CN113451460B - 发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供的一种发光器件，发光器件上包括衬底基板以及层叠设置于衬底基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层。发光层包括周期性交叠的发光单元，发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层，含铟插入层夹设于含铟量子阱层和量子垒层之间，且含铟插入层中铟元素的含量大于含铟量子阱层中铟元素的含量。本发明通过对发光层进行结构设计，在发光单元中加入含铟组分配比的含铟插入层，缓解了发光单元中的强极化电场，并以此减小了发光层中极化电场的影响，增加电子空穴的波函数重叠，提高了载流子辐射复合效率，进而能够提升发光器件的发光效率。

Description

发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光器件及其制备方法。
背景技术
氮化铟镓多量子阱在发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)和激光二极管(Laser Diode)中作为高效率的有源区域取得了巨大的成功。且发光二极管是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。当发光二极管中有电流经过时，其内部的电子与空穴在其发光层内复合而发出单色光。
然而，由于在发光二极管中的衬底上生长的第一半导体层中会存在自发极化(Spontaneous polarization)电场，同时发光层与第一半导体层之间会形成晶格失配从而形成压电极化(Piezoelectric polarization)电场。极化电场的存在会使得发光层的能带发生倾斜，电子和空穴波函数在空间上重叠减小，辐射复合几率下降，从而使得发光二极管内的量子效率下降，同时由于极化电场的存在，当电流变化时峰值波长产生偏移会导致显示色差。
发明内容
本申请的目的在于提高Micro-LED的发光效率，提供了一种发光器件及其制备方法，具体包括如下技术方案：
一种发光器件，包括依次层叠设置于衬底基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
所述发光层包括周期性交叠的发光单元，所述发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层，所述含铟插入层夹设于所述含铟量子阱层和所述量子垒层之间，且所述含铟插入层中铟元素的含量大于所述含铟量子阱层中铟元素的含量。
本申请提供的发光器件，通过在所述发光器件上依次排列设置有所述衬底基板、所述第一半导体层、所述发光层以及所述第二半导体层，实现所述发光器件的发光功能。通过将所述发光层设置为由多个所述发光单元周期性交叠，可增加复合辐射效率，提升所述发光器件的发光效率。另外，本申请在所述发光单元的所述含铟量子阱层与所述量子垒层之间插入铟含量大于所述含铟量子阱层中铟含量的所述含铟插入层，而所述含铟插入层中高铟组分所引入的拉伸应变状态可以抵消所述含铟量子阱层与所述量子垒层因晶格适配导致的压缩应变，即可以削弱所述含铟量子阱层与所述量子垒层因晶格适配导致的压电极化问题，从而增加了电子和空穴波函数的交叠区域面积，最终电子和空穴辐射复合几率增加，进而提升所述发光器件的发光效率。
可选地，所述含铟量子阱层包括氮化铟镓层，所述含铟插入层包括氮化铝铟层。
所述氮化铟镓层能够较好地将载流子限制在所述发光单元中，并能够较好地实现电子和空穴的复合发光。
可选地，所述氮化铝铟层中铝元素的组分介于75％～85％之间，铟元素的组分介于15％～25％之间。
所述氮化铝铟层中铝组分与铟组分的配比，使得所述发光单元能够形成光滑且陡峭的界面，并在所述发光单元内形成拉应力。
可选地，所述氮化铟镓层中铟元素的组分介于5％～20％之间。
所述氮化铟镓层中铟的组分与所述氮化铝铟层中铟的组分接近，能够使得两者之间的晶格匹配较好。
可选地，所述发光单元的交叠周期大于或等于六。
当所述发光单元的交叠周期大于或等于六时，使得所述发光器件能够较好地保持其自身的光电特性。
一种发光器件制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
于所述衬底基板上生长一第一半导体层；
于所述第一半导体层上生长一发光单元；其中，所述发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层，所述含铟插入层夹设于所述含铟量子阱层和所述量子垒层之间，且生长的所述含铟插入层中铟元素的含量大于生长的所述含铟量子阱层中铟元素的含量；
周期性重复所述发光单元的制作步骤以形成一发光层；
于所述发光层上制作一第二半导体层。
通过本申请所提供的一种发光器件制备方法，能够对应制作出上述的发光器件，且所述发光器件能够减小所述发光层中极化电场的影响，增加电子与空穴之间的波函数重叠，提高载流子的复合效率，进而能够提升所述发光器件的发光效率。
可选地，所述含铟量子阱层包括氮化铟镓层，所述含铟插入层包括氮化铝铟层；所述于所述第一半导体层上制作一发光单元，包括：
控制所述氮化铟镓层于一生长压力下生长；
调整该生长压力以使当前生长压力符合所述氮化铝铟层的生长要求，并控制所述氮化铝铟层在经调整后的生长压力下生长；
完成所述氮化铝铟层的生长后，再次调整当前生长压力以符合所述量子垒层的生长要求；
控制所述量子垒层于再次调整后的生长压力下生长。
在分别生长所述氮化铟镓层、所述氮化铝铟层以及所述量子垒层时均需要调整适合的生长压力以分别适应所述氮化铟镓层、所述氮化铝铟层以及所述量子垒层的生长要求。
可选地，还包括：
响应于经调整后的生长压力符合所述氮化铝铟层的要求，则控制经调整后的生长压力在一预设时间保持稳定。
生长所述氮化铝铟层时先保持预设时间内的生长压力的稳定能够使得所述氮化铝铟层的生长效果较好，从而保证所述发光层的显示效果。
可选地，所述调整该生长压力以使当前生长压力符合所述氮化铝铟层的生长要求的步骤，包括：
降低该生长压力以使当前生长压力符合所述氮化铝铟层的生长要求。
由于生长所述氮化铝铟层的生长压力较小，因此在生长上述氮化铝铟层时需要降低该生长压力。
可选地，所述氮化铟镓层的生长压力大于350毫巴，所述氮化铝铟层的生长压力小于100毫巴，所述量子垒层的生长压力大于350毫巴。
通过改变生长环境，能够使得所述氮化铟镓层、所述氮化铝铟层和所述量子垒层均能够实现较稳定的生长，并能够较好地保证其固有的光电特性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的发光器件的结构示意图；
图2是本发明提供的发光器件的一种实施例的示意图；
图3是本发明提供的发光器件的另一种实施例的示意图；
图4是本发明提供的发光器件制备方法的流程图；
图5是图4提供的发光器件制备方法中步骤S30的子步骤流程图；
图6是本发明提供的发光器件的生长压力示意图。
附图标记说明：
10-发光器件；100-衬底基板；200-缓冲层；300-第一半导体层；400-电子注入层；500-发光层；600-电子阻挡层；700-空穴注入层；800-第二半导体层；510-平整层；520-发光单元；521-含铟量子阱层；522-含铟插入层；523-量子垒层；501-氮化铟镓层；502-氮化铝铟层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
请参见图1所示本发明实施例中所提供的发光器件10的结构示意图，通过制作发光器件10并对其进行加工后可形成芯片，芯片封装后即形成发光二极管，形成的发光二极管能够实现其显示和照明等功能。现有发光器件10的发光单元通常存在层内的晶格失配较大的现象，会使得发光单元内部形成较高的压应力，从而造成能带弯曲的现象。此时发光层500内的载流子辐射复合效率较低，其形成的发光二极管的发光效率也相应较低。
本申请所提供的发光器件10包括依次层叠设置于衬底基板100上的第一半导体层300、发光层500、以及第二半导体层800。请配合参见图2，其中，发光层500包括周期性交叠的发光单元520，且第一半导体层300、发光层500与第二半导体层800的共同作用能够实现发光器件10的发光功能，同时发光单元520能够提高发光器件10的发光效率。
具体的，发光单元520包括含铟量子阱层521、量子垒层523、以及设置于含铟量子阱层521和量子垒层523之间的含铟插入层522。其中，含铟量子阱层521靠近第一半导体层300设置，量子垒层523靠近第二半导体层800设置。且含铟插入层522中铟元素的含量大于含铟量子阱层521中铟元素的含量，含铟插入层522中高铟组分所引入的拉伸应变状态可以抵消含铟量子阱层521与量子垒层523因晶格适配导致的压缩应变。第一半导体层300的材料为非掺杂的氮化镓，主要通过高温生长的方式制作，发光层500位于第一半导体层300与第二半导体层800之间，第二半导体层800也即欧姆接触层，欧姆接触层能够形成良好的欧姆接触，并有利于电流的输入和输出。
一种实施例请参见图3，发光层500中在生在发光单元520之前还可以先生长一层平整层510，即平整层510位于第一半导体层300与发光单元520之间。平整层510的材料为氮化镓，且平整层510与发光单元520之间的晶格常数差异较小，能够减小发光层500内部的极化电场，增大发光层500内部的量子效率。发光层500制作过程中，先在平整层510上制作一层含铟量子阱层521，然后在含铟量子阱层521上制作一层含铟插入层522，最后在含铟插入层522上制作一层量子垒层523后能够形成位于平整层510上的发光单元520。此时，含铟插入层522夹设于含铟量子阱层521和量子垒层523之间，且发光单元520中的含铟量子阱层521位于平整层510上。通过发光单元520所形成的结构，能够减小含铟量子阱层521、含铟插入层522和量子垒层523之间的晶格失配常数差异，进而削弱发光单元520内部的压电极化效应。
需要提出的是，当平整层510的生长厚度h1满足7nm≤h1≤15nm时，高温条件下生长的平整层510能够与含铟量子阱层521形成陡峭的生长界面，使其能够相对较好地将载流子限制在含铟量子阱层521中，并实现电子空穴的复合发光。含铟量子阱层521的生长厚度h2满足：3nm≤h2≤5nm，量子垒层523的生长厚度h4满足：6nm≤h4≤10nm，且含铟量子阱层521与量子垒层523的生长厚度能够分别限制电子和空穴的运动轨迹，使其较好地在发光层500内实现提升复合发光的效果。含铟插入层522的厚度h3满足：0.7nm≤h3≤1.5nm。生长含铟插入层522时，需要对含铟插入层522的厚度进行限制，且当含铟插入层522的厚度低于0.7nm时，会使得含铟插入层522自身不能发挥作用，当含铟插入层522的厚度高于1.5nm时，会使得发光器件10在制作过程中容易造成缺陷。优选的，为了使得含铟插入层522能够较好地发挥其作用，其厚度h3满足条件：1nm≤h3≤1.5nm。
一种实施例请继续参见图3，第一半导体层300与发光层500之间还可以设有电子注入层400。电子注入层400位于第一半导体层300与发光层500之间，也即，电子注入层400位于第一半导体层300与平整层510之间，且平整层510主要通过高温生长的方式制作在电子注入层400上。电子注入层400为含硅(Si)生长的，材料为氮化镓的电子注入层400，硅掺杂的电子注入层400能够为发光器件10提供更多的电子，通过增加电子的含量来增大电子与空穴之间的复合率，并以此来增加载流子的复合率，提高发光器件10的发光效率。
另一种实施例请继续参见图3，还可以在衬底基板100与第一半导体层300之间设置缓冲层200。缓冲层200也即氮化镓成核层，主要低温生长于蓝宝石衬底上，缓冲层200与第一半导体层300的材料均为氮化镓，且第一半导体层300主要通过高温生长的方式制作在缓冲层200上。
一种实施例请继续参见图3，发光层500与第二半导体层800之间还设有电子阻挡层600和空穴注入层700，且电子阻挡层600位于发光层500与空穴注入层700之间。电子阻挡层600和空穴注入层700位于发光层500与第二半导体层800之间，也即，电子阻挡层600和空穴注入层700位于发光单元520与第二半导体层800之间，且电子阻挡层600位于发光单元520与空穴注入层700之间，且电子阻挡层600制作在最后一个发光单元520上。电子阻挡层600能够阻挡电子从发光层500直接跃迁到第二半导体层800，避免由此造成的电子的损耗，并同时影响发光层500的发光频率。空穴注入层700为镁(Mg)掺杂的空穴注入层700，镁掺杂的空穴注入层700能够为发光器件10提供更多的空穴，增加空穴的含量，能够增加空穴与电子之间的复合率，并以此来提高电子向空穴跃迁的效率。
本申请提供的发光器件10，通过在发光器件10上依次排列设置有衬底基板100、第一半导体层300、发光层500以及第二半导体层800，实现发光器件10的发光功能。通过将发光层500设置为由多个发光单元520周期性交叠，可增加复合辐射效率，提升发光器件10的发光效率。另外，本申请在发光单元520的含铟量子阱层521与量子垒层523之间插入铟含量大于含铟量子阱层521中铟含量的含铟插入层522，而含铟插入层522中高铟组分所引入的拉伸应变状态可以抵消含铟量子阱层521与量子垒层523因晶格适配导致的压缩应变，即可以削弱含铟量子阱层521与量子垒层523因晶格适配导致的压电极化问题，从而增加了电子和空穴波函数的交叠区域面积，最终电子和空穴辐射复合几率增加，进而提升发光器件10的发光效率。
一种实施例，含铟量子阱层521包括氮化铟镓层501，含铟插入层522包括氮化铝铟层502。
具体的，在本实施例中，氮化铟镓层501能够较好地将载流子限制在发光单元520中，并能够较好地实现电子和空穴的复合发光。且发光层500内的氮化铝铟层502能够使得发光层500在原有的铟组分基础上，还增加有铝组分。且铟组分与铝组分呈一定的配比能够使得发光层500内部的晶格常数的匹配性更好，进而能够减弱发光层500内的极化电场，提高载流子辐射复合效率。
一种实施例，所述氮化铝铟层502中铝元素的组分介于75％～85％之间，铟元素的组分介于15％～25％之间。
具体的，在本实施例中，当氮化铝铟层502中铝的组分介于75％～85％之间时，由于铝组分的加入，使得发光单元520内增加了拉应力，而无铝组分的结构中具有压应力，加入铝组分后使得现有结构中同时产生了拉应力和压应力，进而拉应力和压应力之间能够相互抵消并实现压力的平衡，达到减少能带弯曲的效果。且氮化铝铟层502中铝组分的含量越高，对电子的阻挡作用也越好。
需要提出的是，当氮化铝铟522中铟的含量发生变化时，氮化铝铟522内铝的含量也会对应地发生变化，也即，铝的含量是随着铟含量变化而适应性变化的。即当氮化铝铟层502中铝的组分介于75％～85％之间时，铟的含量对应为15％～25％。
一种实施例，氮化铟镓层501中铟元素的组分介于5％～20％之间。
具体的，在本实施例中，由于氮化铝铟层502中铟的组分控制在15％～25％，则氮化铟镓层501中铟的组分应控制在5％～20％之间，此时氮化铟镓层501中铟的组分与氮化铝铟层502中铟的组分接近，使得两者之间的晶格匹配较好，能够减小两者之间的压电极化效应，进而增加电子和空穴在空间的复合效率。且因为铝组分和铟组分迁移特性的显著不同，本申请提供的发光器件10可以较容易的实现平滑的表面层和更加陡峭的界面层，从而能够较好的将电子和空穴限制在多量子发光单元520中并实现辐射复合发光。
需要提出的是，氮化铝铟层502的应变状态可以根据量子垒层523的应变状态进行调整，通过改变铟组分应变状态能够使其从重度压缩应变到接近晶格匹配，再到拉伸应变状态。氮化铝铟层502中铟组分的引入的拉伸应变状态可以抵消含铟量子阱层521和量子垒层523因晶格失配导致的压缩应变，可以削弱含铟量子阱层521和量子垒层523因晶格失配导致的压电极化，从而增加了电子和空穴波函数的交叠区域面积。
一种实施例，发光单元520的交叠周期大于或等于六。
具体的，在本实施例中，本申请中的发光层500由平整层510与至少六个发光单元520组成，且至少六个发光单元520依次层叠设置。也即，在平整层510上依次制作一层含铟量子阱层521、一层含铟插入层522、以及一层量子垒层523后，形成一层发光单元520，然后重复发光单元520的制作步骤，在量子垒层523上制作新一层的含铟量子阱层521，依次完成至少六个发光单元520的重叠制作。发光层500中的平整层510的材料为氮化镓，与发光单元520中量子垒层523的材料实质上为同一材料。重叠制作至少六层发光单元520能够较好地保证发光层500的光电特性。需要提出的是，发光单元520的重叠数量宜保持在六层至十层之间。当发光单元520的重叠数量少于六层时，其光电特性难以得到保证，而当发光单元520的重叠数量大于十层时，会造成发光层500的厚度过大，难以在发光层500上形成预设的电压差。优选的，发光单元520的重叠数量设置在八层或九层。
需要提出的是，本申请采用在含铟量子阱层521和量子垒层523之间插入设置一层含铟插入层522的方法来制备发光器件10，但不仅限于图2所示的实施例中的排布方法，应该包括在发光层500中插入设置含铟插入层522，且含铟插入层522与含铟量子阱层521、量子垒层523之间的任意排列方式，且在任意排列方式下，均能够实现提高发光器件10的发光效率。
本申请还涉及一种发光器件10的制备方法，请参见图4，包括以下步骤：
S10、提供一衬底基板100；
具体的，在本实施例中，衬底基板100为后续生长第一半导体层300与其余层结构做准备。LED和半导体激光器等的发光部分的半导体层是在衬底基板100上生长结晶而成的。采用的衬底基板100根据LED的发光波长不同而区分使用。
S20、于衬底基板100上生长一第一半导体层300；
具体的，在本实施例中，第一半导体层300也即非掺杂的氮化镓层，且第一半导体层300采用高温生长的方式制作。一种实施例，还可以在衬底基板100上低温生长缓冲层200，在缓冲层200上高温生长非掺杂的第一半导体层300，此时缓冲层200位于衬底基板100和非掺杂的第一半导体层300之间。
S30、于第一半导体层300上生长一发光单元520；其中，发光单元520包括含铟量子阱层521、量子垒层523和含铟插入层522，含铟插入层522夹设于含铟量子阱层521和量子垒层523之间，且生长的含铟插入层522中铟元素的含量大于生长的含铟量子阱层521中铟元素的含量；
具体的，在本实施例中，发光单元520包括含铟量子阱层521、量子垒层523、以及设置于含铟量子阱层521和量子垒层523之间的含铟插入层522。含铟插入层522中铟元素的含量大于含铟量子阱层521中铟元素的含量，含铟插入层522中高铟组分所引入的拉伸应变状态可以抵消含铟量子阱层521与量子垒层523因晶格适配导致的压缩应变。
S40、周期性重复发光单元520的制作步骤以形成一发光层500；
具体的，在本实施例中，发光层500中有多个周期性重复生长的发光单元520，重叠制作的发光单元520能够较好地保证发光层500的光电特性。
S50、于发光层500上制作一第二半导体层800。
具体的，在本实施例中，发光层500位于第一半导体层300与第二半导体层800之间，此步骤中的第二半导体层800也即欧姆接触层，欧姆接触层能够形成良好的欧姆接触，并有利于电流的输入和输出。
本申请方法可用于形成前述的发光器件10，且第一半导体层300、发光层500与第二半导体层800的共同作用能够实现发光器件10的发光功能，发光单元520则能够提高发光器件10的发光效率，并削弱发光器件10内部的极化电场，从而提高发光器件10内的量子效率，进而提高发光二极管的发光效率。
一种实施例请参见图5，含铟量子阱层521包括氮化铟镓层501，含铟插入层522包括氮化铝铟层502，在本申请发光器件10的制备方法的步骤S30“于第一半导体层300上生长一发光单元520”，还包括：
S31、控制氮化铟镓层501于一生长压力下生长；
S32、调整该生长压力以使当前生长压力符合氮化铝铟层502的生长要求，并控制氮化铝铟层502在经调整后的生长压力下生长；
S33、完成氮化铝铟层502的生长后，再次调整当前生长压力以符合量子垒层523的生长要求；
S34、控制量子垒层523于再次调整后的生长压力下生长。
具体的，在本实施例中，请配合参见图6，对于氮化铟镓层501、氮化铝铟层502以及量子垒层523的制作，其生长压力的控制尤其关键。一种实施例，在制作氮化铝铟层502之前先在第一半导体层300上制作平整层510，并定义平整层510的生长阶段为a1，氮化铟镓层501的生长阶段为a2，氮化铝铟层502的第一生长过渡阶段为b1，氮化铝铟层502生长阶段为a3，第一稳定阶段为c1，氮化铝铟层502的第二生长过渡阶段为b2，第二稳定阶段为c2，量子垒层523的生长阶段为a4。且在进行该步骤中在第一半导体层300上制作发光单元520时，需先后根据各层结构所需的生长压力进行升压和降压操作，以使得各层结构能后实现其较好地生长效果。
一种实施例，还包括：响应于经调整后的生长压力符合氮化铝铟层502的要求，则控制经调整后的生长压力在一预设时间保持稳定。
具体的，在本实施例中，在生长氮化铝铟层502前，需要保持此时的生长压力能够在预设时间内保持一定时间的稳定，且生长氮化铝铟层502时先保持预设时间内的生长压力的稳定能够使得氮化铝铟层502的生长效果较好，从而保证发光层500的显示效果。需要提出的是，由于发光层500中铝元素的增加，会导致发光器件10内的预反应过于强烈，所以在对氮化铝铟层502的制作过程中需要降低其生长压力，以达到适合氮化铝铟层502的生长环境，并能够保证其生长的稳定性，进而保证发光界面更加清晰。
一种实施例，对于上述步骤“响应于经调整后的生长压力符合氮化铝铟层502的要求，则控制经调整后的生长压力在一预设时间保持稳定”，包括：
降低该生长压力以使当前生长压力符合氮化铝铟层502的生长要求。
具体的，在本实施例中，请配合参见图6，由于在生长氮化铝铟层502之前需要生长一层氮化铟镓层501，而氮化铟镓层501的生长压力较氮化铝铟层502的生长压力大，因此，在生长氮化铝铟层502之前需要对生长环境中的生长压力进行降低，且降低的该生长压力能够满足氮化铝铟层502的生长要求。
一种实施例，氮化铟镓层501的生长压力大于350毫巴，氮化铝铟层502的生长压力小于100毫巴，量子垒层523的生长压力大于350毫巴。
具体的，在本实施例中，请配合参见图6，生长平整层510和含铟量子阱层521时的生长压力大于350mbar，即图6中的平整层510的生长阶段a1与含铟量子阱层521的生长阶段a2，然后到达第一生长过渡阶段b1，由于在生长氮化铝铟层502时需要引入铝元素，因此在生长完含铟量子阱层521后，需要降低反应室的压力，此时的生长压力从大于350mbar过渡到生长阶段a3的小于100mbar的生长压力，且过渡时间介于70s～100s之间。生长压力小于100mbar后到达第一稳定阶段c1，稳定时间为20s～40s，并在此段生长氮化铝铟层502。生长氮化铝铟层502后需要生长量子垒层523，此时的生长压力需要从小于100mbar的生长压力过渡到大于350mbar的生长压力，即图6中所示的氮化铝铟层502的第二生长过渡阶段b2，此阶段的过渡时间介于30s～70s之间，在氮化铝铟层502上生长量子垒层523前需要一定的稳定时间，即第二稳定阶段c2，且第二稳定阶段c2的稳定时间为10s～20s，稳定后到达量子垒层523生长阶段a4。且在制作本申请中的发光器件10时需要重复至少六次此生长压力阶段用以生长至少六层发光单元520。
另一方面，在本实施例中，氮化铝铟层502的载气为氮气，且氮气的含量至少为90％。载气通常可以采用氮气或氢气。但由于在本方法中，氢气的含量过高，容易与铟元素发生反应，从而会影响整体结构层的功能，因此提高氮气含量可以有效避免氢气对结构带来的不利影响。优选的，可以采用氮气含量在99％以上的载气制作氮化铝铟层502，进一步的，还可以采用氮气含量100％的载气制作氮化铝铟层502。
以上是本发明实施例的实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种发光器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
于所述衬底基板上生长一第一半导体层；
于所述第一半导体层上生长一发光单元；其中，所述发光单元包括含铟量子阱层、量子垒层和含铟插入层，所述含铟插入层夹设于所述含铟量子阱层和所述量子垒层之间，且生长的所述含铟插入层中铟元素的含量大于生长的所述含铟量子阱层中铟元素的含量；所述含铟量子阱层包括氮化铟镓层，所述含铟插入层包括氮化铝铟层；控制所述氮化铟镓层于一生长压力下生长；降低该生长压力以使当前生长压力符合所述氮化铝铟层的生长要求，并控制所述氮化铝铟层在经调整后的生长压力下生长；完成所述氮化铝铟层的生长后，再次调整当前生长压力以符合所述量子垒层的生长要求；控制所述量子垒层于再次调整后的生长压力下生长；
周期性重复所述发光单元的制作步骤以形成一发光层；
于所述发光层上制作一第二半导体层。
2.如权利要求1中所述的发光器件制备方法，其特征在于，还包括：
响应于经调整后的生长压力符合所述氮化铝铟层的要求，则控制经调整后的生长压力在一预设时间保持稳定。
3.如权利要求1或2所述的发光器件制备方法，其特征在于，所述氮化铟镓层的生长压力大于350毫巴，所述氮化铝铟层的生长压力小于100毫巴，所述量子垒层的生长压力大于350毫巴。
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