KR100676059B1 - 발광 다이오드 - Google Patents
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- B01F27/00—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders
- B01F27/60—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders with stirrers rotating about a horizontal or inclined axis
- B01F27/72—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders with stirrers rotating about a horizontal or inclined axis with helices or sections of helices
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- B01F27/70—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders with stirrers rotating about a horizontal or inclined axis with paddles, blades or arms
- B01F27/707—Mixers with rotary stirring devices in fixed receptacles; Kneaders with stirrers rotating about a horizontal or inclined axis with paddles, blades or arms the paddles co-operating, e.g. intermeshing, with elements on the receptacle wall
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- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
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Abstract
Description
Claims (10)
- 기판 상부에 N타입 반도체층, 활성층과 P타입 반도체층이 순차적으로 형성되어 있고;상기 P타입 반도체층에서 N타입 반도체층까지 메사(Mesa)식각되어 있고;상기 P타입 반도체층 상부에 상기 P타입 반도체층보다 에너지 밴드갭이 작은 P타입 반도체 물질로 이루어지고, 1.9eV보다 크고, 3.5eV보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 컨택층이 형성되어 있고;상기 컨택층 상부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 메사 식각된 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어지는 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 GaN이고,상기 컨택층은 P타입 InxGa(1-x)N층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서,상기 P타입 InxGa(1-x)N층의 P타입 도펀트(Dopant)는,Mg 또는 Zn인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 기판 상부에 N타입 반도체층, 활성층과 P타입 반도체층이 순차적으로 형성되어 있고;상기 P타입 반도체층에서 N타입 반도체층까지 메사(Mesa)식각되어 있고;상기 P타입 반도체층 상부에 상기 P타입 반도체층보다 에너지 밴드갭이 작은 P타입 반도체 물질로 이루어진 복수개층들이 적층되어 이루어진 컨택층이 형성되어 있고;상기 컨택층 상부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 메사 식각된 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어지며,상기 컨택층의 P타입 반도체 물질로 이루어진 복수개층은,P전극에서 P타입 반도체층으로 가까워질수록 에너지 밴드갭이 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 5 항에 있어서,상기 컨택층의 P타입 반도체 물질로 이루어진 복수개층 각각의 두께는 동일 한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서,상기 컨택층의 P타입 반도체 물질로 이루어진 복수개층 각각은,1.9eV보다 크고, 3.5eV보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체층은 GaN이고,상기 컨택층의 P타입 반도체 물질로 이루어진 복수개층 각각은 P타입 InxGa(1-x)N층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 9 항에 있어서,상기 컨택층의 복수개의 P타입 InxGa(1-x)N층은,P전극에서 P-GaN층으로 가까워질수록 X값이 감소되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
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KR1020050010255A KR100676059B1 (ko) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | 발광 다이오드 |
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2005
- 2005-02-03 KR KR1020050010255A patent/KR100676059B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
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1020040029167 |
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---|---|
KR20060089970A (ko) | 2006-08-10 |
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