JP2010183030A - Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p型コンタクト層16は、p型クラッド層15側から第1p型コンタクト層16a、第2p型コンタクト層16b、第3p型コンタクト層16cの順に積層された3層構造である。第1p型コンタクト層16aは、Mg濃度が3×1019/cm3 以下である。第2p型コンタクト層16bは、Mg濃度が4×1019〜9×1019/cm3 で、厚さは10〜60nmである。第3pコンタクト層は、Mg濃度が1×1020/cm3 以上で、厚さは2〜10nmである。また、第1p型コンタクト層16aと第2p型コンタクト層16bの厚さの合計は、20〜300nmである。
【選択図】図1
Description
11:n型コンタクト層
12:n型ESD層
13:n型クラッド層
14:MQW層
15:p型クラッド層
16:p型コンタクト層
16a、26b:第1p型コンタクト層
16b:第2p型コンタクト層
16c:第3p型コンタクト層
17:p電極
18:n電極
Claims (8)
- III 族窒化物半導体からなるp型クラッド層上に、III 族窒化物半導体からなるp型コンタクト層を有し、前記p型コンタクト層上にp電極が形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記p型コンタクト層は、前記p型クラッド層側から順に第1p型コンタクト層、第2p型コンタクト層、第3p型コンタクト層の3層構造であり、
前記第1p型コンタクト層は、Mg濃度が3×1019/cm3 以下、
前記第2p型コンタクト層は、Mg濃度が4×1019〜9×1019/cm3 で、厚さが10〜60nm、
前記第3p型コンタクト層は、Mg濃度が1×1020/cm3 以上で、厚さが2〜10nmであり、
前記第1p型コンタクト層と前記第2p型コンタクト層の厚さの合計が20〜300nmである、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記第1pコンタクト層は、Mg濃度が高い層とMg濃度が低い層が交互に繰り返し積層された構造である、ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記p型コンタクト層は、p−GaNであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- III 族窒化物半導体からなるp型クラッド層上に、III 族窒化物半導体からなりMg濃度が3×1019/cm3 以下の第1p型コンタクト層を形成する工程と、
前記第1p型コンタクト層上に、III 族窒化物半導体からなりMg濃度が4×1019〜9×1019/cm3 で、厚さが10〜60nmの第2p型コンタクト層を形成する工程と、
前記第2p型コンタクト層上に、III 族窒化物半導体からなりMg濃度が1×1020/cm3 以上で、厚さが2〜10nmの第3pコンタクト層を形成する工程と、
前記第3pコンタクト層上に、p電極を形成する工程と、
を備え、
前記第1p型コンタクト層と前記第2p型コンタクト層は、その厚さの合計が20〜300nmとなるように形成する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1p型コンタクト層は、ドーパントガスを供給せずに形成する、ことを特徴とする請求項4に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1p型コンタクト層は、ドーパントガスの供給とその供給の停止を交互に繰り返して形成する、ことを特徴とする請求項4に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1p型コンタクト層および前記第2p型コンタクト層は、900℃以上で形成する、ことを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1p型コンタクト層、前記第2p型コンタクト層および前記第3p型コンタクト層は、p−GaNであることを特徴とする請求項4ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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