JP2002261395A - 半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 初期劣化率が低くて長寿命で動作電流の経時
変化が極めて少なく、発光むらも極めて少ない、窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を
実現する。 【解決手段】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用
いた半導体発光素子において、ＩｎおよびＧａを含む第
１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えばＩｎＧ
ａＮからなる活性層７と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えばＩｎＧａＮから
なる中間層８と、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えばｐ型ＡｌＧａＮから
なるキャップ層８とを順次接触して積層する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造
方法に関し、特に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を用いた半導体レーザや発光ダイオードあるいは電子走
行素子に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクの高密度化に必要であ
る青色領域から紫外線領域におよぶ発光が可能な半導体
レーザとして、ＡｌＧａＩｎＮなどの窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの研究開発が盛
んに行われている。
【０００３】この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
用いた半導体レーザとして、特許第２７８０６９１号お
よび特許第２７３５０５７号に開示されたものがある。
前者の半導体レーザは、ＩｎおよびＧａを含む窒化物半
導体よりなり、第１および第２の面を有する量子井戸構
造の活性層を備え、この活性層の第１の面に接してＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体
層を備え、活性層の第２の面に接してＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備えてい
る。また、後者の半導体レーザは、ＩｎおよびＧａを含
む窒化物半導体よりなり、第１および第２の面を有する
活性層と、この活性層の第２の面側に設けられたｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ型コンタクト層との間に、活性層よりも
バンドギャップエネルギーが大きく、かつＩｎおよびＧ
ａを含むｐ型窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド
層を備え、この第１のｐ型クラッド層が活性層の第２の
面に接して形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の検討によれば、上記の特許第２７８０６９１号に開
示された技術により半導体レーザを製造した場合には、
レーザの寿命試験において初期劣化率が高く、時間の増
加とともに動作電流が徐々に増大する傾向が見られた。
また、エレクトロルミネッセンス発光においても、顕著
な発光むらが観測された。一方、上記の特許第２７３５
０５７号に開示された技術により製造した半導体レーザ
では、さらに顕著な初期劣化率の増大が見られた。
【０００５】したがって、この発明が解決しようとする
課題は、初期劣化率が十分に低くて長寿命で、動作電流
の経時変化が極めて少なく、発光むらも極めて少ない、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光
素子およびそのような半導体発光素子を容易に製造する
ことができる半導体発光素子の製造方法を提供すること
にある。
【０００６】より一般的には、この発明が解決しようと
する課題は、長寿命で経時変化も極めて少ない、窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置および
そのような半導体装置を容易に製造することができる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】この発明が解決しようとする他の課題は、
光導波層の結晶性を良好とすることができることにより
長寿命で、しかも特に半導体レーザでは遠視野像におけ
る光強度分布の対称性が高く、放射角（ビーム拡がり
角）のアスペクト比の低減を図ることができる、窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子お
よびそのような半導体発光素子を容易に製造することが
できる半導体発光素子の製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】より一般的には、この発明が解決しようと
する他の課題は、長寿命で特性の良好な、窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置およびそのよ
うな半導体装置を容易に製造することができる半導体装
置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討を行った。その概要について説
明すると、次のとおりである。窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、一般的
に、ＩｎＧａＮなどからなる活性層上に１０００℃程度
の高い成長温度でｐ型光導波層やｐ型クラッド層を成長
させる際に、活性層からのＩｎの脱離による劣化を防止
したり、活性層に注入される電子のオーバーフローを防
止したりするために、活性層を成長させた後にＡｌ組成
が約０．２程度と高い厚さ２０ｎｍ程度のｐ型ＡｌＧａ
Ｎからなるキャップ層を活性層と同じ温度で成長させ、
その後に成長温度を上げてｐ型光導波層やｐ型クラッド
層を成長させるようにしている。ところが、本発明者の
知見によれば、この構造では、Ｉｎの脱離による活性層
の劣化は抑えられるものの、キャップ層と活性層との格
子定数差がかなり大きいため、キャップ層に接している
活性層に大きな応力が発生し、これが活性層の劣化の原
因となる。また、ｐ型層のｐ型ドーパントとしてはＭｇ
が一般的に用いられているが、このｐ型層中のＭｇが活
性層に拡散することも、活性層の劣化の原因となる。
【００１０】本発明者は、種々実験を行った結果、活性
層とキャップ層との間にＩｎＧａＮなどのＩｎおよびＧ
ａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を介在さ
せることにより、これらの問題を一挙に解決することが
できることを見い出した。さらに検討を行った結果、多
重量子井戸構造の活性層の最上層の障壁層を成長させた
後、Ｉｎ原料の流量を同一に保って、ＩｎＧａＮなどの
Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長さ
せる場合、そのＩｎ量を成長温度で良好に制御すること
ができることを見い出した。そして、これを利用すれ
ば、ＩｎＧａＮなどのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を成長させる場合、成長中に成長温度を上
昇させることが可能となり、それによってキャップ層の
成長温度を高くすることができることにより結晶性がよ
り向上することから、キャップ層の厚さをより小さくす
ることができ、最も顕著な場合には、活性層からのＩｎ
の離脱を防止する目的だけに限ると、キャップ層を設け
る必要さえなくすことができる。
【００１１】一方、上述のキャップ層をレーザ構造、よ
り具体的には活性層とｐ型クラッド層との間のどの位置
に設けるかについては、まだ改善の余地がある。そこ
で、キャップ層を設ける位置の最適化を、設計の自由度
の確保を考慮しつつ行った。その結果、光導波層の結晶
性を良好にしたり、遠視野像における光強度分布の対称
性の向上を図ったりする観点から、いくつかの最適位置
を見い出した。さらに、キャップ層を設ける位置の最適
化に加えて、活性層に接して上述のＩｎＧａＮなどのＩ
ｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層を設けることにより、様々な効果を得ることができる
ことを見い出した。
【００１２】以上は半導体レーザについてであるが、同
様な層構造を有する限り、発光ダイオードやトランジス
タのような電子走行素子などの半導体装置全般に有効と
考えられる。この発明は、本発明者による以上の検討に
基づいてさらに検討を行った結果、案出されたものであ
る。
【００１３】すなわち、上記課題を解決するために、こ
の発明の第１の発明は、ＩｎおよびＧａを含む第１の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、活
性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接し
た、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなるキャップ層とを有することを特徴
とする半導体発光素子である。
【００１４】この発明の第２の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、光導波層またはクラッド層として用い
られるＧａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなるｐ型層とを有することを特徴とする半導体
発光素子である。
【００１５】この発明の第３の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接したＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層とを有する
半導体発光素子の製造方法であって、活性層を成長させ
た後、成長温度を上昇させながら中間層を成長させるよ
うにしたことを特徴とするものである。
【００１６】この発明の第４の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、
中間層に接した、光導波層またはクラッド層として用い
られるＧａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなるｐ型層とを有する半導体発光素子の製造方
法であって、活性層を成長させた後、成長温度を上昇さ
せながら中間層を成長させるようにしたことを特徴とす
るものである。
【００１７】この発明の第５の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接し
た、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなるキャップ層とを有することを特徴
とする半導体装置である。
【００１８】この発明の第６の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接し
た、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体からなるｐ型層とを有することを特徴とする半導体装
置である。
【００１９】この発明の第７の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接し
た、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなるキャップ層とを有する半導体装置
の製造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体からなる層を成長させた後、成長温度を上昇さ
せながら中間層を成長させるようにしたことを特徴とす
るものである。
【００２０】この発明の第８の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接し
た、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体からなるｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であ
って、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層を成長させた後、成長温度を上昇させながら中間層
を成長させるようにしたことを特徴とするものである。
【００２１】この発明において、ＩｎおよびＧａを含む
第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体および第２の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、ＩｎおよびＧａ
以外のＩＩＩ族元素、例えばＡｌやＢなどを含むことも
あり、Ｖ族元素としてＡｓやＰなどを含むこともある。
また、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体は、ＡｌおよびＧａ以外のＩＩＩ族元
素、例えばＩｎやＢなどを含むこともあり、Ｖ族元素と
してＡｓやＰなどを含むこともある。また、Ｇａを含む
第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体および第５の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇａ以外のＩＩ
Ｉ族元素、例えばＩｎやＡｌやＢなどを含むこともあ
り、Ｖ族元素としてＡｓやＰなどを含むこともある。
【００２２】中間層を構成する第２の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体は、典型的には、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ
（ただし、０≦ｘ＜１）である。中間層は、典型的には
アンドープであり、通常ｎ型である。キャップ層を構成
する第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、典型
的には、Ａｌy Ｇａ1-y Ｎ（ただし、０≦ｙ＜１）であ
る。キャップ層を設けることによる効果を十分に得る観
点から、好適にはキャップ層の厚さは２ｎｍ以上とす
る。一方、キャップ層の厚さが大きすぎると、その組成
によっては結晶性が劣化することから、これを防止する
ために、好適にはキャップ層の厚さは１０ｎｍ以下とす
る。キャップ層に接した、Ｇａを含む第４の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層を有することも
あり、このｐ型層を構成する第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体は、例えば、ＧａＮまたはＩｎz Ｇａ
1-z Ｎ（ただし、０≦ｚ＜１）である。
【００２３】第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなる活性層または第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体からなる層は、典型的には、井戸層と障壁層と
からなる多重量子井戸構造を有し、中間層のＩｎ組成は
障壁層のＩｎ組成と同じか、または、より小さい。Ｉｎ
組成の分布は各種のものであってよいが、成長温度を徐
々に上昇させながら中間層を成長させることにより、第
１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層
または第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層から離れるにしたがってＩｎ組成が徐々に減少する
中間層を得ることができる。典型的には、中間層に含ま
れるＩｎは、５×１０19ｃｍ-3以下である。中間層の厚
さは、その組成の選択との兼ね合いで、この中間層によ
る活性層または第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体層の劣化防止効果を有効に得ることができるように決
定されるが、一般的には８ｎｍ以上、好適には１０ｎｍ
以上に選ばれる。
【００２４】第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型層中には、典型的にはＩｎが１×１０17ｃ
ｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下含まれる。窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる基板としては、種
々のものを用いることができ、具体的には、サファイア
基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基
板、ＩｎＰ基板、スピネル基板、酸化シリコン基板など
のほか、厚いＧａＮ層などの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体層からなる基板を用いてもよい。
【００２５】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長
方法としては、例えば、有機金属化学気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）、ハイドライド気相エピタキシャル成長またはハ
ライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）などを用い
ることができる。半導体装置は、具体的には、例えば、
半導体レーザや発光ダイオードのような発光素子あるい
はＦＥＴやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電
子走行素子である。
【００２６】この発明の第９の発明は、ＩｎおよびＧａ
を含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導
波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、キャッ
プ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
【００２７】この発明の第１０の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導波層に接
した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなるキャップ層と、キャップ層に接
した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異な
るＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有することを特
徴とする半導体発光素子である。
【００２８】この発明の第１１の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層
と、第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
プ層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層
と、第２の光導波層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
ド層とを有することを特徴とする半導体発光素子であ
る。
【００２９】この発明の第１２の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、第１の
光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、第２の光
導波層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有す
ることを特徴とする半導体発光素子である。
【００３０】この発明の第１３の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層
と、第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
形成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層に
接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる第２の光導波層と、第２の光導波層に接
した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異な
るＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有することを特
徴とする半導体発光素子である。
【００３１】この発明の第１４の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、第１の
光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された
超格子からなるキャップ層と、キャップ層に接した、Ｇ
ａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる第２の光導波層と、第２の光導波層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型クラッド層とを有することを特徴とする半
導体発光素子である。
【００３２】この発明の第１５の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光
導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超
格子からなるキャップ層と、キャップ層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型クラッド層とを有することを特徴とする半
導体発光素子である。
【００３３】この発明の第１６の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間
層と、中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導波層に
接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型クラッド層とを有することを特徴とする半導体発光
素子である。
【００３４】この発明の第１７の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光
導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、キャ
ップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有す
る半導体発光素子の製造方法であって、活性層、光導波
層およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を
主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、ｐ型ク
ラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス
雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴とするもの
である。
【００３５】この発明の第１８の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光
導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、キャ
ップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有す
る半導体発光素子の製造方法であって、活性層、光導波
層およびキャップ層をｐ型クラッド層の成長温度よりも
低い成長温度で成長させるようにしたことを特徴とする
ものである。
【００３６】この発明の第１９の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導波層に接
した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなるキャップ層と、キャップ層に接
した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異な
るＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発
光素子の製造方法であって、活性層、中間層、光導波層
およびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主
成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、ｐ型クラ
ッド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰
囲気中で成長させるようにしたことを特徴とするもので
ある。
【００３７】この発明の第２０の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導波層に接
した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなるキャップ層と、キャップ層に接
した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異な
るＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発
光素子の製造方法であって、活性層、中間層、光導波層
およびキャップ層をｐ型クラッド層の成長温度よりも低
い成長温度で成長させるようにしたことを特徴とするも
のである。ここで、典型的には、活性層および中間層
は、光導波層およびキャップ層の成長温度よりも低い成
長温度で成長させる。
【００３８】この発明の第２１の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層
と、第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
プ層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層
と、第２の光導波層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、活
性層、第１の光導波層およびキャップ層は、実質的に水
素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中
で成長させ、第２の光導波層およびｐ型クラッド層は、
窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成
長させるようにしたことを特徴とするものである。
【００３９】この発明の第２２の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層
と、第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
プ層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層
と、第２の光導波層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、活
性層、第１の光導波層およびキャップ層を第２の光導波
層およびｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度
で成長させるようにしたことを特徴とするものである。
【００４０】この発明の第２３の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、第１の
光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、第２の光
導波層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有す
る半導体発光素子の製造方法であって、活性層、中間
層、第１の光導波層およびキャップ層は、実質的に水素
を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で
成長させ、第２の光導波層およびｐ型クラッド層は、窒
素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長
させるようにしたことを特徴とするものである。
【００４１】この発明の第２４の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、第１の
光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、第２の光
導波層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有す
る半導体発光素子の製造方法であって、活性層、中間
層、第１の光導波層およびキャップ層を第２の光導波層
およびｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で
成長させるようにしたことを特徴とするものである。こ
こで、典型的には、活性層は、中間層、第１の光導波層
およびキャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長
させる。
【００４２】この発明の第２５の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層
と、第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
形成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層に
接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる第２の光導波層と、第２の光導波層に接
した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異な
るＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発
光素子の製造方法であって、活性層、第１の光導波層お
よびキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成
分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、第２の光導
波層およびｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分と
するキャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたこと
を特徴とするものである。
【００４３】この発明の第２６の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層
と、第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
形成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層に
接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる第２の光導波層と、第２の光導波層に接
した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異な
るＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発
光素子の製造方法であって、活性層、第１の光導波層お
よびキャップ層を第２の光導波層およびｐ型クラッド層
の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
【００４４】この発明の第２７の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、第１の
光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された
超格子からなるキャップ層と、キャップ層に接した、Ｇ
ａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる第２の光導波層と、第２の光導波層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子の製
造方法であって、活性層、中間層、第１の光導波層およ
びキャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分
とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、第２の光導波
層およびｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とす
るキャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを
特徴とするものである。
【００４５】この発明の第２８の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層
と、中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、第１の
光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された
超格子からなるキャップ層と、キャップ層に接した、Ｇ
ａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる第２の光導波層と、第２の光導波層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子の製
造方法であって、活性層、中間層、第１の光導波層およ
びキャップ層を第２の光導波層およびｐ型クラッド層の
成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにしたこ
とを特徴とするものである。ここで、典型的には、活性
層および中間層は、第１の光導波層およびキャップ層の
成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
【００４６】この発明の第２９の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光
導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超
格子からなるキャップ層と、キャップ層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子の製
造方法であって、活性層、光導波層およびキャップ層
は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリ
アガス雰囲気中で成長させ、ｐ型クラッド層は、窒素と
水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ
るようにしたことを特徴とするものである。
【００４７】この発明の第３０の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光
導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超
格子からなるキャップ層と、キャップ層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子の製
造方法であって、活性層、光導波層およびキャップ層を
ｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長さ
せるようにしたことを特徴とするものである。
【００４８】この発明の第３１の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間
層と、中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導波層に
接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法で
あって、活性層、中間層、光導波層およびキャップ層
は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリ
アガス雰囲気中で成長させ、ｐ型クラッド層は、窒素と
水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させ
るようにしたことを特徴とするものである。
【００４９】この発明の第３２の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる活性層と、活性層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間
層と、中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、光導波層に
接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法で
あって、活性層、中間層、光導波層およびキャップ層を
ｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長さ
せるようにしたことを特徴とするものである。ここで、
典型的には、活性層および中間層は、光導波層およびキ
ャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させる。
【００５０】この発明の第３３の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型層とを有することを特徴とする半導体装置である。
【００５１】この発明の第３４の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ
層と、キャップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有
することを特徴とする半導体装置である。
【００５２】この発明の第３５の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第
９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、
第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層に
接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異
なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなるｐ型層とを有することを特徴とす
る半導体装置である。
【００５３】この発明の第３６の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ
層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、第９の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型層とを有することを特徴とする半導体装置
である。
【００５４】この発明の第３７の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によ
り障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第９の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型層とを有することを特徴とする半導体装置である。
【００５５】この発明の第３８の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形
成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層に接
した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有
することを特徴とする半導体装置である。
【００５６】この発明の第３９の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によ
り障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有すること
を特徴とする半導体装置である。
【００５７】この発明の第４０の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、中間層
に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む
第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層
が形成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層
に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と
異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなるｐ型層とを有することを特徴と
する半導体装置である。
【００５８】この発明の第４１の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であって、第１
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、第６
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および
キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分と
するキャリアガス雰囲気中で成長させ、ｐ型層は、窒素
と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
せるようにしたことを特徴とするものである。
【００５９】この発明の第４２の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であって、第１
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、第６
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および
上記キャップ層をｐ型層の成長温度よりも低い成長温度
で成長させるようにしたことを特徴とするものである。
【００６０】この発明の第４３の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ
層と、キャップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有
する半導体装置の製造方法であって、第１の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、中間層、第６の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびキャ
ップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とする
キャリアガス雰囲気中で成長させ、ｐ型層は、窒素と水
素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長させる
ようにしたことを特徴とするものである。
【００６１】この発明の第４４の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ
層と、キャップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有
する半導体装置の製造方法であって、第１の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、中間層、第６の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびキャ
ップ層をｐ型層の成長温度よりも低い成長温度で成長さ
せるようにしたことを特徴とするものである。ここで、
典型的には、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなる層および中間層は、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層およびキャップ層の成長温度
よりも低い成長温度で成長させる。
【００６２】この発明の第４５の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第
９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、
第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層に
接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異
なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体装置の製
造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含
まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長
させ、第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る層およびｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキャ
リアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴と
するものである。
【００６３】この発明の第４６の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なるキャップ層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第
９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、
第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層に
接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異
なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体装置の製
造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層およびキャップ層を第９の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびｐ型層の成長温
度よりも低い成長温度で成長させるようにしたことを特
徴とするものである。
【００６４】この発明の第４７の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ
層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、第９の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であっ
て、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
層、中間層、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなる層およびキャップ層は、実質的に水素を含ま
ず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
せ、第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
層およびｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリ
アガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴とす
るものである。
【００６５】この発明の第４８の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ
層と、キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、第９の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよ
びＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなるｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であっ
て、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
層、中間層、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
からなる層およびキャップ層を第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層およびｐ型層の成長温度よ
りも低い成長温度で成長させるようにしたことを特徴と
するものである。ここで、典型的には、第１の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層は、中間層、第８
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および
キャップ層の成長温度よりも低い成長温度で成長させ
る。
【００６６】この発明の第４９の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によ
り障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第９の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であって、第１
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、第８
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および
キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分と
するキャリアガス雰囲気中で成長させ、第９の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびｐ型クラッ
ド層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲
気中で成長させるようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００６７】この発明の第５０の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によ
り障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第９の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、第３の窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを
含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
ｐ型層とを有する半導体装置の製造方法であって、第１
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、第８
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および
上記キャップ層を第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層および上記ｐ型層の成長温度よりも低い
成長温度で成長させるようにしたことを特徴とするもの
である。
【００６８】この発明の第５１の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形
成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層に接
した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有
する半導体装置の製造方法であって、第１の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、中間層、第８の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびキャ
ップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とする
キャリアガス雰囲気中で成長させ、第９の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびｐ型層は、窒素
と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
せるようにしたことを特徴とするものである。
【００６９】この発明の第５２の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、中間層に接
した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形
成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層に接
した、Ｇａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層と、第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有
する半導体装置の製造方法であって、第１の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層、中間層、第８の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層およびキャ
ップ層を第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層およびｐ型層の成長温度よりも低い成長温度で成
長させるようにしたことを特徴とするものである。ここ
で、典型的には、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体からなる層および中間層は、第８の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層およびキャップ層よりも
低い成長温度で成長させる。
【００７０】この発明の第５３の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によ
り障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導
体装置の製造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的
に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲
気中で成長させ、ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とす
るキャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを
特徴とするものである。
【００７１】この発明の第５４の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧ
ａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によ
り障壁層が形成された超格子からなるキャップ層と、キ
ャップ層に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導
体装置の製造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層およびキャップ層をｐ型層の
成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにしたこ
とを特徴とするものである。
【００７２】この発明の第５５の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、中間層
に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む
第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層
が形成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層
に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と
異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体装置の
製造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層、中間層、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層およびキャップ層は、実質的
に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲
気中で成長させ、ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とす
るキャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを
特徴とするものである。
【００７３】この発明の第５６の発明は、ＩｎおよびＧ
ａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる層と、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層に接した、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、中間層
に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体からなる層と、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体からなる層に接した、ＡｌおよびＧａを含む
第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層
が形成された超格子からなるキャップ層と、キャップ層
に接した、第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と
異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体装置の
製造方法であって、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層、中間層、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層およびキャップ層をｐ型クラ
ッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるよう
にしたことを特徴とするものである。ここで、典型的に
は、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
層および中間層は、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体からなる層およびキャップ層の成長温度よりも低
い成長温度で成長させる。
【００７４】この発明の第９〜第５６の発明において、
Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、
第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体および第９の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、Ｇａ以外のＩＩ
Ｉ族元素、例えばＩｎやＡｌやＢなどを含むこともあ
り、Ｖ族元素としてＡｓやＰなどを含むこともある。ま
た、ＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体は、ＡｌおよびＧａ以外のＩＩＩ族元素、
例えばＩｎやＢなどを含むこともあり、Ｖ族元素として
ＡｓやＰなどを含むこともある。
【００７５】この発明の第９〜第５６の発明において、
典型的には、キャップ層のバンドギャップはｐ型クラッ
ド層あるいはｐ型層のバンドギャップより大きい。キャ
ップ層を設けることによる効果を十分に得る観点から、
好適にはキャップ層の厚さは２ｎｍ以上とする。一方、
キャップ層の厚さが大きすぎると、その組成によっては
結晶性が劣化することから、これを防止するために、好
適にはキャップ層の厚さは２０ｎｍ以下とする。また、
光導波層、第１の光導波層、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体からなる層あるいは第８の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる層は、Ｍｇなどのｐ型不
純物をドープするとアンドープの場合に比べてかえって
抵抗率が高くなることから、好適にはアンドープとす
る。アンドープの光導波層、第１の光導波層、第６の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層あるいは第
８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層は、
ｎ型伝導性を示す。これらの光導波層、第１の光導波
層、第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
層あるいは第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体か
らなる層の厚さは、一般的には８ｎｍ以上とし、典型的
には１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００７６】半導体発光素子あるいは半導体装置の各層
の成長時のキャリアガス雰囲気については、より低抵抗
の層を得る観点から、最も好適には、実質的に水素を含
まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気としてＮ
2 ガス雰囲気を用い、窒素と水素とを主成分とするキャ
リアガス雰囲気としてＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気を
用いる。この発明の第９〜第５６の発明において、上記
以外のことについては、その性質に反しない限り、この
発明の第１〜第８の発明に関連して述べたことが成立す
る。
【００７７】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、活性層または第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体層に接して、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層が設けられている
ことにより、この中間層の存在により、キャップ層など
により活性層または第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層に発生する応力を大幅に緩和することができ、
あるいは、ｐ型ドーパントとして用いられるＭｇの活性
層または第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層へ
の拡散を有効に抑制することができる。
【００７８】また、キャップ層を設ける位置の最適化に
より、活性層にキャップ層を隣接させて設けたり、活性
層に中間層を介してキャップ層を設けたりする場合に比
べて光導波層あるいは第１の光導波層の結晶性を良好に
することができ、あるいはこれらの光導波層あるいは第
１の光導波層の厚さの最適化を図ることができる。
【００７９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００８０】図１は、この発明の第１の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザを示す。このＧａＮ系半導体レー
ザは、リッジ構造およびＳＣＨ（Separate Confinement
Heterostructure）構造を有するものである。
【００８１】図１に示すように、この第１の実施形態に
よるＧａＮ系半導体レーザにおいては、ｃ面サファイア
基板１上に、低温成長によるアンドープＧａＮバッファ
層２を介して、ＥＬＯなどの横方向結晶成長技術を用い
て成長されたアンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光
導波層６、例えばアンドープのＩｎx Ｇａ1-x Ｎ／Ｉｎ
y Ｇａ1-y Ｎ多重量子井戸構造の活性層７、ｎ型のアン
ドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、ｐ型ＡｌＧａＮキャッ
プ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層１１およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２が順次積
層されている。
【００８２】ここで、アンドープＧａＮバッファ層２は
厚さが例えば３０ｎｍである。アンドープＧａＮ層３は
厚さが例えば０．５μｍである。ｎ型ＧａＮコンタクト
層４は厚さが例えば４μｍであり、ｎ型不純物として例
えばシリコン（Ｓｉ）がドープされている。ｎ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層５は厚さが例えば１．０μｍであり、ｎ
型不純物として例えばＳｉがドープされ、Ａｌ組成は例
えば０．０７である。ｎ型ＧａＮ光導波層６は厚さが例
えば０．１μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳｉが
ドープされている。また、アンドープＩｎx Ｇａ1-x Ｎ
／Ｉｎy Ｇａ1- y Ｎ多重量子井戸構造の活性層７は、例
えば、井戸層としてのＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層の厚さが３．
５ｎｍでｘ＝０．１４、障壁層としてのＩｎy Ｇａ1-y
Ｎ層の厚さが７ｎｍでｙ＝０．０２、井戸数が３であ
る。
【００８３】アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８は、活
性層７に接している面から、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層
９に接している面に向かってＩｎ組成が徐々に単調減少
するグレーディッド構造を有し、活性層７に接している
面におけるＩｎ組成は活性層７の障壁層としてのＩｎy
Ｇａ1-y Ｎ層のＩｎ組成ｙと一致しており、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層９に接している面におけるＩｎ組成は０
となっている。このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８
の厚さは例えば２０ｎｍである。
【００８４】ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９は厚さが例え
ば１０ｎｍであり、ｐ型不純物として例えばマグネシウ
ム（Ｍｇ）がドープされている。このｐ型ＡｌＧａＮキ
ャップ層９のＡｌ組成は例えば０．２である。すでに述
べたように、このｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９は、ｐ型
ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１お
よびｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成長時に活性層７か
らＩｎが脱離して劣化するのを防止するとともに、活性
層９からのキャリア（電子）のオーバーフローを防止す
るためのものである。ｐ型ＧａＮ光導波層１０は厚さが
例えば０．１μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇ
がドープされている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１は
厚さが例えば０．５μｍであり、ｐ型不純物として例え
ばＭｇがドープされ、Ａｌ組成は例えば０．０７であ
る。ｐ型ＧａＮコンタクト層１２は厚さが例えば０．１
μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされ
ている。
【００８５】ｎ型ＧａＮコンタクト層４の上層部、ｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性
層７、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０およびｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層１１は所定幅のメサ形状を有す
る。このメサ部におけるｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１
の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３には、例え
ば〈１１−２０〉方向に延在するリッジ１３が形成され
ている。このリッジ１３の幅は例えば３μｍである。
【００８６】上記のメサ部の全体を覆うように例えば厚
さが０．３μｍのＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１４が設け
られている。この絶縁膜１４は、電気絶縁および表面保
護のためのものである。この絶縁膜１４のうちのリッジ
１３の上の部分には開口１４ａが設けられており、この
開口１４ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層１３にｐ側
電極１５が接触している。このｐ側電極１５は、Ｐｄ
膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次積層した構造を有し、Ｐ
ｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０
ｎｍ、１００ｎｍおよび３００ｎｍである。一方、絶縁
膜１４のうちのメサ部に隣接する所定部分には開口１４
ｂが設けられており、この開口１４ｂを通じてｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層４にｎ側電極１６が接触している。この
ｎ側電極１６は、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次積
層した構造を有し、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さ
は例えばそれぞれ１０ｎｍ、５０ｎｍおよび１００ｎｍ
である。
【００８７】このＧａＮ系半導体レーザの要部のエネル
ギーバンド構造（伝導帯）を図２に示す。図２におい
て、Ｅc は伝導帯の下端のエネルギーを示す。
【００８８】次に、この第１の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法について説明する。
【００８９】まず、あらかじめサーマルクリーニングな
どにより表面を清浄化したｃ面サファイア基板１上に有
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により例えば５０
０℃程度の温度でアンドープＧａＮバッファ層２を成長
させた後、例えばＥＬＯなどの横方向結晶成長技術を用
いて例えば１０００℃の成長温度で、アンドープＧａＮ
層３を成長させる。
【００９０】引き続いて、アンドープＧａＮ層３上に、
ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、アン
ドープのＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子
井戸構造の活性層７、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層
８、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層
１０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層１２を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含
まない層であるｎ型ＧａＮコンタクト層４、ｎ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１１およびｐ型ＧａＮコンタクト層１
２の成長温度は例えば１０００℃程度とし、Ｉｎを含む
層であるＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子
井戸構造の活性層７の成長温度は例えば７００〜８００
℃、例えば７３０℃とする。アンドープＩｎＧａＮ劣化
防止層８の成長温度は、成長開始時点は活性層７の成長
温度と同じく例えば７３０℃に設定し、その後例えば直
線的に上昇させ、成長終了時点でｐ型ＡｌＧａＮキャッ
プ層９の成長温度と同じく例えば８３５℃になるように
する。
【００９１】これらのＧａＮ系半導体層の成長原料は、
例えば、Ｇａの原料としてはトリメチルガリウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ、ＴＭＧ）、Ａｌの原料としてはトリメチ
ルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ、ＴＭＡ）、Ｉｎの
原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉ
ｎ、ＴＭＩ）を、Ｎの原料としてはＮＨ3 を用いる。ま
た、キャリアガスとしては、例えば、Ｈ2 を用いる。ド
ーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例えばシ
ラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型ドーパントとしては例えばビ
ス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ
3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエ
ニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用いる。
【００９２】次に、上述のようにしてＧａＮ系半導体層
を成長させたｃ面サファイア基板１をＭＯＣＶＤ装置か
ら取り出す。そして、ｐ型ＧａＮコンタクト層１２の全
面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法な
どにより例えば厚さが０．１μｍのＳｉＯ2 膜（図示せ
ず）を形成した後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィー
によりメサ部の形状に対応した所定形状のレジストパタ
ーン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマ
スクとして、例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウ
エットエッチング、または、ＣＦ4 やＣＨＦ3 などのフ
ッ素を含むエッチングガスを用いたＲＩＥ法によりＳｉ
Ｏ2 膜をエッチングし、パターニングする。次に、この
所定形状のＳｉＯ2 膜をマスクとして例えばＲＩＥ法に
よりｎ型ＧａＮコンタクト層４に達するまでエッチング
を行う。このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩
素系ガスを用いる。このエッチングにより、ｎ型ＧａＮ
コンタクト層４の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性層７、アンドープＩｎ
ＧａＮ劣化防止層８、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ
型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１
およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２がメサ形状にパター
ニングされる。
【００９３】次に、エッチングマスクとして用いたＳｉ
Ｏ2 膜をエッチング除去した後、再び基板全面に例えば
ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例
えば厚さが０．２μｍのＳｉＯ2 膜（図示せず）を形成
した後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィーによりリッ
ジ部に対応する所定形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして、
例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチ
ング、または、ＣＦ4 やＣＨＦ3 などのフッ素を含むエ
ッチングガスを用いたＲＩＥ法によりＳｉＯ2 膜をエッ
チングし、リッジ部に対応する形状とする。
【００９４】次に、このＳｉＯ2 膜をマスクとしてＲＩ
Ｅ法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１の厚さ方向の
所定の深さまでエッチングを行うことによりリッジ１３
を形成する。このＲＩＥのエッチングガスとしては例え
ば塩素系ガスを用いる。
【００９５】次に、エッチングマスクとして用いたＳｉ
Ｏ2 膜をエッチング除去した後、基板全面に例えばＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例えば
厚さが０．３μｍのＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１４を成
膜する。
【００９６】次に、リソグラフィーによりｎ側電極形成
領域を除いた領域の絶縁膜１４の表面を覆うレジストパ
ターン（図示せず）を形成する。次に、このレジストパ
ターンをマスクとして絶縁膜１４をエッチングすること
により、開口１４ｂを形成する。
【００９７】次に、レジストパターンを残したままの状
態で基板全面に例えば真空蒸着法によりＴｉ膜、Ｐｔ膜
およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパターンをそ
の上に形成されたＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜とともに
除去する（リフトオフ）。これによって、絶縁膜１４の
開口１４ｂを通じてｎ型ＧａＮコンタクト層４にコンタ
クトしたｎ側電極１６が形成される。ここで、このｎ側
電極１６を構成するＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の厚さ
は例えばそれぞれ１０ｎｍ、５０ｎｍおよび１００ｎｍ
である。次に、ｎ側電極１６をオーミック接触させるた
めのアロイ処理を行う。
【００９８】次に、同様なプロセスで、リッジ１３の上
の部分の絶縁膜１４をエッチング除去して開口１４ａを
形成した後、ｎ側電極１６と同様にして、この開口１４
ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層１２にコンタクトし
たＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｐ側電極１５を形成する。次
に、ｐ側電極１５をオーミック接触させるためのアロイ
処理を行う。
【００９９】この後、上述のようにしてレーザ構造が形
成された基板を劈開などによりバー状に加工して両共振
器端面を形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コー
ティングを施した後、このバーを劈開などによりチップ
化する。以上により、目的とするリッジ構造およびＳＣ
Ｈ構造を有するＧａＮ系半導体レーザが製造される。
【０１００】この第１の実施形態によるＧａＮ系半導体
レーザと、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層を形成しな
いことを除いてこのＧａＮ系半導体レーザと同一構造の
ＧａＮ系半導体レーザとをそれぞれ製造し、それらの寿
命試験を行ったところ、この第１の実施形態によるＧａ
Ｎ系半導体レーザでは後者のＧａＮ系半導体レーザに比
べて、初期劣化率が非常に小さく、かつ、動作電流は時
間とともに徐々に増加する傾向は見られるものの、その
傾きは非常に小さく問題のないレベルであった。ただ
し、寿命試験は、いずれも光出力３０ｍＷ、雰囲気温度
６０℃の条件で行った。また、これらのＧａＮ系半導体
レーザのエレクトロルミネッセンス発光を観測した結
果、後者のＧａＮ系半導体レーザでは顕著な発光むらが
観測されたが、この第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザでは発光むらが全く観測されなかった。
【０１０１】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、活性層７に接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層
８が設けられ、このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８
に接してｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９が設けられている
ので、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８により、ｐ型
ＡｌＧａＮキャップ層９により活性層７に発生する応力
を大幅に緩和することができるとともに、ｐ型層のｐ型
ドーパントとして用いられるＭｇが活性層７に拡散する
のを有効に抑制することができる。これによって、長寿
命で信頼性が高く、発光むらもない高性能のＧａＮ系半
導体レーザを実現することができる。
【０１０２】次に、この発明の第２の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図３はこのＧａ
Ｎ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。この第
２の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、
アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８のＩｎ組成はその厚
さ全体にわたって同一となっており、そのＩｎ組成は活
性層７の障壁層のＩｎ組成ｙより小さい値、例えば０．
０２に選ばれている。その他の構成は、第１の実施形態
によるＧａＮ系半導体レーザと同一であるので、説明を
省略する。また、このＧａＮ系半導体レーザの製造方法
も、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８の成長時に成長
温度を一定にすることを除いて、第１の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザの製造方法と同様である。この第
２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の利点を
得ることができる。
【０１０３】次に、この発明の第３の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図４はこのＧａ
Ｎ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。この第
３の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、
アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８のＩｎ組成はその厚
さ全体にわたって同一となっており、そのＩｎ組成は活
性層７の障壁層のＩｎ組成ｙと同一の値に選ばれてい
る。ここで、このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８の
厚さは、活性層７の、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層
８に最も近いところにある障壁層の厚さとの合計の厚さ
が少なくとも１５ｎｍ以上、好適には１７ｎｍ以上、よ
り好適には２０ｎｍ以上、さらに好適には２５ｎｍ以上
になるように選ばれる。その他の構成は、第１の実施形
態によるＧａＮ系半導体レーザと同一であるので、説明
を省略する。また、このＧａＮ系半導体レーザの製造方
法も、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８の成長時に成
長温度を一定にすることを除いて、第１の実施形態によ
るＧａＮ系半導体レーザの製造方法と同様である。この
第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の利点
を得ることができる。
【０１０４】次に、この発明の第４の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図５はこのＧａ
Ｎ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。この第
４の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、
活性層７に接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８が
設けられ、このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８に接
してｐ型ＧａＮ光導波層１０が設けられ、このｐ型Ｇａ
Ｎ光導波層１０に接してｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９が
設けられた構造を有する。アンドープＩｎＧａＮ劣化防
止層８のＩｎ組成の分布は第１の実施形態と同様であ
る。その他の構成は、第１の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザと同一であるので、説明を省略する。また、
このＧａＮ系半導体レーザの製造方法も、第１の実施形
態によるＧａＮ系半導体レーザの製造方法と同様であ
る。この第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同
様の利点を得ることができる。
【０１０５】次に、この発明の第５の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図６はこの発明
の第５の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザを示す。
図７はこのＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図
を示す。
【０１０６】この第５の実施形態によるＧａＮ系半導体
レーザにおいては、活性層７に接してアンドープＧａＮ
光導波層１７が設けられ、このアンドープＧａＮ光導波
層１７に接してｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９が設けら
れ、さらにこのｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９に接してｐ
型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８が設けられ
た構造を有する。この場合、アンドープＩｎＧａＮ劣化
防止層８は設けられていない。アンドープＧａＮ光導波
層１７はｎ型伝導性を示す。このアンドープＧａＮ光導
波層１７の厚さは一般的には１０〜１００ｎｍである
が、ここでは２０〜４０ｎｍとする。ｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子クラッド層１８は、例えば厚さが２．５ｎ
ｍでＡｌ組成が１２％のアンドープのＡｌＧａＮ層を障
壁層とし、例えば厚さが同じく２．５ｎｍのＭｇがドー
プされたＧａＮ層を井戸層とし、これらを繰り返し積層
した構造を有し、全体の厚さは例えば０．５μｍであ
る。また、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９とｐ型ＡｌＧａ
Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層１８におけるこのｐ型Ａｌ
ＧａＮキャップ層９に隣接する障壁層との間の距離は、
活性層に注入される電子がトンネル効果によりｐ型Ａｌ
ＧａＮキャップ層９を通ってｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超
格子クラッド層１８側に抜けてしまうのを防止するため
に、このトンネル効果を抑えることができる距離、具体
的には例えば１０ｎｍ程度に設定されている。なお、ｐ
型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８を用いてい
るのは、トンネル効果により正孔が通りやすくするため
である。その他の構成は、第１の実施形態によるＧａＮ
系半導体レーザと同一であるので、説明を省略する。
【０１０７】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキ
ャップ層９までは８００℃、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超
格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２
は１０００℃とする。また、キャリアガスについては、
例えば、アンドープＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層５まではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気、ｎ型Ｇ
ａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９までは
Ｎ2 雰囲気、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層
１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２はＮ2 とＨ2 と
の混合ガス雰囲気とする。この場合、活性層７を成長さ
せた後、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９の成長まではキャ
リアガス雰囲気をＮ2 雰囲気としており、キャリアガス
雰囲気にＨ2 が含まれないので、活性層７からＩｎが脱
離するのを抑えることができ、活性層７の劣化を防止す
ることができる。また、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子
クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成
長時にはキャリアガス雰囲気をＮ2 とＨ2 との混合ガス
雰囲気としているので、これらのｐ型層を良好な結晶性
で成長させることができる。
【０１０８】図８は、アンドープＧａＮ光導波層１７の
厚さによる半導体レーザの垂直方向のビーム拡がり角、
すなわち垂直放射角（θ⊥）の変化を測定した結果を示
す。図８より、アンドープＧａＮ光導波層１７の厚さを
２０〜４０ｎｍにすることにより、垂直放射角を１９〜
２２度にすることができる。従来のＧａＮ系半導体レー
ザの垂直放射角の値は２６〜３０度であるから、垂直放
射角が大幅に減少していることがわかる。
【０１０９】この第５の実施形態によれば、活性層７、
アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャッ
プ層９およびｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層
１８が順次接した構造とし、アンドープＧａＮ光導波層
１７の厚さを２０〜４０ｎｍと薄くしているので、Ｇａ
Ｎ系半導体レーザの垂直放射角を従来に比べて大幅に減
少させることができ、それによって放射角のアスペクト
比（水平放射角をθ‖としたとき、θ⊥／θ‖）を小さ
くすることができ、さらにｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９
がｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８に接し
ているため、遠視野像における光強度分布の対称性の向
上を図ることができる。このようなＧａＮ系半導体レー
ザは特に、光ディスク装置における光源に用いて好適な
ものである。
【０１１０】また、活性層７上に直接アンドープＧａＮ
光導波層１７を成長させるので、結晶性の向上を図るこ
とができ、ひいてはＧａＮ系半導体レーザの寿命の向上
を図ることができる。
【０１１１】さらに、アンドープＧａＮ光導波層１７は
厚さが２０〜４０ｎｍと小さい上、ｐ型不純物としてＭ
ｇをドープしたｐ型ＧａＮ光導波層に比べて抵抗率が小
さいため、ＧａＮ系半導体レーザの直列抵抗の低減を図
ることができ、ひいては駆動電圧の低減を図ることがで
きる。
【０１１２】次に、この発明の第６の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図９はこの発明
の第６の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザを示す。
図１０はこのＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド
図を示す。
【０１１３】この第６の実施形態によるＧａＮ系半導体
レーザにおいては、活性層７に接してアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８が設けられ、このアンドープＩｎＧａ
Ｎ劣化防止層８に接してアンドープＧａＮ光導波層１７
が設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接し
てｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９が設けられ、さらにこの
ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９に接してｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子クラッド層１８が設けられた構造を有す
る。アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８のＩｎ組成は第
２の実施形態と同様である。その他の構成は、第１およ
び第５の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザと同一で
あるので、説明を省略する。
【０１１４】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８までは８００℃、アンドープＧａＮ光
導波層１７およびｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９は８５０
℃、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層１２は１０００℃とする。ま
た、キャリアガスについては、例えば、アンドープＧａ
Ｎ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５まではＮ2 とＨ
2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型
ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ2雰囲気、ｐ型ＡｌＧ
ａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１２はＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気とす
る。この場合、活性層７を成長させた後、ｐ型ＡｌＧａ
Ｎキャップ層９の成長まではキャリアガス雰囲気をＮ2
雰囲気としており、キャリアガス雰囲気にＨ2 が含まれ
ないので、活性層７からＩｎが脱離するのを抑えること
ができ、活性層７の劣化を防止することができる。ま
た、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成長時にはキャリアガ
ス雰囲気をＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気としているの
で、これらのｐ型層を良好な結晶性で成長させることが
できる。
【０１１５】この第６の実施形態によれば、活性層７、
アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、アンドープＧａＮ
光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９およびｐ型
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８が順次接した
構造とし、アンドープＧａＮ光導波層１７の厚さを２０
〜４０ｎｍと薄くしているので、第５の実施形態と同様
な利点を得ることができるほか、活性層７に隣接してア
ンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８を設けていることによ
り第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【０１１６】次に、この発明の第７の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図１１はこのＧ
ａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。この
第７の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいて
は、活性層７に接してアンドープＧａＮ光導波層１７が
設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接して
ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９が設けられ、このｐ型Ａｌ
ＧａＮキャップ層９に接してｐ型ＧａＮ光導波層１０が
設けられ、さらにこのｐ型ＧａＮ光導波層１０に接して
ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８が設けら
れた構造を有する。その他の構成は、第１および第５の
実施形態によるＧａＮ系半導体レーザと同一であるの
で、説明を省略する。
【０１１７】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキ
ャップ層９までは８００℃、ｐ型ＧａＮ光導波層１０か
らｐ型ＧａＮコンタクト層１２までは１０００℃とす
る。また、キャリアガスについては、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５まではＮ
2 とＨ2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ光導波層６か
らｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ2 雰囲気、ｐ型
ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層１２ま
ではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気とする。この場合、
活性層７を成長させた後、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９
の成長まではキャリアガス雰囲気をＮ2 雰囲気としてお
り、キャリアガス雰囲気にＨ2が含まれないので、活性
層７からＩｎが脱離するのを抑えることができ、活性層
７の劣化を防止することができる。また、ｐ型ＧａＮ光
導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層
１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成長時にはキ
ャリアガス雰囲気をＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気とし
ているので、これらのｐ型層を良好な結晶性で成長させ
ることができる。
【０１１８】この第７の実施形態によれば、活性層７、
アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャッ
プ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０およびｐ型ＡｌＧａＮ
／ＧａＮ超格子クラッド層１８が順次接した構造とし、
アンドープＧａＮ光導波層１７の厚さを２０〜４０ｎｍ
と薄くしているので、第５の実施形態と同様な利点を得
ることができる。
【０１１９】次に、この発明の第８の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図１２はこのＧ
ａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。
【０１２０】この第８の実施形態によるＧａＮ系半導体
レーザにおいては、活性層７に接してアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８が設けられ、このアンドープＩｎＧａ
Ｎ劣化防止層８に接してアンドープＧａＮ光導波層１７
が設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接し
てｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９が設けられ、このｐ型Ａ
ｌＧａＮキャップ層９に接してｐ型ＧａＮ光導波層１０
が設けられ、さらにこのｐ型ＧａＮ光導波層１０に接し
てｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８が設け
られた構造を有する。アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層
８のＩｎ組成は第２の実施形態と同様である。その他の
構成は、第１および第５の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザと同一であるので、説明を省略する。
【０１２１】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６および活性層７は８０
０℃、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８からｐ型Ａｌ
ＧａＮキャップ層９までは８６０℃、ｐ型ＧａＮ光導波
層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層１２までは１０００
℃とする。また、キャリアガスについては、例えば、ア
ンドープＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５ま
ではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ光導波
層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ2 雰囲
気、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト
層１２まではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気とする。こ
の場合、活性層７を成長させた後、ｐ型ＡｌＧａＮキャ
ップ層９の成長まではキャリアガス雰囲気をＮ2 雰囲気
としており、キャリアガス雰囲気にＨ2 が含まれないの
で、活性層７からＩｎが脱離するのを抑えることがで
き、活性層７の劣化を防止することができる。また、ｐ
型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子
クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成
長時にはキャリアガス雰囲気をＮ2 とＨ2 との混合ガス
雰囲気としているので、これらのｐ型層を良好な結晶性
で成長させることができる。
【０１２２】この第８の実施形態によれば、活性層７、
アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、アンドープＧａＮ
光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型Ｇａ
Ｎ光導波層１０およびｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子ク
ラッド層１８が順次接した構造とし、アンドープＧａＮ
光導波層１７の厚さを２０〜４０ｎｍと薄くしているの
で、第５の実施形態と同様な利点を得ることができるほ
か、活性層７に隣接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止
層８を設けていることにより第１の実施形態と同様な利
点を得ることができる。
【０１２３】次に、この発明の第９の実施形態によるＧ
ａＮ系半導体レーザについて説明する。図１３はこのＧ
ａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。この
第９の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいて
は、活性層７に接してアンドープＧａＮ光導波層１７が
設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接して
ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９が設けら
れ、このｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９
に接してｐ型ＧａＮ光導波層１０が設けられ、さらにこ
のｐ型ＧａＮ光導波層１０に接してｐ型ＡｌＧａＮ／Ｇ
ａＮ超格子クラッド層１８が設けられた構造を有する。
ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９は、例え
ば厚さが２．５ｎｍでＡｌ組成が１８％のアンドープの
ＡｌＧａＮ層を障壁層とし、例えば厚さが同じく２．５
ｎｍのＭｇがドープされたＧａＮ層を井戸層とし、これ
らを繰り返し積層した構造を有し、全体の厚さは例えば
１００ｎｍである。その他の構成は、第１および第５の
実施形態によるＧａＮ系半導体レーザと同一であるの
で、説明を省略する。
【０１２４】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子キャップ層１９までは８００℃、ｐ型Ｇａ
Ｎ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層１２は１０
００℃とする。また、キャリアガスについては、例え
ば、アンドープＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層５まではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ
光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ
層１９まではＮ2 雰囲気、ｐ型ＧａＮ光導波層１０から
ｐ型ＧａＮコンタクト層１２まではＮ 2 とＨ2 との混合
ガス雰囲気とする。この場合、活性層７を成長させた
後、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９の成
長まではキャリアガス雰囲気をＮ 2 雰囲気としており、
キャリアガス雰囲気にＨ2 が含まれないので、活性層７
からＩｎが脱離するのを抑えることができ、活性層７の
劣化を防止することができる。また、ｐ型ＧａＮ光導波
層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８
およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成長時にはキャリ
アガス雰囲気をＮ2とＨ2 との混合ガス雰囲気としてい
るので、これらのｐ型層を良好な結晶性で成長させるこ
とができる。
【０１２５】この第９の実施形態によれば、活性層７、
アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮ／Ｇａ
Ｎ超格子キャップ層１９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０およ
びｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８が順次
接した構造とし、アンドープＧａＮ光導波層１７の厚さ
を２０〜４０ｎｍと薄くしているので、第５の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
【０１２６】次に、この発明の第１０の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザについて説明する。図１４はこの
ＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。
【０１２７】この第１０の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザにおいては、活性層７に接してアンドープＩｎ
ＧａＮ劣化防止層８が設けられ、このアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８に接してアンドープＧａＮ光導波層１
７が設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接
してｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９が設
けられ、このｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層
１９に接してｐ型ＧａＮ光導波層１０が設けられ、さら
にこのｐ型ＧａＮ光導波層１０に接してｐ型ＡｌＧａＮ
／ＧａＮ超格子クラッド層１８が設けられた構造を有す
る。アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８のＩｎ組成は第
２の実施形態と同様である。その他の構成は、第１およ
び第５の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザと同一で
あるので、説明を省略する。
【０１２８】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８までは８００℃、アンドープＧａＮ光
導波層１７およびｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャッ
プ層１９は８７０℃、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型
ＧａＮコンタクト層１２までは１０００℃とする。ま
た、キャリアガスについては、例えば、アンドープＧａ
Ｎ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５まではＮ2 とＨ
2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９まではＮ2 雰
囲気、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタク
ト層１２まではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気とする。
この場合、活性層７を成長させた後、ｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子キャップ層１９の成長まではキャリアガス
雰囲気をＮ2 雰囲気としており、キャリアガス雰囲気に
Ｈ2 が含まれないので、活性層７からＩｎが脱離するの
を抑えることができ、活性層７の劣化を防止することが
できる。また、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａ
Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコン
タクト層１２の成長時にはキャリアガス雰囲気をＮ2 と
Ｈ2 との混合ガス雰囲気としているので、これらのｐ型
層を良好な結晶性で成長させることができる。
【０１２９】この第１０の実施形態によれば、活性層
７、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、アンドープＧ
ａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャ
ップ層１９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０およびｐ型ＡｌＧ
ａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８が順次接した構造と
し、アンドープＧａＮ光導波層１７の厚さを２０〜４０
ｎｍと薄くしているので、第５の実施形態と同様な利点
を得ることができるほか、活性層７に隣接してアンドー
プＩｎＧａＮ劣化防止層８を設けていることにより第１
の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【０１３０】次に、この発明の第１１の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザについて説明する。図１５はこの
ＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。こ
の第１１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおい
ては、活性層７に接してアンドープＧａＮ光導波層１７
が設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接し
てｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９が設け
られ、このｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１
９に接してｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１
８が設けられた構造を有する。その他の構成は、第１、
第５および第９の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
と同一であるので、説明を省略する。
【０１３１】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子キャップ層１９までは８００℃、ｐ型Ｇａ
Ｎ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層１２は１０
００℃とする。また、キャリアガスについては、例え
ば、アンドープＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層５まではＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ
光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ
層１９まではＮ2 雰囲気、ｐ型ＧａＮ光導波層１０から
ｐ型ＧａＮコンタクト層１２まではＮ 2 とＨ2 との混合
ガス雰囲気とする。この場合、活性層７を成長させた
後、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９の成
長まではキャリアガス雰囲気をＮ 2 雰囲気としており、
キャリアガス雰囲気にＨ2 が含まれないので、活性層７
からＩｎが脱離するのを抑えることができ、活性層７の
劣化を防止することができる。また、ｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層１２の成長時にはキャリアガス雰囲気をＮ2 とＨ2
との混合ガス雰囲気としているので、これらのｐ型層を
良好な結晶性で成長させることができる。
【０１３２】この第１１の実施形態によれば、活性層
７、アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子キャップ層１９およびｐ型ＡｌＧａＮ／Ｇ
ａＮ超格子クラッド層１８が順次接した構造とし、アン
ドープＧａＮ光導波層１７の厚さを２０〜４０ｎｍと薄
くしているので、第５の実施形態と同様な利点を得るこ
とができる。
【０１３３】次に、この発明の第１２の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザについて説明する。図１６はこの
ＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド図を示す。
【０１３４】この第１２の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザにおいては、活性層７に接してアンドープＩｎ
ＧａＮ劣化防止層８が設けられ、このアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８に接してアンドープＧａＮ光導波層１
７が設けられ、このアンドープＧａＮ光導波層１７に接
してｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９が設
けられ、このｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層
１９に接してｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層
１８が設けられた構造を有する。アンドープＩｎＧａＮ
劣化防止層８のＩｎ組成は第２の実施形態と同様であ
る。その他の構成は、第１、第５および第９の実施形態
によるＧａＮ系半導体レーザと同一であるので、説明を
省略する。
【０１３５】このＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、
基本的には第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザ
の製造方法と同様であるが、この場合、特に各層の成長
時の成長温度およびキャリアガスを次のように設定す
る。すなわち、成長温度については、例えば、アンドー
プＧａＮ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５までは１
０００℃、ｎ型ＧａＮ光導波層６からアンドープＩｎＧ
ａＮ劣化防止層８までは８００℃、アンドープＧａＮ光
導波層１７およびｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャッ
プ層１９は８８０℃、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型
ＧａＮコンタクト層１２までは１０００℃とする。ま
た、キャリアガスについては、例えば、アンドープＧａ
Ｎ層３からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５まではＮ2 とＨ
2 との混合ガス雰囲気、ｎ型ＧａＮ光導波層６からアン
ドープＩｎＧａＮ劣化防止層８まではＮ2 雰囲気、ｐ型
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層１２はＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気
とする。この場合、活性層７を成長させた後、ｐ型Ａｌ
ＧａＮ／ＧａＮ超格子キャップ層１９の成長まではキャ
リアガス雰囲気をＮ2 雰囲気としており、キャリアガス
雰囲気にＨ2 が含まれないので、活性層７からＩｎが脱
離するのを抑えることができ、活性層７の劣化を防止す
ることができる。また、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子
クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１２の成
長時にはキャリアガス雰囲気をＮ2 とＨ2との混合ガス
雰囲気としているので、これらのｐ型層を良好な結晶性
で成長させることができる。
【０１３６】この第１２の実施形態によれば、活性層
７、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、アンドープＧ
ａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子キャ
ップ層１９およびｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッ
ド層１８が順次接した構造とし、アンドープＧａＮ光導
波層１７の厚さを２０〜４０ｎｍと薄くしているので、
第５の実施形態と同様な利点を得ることができるほか、
活性層７に隣接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８
を設けていることにより第１の実施形態と同様な利点を
得ることができる。
【０１３７】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【０１３８】例えば、上述の第１〜第１２の実施形態に
おいて挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどは
あくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる
数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよ
い。
【０１３９】具体的には、例えば、上述の第１〜第１２
の実施形態においては、レーザ構造を形成するｎ型層を
基板上に最初に積層し、その上にｐ型層を積層している
が、これと積層順序を逆にし、基板上に最初にｐ型層を
積層し、その上にｎ型層を積層した構造としてもよい。
【０１４０】また、上述の第１〜第１２の実施形態にお
いては、ｃ面サファイア基板を用いているが、必要に応
じて、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、スピネル基板、厚いＧａ
Ｎ層からなる基板などを用いてもよい。また、ＧａＮバ
ッファ層の代わりに、ＡｌＮバッファ層やＡｌＧａＮバ
ッファ層を用いてもよい。
【０１４１】また、上述の第１〜第１２の実施形態にお
いては、この発明をＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザ
の製造に適用した場合について説明したが、この発明
は、例えば、ＤＨ（Double Heterostructure）構造のＧ
ａＮ系半導体レーザの製造に適用してもよいことはもち
ろん、ＧａＮ系発光ダイオードの製造に適用してもよ
く、さらにはＧａＮ系ＦＥＴやＧａＮ系ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などの窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた電子走行素子に適用してもよ
い。
【０１４２】さらに、上述の第１および第２の実施形態
においては、ＭＯＣＶＤ法により成長を行う際のキャリ
アガスとしてＨ2 ガスを用いているが、必要に応じて、
他のキャリアガス、例えばＨ2 とＮ2 あるいはＨｅ、Ａ
ｒガスなどとの混合ガスを用いてもよい。
【０１４３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体からなる活性層または第１の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる層に接して、第１の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａ
を含む第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からな
る中間層が設けられているので、この中間層により、キ
ャップ層などにより活性層または第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体からなる層に発生する応力を大幅に
緩和することができ、あるいは、ｐ型層のｐ型ドーパン
トとして用いられるＭｇの活性層または第１の窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層への拡散を有効に
抑制することができ、これによって初期劣化率が十分に
低くて長寿命で、動作電流の経時変化が極めて少なく、
発光むらも極めて少ない、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体を用いた半導体発光素子あるいは長寿命で経時変
化も極めて少ない、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
を用いた半導体装置を実現することができる。また、こ
の発明による製造方法によれば、このような半導体発光
素子および半導体装置を容易に製造することができる。
【０１４４】また、キャップ層を設ける位置の最適化に
より、活性層にキャップ層を隣接させて設けたり、活性
層に中間層を介してキャップ層を設けたりする場合に比
べて光導波層あるいは第１の光導波層の結晶性を良好に
することができ、あるいはこれらの光導波層あるいは第
１の光導波層の厚さの最適化を図ることができることか
ら、長寿命で、しかも特に半導体レーザでは遠視野像に
おける光強度分布の対称性が高く、放射角のアスペクト
比の向上を図ることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を用いた半導体発光素子あるいは長寿命の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置を
実現することができる。また、この発明による製造方法
によれば、このような半導体発光素子および半導体装置
を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザを示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図である。
【図３】この発明の第２の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図である。
【図４】この発明の第３の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図である。
【図５】この発明の第４の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図である。
【図６】この発明の第５の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザを示す断面図である。
【図７】この発明の第５の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図である。
【図８】この発明の第５の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザにおけるアンドープＧａＮ光導波層の厚さによ
る半導体レーザの垂直放射角の変化の測定結果を示す略
線図である。
【図９】この発明の第６の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザを示す断面図である。
【図１０】この発明の第６の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図であ
る。
【図１１】この発明の第７の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図であ
る。
【図１２】この発明の第８の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図であ
る。
【図１３】この発明の第９の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザのエネルギーバンド構造を示す４線図であ
る。
【図１４】この発明の第１０の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図であ
る。
【図１５】この発明の第１１の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図であ
る。
【図１６】この発明の第１２の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザのエネルギーバンド構造を示す略線図であ
る。
【符号の説明】
１・・・ｃ面サファイア基板、４・・・ｎ型ＧａＮコン
タクト層、５・・・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、６・・
・ｎ型ＧａＮ光導波層、７・・・活性層、８・・・アン
ドープＩｎＧａＮ劣化防止層、９・・・ｐ型ＡｌＧａＮ
キャップ層、１０・・・ｐ型ＧａＮ光導波層、１１・・
・ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、１２・・・ｐ型ＧａＮコ
ンタクト層、１３・・・リッジ、１４・・・絶縁膜、１
５・・・ｐ側電極、１６・・・ｎ側電極、１７・・・ア
ンドープＧａＮ光導波層、１８・・・ｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子クラッド層、１９・・・ｐ型ＡｌＧａＮ／
ＧａＮ超格子キャップ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹谷 元伸 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 鈴木 康彦 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 渋谷 勝義 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 水野 崇 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 東條 剛 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 内田 史朗 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 池田 昌夫 宮城県白石市白鳥３丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB09 AB14 AB17 AB32 AC08 AC12 AC15 AC18 AD09 AD11 AD12 AD14 AF02 AF03 AF04 AF09 AF13 BB12 BB16 CA10 CA12 DA53 DA54 DA55 DA58 DA59 DA63 HA13 5F073 AA11 AA45 AA46 AA74 AA77 CA02 CA07 CB10 DA05 DA07 DA22 DA25 EA19 EA20 EA28 EA29

Claims (145)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層とを
    有することを特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項２】 上記中間層を構成する上記第２の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（ただ
    し、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項１記載
    の半導体発光素子。
  3. 【請求項３】 上記キャップ層を構成する上記第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
    （ただし、０≦ｙ＜１）であることを特徴とする請求項
    １記載の半導体発光素子。
  4. 【請求項４】 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第
    ４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層
    を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
    子。
  5. 【請求項５】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＧａＮであることを特徴
    とする請求項４記載の半導体発光素子。
  6. 【請求項６】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎz Ｇａ1-z Ｎ（ただ
    し、０≦ｚ＜１）であることを特徴とする請求項４記載
    の半導体発光素子。
  7. 【請求項７】 上記活性層は井戸層と障壁層とからなる
    多重量子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上記
    障壁層のＩｎ組成と同じか、または、より小さいことを
    特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  8. 【請求項８】 上記中間層を構成する上記第２の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記活性層か
    ら離れるにしたがって減少することを特徴とする請求項
    １記載の半導体発光素子。
  9. 【請求項９】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０19
    ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１記載の半導
    体発光素子。
  10. 【請求項１０】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  11. 【請求項１１】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項１記載の半導体発光素子。
  12. 【請求項１２】 上記ｐ型層は光導波層であることを特
    徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  13. 【請求項１３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、光導波層またはクラッド層として
    用いられるＧａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなるｐ型層とを有することを特徴とする半
    導体発光素子。
  14. 【請求項１４】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項１３
    記載の半導体発光素子。
  15. 【請求項１５】 上記活性層は井戸層と障壁層とからな
    る多重量子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上
    記障壁層のＩｎ組成と同じか、または、より小さいこと
    を特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子。
  16. 【請求項１６】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記活性層
    から離れるにしたがって減少することを特徴とする請求
    項１３記載の半導体発光素子。
  17. 【請求項１７】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１３記載の
    半導体発光素子。
  18. 【請求項１８】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子。
  19. 【請求項１９】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項１３記載の半導体発光素子。
  20. 【請求項２０】 上記ｐ型層は光導波層であることを特
    徴とする請求項１３記載の半導体発光素子。
  21. 【請求項２１】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層とを
    有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層を成長させた後、成長温度を上昇させながら
    上記中間層を成長させるようにしたことを特徴とする半
    導体発光素子の製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記中間層の成長終了時点の成長温度
    が上記キャップ層の成長温度とほぼ同じであることを特
    徴とする請求項２１記載の半導体発光素子の製造方法。
  23. 【請求項２３】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項２１
    記載の半導体発光素子の製造方法。
  24. 【請求項２４】 上記キャップ層を構成する上記第３の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
    （ただし、０≦ｙ＜１）であることを特徴とする請求項
    ２１記載の半導体発光素子の製造方法。
  25. 【請求項２５】 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む
    第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型
    層を有することを特徴とする請求項２１記載の半導体発
    光素子の製造方法。
  26. 【請求項２６】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＧａＮであることを特
    徴とする請求項２５記載の半導体発光素子の製造方法。
  27. 【請求項２７】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎz Ｇａ1-z Ｎ（た
    だし、０≦ｚ＜１）であることを特徴とする請求項２５
    記載の半導体発光素子の製造方法。
  28. 【請求項２８】 上記活性層は井戸層と障壁層とからな
    る多重量子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上
    記障壁層のＩｎ組成と同じか、または、より小さいこと
    を特徴とする請求項２１記載の半導体発光素子の製造方
    法。
  29. 【請求項２９】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記活性層
    から離れるにしたがって減少することを特徴とする請求
    項２１記載の半導体発光素子の製造方法。
  30. 【請求項３０】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項２１記載の
    半導体発光素子の製造方法。
  31. 【請求項３１】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項２１記載の半導体発光素子の製
    造方法。
  32. 【請求項３２】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項２１記載の半導体発光素子の製造方法。
  33. 【請求項３３】 上記ｐ型層は光導波層であることを特
    徴とする請求項２１記載の半導体発光素子の製造方法。
  34. 【請求項３４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、光導波層またはクラッド層として
    用いられるＧａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなるｐ型層とを有する半導体発光素子の製
    造方法であって、 上記活性層を成長させた後、成長温度を上昇させながら
    上記中間層を成長させるようにしたことを特徴とする半
    導体発光素子の製造方法。
  35. 【請求項３５】 上記中間層の成長終了時点の成長温度
    が上記キャップ層の成長温度とほぼ同じであることを特
    徴とする請求項３４記載の半導体発光素子の製造方法。
  36. 【請求項３６】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項３４
    記載の半導体発光素子の製造方法。
  37. 【請求項３７】 上記活性層は井戸層と障壁層とからな
    る多重量子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上
    記障壁層のＩｎ組成と同じか、または、より小さいこと
    を特徴とする請求項３４記載の半導体発光素子の製造方
    法。
  38. 【請求項３８】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記活性層
    から離れるにしたがって減少することを特徴とする請求
    項３４記載の半導体発光素子の製造方法。
  39. 【請求項３９】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項３４記載の
    半導体発光素子の製造方法。
  40. 【請求項４０】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項３４記載の半導体発光素子の製
    造方法。
  41. 【請求項４１】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項３４記載の半導体発光素子の製造方法。
  42. 【請求項４２】 上記ｐ型層は光導波層であることを特
    徴とする請求項３４記載の半導体発光素子の製造方法。
  43. 【請求項４３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層とを
    有することを特徴とする半導体装置。
  44. 【請求項４４】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項４３
    記載の半導体装置。
  45. 【請求項４５】 上記キャップ層を構成する上記第３の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
    （ただし、０≦ｙ＜１）であることを特徴とする請求項
    ４３記載の半導体装置。
  46. 【請求項４６】 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む
    第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型
    層を有することを特徴とする請求項４３記載の半導体装
    置。
  47. 【請求項４７】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＧａＮであることを特
    徴とする請求項４６記載の半導体装置。
  48. 【請求項４８】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎz Ｇａ1-z Ｎ（た
    だし、０≦ｚ＜１）であることを特徴とする請求項４６
    記載の半導体装置。
  49. 【請求項４９】 上記活性層は井戸層と障壁層とからな
    る多重量子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上
    記障壁層のＩｎ組成と同じか、または、より小さいこと
    を特徴とする請求項４３記載の半導体装置。
  50. 【請求項５０】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記第１の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層から離れ
    るにしたがって減少することを特徴とする請求項４３記
    載の半導体装置。
  51. 【請求項５１】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項４３記載の
    半導体装置。
  52. 【請求項５２】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項４３記載の半導体装置。
  53. 【請求項５３】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項４３記載の半導体装置。
  54. 【請求項５４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有することを特
    徴とする半導体装置。
  55. 【請求項５５】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項５４
    記載の半導体装置。
  56. 【請求項５６】 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層は井戸層と障壁層とからなる多重量
    子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上記障壁層
    のＩｎ組成と同じか、または、より小さいことを特徴と
    する請求項５４記載の半導体装置。
  57. 【請求項５７】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記第１の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層から離れ
    るにしたがって減少することを特徴とする請求項５４記
    載の半導体装置。
  58. 【請求項５８】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項５４記載の
    半導体装置。
  59. 【請求項５９】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項５４記載の半導体装置。
  60. 【請求項６０】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項５４記載の半導体装置。
  61. 【請求項６１】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層を成長させた後、成長温度を上昇させながら上記中間
    層を成長させるようにしたことを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  62. 【請求項６２】 上記中間層の成長終了時点の成長温度
    が上記キャップ層の成長温度とほぼ同じであることを特
    徴とする請求項６１記載の半導体装置の製造方法。
  63. 【請求項６３】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項６１
    記載の半導体装置の製造方法。
  64. 【請求項６４】 上記キャップ層を構成する上記第３の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
    （ただし、０≦ｙ＜１）であることを特徴とする請求項
    ６１記載の半導体装置の製造方法。
  65. 【請求項６５】 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む
    第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型
    層を有することを特徴とする請求項６１記載の半導体装
    置の製造方法。
  66. 【請求項６６】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＧａＮであることを特
    徴とする請求項６５記載の半導体装置の製造方法。
  67. 【請求項６７】 上記ｐ型層を構成する上記第４の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎz Ｇａ1-z Ｎ（た
    だし、０≦ｚ＜１）であることを特徴とする請求項６５
    記載の半導体装置の製造方法。
  68. 【請求項６８】 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層は井戸層と障壁層とからなる多重量
    子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上記障壁層
    のＩｎ組成と同じか、または、より小さいことを特徴と
    する請求項６１記載の半導体装置の製造方法。
  69. 【請求項６９】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記第１の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層から離れ
    るにしたがって減少することを特徴とする請求項６１記
    載の半導体装置の製造方法。
  70. 【請求項７０】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項６１記載の
    半導体装置の製造方法。
  71. 【請求項７１】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項６１記載の半導体装置の製造方
    法。
  72. 【請求項７２】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項６１記載の半導体装置の製造方法。
  73. 【請求項７３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体装
    置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層を成長させた後、成長温度を上昇させながら上記中間
    層を成長させるようにしたことを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  74. 【請求項７４】 上記中間層の成長終了時点の成長温度
    が上記キャップ層の成長温度とほぼ同じであることを特
    徴とする請求項７３記載の半導体装置の製造方法。
  75. 【請求項７５】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項７３
    記載の半導体装置の製造方法。
  76. 【請求項７６】 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層は井戸層と障壁層とからなる多重量
    子井戸構造を有し、上記中間層のＩｎ組成は上記障壁層
    のＩｎ組成と同じか、または、より小さいことを特徴と
    する請求項７３記載の半導体装置の製造方法。
  77. 【請求項７７】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩｎ組成は上記第１の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層から離れ
    るにしたがって減少することを特徴とする請求項７３記
    載の半導体装置の製造方法。
  78. 【請求項７８】 上記中間層に含まれるＩｎは５×１０
    19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項７３記載の
    半導体装置の製造方法。
  79. 【請求項７９】 上記中間層の厚さは８ｎｍ以上である
    ことを特徴とする請求項７３記載の半導体装置の製造方
    法。
  80. 【請求項８０】 上記ｐ型層中に含まれるＩｎは１×１
    ０17ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴
    とする請求項７３記載の半導体装置の製造方法。
  81. 【請求項８１】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層
    と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  82. 【請求項８２】 上記キャップ層のバンドギャップは上
    記ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きいことを特
    徴とする請求項８１記載の半導体発光素子。
  83. 【請求項８３】 上記キャップ層を構成する上記第３の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
    （ただし、０≦ｙ＜１）であることを特徴とする請求項
    ８１記載の半導体発光素子。
  84. 【請求項８４】 上記キャップ層の厚さは２ｎｍ以上で
    あることを特徴とする請求項８１記載の半導体発光素
    子。
  85. 【請求項８５】 上記光導波層はアンドープであること
    を特徴とする請求項８１記載の半導体発光素子。
  86. 【請求項８６】 上記光導波層の厚さは８ｎｍ以上であ
    ることを特徴とする請求項８１記載の半導体発光素子。
  87. 【請求項８７】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層
    と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  88. 【請求項８８】 上記キャップ層のバンドギャップは上
    記ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きいことを特
    徴とする請求項８７記載の半導体発光素子。
  89. 【請求項８９】 上記中間層を構成する上記第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（た
    だし、０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項８７
    記載の半導体発光素子。
  90. 【請求項９０】 上記キャップ層を構成する上記第３の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌy Ｇａ1-y Ｎ
    （ただし、０≦ｙ＜１）であることを特徴とする請求項
    ８７記載の半導体発光素子。
  91. 【請求項９１】 上記キャップ層の厚さは２ｎｍ以上で
    あることを特徴とする請求項８７記載の半導体発光素
    子。
  92. 【請求項９２】 上記光導波層はアンドープであること
    を特徴とする請求項８７記載の半導体発光素子。
  93. 【請求項９３】 上記光導波層の厚さは８ｎｍ以上であ
    ることを特徴とする請求項８７記載の半導体発光素子。
  94. 【請求項９４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
    プ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  95. 【請求項９５】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
    プ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  96. 【請求項９６】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
    形成された超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  97. 【請求項９７】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
    形成された超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  98. 【請求項９８】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成さ
    れた超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  99. 【請求項９９】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物系
    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成さ
    れた超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
  100. 【請求項１００】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層
    と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記光導波層および上記キャップ層は、実
    質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス
    雰囲気中で成長させ、 上記ｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体発光素子の製造方法。
  101. 【請求項１０１】 上記実質的に水素を含まず、窒素を
    主成分とするキャリアガス雰囲気はＮ2 ガス雰囲気であ
    ることを特徴とする請求項１００記載の半導体発光素子
    の製造方法。
  102. 【請求項１０２】 上記窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気はＮ2 とＨ2 との混合ガス雰囲気であ
    ることを特徴とする請求項１００記載の半導体発光素子
    の製造方法。
  103. 【請求項１０３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層
    と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記光導波層および上記キャップ層を上記
    ｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長さ
    せるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
  104. 【請求項１０４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層
    と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記中間層、上記光導波層および上記キャ
    ップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とする
    キャリアガス雰囲気中で成長させ、 上記ｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体発光素子の製造方法。
  105. 【請求項１０５】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層
    と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記中間層、上記光導波層および上記キャ
    ップ層を上記ｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長
    温度で成長させるようにしたことを特徴とする半導体発
    光素子の製造方法。
  106. 【請求項１０６】 上記活性層および上記中間層を上記
    光導波層および上記キャップ層の成長温度よりも低い成
    長温度で成長させるようにしたことを特徴とする請求項
    １０５記載の半導体発光素子の製造方法。
  107. 【請求項１０７】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
    プ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記第１の光導波層および上記キャップ層
    は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリ
    アガス雰囲気中で成長させ、 上記第２の光導波層および上記ｐ型クラッド層は、窒素
    と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
  108. 【請求項１０８】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
    プ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記第１の光導波層および上記キャップ層
    を上記第２の光導波層および上記ｐ型クラッド層の成長
    温度よりも低い成長温度で成長させるようにしたことを
    特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  109. 【請求項１０９】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
    プ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記中間層、上記第１の光導波層および上
    記キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分
    とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、 上記第２の光導波層および上記ｐ型クラッド層は、窒素
    と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
  110. 【請求項１１０】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるキャッ
    プ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記中間層、上記第１の光導波層および上
    記キャップ層を上記第２の光導波層および上記ｐ型クラ
    ッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるよう
    にしたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  111. 【請求項１１１】 上記活性層を上記中間層、上記第１
    の光導波層および上記キャップ層の成長温度よりも低い
    成長温度で成長させるようにしたことを特徴とする請求
    項１１０記載の半導体発光素子の製造方法。
  112. 【請求項１１２】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
    形成された超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記第１の光導波層および上記キャップ層
    は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリ
    アガス雰囲気中で成長させ、 上記第２の光導波層および上記ｐ型クラッド層は、窒素
    と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
  113. 【請求項１１３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
    形成された超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記第１の光導波層および上記キャップ層
    を上記第２の光導波層および上記ｐ型クラッド層の成長
    温度よりも低い成長温度で成長させるようにしたことを
    特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  114. 【請求項１１４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
    形成された超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記中間層、上記第１の光導波層および上
    記キャップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分
    とするキャリアガス雰囲気中で成長させ、 上記第２の光導波層および上記ｐ型クラッド層は、窒素
    と水素とを主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
  115. 【請求項１１５】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化
    物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、 上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第
    ３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が
    形成された超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、 上記第２の光導波層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第
    ７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型ク
    ラッド層とを有する半導体発光素子の製造方法であっ
    て、 上記活性層、上記中間層、上記第１の光導波層および上
    記キャップ層を上記第２の光導波層および上記ｐ型クラ
    ッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるよう
    にしたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  116. 【請求項１１６】 上記活性層および上記中間層を上記
    第１の光導波層および上記キャップ層の成長温度よりも
    低い成長温度で成長させるようにしたことを特徴とする
    請求項１１５記載の半導体発光素子の製造方法。
  117. 【請求項１１７】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成さ
    れた超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記光導波層および上記キャップ層は、実
    質的に水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス
    雰囲気中で成長させ、 上記ｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体発光素子の製造方法。
  118. 【請求項１１８】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成さ
    れた超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記光導波層および上記キャップ層を上記
    ｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長さ
    せるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造
    方法。
  119. 【請求項１１９】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成さ
    れた超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記中間層、上記光導波層および上記キャ
    ップ層は、実質的に水素を含まず、窒素を主成分とする
    キャリアガス雰囲気中で成長させ、 上記ｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体発光素子の製造方法。
  120. 【請求項１２０】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、 上記活性層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
    化合物半導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、 上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒
    化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成さ
    れた超格子からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッ
    ド層とを有する半導体発光素子の製造方法であって、 上記活性層、上記中間層、上記光導波層および上記キャ
    ップ層を上記ｐ型クラッド層の成長温度よりも低い成長
    温度で成長させるようにしたことを特徴とする半導体発
    光素子の製造方法。
  121. 【請求項１２１】 上記活性層および上記中間層を上記
    光導波層および上記キャップ層の成長温度よりも低い成
    長温度で成長させるようにしたことを特徴とする請求項
    １２０記載の半導体発光素子の製造方法。
  122. 【請求項１２２】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有することを特徴とする半導体装置。
  123. 【請求項１２３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有することを特徴とする半導体装置。
  124. 【請求項１２４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有することを
    特徴とする半導体装置。
  125. 【請求項１２５】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有することを
    特徴とする半導体装置。
  126. 【請求項１２６】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有することを
    特徴とする半導体装置。
  127. 【請求項１２７】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有することを
    特徴とする半導体装置。
  128. 【請求項１２８】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有することを特徴とする半導体装置。
  129. 【請求項１２９】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有することを特徴とする半導体装置。
  130. 【請求項１３０】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層は、実質的に水素を含ま
    ず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せ、 上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガ
    ス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  131. 【請求項１３１】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層を上記ｐ型層の成長温度よ
    りも低い成長温度で成長させるようにしたことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  132. 【請求項１３２】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層は、実質的に
    水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気
    中で成長させ、 上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガ
    ス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  133. 【請求項１３３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層を上記ｐ型層
    の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにした
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  134. 【請求項１３４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層は、実質的に水素を含ま
    ず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せ、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層および上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  135. 【請求項１３５】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層を上記第９の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる層および上記ｐ型層の成
    長温度よりも低い成長温度で成長させるようにしたこと
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  136. 【請求項１３６】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層は、実質的に
    水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気
    中で成長させ、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層および上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  137. 【請求項１３７】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層を上記第９の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および上
    記ｐ型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるよ
    うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  138. 【請求項１３８】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層は、実質的に水素を含ま
    ず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せ、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層および上記ｐ型クラッド層は、窒素と水素とを主成分
    とするキャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  139. 【請求項１３９】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層を上記第９の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる層および上記ｐ型層の成
    長温度よりも低い成長温度で成長させるようにしたこと
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  140. 【請求項１４０】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層は、実質的に
    水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気
    中で成長させ、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層および上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキ
    ャリアガス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  141. 【請求項１４１】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む第２の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第９の窒化物系Ｉ
    ＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを有する半導体
    装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層を上記第９の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層および上
    記ｐ型層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるよ
    うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  142. 【請求項１４２】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層は、実質的に水素を含ま
    ず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気中で成長さ
    せ、 上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガ
    ス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  143. 【請求項１４３】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
    合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
    なる層および上記キャップ層を上記ｐ型層の成長温度よ
    りも低い成長温度で成長させるようにしたことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  144. 【請求項１４４】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層は、実質的に
    水素を含まず、窒素を主成分とするキャリアガス雰囲気
    中で成長させ、 上記ｐ型層は、窒素と水素とを主成分とするキャリアガ
    ス雰囲気中で成長させるようにしたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  145. 【請求項１４５】 ＩｎおよびＧａを含む第１の窒化物
    系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
    導体と異なるＩｎおよびＧａを含む中間層と、 上記中間層に接した、Ｇａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ
    −Ｖ族化合物半導体からなる層と、 上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩ
    Ｉ−Ｖ族化合物半導体により障壁層が形成された超格子
    からなるキャップ層と、 上記キャップ層に接した、上記第３の窒化物系ＩＩＩ−
    Ｖ族化合物半導体と異なるＡｌおよびＧａを含む第７の
    窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型層とを
    有する半導体装置の製造方法であって、 上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる
    層、上記中間層、上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
    物半導体からなる層および上記キャップ層を上記ｐ型ク
    ラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させるよ
    うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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