JP5423026B2 - Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
11:n型コンタクト層
12:n型ESD層
13:n型クラッド層
14:MQW層
15:p型クラッド層
16:p型コンタクト層
16a、26b:第1p型コンタクト層
16b:第2p型コンタクト層
16c:第3p型コンタクト層
17:p電極
18:n電極
Claims (1)
- p−InGaNとp−AlGaNとが交互に繰り返し積層された超格子構造であってMg濃度が1×10 20 〜1×10 21 /cm 3 であるp型クラッド層上に、p−GaNからなりMg濃度が1×1018/cm3 〜3×1019/cm3 の第1p型コンタクト層を、ドーパントガスを供給せずに900℃以上で形成する工程と、
前記第1p型コンタクト層上に、p−GaNからなりMg濃度が4×1019〜9×1019/cm3 で、厚さが10〜60nmの第2p型コンタクト層を、ドーパントガスを供給して、900℃以上で、前記第1p型コンタクト層に接合して形成する工程と、
前記第2p型コンタクト層上に、p−GaNからなりMg濃度が1×1020/cm3 〜1×1022/cm3 で、厚さが2〜10nmの第3pコンタクト層を、ドーパントガスを供給して、形成する工程と、
前記第3pコンタクト層上に、ITO電極を前記第3pコンタクト層に接合して形成する工程と、
を備え、
前記第1p型コンタクト層と前記第2p型コンタクト層は、その厚さの合計が20〜300nmとなるように形成する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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