２の窒化物半導体層、 ５、２４・・・第３の窒化物半導体層、 ６・・・活性層、 ７・・・ｐ側クラッド層、 ８・・・ｐ側コンタクト層、 ９・・・透光性ｐ電極、 １０・・・ｐパッド電極、 １１・・・ｎ電極、 １２・・・絶縁膜。
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と活性層の間に、基板側から順に、
アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒化物半導
体層よりも少ない第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物
を含み超格子構造よりなるｎ導電型の第２の窒化物半導
体層と、アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が第２の窒
化物半導体層よりも少ない第３の窒化物半導体層を有
し、前記第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成されてな
ることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 【請求項２】 前記第２の窒化物半導体層は、互いにバ
ンドギャップエネルギーが異なる少なくとも２種類の窒
化物半導体層が積層されてなり、かつ該２種類の窒化物
半導体層の間で、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドー
プされていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物
半導体素子。 - 【請求項３】 前記２種類の窒化物半導体層のうち、バ
ンドギャップエネルギーの大きい方の層にｎ型不純物が
多くドープされていることを特徴とする請求項２に記載
の窒化物半導体素子。 - 【請求項４】 前記２種類の窒化物半導体層のうち、バ
ンドギャップエネルギーの小さい方の層にｎ型不純物が
多くドープされていることを特徴とする請求項２に記載
の窒化物半導体素子。 - 【請求項５】 前記第２の窒化物半導体層は、互いにバ
ンドギャップエネルギーが異なる少なくとも２種類の窒
化物半導体層が積層されてなり、かつ該２種類の窒化物
半導体層の一方にｎ型不純物がドープされ他方にｎ型不
純物はドープされていないことを特徴とする請求項１に
記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項６】 前記２種類の窒化物半導体層のうち、バ
ンドギャップエネルギーの大きい方の層にｎ型不純物が
ドープされていることを特徴とする請求項５に記載の窒
化物半導体素子。 - 【請求項７】 前記２種類の窒化物半導体層のうち、バ
ンドギャップエネルギーの小さい方の層にｎ型不純物が
ドープされていることを特徴とする請求項５に記載の窒
化物半導体素子。 - 【請求項８】 前記第２の窒化物半導体層は、ｎ型不純
物濃度が互いに異なる他は互いに同一組成を有する少な
くとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなることを
特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項９】 前記２種類の窒化物半導体層のうち一方
は、ｎ型不純物がドープされていないことを特徴とする
請求項８記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項１０】 前記第３の窒化物半導体層がアンドー
プであり、該膜厚が０．１μｍ以下であることを特徴と
する請求項１乃至９の内のいずれか１頃に記載の窒化物
半導体素子。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17662398A JP3620292B2 (ja) | 1997-09-01 | 1998-06-08 | 窒化物半導体素子 |
| CA002298491A CA2298491C (en) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | Nitride semiconductor device |
| DE69835216T DE69835216T2 (de) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung |
| US09/463,643 US7365369B2 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | Nitride semiconductor device |
| PCT/JP1998/003336 WO1999005728A1 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | Nitride semiconductor device |
| CNB988075199A CN1142598C (zh) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | 氮化物半导体发光器件 |
| EP98933944A EP1014455B1 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | Nitride semiconductor device |
| AU83584/98A AU747260B2 (en) | 1997-07-25 | 1998-07-27 | Nitride semiconductor device |
| US12/068,063 US8592841B2 (en) | 1997-07-25 | 2008-02-01 | Nitride semiconductor device |
| US14/087,081 US20140077157A1 (en) | 1997-07-25 | 2013-11-22 | Nitride semiconductor device |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23552497 | 1997-09-01 | ||
| JP28630497 | 1997-10-20 | ||
| JP9-235524 | 1998-06-08 | ||
| JP9-286304 | 1998-06-08 | ||
| JP17662398A JP3620292B2 (ja) | 1997-09-01 | 1998-06-08 | 窒化物半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191639A true JPH11191639A (ja) | 1999-07-13 |
| JP3620292B2 JP3620292B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=27324289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17662398A Expired - Fee Related JP3620292B2 (ja) | 1997-07-25 | 1998-06-08 | 窒化物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3620292B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059046A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| US6541798B2 (en) | 1999-12-06 | 2003-04-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| US6841808B2 (en) | 2000-06-23 | 2005-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same |
| WO2005104251A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Showa Denko K.K. | N-type group i i i nitride semiconductor layered structure |
| JP2005333159A (ja) * | 2005-08-02 | 2005-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2005340762A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP2005340769A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 |
| JP2008526013A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2008156294A3 (en) * | 2007-06-21 | 2009-02-26 | Lg Innotek Co Ltd | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| JP2010087217A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2012089895A (ja) * | 1999-09-29 | 2012-05-10 | Xerox Corp | インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 |
| JP2014143338A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| US9166102B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-10-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting device including a superlatice layer |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP17662398A patent/JP3620292B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059046A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2012089895A (ja) * | 1999-09-29 | 2012-05-10 | Xerox Corp | インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 |
| US6541798B2 (en) | 1999-12-06 | 2003-04-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| US6617061B2 (en) | 1999-12-06 | 2003-09-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| US6841808B2 (en) | 2000-06-23 | 2005-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same |
| WO2005104251A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Showa Denko K.K. | N-type group i i i nitride semiconductor layered structure |
| JP2005340769A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 |
| US7855386B2 (en) | 2004-04-27 | 2010-12-21 | Showa Denko K.K. | N-type group III nitride semiconductor layered structure |
| JP2005340762A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP2008526013A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8704250B2 (en) | 2004-12-23 | 2014-04-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| JP2013065897A (ja) * | 2004-12-23 | 2013-04-11 | Lg Innotek Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2005333159A (ja) * | 2005-08-02 | 2005-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| WO2008156294A3 (en) * | 2007-06-21 | 2009-02-26 | Lg Innotek Co Ltd | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| US9450017B2 (en) | 2007-06-21 | 2016-09-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| JP2010087217A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| US8610167B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-12-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
| US9166102B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-10-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting device including a superlatice layer |
| JP2014143338A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3620292B2 (ja) | 2005-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7365369B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| JP3744211B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP4378070B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP4947035B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3622562B2 (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| KR100902109B1 (ko) | 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자 | |
| JPH11340509A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3620292B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JPH09148678A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3651260B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3275810B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH1065213A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| KR100625835B1 (ko) | 질화물반도체소자 | |
| JP3951973B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3448196B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH077182A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH10290047A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3496480B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| KR100511530B1 (ko) | 질화물반도체소자 | |
| JP3857417B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP4954407B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH11220174A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2005167282A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2002164572A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2000188423A5 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040816 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041108 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |