KR20090002214A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090002214A
KR20090002214A KR1020070061427A KR20070061427A KR20090002214A KR 20090002214 A KR20090002214 A KR 20090002214A KR 1020070061427 A KR1020070061427 A KR 1020070061427A KR 20070061427 A KR20070061427 A KR 20070061427A KR 20090002214 A KR20090002214 A KR 20090002214A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
barrier layer
active layer
electron barrier
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020070061427A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101459752B1 (ko
Inventor
김태윤
손효근
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020070061427A priority Critical patent/KR101459752B1/ko
Priority to US12/144,246 priority patent/US8124990B2/en
Publication of KR20090002214A publication Critical patent/KR20090002214A/ko
Priority to US13/357,964 priority patent/US8502245B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101459752B1 publication Critical patent/KR101459752B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

본 발명의 실시 예는 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광소자는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층, 그리고 상기 양자 장벽층 보다 밴드 갭이 큰 전자 장벽층이 형성되는 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
질화물, 반도체, 발광소자, 전자 장벽층

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자의 단면도.
도 2는 도 1의 활성층의 에너지 밴드를 나타낸 도면.
도 3은 도 2의 활성층의 제 1변형 예를 나타낸 도면.
도 4는 도 2의 활성층의 제 2변형 예를 나타낸 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100 : 반도체 발광소자 110 : 기판
120 : 언도프드 반도체층 130 : 제 1도전성 반도체층
140 : 제 1도전성 클래드층 150 : 활성층
151 : 하부 활성층 156 : 상부 활성층
155 : 전자 장벽층 160 : 제 2도전성 클래드층
170 : 제 2도전성 반도체층
본 발명의 실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 발광소자는 자외선, 청색 및 녹색 영역을 포괄하는 발광 영역을 가진다. 특히, GaN계 질화물 반도체 발광소자는 그 응용 분야에 있어서 청색/녹색 LED의 광소자 및 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor), HEMT (Hetero junction Field - Effect Transistors) 등의 고속 스위칭 소자, 고출력 소자에 응용되고 있다.
이러한 반도체 발광소자는 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 InGaN 우물층 및 GaN 장벽층이 적층된 양자 우물 구조를 구비하고, 상기 n형 반도체층 위에 n형 전극 및 p형 반도체층 위에 p형 전극이 형성된다.
상기 반도체 발광소자는 p형 전극 및 n형 전극에 순 방향 전압을 인가하면, n형 반도체층의 전도대에 있는 전자가 p형 반도체층의 가전자대에 있는 정공과 재 결합(recombination)을 위해 천이되면서 그 에너지 만큼 활성층에서 빛으로 발광된다.
이러한 구조를 갖는 반도체 발광소자에 DC 전원을 인가하여 구동할 경우, 정공의 이동도에 비해 전자의 이동도가 훨씬 빠르기 때문에 n형 반도체층에서 나온 전자가 대부분 p형 반도체층 가까이에 치우쳐서 분포하게 된다. 이로 인하여 발광 효율이 떨어지는 문제가 있다. 특히 3족 질화물(주로 GaN과 관련된 화합물) 반도체에서 정공의 이동도가 떨어지는 것으로 알려져 있다.
본 발명의 실시 예는 활성층에서의 전자와 정공의 분포가 균일하게 할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 다중 양자우물 구조의 활성층에 전자 장벽층을 제공하여, 활성층내에서의 전자와 정공의 방사 재결합 확률을 증가시켜 줄 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층, 그리고 상기 양자 장벽층 보다 밴드 갭이 큰 전자 장벽층이 형성되는 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은, 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층을 갖고, 상기 양자 장벽층의 밴드 갭 보다 큰 전자 장벽층을 상기 양자 우물층 사이에 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명 실시 예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 활성층의 에너지 밴드를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 언도프드 반도체층(120), 제 1도전성 반도체층(130), 제 1도전성 클래드층(cladding layer)(140), 활성층(150), 제 2도전성 클래드층(160), 제 2도전성 반도체층(170)을 포함한다.
상기 기판(10)은 사파이어 기판, SiC, Si, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 기판 중에서 선택될 수 있으며, 소자 생성 후 제거될 수도 있다.
상기 기판(110) 위에는 버퍼층(미도시) 또는/및 언도프드(undoped) 반도체층(120)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(미도시)은 상기 기판(10)과의 격자 상수 차이를 줄여주기 위한 층으로서, GaN 버퍼층, AlN 버퍼층, AlGaN 버퍼층, InGaN 버퍼층 등이 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 언도프드 반도체층은 undoped GaN층으로 구현될 수 있다. 이러한 버퍼층 및 언드포드 반도체층(120)은 선택적으로 제거될 수도 있다.
상기 언도프드 반도체층(120) 위에는 제 1도전성 반도체층(130)이 형성된다. 상기 제 1도전성 반도체층(130)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있는 데, 상기 n형 반도체층은 GaN, AlGaN, InGaN 등 중에서 선택될 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑된다.
상기 제 1도전성 반도체층(130) 위에는 제 1도전성 클래드층(140)이 형성된다. 상기 제 1도전성 클래드층(140)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있는 데, 상기 n형 반도체층은 AlGaN층이 될 수 있고, n형 도펀트가 도핑된다.
상기 제 1도전성 클래드층(140) 위에는 활성층(150)이 형성된다. 상기 활성층(150)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 다중 양자우물 구조로 형성되며, 적어도 InGaN으로 이루어진 양자 우물층(152,157)과 AlGaN 또는 GaN으로 이루어진 양자 장벽층(153,158)이 교대로 형성된다. 상기 활성층(150)은 제 1도전성 클래드 층(140) 위에 양자 우물층(152) 또는 양자 장벽층(153)부터 시작할 수 있다. 또한 양자 우물층 및 양자 장벽층의 주기는 2~10 주기로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한 양자 장벽층의 개수가 적어도 양자 우물층의 개수보다 많은 개수로 형성될 수 있다.
이러한 활성층(150)은 예컨대, 소정의 성장 온도(예: 700 ~ 950℃) 하에서 H2, N2를 캐리어 가스로 사용하여 NH3, TMGa(TEGa), TMIn, TMAl를 소스로 공급하여, InGaN으로 이루어진 양자 우물층(152,157), GaN 또는 AlGaN으로 이루어진 양자 장벽층(153,158)을 형성할 수 있다.
이때, 각 양자 우물층(152,157)의 두께는 15~30Å이고, 각 양자 장벽층(153,158)의 두께는 50~300Å으로 형성될 수 있다.
여기서, 활성층(150)에는 적어도 하나의 양자 우물층(152) 및 양자 장벽층(153)을 갖는 하부 활성층(151)과, 적어도 하나의 양자 우물층(157) 및 양자 장벽층(158)을 갖는 상부 활성층(156) 사이에 전자 장벽층(155)이 형성된다. 여기서 전자 장벽층(155)은 하부 활성층(151)의 마지막 양자 우물층(152)이 형성된 다음 형성되며, 상기 전자 장벽층(155)이 형성된 다음 상부 활성층(156)의 양자 우물층(157)이 형성된다.
상기 전자 장벽층(155)은 소정의 성장 온도(700~1000℃) 하에서 성장되며, H2를 캐리어 가스로 사용하여 NH3, TMGa(TEGa), TMIn, TMAl를 소스로 공급하여, AlxInyGa1-x-yN 전자 장벽층을 형성할 수 있다. 여기서 0<x≤1, 0≤y<0.5, x+y <1이 다.
상기 전자 장벽층(155)은 활성층(150)의 중앙 부근(Ac)부터 제 1도전성 클래드층(140) 사이, 양자 우물층(152,157) 사이에 150~300Å의 두께로 형성된다. 또한 전자 장벽층(155)의 밴드 갭(band gap)은 양자 장벽층(153,158)의 밴드 갭 보다 1.5 ~ 2배 정도 높게 형성될 수 있는 데, 예컨대 양자 장벽층(153,158)의 밴드 갭이 3.4V인 경우 전자 장벽층(155)의 밴드 갭은 예컨대 6V로 형성될 수 있다.
상기 활성층(150) 위에는 제 2도전성 클래드층(160)이 형성되며, 상기 제 2도전성 클래드층(160) 위에는 제 2도전성 반도체층(170)이 형성된다. 상기 제 2도전성 클래드층(160)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 예컨대 p형 AlGaN으로 구현된다. 상기 제 2도전성 반도체층(170)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있는 데, 상기 p형 반도체층은 GaN, AlGaN, InGaN 등 중에서 선택될 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg)가 도핑된다. 본 발명의 실시 예에서는 n형 또는 p형 도전성 반도체층과, 제 1 또는 제 2도전성 클래층(140,160) 중 어느 하나에 n형 또는 p형 전극 접촉층으로 구현할 수 있으며, 상기의 클래드층(140,160)이 제거될 수도 있다.
상기 제 1 및 제 2도전성 클래드층(140,160)은 상기 활성층(150)의 양자 장벽층(153,158)보다 큰 밴드갭을 갖고 있다.
이러한 반도체 발광소자(100)는 활성층(150) 내부에 두꺼운 전자 장벽층(155)에 의해 하부 활성층(151)에 일부 전자가 구속되는 효과가 있다. 이에 따라 활성층(150) 내의 전자 및 정공의 분포로 인해 활성 영역에서의 전자 및 정공의 방사 재결합의 확률을 개선시켜 주는 데, 특히 하부 활성층(151)에서의 전자 및 정공 의 방사 재결합의 확률이 증가된다. 이러한 전자 장벽층(155)은 활성층의 중간 부근(Ac) 또는 상기 중간 부근에서 n형 반도체층에 가까운 위치에 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 활성층의 제 1변형 예를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 활성층(150) 내의 전자 장벽층(155)은 제 1전자 장벽층(155a) 위에 제 2전자 장벽층(155b)이 형성되는 구조로서, 2~3개의 전자 장벽층이 형성될 수 있다.
상기 제 1전자 장벽층(155a)은 AlxInyGa1 -x- yN 전자 장벽층으로 형성되고, 제 2전자 장벽층(155b)는 AlxGa1 - xN 전자 장벽층으로 형성될 수 있어, AlxInyGa1 -x-yN/AlxGa1-xN로 구현된다. 여기서 0<x≤1, 0≤y<0.5, x+y <1이다. 상기 제 1전자 장벽층(155a)는 제 2전자 장벽층(155b)의 두께와 같거나 다를 수도 있다.
도 4는 도 2의 활성층의 제 2변형 예를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 활성층(150) 내의 전자 장벽층(150c)이 활성층 기준으로 제 1도전성 클래드층(140) 또는 제 1도전성 반도체층에 더 가깝게 형성될 수 있다. 즉, 전자 장벽층(150c)은 n형 반도체층에 더 가깝게 형성될 수 있다. 이에 따라 하부 활성층(151)이 상부 활성층(156)의 두께보다 작을 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시 예에서는 다중 양자우물 구조의 활성층 중간 또는 중간 하부에 전자 장벽층을 형성해 줌으로써, 활성층 내에서의 전자 이동 속도를 늦추어 줄 수 있다. 이에 따라 활성층에서의 전자와 정공의 분포가 균일하게 하여, 전자와 정공의 재 결합 확률을 증가시키고 광 생성 효율을 향상시켜 줄 수 있다.
본 발명의 실시 예는 제 1도전성 반도체층, 활성층, 제 2도전성 반도체층, 그리고 제 2도전성 반도체층 위에 제 3도전성 반도체층을 형성하여, npn 또는 pnp 구조를 제공할 수 있으며, 수평형 또는 수직형 전극 구조를 갖는 반도체 발광소자에 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 의한 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 활성층 내부에 전자 장벽층을 형성하여, 활성층 내의 전자 및 정공의 분포 프로파일을 변경시켜 줌으로써, 전자 및 정공에 의한 방사 재결합 확률을 증가시켜 줄 수 있다.
또한 전자의 구속 효과에 의해 하부 활성층에서의 광 생성 효율이 증가하게 되고, 상부 활성층에서의 과잉 전자 누설 전류를 방지할 수 있다.
또한 반도체 발광소자의 광 효율 및 칩의 성능을 개선시켜 줄 수 있다.

Claims (21)

  1. 제 1도전성 반도체층;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층, 그리고 상기 양자 장벽층 보다 밴드 갭이 큰 전자 장벽층이 형성되는 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 활성층은 상기 제 1도전성 반도체층 위에 적어도 하나의 양자 우물층 및 양자 장벽층을 각각 구비한 하부 활성층 및 상부 활성층을 포함하며,
    상기 전자 장벽층은 상기 하부 활성층 및 상부 활성층 사이에 형성되는 반도체 발광소자.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 활성층의 중간 부근을 기준으로 제 1도전성 반도체층에 가깝게 형성되는 반도체 발광소자.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 적어도 한 위치에 1 ~ 3개가 형성되는 반도체 발광소자.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 알루미늄(Al) 및 인듐(In) 중에서 적어도 하나를 포함하는 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 AlxInyGa1 -x-yN(0<x≤1, 0≤y<0.5, x+y <1)으로 이루어진 반도체 발광소자.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 복수개가 AlxInyGa1 -x- yN 및 AlxGa1 -xN(0<x≤1, 0≤y<0.5, x+y <1)의 주기로 형성되는 반도체 발광소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 전자 장벽층의 밴드 갭은 양자 장벽층의 밴드 갭 보다 1.5 ~ 2배인 반도체 발광소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 150~300Å의 두께로 형성되는 반도체 발광소자.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 1도전성 반도체층은 n형 반도체층이며,
    상기 제 2도전성 반도체층은 p형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 n형 반도체층과 활성층 사이에 형성된 n형 클래드층 및,
    상기 p형 반도체층과 활성층 사이에 형성된 p형 클래드층을 포함하는 반도체 발광소자.
  12. 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층을 갖고, 상기 양자 장벽층의 밴드 갭 보다 큰 전자 장벽층을 상기 양자 우물층 사이에 형성하는 단계;
    상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 활성층은 적어도 하나의 양자 우물층 및 양자 장벽층을 갖는 하부 활성층을 형성하는 단계; 상기 하부 활성층의 마지막 양자 우물층의 위에 전자 장벽층을 형성하는 단계; 상기 전자 장벽층 위에 적어도 하나의 양자 우물층 및 양자 장 벽층을 갖는 상부 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 활성층의 중간 부근에서 제 1도전성 반도체층 사이에 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 적어도 한 위치에 1 ~ 3개가 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  16. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 알루미늄(Al) 및 인듐(In) 중에서 적어도 하나를 포함하는 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  17. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 AlxInyGa1 -x-yN(0<x≤1, 0≤y<0.5, x+y <1)으로 이루어진 반도체 발광소자 제조방법.
  18. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 전자 장벽층은 복수개가 AlxInyGa1 -x- yN 및 AlxGa1 -xN(0<x≤1, 0≤y<0.5, x+y <1)의 주기로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  19. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 전자 장벽층의 밴드 갭은 양자 장벽층의 밴드 갭 보다 1.5 ~ 2배인 반도체 발광소자 제조방법.
  20. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    상기 제 1도전성 반도체층은 n형 반도체층이며,
    상기 제 2도전성 반도체층은 p형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 n형 반도체층과 활성층 사이에 n형 클래드층을 형성하고,
    상기 p형 반도체층과 활성층 사이에 p형 클래드층을 형성하는 반도체 발광소자 제조방법.
KR1020070061427A 2007-06-22 2007-06-22 반도체 발광소자 및 그 제조방법 KR101459752B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070061427A KR101459752B1 (ko) 2007-06-22 2007-06-22 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US12/144,246 US8124990B2 (en) 2007-06-22 2008-06-23 Semiconductor light emitting device having an electron barrier layer between a plurality of active layers
US13/357,964 US8502245B2 (en) 2007-06-22 2012-01-25 Semiconductor light emitting device having plural active layer cycles and electron barrier energy band gaps

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070061427A KR101459752B1 (ko) 2007-06-22 2007-06-22 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090002214A true KR20090002214A (ko) 2009-01-09
KR101459752B1 KR101459752B1 (ko) 2014-11-13

Family

ID=40135519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070061427A KR101459752B1 (ko) 2007-06-22 2007-06-22 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8124990B2 (ko)
KR (1) KR101459752B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130007918A (ko) * 2011-07-11 2013-01-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20130017329A (ko) * 2011-08-10 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
WO2016108667A1 (ko) * 2014-12-31 2016-07-07 최운용 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
WO2023106886A1 (ko) * 2021-12-10 2023-06-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 소자

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703096B1 (ko) * 2005-10-17 2007-04-06 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
KR101459752B1 (ko) * 2007-06-22 2014-11-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US8259769B1 (en) 2008-07-14 2012-09-04 Soraa, Inc. Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates
US8805134B1 (en) 2012-02-17 2014-08-12 Soraa Laser Diode, Inc. Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
US8124996B2 (en) 2008-08-04 2012-02-28 Soraa, Inc. White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors
US8422525B1 (en) 2009-03-28 2013-04-16 Soraa, Inc. Optical device structure using miscut GaN substrates for laser applications
DE102009015569B9 (de) 2009-03-30 2023-06-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US8294179B1 (en) 2009-04-17 2012-10-23 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8634442B1 (en) 2009-04-13 2014-01-21 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US8837545B2 (en) 2009-04-13 2014-09-16 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8254425B1 (en) 2009-04-17 2012-08-28 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
WO2010120819A1 (en) 2009-04-13 2010-10-21 Kaai, Inc. Optical device structure using gan substrates for laser applications
US8242522B1 (en) * 2009-05-12 2012-08-14 Soraa, Inc. Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm
US8416825B1 (en) 2009-04-17 2013-04-09 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications
US10108079B2 (en) 2009-05-29 2018-10-23 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8427590B2 (en) 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US9829780B2 (en) 2009-05-29 2017-11-28 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US8314429B1 (en) 2009-09-14 2012-11-20 Soraa, Inc. Multi color active regions for white light emitting diode
US8355418B2 (en) 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US8750342B1 (en) 2011-09-09 2014-06-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with scribe structures
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
KR101368906B1 (ko) 2009-09-18 2014-02-28 소라, 인코포레이티드 전력 발광 다이오드 및 전류 밀도 작동 방법
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US20110101301A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-05 The Regents Of The University Of California Light emitting device with a coupled quantum well structure
KR101646255B1 (ko) * 2009-12-22 2016-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US9927611B2 (en) 2010-03-29 2018-03-27 Soraa Laser Diode, Inc. Wearable laser based display method and system
US8451876B1 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Soraa, Inc. Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum
US8816319B1 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region
US9048170B2 (en) 2010-11-09 2015-06-02 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment
US8975615B2 (en) 2010-11-09 2015-03-10 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material
US9318875B1 (en) 2011-01-24 2016-04-19 Soraa Laser Diode, Inc. Color converting element for laser diode
US9595813B2 (en) 2011-01-24 2017-03-14 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a substrate member
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
US9093820B1 (en) 2011-01-25 2015-07-28 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for laser devices using optical blocking regions
US10134948B2 (en) * 2011-02-25 2018-11-20 Sensor Electronic Technology, Inc. Light emitting diode with polarization control
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
TWI612687B (zh) * 2011-09-29 2018-01-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
US8971370B1 (en) 2011-10-13 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices using a semipolar plane
CN102347408B (zh) * 2011-10-26 2014-04-09 华南师范大学 GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法
US9020003B1 (en) 2012-03-14 2015-04-28 Soraa Laser Diode, Inc. Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9343871B1 (en) 2012-04-05 2016-05-17 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9099843B1 (en) 2012-07-19 2015-08-04 Soraa Laser Diode, Inc. High operating temperature laser diodes
KR20140019635A (ko) * 2012-08-06 2014-02-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
KR20140039740A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI499080B (zh) 2012-11-19 2015-09-01 Genesis Photonics Inc 氮化物半導體結構及半導體發光元件
DE102013200507A1 (de) * 2013-01-15 2014-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN108365066B (zh) * 2013-02-08 2020-06-02 晶元光电股份有限公司 发光二极管及其制作方法
US9166372B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
KR102113256B1 (ko) * 2013-11-07 2020-05-20 삼성전자주식회사 다준위 에너지를 갖는 3중 연결 양자우물 구조를 포함하는 광학 소자
TWI536606B (zh) * 2013-12-25 2016-06-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體結構
US9209596B1 (en) 2014-02-07 2015-12-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
US9564736B1 (en) 2014-06-26 2017-02-07 Soraa Laser Diode, Inc. Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US9787963B2 (en) 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
KR102477094B1 (ko) * 2016-01-08 2022-12-13 삼성전자주식회사 비대칭 다준위 에너지를 갖는 3중 연결 양자우물 구조를 포함하는 광학 소자
FR3066045A1 (fr) * 2017-05-02 2018-11-09 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente comprenant des couches de conversion en longueur d'onde
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
US10551728B1 (en) 2018-04-10 2020-02-04 Soraa Laser Diode, Inc. Structured phosphors for dynamic lighting
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
US20230163235A1 (en) * 2020-12-31 2023-05-25 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Insitute Co., Ltd. LED Epitaxial Structure and Manufacturing Method Therefor, Light Emitting Device and Display Panel
CN112951963B (zh) * 2021-02-09 2023-10-13 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4116260B2 (ja) * 2001-02-23 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光装置
US7700940B2 (en) * 2002-07-16 2010-04-20 Nitride Semiconductor Co., Ltd. Gallium nitride-based compound semiconductor device
US6995389B2 (en) * 2003-06-18 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Heterostructures for III-nitride light emitting devices
KR100631832B1 (ko) * 2003-06-24 2006-10-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자 및 그 제조방법
KR100641989B1 (ko) * 2003-10-15 2006-11-02 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
US20050189551A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Hui Peng High power and high brightness white LED assemblies and method for mass production of the same
KR100664980B1 (ko) * 2004-03-11 2007-01-09 삼성전기주식회사 모노리식 백색 발광소자
US7067838B1 (en) * 2004-04-16 2006-06-27 Nitride Semiconductors Co., Ltd. Gallium-nitride-based light-emitting apparatus
JP4653671B2 (ja) * 2005-03-14 2011-03-16 株式会社東芝 発光装置
KR100665364B1 (ko) * 2005-12-28 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
JP5349849B2 (ja) * 2007-06-12 2013-11-20 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオード
KR101459752B1 (ko) * 2007-06-22 2014-11-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2009055023A (ja) * 2007-08-20 2009-03-12 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 窒化物半導体発光素子

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130007918A (ko) * 2011-07-11 2013-01-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20130017329A (ko) * 2011-08-10 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
WO2016108667A1 (ko) * 2014-12-31 2016-07-07 최운용 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
US10164148B2 (en) 2014-12-31 2018-12-25 Constantec Co., Ltd. High-voltage driven light emitting element and method for manufacturing same
WO2023106886A1 (ko) * 2021-12-10 2023-06-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US20080315179A1 (en) 2008-12-25
KR101459752B1 (ko) 2014-11-13
US20120119182A1 (en) 2012-05-17
US8124990B2 (en) 2012-02-28
US8502245B2 (en) 2013-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101459752B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101393897B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100931509B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090035934A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090002241A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR102224116B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
JP2007088481A (ja) 窒化物半導体素子
US10069035B2 (en) Light-emitting device and lighting system
JP5568009B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
KR100946034B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR101047691B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR102238195B1 (ko) 자외선 발광소자 및 조명시스템
KR100999694B1 (ko) 발광 소자
KR102237123B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102444467B1 (ko) 발광 다이오드
KR101377969B1 (ko) 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
KR20160043751A (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102212781B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102315594B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR101144523B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130094451A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101414654B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자
KR101144370B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR102352770B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102181490B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181010

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191010

Year of fee payment: 6