KR20090002241A - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090002241A
KR20090002241A KR1020070062040A KR20070062040A KR20090002241A KR 20090002241 A KR20090002241 A KR 20090002241A KR 1020070062040 A KR1020070062040 A KR 1020070062040A KR 20070062040 A KR20070062040 A KR 20070062040A KR 20090002241 A KR20090002241 A KR 20090002241A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
quantum well
quantum
conductive semiconductor
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020070062040A
Other languages
English (en)
Inventor
김경준
손효근
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020070062040A priority Critical patent/KR20090002241A/ko
Priority to US12/145,155 priority patent/US20080315180A1/en
Publication of KR20090002241A publication Critical patent/KR20090002241A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명의 실시 예는 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광소자는, 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자 우물구조를 포함하며, 적어도 하나의 양자 우물층의 인듐(In) 조성이 단계적으로 변화된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
질화물, 반도체, 발광소자, 밴드 갭

Description

발광소자 및 그 제조방법{Light emitting device and fabrication method thereof}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자의 단면도.
도 2a는 이상적인 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이며, 도 2b는 스트레스에 의한 활성층의 에너지 밴드의 변형을 나타낸 다이어그램.
도 3은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 제 3실시 예에 따른 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 제 4실시 예에 따른 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 제 5실시 예에 따른 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 제 6실시 예에 따른 활성층의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100 : 반도체 발광소자 10 : 기판
20 : 버퍼층 30 : 제 1도전성 반도체층
60 : 활성층 70 : 제 2도전성 반도체층
40a,40b,41,42,43,43a,44,44a,45,45a,46,4a,47,47a,48,48a : 양자 우물층
50a,50b,51,52,53,53a,54,54a,55,55a,56,56a,57,57a,58,58a : 양자 장벽층
본 발명의 실시 예는 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 발광소자는 자외선, 청색 및 녹색 영역을 포괄하는 발광 영역을 가진다. 특히, GaN계 질화물 반도체 발광소자는 그 응용 분야에 있어서 청색/녹색 LED의 광소자 및 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor), HEMT (Hetero junction Field - Effect Transistors) 등의 고속 스위칭 소자, 고출력 소자에 응용되고 있다.
이러한 반도체 발광소자는 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 InGaN 우물층 및 GaN 장벽층이 적층된 양자 우물 구조를 구비하고, 상기 n형 반도체층 위에 n형 전극 및 p형 반도체층 위에 p형 전극이 형성된다.
이러한 반도체 발광소자는 p형 전극 및 n형 전극에 전압을 인가하면, p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 순방향 바이어스(forward bias)가 걸리게 된다. 이 때 상기 활성층에서 전자 및 정공들이 재 결합(recombination)되어 광을 방출하게 된다.
일반적으로, 양자 우물 구조에 수직으로 전기장이 작용하게 되면, 기저 상태(ground state)의 전자(electon)와 정공(hole)의 파동함수(wave function)를 서로 다른 진행 방향으로 분리시키게 된다. 다시 말해, 전자의 서브밴드 에너지(subband energy)는 아래로, 그리고 정공의 서브밴드 에너지는 위로 각각 이동하게 된다. 따라서, 엑시톤(exciton), 즉 전자 및 정공의 쌍(electron-hole pair)의 바인딩 에너지(binding energy)는 줄어들고, 밴드 갭 에너지(band gap energy)는 작아지게 된다. 이러한 현상을 양자 구속 스타크 효과(QCSE: Quantum Confined Stark Effect, 이하 QCSE라 한다)라 한다.
한편, 활성층에서는 InGaN와 GaN 사이에 격자 부정합(lattice mismatch)이 크게 되므로, InGaN와 GaN의 경계면에서 스트레스(stress)가 발생되고, 이로 인해 자체적으로 압전 전기장(piezoelectric field)이 기판 쪽으로 생기게 된다. 압전 전기장이 발생되면(Epiezo≠0), 이러한 압전 전기장에 의해 QCSE가 생기게 되므로, 종래의 반도체 발광소자에서는 내부 발광효율이 저하되고 고유의 밴드 갭보다 넓은 장파장의 광이 방출되게 된다.
또한 스트레스로 인한 압전 효과 및 QCSE의 효과로 인해 우물층의 모양이 변형된다. 그 변형된 우물층에 빠진 캐리어들은 우물층의 낮은 쪽으로 치우치는 현상이 발생된다. 이에 따라 내부 발광 효율이 저하되고, 열이 많이 발생되어, 반도체 발광 소자에 대한 신뢰성이 저하된다.
본 발명의 실시 예는 활성층의 내부 반도체층 사이의 경계면에서 스트레스를 보상할 수 있는 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 활성층의 내부의 적어도 한 반도체층의 물질 조성비를 시간 변화에 따라 단계적으로 변화시켜 줌으로써, 플랫한 에너지 밴드를 갖는 양자 우물층 또는/및 양자 장벽층을 제공하는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광소자는, 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자 우물구조를 포함하며, 적어도 하나의 양자 우물층의 인듐(In) 조성이 단계적으로 변화된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자 우물구조를 포함하며, 적어도 하나의 양자 장벽층의 알루미늄(Al) 조성이 단계적으로 변화된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자우물 구조를 포함하며, 양자 우물층 및 양자 장벽층 중에서 적어도 한 층을 조성하는 물질의 밴드 갭이 변화되는 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자는, 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 포함하며, 상기 양자 우물층 및 양자 장벽층 중 적어도 하나는 물질의 밴드 갭이 변화되고 플랫한 에너지 밴드를 갖는 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자 제조방법은, 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 적어도 하나의 양자 장벽층 및 InGaN 양자 우물층을 포함하는 활성층을 형성할 때, 상기 양자 우물층의 인듐(In)의 조성을 단계적으로 변화시켜 주는 단계; 상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 소자 제조방법은, 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 적어도 하나의 양자 장벽층 및 양자 우물층을 포함하는 활성층을 형성할 때, 상기 양자 장벽층의 알루미늄(Al)의 조성을 단계적으로 변화시켜 주는 단계; 상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명 실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(10), 버퍼층(20), 제 1도전성 반도체층(30), 활성층(60), 제 2도전성 반도체층(70)을 포함하며, 적어도 하나의 도전 성 반도체층에 전극이 형성될 수 있다.
상기 기판(10)은 사파이어 기판, SiC, Si, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 기판 중에서 선택될 수 있으며, 소자 생성 후 제거될 수도 있다.
상기 기판(10) 위에는 버퍼층(20)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(20)은 상기 기판(10)과의 격자 상수 차이를 줄여주기 위한 층으로서, GaN 버퍼층, AlN 버퍼층, AlGaN 버퍼층, InGaN 버퍼층 등이 선택적으로 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(20)은 형성되지 않을 수도 있으며, 상기 버퍼층 위에 언도프드 반도체층(undoped GaN)이 형성될 수도 있다.
상기 버퍼층(20) 상에 제 1도전성 반도체층(30)이 형성된다. 상기 제 1도전성 반도체층(30)은 적어도 한 층 이상의 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, AlGaN, InGaN 등 중에서 선택될 수 있으며, n형 도펀트(예: Si)가 도핑된다.
상기 제 1도전성 반도체층(30) 위에는 활성층(60)이 형성된다. 상기 활성층(60)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조로 형성된다. 이하의, 실시 예에서는 다중 양자 우물 구조의 활성층(60)에 대해 설명하기로 한다.
상기 활성층(60)은 적어도 InGaN으로 이루어진 양자 우물층(40a,40b)과 적어도 GaN으로 이루어진 양자 장벽층(50a,50b)이 교대로 형성된다. 여기서, 상기 제 1도전성 반도체층(30) 위에 양자 우물층(40a)부터 형성되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정하지 않으며, 활성층(60)은 제 1도전성 반도체층(30) 위에 양자 장벽층부터 시작될 수도 있다.
또한 양자 우물층(40a,40b) 및 양자 장벽층(50a,50b)의 주기는 2~10 주기로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한 양자 장벽층(50a,50b)이 적어도 양자 우물층(40a,40b) 보다 많은 개수로 형성될 수 있다.
이러한 활성층(60)은 예컨대, 소정의 성장 온도(예: 700 ~ 950℃) 하에서 H2, N2를 캐리어 가스로 사용하여 NH3, TMGa(TEGa), TMIn, TMAl를 소스로 공급하여, InGaN으로 이루어진 양자 우물층(40a,40b), GaN 또는 AlGaN으로 이루어진 양자 장벽층(50a,50b)을 형성할 수 있다.
이때, 각 양자 우물층(40a,40b)의 두께는 15~30Å이고, 각 양자 장벽층(50a,50b)의 두께는 50~300Å으로 형성될 수 있다.
여기서, 도 2a는 전도대(CB: conduction band)에서 활성층의 이상적인 에너지 밴드를 나타낸 밴드 다이어그램이며, 도 2b는 성장 후의 실제 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다. 도 2a와 같이, 이상적인 InGaN 우물층(41)과 (Al)GaN 장벽층(51)의 에너지 밴드는 플랫한 형태로 나타나야 하지만, 활성층이 성장될 때 양자 우물층(42)과 양자 장벽층(52) 사이의 격자 부정합으로 인해 양자 우물층(42)과 양자 장벽층(52)의 경계면에서 스트레스가 발생된다. 즉, 양자 우물 구조의 에너지 밴드들이 스트레스로 인해 성장 시간에 따라 어느 한쪽 방향으로 치우치는 현상이 발생하게 된다. 다시 말하면, 양자 우물층(42)은 n형 반도체층 쪽으로 밴드 전위가 높게 나타나고, p형 반도체층 쪽으로 진행할수록 밴드 전위가 낮게 나타나는 경사진 구조로 형성된다. 또한 양자 장벽층(52)은 n형 반도체층 쪽으로 밴드 전위가 낮게 나타나고, p형 반도체층 쪽으로 진행할수록 밴드 전위가 높게 나타나는 경사진 구조로 형성된다.
실시 예에서는 상기와 같은 에너지 밴드의 변형이 보상된 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 활성층(60)을 제공한다. 상기 활성층(60)의 양자 우물층(40a,40b) 중 적어도 한 층의 성장 시 인듐(In)의 조성비를 단계적으로 변화된다. 즉, 인듐(In)의 조성비는 제 2도전성 반도체층(70) 측으로 진행할수록 또는 성장 시간이 지나갈수록 단계적(graded)으로 감소시켜 준다. 이때, 인듐(In)의 조성비가 단계적으로 감소된 양자 우물층은 스트레스로 인한 밴드 치우침이 보상된다.
상기 양자 장벽층(50a,50b) 중 적어도 한 층의 알루미늄(Al) 조성비가 단계적으로 변화된다. 즉, 양자 장벽층(50a,50b) 중 적어도 한 층의 성장시 알루미늄(Al)의 조성비를 제 2도전성 반도체층(70) 측으로 진행할수록 또는 성장 시간이 지나갈수록 단계적으로 감소시켜 준다. 이때, 알루미늄(Al)의 조성비가 단계적으로 감소된 양자 장벽층은 스트레스로 인한 밴드 치우침이 보상된다.
이러한 활성층(60)은 양자 우물층(40a,40b) 또는/및 양자 장벽층(50a,50b)의 일부 또는 모두에 대해 In 또는/및 Al을 선택적으로 이용하여 그 물질의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줌으로써, 양자 우물층(40a,40b)과 양자 장벽층(50a,50b) 사이의 경계면에서 발생되는 스트레스로 인한 에너지 밴드의 변형을 보상하여, 플랫한 에너지 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(60) 위에는 제 2도전성 반도체층(70)이 형성되며, 상기 제 2도전성 반도체층(70)은 적어도 한 층 이상의 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 p형 반도체층은 GaN, AlGaN, InGaN 등 중에서 선택될 수 있으며, p형 도펀트 (예: Mg)가 도핑된다.
본 발명의 실시 예에서는 상기와 같은 활성층(60)에서의 에너지 밴드의 치우침을 보상하여, 에너지 밴드의 변형을 방지하고자 한다. 이를 위해, 활성층(60)의 일부 또는 모든 양자 우물층(40a,40b) 또는/및 양자 장벽층(50a,50b)에 대해 스트레스를 예상하여 변형될 에너지 밴드 구조를 역으로 설계하여, 스트레스로 인해 에너지 밴드의 변형이 발생되더라도 플랫한 에너지 밴드로 형성되도록 한다.
구체적인 실시 예들에 대해 도 3내지 도 8을 참조하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 다중 양자 우물 구조의 밴드 다이어그램으로서, 도 3a는 양자 우물층(43a)의 스트레스를 예상하여 설계된 활성층의 밴드 다이어그램이며, 도 3b는 도 3a와 같이 설계된 밴드 다이어그램에 따라 양자 우물층(43)을 성장시킨 활성층의 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.
도 3a와 같이, 양자 우물층(43a)의 밴드 다이어그램은 도 3b와 같은 스트레스로 인해 변형될 양자 우물층(42)을 예상하여 설계한다. 즉, 양자 우물층(43a)은 에너지 밴드의 전위가 n형 반도체층 쪽이 낮고 p형 반도체층 쪽이 높아지도록 설계한다.
도 3a에 설계된 밴드 다이어그램을 참조하여, 도 3b의 양자 우물층(43)을 각각 성장하게 될 때, 성장 초기에 인듐(In)의 함유량을 상대적으로 많이 공급한 후 단계적으로 감소하여 기준량의 정도까지 줄여줌으로써 플랫한 에너지 밴드로 형성된다.
여기서, 각각의 양자 우물층(43)은 성장 시간에 따라 InaGabN/Ina1Gab1N로 변 화시켜 주도록 성장해 준다. 여기서, 0 < a ≤1, 0 < a1 ≤1, b=1-a, b1=1-a1이 되며, a > a1이 된다.
상기 도 2b의 양자 우물층(42)의 스트레스에 의한 에너지 밴드의 변형을 보상하기 위해서 도 3a와 같이 양자 우물층(43a)를 설계한 다음, In의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줌으로써, 도 3b와 같이 플랫한 에너지 밴드를 갖는 양자 우물층(43)을 각각 제공할 수 있다. 여기서, 모든 양자 우물층이 아닌 일부 양자 우물층에 대해 인듐의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줄 수 있다.
그리고, 양자 장벽층(53)은 GaN층으로 형성되며, 스트레스에 의해 에너지 밴드가 변형될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 활성층의 밴드 다이어그램을 나타낸 도면으로서, 도 4a는 양자 장벽층(54a)의 스트레스에 의한 에너지 밴드의 변형을 보상하기 위하여 설계한 활성층의 밴드 다이어그램이며, 도 4b는 도 4a와 같이 설계된 밴드 다이어그램에 따라 양자 장벽층(54)을 성장시켜 활성층에 생긴 압전 전기장을 고려했을 때의 활성층의 밴드 다이어그램이다.
도 4a와 같이 활성층의 양자 장벽층(54a)은 스트레스로 인해 도 4b 또는 도 2b와 같이 변형될 양자 장벽층(52)을 예상하여 설계한다. 즉, 양자 장벽층(54a)은 에너지 밴드의 전위가 n형 반도체층 쪽이 높고 p형 반도체층 쪽이 낮아지도록 설계한다.
도 4a와 같이 설계된 밴드 다이어그램을 참조하여, 도 4b와 같이 양자 장벽층(54)을 성장하게 되면, 각각의 양자 장벽층(54)의 성장 초기에 알루미늄(Al)의 함유량을 상대적으로 많이 공급한 후 단계적으로 감소하여 기준량 정도까지 줄여 줌으로써 플랫한 에너지 밴드로 형성될 수 있다.
여기서, 양자 우물층(44)은 InGaN로 형성되며, 상기 양자 장벽층(54)은 성장 시간에 따라 AlcGadN/Alc1Gad1N으로 변화시켜 줄 수 있다. 여기서, 0 < c ≤1, 0 < c1 ≤1, d=1-c, d1=1-c1이 되며, c > c1이 된다. 즉, 각각의 AlGaN의 양자 장벽층(54)은 알루미늄(Al)의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줄 수 있다. 또한 AlcGadN/Alc1Gad1N 주기를 갖는 양자 장벽층(54)은 스트레스로 인한 밴드 휨을 보상될 수 있다.
여기서, 모든 양자 장벽층이 아닌, 일부 양자 장벽층에 대해 알루미늄의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줄 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 3실시 예에 따른 활성층의 밴드 다이어그램이다. 도 5a는 양자 우물층(45a) 및 양자 장벽층(55a)에 대한 스트레스에 의한 에너지 밴드의 변형을 보상하기 위하여 설계한 활성층의 밴드 다이어그램이며, 도 5b는 도 5a와 같이 설계된 밴드 다이어그램에 따라 양자 우물층(45) 및 양자 장벽층(55)을 성장시킨 활성층의 밴드 다이어그램이다.
도 5a와 같이 활성층의 양자 우물층(45a) 및 양자 장벽층(55a)에 대해 스트레스로 인해 도 2b와 같이 양자 우물층(42) 및 양자 장벽층(52)의 변형을 예상하여 설계한다. 즉, 양자 우물층(45a)은 에너지 밴드의 전위가 n형 반도체층 쪽이 낮고 p형 반도체층 쪽이 높아지도록 설계한다. 양자 장벽층(55a)은 에너지 밴드의 전위가 n형 반도체층 쪽이 높고 p형 반도체층 쪽이 낮아지도록 설계한다.
도 5a에 설계된 밴드 다이어그램을 참조하여, 도 5b의 양자 우물층(45)을 각각 성장하게 될 때, 성장 초기에 인듐(In)의 함유량을 상대적으로 많이 공급한 후 단계적으로 감소하여 기준량의 정도까지 줄여줌으로써, 각 양자 우물층(45)은 플랫한 에너지 밴드로 형성될 수 있다. 또한 양자 장벽층(55)을 각각 성장할 때, 성장 초기에 알루미늄(Al)의 함유량을 상대적으로 많이 공급한 후 단계적으로 감소하여 기준량의 정도까지 줄여줌으로써, 각 양자 장벽층(55)은 플랫한 에너지 밴드로 형성될 수 있다.
여기서, 각각의 양자 우물층(45)은 성장 시간에 따라 InaGabN/Ina1Gab1N로 형성되며, 각 양자 우물층(45)은 성장 시간에 따라 인듐(In)의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줌으로써, 스트레스가 발생되더라도 각각의 양자 우물층(45)의 에너지 밴드는 플랫하게 형성될 수 있다.
또한 각각의 양자 장벽층(55)은 성장 시간에 따라 AlcGadN/Alc1Gad1N(c>c1)와 같이 알루미늄(Al)의 조성비를 단계적으로 감소시켜 줌으로써, 스트레스가 발생되더라도 각각의 양자 장벽층(55)의 에너지 밴드는 플랫하게 형성될 수 있다.
그리고, 본 발명의 실시 예는 활성층의 양자 장벽층 또는/및 양자 우물층의 일부 또는 모든 층에 대해 각 층을 구성하는 물질의 밴드 갭을 변화시켜 주어, 에 너지 밴드의 변형을 보상하고자 한다. 이는 제 4 내지 제 6실시 예에서 구체적으로 설명하기로 한다.
도 6은 제 4실시 예에 따른 활성층의 밴드 다이어그램이다. 이러한 제 4실시 예는 양자 우물층에 초격자 구조를 이용하여 밴드 변형을 보상하고자 한다. 도 6a는 초격자 구조의 양자 우물층(46a)으로 설계한 활성층의 밴드 다이어그램이며, 도 6b는 도 6a와 같이 설계된 밴드 다이어그램에 따라 양자 우물층(46)을 성장시킨 활성층의 밴드 다이어그램이다.
도 6a를 참조하면, 양자 우물층(46a)은 일부 또는 모든 층에 대해 InaGabN/Ina1Gab1N 초격자 구조의 주기로 설계되며, 양자 장벽층(56a)은 AlGaN 또는 GaN으로 설계된다. 이러한 양자 우물층(46a)은 밴드 갭이 큰 물질부터 밴드 갭이 작은 물질의 주기를 갖고 성장되도록 설계된다.
도 6a와 같은 초격자 구조의 양자 우물층(46a)의 설계를 참조하여, 도 6b와 같은 양자 우물층(46)이 InaGabN/Ina1Gab1N 초격자 구조의 주기로 성장되는 데, 이때 양자 우물층(46)은 스트레스로 인한 에너지 밴드의 변형이 보상되어, 플랫 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성될 수 있다. 상기 양자 우물층(46)의 InaGabN/Ina1Gab1N 초격자 구조는 1주기 이상 형성될 수 있다.
여기서, 양자 우물층(46)의 성장시 밴드 갭이 작은 물질부터 밴드 갭이 큰 물질의 순서로 성장시켜 준다. 즉, 인듐(In)의 함유량이 많으면 밴드 갭이 커지고, 인듐(In)의 함유량이 적으면 밴드 갭이 작아진다. 즉, InaGabN을 성장한 후 Ina1Gab1N 을 성장하게 되며, 이때 0< a1 < a ≤1을 만족하게 된다.
도 7은 제 5실시 예에 따른 활성층의 밴드 다이어그램이다. 이러한 제 5실시 예는 초격자 구조의 양자 장벽층을 이용하여 밴드 변형을 보상하고자 한다. 도 7a는 초격자 구조의 양자 장벽층(57a)으로 설계한 활성층의 밴드 다이어그램이며, 도 7b는 도 7a와 같이 설계된 밴드 다이어그램에 따라 양자 장벽층(57)을 성장시킨 활성층의 밴드 다이어그램이다.
도 7a을 참조하면, 양자 장벽층(57a)의 일부 또는 모든 층에 대해 AlcGadN/Alc1Gad1N 초격자 구조의 주기를 갖고 성장되도록 설계한다.
도 7a와 같은 초격자 구조의 양자 장벽층(57a)의 설계를 참조하여, 도 7b와 같은 양자 장벽층(57)이 AlcGadN/Alc1Gad1N 초격자 구조의 주기로 성장되는 데, 이때 양자 장벽층(57)은 스트레스로 인한 에너지 밴드의 변형이 보상되어, 플랫 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층(57)의 AlcGadN/Alc1Gad1N 초격자 구조는 1주기 이상 형성될 수 있다.
상기 양자 장벽층(57)의 AlcGadN/Alc1Gad1N 초격자 구조는 밴드 갭이 큰 물질부터 밴드 갭이 작은 물질의 성장 주기를 갖고 형성된다. 여기서, 밴드 갭이 큰 물질은 알루미늄(Al)의 함유량이 많은 물질이고, 밴드 갭이 작은 물질은 알루미늄(Al)의 함유량이 작은 물질이다. 도 7b와 같이 양자 장벽층(57)에서 스트레스로 인한 밴드 변형이 방지되거나 최소화됨으로써, 플랫 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성된다. 즉, AlcGadN을 성장한 후 Alc1Gad1N의 주기로 성장하게 되며, 이때 c > c1 을 만족하게 된다.
도 8은 제 6실시 예에 따른 활성층의 밴드 다이어그램이다. 이러한 제 6실시 예는 초격자 구조의 양자 우물층 및 양자 장벽층을 이용하여 밴드 변형을 보상하고자 하는 것으로, 도 8a는 밴드 변형을 보상하기 위한 초격자 구조의 양자 우물층 및 양자 장벽층의 밴드 다이어 그램을 설계한 도면이며, 도 8b는 도 8a를 참조하여 성장시킨 활성층의 밴드 다이어 그램이다.
도 8a를 참조하면, 양자 우물층(48a) 및 양자 장벽층(58a)의 일부 또는 모든 층에 대해 초격자 구조의 주기를 갖고 성장되도록 설계할 수 있다.
도 8a와 같이 초격자 구조의 InaGabN/Ina1Gab1N 양자 우물층(48a)을 설계하고, 양자 우물층(48)을 성장하게 되면, 도 8b와 같이 양자 우물층(48)은 플랫한 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성된다. 상기 양자 우물층(48)은 InaGabN/Ina1Gab1N의 초격자 구조의 주기를 갖고, 밴드 갭이 작은 물질(즉, InaGabN)부터 밴드 갭이 큰 물질(즉, Ina1Gab1N)의 주기로 성장된다. 여기서, 1≥ a > a1 > 0 을 만족한다.
또한 도 8a와 같이 초격자 구조의 AlcGadN/Alc1Gad1N 양자 장벽층(58)을 설계하고, 양자 장벽층(58a)을 성장하게 되면, 도 8b와 같이 양자 장벽층(58)은 플랫한 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성된다. 상기 양자 장벽층(58)은 AlcGadN/Alc1Gad1N의 초격자 구조의 주기를 갖고, 밴드 갭이 큰 물질(즉, AlcGadN)부터 밴드 갭이 작 은 물질(즉, Alc1Gad1N)의 성장 주기로 성장시켜 준다. 1≥ c > c1 ≥ 0을 만족한다.
도 8b와 같이 양자 우물층(48) 및 양자 장벽층(48)의 일부 또는 모든 층에 대해 스트레스로 인한 밴드 변형이 방지되거나 최소화됨으로써, 플랫 밴드 또는 일정한 밴드 갭으로 형성된다.
상술한 바와 같이, 활성층의 모든 또는 일부의 양자 우물층 및/또는 양자 장벽층에 대해 인듐, 알루미늄 및 갈륨 중 적어도 하나의 조성비를 조절하여 에너지 밴드를 미리 변형시켜 줌으로써, 스트레스에 의한 밴드 변형이 발생하더라도, 양자 우물층 및/또는 양자 장벽층의 에너지 밴드를 플랫하게 제공할 수 있다.
이에 따라, 활성층에서 스트레스에 의한 압전 전기장이 발생되지 않도록 하고, 전자와 정공이 양자 우물 중심에 모이게 되어 전자 및 정공의 쌍을 생성할 확률을 보다 높이게 되어 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 내부 발광 요율이 저하되는 것을 방지하고, 고유의 밴드 갭에 해당되는 파장의 광이 방출될 수 있다.
또한 본 발명의 실시 예는 제 2도전성 반도체층 위에 제 3도전성 반도체층을 형성하여, npn 또는 pnp 등의 구조로 형성할 수도 있다. 또한 수평형 또는 수직형 반도체 발광소자로 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 의한 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 활성층 내부에서의 스트레스로 인한 에너지 밴드의 변형을 보상할 수 있다.
또한 플랫한 에너지 밴드를 갖는 적어도 하나의 양자 우물층 또는/및 양자 장벽층을 제공할 수 있다.
또한 활성층에서 압전 전기장의 발생을 방지하는 한편, 전자와 정공이 양자 우물 중심에 모이게 되어 전자 및 정공의 쌍을 생성할 확률을 보다 높여 줄 수 있어, 내부 발광 효율을 개선할 수 있다.
또한 내부 발광 요율이 저하되는 것을 방지하고, 고유의 밴드 갭에 해당되는 파장의 광이 방출될 수 있다.
또한 발광 소자로서의 신뢰성을 개선할 수 있다.

Claims (28)

  1. 제 1도전성 반도체층;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자 우물구조를 포함하며, 적어도 하나의 양자 우물층의 인듐(In) 조성이 단계적으로 변화된 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1도전성 반도체층;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자 우물구조를 포함하며, 적어도 하나의 양자 장벽층의 알루미늄(Al) 조성이 단계적으로 변화된 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 양자 우물층의 인듐(In)의 조성(Ina)비가 0 < a ≤1 내에서 단계적으로 감소되는 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 양자 우물층의 인듐 조성비가 상기 제 2도전성 반도체층으로 진행할수 록 감소되는 발광 소자.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 양자 장벽층은 상기 알루미늄(Al)의 조성(Alc)비가 0 < c ≤1 내에서 단계적으로 감소하는 발광 소자.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 양자 장벽층의 알루미늄 조성비가 제 2도전성 반도체층으로 진행할수록 감소되는 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 양자 장벽층은 적어도 AlGaN을 포함하며, 상기 양자 장벽층의 Al 조성을 단계적으로 감소시켜 주는 발광 소자.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 양자 우물층은 InGaN으로 이루어지며, 상기 양자 우물층의 In 조성을 단계적으로 감소시켜 주는 발광 소자.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 1도전성 반도체층은 n형 질화물 반도체층을 포함하며,
    상기 제 2도전성 반도체층은 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  10. 제 1도전성 반도체층;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 우물층 및 양자 장벽층을 갖는 단일 양자 우물구조 또는 다중 양자우물 구조를 포함하며, 양자 우물층 및 양자 장벽층 중에서 적어도 한 층을 조성하는 물질의 밴드 갭이 변화되는 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 적어도 한 층은 양자 우물층이며,
    상기 양자 우물층은 InaGabN 및 Ina1Gab1N(0<a≤1, 0<a1≤1, b=1-a, b1=1-a1)의 주기로 형성되며, 상기 a1 < a인 발광소자.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 적어도 한 층은 양자 우물층이며,
    상기 양자 우물층은 밴드 갭이 작은 물질부터 밴드 갭이 큰 물질의 순서로 형성되는 발광 소자.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 적어도 한 층은 양자 장벽층 중에 적어도 한 층이며,
    상기 양자 장벽층은 AlcGadN 및 Alc1Gad1N(0≤c≤1, 0<c1≤1, d=1-c, d1=1-d)의 주기로 형성되며, 상기 c > c1인 발광 소자.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 적어도 한 층은 양자 장벽층 중에서 적어도 한 층이며,
    상기 양자 장벽층은 밴드 갭이 큰 물질부터 밴드 갭이 작은 물질의 순서로 형성되는 발광 소자.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 양자 우물층은 InaGabN 및 Ina1Gab1N(0<a≤1, 0<a1≤1, b=1-a, b1=1-a1, a>a1)의 주기로 형성되며,
    상기 양자 장벽층은 AlcGadN 및 Alc1Gad1N(0≤c≤1, 0<c1≤1, d=1-c, d1=1-d, c > c1)의 주기로 형성되는 발광 소자.
  16. 제 1도전성 반도체층;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 양자 장벽층 및 양자 우물층을 포함하며, 상기 양자 우물층 및 양자 장벽층 중 적어도 하나는 물질의 밴드 갭이 변화되고 플랫한 에너지 밴드를 갖는 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 발광 소자.
  17. 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 적어도 하나의 양자 장벽층 및 InGaN 양자 우물층을 포함하는 활성층을 형성할 때, 상기 양자 우물층의 인듐(In)의 조성을 단계적으로 변화시켜 주는 단계;
    상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  18. 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 적어도 하나의 양자 장벽층 및 양자 우물층을 포함하는 활성층을 형성할 때, 상기 양자 장벽층의 알루미늄(Al)의 조성을 단계적으로 변화시켜 주는 단계;
    상기 활성층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 복수개의 양자 우물층 중 적어도 한 층은 상기 인듐(In)의 조성(Ina)이 0 < a ≤1 내에서 단계적으로 감소되는 발광 소자 제조방법.
  20. 제 17항에 있어서,
    상기 복수개의 양자 우물층 중 적어도 한 층은 상기 인듐의 조성을 제 2도전성 반도체층으로 진행할수록 감소시켜 주는 발광 소자 제조방법.
  21. 제 18항에 있어서,
    상기 복수개의 양자 장벽층 중 적어도 한 층은 상기 알루미늄(Al)의 조성(Alc)의 조성이 0 < c ≤1 내에서 단계적으로 감소하는 발광 소자 제조방법.
  22. 제 18항에 있어서,
    상기 복수개의 양자 장벽층 중 적어도 한 층은 상기 알루미늄의 조성을 제 2도전성 반도체층으로 진행할수록 감소시켜 주는 발광 소자 제조방법.
  23. 제 17항에 있어서,
    상기 양자 장벽층은 적어도 AlGaN을 포함하며, 상기 양자 장벽층의 Al의 조성을 단계적으로 감소시켜 주는 발광 소자 제조방법.
  24. 제 18항에 있어서,
    상기 양자 우물층은 InGaN으로 이루어지며, 상기 양자 우물층의 In 조성을 단계적으로 감소시켜 주는 발광 소자 제조방법.
  25. 제 17항에 있어서,
    상기 양자 우물층은 InaGabN 및 Ina1Gab1N(0<a≤1, 0<a1≤1, b=1-a, b1=1-a1)의 주기로 형성되며, 상기 a1 < a인 발광 소자 제조방법.
  26. 제 18항에 있어서,
    상기 양자 장벽층은 AlcGadN 및 Alc1Gad1N(0<c≤1, 0<c1≤1, d=1-c, d1=1-c)의 주기로 형성되며, 상기 c > c1인 발광 소자 제조방법.
  27. 제 17항 또는 제 18항에 있어서,
    상기 양자 우물층은 밴드 갭이 작은 물질부터 밴드 갭이 큰 물질의 순으로 성장되는 발광 소자 제조방법.
  28. 제 17항 또는 제 18항에 있어서,
    상기 양자 장벽층은 밴드 갭이 큰 물질부터 밴드 갭이 작은 물질의 순으로 성장되는 발광 소자 제조방법.
KR1020070062040A 2007-06-25 2007-06-25 발광소자 및 그 제조방법 KR20090002241A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070062040A KR20090002241A (ko) 2007-06-25 2007-06-25 발광소자 및 그 제조방법
US12/145,155 US20080315180A1 (en) 2007-06-25 2008-06-24 Semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070062040A KR20090002241A (ko) 2007-06-25 2007-06-25 발광소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090002241A true KR20090002241A (ko) 2009-01-09

Family

ID=40135520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070062040A KR20090002241A (ko) 2007-06-25 2007-06-25 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080315180A1 (ko)
KR (1) KR20090002241A (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100924453B1 (ko) * 2009-02-06 2009-11-03 갤럭시아포토닉스 주식회사 발광 소자
KR20130029593A (ko) * 2011-09-15 2013-03-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20140026891A (ko) * 2012-08-23 2014-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20150014206A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
KR20150061252A (ko) * 2013-11-27 2015-06-04 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
CN114964569A (zh) * 2022-05-19 2022-08-30 电子科技大学 一种量子阱偏压和应力传感器

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100123119A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having indium nitride
US8399948B2 (en) 2009-12-04 2013-03-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package and lighting system
US8525148B2 (en) * 2010-07-16 2013-09-03 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices without converter materials and associated methods of manufacturing
CN102347408B (zh) * 2011-10-26 2014-04-09 华南师范大学 GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法
CN103545406A (zh) 2012-07-16 2014-01-29 展晶科技(深圳)有限公司 多量子阱结构及发光二极管
CN103311388B (zh) * 2013-05-09 2016-07-06 青岛杰生电气有限公司 半导体紫外光源器件
CN103247728B (zh) * 2013-05-09 2016-01-13 青岛杰生电气有限公司 一种半导体紫外光源器件
CN103325903A (zh) * 2013-06-19 2013-09-25 中国科学院半导体研究所 可调控能带的uv led多量子阱结构装置及生长方法
JP6183060B2 (ja) * 2013-08-24 2017-08-23 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN104157760A (zh) * 2014-08-06 2014-11-19 湘能华磊光电股份有限公司 发光二极管的外延片及其制作方法
CN105720152B (zh) * 2016-02-29 2018-08-21 湘能华磊光电股份有限公司 一种led外延结构及其生长方法
CN105742432A (zh) * 2016-04-22 2016-07-06 河北工业大学 一种减小量子阱中俄歇复合率的led外延结构
CN106299041A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 华南理工大学 生长在r面蓝宝石衬底上的非极性LED外延片的制备方法及应用
CN107452843B (zh) * 2017-06-30 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法
CN113169251B (zh) * 2018-12-21 2022-11-15 Hrl实验室有限责任公司 低调制电压的低温二极管结构
CN113451460B (zh) * 2020-11-20 2022-07-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光器件及其制备方法
CN114038959B (zh) * 2021-08-10 2023-04-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 外延结构及其制作方法、led器件
WO2023015443A1 (zh) * 2021-08-10 2023-02-16 重庆康佳光电技术研究院有限公司 外延结构及其制作方法、led器件
CN114038961B (zh) * 2021-10-26 2023-06-16 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光二极管及显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3227661B2 (ja) * 1993-09-28 2001-11-12 キヤノン株式会社 歪量子井戸構造素子及びそれを有する光デバイス
US7122839B2 (en) * 2004-10-29 2006-10-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor light emitting devices with graded composition light emitting layers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100924453B1 (ko) * 2009-02-06 2009-11-03 갤럭시아포토닉스 주식회사 발광 소자
KR20130029593A (ko) * 2011-09-15 2013-03-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20140026891A (ko) * 2012-08-23 2014-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20150014206A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
KR20150061252A (ko) * 2013-11-27 2015-06-04 서울바이오시스 주식회사 자외선 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
CN114964569A (zh) * 2022-05-19 2022-08-30 电子科技大学 一种量子阱偏压和应力传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US20080315180A1 (en) 2008-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090002241A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101459752B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US10522716B2 (en) Semiconductor light emitting device
US7884350B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US20090278113A1 (en) Nitride semiconductor light emitting device
KR100931509B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101393897B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2008182284A (ja) 窒化物半導体の発光素子及びその製造方法
JP2009071277A (ja) 窒化物ベースのダイオード内への分極ドーピング
KR20150025264A (ko) 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN111341892B (zh) 一种led外延结构及其制作方法、led芯片
KR101650720B1 (ko) 나노로드 기반의 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102224116B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20090002215A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090002199A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7053418B2 (en) Nitride based semiconductor device
KR100925062B1 (ko) 4원계 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20100066807A (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100728132B1 (ko) 전류 확산층을 이용한 발광 다이오드
KR101018132B1 (ko) 분극 완화를 위한 질화물 반도체 발광 소자
KR101876576B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100946031B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20090021933A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20210034986A (ko) 높은 광량을 제공하는 자외선 led
CN220456444U (zh) 一种半导体结构

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application