JP2007214257A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1と、基板1に支持されたn−GaN層2と、n−GaN層2よりも基板1に対して離間した位置に形成されたp−Gan層7と、n−Gan層2およびp−GaN層7の間に形成されており、かつInGaNを含む活性層4と、活性層4とp−GaN層7との間に形成されており、かつInGaNを含む昇華防止層5と、昇華防止層5とp−GaN層7とに挟まれており、かつその厚さ方向においてInの組成比が上記第2窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているIn組成傾斜層6と、を備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】基板1と、基板1に支持されたn−GaN層2と、n−GaN層2よりも基板1に対して離間した位置に形成されたp−Gan層7と、n−Gan層2およびp−GaN層7の間に形成されており、かつInGaNを含む活性層4と、活性層4とp−GaN層7との間に形成されており、かつInGaNを含む昇華防止層5と、昇華防止層5とp−GaN層7とに挟まれており、かつその厚さ方向においてInの組成比が上記第2窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているIn組成傾斜層6と、を備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、GaNを含む半導体層を有する半導体発光素子およびその製造方法に関する。
図5は、従来の半導体発光素子の一例を示している。同図に示された半導体発光素子Xは、基板91上記形成されたn型半導体層であるn−GaN層92と、p型半導体層であるp−GaN層93と、重量子井戸(Multiple Quantum Well:以下MQW)構造とされた活性層94とを備えている。活性層94は、互いにInの組成比が異なるInGaNを含む半導体層が積層された構造とされている。基板91の図中下面には、n側電極95が形成されており、p−GaN層93の図中上面には、p側電極96が形成されている。活性層94は、下部クラッド層97a,97bおよび上部クラッド層98a,98bによって挟まれている。下部クラッド層97aおよび上部クラッド層98aは、InGaNを含む半導体層であり、そのIn組成比が活性層94のバリア層のIn組成比と等しいものとされている。この結果、下部クラッド層97a,97bおよび上部クラッド層98a,98bは、それぞれを挟む層どうしの格子歪を緩和する作用を発揮する。
しかしながら、半導体発光素子Xを構成する各層は、その厚さが数十nmとされた薄膜であるため、その製造工程において上述したInの組成比を調節することが困難である。たとえば、上部クラッド層98aを形成した後に上部クラッド層98bを形成する際に、互いの層の形成温度または形成ガスの違いから、上部クラッド層98aに含まれるInが昇華するなどして消失してしまうことがある。このようなことでは、上部クラッド層98aのIn組成比が不当に小さいものとなり、活性層94とp−Gan層93との格子歪を緩和することが阻害されてしまうという問題があった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供することをその課題とする。
本発明の第1の側面によって提供される半導体発光素子は、基板と、上記基板に支持された第1窒化物半導体層と、上記第1窒化物半導体層よりも上記基板に対して離間した位置に形成された第2窒化物半導体層と、上記第1および第2窒化物半導体層の間に形成されており、かつInGaNを含む活性層と、上記活性層と上記第2窒化物半導体層との間に形成されており、かつInGaNを含む昇華防止層と、上記昇華防止層と上記第2窒化物半導体層とに挟まれており、かつその厚さ方向においてInの組成比が上記第2窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているIn組成傾斜層と、を備えていることを特徴としている。
このような構成によれば、上記半導体発光素子を製造する際に、上記昇華防止層によって上記活性層に含まれるInが昇華してしまうことを防止可能である。したがって、上記活性層の組成を適切な割合とすることが可能であり、上記半導体発光素子の光量増加を図ることができる。また、上記In組成傾斜層を設けることにより、上記活性層と上記第2窒化物半導体層との格子歪を緩和することができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記昇華防止層は、そのIn組成比が0〜1%とされている。このような構成によれば、特に上記活性層からInが昇華してしまうことを防止するのに好ましい。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記昇華防止層は、その厚さが3〜20nmとされている。このような構成によれば、上記昇華防止層が薄くなりすぎることによる偏析の発生を防止することができる。また、上記昇華防止層が厚くなりすぎることによる正孔注入不足を回避することが可能である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記In組成傾斜層は、そのIn組成比が、その厚さ方向において上記昇華防止層側から上記第2窒化物半導体層側に向けて5%から0%となるように傾斜させられている。このような構成によれば、上記活性層と上記第2窒化物層との格子歪を緩和するのに好適である。
本発明の第2の側面によって提供される半導体発光素子の製造方法は、本発明の第1の側面によって提供される半導体発光素子の製造方法であって、上記昇華防止層を形成した後、上記第2窒化物半導体層を形成する前に、時間とともに成膜温度を単調上昇させながら上記In組成傾斜層を形成する工程を有することを特徴としている。
このような構成によれば、本発明の第1の側面によって提供される半導体発光素子を適切に製造することができる。特に、成膜温度を単調上昇させれば、上記In組成傾斜層のIn組成をその厚さ方向において容易かつ確実に減少させることが可能である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1は、本発明に係る半導体発光素子の一例を示している。本実施形態の半導体発光素子Aは、基板1、n−Gan層2、超格子層3、活性層4、昇華防止層5、In組成傾斜層6、およびp−Gan層7を備えている。半導体発光素子Aは、特に青色光または緑色光を発光するのに適した半導体発光素子として構成されている。
基板1は、たとえばサファイア製であり、n−Gan層2、超格子層3、活性層4、昇華防止層5、In組成傾斜層6、およびp−Gan層7を支持するためのものである。本実施形態においては、基板1は、その厚さがたとえば300〜500μm程度とされている。
n−Gan層2は、GaNにSiがドープされたことによりいわゆるn型半導体層とされており、本発明で言う第1窒化物半導体層の一例である。本発明においては、第1窒化物半導体層は、n−GaN層2のように基板1上に直接形成されたもののほかに、たとえば格子歪を緩和するためのAlN、GaN、AlGaN等からなるバッファ層を介して基板1に間接的に支持されたものを含む概念である。本実施形態においては、n−Gan層2は、その厚さが3〜6nm程度とされている。n−GaN層2には、n側電極21が形成されている。
超格子層3は、InGaN層とGaN層とが一原子層毎に交互に積層された超格子(Superlattice)構造を有する層である。本実施形態においては、超格子層3は、Inの組成比が5〜10%程度とされたInGaN層とGaN層とが5〜20層程度積層されたものとされており、その厚さが30〜60nm程度とされている。
活性層4は、InGaNを含むMQW構造とされた層であり、電子と正孔とが再結合することにより発せられる光を増幅させるための層である。活性層4は、複数のInGaN層と複数のGaN層とが交互に積層されている。上記InGaN層は、Inの組成比が15%程度とされることにより、n−GaN層2および超格子層3よりもバンドギャップが小とされており、活性層4の井戸層を構成している。上記GaN層は、活性層4のバリア層を形成している。本実施形態においては、活性層4は、上記複数のInGaN層と複数のGaN層とが3〜7層ずつ積層されており、その厚さが50〜150nm程度とされている。
昇華防止層5は、InGaNを含む層であり、半導体発光素子Aの製造工程において活性層4からInが昇華してしまうことを防止するための層である。本実施形態においては、昇華防止層5は、そのIn組成比が0〜1%とされており、その厚さが3〜20nmとされている。
In組成傾斜層6は、InGaNを含む層であり、その厚さ方向においてIn組成比が傾斜している。In組成比は、昇華防止層5側からp−GaN層7側に向かうほど小となっている。In組成傾斜層6のIn組成比は、0〜5%程度が好ましい。In組成傾斜層6は、その厚さが3〜16nm程度とされている。
p−GaN層7は、GaNにMgがドープされたことによりいわゆるp型半導体層とされており、本発明で言う第2窒化物半導体層の一例である。本実施形態においては、p−GaN層7は、その厚さが100〜1500nm程度とされている。p−GaN層7には、p側電極71が形成されている。
〔実施例1〕
図2は、上述した実施形態の実施例1における昇華防止層5およびIn組成傾斜層6のIn組成比を示している。同図に示すように、この実施例においては、昇華防止層5は、そのIn組成比が0.5%とされており、その厚さが3nmとされている。一方、In組成傾斜層6のIn組成比は、昇華防止層5側端部において0.5%とされており、p−GaN層7側端部において0%とされている。また、In組成傾斜層6のIn組成比は、その厚さ方向において昇華防止層5側からp−GaN層7に向けて線形的に単調減少とされている。In組成傾斜層6の厚さは、9nmとされている。
図2は、上述した実施形態の実施例1における昇華防止層5およびIn組成傾斜層6のIn組成比を示している。同図に示すように、この実施例においては、昇華防止層5は、そのIn組成比が0.5%とされており、その厚さが3nmとされている。一方、In組成傾斜層6のIn組成比は、昇華防止層5側端部において0.5%とされており、p−GaN層7側端部において0%とされている。また、In組成傾斜層6のIn組成比は、その厚さ方向において昇華防止層5側からp−GaN層7に向けて線形的に単調減少とされている。In組成傾斜層6の厚さは、9nmとされている。
〔実施例2〕
図3は、上述した実施形態の実施例2における昇華防止層5およびIn組成傾斜層6のIn組成比を示している。同図に示すように、この実施例においては、In組成傾斜層6のIn組成比は、昇華防止層5側端部において5%とされており、p−GaN層7側端部において0%とされている。すなわち、実施例1とは異なり、昇華防止層5とIn組成傾斜層6とが接する部分においては、In組成比が不連続とされている。
図3は、上述した実施形態の実施例2における昇華防止層5およびIn組成傾斜層6のIn組成比を示している。同図に示すように、この実施例においては、In組成傾斜層6のIn組成比は、昇華防止層5側端部において5%とされており、p−GaN層7側端部において0%とされている。すなわち、実施例1とは異なり、昇華防止層5とIn組成傾斜層6とが接する部分においては、In組成比が不連続とされている。
次に、半導体発光素子Aの製造工程について、上述した実施例1を製造する場合を例として以下に説明する。図4は、実施例1の製造工程における成膜温度の推移を示している。
まず、基板1をMOCVD法用の成膜室内に導入し、成膜室内の温度である成膜温度を1,100℃とする。次にH2ガスとN2ガスとを上記成膜室内に流すことにより、基板1を洗浄する。
次に、成膜温度を1,060℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびトリメチルガリウム(以下、TMG)ガスを上記成膜室内に供給する。この際、n型のドーパントであるSiのドープを行うためにSiH4ガスを同時に供給する。これにより、基板1上にn−GaN層2を形成する。
次に、成膜温度を700〜800℃、たとえば約760℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、トリエチルガリウム(以下、TEG)ガスおよびトリメチルインジウム(以下、TMIn)ガスを上記成膜室内に供給する。これにより、Inの組成比が5〜10%程度とされたInGaN層を形成する。このIngaN層の形成に引き続いて、上記成膜室内に、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびTMGガスを供給する。これにより、GaN層を形成する。このInGaN層とGaN層との形成を5〜20回程度繰り返すことにより、厚さが30〜60程度の超格子層3を形成する。
次に、成膜温度を700〜800℃、たとえば約760℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、TEGガスおよびトリメチルインジウム(以下、TMIn)ガスを上記成膜室内に供給する。これにより、Inの組成比が15%程度である井戸層としてのInGaN層を形成する。
上記井戸層を形成した後は、成膜温度を760℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびTMGガスを供給する。これにより、バリア層としてのGaN層を形成する。
この後、上述した井戸層としてのInGaN層およびバリア層としてのGaN層の形成を交互に行う。それぞれの層を3〜7層程度形成することにより、MQW構造を有する活性層4が得られる。
次に、成膜温度を700〜800℃、たとえば約760℃とした状態で、NH3ガス、N2ガス、TEGガスおよびトリメチルインジウム(以下、TMIn)ガスを上記成膜室内に供給する。これにより、活性層4上にIn組成比が0.5%である昇華防止層5を形成する。昇華防止層5の厚さは、3nmとする。
次に、成膜温度を約760℃から1010℃まで徐々に上げながら、NH3ガス、N2ガス、TEGガスおよびTMInガスを上記成膜室内に供給する。これにより、In組成比がその厚さ方向において0.5%から0%へと減少するように傾斜したIn組成傾斜層6を形成する。In組成傾斜層6の厚さは、9nmとする。
次に、成膜温度を1,010℃とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびTMGガスを供給する。この際、p型のドーパントであるMgのドープを行うために、Cp2Mgガスを同時に供給する。これにより、p−GaN層7を形成する。この後は、n側電極21およびp側電極71を形成することにより、半導体発光素子Aの製造が完了する。
次に、半導体発光素子Aの作用について説明する。
本実施形態によれば、活性層4が昇華防止層5によって覆われた状態でIn組成傾斜層6およびp−GaN層7を形成する。このため、活性層4が1,000℃以上の高温で露出させられることがない。したがって、活性層4からInが昇華してしまうことを適切に防止可能であり、半導体発光素子Aの光量増加を図ることができる。特に、実施例1として示したように、昇華防止層5のIn組成比を0.5%とすれば、Inの昇華防止に好適である。なお、昇華防止層5のIn組成比を0〜1%とすれば、活性層4からのInの昇華防止と、格子歪の増大防止とを図ることができる。また、昇華防止層5の厚さを3nm以上とすれば、昇華防止層5が薄すぎることによる偏析の発生を防止することが可能である。さらに昇華防止層5の厚さを20nm以下とすれば、p−GaN層7から活性層4への正孔注入が不足するといった事態を回避することができる。
また、実施例1によれば、活性層4および昇華防止層5とp−GaN層7とは、In組成傾斜層6によってこれらのIn組成比が連続した状態で接合される。これにより、活性層4とp−GaN層7との間に過大な格子歪が発生することを好適に抑制することが可能である。したがって、上記半導体発光素子Aの積層構造が破壊されることなどを適切に防止することができる。一方、本発明における昇華防止層5とIn組成傾斜層6とは、互いのIn組成比が連続とされたものに限らず、実施例2に示す構成のように、In組成傾斜層6のIn組成比を適正に傾斜させることにより、上述した過大な格子歪の発生を抑制することができる。
超格子層3は、その厚さ方向の電気抵抗よりも厚さ方向と垂直である方向の電気抵抗の方が小である構成とすることができる。これにより、超格子層3の全面にわたって均一に電流を流すことが可能であり、その一部分に局所的に電流が流れてしまうこと回避することができる。したがって、半導体発光素子Aの大電流化および光量増加を図るのに適している。
半導体発光素子Aの製造において、In組成傾斜層6を形成する際には、成膜温度が高いほどInの組成比を低下させることができる。叙述したように、In組成傾斜層6の形成において、成膜温度を時間とともに単調上昇させれば、In組成傾斜層6の厚さ方向においてIn組成比を単調減少させることが可能である。特に、成膜温度とIn組成比とはよく対応するため、In組成傾斜層6のIn組成比を正確にコントロールすることができる。したがって、活性層4とp−GaN層7との格子歪を緩和するのに好適である。
本発明に係る半導体発光素子およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光素子およびその製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
In組成傾斜層におけるIn組成は、その厚さ方向について線形的に傾斜するものに限定されず、たとえば複次曲線的に傾斜するものなどを含む。活性層は、InGaN層とGaN層との組み合わせに代えて、互いのIn組成比が異なる2種類のInGaN層を交互に積層させた構成としても良い。また、本発明で言う活性層は、MQW構造に限定されない。本発明に係る半導体発光素子は、青色および緑色光のほかに白色光など、様々な波長の光を発する構成とすることができる。
A 半導体発光素子
1 基板
2 n−GaN層(第1窒化物半導体層)
3 超格子層
4 活性層
5 昇華防止層
6 In組成傾斜層
7 p−GaN層(第2窒化物半導体層)
21 n側電極
71 p側電極
1 基板
2 n−GaN層(第1窒化物半導体層)
3 超格子層
4 活性層
5 昇華防止層
6 In組成傾斜層
7 p−GaN層(第2窒化物半導体層)
21 n側電極
71 p側電極
Claims (5)
- 基板と、
上記基板に支持された第1窒化物半導体層と、
上記第1窒化物半導体層よりも上記基板に対して離間した位置に形成された第2窒化物半導体層と、
上記第1および第2窒化物半導体層の間に形成されており、かつInGaNを含む活性層と、
上記活性層と上記第2窒化物半導体層との間に形成されており、かつInGaNを含む昇華防止層と、
上記昇華防止層と上記第2窒化物半導体層とに挟まれており、かつその厚さ方向においてInの組成比が上記第2窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているIn組成傾斜層と、
を備えていることを特徴とする、半導体発光素子。 - 上記昇華防止層は、そのIn組成比が0〜1%とされている、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 上記昇華防止層は、その厚さが3〜20nmとされている、請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 上記In組成傾斜層は、そのIn組成比が、その厚さ方向において上記昇華防止層側から上記第2窒化物半導体層側に向けて5%から0%となるように傾斜させられている、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法であって、
上記昇華防止層を形成した後、上記第2窒化物半導体層を形成する前に、時間とともに成膜温度を単調上昇させながら上記In組成傾斜層を形成する工程を有することを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。
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