JPH11340509A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
窒化物半導体素子Info
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- JPH11340509A JPH11340509A JP16145298A JP16145298A JPH11340509A JP H11340509 A JPH11340509 A JP H11340509A JP 16145298 A JP16145298 A JP 16145298A JP 16145298 A JP16145298 A JP 16145298A JP H11340509 A JPH11340509 A JP H11340509A
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Abstract
窒化物半導体素子を提供する。 【解決手段】 p型コンタクト層を含む1又は多層のp
型窒化物半導体層と1又は多層のn型窒化物半導体層と
の間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、p型
コンタクト層は、互いに組成の異なる第1と第2の窒化
物半導体層が交互に積層された超格子構造を有し、2つ
の窒化物半導体層のうち少なくとも第1の窒化物半導体
層はInを含んでいる。
Description
子、レーザダイオード素子等の発光素子、太陽電池、光
センサ等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデ
バイス等の電子デバイス等に用いられる窒化物半導体素
子に関する。
g等の型不純物を添加して熱処理をすることにより、p
型の導電性を有する窒化物半導体層の作製が可能とな
り、窒化物半導体を用いた発光素子が実用化された。こ
の発光素子によって、青色の光を発光が可能となり、該
発光素子は、フルカラーLEDディスプレイ、交通信号
灯、イメージスキャナ等の各種光源としてその市場を拡
大しつつある。
において、p側電極が形成されるp型コンタクト層は、
GaNが用いられていたが、最近では、特開平8−97
468号公報に開示されているように、p型コンタクト
層としてバンドキャップエネルギーが、GaNに比較し
て小さい、InGaNを用いることが検討されている。
これによって、バンドキャップエネルギーが小さいIn
GaNを用いることにより、p型コンタクト層とp側電
極との間の障壁を低くして良好なオーミック接触を得よ
うとするものである。
aNは、欠陥の少ない結晶性の良い膜を成長させること
が難しく、期待通りの十分低い接触抵抗を有するオーミ
ック接触を得ることは困難であった。また、成長された
InGaN層の結晶性がバラツクために接触抵抗が安定
しないという問題点があった。そのために、InGaN
からなるp型コンタクト層を備えた従来の窒化物半導体
素子は、十分低くかつ安定した動作電圧と高い出力を得
ることが困難であった。このために、例えば、InGa
Nからなるコンタクト層を用いてLED素子を構成した
場合、20mAにおける順方向電圧(Vf)は、3.4
V〜3.8Vと十分低くできず、かつそのバラツキが大
きいという問題点があった。
クト層との接触抵抗を小さくでき、安定した低い動作電
圧で高い出力が得られる窒化物半導体素子を提供するこ
とを目的とする。
型コンタクト層を超格子構造とすることにより、欠陥の
少ない結晶性のよいp型コンタクト層を形成することが
できることを見出して完成したものである。すなわち、
本発明に係る窒化物半導体素子は、p型コンタクト層を
含む1又は多層のp型窒化物半導体層と1又は多層のn
型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体
素子において、上記p型コンタクト層は、互いに組成の
異なる第1と第2の窒化物半導体層が交互に積層された
超格子構造を有し、上記2つの窒化物半導体層のうち少
なくとも第1の窒化物半導体層はInを含んでいること
を特徴とする。
記第1の窒化物半導体層と上記第2の窒化物半導体層と
の間に、上記第1の窒化物半導体層の組成から上記第2
の窒化物半導体層の組成へと組成が連続的に変化する組
成傾斜層を形成することが好ましく、これにより、さら
にp型コンタクト層の結晶性を良好にできる。
を上記第2の窒化物半導体層のInの含有量に比較して
大きくすることが好ましくい。このようにすると、p型
コンタクト層の抵抗をより低くできる。
て、上記2つの窒化物半導体層のうちの一方をInを含
む層とする場合、一方の上記第1の窒化物半導体層はI
nxGa1-xNからなる層とし、他方の第2の窒化物半導
体層はAlyGa1-yNからなる層とすることが好まし
い。
て、上記第1の窒化物半導体層及び上記第2の窒化物半
導体層のうちのいずれか一方にp型不純物をドープし、
他方にはp型不純物をドープしないようにしてもよい。
て、上記第1及び第2の窒化物半導体層にそれぞれp型
不純物をドープする場合、一方の窒化物半導体層には1
×1019/cm3〜5×1021/cm3の範囲のp型不純
物をドープし、他方の窒化物半導体層は5×1018/c
m3〜5×1019/cm3の範囲であってかつ上記一方の
窒化物半導体層より少ない量のp型不純物がドープされ
ていることが好ましい。
て、上記第1の窒化物半導体層が最表面に形成され、か
つp側電極が上記際表面に形成された該窒化物半導体層
に接するように形成されていることが好ましい。また、
この場合、上記第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度
が、上記第2の窒化物半導体層より大きくなるようにす
ることが好ましい。
に、上記活性層と上記p型コンタクト層との間にAlを
含む窒化物半導体からなるp型クラッド層を備えていて
もよい。
記p型クラッド層は、AlxGa1-xN(0<x≦1)か
らなる層とInyGa1-yN(0≦y<1)からなる層と
が交互に積層された超格子構造を有することが好まし
い。
る実施の形態について説明する。 実施の形態1.本発明に係る実施の形態1の窒化物半導
体発光素子は、図1に示すように、例えばサファイアか
らなる基板1上に、バッファ層2を介して、第1n側窒
化物半導体層3、第2n側窒化物半導体層4、第3n側
窒化物半導体層5、活性層6、p側クラッド層7及びp
側コンタクト層8が順次形成されて構成される。尚、本
実施の形態1において、p側コンタクト層8の上面のほ
ぼ前面には、透光性のp電極9が形成され、p電極上の
一部にボンディング用のpパット電極10が形成され
る。また、発光素子の片側において、第2n側窒化物半
導体層4の表面が露出され、その露出部分には、n電極
11が形成されている。
ンタクト層8が、互いに組成の異なる第1の窒化物半導
体層8aと第2の窒化物半導体層8bが交互に積層され
た超格子構造を有し、上記2つの窒化物半導体層のうち
少なくとも第1の窒化物半導体層8aはInを含んでい
ることを特徴とする。このように、p側コンタクト層8
を構成する上記2つの窒化物半導体層のうち少なくとも
一方の第1の窒化物半導体層8aがInを含んでいて、
かつ第1と第2の窒化物半導体層8a,8bとが交互に
積層された超格子構造とすることにより、極めて欠陥の
少ない結晶性の良好なp型コンタクト層8を形成するこ
とができる。これによって、超格子構造でない単層のI
nGaNからなる従来例に比較して、それ自身の抵抗値
が低くかつp電極9と良好なオーミック接触させること
ができるp側コンタクト層8を形成することができる。
1において、p型コンタクト層8は例えば、以下の表1
に示す第1の窒化物半導体層8aと第2の窒化物半導体
層8bとを組み合わせることにより構成することができ
る。
陥の少ない第1の窒化物半導体層8aを形成するため
に、表1のInxGa1-xNは、好ましくはx<0.5に
設定され、より好ましくはx<0.4、さらに好ましく
はx<0.3に設定される。また、本発明において、p
型コンタクト層の膜厚は、厚さが厚いほど厚さ方向の抵
抗値が高くなるので、好ましくは0.1μm以下、より
好ましくは500Å以下、さらに好ましくは200Å以
下に設定する。また、p型コンタクト層を構成する第1
と第2の窒化物半導体層の膜厚はそれぞれ、好ましくは
100Å以下、より好ましくは70Å以下、さらに好ま
しくは50Å以下に設定する。尚、最も好ましくは、1
0〜40Åの範囲に設定する。
窒化物半導体層8a,8bの膜厚を100Å以下に設定
するのは、第1と第2の窒化物半導体層8a,8bの膜
厚が、100Åより厚いと各窒化物半導体層が弾性歪限
界以上の膜厚となり、膜中に微小のクラック、あるいは
結晶欠陥が入りやすくなり、超格子構造とする効果が効
果的に発揮できないからである。また、本発明におい
て、第1と第2の窒化物半導体層8a,8bは、少なく
とも1原子層以上であればよいが、好ましくは上述のよ
うに10Å以上に設定する。
8aと第2の窒化物半導体層8bの少なくともいずれか
一方にMg等のp型不純物が添加され、p型コンタクト
層全体としてp型導電性を示すようにすればよい。ま
た、第1の窒化物半導体層8a及び第2の窒化物半導体
層8bの双方にp型不純物をドープする場合、一方の窒
化物半導体層のp型不純物濃度を他方の窒化物半導体層
の不純物濃度に比較して高くする(以下、変調ドープと
いう。)ことが好ましい。
8a,8bのうち、一方の不純物濃度を他方に比較して
高く設定することにより、不純物濃度が高い一方の窒化
物半導体層においてキャリア多く発生させることがで
き、不純物濃度の低い他方の窒化物半導体層における移
動度を一方の窒化物半導体層に比較して高くできる。こ
れによって、第1と第2の窒化物半導体層8a,8bと
が積層された超格子層全体としてのキャリア濃度と移動
度とをともに高くできるので、p型コンタクト層8の抵
抗値を低くできる。従って、本実施の形態1の窒化物半
導体発光素子は、p型コンタクト層8においてさらに、
上述のような変調ドープをすることにより、所定の電流
値における順方向電圧を低くできる。
一方の窒化物半導体層には1×1019/cm3〜5×1
021/cm3の範囲のp型不純物をドープし、他方の窒
化物半導体層は5×1018/cm3〜5×1019/cm3
の範囲であってかつ一方の窒化物半導体層より少ない量
のp型不純物がドープされていることが好ましい。窒化
物半導体層に対して5×1021/cm3より多い量のp
型不純物を添加すると、結晶性が悪化して抵抗値が高く
なりかつ良好なオーミック接触を得ることが難しくなる
からであり、5×1018/cm3より少ないと十分なキ
ャリア濃度が得られず出力が低下するからである。
8において、第1の窒化物半導体層8a又は第2の窒化
物半導体層8bのいずれの層を最上層にしてもよく、い
ずれの層でp側クラッド層7と接するようにしても良
い。しかしながら、本発明では、Inを含む第1の窒化
物半導体層8aを最上層にし、その第1の窒化物半導体
層8aの上にp電極を形成するように構成することが好
ましい。このようにすることで、p型コンタクト層8と
p電極とのオーミック接触抵抗を小さくできる。すなわ
ち、第1の窒化物半導体層8aは、Inを含んでいる分
又はInを多く含んでいる分、第2の窒化物半導体層8
bに比較してバンドギャップを小さくすることができ、
p電極を構成する金属の伝導帯の下端のエネルギー準位
と、第1の窒化物半導体層8aの価電子帯の上端のエネ
ルギー準位との差を小さくできるので、オーミック接触
抵抗を小さくできる。
子においては、上記p型クラッド層は、AlxGa1-xN
(0<x≦1)からなる層とInyGa1-yN(0≦y<
1)からなる層とが交互に積層された超格子構造を有す
ることが好ましい。このp型クラッド層を構成する各層
の膜厚は、好ましくは弾性歪限界の100Å以下に設定
し、より好ましくは70Å以下、さらに好ましくは50
Å以下に設定する。尚、最も好ましくは、10〜40Å
の範囲に設定する。このようにp型クラッド層を超格子
構造とすることにより、p型クラッド層の抵抗値を低く
することができる。尚、p型クラッド層7の全体として
の膜厚は、好ましくは100Å以上で2μm以下、さら
に好ましくは500Å以上で1μm以下に設定される。
このような膜厚に設定することにより、良好なキャリア
閉じ込め層として動作させ、かつp型クラッド層7の全
体としての抵抗値を比較的低くできる。
の窒化物半導体素子は、図2に示すように、p型コンタ
クト層8においてさらに、第1の窒化物半導体層8aと
第2の窒化物半導体層8bとの間に組成傾斜層8cを形
成した点で、実施の形態1と異なる他は、実施の形態1
と同様に構成される。ここで、組成傾斜層8cとは、第
1の窒化物半導体層8aの組成から第2の窒化物半導体
層8bの組成へと、除除に変化するように厚さ方向に組
成を連続的に変化させた層をいう。例えば、第1の窒化
物半導体層8aをInxGa1-xNとし第2の窒化物半導
体層8bをGaNとした場合、組成傾斜層8cは、図2
(b)に示すように、第1の窒化物半導体層8aに接す
る面から第2の窒化物半導体層8bに接する面に向かっ
て厚さ方向に、Inの組成比(x)が徐徐に減少する層
とする。尚、本実施の形態2において、組成傾斜層8c
は、その組成比が除徐に減少する層であればよく、必ず
しも図2(b)に示すように、厚さに対して組成が直線
的に変化する必要はない。
化物半導体素子は、第1の窒化物半導体層8aと第2の
窒化物半導体層8bとの境界で組成が不連続に変化して
いないので、層の成長時に第1の窒化物半導体層8aと
第2の窒化物半導体層8bの境界において特定の元素の
偏析を防止できる。このように、特定の元素の偏析を防
止できる結果、結晶欠陥のより少ない第1の窒化物半導
体層8aと第2の窒化物半導体層8bとを成長させるこ
とができる。上述の第1の窒化物半導体層8aをInx
Ga1-xNとし第2の窒化物半導体層8bをGaNとし
た例では、第1の窒化物半導体層8aと第2の窒化物半
導体層8bとの間におけるInの偏析を防止することが
でき、結晶性を良好にできる。
化物半導体発光素子の製造方法について実施例を用いて
説明する。
ようにカットされたもの)よりなる基板1を反応容器内
にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水素を流
しながら、基板の温度を1050℃まで上昇させ、基板
のクリーニングを行う。基板1にはサファイアC面の
他、R面、A面を主面とするサファイア、その他、スピ
ネル(MgAIZ04)のような絶縁性の基板の他、S
iC(6H、4H、3Cを含む)、Si、Zn0、Ga
As、GaN等の半導体基板を用いることができる。
まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア
とTMG(トリメチルガリウム)とを用い、基板1上に
GaNよりなるバッファ層2を約200オングストロー
ムの膜厚で成長させる。
2成長後、TMGのみ止めて、温度を1050℃まで上
昇させる。1050℃になったら、同じく原料ガスにT
MG、アンモニアガスを用い、アンドープGaNよりな
る第1n側窒化物半導体層3を5μmの膜厚で成長させ
る。第1n側窒化物半導体層3はバッファ層2よりも高
温、例えば900℃〜1100℃で成長させることが好
ましく、GaN以外でも、InxAlyGa1-x-yN(0
≦x、0≦y、x+y≦1)で構成することもできる
が、好ましくはGaN又、X値が0.2以下のAlxG
a1-xNを用いるとより結晶欠陥の少ない窒化物半導体
層が得られやすい。また、バッファ層よりも厚膜で成長
させることが好ましく、通常0.1μm以上の膜厚で成
長させる。この層は通常アンドーブ層とするためその性
質は真性半導体に近く、抵抗率は0.2Ω・cmよりも
大きいが、Si、Ge等のn型不純物を第2n側窒化物
半導体層よりも少ない量でドープして抵抗率を低下させ
た層としても良い。
50℃で、TMG、アンモニアガスを用い、アンドープ
GaN層を20オングストロームの膜厚で成長させ、続
いてシランガスを追加しSiを1×1019/cm3ドー
プしたGaN層を20オングストロームの膜厚で成長さ
せ、そしてSiを止めてアンドープGaN層を20オン
グストロームの膜厚で成長させる。このようにして、2
0オングストロームのアンドープGaN層からなるA層
と、SiドープGaN層を20オングストロームからな
るB層とからなるペアを成長させる。そしてそのペアを
積層して、変調ドープGaNよりなる1μm厚の第2n
側窒化物半導体層4を成長させる。
ガスのみを止め、1050℃で同様にしてアンドープG
aNよりなる第3n側窒化物半導体層5を100オング
ストロームの膜厚で成長させる。この第3n側窒化物半
導体層5もGaN以外にInxAlyGa1-x-yN(0≦
x、0≦y、x+y≦1)で構成でき、その組成は特に
問うものではないが、好ましくはGaN又はx値が0.
2以下のAlxGa1-xN、あるいはy値が0.1以下の
InyGa1+yNとするとより結晶欠陥の少ない窒化物半
導体層が得られる。InGaNを成長させると、その上
にAlを含む窒化物半導体を成長させる場合に、Alを
含む窒化物半導体層にクラックが入るのを防止すること
ができる。
て、キャリアガスを窒素に切り替え、TMG、TM1
(トリメチルインジウム)、アンモニアを用いアンドー
プIn0.4Ga0.6N層を30オングストロームの膜厚で
成長させて単一量子井戸構造を有する活性層6を成長さ
せる。なおこの層はInGaNよりなる井戸層を有する
多重量子井戸構造としても良い。
0℃に上げ、TMG、TMA、アンモニア、Cp2Mg
(シクロペンタジエチルマグネシウム)を用い、Mgを
1×1020/cm3ドープしたp型Al0.1Ga0.9Nよ
りなる層を20Åの厚さに成長させた後、TMG、アン
モニア、Cp2Mgを用い、Mgを1×1019/cm3
ドープしたp型GaNよりなる層を20Åの厚さに成長
させる。以下同様の工程を交互に繰り返すことにより、
総膜厚0.8μmの超格子層からなるp側クラッド層を
形成する。
おいて、アンドープIn0.1Ga0.9Nよりなる第1の窒
化物半導体層を30Å、続いて、TMIを止めMgを1
×1020/cm3ドープしたGaNよりなる第2の窒化
物半導体層を30Å成長させる。そして交互に積層し、
総膜厚600Åのp側コンタクト層8を成長させる。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、700
℃でアニーリングを行い、p側の各層をさらに低抵抗化
する。
取り出し、最上層のp側コンタクト層8の表面に所定の
形状のマスクを形成し、RIE(反応性イオンエッチン
グ)装置でp側コンタクト層側からエッチングを行い、
図1に示すように第2の窒化物半導体層4の表面を露出
させる。
ト層のほぼ全面に膜厚200オングストロームのNiと
Auを含む透光性のp電極9と、そのp電極9の上にポ
ンディング用のAuよりなるpパッド電極10を0.5
μmの膜厚で形成する。一方エッチングにより露出させ
た第2n側窒化物半導体層4の表面にはWとAIを含む
n電極11を形成する。最後にp電極9の表面を保護す
るためにSiO2よりなる絶縁膜12を図1に示すよう
に形成した後、ウェーハをスクライブにより分離して3
50μm角のLED素子とする。
電圧3.2V、520nmの緑色発光を示し、20mA
におけるVfを0.2〜0.3V低下させることがで
き、出力を10%以上向上させることができた。また、
実施例で示したLED素子を100個作製して、20m
Aにおける順方向電圧Vfを測定した結果、それらのV
ffは、3.2V〜3.3Vの範囲に分布しており、極
めてバラツキを少なくできた。
クト層を成長させる際、アンドープIn0.1Ga0.9N層
と、Mgを1×1020/cm3ドープしたGaNとの積
層順序を逆にした以外は、実施例1と同様にしてLED
素子を作製した。
クト層を成長させる際、第2の窒化物半導体の組成をI
n0.05Ga0.95N層とする以外は、実施例1と同様にし
てLED素子を作製した。
クト層を成長させる際、第2の窒化物半導体層をMgを
1×1020/cm3ドープしたIn0.05Ga0.95N層と
した以外は、実施例1と同様にしてLED素子を作製し
た。
クト層を成長させる際、第2の窒化物半導体層をMgを
1×1020/cm3ドープしたAl0.05Ga0.95N層と
した以外は、実施例1と同様にしてLED素子を作製し
た。
クト層を成長させる際、第1の窒化物半導体層にMgを
1×1019/cm3ドープした以外は、実施例1と同様
にしてLED素子を作製した。
例1と同様、従来例に比較して良好な発光特性が得られ
た。
タクト層では、InGaNが比較的波長の短い領域で光
の吸収が大きいために、該p側コンタクト層が黄色に着
色し、活性層で発生した光の波長が、長波長側にシフト
するという問題があった。しかしながら、本発明のp側
コンタクト層は、超格子構造としているので、単層で構
成した従来のInGaNからなるp側コンタクト層に比
較して、波長の短い光の吸収率を小さくできる。従っ
て、本発明におけるp側コンタクト層は、光の長波長側
へのシフトを防止でき、光の透過率も向上させることが
できる。
明の超格子構造の多層膜の、波長に対する光の透過率を
示すグラフである。該多層膜は、GaN(20Å)とI
nGaN(20Å)とを交互に30周期積層されてな
り、Mgがドープされ4×1018/cm3のキャリア濃
度を有するp型の層である。また、図3には、比較のた
めに単層のIn0.15Ga0.85N(膜厚0.12μm)か
らなる従来例の光透過率も示している。図3に示すよう
に、本発明の超格子構造の多層膜と従来例の単層膜とは
波長が400nm付近の光に対する吸収率が顕著に相違
し、本発明の超格子構造の多層膜は、波長が400nm
付近の光に対する透過率が優れていることがわかる。
尚、図3に示す本発明の超格子構造の多層膜と従来例の
単層膜の各低効率ρは、いずれも0.5Ω・cmであっ
た。また、図3における透過率は、サファイア基板の光
の透過率を100%とした相対値で示した。
ED素子である窒化物半導体発光素子を用いて説明した
が、本発明はLED素子に限定されるわけではなく、レ
ーザダイオード素子等の他の発光素子に適用することが
できる。また、本発明は発光素子に限定されるものでは
なく、窒化物半導体を用いて構成される、太陽電池、光
センサ等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデ
バイス等の電子デバイス等にも適用することができる。
る窒化物半導体素子は、互いに組成の異なる第1と第2
の窒化物半導体層が交互に積層された超格子構造を有
し、上記2つの窒化物半導体層のうち少なくとも第1の
窒化物半導体層はInを含んでいるp型コンタクト層を
備えている。これによって、本発明の窒化物半導体素子
においては、欠陥の少ない結晶性のよいp型コンタクト
層を形成することができ、p型コンタクト層自身の抵抗
値を低くできかつp側電極とp型コンタクト層との接触
抵抗を小さくできるので、安定した低い動作電圧で高い
出力が得られる。
光素子の構成を示す模式的な断面図である。
光素子におけるp側コンタクト層の構成を示す模式的な
断面図である。
の波長に対する光吸収率を示すグラフである。
Claims (10)
- 【請求項1】 p型コンタクト層を含む1又は多層のp
型窒化物半導体層と1又は多層のn型窒化物半導体層と
の間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、 上記p型コンタクト層は、互いに組成の異なる第1と第
2の窒化物半導体層とを含む層が順次積層された超格子
構造を有し、上記2つの窒化物半導体層のうち少なくと
も第1の窒化物半導体層はInを含んでいることを特徴
とする窒化物半導体素子。 - 【請求項2】 上記第1の窒化物半導体層と上記第2の
窒化物半導体層との間に、上記第1の窒化物半導体層の
組成から上記第2の窒化物半導体層の組成へと組成が連
続的に変化する組成傾斜層を形成した請求項1記載の窒
化物半導体素子。 - 【請求項3】 上記第1と第2の窒化物半導体層はそれ
ぞれInを含んでなり、上記第1の窒化物半導体層のI
nの含有量が上記第2の窒化物半導体層のInの含有量
に比較して大きい請求項1又は2記載の窒化物半導体素
子。 - 【請求項4】 上記第1の窒化物半導体層はInxGa
1-xNからなり,上記第2の窒化物半導体層はAlyGa
1-yN(0≦y<1)からなる請求項1又は2記載の窒
化物半導体素子。 - 【請求項5】 上記第1の窒化物半導体層と上記第2の
窒化物半導体層のうちのいずれか一方にはp型不純物が
ドープされ、他方には、p型不純物がドープされていな
い請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載の窒化物半
導体素子。 - 【請求項6】 上記第1の窒化物半導体層と上記第2の
窒化物半導体層のうちのいずれか一方には1×1019/
cm3〜5×1021/cm3の範囲のp型不純物がドープ
され、他方には5×1018/cm3〜5×1019/cm3
の範囲であってかつ上記一方の窒化物半導体層より少な
い量のp型不純物がドープされている請求項1〜4のう
ちのいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項7】 上記第1の窒化物半導体層が最表面に形
成され、かつp側電極が上記最表面に形成された該窒化
物半導体層に接するように形成されている請求項1〜6
のうちのいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項8】 上記第1の窒化物半導体層のp型不純物
濃度は、上記第2の窒化物半導体層より大きい請求項7
記載の窒化物半導体素子。 - 【請求項9】 上記活性層と上記p型コンタクト層との
間にAlを含む窒化物半導体からなるp型クラッド層を
備えた請求項1〜8のうちのいずれか1つに記載の窒化
物半導体素子。 - 【請求項10】 上記p型クラッド層は、AlxGa1-x
N(0<x≦1)からなる層とInyGa1-yN(0≦y
<1)からなる層とが交互に積層された超格子構造を有
する請求項9に記載の窒化物半導体素子。
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